JPH0837191A - バンプ形成方法 - Google Patents
バンプ形成方法Info
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- JPH0837191A JPH0837191A JP6191150A JP19115094A JPH0837191A JP H0837191 A JPH0837191 A JP H0837191A JP 6191150 A JP6191150 A JP 6191150A JP 19115094 A JP19115094 A JP 19115094A JP H0837191 A JPH0837191 A JP H0837191A
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- JP
- Japan
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- metal wire
- wire
- substrate
- laser beam
- forming method
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/01—Manufacture or treatment
- H10W72/012—Manufacture or treatment of bump connectors, dummy bumps or thermal bumps
Landscapes
- Laser Beam Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 基板上の各パッド上に形成されるバンプ間の
高さのばらつきをほぼ完全になくし、かつ隣接するバン
プ間の接触を防止する。 【構成】 ワイヤーボンディング法によりＩＣダイ２上
の各パッド１上にバンプ７を形成した後、バンプ７と一
体に残された金属ワイヤー３の残り部分３ａにレーザー
光線９を照射することによりこの残り部分３ａを切断す
る。
高さのばらつきをほぼ完全になくし、かつ隣接するバン
プ間の接触を防止する。 【構成】 ワイヤーボンディング法によりＩＣダイ２上
の各パッド１上にバンプ７を形成した後、バンプ７と一
体に残された金属ワイヤー３の残り部分３ａにレーザー
光線９を照射することによりこの残り部分３ａを切断す
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、バンプ形成方法に関
し、例えば、バンプ付き集積回路のバンプを形成するの
に適用して好適なものである。
し、例えば、バンプ付き集積回路のバンプを形成するの
に適用して好適なものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、集積回路（ＩＣ）ダイ（チップと
も呼ばれる）のパッド上にバンプを形成する場合には、
ワイヤーボンディング法を改良した次のような方法を用
いていた。
も呼ばれる）のパッド上にバンプを形成する場合には、
ワイヤーボンディング法を改良した次のような方法を用
いていた。
【０００３】すなわち、この方法によれば、図５に示す
ように、図示省略した所定のワイヤーボンディング装置
の加熱可能な所定の基台上に、パッド１０１が複数設け
られたＩＣダイ１０２を載置する。このＩＣダイ１０２
の上方には、金ワイヤー１０３が通されたキャピラリー
１０４が設けられている。符号１０５はスパーク発生用
の電極を示す。
ように、図示省略した所定のワイヤーボンディング装置
の加熱可能な所定の基台上に、パッド１０１が複数設け
られたＩＣダイ１０２を載置する。このＩＣダイ１０２
の上方には、金ワイヤー１０３が通されたキャピラリー
１０４が設けられている。符号１０５はスパーク発生用
の電極を示す。
【０００４】ワイヤーボンディングに先立って、電極１
０５に所定の電圧を印加してスパークを発生させ、キャ
ピラリー１０４から出ていた金ワイヤー１０３の先端部
を溶融させてボール状にした後、これを再凝固させるこ
とにより金ワイヤー１０３の先端に金ボール１０６を形
成しておく。
０５に所定の電圧を印加してスパークを発生させ、キャ
