JPH09245344A - 記録媒体の製造装置及び記録媒体の製造方法 - Google Patents
記録媒体の製造装置及び記録媒体の製造方法Info
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- JPH09245344A JPH09245344A JP5570796A JP5570796A JPH09245344A JP H09245344 A JPH09245344 A JP H09245344A JP 5570796 A JP5570796 A JP 5570796A JP 5570796 A JP5570796 A JP 5570796A JP H09245344 A JPH09245344 A JP H09245344A
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- protective film
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 耐久性に優れた保護膜を形成する技術を提供
することである。 【解決手段】 真空槽と、支持体に設けた記録膜上に保
護膜構成材料を堆積させて保護膜を形成する保護膜形成
手段とを具備してなり、前記保護膜形成手段と支持体上
の記録膜との間に電子シャワー装置が設けられ、この電
子シャワー装置は、カソードと、このカソードを挟むよ
うに設けた前記保護膜形成手段に近い側の第１のアノー
ド及び前記支持体に近い側の第２のアノードとからなる
記録媒体の製造装置。
することである。 【解決手段】 真空槽と、支持体に設けた記録膜上に保
護膜構成材料を堆積させて保護膜を形成する保護膜形成
手段とを具備してなり、前記保護膜形成手段と支持体上
の記録膜との間に電子シャワー装置が設けられ、この電
子シャワー装置は、カソードと、このカソードを挟むよ
うに設けた前記保護膜形成手段に近い側の第１のアノー
ド及び前記支持体に近い側の第２のアノードとからなる
記録媒体の製造装置。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば金属薄膜型
磁気記録媒体の製造技術に関する。
磁気記録媒体の製造技術に関する。
【０００２】
【発明が解決しようとする課題】磁気テープ等の磁気記
録媒体においては、高密度記録化の要請から、非磁性支
持体上に設けられる磁性膜として、バインダ樹脂を用い
た塗布型のものではなく、バインダ樹脂を用いない金属
薄膜型のものが提案されている。すなわち、無電解メッ
キ等の湿式メッキ手段、真空蒸着、スパッタリングある
いはイオンプレーティング等の乾式メッキ手段により磁
性膜を構成した磁気記録媒体が提案されている。この種
の磁気記録媒体は磁性体の充填密度が高いことから、高
密度記録に適したものである。この金属薄膜型磁気記録
媒体の磁性膜を構成する磁性材料としては、例えばＦ
ｅ，Ｃｏ，Ｎｉあるいはこれらの合金が考えられてい
る。
録媒体においては、高密度記録化の要請から、非磁性支
持体上に設けられる磁性膜として、バインダ樹脂を用い
た塗布型のものではなく、バインダ樹脂を用いない金属
薄膜型のものが提案されている。すなわち、無電解メッ
キ等の湿式メッキ手段、真空蒸着、スパッタリングある
いはイオンプレーティング等の乾式メッキ手段により磁
性膜を構成した磁気記録媒体が提案されている。この種
の磁気記録媒体は磁性体の充填密度が高いことから、高
密度記録に適したものである。この金属薄膜型磁気記録
媒体の磁性膜を構成する磁性材料としては、例えばＦ
ｅ，Ｃｏ，Ｎｉあるいはこれらの合金が考えられてい
る。
【０００３】ところで、金属薄膜型磁気記録媒体は、磁
性膜を保護する為、保護膜が設けられている。この保護
膜の代表的な例としてカーボン膜、特にダイヤモンドラ
イクカーボン膜が挙げられる。尚、このカーボン膜は、
通常、ＣＶＤ（ケミカルベーパーデポジション）法で設
けられる。しかし、従来の手法で設けられた保護膜、中
でも優秀とされるダイヤモンドライクカーボン膜であっ
ても、耐久性に更なる改善が求められた。
性膜を保護する為、保護膜が設けられている。この保護
膜の代表的な例としてカーボン膜、特にダイヤモンドラ
イクカーボン膜が挙げられる。尚、このカーボン膜は、
通常、ＣＶＤ（ケミカルベーパーデポジション）法で設
けられる。しかし、従来の手法で設けられた保護膜、中
でも優秀とされるダイヤモンドライクカーボン膜であっ
ても、耐久性に更なる改善が求められた。
【０００４】従って、本発明が解決しようとする課題
は、耐久性に優れた保護膜を形成する技術を提供するこ
とである。
は、耐久性に優れた保護膜を形成する技術を提供するこ
とである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】前記の課題は、真空槽
と、支持体に設けた記録膜上に保護膜構成材料を堆積さ
せて保護膜を形成する保護膜形成手段とを具備してな
り、前記保護膜形成手段と支持体上の記録膜との間に電
子シャワー装置が設けられ、この電子シャワー装置は、
カソードと、このカソードを挟むように設けた前記保護
膜形成手段に近い側の第１のアノード及び前記支持体に
近い側の第２のアノードとからなることを特徴とする記
録媒体の製造装置によって解決される。
と、支持体に設けた記録膜上に保護膜構成材料を堆積さ
せて保護膜を形成する保護膜形成手段とを具備してな
り、前記保護膜形成手段と支持体上の記録膜との間に電
子シャワー装置が設けられ、この電子シャワー装置は、
カソードと、このカソードを挟むように設けた前記保護
膜形成手段に近い側の第１のアノード及び前記支持体に
近い側の第２のアノードとからなることを特徴とする記
録媒体の製造装置によって解決される。
【０００６】尚、上記の記録媒体の製造装置、特に磁気
記録媒体の製造装置において、第１のアノードが最高電
位ＶA1である時期と第２のアノードが最高電位ＶA2であ
る時期とが交互に存するよう電圧が掛かった構成のもの
が好ましい。又、どのような電位関係であっても良い
が、（第１のアノードが最高電位ＶA1である時間）≦
（第２のアノードが最高電位ＶA2である時間）を満たす
よう電圧が掛かった構成のものが好ましい。又、第１の
アノードの最高電位ＶA1≦第２のアノードの最高電位Ｖ
A2を満たすよう電圧が掛かった構成のものが好ましい。
特に、支持体の最高電位ＶB ≦第１のアノードの最高電
位ＶA1≦第２のアノードの最高電位ＶA2を満たすよう電
