JPH1091957A - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体の製造方法Info
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- JPH1091957A JPH1091957A JP24657996A JP24657996A JPH1091957A JP H1091957 A JPH1091957 A JP H1091957A JP 24657996 A JP24657996 A JP 24657996A JP 24657996 A JP24657996 A JP 24657996A JP H1091957 A JPH1091957 A JP H1091957A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高価なイオンガンを用いることなく、電磁変
換特性、及び耐久性に優れたＣｏ−Ｘ−Ｏ系磁性膜を有
する磁気記録媒体を提供することである。 【解決手段】 支持体上にＣｏ−Ｘ−Ｏ（Ｘは固体とし
て単体で存在し得る元素）系の磁性膜を有する磁気記録
媒体の製造方法であって、放電手段によりＸ粒子を飛散
させる工程と、Ｃｏを蒸発させる工程と、前記工程によ
る磁性膜の成膜時に酸化性物質を供給する工程とを具備
する磁気記録媒体の製造方法。
換特性、及び耐久性に優れたＣｏ−Ｘ−Ｏ系磁性膜を有
する磁気記録媒体を提供することである。 【解決手段】 支持体上にＣｏ−Ｘ−Ｏ（Ｘは固体とし
て単体で存在し得る元素）系の磁性膜を有する磁気記録
媒体の製造方法であって、放電手段によりＸ粒子を飛散
させる工程と、Ｃｏを蒸発させる工程と、前記工程によ
る磁性膜の成膜時に酸化性物質を供給する工程とを具備
する磁気記録媒体の製造方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、Ｃｏ−Ｘ−Ｏ系磁
性膜を有する磁気記録媒体の製造方法に関する。
性膜を有する磁気記録媒体の製造方法に関する。
【０００２】
【発明が解決しようとする課題】磁性膜を蒸着やスパッ
タ等で構成した金属薄膜型の磁気記録媒体が知られてい
る。この磁性膜を構成する材料として、例えばＣｏが用
いられている。ところで、磁気記録媒体の使用は広く普
及し、各種の場所で使用されている。例えば、熱帯地
方、砂漠地帯、ツンドラ地帯のように高温多湿地域、乾
燥地域、低温地域のように各種各様である。更には、熱
い日差しの自動車の中で使用されることも有る。又、窒
素酸化物が浮遊する環境下で使用されることもある。
タ等で構成した金属薄膜型の磁気記録媒体が知られてい
る。この磁性膜を構成する材料として、例えばＣｏが用
いられている。ところで、磁気記録媒体の使用は広く普
及し、各種の場所で使用されている。例えば、熱帯地
方、砂漠地帯、ツンドラ地帯のように高温多湿地域、乾
燥地域、低温地域のように各種各様である。更には、熱
い日差しの自動車の中で使用されることも有る。又、窒
素酸化物が浮遊する環境下で使用されることもある。
【０００３】従って、このような多様な環境下の中で使
用されても、磁性膜が損傷を受けないことが必要であ
る。すなわち、耐久性に富むものでなければならない。
かつ、耐久性に富むのみでなく、電磁変換特性に優れた
ものでなければならない。従って、本発明が解決しよう
とする課題は、耐久性に優れたＣｏ−Ｘ−Ｏ系磁性膜を
有する磁気記録媒体を提供することである。
用されても、磁性膜が損傷を受けないことが必要であ
る。すなわち、耐久性に富むものでなければならない。
かつ、耐久性に富むのみでなく、電磁変換特性に優れた
ものでなければならない。従って、本発明が解決しよう
とする課題は、耐久性に優れたＣｏ−Ｘ−Ｏ系磁性膜を
有する磁気記録媒体を提供することである。
【０００４】又、本発明が解決しようとする他の課題
は、電磁変換特性に優れたＣｏ−Ｘ−Ｏ系磁性膜を有す
る磁気記録媒体を提供することである。又、本発明が解
決しようとするその他の課題は、高価なイオンガンを用
いることなく、電磁変換特性、及び耐久性に優れたＣｏ
−Ｘ−Ｏ系磁性膜を有する磁気記録媒体を提供すること
である。
は、電磁変換特性に優れたＣｏ−Ｘ−Ｏ系磁性膜を有す
る磁気記録媒体を提供することである。又、本発明が解
決しようとするその他の課題は、高価なイオンガンを用
いることなく、電磁変換特性、及び耐久性に優れたＣｏ
−Ｘ−Ｏ系磁性膜を有する磁気記録媒体を提供すること
である。
【０００５】
【課題を解決するための手段】前記の課題は、支持体上
にＣｏ−Ｘ−Ｏ（Ｘは固体として単体で存在し得る元
素）系の磁性膜を有する磁気記録媒体の製造方法であっ
て、放電手段によりＸ粒子を飛散させる工程と、Ｃｏを