ピラリー１０４から出ていた金ワイヤー１０３の先端部
を溶融させてボール状にした後、これを再凝固させるこ
とにより金ワイヤー１０３の先端に金ボール１０６を形
成しておく。
【０００５】次に、この金ボール１０６を超音波熱圧着
法によりＩＣダイ１０２のパッド１０１上に圧着した
後、金ワイヤー１０３をクランプしたままキャピラリー
１０４を上方へ引き上げ、金ワイヤー１０３を引きちぎ
る。このようにして、図６に示すように、各パッド１０
１上にバンプ１０７を形成する。
法によりＩＣダイ１０２のパッド１０１上に圧着した
後、金ワイヤー１０３をクランプしたままキャピラリー
１０４を上方へ引き上げ、金ワイヤー１０３を引きちぎ
る。このようにして、図６に示すように、各パッド１０
１上にバンプ１０７を形成する。
【０００６】このようにして各パッド１０１上に形成さ
れたバンプ１０７には、金ワイヤー１０３の残り部分１
０３ａがこれと一体に残される。この残り部分１０３ａ
の高さは通常、バンプ１０７ごとに異なるため、この残
り部分１０３ａを含めたバンプ１０７の高さにはばらつ
きがある。そこで、図７に示すように、整形用の棒１０
８により所定圧力でバンプ１０７の上部をたたいてバン
プ１０７の高さをそろえたり、あるいは、図８に示すよ
うに、金ワイヤー１０３をクランプしたままキャピラリ
ー１０４を横にずらした後、キャピラリー１０４を上方
に引き上げて金ワイヤー１０３を引きちぎることにより
バンプ１０７の高さをそろえたりしている。
れたバンプ１０７には、金ワイヤー１０３の残り部分１
０３ａがこれと一体に残される。この残り部分１０３ａ
の高さは通常、バンプ１０７ごとに異なるため、この残
り部分１０３ａを含めたバンプ１０７の高さにはばらつ
きがある。そこで、図７に示すように、整形用の棒１０
８により所定圧力でバンプ１０７の上部をたたいてバン
プ１０７の高さをそろえたり、あるいは、図８に示すよ
うに、金ワイヤー１０３をクランプしたままキャピラリ
ー１０４を横にずらした後、キャピラリー１０４を上方
に引き上げて金ワイヤー１０３を引きちぎることにより
バンプ１０７の高さをそろえたりしている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
ように各パッド１０１上に形成されたバンプ１０７の高
さをそろえるために棒１０８によりバンプ１０７の上部
をたたく方法では、この棒１０８によりたたかれたバン
プ１０７の角が隣のバンプ１０７と接触してしまった
り、たたき方が不足または過多となったりするためにバ
ンプ１０７間の高さのばらつきを完全になくすことがで
きないという問題があった。
ように各パッド１０１上に形成されたバンプ１０７の高
さをそろえるために棒１０８によりバンプ１０７の上部
をたたく方法では、この棒１０８によりたたかれたバン
プ１０７の角が隣のバンプ１０７と接触してしまった
り、たたき方が不足または過多となったりするためにバ
ンプ１０７間の高さのばらつきを完全になくすことがで
きないという問題があった。
【０００８】また、キャピラリー１０４を横にずらす方
法では、ずらした所でバンプ１０７に角が発生するた
め、バンプ１０７間の高さのばらつきを完全になくすこ
とができず、また、隣のバンプ１０７との接触が生じて
しまうなどの不都合が生じていた。
法では、ずらした所でバンプ１０７に角が発生するた
め、バンプ１０７間の高さのばらつきを完全になくすこ
とができず、また、隣のバンプ１０７との接触が生じて
しまうなどの不都合が生じていた。
【０００９】したがって、この発明の目的は、基板上の
各パッド上に形成されるバンプ間の高さのばらつきをほ
ぼ完全になくすことができ、かつ隣接するバンプ間の接
触を防止することができるバンプ形成方法を提供するこ
とにある。
各パッド上に形成されるバンプ間の高さのばらつきをほ
ぼ完全になくすことができ、かつ隣接するバンプ間の接
触を防止することができるバンプ形成方法を提供するこ
とにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、この発明は、基板（２）の一主面に設けられたパッ
ド（１）上にワイヤーボンディング法によりバンプ
（７）を形成するようにしたバンプ形成方法において、