圧が掛かった構成のものが好ましい。又、カソードの最
高電位ＶC ＜支持体の最高電位ＶB を満たすよう電圧が
掛かった構成のものが好ましい。すなわち、電圧引加手
段によって上記のような電圧が掛かるものとするのが好
ましい。これにより、電子シャワー装置からの電子（プ
ラズマ）が保護膜構成材料に効率良く作用し、活性化
し、そして記録膜上に堆積する粒子（堆積膜）にも作用
し、保護膜の結着性などが向上する。
記録媒体の製造装置において、第１のアノードが最高電
位ＶA1である時期と第２のアノードが最高電位ＶA2であ
る時期とが交互に存するよう電圧が掛かった構成のもの
が好ましい。又、どのような電位関係であっても良い
が、（第１のアノードが最高電位ＶA1である時間）≦
（第２のアノードが最高電位ＶA2である時間）を満たす
よう電圧が掛かった構成のものが好ましい。又、第１の
アノードの最高電位ＶA1≦第２のアノードの最高電位Ｖ
A2を満たすよう電圧が掛かった構成のものが好ましい。
特に、支持体の最高電位ＶB ≦第１のアノードの最高電
位ＶA1≦第２のアノードの最高電位ＶA2を満たすよう電
圧が掛かった構成のものが好ましい。又、カソードの最
高電位ＶC ＜支持体の最高電位ＶB を満たすよう電圧が
掛かった構成のものが好ましい。すなわち、電圧引加手
段によって上記のような電圧が掛かるものとするのが好
ましい。これにより、電子シャワー装置からの電子（プ
ラズマ）が保護膜構成材料に効率良く作用し、活性化
し、そして記録膜上に堆積する粒子（堆積膜）にも作用
し、保護膜の結着性などが向上する。
【０００７】又、電子シャワー装置で発生する電子に対
して磁場が作用するよう構成されているものが好まし
い。例えば、永久磁石や電磁石を設けることによって磁
場を作用させられる。これによって、電子シャワー装置
からの電子（プラズマ）が効率良く作用する。保護膜形
成手段としては、ＣＶＤ装置やＰＶＤ（フィジカルベー
パーデポジション）装置を好ましい例として挙げること
が出来る。
して磁場が作用するよう構成されているものが好まし
い。例えば、永久磁石や電磁石を設けることによって磁
場を作用させられる。これによって、電子シャワー装置
からの電子（プラズマ）が効率良く作用する。保護膜形
成手段としては、ＣＶＤ装置やＰＶＤ（フィジカルベー
パーデポジション）装置を好ましい例として挙げること
が出来る。
【０００８】電子シャワー装置のカソードは、上記ＣＶ
ＤやＰＶＤ装置のような保護膜形成手段と支持体（記録
膜）との間に設けられる。上記電子シャワー装置の第１
のアノードや第２のアノードとカソードとの距離は、例
えば５〜５０ｍｍ程度、より好ましくは７〜１０ｍｍ程
度である。電子シャワー装置のカソードと第１のアノー
ドや第２のアノードは環形状（例えば、円形状）であっ
て、両者は略同芯状に設けられている。カソードの環の
大きさとアノードの環の大きさとは、第２のアノードの
環の大きさ＞カソードの環の大きさ＞第１のアノードの
環の大きさ、第２のアノードの環の大きさ＞第１のアノ
ードの環の大きさ＞カソードの環の大きさ、カソードの
環の大きさ＞第２のアノードの環の大きさ＞第１のアノ
ードの環の大きさの場合がある。各々の場合によって、
得られた保護膜の特性に差がある。例えば、第２のアノ
ードの環の大きさ＞カソードの環の大きさ＞第１のアノ
ードの環の大きさの場合には、広い面積にわたって保護
膜を形成できる。第２のアノードの環の大きさ＞第１の
アノードの環の大きさ＞カソードの環の大きさの場合に
は、処理面積はやや減少するが、均一な保護膜が得られ
る。カソードの環の大きさ＞第２のアノードの環の大き
さ＞第１のアノードの環の大きさの場合には、処理面積
は減少するが、緻密で、結着性の高い保護膜が得られ
る。従って、特に目的とする特性の向上に合わせてアノ
ードやカソードの環の大きさを決定する。
ＤやＰＶＤ装置のような保護膜形成手段と支持体（記録
膜）との間に設けられる。上記電子シャワー装置の第１
のアノードや第２のアノードとカソードとの距離は、例
えば５〜５０ｍｍ程度、より好ましくは７〜１０ｍｍ程
度である。電子シャワー装置のカソードと第１のアノー
ドや第２のアノードは環形状（例えば、円形状）であっ
て、両者は略同芯状に設けられている。カソードの環の
大きさとアノードの環の大きさとは、第２のアノードの
環の大きさ＞カソードの環の大きさ＞第１のアノードの
環の大きさ、第２のアノードの環の大きさ＞第１のアノ
ードの環の大きさ＞カソードの環の大きさ、カソードの
環の大きさ＞第２のアノードの環の大きさ＞第１のアノ
ードの環の大きさの場合がある。各々の場合によって、
得られた保護膜の特性に差がある。例えば、第２のアノ
ードの環の大きさ＞カソードの環の大きさ＞第１のアノ
ードの環の大きさの場合には、広い面積にわたって保護
膜を形成できる。第２のアノードの環の大きさ＞第１の
アノードの環の大きさ＞カソードの環の大きさの場合に
は、処理面積はやや減少するが、均一な保護膜が得られ
る。カソードの環の大きさ＞第２のアノードの環の大き
さ＞第１のアノードの環の大きさの場合には、処理面積
は減少するが、緻密で、結着性の高い保護膜が得られ
る。従って、特に目的とする特性の向上に合わせてアノ
ードやカソードの環の大きさを決定する。
【０００９】そして、上記のように構成させた装置を用
いて保護膜が設けられる。すなわち、前記の課題は、上
記の記録媒体の製造装置を用いることにより金属薄膜型
の磁性膜上に保護膜を形成する記録媒体の製造方法であ
って、保護膜の形成に際して、保護膜形成手段と支持体
上の磁性膜との間に設けたカソードと、このカソードを
挟むように設けた前記保護膜形成手段に近い側の第１の
アノード及び前記磁性膜に近い側の第２のアノードとを
具備した電子シャワー手段による電子シャワーを作用さ
せることを特徴とする記録媒体の製造方法によって解決
される。
いて保護膜が設けられる。すなわち、前記の課題は、上
記の記録媒体の製造装置を用いることにより金属薄膜型
の磁性膜上に保護膜を形成する記録媒体の製造方法であ
って、保護膜の形成に際して、保護膜形成手段と支持体
上の磁性膜との間に設けたカソードと、このカソードを
挟むように設けた前記保護膜形成手段に近い側の第１の
アノード及び前記磁性膜に近い側の第２のアノードとを
具備した電子シャワー手段による電子シャワーを作用さ
せることを特徴とする記録媒体の製造方法によって解決
される。
【００１０】上記保護膜形成に際して、真空槽内の真空
度は１．０×１０-3Ｔｏｒｒ以上、特に２×１０-2〜５