蒸発させる工程と、前記工程による磁性膜の成膜時に酸
化性物質を供給する工程とを具備することを特徴とする
磁気記録媒体の製造方法によって解決される。
にＣｏ−Ｘ−Ｏ（Ｘは固体として単体で存在し得る元
素）系の磁性膜を有する磁気記録媒体の製造方法であっ
て、放電手段によりＸ粒子を飛散させる工程と、Ｃｏを
蒸発させる工程と、前記工程による磁性膜の成膜時に酸
化性物質を供給する工程とを具備することを特徴とする
磁気記録媒体の製造方法によって解決される。
【０００６】特に、支持体上にＣｏ−Ｃ−Ｏ系の磁性膜
を有する磁気記録媒体の製造方法であって、アーク放電
により炭素粒子を飛散させる工程と、Ｃｏを蒸発させる
工程と、前記工程による磁性膜の成膜時に酸化性物質を
供給する工程とを具備することを特徴とする磁気記録媒
体の製造方法によって解決される。
を有する磁気記録媒体の製造方法であって、アーク放電
により炭素粒子を飛散させる工程と、Ｃｏを蒸発させる
工程と、前記工程による磁性膜の成膜時に酸化性物質を
供給する工程とを具備することを特徴とする磁気記録媒
体の製造方法によって解決される。
【０００７】更には、支持体上にＣｏ−Ｃ−Ｏ系の磁性
膜を有する磁気記録媒体の製造方法であって、アーク放
電により炭素塊から炭素粒子を飛散させ、前記支持体上
に付着させる付着工程と、Ｃｏを蒸発させ、Ｃｏ粒子を
前記支持体上に付着させる付着工程と、前記付着工程に
よる磁性膜の成膜時に酸化性物質を供給する工程とを具
備することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法によっ
て解決される。
膜を有する磁気記録媒体の製造方法であって、アーク放
電により炭素塊から炭素粒子を飛散させ、前記支持体上
に付着させる付着工程と、Ｃｏを蒸発させ、Ｃｏ粒子を
前記支持体上に付着させる付着工程と、前記付着工程に
よる磁性膜の成膜時に酸化性物質を供給する工程とを具
備することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法によっ
て解決される。
【０００８】又、支持体上にＣｏ−Ｓｉ−Ｏ系の磁性膜
を有する磁気記録媒体の製造方法であって、アーク放電
により珪素粒子を飛散させる工程と、Ｃｏを蒸発させる
工程と、前記工程による磁性膜の成膜時に酸化性物質を
供給する工程とを具備することを特徴とする磁気記録媒
体の製造方法によって解決される。
を有する磁気記録媒体の製造方法であって、アーク放電
により珪素粒子を飛散させる工程と、Ｃｏを蒸発させる
工程と、前記工程による磁性膜の成膜時に酸化性物質を
供給する工程とを具備することを特徴とする磁気記録媒
体の製造方法によって解決される。
【０００９】更には、支持体上にＣｏ−Ｓｉ−Ｏ系の磁
性膜を有する磁気記録媒体の製造方法であって、アーク
放電により珪素塊から珪素粒子を飛散させ、前記支持体
上に付着させる付着工程と、Ｃｏを蒸発させ、Ｃｏ粒子
を前記支持体上に付着させる付着工程と、前記付着工程
による磁性膜の成膜時に酸化性物質を供給する工程とを
具備することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法によ
って解決される。
性膜を有する磁気記録媒体の製造方法であって、アーク
放電により珪素塊から珪素粒子を飛散させ、前記支持体
上に付着させる付着工程と、Ｃｏを蒸発させ、Ｃｏ粒子
を前記支持体上に付着させる付着工程と、前記付着工程
による磁性膜の成膜時に酸化性物質を供給する工程とを
具備することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法によ
って解決される。
【００１０】尚、上記製造方法において、蒸発Ｃｏ粒子
が放電によるプラズマ雰囲気中を通過して支持体上に付
着するようにすることが好ましい。すなわち、蒸発Ｃｏ
粒子をプラズマ雰囲気中を通過させることにより、蒸発
Ｃｏ粒子のエネルギーが高まり、結着性が高まる。尚、
珪素塊は導電率が低い為、例えばＰなどの導電性向上物
質を含ませておくことにが好ましい。これにより、放電
を起こさせ易くなる。
が放電によるプラズマ雰囲気中を通過して支持体上に付
着するようにすることが好ましい。すなわち、蒸発Ｃｏ
粒子をプラズマ雰囲気中を通過させることにより、蒸発
Ｃｏ粒子のエネルギーが高まり、結着性が高まる。尚、
珪素塊は導電率が低い為、例えばＰなどの導電性向上物
質を含ませておくことにが好ましい。これにより、放電
を起こさせ易くなる。
【００１１】上記のようにすれば、高価なイオンガンを
用いずとも、Ｃｏ−Ｘ−Ｏ系磁性膜を成膜できる。しか
も、危険なガスを取り扱わなくて済む。この結果、コス
トも低廉になる。更には、イオンガンを用いてＣｏ−Ｘ
−Ｏ系磁性膜を成膜した場合よりも結晶性が良く、か