金属ワイヤー（３）の一端にこの金属ワイヤー（３）と
一体に形成された金属ボール（６）をパッド（１）上に
圧着し、金属ワイヤー（３）を基板（２）から離れる方
向に移動させることにより金属ワイヤー（３）を切断
し、切断後に金属ボール（６）と一体に残された金属ワ
イヤー（３）の残り部分（３ａ）にレーザー光線（９）
を照射することにより金属ワイヤー（３）の残り部分
（３ａ）を切断するようにしたことを特徴とするもので
ある。
に、この発明は、基板（２）の一主面に設けられたパッ
ド（１）上にワイヤーボンディング法によりバンプ
（７）を形成するようにしたバンプ形成方法において、
金属ワイヤー（３）の一端にこの金属ワイヤー（３）と
一体に形成された金属ボール（６）をパッド（１）上に
圧着し、金属ワイヤー（３）を基板（２）から離れる方
向に移動させることにより金属ワイヤー（３）を切断
し、切断後に金属ボール（６）と一体に残された金属ワ
イヤー（３）の残り部分（３ａ）にレーザー光線（９）
を照射することにより金属ワイヤー（３）の残り部分
（３ａ）を切断するようにしたことを特徴とするもので
ある。
【００１１】この発明においては、好適には、金属ワイ
ヤーを切断する際にこの金属ワイヤーが金属ボールの直
上で切断されない条件で金属ボールを形成する。
ヤーを切断する際にこの金属ワイヤーが金属ボールの直
上で切断されない条件で金属ボールを形成する。
【００１２】この発明の好適な一実施形態においては、
金属ワイヤーの残り部分にレーザー光線を照射する際に
基板の主面が下側になるように基板を保持する。
金属ワイヤーの残り部分にレーザー光線を照射する際に
基板の主面が下側になるように基板を保持する。
【００１３】この発明の他の好適な一実施形態において
は、金属ワイヤーの残り部分にレーザー光線を照射する
際に基板の主面が下側になるように基板を保持し、かつ
レーザー光線を照射することにより切断された金属ワイ
ヤーの残り部分を基板の下方に設けられた吸引手段によ
り吸引する。
は、金属ワイヤーの残り部分にレーザー光線を照射する
際に基板の主面が下側になるように基板を保持し、かつ
レーザー光線を照射することにより切断された金属ワイ
ヤーの残り部分を基板の下方に設けられた吸引手段によ
り吸引する。
【００１４】この発明のさらに他の一実施形態において
は、金属ワイヤーの残り部分にレーザー光線を照射する
際に基板の主面が下側になるように基板を保持し、かつ
レーザー光線を照射することにより切断された金属ワイ
ヤーの残り部分をチャック手段により把持して基板から
離れる方向の力を加える。ここで、このチャック手段に
より加える力は、金属ワイヤーの残り部分にレーザー光
線を照射して加熱したときにこの金属ワイヤーの残り部
分が上方に引き込まれず、かつバンプが機械的破壊を起
こさない程度の力である。
は、金属ワイヤーの残り部分にレーザー光線を照射する
際に基板の主面が下側になるように基板を保持し、かつ
レーザー光線を照射することにより切断された金属ワイ
ヤーの残り部分をチャック手段により把持して基板から
離れる方向の力を加える。ここで、このチャック手段に
より加える力は、金属ワイヤーの残り部分にレーザー光
線を照射して加熱したときにこの金属ワイヤーの残り部
分が上方に引き込まれず、かつバンプが機械的破壊を起
こさない程度の力である。
【００１５】この発明においては、レーザー光線は好適
には高出力のレーザーにより発生されたレーザー光線で
あり、具体的には、例えばＹＡＧレーザーにより発生さ
れたレーザー光線である。
には高出力のレーザーにより発生されたレーザー光線で
あり、具体的には、例えばＹＡＧレーザーにより発生さ
れたレーザー光線である。
【００１６】この発明において、金属ワイヤーは、金ワ
イヤーのほか、スズワイヤー、はんだワイヤー、銅ワイ
ヤーなどである。また、基板は、例えば、集積回路ダイ
である。
イヤーのほか、スズワイヤー、はんだワイヤー、銅ワイ
ヤーなどである。また、基板は、例えば、集積回路ダイ
である。
【００１７】
【作用】上述のように構成されたこの発明によるバンプ
形成方法によれば、金属ワイヤーをクランプしたままキ
ャピラリーを上方に引き上げたりすることによりこの金
属ワイヤーを切断した後に残される金属ワイヤーの残り