Ｔｏｒｒ（低真空）となるよう制御されているのが好ま
しい。これにより、反応速度が速く、結着性に優れた保
護膜が得られる。あるいは、真空度を１．０×１０-3Ｔ
ｏｒｒ未満、特に１．０×１０-4〜１．０×１０-6Ｔｏ
ｒｒ（高真空）としていても良い。これにより、欠陥が
少ない緻密な保護膜が得られる。
度は１．０×１０-3Ｔｏｒｒ以上、特に２×１０-2〜５
Ｔｏｒｒ（低真空）となるよう制御されているのが好ま
しい。これにより、反応速度が速く、結着性に優れた保
護膜が得られる。あるいは、真空度を１．０×１０-3Ｔ
ｏｒｒ未満、特に１．０×１０-4〜１．０×１０-6Ｔｏ
ｒｒ（高真空）としていても良い。これにより、欠陥が
少ない緻密な保護膜が得られる。
【００１１】保護膜形成に際して、支持体は３００°Ｋ
〜４００°Ｋに保持（制御）されているのが好ましい。
これにより、結着性に優れた保護膜が得られる。あるい
は、支持体を２００°Ｋ〜３００°Ｋに保持（制御）し
ていても良い。これにより、例えば均一性に優れた保護
膜が得られる。
〜４００°Ｋに保持（制御）されているのが好ましい。
これにより、結着性に優れた保護膜が得られる。あるい
は、支持体を２００°Ｋ〜３００°Ｋに保持（制御）し
ていても良い。これにより、例えば均一性に優れた保護
膜が得られる。
【００１２】
【発明の実施の形態】本発明の記録媒体の製造装置は、
真空槽と、支持体に設けた記録膜上に保護膜構成材料を
堆積させて保護膜を形成する保護膜形成手段とを具備し
てなり、前記保護膜形成手段と支持体上の記録膜との間
に電子シャワー装置が設けられ、この電子シャワー装置
は、カソードと、このカソードを挟むように設けた前記
保護膜形成手段に近い側の第１のアノード及び前記支持
体に近い側の第２のアノードとからなる。
真空槽と、支持体に設けた記録膜上に保護膜構成材料を
堆積させて保護膜を形成する保護膜形成手段とを具備し
てなり、前記保護膜形成手段と支持体上の記録膜との間
に電子シャワー装置が設けられ、この電子シャワー装置
は、カソードと、このカソードを挟むように設けた前記
保護膜形成手段に近い側の第１のアノード及び前記支持
体に近い側の第２のアノードとからなる。
【００１３】本発明の記録媒体の製造方法は、本発明の
記録媒体の製造装置を用い、金属薄膜型の磁性膜上に保
護膜を形成する記録媒体の製造方法であって、保護膜の
形成に際して、保護膜形成手段と支持体上の磁性膜との
間に設けたカソードと、このカソードを挟むように設け
た前記保護膜形成手段に近い側の第１のアノード及び前
記磁性膜に近い側の第２のアノードとを具備した電子シ
ャワー手段による電子シャワーを作用させるものであ
る。
記録媒体の製造装置を用い、金属薄膜型の磁性膜上に保
護膜を形成する記録媒体の製造方法であって、保護膜の
形成に際して、保護膜形成手段と支持体上の磁性膜との
間に設けたカソードと、このカソードを挟むように設け
た前記保護膜形成手段に近い側の第１のアノード及び前
記磁性膜に近い側の第２のアノードとを具備した電子シ
ャワー手段による電子シャワーを作用させるものであ
る。
【００１４】保護膜形成手段は、例えば熱フィラメント
ＣＶＤ装置、光ＣＶＤ装置、ＲＦプラズマＣＶＤ装置、
マイクロ波プラズマＣＶＤ装置、ＥＣＲマイクロ波プラ
ズマＣＶＤ装置などのＣＶＤ装置が用いられる。あるい
は、蒸着やアーク放電などのＰＶＤ装置が用いられる。
その他にも、例えばＡｌ（ＣＯ3 ）3 やＴｉ（ＣＯ3）
2 等の水溶液を超音波噴霧により吹き付けると共に、酸
素、窒素、アンモニア、メタン、あるいはベンゼン等の
反応性物質（酸化物を形成する場合には、酸化性物質。
窒化物を形成する場合には、窒化性物質。炭化物を形成
する場合には、炭化性物質。）を供給する手段、前記超
音波噴霧の代わりに熱により蒸発させる手段、金属せっ
けんやフェロセン等の金属有機化合物を吹き付ける手段
など各種の手段が有る。
ＣＶＤ装置、光ＣＶＤ装置、ＲＦプラズマＣＶＤ装置、
マイクロ波プラズマＣＶＤ装置、ＥＣＲマイクロ波プラ
ズマＣＶＤ装置などのＣＶＤ装置が用いられる。あるい
は、蒸着やアーク放電などのＰＶＤ装置が用いられる。
その他にも、例えばＡｌ（ＣＯ3 ）3 やＴｉ（ＣＯ3）
2 等の水溶液を超音波噴霧により吹き付けると共に、酸
素、窒素、アンモニア、メタン、あるいはベンゼン等の
反応性物質（酸化物を形成する場合には、酸化性物質。
窒化物を形成する場合には、窒化性物質。炭化物を形成
する場合には、炭化性物質。）を供給する手段、前記超
音波噴霧の代わりに熱により蒸発させる手段、金属せっ
けんやフェロセン等の金属有機化合物を吹き付ける手段
など各種の手段が有る。
【００１５】そして、電圧引加手段によって、第１のア
ノードが最高電位ＶA1である時期と第２のアノードが最
高電位ＶA2である時期とが交互に存するよう電圧が掛か
っている。又、（第１のアノードが最高電位ＶA1である
時間）≦（第２のアノードが最高電位ＶA2である時間）
を満たすよう電圧が掛かっている。又、第１のアノード
の最高電位ＶA1≦第２のアノードの最高電位ＶA2を満た
すよう電圧が掛かっている。特に、支持体の最高電位Ｖ
B ≦第１のアノードの最高電位ＶA1≦第２のアノードの
最高電位ＶA2を満たすよう電圧が掛かっている。又、カ
ソードの最高電位ＶC ＜支持体の最高電位ＶB を満たす
よう電圧が掛かっている。
ノードが最高電位ＶA1である時期と第２のアノードが最
高電位ＶA2である時期とが交互に存するよう電圧が掛か
っている。又、（第１のアノードが最高電位ＶA1である
時間）≦（第２のアノードが最高電位ＶA2である時間）
を満たすよう電圧が掛かっている。又、第１のアノード
の最高電位ＶA1≦第２のアノードの最高電位ＶA2を満た
すよう電圧が掛かっている。特に、支持体の最高電位Ｖ
B ≦第１のアノードの最高電位ＶA1≦第２のアノードの
最高電位ＶA2を満たすよう電圧が掛かっている。又、カ
ソードの最高電位ＶC ＜支持体の最高電位ＶB を満たす
よう電圧が掛かっている。
【００１６】カソードは、例えばタングステン製であ
り、アノードは、例えばタングステン製あるいはタンタ
ル製である。アノードとカソードとの距離は、例えば５
〜５０ｍｍ程度、より好ましくは７〜１０ｍｍ程度であ
る。又、電子シャワー装置で発生する電子に対して磁場
が作用するよう構成されている。電子シャワー装置のカ
ソードは、保護膜形成手段と支持体（記録膜）との間に
設けられる。
り、アノードは、例えばタングステン製あるいはタンタ
ル製である。アノードとカソードとの距離は、例えば５