つ、緻密な膜が得られる。この結果、飽和磁束密度Ｂｓ
が向上し、高出力なものが得られる。又、耐久性も良
い。
用いずとも、Ｃｏ−Ｘ−Ｏ系磁性膜を成膜できる。しか
も、危険なガスを取り扱わなくて済む。この結果、コス
トも低廉になる。更には、イオンガンを用いてＣｏ−Ｘ
−Ｏ系磁性膜を成膜した場合よりも結晶性が良く、か
つ、緻密な膜が得られる。この結果、飽和磁束密度Ｂｓ
が向上し、高出力なものが得られる。又、耐久性も良
い。
【００１２】
【発明の実施の形態】本発明になる磁気記録媒体の製造
方法は、支持体上にＣｏ−Ｘ−Ｏ（Ｘは固体として単体
で存在し得る元素）系の磁性膜を有する磁気記録媒体の
製造方法であって、放電手段によりＸ粒子を飛散させる
工程と、Ｃｏを蒸発させる工程と、前記工程による磁性
膜の成膜時に酸化性物質を供給する工程とを具備する。
特に、支持体上にＣｏ−Ｃ−Ｏ系の磁性膜を有する磁気
記録媒体の製造方法であって、アーク放電により炭素粒
子を飛散させる工程と、Ｃｏを蒸発させる工程と、前記
工程による磁性膜の成膜時に酸化性物質を供給する工程
とを具備する。更には、支持体上にＣｏ−Ｃ−Ｏ系の磁
性膜を有する磁気記録媒体の製造方法であって、アーク
放電により炭素塊から炭素粒子を飛散させ、前記支持体
上に付着させる付着工程と、Ｃｏを蒸発させ、Ｃｏ粒子
を前記支持体上に付着させる付着工程と、前記付着工程
による磁性膜の成膜時に酸化性物質を供給する工程とを
具備する。又、支持体上にＣｏ−Ｓｉ−Ｏ系の磁性膜を
有する磁気記録媒体の製造方法であって、アーク放電に
より珪素粒子を飛散させる工程と、Ｃｏを蒸発させる工
程と、前記工程による磁性膜の成膜時に酸化性物質を供
給する工程とを具備する。更には、支持体上にＣｏ−Ｓ
ｉ−Ｏ系の磁性膜を有する磁気記録媒体の製造方法であ
って、アーク放電により珪素塊から珪素粒子を飛散さ
せ、前記支持体上に付着させる付着工程と、Ｃｏを蒸発
させ、Ｃｏ粒子を前記支持体上に付着させる付着工程
と、前記付着工程による磁性膜の成膜時に酸化性物質を
供給する工程とを具備する。蒸発Ｃｏ粒子は放電による
プラズマ雰囲気中を通過して支持体上に付着する。珪素
塊にはＰなどの導電性向上物質を含む。
方法は、支持体上にＣｏ−Ｘ−Ｏ（Ｘは固体として単体
で存在し得る元素）系の磁性膜を有する磁気記録媒体の
製造方法であって、放電手段によりＸ粒子を飛散させる
工程と、Ｃｏを蒸発させる工程と、前記工程による磁性
膜の成膜時に酸化性物質を供給する工程とを具備する。
特に、支持体上にＣｏ−Ｃ−Ｏ系の磁性膜を有する磁気
記録媒体の製造方法であって、アーク放電により炭素粒
子を飛散させる工程と、Ｃｏを蒸発させる工程と、前記
工程による磁性膜の成膜時に酸化性物質を供給する工程
とを具備する。更には、支持体上にＣｏ−Ｃ−Ｏ系の磁
性膜を有する磁気記録媒体の製造方法であって、アーク
放電により炭素塊から炭素粒子を飛散させ、前記支持体
上に付着させる付着工程と、Ｃｏを蒸発させ、Ｃｏ粒子
を前記支持体上に付着させる付着工程と、前記付着工程
による磁性膜の成膜時に酸化性物質を供給する工程とを
具備する。又、支持体上にＣｏ−Ｓｉ−Ｏ系の磁性膜を
有する磁気記録媒体の製造方法であって、アーク放電に
より珪素粒子を飛散させる工程と、Ｃｏを蒸発させる工
程と、前記工程による磁性膜の成膜時に酸化性物質を供
給する工程とを具備する。更には、支持体上にＣｏ−Ｓ
ｉ−Ｏ系の磁性膜を有する磁気記録媒体の製造方法であ
って、アーク放電により珪素塊から珪素粒子を飛散さ
せ、前記支持体上に付着させる付着工程と、Ｃｏを蒸発
させ、Ｃｏ粒子を前記支持体上に付着させる付着工程
と、前記付着工程による磁性膜の成膜時に酸化性物質を
供給する工程とを具備する。蒸発Ｃｏ粒子は放電による
プラズマ雰囲気中を通過して支持体上に付着する。珪素
塊にはＰなどの導電性向上物質を含む。
【００１３】以下、更に詳しく説明する。図１は、本発
明の実施に用いる成膜装置（斜め蒸着装置）の概略図で
ある。同図中、１は冷却キャンロール、２ａは支持体３
の供給側ロール、２ｂは支持体３の巻取側ロールであ
る。支持体３は、供給側ロール２ａから冷却キャンロー
ル１を経て巻取側ロール２ｂに巻き取られて行く。支持
体３は、磁性あるいは非磁性いずれのものでも良い。一
般的には、非磁性である。支持体としては、ＰＥＴ等の
ポリエステル、ポリアミド、ポリイミド、ポリスルフォ
ン、ポリカーボネート、ポリプロピレン等のオレフィン
系の樹脂、セルロース系の樹脂、塩化ビニル系の樹脂等
の有機材料が用いられる。尚、支持体３の表面には、磁
性膜との密着性を向上させる為のアンダーコート層が必
要に応じて設けられる。又、必要に応じて、支持体３の
表面はイオンボンバード処理される。
明の実施に用いる成膜装置（斜め蒸着装置）の概略図で