部分にレーザー光線を照射することによりこの金属ワイ
ヤーの残り部分を切断するようにしているので、各パッ
ド上のバンプの高さをレーザー光線の照射位置精度と同
等の精度でそろえることができる。このため、各パッド
上のバンプ間の高さのばらつきをほぼ完全になくすこと
ができる。また、各パッド上のバンプ間の接触も防止す
ることができる。
形成方法によれば、金属ワイヤーをクランプしたままキ
ャピラリーを上方に引き上げたりすることによりこの金
属ワイヤーを切断した後に残される金属ワイヤーの残り
部分にレーザー光線を照射することによりこの金属ワイ
ヤーの残り部分を切断するようにしているので、各パッ
ド上のバンプの高さをレーザー光線の照射位置精度と同
等の精度でそろえることができる。このため、各パッド
上のバンプ間の高さのばらつきをほぼ完全になくすこと
ができる。また、各パッド上のバンプ間の接触も防止す
ることができる。
【００１８】
【実施例】以下、この発明の一実施例について図面を参
照しながら説明する。なお、実施例の全図において、同
一または対応する部分には同一の符号を付す。
照しながら説明する。なお、実施例の全図において、同
一または対応する部分には同一の符号を付す。
【００１９】図１〜図３はこの発明の一実施例を示す。
この一実施例においては、図１に示すように、まず、図
示省略した所定のワイヤーボンディング装置の加熱可能
な所定の基台上に、パッド１が複数設けられたＩＣダイ
２を載置する。このＩＣダイ２の上方には、金ワイヤー
３が通されたキャピラリー４が設けられている。符号５
はスパーク発生用の電極を示す。
この一実施例においては、図１に示すように、まず、図
示省略した所定のワイヤーボンディング装置の加熱可能
な所定の基台上に、パッド１が複数設けられたＩＣダイ
２を載置する。このＩＣダイ２の上方には、金ワイヤー
３が通されたキャピラリー４が設けられている。符号５
はスパーク発生用の電極を示す。
【００２０】ワイヤーボンディングに先立って、電極５
に所定の電圧を印加してスパークを発生させ、キャピラ
リー４から出ていた金ワイヤー３の先端部を溶融させて
ボール状にした後、これを再凝固させることにより金ワ
イヤー３の先端に金ボール６を形成しておく。この一実
施例においては、金ワイヤー３として直径が３０μｍの
ものを用い、０．１μｓのスパークを発生させて金ボー
ル６を形成する。
に所定の電圧を印加してスパークを発生させ、キャピラ
リー４から出ていた金ワイヤー３の先端部を溶融させて
ボール状にした後、これを再凝固させることにより金ワ
イヤー３の先端に金ボール６を形成しておく。この一実
施例においては、金ワイヤー３として直径が３０μｍの
ものを用い、０．１μｓのスパークを発生させて金ボー
ル６を形成する。
【００２１】ここで、スパーク電流を大きくすると、金
ワイヤー３の溶融により形成される金ボール６は大きく
なる。また、スパーク時間を長くすると、後述のように
金ワイヤー３を引きちぎったときの金ワイヤー３の残り
部分３ａは長くなる。この一実施例においては、金ボー
ル６を形成する際のスパーク時間を長くすることによ
り、金ワイヤー３の残り部分３ａを長めに設定する。
ワイヤー３の溶融により形成される金ボール６は大きく
なる。また、スパーク時間を長くすると、後述のように
金ワイヤー３を引きちぎったときの金ワイヤー３の残り
部分３ａは長くなる。この一実施例においては、金ボー
ル６を形成する際のスパーク時間を長くすることによ
り、金ワイヤー３の残り部分３ａを長めに設定する。
【００２２】次に、以上のようにして形成された金ボー
ル６を超音波熱圧着法によりＩＣダイ２上のパッド１上
に圧着した後、金ワイヤー３をクランプしたままキャピ
ラリー４を上方へ引き上げ、金ワイヤー３を引きちぎ
る。このようにして、図２に示すように、各パッド１上
にバンプ７を形成する。この場合、これらのバンプ７の
上部には金ワイヤー３の残り部分３ａが長めに残されて
いる。
ル６を超音波熱圧着法によりＩＣダイ２上のパッド１上
に圧着した後、金ワイヤー３をクランプしたままキャピ
ラリー４を上方へ引き上げ、金ワイヤー３を引きちぎ
る。このようにして、図２に示すように、各パッド１上
にバンプ７を形成する。この場合、これらのバンプ７の