〜５０ｍｍ程度、より好ましくは７〜１０ｍｍ程度であ
る。又、電子シャワー装置で発生する電子に対して磁場
が作用するよう構成されている。電子シャワー装置のカ
ソードは、保護膜形成手段と支持体（記録膜）との間に
設けられる。
【００１７】カソードやアノードは環形状（例えば、円
形状）であって、両者は略同芯状に設けられている。カ
ソードの環の大きさとアノードの環の大きさとは、第２
のアノードの環の大きさ＞カソードの環の大きさ＞第１
のアノードの環の大きさ、第２のアノードの環の大きさ
＞第１のアノードの環の大きさ＞カソードの環の大き
さ、カソードの環の大きさ＞第２のアノードの環の大き
さ＞第１のアノードの環の大きさの場合がある。
形状）であって、両者は略同芯状に設けられている。カ
ソードの環の大きさとアノードの環の大きさとは、第２
のアノードの環の大きさ＞カソードの環の大きさ＞第１
のアノードの環の大きさ、第２のアノードの環の大きさ
＞第１のアノードの環の大きさ＞カソードの環の大き
さ、カソードの環の大きさ＞第２のアノードの環の大き
さ＞第１のアノードの環の大きさの場合がある。
【００１８】保護膜形成時における真空槽内の真空度は
１．０×１０-3Ｔｏｒｒ未満、特に１．０×１０-4〜
１．０×１０-6Ｔｏｒｒ（高真空）であったり、１．０
×１０ -3Ｔｏｒｒ以上、特に２×１０-2〜５Ｔｏｒｒ
（低真空）である。又、支持体は３００°Ｋ〜４００°
Ｋ、あるいは２００°Ｋ〜３００°Ｋに保持されてい
る。本発明は、磁性膜上に保護膜を成膜するに際して、
電子シャワー装置、特にカソードと、このカソードを挟
むように設けた保護膜形成手段に近い側の第１のアノー
ド及び磁性膜に近い側の第２のアノードとを具備した電
子シャワー装置を用いた点に特徴が有る。これにより耐
久性に優れた保護膜が得られる。
１．０×１０-3Ｔｏｒｒ未満、特に１．０×１０-4〜
１．０×１０-6Ｔｏｒｒ（高真空）であったり、１．０
×１０ -3Ｔｏｒｒ以上、特に２×１０-2〜５Ｔｏｒｒ
（低真空）である。又、支持体は３００°Ｋ〜４００°
Ｋ、あるいは２００°Ｋ〜３００°Ｋに保持されてい
る。本発明は、磁性膜上に保護膜を成膜するに際して、
電子シャワー装置、特にカソードと、このカソードを挟
むように設けた保護膜形成手段に近い側の第１のアノー
ド及び磁性膜に近い側の第２のアノードとを具備した電
子シャワー装置を用いた点に特徴が有る。これにより耐
久性に優れた保護膜が得られる。
【００１９】以下、より具体的に説明する。図１は、本
発明の磁気記録媒体の製造装置（保護膜形成装置）の要
部の概略図である。図１中、１は真空槽、２ａは金属薄
膜型の磁性膜が設けられた支持体３の供給側ロール、２
ｂは支持体３の巻取側ロール、４は冷却キャンロール、
５は冷却キャンロール４に対向して設けられたプラズマ
反応管、６は反応ガス（例えば、メタン、エチレン、ベ
ンゼン等の炭化水素系のガス）供給用のノズル、７はマ
イクロ波の導波管である。８はＥＣＲ用コイルである。
このＥＣＲ用コイル８は、マイクロ波の進行方向と同方
向に磁場を発生させ、サイクロトロン共鳴を起こさせる
ものである。
発明の磁気記録媒体の製造装置（保護膜形成装置）の要
部の概略図である。図１中、１は真空槽、２ａは金属薄
膜型の磁性膜が設けられた支持体３の供給側ロール、２
ｂは支持体３の巻取側ロール、４は冷却キャンロール、
５は冷却キャンロール４に対向して設けられたプラズマ
反応管、６は反応ガス（例えば、メタン、エチレン、ベ
ンゼン等の炭化水素系のガス）供給用のノズル、７はマ
イクロ波の導波管である。８はＥＣＲ用コイルである。
このＥＣＲ用コイル８は、マイクロ波の進行方向と同方
向に磁場を発生させ、サイクロトロン共鳴を起こさせる
ものである。
【００２０】１０は、リング状（直径１５〜８０ｃｍの
略円形であって、反応管５の口径より大きい）のフィラ
メント（直径０．３ｍｍのタングステン線）である。こ
のフィラメント（カソード）１０は、反応管５と冷却キ
ャンロール４に沿って走行する支持体３との間の位置に
水平方向に設けられている。尚、フィラメント１０と反
応管５とは同芯状に配置されている。
略円形であって、反応管５の口径より大きい）のフィラ
メント（直径０．３ｍｍのタングステン線）である。こ
のフィラメント（カソード）１０は、反応管５と冷却キ
ャンロール４に沿って走行する支持体３との間の位置に
水平方向に設けられている。尚、フィラメント１０と反
応管５とは同芯状に配置されている。
【００２１】１１ａは、フィラメント１０の上側で、フ
ィラメント１０から８ｍｍ離れた位置に水平方向に設け
られたアノード（直径０．１〜０．５ｍｍのタングステ
ン線）である。１１ｂは、フィラメント１０の下側で、
フィラメント１０から８ｍｍ離れた位置に水平方向に設
けられたアノード（直径０．１〜０．５ｍｍのタングス
テン線）である。尚、このアノード１１ａ，１１ｂは、
直径１５〜８０ｃｍの略円形である。又、アノード１１
ａ，１１ｂとフィラメント１０とは同芯状に配置されて
いる。
ィラメント１０から８ｍｍ離れた位置に水平方向に設け
られたアノード（直径０．１〜０．５ｍｍのタングステ
ン線）である。１１ｂは、フィラメント１０の下側で、
フィラメント１０から８ｍｍ離れた位置に水平方向に設
けられたアノード（直径０．１〜０．５ｍｍのタングス
テン線）である。尚、このアノード１１ａ，１１ｂは、
直径１５〜８０ｃｍの略円形である。又、アノード１１
ａ，１１ｂとフィラメント１０とは同芯状に配置されて
いる。
【００２２】１２は磁石（永久磁石又は電磁石）であ
り、図１に示す如く、磁石１２による磁界がアノード１
１ａ−フィラメント１０−アノード１１ｂによる空間に
矢印で示す如く加わるように構成されている。これによ
り、熱電子（プラズマ）は効率良く保護膜構成材料に衝
突し、活性化される。そして、上記装置、すなわち電子
シャワー装置を設けたＥＣＲマイクロ波プラズマＣＶＤ
装置を用い、所定の真空度、支持体を所定の温度に保持
してＣＶＤを行わせることにより、保護膜が金属薄膜型
磁性膜の上に設けられる。
り、図１に示す如く、磁石１２による磁界がアノード１
１ａ−フィラメント１０−アノード１１ｂによる空間に
矢印で示す如く加わるように構成されている。これによ
り、熱電子（プラズマ）は効率良く保護膜構成材料に衝
突し、活性化される。そして、上記装置、すなわち電子
シャワー装置を設けたＥＣＲマイクロ波プラズマＣＶＤ
装置を用い、所定の真空度、支持体を所定の温度に保持
してＣＶＤを行わせることにより、保護膜が金属薄膜型