ある。同図中、１は冷却キャンロール、２ａは支持体３
の供給側ロール、２ｂは支持体３の巻取側ロールであ
る。支持体３は、供給側ロール２ａから冷却キャンロー
ル１を経て巻取側ロール２ｂに巻き取られて行く。支持
体３は、磁性あるいは非磁性いずれのものでも良い。一
般的には、非磁性である。支持体としては、ＰＥＴ等の
ポリエステル、ポリアミド、ポリイミド、ポリスルフォ
ン、ポリカーボネート、ポリプロピレン等のオレフィン
系の樹脂、セルロース系の樹脂、塩化ビニル系の樹脂等
の有機材料が用いられる。尚、支持体３の表面には、磁
性膜との密着性を向上させる為のアンダーコート層が必
要に応じて設けられる。又、必要に応じて、支持体３の
表面はイオンボンバード処理される。
【００１４】４はルツボ、５はルツボ４に充填されたＣ
ｏである。６は、冷却キャンロール１の下方位置に設け
られた遮蔽板である。尚、遮蔽板６は、支持体３に対し
て蒸着が行われた後段階の位置に対応する部分に設けら
れたものである。又、遮蔽板６は、ルツボ４からの蒸発
Ｃｏ粒子が支持体３に蒸着する時の最小入射角θ1 が５
０°〜７０°となるよう設定されている。
ｏである。６は、冷却キャンロール１の下方位置に設け
られた遮蔽板である。尚、遮蔽板６は、支持体３に対し
て蒸着が行われた後段階の位置に対応する部分に設けら
れたものである。又、遮蔽板６は、ルツボ４からの蒸発
Ｃｏ粒子が支持体３に蒸着する時の最小入射角θ1 が５
０°〜７０°となるよう設定されている。
【００１５】７は、遮蔽板６と冷却キャンロール１との
間の位置に配設された酸素ガス供給ノズルである。この
ノズル７より供給される酸素の供給方向は、図１中、左
から右であり、支持体３の走行方向は、図１中、右から
左であり、従って酸素ガスの供給方向と支持体１の走行
方向とは逆方向である。８は電子銃であり、電子銃８か
らの電子ビームはルツボ４内のＣｏ５目掛けて照射され
る。
間の位置に配設された酸素ガス供給ノズルである。この
ノズル７より供給される酸素の供給方向は、図１中、左
から右であり、支持体３の走行方向は、図１中、右から
左であり、従って酸素ガスの供給方向と支持体１の走行
方向とは逆方向である。８は電子銃であり、電子銃８か
らの電子ビームはルツボ４内のＣｏ５目掛けて照射され
る。
【００１６】９はアーク放電装置、９ａはアーク放電装
置９に装填された炭素塊（炭素棒）あるいは珪素塊（珪
素棒）である。尚、炭素棒（珪素棒）９ａをアーク放電
させることによって飛散した炭素粒子（珪素粒子）が前
記蒸発Ｃｏ粒子の飛行領域を飛行するよう、かつ、アー
ク放電によるプラズマ雰囲気中を前記蒸発Ｃｏ粒子が飛
行するように炭素棒（珪素棒）９ａは設置されている。
置９に装填された炭素塊（炭素棒）あるいは珪素塊（珪
素棒）である。尚、炭素棒（珪素棒）９ａをアーク放電
させることによって飛散した炭素粒子（珪素粒子）が前
記蒸発Ｃｏ粒子の飛行領域を飛行するよう、かつ、アー
ク放電によるプラズマ雰囲気中を前記蒸発Ｃｏ粒子が飛
行するように炭素棒（珪素棒）９ａは設置されている。
【００１７】１０は真空槽である。上記装置において、
先ず、真空槽１０内を１０-4〜１０-6Ｔｏｒｒの真空度
に排気する。そして、電子銃８からの電子ビームをＣｏ
５に照射し、蒸発させる。尚、電子ビーム照射の代わり
に、抵抗加熱や高周波加熱などの手段を採用することも
出来る。かつ、アーク放電装置９のスイッチをオンにし
て、アーク放電を開始する。これによって、例えば炭素
粒子が飛散する。そして、蒸発したＣｏ粒子は、アーク
放電装置９によるプラズマ雰囲気中を通過し、そして最
小入射角θ1が５０°〜７０°でもって、走行する支持
体３上に斜め蒸着する。かつ、Ｃｏ粒子と共に炭素粒子
が支持体３上に斜め蒸着する。この斜め蒸着に際して、
ノズル７から酸素ガスが１０〜１００ｓｃｃｍ供給さ
れ、磁性膜の表面酸化が行われる。そして、厚さが８０
０〜５０００Å（特に、１０００〜２５００Å）のＣｏ
−Ｃ−Ｏ系磁性膜が設けられる。炭素棒の代わりに珪素
棒を用いてアーク放電させた場合には、Ｃｏ−Ｓｉ−Ｏ
系磁性膜が設けられる。
先ず、真空槽１０内を１０-4〜１０-6Ｔｏｒｒの真空度
に排気する。そして、電子銃８からの電子ビームをＣｏ
５に照射し、蒸発させる。尚、電子ビーム照射の代わり
に、抵抗加熱や高周波加熱などの手段を採用することも
出来る。かつ、アーク放電装置９のスイッチをオンにし
て、アーク放電を開始する。これによって、例えば炭素
粒子が飛散する。そして、蒸発したＣｏ粒子は、アーク
放電装置９によるプラズマ雰囲気中を通過し、そして最
小入射角θ1が５０°〜７０°でもって、走行する支持
体３上に斜め蒸着する。かつ、Ｃｏ粒子と共に炭素粒子
が支持体３上に斜め蒸着する。この斜め蒸着に際して、
ノズル７から酸素ガスが１０〜１００ｓｃｃｍ供給さ