上部には金ワイヤー３の残り部分３ａが長めに残されて
いる。
【００２３】次に、図３に示すように、図示省略した反
転機構により、ＩＣダイ２の上下を反転させてバンプ７
が下側になるようにし、この状態でＩＣダイ２を保持す
る。このＩＣダイ２の上下の反転は、具体的には、例え
ば次のようにして行われる。すなわち、例えば、ＩＣダ
イ２のバンプ７側の主面の中央を真空チャックにより吸
着してＩＣダイ２の上下を反転させた後、このＩＣダイ
２のもう一方の主面を別の真空チャックにより吸着し、
その後、バンプ７側の主面の吸着を解除すればよい。
転機構により、ＩＣダイ２の上下を反転させてバンプ７
が下側になるようにし、この状態でＩＣダイ２を保持す
る。このＩＣダイ２の上下の反転は、具体的には、例え
ば次のようにして行われる。すなわち、例えば、ＩＣダ
イ２のバンプ７側の主面の中央を真空チャックにより吸
着してＩＣダイ２の上下を反転させた後、このＩＣダイ
２のもう一方の主面を別の真空チャックにより吸着し、
その後、バンプ７側の主面の吸着を解除すればよい。
【００２４】次に、ワイヤーボンディング装置に備えら
れたＹＡＧレーザー８を図３中矢印で示すようにＩＣダ
イ２の辺に平行に移動させながら、このＹＡＧレーザー
８から発生されたレーザー光線９を、ＩＣダイ２の各パ
ッド１上に形成されたバンプ７の金ワイヤー３の残り部
分３ａの根元に近い部分に照射し、この残り部分３ａを
切断する。このとき、この切断された残り部分３ａは、
そのまま下方に落下する。ここで、レーザー光線９の出
力は例えば１Ｗである。また、ＹＡＧレーザー８は、例
えば、ＩＣダイ２が載置されている基台に取り付けられ
たガイド（図示せず）により、ＩＣダイ２の辺に平行に
移動させる。
れたＹＡＧレーザー８を図３中矢印で示すようにＩＣダ
イ２の辺に平行に移動させながら、このＹＡＧレーザー
８から発生されたレーザー光線９を、ＩＣダイ２の各パ
ッド１上に形成されたバンプ７の金ワイヤー３の残り部
分３ａの根元に近い部分に照射し、この残り部分３ａを
切断する。このとき、この切断された残り部分３ａは、
そのまま下方に落下する。ここで、レーザー光線９の出
力は例えば１Ｗである。また、ＹＡＧレーザー８は、例
えば、ＩＣダイ２が載置されている基台に取り付けられ
たガイド（図示せず）により、ＩＣダイ２の辺に平行に
移動させる。
【００２５】図４は、以上のようにして各バンプ７の金
ワイヤー３の残り部分３ａを切断した後のＩＣダイ２を
示す。図４に示すように、各バンプ７の高さは、このバ
ンプ７の形成に用いた金ボール６の大きさによらず、ほ
ぼ一定となる。
ワイヤー３の残り部分３ａを切断した後のＩＣダイ２を
示す。図４に示すように、各バンプ７の高さは、このバ
ンプ７の形成に用いた金ボール６の大きさによらず、ほ
ぼ一定となる。
【００２６】以上のように、この一実施例によれば、ワ
イヤーボンディング法によりＩＣダイ２上の各パッド１
上にバンプ７を形成した後、このバンプ７と一体に残さ
れた金ワイヤー３の残り部分３ａをレーザー光線９の照
射により切断するようにしているので、各バンプ７の高
さをこのレーザー光線９の照射位置精度と同等の精度で
そろえることができ、それによってバンプ７間の高さの
ばらつきをほぼ完全になくすことができる。また、隣接
するバンプ７同士の接触を防止することもできる。そし
て、これによって、バンプ形成後の後工程で高歩留まり
の実装を行うことができる。
イヤーボンディング法によりＩＣダイ２上の各パッド１
上にバンプ７を形成した後、このバンプ７と一体に残さ
れた金ワイヤー３の残り部分３ａをレーザー光線９の照
射により切断するようにしているので、各バンプ７の高
さをこのレーザー光線９の照射位置精度と同等の精度で
そろえることができ、それによってバンプ７間の高さの
ばらつきをほぼ完全になくすことができる。また、隣接
するバンプ７同士の接触を防止することもできる。そし
て、これによって、バンプ形成後の後工程で高歩留まり
の実装を行うことができる。
【００２７】以上、この発明の一実施例について具体的
に説明したが、この発明は、上述の実施例に限定される
ものではなく、この発明の技術的思想に基づく各種の変
形が可能である。