磁性膜の上に設けられる。
【００２３】このようにして得られた本発明になる磁気
記録媒体を図２に示す。図２中、３は支持体である。こ
の支持体３は磁性を有するものでも非磁性のものでも良
いが、一般的には、非磁性のものである。例えば、ポリ
エチレンテレフタレート等のポリエステル、ポリアミ
ド、ポリイミド、ポリスルフォン、ポリカーボネート、
ポリプロピレン等のオレフィン系の樹脂、セルロース系
の樹脂、塩化ビニル系の樹脂といった高分子材料、ガラ
スやセラミック等の無機系材料、アルミニウム合金など
の金属材料が用いられる。支持体３面上には磁性膜の密
着性を向上させる為のアンダーコート層が必要に応じて
設けられる。すなわち、表面の粗さを適度に粗すことに
より乾式メッキで構成される磁性膜の密着性を向上さ
せ、さらに磁気記録媒体表面の表面粗さを適度なものと
して走行性を改善する為、例えばＳｉＯ2 等の粒子を含
有させた厚さが０．０１〜０．５μｍの塗膜を設けるこ
とによってアンダーコート層が構成されている。
記録媒体を図２に示す。図２中、３は支持体である。こ
の支持体３は磁性を有するものでも非磁性のものでも良
いが、一般的には、非磁性のものである。例えば、ポリ
エチレンテレフタレート等のポリエステル、ポリアミ
ド、ポリイミド、ポリスルフォン、ポリカーボネート、
ポリプロピレン等のオレフィン系の樹脂、セルロース系
の樹脂、塩化ビニル系の樹脂といった高分子材料、ガラ
スやセラミック等の無機系材料、アルミニウム合金など
の金属材料が用いられる。支持体３面上には磁性膜の密
着性を向上させる為のアンダーコート層が必要に応じて
設けられる。すなわち、表面の粗さを適度に粗すことに
より乾式メッキで構成される磁性膜の密着性を向上さ
せ、さらに磁気記録媒体表面の表面粗さを適度なものと
して走行性を改善する為、例えばＳｉＯ2 等の粒子を含
有させた厚さが０．０１〜０．５μｍの塗膜を設けるこ
とによってアンダーコート層が構成されている。
【００２４】支持体３の上には、電子シャワー装置を付
設した斜め蒸着装置によって、ＦｅあるいはＣｏ系の金
属薄膜型の磁性膜２０が設けられている。例えば、１０
-2〜１０-6Ｔｏｒｒ程度の真空雰囲気下でＦｅあるいは
Ｃｏを抵抗加熱、高周波加熱、電子ビーム加熱などによ
り蒸発させ、支持体３上に堆積（蒸着）させることによ
り、ＦｅあるいはＣｏ系磁性膜２０が５００〜１０００
０Å、特に１０００〜４０００Å厚形成される。斜め蒸
着の際の最小入射角は１５°〜７５°、望ましくは約３
０°〜６５°である。この時、蒸発Ｆｅ粒子（あるいは
Ｃｏ粒子）や窒素ガス（又は炭化水素ガス）には電子シ
ャワー（プラズマ）が作用し、不活性な窒素ガス（又は
炭化水素ガス）は活性化され、これによって窒化（又は
炭化）がなされる。尚、窒化系磁性膜を構成する場合に
は、窒素ガス、二酸化窒素ガス、アンモニア等の窒素系
化合物が導入され、炭化系磁性膜を構成する場合には、
メタン、エタン、エチレン、ベンゼン等の炭化水素（炭
素系化合物）が導入される。尚、磁性膜２０は上記の磁
性膜以外の磁性膜であっても良い。
設した斜め蒸着装置によって、ＦｅあるいはＣｏ系の金
属薄膜型の磁性膜２０が設けられている。例えば、１０
-2〜１０-6Ｔｏｒｒ程度の真空雰囲気下でＦｅあるいは
Ｃｏを抵抗加熱、高周波加熱、電子ビーム加熱などによ
り蒸発させ、支持体３上に堆積（蒸着）させることによ
り、ＦｅあるいはＣｏ系磁性膜２０が５００〜１０００
０Å、特に１０００〜４０００Å厚形成される。斜め蒸
着の際の最小入射角は１５°〜７５°、望ましくは約３
０°〜６５°である。この時、蒸発Ｆｅ粒子（あるいは
Ｃｏ粒子）や窒素ガス（又は炭化水素ガス）には電子シ
ャワー（プラズマ）が作用し、不活性な窒素ガス（又は
炭化水素ガス）は活性化され、これによって窒化（又は
炭化）がなされる。尚、窒化系磁性膜を構成する場合に
は、窒素ガス、二酸化窒素ガス、アンモニア等の窒素系
化合物が導入され、炭化系磁性膜を構成する場合には、
メタン、エタン、エチレン、ベンゼン等の炭化水素（炭
素系化合物）が導入される。尚、磁性膜２０は上記の磁
性膜以外の磁性膜であっても良い。
【００２５】２１は、金属薄膜型の磁性膜２０の上に設
けられた厚さが１０〜２００Å程度の保護膜である。こ
の保護膜２１は、例えばダイヤモンドライクカーボン、
グラファイト等のカーボン膜、酸化珪素、炭化珪素、窒
化珪素などの含珪素膜、ＴｉＯ2 等の酸化チタン膜、ア
ルミナ等の酸化アルミニウム膜、酸化クロム膜、窒化ア
ルミニウム膜、その他の酸化膜、炭化膜、窒化膜で構成
される。これらの中でも、ダイヤモンドライクカーボン
が好ましい。
けられた厚さが１０〜２００Å程度の保護膜である。こ
の保護膜２１は、例えばダイヤモンドライクカーボン、
グラファイト等のカーボン膜、酸化珪素、炭化珪素、窒
化珪素などの含珪素膜、ＴｉＯ2 等の酸化チタン膜、ア
ルミナ等の酸化アルミニウム膜、酸化クロム膜、窒化ア
ルミニウム膜、その他の酸化膜、炭化膜、窒化膜で構成
される。これらの中でも、ダイヤモンドライクカーボン
が好ましい。
【００２６】この保護膜２１の形成には、図１の電子シ
ャワー付きＥＣＲマイクロ波プラズマＣＶＤ装置あるい
はＰＶＤ装置が用いられる。例えば、ＥＣＲマイクロ波
プラズマＣＶＤ装置を用い、反応ガス供給ノズル６から
ベンゼンやメタン等の炭化水素系のガス（あるいは液状
微粒子）を供給した場合には、ダイヤモンドライクカー
ボンからなる保護膜２１が形成される。
ャワー付きＥＣＲマイクロ波プラズマＣＶＤ装置あるい
はＰＶＤ装置が用いられる。例えば、ＥＣＲマイクロ波
プラズマＣＶＤ装置を用い、反応ガス供給ノズル６から
ベンゼンやメタン等の炭化水素系のガス（あるいは液状
微粒子）を供給した場合には、ダイヤモンドライクカー
ボンからなる保護膜２１が形成される。
【００２７】２２は、保護膜２１の上に設けられた潤滑
剤層である。すなわち、炭化水素系の潤滑剤やパーフル
オロポリエーテル等のフッ素系潤滑剤、特にフッ素系潤
滑剤を含有させた塗料を所定の手段で塗布することによ
り、約５〜５０Å、好ましくは約１０〜３０Å程度の厚
さの潤滑剤層２２が設けられる。あるいは、フッ素含有
グラファイト膜によっても潤滑剤層２２は構成される。
剤層である。すなわち、炭化水素系の潤滑剤やパーフル
オロポリエーテル等のフッ素系潤滑剤、特にフッ素系潤
滑剤を含有させた塗料を所定の手段で塗布することによ
り、約５〜５０Å、好ましくは約１０〜３０Å程度の厚
さの潤滑剤層２２が設けられる。あるいは、フッ素含有