れ、磁性膜の表面酸化が行われる。そして、厚さが８０
０〜５０００Å（特に、１０００〜２５００Å）のＣｏ
−Ｃ−Ｏ系磁性膜が設けられる。炭素棒の代わりに珪素
棒を用いてアーク放電させた場合には、Ｃｏ−Ｓｉ−Ｏ
系磁性膜が設けられる。
【００１８】Ｃｏ−Ｃ−Ｏ系磁性膜は、Ｃｏが５０〜９
０原子％（特に、６０〜８５原子％）、Ｃが３〜３５原
子％（特に、５〜３０原子％）、Ｏが５〜３０原子％
（特に、７〜２５原子％）の組成割合からなるものが好
ましい。このような組成のものとすることによって、保
磁力Ｈｃが１１００Ｏｅ以上も有り、かつ、飽和磁束密
度Ｂｓが４０００Ｇ以上も有り、しかも耐蝕性にも優
れ、硬度は高く、更には緻密な膜である。
０原子％（特に、６０〜８５原子％）、Ｃが３〜３５原
子％（特に、５〜３０原子％）、Ｏが５〜３０原子％
（特に、７〜２５原子％）の組成割合からなるものが好
ましい。このような組成のものとすることによって、保
磁力Ｈｃが１１００Ｏｅ以上も有り、かつ、飽和磁束密
度Ｂｓが４０００Ｇ以上も有り、しかも耐蝕性にも優
れ、硬度は高く、更には緻密な膜である。
【００１９】Ｃｏ−Ｓｉ−Ｏ系磁性膜は、Ｃｏが５０〜
９０原子％（特に、６０〜８５原子％）、Ｓｉが３〜３
５原子％（特に、５〜３０原子％）、Ｏが５〜３０原子
％（特に、７〜２５原子％）の組成割合からなるものが
好ましい。このような組成のものとすることによって、
保磁力Ｈｃが１１００Ｏｅ以上も有り、かつ、飽和磁束
密度Ｂｓが４０００Ｇ以上も有り、しかも耐蝕性にも優
れ、硬度は高く、更には緻密な膜である。
９０原子％（特に、６０〜８５原子％）、Ｓｉが３〜３
５原子％（特に、５〜３０原子％）、Ｏが５〜３０原子
％（特に、７〜２５原子％）の組成割合からなるものが
好ましい。このような組成のものとすることによって、
保磁力Ｈｃが１１００Ｏｅ以上も有り、かつ、飽和磁束
密度Ｂｓが４０００Ｇ以上も有り、しかも耐蝕性にも優
れ、硬度は高く、更には緻密な膜である。
【００２０】Ｃｏ−Ｘ−Ｏ系磁性膜の表面には厚さが１
０〜５００Åの保護膜が設けられる。保護膜を構成する
材料として、Ａｌ等の金属の酸化物、窒化物、あるいは
炭化物などがある。特に、ダイヤモンドライクカーボン
は好ましいものである。ダイヤモンドライクカーボンよ
りなる保護膜はケミカルベーパーデポジション（ＣＶ
Ｄ）法により成膜される。特に、ＥＣＲプラズマＣＶＤ
装置により成膜される。すなわち、真空槽内に配設され
た支持体上の磁性膜に対してＥＣＲプラズマＣＶＤ装置
を作動させ、磁性膜に炭化水素系ガスのプラズマを吹き
付ける。これにより、磁性膜表面に保護膜（ダイヤモン
ドライクカーボン膜）が成膜される。
０〜５００Åの保護膜が設けられる。保護膜を構成する
材料として、Ａｌ等の金属の酸化物、窒化物、あるいは
炭化物などがある。特に、ダイヤモンドライクカーボン
は好ましいものである。ダイヤモンドライクカーボンよ
りなる保護膜はケミカルベーパーデポジション（ＣＶ
Ｄ）法により成膜される。特に、ＥＣＲプラズマＣＶＤ
装置により成膜される。すなわち、真空槽内に配設され
た支持体上の磁性膜に対してＥＣＲプラズマＣＶＤ装置
を作動させ、磁性膜に炭化水素系ガスのプラズマを吹き
付ける。これにより、磁性膜表面に保護膜（ダイヤモン
ドライクカーボン膜）が成膜される。
【００２１】支持体３の他面（裏面）には、バックコー
ト膜が設けられる。例えば、蒸着法、直流スパッタ法、
交流スパッタ法、高周波スパッタ法、直流マグネトロン
スパッタ法、高周波マグネトロンスパッタ法、イオンビ
ームスパッタ法などのメッキ手段によりバックコート膜
が設けられる。又、カーボンブラック及びバインダを含
有する塗料を塗布することによってもバックコート膜は
設けられる。
ト膜が設けられる。例えば、蒸着法、直流スパッタ法、
交流スパッタ法、高周波スパッタ法、直流マグネトロン
スパッタ法、高周波マグネトロンスパッタ法、イオンビ
ームスパッタ法などのメッキ手段によりバックコート膜
が設けられる。又、カーボンブラック及びバインダを含
有する塗料を塗布することによってもバックコート膜は
設けられる。
【００２２】そして、表面には、潤滑剤、特にパーフル
オロポリエーテル等のフッ素系の潤滑剤の塗料が塗布さ
れ、厚さが１０〜２００Åの潤滑剤の膜が設けられる。
尚、潤滑剤としては、例えば-(C(R)F-CF2-O)p - （但
し、ＲはＦ，ＣＦ3 ，ＣＨ3 などの基）、特にHOOC-CF2
(O-C2F4)p (OCF2) q -OCF2-COOH ，F-(CF2CF2CF2O)n -C
F2CF2COOH 等のカルボキシル基変性パーフロオロポリエ
ーテル、HOCH2-CF2(O-C2F4) p (OCF2) q -OCF2-CH2OH，
HO-(C2H4-O) m -CH2-(O-C2F4) p (OCF2) q -OCH2-(OCH2