に説明したが、この発明は、上述の実施例に限定される
ものではなく、この発明の技術的思想に基づく各種の変
形が可能である。
【００２８】例えば、上述の一実施例においては、ＩＣ
ダイ２の上下を反転させてバンプ７が下側になった状態
でレーザー光線９を金ワイヤー３の残り部分３ａに照射
して切断することにより、この残り部分３ａがＩＣダイ
２上に落下しないようにしたが、ＩＣダイ２の上下を反
転させずに、金ワイヤー３の残り部分３ａをレーザー光
線９の照射により切断し、ＩＣダイ２上に落下するこの
残り部分３ａを例えばエアブローにより吹き飛ばすよう
にしてもよい。
ダイ２の上下を反転させてバンプ７が下側になった状態
でレーザー光線９を金ワイヤー３の残り部分３ａに照射
して切断することにより、この残り部分３ａがＩＣダイ
２上に落下しないようにしたが、ＩＣダイ２の上下を反
転させずに、金ワイヤー３の残り部分３ａをレーザー光
線９の照射により切断し、ＩＣダイ２上に落下するこの
残り部分３ａを例えばエアブローにより吹き飛ばすよう
にしてもよい。
【００２９】また、レーザー光線９の照射による金ワイ
ヤー３の残り部分３ａの切断は、必ずしもワイヤーボン
ディング装置において行う必要はなく、例えば、ワイヤ
ーボンディング装置においてバンプ７を形成した後にＩ
Ｃダイ２をワイヤーボンディング装置とは別の所定のレ
ーザー光線照射装置に移し、このレーザー光線照射装置
においてレーザー光線の照射により金ワイヤー３の残り
部分３ａの切断を行うようにしてもよい。
ヤー３の残り部分３ａの切断は、必ずしもワイヤーボン
ディング装置において行う必要はなく、例えば、ワイヤ
ーボンディング装置においてバンプ７を形成した後にＩ
Ｃダイ２をワイヤーボンディング装置とは別の所定のレ
ーザー光線照射装置に移し、このレーザー光線照射装置
においてレーザー光線の照射により金ワイヤー３の残り
部分３ａの切断を行うようにしてもよい。
【００３０】
【発明の効果】以上述べたように、この発明によれば、
金属ボールと一体に残された金属ワイヤーの残り部分に
レーザー光線を照射して切断するようにしているので、
各パッド上のバンプ間の高さのばらつきをほぼ完全にな
くすことができ、かつ隣接するバンプ間の接触を防止す
ることができる。
金属ボールと一体に残された金属ワイヤーの残り部分に
レーザー光線を照射して切断するようにしているので、
各パッド上のバンプ間の高さのばらつきをほぼ完全にな
くすことができ、かつ隣接するバンプ間の接触を防止す
ることができる。
【図１】この発明の一実施例によるバンプ形成方法を説
明するための斜視図である。
明するための斜視図である。
【図２】この発明の一実施例によるバンプ形成方法を説
明するための斜視図である。
明するための斜視図である。
【図３】この発明の一実施例によるバンプ形成方法を説
明するための斜視図である。
明するための斜視図である。
【図４】この発明の一実施例によるバンプ形成方法によ
り形成されたバンプを示す略線図である。
り形成されたバンプを示す略線図である。
【図５】従来のバンプ形成方法を説明するための斜視図
である。
である。
【図６】従来のバンプ形成方法を説明するための斜視図
である。
である。
【図７】従来のバンプ形成方法を説明するための斜視図
である。
である。
【図８】従来のバンプ形成方法を説明するための斜視図
である。
である。
１ パッド ２ ＩＣダイ ３ 金ワイヤー ３ａ 残り部分 ４ キャピラリー ６ 金ボール ７ バンプ ８ ＹＡＧレーザー ９ レーザー光線
Claims (9)
- 【請求項１】 基板の一主面に設けられたパッド上にワ
イヤーボンディング法によりバンプを形成するようにし
たバンプ形成方法において、 金属ワイヤーの一端にこの金属ワイヤーと一体に形成さ
れた金属ボールを上記パッド上に圧着し、 上記金属ワイヤーを上記基板から離れる方向に移動させ
ることにより上記金属ワイヤーを切断し、 上記切断後に上記金属ボールと一体に残された上記金属
ワイヤーの残り部分にレーザー光線を照射することによ
り上記金属ワイヤーの残り部分を切断するようにしたこ
とを特徴とするバンプ形成方法。 - 【請求項２】 上記金属ワイヤーを切断する際に上記金
属ワイヤーが上記金属ボールの直上で切断されない条件