グラファイト膜によっても潤滑剤層２２は構成される。
【００２８】２３は、支持体３の他面に設けられたカー
ボンブラック等を含有させた厚さが０．１〜１μｍ程度
のバックコート層である。尚、バックコート層２３は、
Ａｌ−Ｃｕ合金等の金属を蒸着させて形成したものであ
っても良い。
ボンブラック等を含有させた厚さが０．１〜１μｍ程度
のバックコート層である。尚、バックコート層２３は、
Ａｌ−Ｃｕ合金等の金属を蒸着させて形成したものであ
っても良い。
【００２９】
【実施例１】図１の電子シャワー付きＥＣＲマイクロ波
プラズマＣＶＤ装置にＰＥＴフィルム３（６．４μｍ
厚、幅１５０ｍｍ）上に１９００Å厚のＣｏ系金属磁性
膜（Ｈｃ＝１５００Ｏｅ，Ｂｓ＝５４００Ｇ，Ｂｒ／Ｂ
ｓ＝０．８８）２０が設けられている磁気記録媒体の原
反を装着し、１５ｍ／分の走行速度で走行させた。
プラズマＣＶＤ装置にＰＥＴフィルム３（６．４μｍ
厚、幅１５０ｍｍ）上に１９００Å厚のＣｏ系金属磁性
膜（Ｈｃ＝１５００Ｏｅ，Ｂｓ＝５４００Ｇ，Ｂｒ／Ｂ
ｓ＝０．８８）２０が設けられている磁気記録媒体の原
反を装着し、１５ｍ／分の走行速度で走行させた。
【００３０】真空槽１内の真空度は１．０×１０-3Ｔｏ
ｒｒである。口径１３．５ｃｍの反応管５と冷却キャン
ロール４に沿って走行する支持体３上のＣｏ系金属磁性
膜との間であって、反応管５先端部と支持体３との最短
距離の１／２だけ反応管５から上（真上であって、反応
管５の中心とフィラメント１０の中心は一致）に離れた
位置に水平方向に設けられた直径３０ｃｍのリング状の
フィラメント１０には２５Ａの電流が流され、発熱させ
られた。
ｒｒである。口径１３．５ｃｍの反応管５と冷却キャン
ロール４に沿って走行する支持体３上のＣｏ系金属磁性
膜との間であって、反応管５先端部と支持体３との最短
距離の１／２だけ反応管５から上（真上であって、反応
管５の中心とフィラメント１０の中心は一致）に離れた
位置に水平方向に設けられた直径３０ｃｍのリング状の
フィラメント１０には２５Ａの電流が流され、発熱させ
られた。
【００３１】フィラメント１０の８ｍｍ真上に平行して
設けられたアノード１１ａは、直径が２９ｃｍのリング
状である。フィラメント１０の８ｍｍ真下に平行して設
けられたアノード１１ｂは、直径が２９ｃｍのリング状
である。アノード１１ａ，１１ｂとフィラメント１０と
の間には１０００ｖの電位差があるよう電圧が掛かって
いる。すなわち、ＰＥＴフィルム３の最高電位をＶB 、
アノード１１ａの最高電位をＶA2、アノード１１ｂの最
高電位をＶA1、フィラメント１０の最高電位をＶC とす
ると、ＶA2＝ＶA1＝ＶB ＝ＶC ＋１０００ｖとなるよう
電圧が掛かっている。又、アノード１１ａとアノード１
１ｂとにパルス（矩形）状の電圧が掛かっている時間の
幅は同じであるが、アノード１１ａの電位がＶA2である
時にはアノード１１ｂの電位は０ｖであり、アノード１
１ｂの電位がＶA1である時にはアノード１１ａの電位は
０ｖである。すなわち、交互に電圧が掛かっている。
設けられたアノード１１ａは、直径が２９ｃｍのリング
状である。フィラメント１０の８ｍｍ真下に平行して設
けられたアノード１１ｂは、直径が２９ｃｍのリング状
である。アノード１１ａ，１１ｂとフィラメント１０と
の間には１０００ｖの電位差があるよう電圧が掛かって
いる。すなわち、ＰＥＴフィルム３の最高電位をＶB 、
アノード１１ａの最高電位をＶA2、アノード１１ｂの最
高電位をＶA1、フィラメント１０の最高電位をＶC とす
ると、ＶA2＝ＶA1＝ＶB ＝ＶC ＋１０００ｖとなるよう
電圧が掛かっている。又、アノード１１ａとアノード１
１ｂとにパルス（矩形）状の電圧が掛かっている時間の
幅は同じであるが、アノード１１ａの電位がＶA2である
時にはアノード１１ｂの電位は０ｖであり、アノード１
１ｂの電位がＶA1である時にはアノード１１ａの電位は
０ｖである。すなわち、交互に電圧が掛かっている。
【００３２】冷却キャンロール４は２７３°Ｋに冷却さ
れている。従って、冷却キャンロール４に沿って走行す
るＰＥＴフィルム３やＣｏ系金属磁性膜２０も冷却キャ
ンロール４の温度と同じと考える。そして、反応ガス供
給ノズル６から反応管５内にベンゼンを５０ＳＣＣＭの
割合で供給すると共に、導波管７によって反応管５内に
２．４５ＧＨｚのマイクロ波を導入し、プラズマを励起
し、マイクロ波の進行方向と同方向にＥＣＲ用コイル８
で磁場を発生させてサイクロトロン共鳴を起こさせ、反
応管５から放出されるカーボン系粒子をアノード１１ｂ
−フィラメント１０−アノード１１ａによる電子シャワ
ー雰囲気を通過させ、Ｃｏ系金属磁性膜２０上に９５Å
厚のダイヤモンドライクカーボン膜を成膜した。
れている。従って、冷却キャンロール４に沿って走行す
るＰＥＴフィルム３やＣｏ系金属磁性膜２０も冷却キャ
ンロール４の温度と同じと考える。そして、反応ガス供
給ノズル６から反応管５内にベンゼンを５０ＳＣＣＭの
割合で供給すると共に、導波管７によって反応管５内に
２．４５ＧＨｚのマイクロ波を導入し、プラズマを励起
し、マイクロ波の進行方向と同方向にＥＣＲ用コイル８
で磁場を発生させてサイクロトロン共鳴を起こさせ、反
応管５から放出されるカーボン系粒子をアノード１１ｂ
−フィラメント１０−アノード１１ａによる電子シャワ
ー雰囲気を通過させ、Ｃｏ系金属磁性膜２０上に９５Å
厚のダイヤモンドライクカーボン膜を成膜した。
【００３３】尚、本実施例では磁石１２を取り外してい
る。従って、磁界は掛かっていない。次いで、ダイヤモ
ンドライクカーボン膜の上に分子量２０００でピペロニ
ル基を持つパーフルオロポリエーテル膜（潤滑剤層）を
１５Å厚設けた。そして、ＰＥＴフィルム３の反対側の
面には、粒子径が２０ｎｍのカーボン粒子及びバインダ
を含むバックコート塗料をグラビア塗布により乾燥厚が
０．５μｍとなるように塗布した。
る。従って、磁界は掛かっていない。次いで、ダイヤモ
ンドライクカーボン膜の上に分子量２０００でピペロニ
ル基を持つパーフルオロポリエーテル膜（潤滑剤層）を
１５Å厚設けた。そして、ＰＥＴフィルム３の反対側の
面には、粒子径が２０ｎｍのカーボン粒子及びバインダ
を含むバックコート塗料をグラビア塗布により乾燥厚が
０．５μｍとなるように塗布した。
【００３４】このようにして得られた原反から通常の工
程を経て磁気テープを得た。
程を経て磁気テープを得た。
【００３５】
【実施例２】直径が２６ｃｍのリング状のアノード１１
ａを用いた以外は実施例１に準じて行い、磁気テープを
得た。