CH2)n -OH ，F-(CF2CF2CF2O)n -CF2CF2CH2OH等のアルコ
ール変性パーフロオロポリエーテルが挙げられる。分子
量は５００〜５００００のものが好ましい。具体的に
は、モンテカチーニ社のＦＯＭＢＬＩＮ Ｚ ＤＩＡＣ
やＦＯＭＢＬＩＮ Ｚ ＤＯＬ、ダイキン工業社のデム
ナムＳＡ等がある。
オロポリエーテル等のフッ素系の潤滑剤の塗料が塗布さ
れ、厚さが１０〜２００Åの潤滑剤の膜が設けられる。
尚、潤滑剤としては、例えば-(C(R)F-CF2-O)p - （但
し、ＲはＦ，ＣＦ3 ，ＣＨ3 などの基）、特にHOOC-CF2
(O-C2F4)p (OCF2) q -OCF2-COOH ，F-(CF2CF2CF2O)n -C
F2CF2COOH 等のカルボキシル基変性パーフロオロポリエ
ーテル、HOCH2-CF2(O-C2F4) p (OCF2) q -OCF2-CH2OH，
HO-(C2H4-O) m -CH2-(O-C2F4) p (OCF2) q -OCH2-(OCH2
CH2)n -OH ，F-(CF2CF2CF2O)n -CF2CF2CH2OH等のアルコ
ール変性パーフロオロポリエーテルが挙げられる。分子
量は５００〜５００００のものが好ましい。具体的に
は、モンテカチーニ社のＦＯＭＢＬＩＮ Ｚ ＤＩＡＣ
やＦＯＭＢＬＩＮ Ｚ ＤＯＬ、ダイキン工業社のデム
ナムＳＡ等がある。
【００２３】
【実施例１】図１に示す装置を用いた。支持体３は６．
３μｍ厚のＰＥＴフィルムである。そして、２０〜３０
ｎｍφのカーボンブラック及びバインダ樹脂を含むバッ
クコート塗料をＰＥＴフィルムの裏面に塗布し、乾燥厚
さが０．５μｍのバックコート膜を設けた。支持体３を
装置に装填した時、バックコート膜が冷却キャンロール
１に接している。
３μｍ厚のＰＥＴフィルムである。そして、２０〜３０
ｎｍφのカーボンブラック及びバインダ樹脂を含むバッ
クコート塗料をＰＥＴフィルムの裏面に塗布し、乾燥厚
さが０．５μｍのバックコート膜を設けた。支持体３を
装置に装填した時、バックコート膜が冷却キャンロール
１に接している。
【００２４】そして、下記の条件で１８１０Å厚のＣｏ
−Ｃ−Ｏ（Ｃｏ：Ｃ：Ｏ＝８４：９：７（原子比））系
磁性膜を成膜した。冷却キャンロール１の温度は−２５
℃に制御されている。支持体３の走行速度は２ｍ／分で
ある。ノズル７からの酸素供給量は４０ｓｃｃｍであ
る。ルツボ４には、純度が９９．９９％のＣｏが充填さ
れた。
−Ｃ−Ｏ（Ｃｏ：Ｃ：Ｏ＝８４：９：７（原子比））系
磁性膜を成膜した。冷却キャンロール１の温度は−２５
℃に制御されている。支持体３の走行速度は２ｍ／分で
ある。ノズル７からの酸素供給量は４０ｓｃｃｍであ
る。ルツボ４には、純度が９９．９９％のＣｏが充填さ
れた。
【００２５】電子銃８により電子ビームをルツボ４内の
Ｃｏ５目掛けて照射し、溶融ＣｏからＣｏ粒子を蒸発さ
せた。支持体３に斜め蒸着する時の最小入射角は５５°
である。アーク放電装置９には交流電圧５００ｖを印加
し、１０Ａの電流を流して炭素棒９ａにアーク放電を起
こさせた。
Ｃｏ５目掛けて照射し、溶融ＣｏからＣｏ粒子を蒸発さ
せた。支持体３に斜め蒸着する時の最小入射角は５５°
である。アーク放電装置９には交流電圧５００ｖを印加
し、１０Ａの電流を流して炭素棒９ａにアーク放電を起
こさせた。
【００２６】次に、ＥＣＲプラズマＣＶＤ装置にベンゼ
ンを供給し、８５Å厚のダイヤモンドライクカーボン膜
を磁性膜の上に設けた。又、表面に潤滑剤（デムナムＳ
Ａ）の膜を２０Å厚設け、この後通常の工程を経てＨｉ
８ｍｍＶＴＲ用磁気テープを得た。
ンを供給し、８５Å厚のダイヤモンドライクカーボン膜
を磁性膜の上に設けた。又、表面に潤滑剤（デムナムＳ
Ａ）の膜を２０Å厚設け、この後通常の工程を経てＨｉ
８ｍｍＶＴＲ用磁気テープを得た。
【００２７】
【実施例２】実施例１において、Ｃｏ粒子の蒸発量及び
アーク放電の条件を変更して１８３０Å厚のＣｏ−Ｃ−
Ｏ（Ｃｏ：Ｃ：Ｏ＝８２：１０：８（原子比））系磁性
膜を成膜した以外は実施例１に準じて行った。
アーク放電の条件を変更して１８３０Å厚のＣｏ−Ｃ−
Ｏ（Ｃｏ：Ｃ：Ｏ＝８２：１０：８（原子比））系磁性
膜を成膜した以外は実施例１に準じて行った。
【００２８】
【実施例３】実施例１において、Ｃｏ粒子の蒸発量及び
アーク放電の条件を変更して１８５０Å厚のＣｏ−Ｃ−
Ｏ（Ｃｏ：Ｃ：Ｏ＝８０：１３：７（原子比））系磁性
膜を成膜した以外は実施例１に準じて行った。
アーク放電の条件を変更して１８５０Å厚のＣｏ−Ｃ−
Ｏ（Ｃｏ：Ｃ：Ｏ＝８０：１３：７（原子比））系磁性
膜を成膜した以外は実施例１に準じて行った。
【００２９】
【実施例４】実施例１において、炭素棒の代わりに１３