で上記金属ボールを形成するようにしたことを特徴とす
る請求項１記載のバンプ形成方法。 - 【請求項３】 上記金属ワイヤーの残り部分に上記レー
ザー光線を照射する際に上記基板の上記主面が下側にな
るように上記基板を保持するようにしたことを特徴とす
る請求項１または２記載のバンプ形成方法。 - 【請求項４】 上記金属ワイヤーの残り部分に上記レー
ザー光線を照射する際に上記基板の上記主面が下側にな
るように上記基板を保持し、かつ上記レーザー光線を照
射することにより切断された上記金属ワイヤーの残り部
分を上記基板の下方に設けられた吸引手段により吸引す
るようにしたことを特徴とする請求項１または２記載の
バンプ形成方法。 - 【請求項５】 上記金属ワイヤーの残り部分に上記レー
ザー光線を照射する際に上記基板の上記主面が下側にな
るように上記基板を保持し、かつ上記レーザー光線を照
射することにより切断された上記金属ワイヤーの残り部
分をチャック手段により把持して上記基板から離れる方
向の力を加えるようにしたことを特徴とする請求項１ま
たは２記載のバンプ形成方法。 - 【請求項６】 上記レーザー光線は高出力のレーザーに
より発生されたレーザー光線であることを特徴とする請
求項１または２記載のバンプ形成方法。 - 【請求項７】 上記レーザーはＹＡＧレーザーであるこ
とを特徴とする請求項６記載のバンプ形成方法。 - 【請求項８】 上記金属ワイヤーは金ワイヤー、スズワ
イヤー、はんだワイヤーまたは銅ワイヤーであることを
特徴とする請求項１または２記載のバンプ形成方法。 - 【請求項９】 上記基板は集積回路ダイであることを特
徴とする請求項１または２記載のバンプ形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6191150A JPH0837191A (ja) | 1994-07-21 | 1994-07-21 | バンプ形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6191150A JPH0837191A (ja) | 1994-07-21 | 1994-07-21 | バンプ形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0837191A true JPH0837191A (ja) | 1996-02-06 |
Family
ID=16269736
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6191150A Pending JPH0837191A (ja) | 1994-07-21 | 1994-07-21 | バンプ形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0837191A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109396659A (zh) * | 2018-09-19 | 2019-03-01 | 力成科技（苏州）有限公司 | Micro SD卡异形边框切割工艺 |
| CN116329830A (zh) * | 2023-05-29 | 2023-06-27 | 宁波尚进自动化科技有限公司 | 芯片引脚的焊接方法 |
-
1994
- 1994-07-21 JP JP6191150A patent/JPH0837191A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109396659A (zh) * | 2018-09-19 | 2019-03-01 | 力成科技（苏州）有限公司 | Micro SD卡异形边框切割工艺 |
| CN116329830A (zh) * | 2023-05-29 | 2023-06-27 | 宁波尚进自动化科技有限公司 | 芯片引脚的焊接方法 |
| CN116329830B (zh) * | 2023-05-29 | 2023-08-29 | 宁波尚进自动化科技有限公司 | 芯片引脚的焊接方法 |
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