ａを用いた以外は実施例１に準じて行い、磁気テープを
得た。
【００３６】
【実施例３】直径が２６ｃｍのリング状のアノード１１
ｂを用いた以外は実施例１に準じて行い、磁気テープを
得た。
ｂを用いた以外は実施例１に準じて行い、磁気テープを
得た。
【００３７】
【実施例４】ＶA2＝ＶA1＝ＶB ＋２００ｖ＝ＶC ＋１０
００ｖとなるよう電圧を掛けた以外は実施例１に準じて
行い、磁気テープを得た。
００ｖとなるよう電圧を掛けた以外は実施例１に準じて
行い、磁気テープを得た。
【００３８】
【実施例５】ＶA2＝ＶA1＋２００ｖ＝ＶB ＋３００ｖ＝
ＶC ＋１０００ｖとなるよう電圧を掛けた以外は実施例
１に準じて行い、磁気テープを得た。
ＶC ＋１０００ｖとなるよう電圧を掛けた以外は実施例
１に準じて行い、磁気テープを得た。
【００３９】
【実施例６】アノード１１ａに電圧が掛かっている時間
とアノード１１ｂに電圧が掛かっている時間との比が、
前者：後者＝２：１となるようパルス状の電圧を掛けた
以外は実施例１に準じて行い、磁気テープを得た。
とアノード１１ｂに電圧が掛かっている時間との比が、
前者：後者＝２：１となるようパルス状の電圧を掛けた
以外は実施例１に準じて行い、磁気テープを得た。
【００４０】
【実施例７】冷却キャンロール４を２５３°Ｋに冷却し
た以外は実施例１に準じて行い、磁気テープを得た。
た以外は実施例１に準じて行い、磁気テープを得た。
【００４１】
【実施例８】ベンゼンの代わりにＣＨ4 とＮ2 との混合
ガス（１０：１）を３００ＳＣＣＭの割合で供給した以
外は実施例１に準じて行い、磁気テープを得た。
ガス（１０：１）を３００ＳＣＣＭの割合で供給した以
外は実施例１に準じて行い、磁気テープを得た。
【００４２】
【実施例９】磁石１２としてサマリウム・コバルト磁石
（２０ＭＯｅＧ）を用い、磁界を掛けた以外は実施例１
に準じて行い、磁気テープを得た。
（２０ＭＯｅＧ）を用い、磁界を掛けた以外は実施例１
に準じて行い、磁気テープを得た。
【００４３】
【実施例１０】ベンゼンの代わりに気化したＴｉ（Ｏ−
ｉｓｏＣ3 Ｈ7 ）4 を供給すると共に、ノズル１３から
酸素ガスを供給してＣｏ系金属磁性膜２０上に１２０Å
厚のＴｉＯx 膜を成膜した以外は実施例１に準じて行
い、磁気テープを得た。
ｉｓｏＣ3 Ｈ7 ）4 を供給すると共に、ノズル１３から
酸素ガスを供給してＣｏ系金属磁性膜２０上に１２０Å
厚のＴｉＯx 膜を成膜した以外は実施例１に準じて行
い、磁気テープを得た。
【００４４】
【実施例１１】ＥＣＲマイクロ波プラズマＣＶＤ装置の
代わりにアーク放電装置を用い、アーク放電により発生
したカーボン粒子をアノード１１ｂ−フィラメント１０
−アノード１１ａによる電子シャワー雰囲気を通過さ
せ、Ｃｏ系金属磁性膜２０上に１１０Å厚のカーボン膜
を成膜した以外は実施例１に準じて行い、磁気テープを
得た。
代わりにアーク放電装置を用い、アーク放電により発生
したカーボン粒子をアノード１１ｂ−フィラメント１０
−アノード１１ａによる電子シャワー雰囲気を通過さ
せ、Ｃｏ系金属磁性膜２０上に１１０Å厚のカーボン膜
を成膜した以外は実施例１に準じて行い、磁気テープを
得た。
【００４５】
【実施例１２】ＥＣＲマイクロ波プラズマＣＶＤ装置の
代わりにアーク放電装置を用い、アーク放電により発生
したカーボン粒子をアノード１１ｂ−フィラメント１０
−アノード１１ａによる電子シャワー雰囲気を通過さ
せ、Ｃｏ系金属磁性膜２０上に１１０Å厚のカーボン膜
を成膜した以外は実施例９に準じて行い、磁気テープを
得た。
代わりにアーク放電装置を用い、アーク放電により発生
したカーボン粒子をアノード１１ｂ−フィラメント１０
−アノード１１ａによる電子シャワー雰囲気を通過さ
せ、Ｃｏ系金属磁性膜２０上に１１０Å厚のカーボン膜
を成膜した以外は実施例９に準じて行い、磁気テープを
得た。
【００４６】
【比較例１】電子シャワー装置を作動させなかった以外
は実施例１に準じて行い、磁気テープを得た。
は実施例１に準じて行い、磁気テープを得た。
【００４７】
【比較例２】電子シャワー装置を作動させなかった以外
は実施例１０に準じて行い、磁気テープを得た。
は実施例１０に準じて行い、磁気テープを得た。
【００４８】
【比較例３】電子シャワー装置を作動させなかった以外
は実施例１１に準じて行い、磁気テープを得た。
は実施例１１に準じて行い、磁気テープを得た。
【００４９】
【特性】上記各例で得た磁気テープ（８ｍｍ用磁気テー
プ）を市販のＨｉ８ＶＴＲを用いて、２０時間のスチル
再生を行って耐久性を調べたので、その結果を表−１に
示す。又、ＮＥＣ製のＭＨＡ−４００を用いて押し込み
深さｄと荷重Ｗとの関係を調べ、硬度Ｈ＝ｋ・Ｗ／ｄ2
（ｋは定数）より硬度を求めたので、その結果も表−１
に示す。
プ）を市販のＨｉ８ＶＴＲを用いて、２０時間のスチル
再生を行って耐久性を調べたので、その結果を表−１に
示す。又、ＮＥＣ製のＭＨＡ−４００を用いて押し込み
深さｄと荷重Ｗとの関係を調べ、硬度Ｈ＝ｋ・Ｗ／ｄ2
（ｋは定数）より硬度を求めたので、その結果も表−１
に示す。
【００５０】又、島津製作所製の走査形スクラッチテス
タ（ＳＳＴ−１０１）により耐剥離性を調べたので、そ
の結果も表−１に示す。 表−１ 出力低下（ｄＢ） 硬度（Ｈｖ） 耐剥離性（ｍＮ） 実施例１ １．１ ３４００ ２３ 実施例２ ０．９ ３５００ ２４ 実施例３ １．０ ３４００ ２３ 実施例４ ０．８ ３６００ ２５ 実施例５ ０．５ ３６００ ２５ 実施例６ ０．４ ３６００ ２６ 実施例７ １．１ ３４００ ２２ 実施例８ １．５ ３２００ ２２ 実施例９ ０．５ ３５００ ２５ 実施例１０ ０．７ ２５００ ２０ 実施例１１ １．６ ２４００ ２０ 実施例１２ １．０ ２９００ ２２ 比較例１ ２．１ ２１００ １８ 比較例２ ３．６ １９５０ １７ 比較例３ 測定不能 １８００ １５
タ（ＳＳＴ−１０１）により耐剥離性を調べたので、そ
の結果も表−１に示す。 表−１ 出力低下（ｄＢ） 硬度（Ｈｖ） 耐剥離性（ｍＮ） 実施例１ １．１ ３４００ ２３ 実施例２ ０．９ ３５００ ２４ 実施例３ １．０ ３４００ ２３ 実施例４ ０．８ ３６００ ２５ 実施例５ ０．５ ３６００ ２５ 実施例６ ０．４ ３６００ ２６ 実施例７ １．１ ３４００ ２２ 実施例８ １．５ ３２００ ２２ 実施例９ ０．５ ３５００ ２５ 実施例１０ ０．７ ２５００ ２０ 実施例１１ １．６ ２４００ ２０ 実施例１２ １．０ ２９００ ２２ 比較例１ ２．１ ２１００ １８ 比較例２ ３．６ １９５０ １７ 比較例３ 測定不能 １８００ １５