０ｐｐｍのＰをドープした珪素棒をアーク放電装置に装
填し、１８３０Å厚のＣｏ−Ｓｉ−Ｏ（Ｃｏ：Ｓｉ：Ｏ
＝８４：７：９（原子比））系磁性膜を成膜した以外は
実施例１に準じて行った。
０ｐｐｍのＰをドープした珪素棒をアーク放電装置に装
填し、１８３０Å厚のＣｏ−Ｓｉ−Ｏ（Ｃｏ：Ｓｉ：Ｏ
＝８４：７：９（原子比））系磁性膜を成膜した以外は
実施例１に準じて行った。
【００３０】
【実施例５】実施例４において、Ｃｏ粒子の蒸発量及び
アーク放電の条件を変更して１８２０Å厚のＣｏ−Ｓｉ
−Ｏ（Ｃｏ：Ｓｉ：Ｏ＝８２：８：１０（原子比））系
磁性膜を成膜した以外は実施例４に準じて行った。
アーク放電の条件を変更して１８２０Å厚のＣｏ−Ｓｉ
−Ｏ（Ｃｏ：Ｓｉ：Ｏ＝８２：８：１０（原子比））系
磁性膜を成膜した以外は実施例４に準じて行った。
【００３１】
【実施例６】実施例４において、Ｃｏ粒子の蒸発量及び
アーク放電の条件を変更して１８１０Å厚のＣｏ−Ｓｉ
−Ｏ（Ｃｏ：Ｓｉ：Ｏ＝７９：１３：８（原子比））系
磁性膜を成膜した以外は実施例４に準じて行った。
アーク放電の条件を変更して１８１０Å厚のＣｏ−Ｓｉ
−Ｏ（Ｃｏ：Ｓｉ：Ｏ＝７９：１３：８（原子比））系
磁性膜を成膜した以外は実施例４に準じて行った。
【００３２】
【比較例１】実施例１において、アーク放電装置を動作
させず、代わりにイオンガンにＣＨ 4 を供給してＣイオ
ンを照射し、厚さ１８１０ÅのＣｏ−Ｃ−Ｏ（Ｃｏ：
Ｃ：Ｏ＝８２：１０：８（原子比））系磁性膜を成膜し
た以外は実施例１に準じて行った。
させず、代わりにイオンガンにＣＨ 4 を供給してＣイオ
ンを照射し、厚さ１８１０ÅのＣｏ−Ｃ−Ｏ（Ｃｏ：
Ｃ：Ｏ＝８２：１０：８（原子比））系磁性膜を成膜し
た以外は実施例１に準じて行った。
【００３３】
【比較例２】実施例４において、アーク放電装置を動作
させず、代わりにイオンガンにＳｉＨ4 を供給してＳｉ
イオンを照射し、厚さ１８３０ÅのＣｏ−Ｓｉ−Ｏ（Ｃ
ｏ：Ｓｉ：Ｏ＝８２：８：１０（原子比））系磁性膜を
成膜した以外は実施例４に準じて行った。
させず、代わりにイオンガンにＳｉＨ4 を供給してＳｉ
イオンを照射し、厚さ１８３０ÅのＣｏ−Ｓｉ−Ｏ（Ｃ
ｏ：Ｓｉ：Ｏ＝８２：８：１０（原子比））系磁性膜を
成膜した以外は実施例４に準じて行った。
【００３４】
【特性】上記各例で得たＨｉ８ｍｍＶＴＲ用磁気テープ
について、磁気特性（飽和磁束密度Ｂｓ、保磁力Ｈ
ｃ）、耐蝕性（ΔＢｓ）、及び電磁変換特性（出力）を
調べたので、その結果を表−１に示す。 表−１ Ｂｓ（Ｇ） Ｈｃ（Ｏｅ） ΔＢｓ（％） 出力（ｄＢ） 実施例１ ５５００ １５７０ ３ ＋０．８ 実施例２ ５３００ １５９０ ２ ＋０．６ 実施例３ ５１００ １６３０ ２ ＋０．３ 比較例１ ５２００ １６００ ５ ０ 実施例４ ４８００ １５４０ ２ ＋１．１ 実施例５ ４７００ １５８０ ２ ＋０．６ 実施例６ ４５００ １６１０ １ ＋０．２ 比較例２ ４６００ １５９０ ４ ０ ＊磁気特性はＶＳＭ（理学電機製の振動試料型磁力計）により求めた。
について、磁気特性（飽和磁束密度Ｂｓ、保磁力Ｈ
ｃ）、耐蝕性（ΔＢｓ）、及び電磁変換特性（出力）を
調べたので、その結果を表−１に示す。 表−１ Ｂｓ（Ｇ） Ｈｃ（Ｏｅ） ΔＢｓ（％） 出力（ｄＢ） 実施例１ ５５００ １５７０ ３ ＋０．８ 実施例２ ５３００ １５９０ ２ ＋０．６ 実施例３ ５１００ １６３０ ２ ＋０．３ 比較例１ ５２００ １６００ ５ ０ 実施例４ ４８００ １５４０ ２ ＋１．１ 実施例５ ４７００ １５８０ ２ ＋０．６ 実施例６ ４５００ １６１０ １ ＋０．２ 比較例２ ４６００ １５９０ ４ ０ ＊磁気特性はＶＳＭ（理学電機製の振動試料型磁力計）により求めた。
【００３５】＊耐蝕性は、６５℃，９５％ＲＨの条件下
に８００時間放置し、飽和磁束密度Ｂｓの低下率で表
示。 ＊出力は、ＤＶＣカムコーダーを改造し、２１ＭＨｚの
正弦波を記録し、１００時間スチルモードで再生し続け
た後の再生出力を測定。実施例１〜３は比較例１を基準
（０ｄＢ）。
に８００時間放置し、飽和磁束密度Ｂｓの低下率で表
示。 ＊出力は、ＤＶＣカムコーダーを改造し、２１ＭＨｚの
正弦波を記録し、１００時間スチルモードで再生し続け
た後の再生出力を測定。実施例１〜３は比較例１を基準
（０ｄＢ）。
【００３６】実施例４〜６は比較例２を基準（０ｄ
Ｂ）。これによれば、本発明の方法により得られる磁性
膜は磁気特性に優れ、かつ、出力が高く、更には耐久性
に優れたものであることが判る。
Ｂ）。これによれば、本発明の方法により得られる磁性
膜は磁気特性に優れ、かつ、出力が高く、更には耐久性
に優れたものであることが判る。
【００３７】
【発明の効果】磁気特性、及び電磁変換特性、更には耐
久性に優れた磁気記録媒体が低廉なコストで得られる。
久性に優れた磁気記録媒体が低廉なコストで得られる。
【図１】磁気記録媒体の製造装置の概略図
１ 冷却キャンロール ３ 支持体 ４ ルツボ ５ Ｃｏ ７ ノズル ８ 電子銃 ９ アーク放電装置 ９ａ 炭素棒（珪素棒）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 遠藤 克巳 栃木県芳賀郡市貝町大字赤羽2606 花王株 式会社情報科学研究所内 (72)発明者 志賀 章 栃木県芳賀郡市貝町大字赤羽2606 花王株 式会社情報科学研究所内 (72)発明者 宮村 猛史 栃木県芳賀郡市貝町大字赤羽2606 花王株 式会社情報科学研究所内
Claims (7)
- 【請求項１】 支持体上にＣｏ−Ｘ−Ｏ（Ｘは固体とし
て単体で存在し得る元素）系の磁性膜を有する磁気記録
媒体の製造方法であって、 放電手段によりＸ粒子を飛散させる工程と、 Ｃｏを蒸発させる工程と、 前記工程による磁性膜の成膜時に酸化性物質を供給する
工程とを具備することを特徴とする磁気記録媒体の製造
方法。 - 【請求項２】 支持体上にＣｏ−Ｃ−Ｏ系の磁性膜を有
する磁気記録媒体の製造方法であって、 アーク放電により炭素粒子を飛散させる工程と、 Ｃｏを蒸発させる工程と、 前記工程による磁性膜の成膜時に酸化性物質を供給する
工程とを具備することを特徴とする磁気記録媒体の製造
方法。 - 【請求項３】 支持体上にＣｏ−Ｃ−Ｏ系の磁性膜を有
する磁気記録媒体の製造方法であって、 アーク放電により炭素塊から炭素粒子を飛散させ、前記
支持体上に付着させる付着工程と、 Ｃｏを蒸発させ、Ｃｏ粒子を前記支持体上に付着させる
付着工程と、 前記付着工程による磁性膜の成膜時に酸化性物質を供給
する工程とを具備することを特徴とする磁気記録媒体の
製造方法。 - 【請求項４】 支持体上にＣｏ−Ｓｉ−Ｏ系の磁性膜を
有する磁気記録媒体の製造方法であって、 アーク放電により珪素粒子を飛散させる工程と、 Ｃｏを蒸発させる工程と、 前記工程による磁性膜の成膜時に酸化性物質を供給する
工程とを具備することを特徴とする磁気記録媒体の製造
方法。 - 【請求項５】 支持体上にＣｏ−Ｓｉ−Ｏ系の磁性膜を
有する磁気記録媒体の製造方法であって、 アーク放電により珪素塊から珪素粒子を飛散させ、前記
支持体上に付着させる付着工程と、 Ｃｏを蒸発させ、Ｃｏ粒子を前記支持体上に付着させる
付着工程と、 前記付着工程による磁性膜の成膜時に酸化性物質を供給
する工程とを具備することを特徴とする磁気記録媒体の
製造方法。 - 【請求項６】 蒸発Ｃｏ粒子が放電によるプラズマ雰囲
気中を通過して支持体上に付着するようにすることを特
徴とする請求項１〜請求項５いずれかの磁気記録媒体の
製造方法。 - 【請求項７】 珪素塊には導電性向上物質が含まれてい
ることを特徴とする請求項５の磁気記録媒体の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24657996A JPH1091957A (ja) | 1996-09-18 | 1996-09-18 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24657996A JPH1091957A (ja) | 1996-09-18 | 1996-09-18 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1091957A true JPH1091957A (ja) | 1998-04-10 |
Family
ID=17150525
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24657996A Pending JPH1091957A (ja) | 1996-09-18 | 1996-09-18 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1091957A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2020111777A (ja) * | 2019-01-10 | 2020-07-27 | 株式会社神戸製鋼所 | 成膜装置 |
-
1996
- 1996-09-18 JP JP24657996A patent/JPH1091957A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2020111777A (ja) * | 2019-01-10 | 2020-07-27 | 株式会社神戸製鋼所 | 成膜装置 |
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