【００５１】
【発明の効果】本発明によれば、記録媒体の保護膜とし
て優れた特性のものが得られる。
て優れた特性のものが得られる。
【図１】本発明の磁気記録媒体製造装置（保護膜形成装
置）の要部の概略図
置）の要部の概略図
【図２】磁気記録媒体の概略図
１ 真空槽 ２ａ 供給側ロール ２ｂ 巻取側ロール ３ 支持体 ４ 冷却キャンロール ５ プラズマ反応管 ６ ノズル ７ 導波管 ８ ＥＣＲ用コイル １０ フィラメント（カソード） １１ａ，１１ｂ アノード １２ 磁石
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 志賀 章 栃木県芳賀郡市貝町大字赤羽2606 花王株 式会社情報科学研究所内
Claims (10)
- 【請求項１】 真空槽と、支持体に設けた記録膜上に保
護膜構成材料を堆積させて保護膜を形成する保護膜形成
手段とを具備してなり、 前記保護膜形成手段と支持体上の記録膜との間に電子シ
ャワー装置が設けられ、 この電子シャワー装置は、カソードと、このカソードを
挟むように設けた前記保護膜形成手段に近い側の第１の
アノード及び前記支持体に近い側の第２のアノードとか
らなることを特徴とする記録媒体の製造装置。 - 【請求項２】 第１のアノードが最高電位ＶA1である時
期と第２のアノードが最高電位ＶA2である時期とが交互
に存するよう電圧が掛かっていることを特徴とする請求
項１の記録媒体の製造装置。 - 【請求項３】 （第１のアノードが最高電位ＶA1である
時間）≦（第２のアノードが最高電位ＶA2である時間）
を満たすよう電圧が掛かっていることを特徴とする請求
項１又は請求項２の記録媒体の製造装置。 - 【請求項４】 第１のアノードの最高電位ＶA1≦第２の
アノードの最高電位ＶA2を満たすよう電圧が掛かってい
ることを特徴とする請求項１〜請求項３いずれかの記録
媒体の製造装置。 - 【請求項５】 支持体の最高電位ＶB ≦第１のアノード
の最高電位ＶA1≦第２のアノードの最高電位ＶA2を満た
すよう電圧が掛かっていることを特徴とする請求項１〜
請求項４いずれかの記録媒体の製造装置。 - 【請求項６】 カソードの最高電位ＶC ＜支持体の最高
電位ＶB を満たすよう電圧が掛かっていることを特徴と
する請求項１〜請求項５いずれかの記録媒体の製造装
置。 - 【請求項７】 電子シャワー装置で発生する電子に対し
て磁場が作用するよう構成されてなることを特徴とする
請求項１〜請求項６いずれかの記録媒体の製造装置。 - 【請求項８】 保護膜形成手段がＣＶＤ装置であること
を特徴とする請求項１の記録媒体の製造装置。 - 【請求項９】 保護膜形成手段がＰＶＤ装置であること
を特徴とする請求項１の記録媒体の製造装置。 - 【請求項１０】 請求項１〜請求項９いずれかの記録媒
体の製造装置を用いることにより金属薄膜型の磁性膜上
に保護膜を形成する記録媒体の製造方法であって、 保護膜の形成に際して、保護膜形成手段と支持体上の磁
性膜との間に設けたカソードと、このカソードを挟むよ
うに設けた前記保護膜形成手段に近い側の第１のアノー
ド及び前記磁性膜に近い側の第２のアノードとを具備し
た電子シャワー手段による電子シャワーを作用させるこ
とを特徴とする記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5570796A JPH09245344A (ja) | 1996-03-13 | 1996-03-13 | 記録媒体の製造装置及び記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5570796A JPH09245344A (ja) | 1996-03-13 | 1996-03-13 | 記録媒体の製造装置及び記録媒体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09245344A true JPH09245344A (ja) | 1997-09-19 |
Family
ID=13006365
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5570796A Pending JPH09245344A (ja) | 1996-03-13 | 1996-03-13 | 記録媒体の製造装置及び記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09245344A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1275129A4 (en) * | 2000-02-22 | 2004-05-26 | Energy Conversion Devices Inc | METHOD OF CHEMICAL VAPOR DEPOSITION BY PLASMA ACTIVATED BY GAS JET OF ELECTRON / ULTRA-SHAVING BEAM AND APPARATUS FOR DEPOSITING AND / OR MODIFYING THE SURFACE OF THIN FILM MATERIALS |
-
1996
- 1996-03-13 JP JP5570796A patent/JPH09245344A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1275129A4 (en) * | 2000-02-22 | 2004-05-26 | Energy Conversion Devices Inc | METHOD OF CHEMICAL VAPOR DEPOSITION BY PLASMA ACTIVATED BY GAS JET OF ELECTRON / ULTRA-SHAVING BEAM AND APPARATUS FOR DEPOSITING AND / OR MODIFYING THE SURFACE OF THIN FILM MATERIALS |
| CN1303630C (zh) * | 2000-02-22 | 2007-03-07 | 能源变换设备有限公司 | 用于薄膜材料的沉积和/或表面改性的电子束/微波气体喷射pecvd方法和设备 |
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