JPH0837208A - 半導体素子の実装方法およびその装置 - Google Patents
半導体素子の実装方法およびその装置Info
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- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 膜状接着部材を用いて半導体素子を基板上の
所定位置に実装する半導体素子の実装装置に関する。 【構成】 実装ツール25は支持面が上向きの仮付け位置
にあり、ベアＩＣ13の実装面の反対を載せ、バキューム
機構を動作させてベアＩＣ13を吸着保持し、９０℃〜１
３０℃に加熱する。加圧ツール27を下降動作させ、支持
部材26により所定の張力によって支持されている異方性
導電膜12を押し下げ、ベアＩＣ13の実装面に圧接させ
る。加熱状態の実装面に圧接した異方性導電膜12の一部
のみ残留する。実装ツール25による加熱、加圧すること
により、熱硬化性の異方性導電膜12は一旦溶融した後に
硬化する。ベアＩＣ13を基板11上に機械的に固着させる
とともに、異方性導電膜12内の導電粒子により、ベアＩ
Ｃ13の接続電極と基板11上の配線パターンとの間を導電
接続して実装が完了する。
所定位置に実装する半導体素子の実装装置に関する。 【構成】 実装ツール25は支持面が上向きの仮付け位置
にあり、ベアＩＣ13の実装面の反対を載せ、バキューム
機構を動作させてベアＩＣ13を吸着保持し、９０℃〜１
３０℃に加熱する。加圧ツール27を下降動作させ、支持
部材26により所定の張力によって支持されている異方性
導電膜12を押し下げ、ベアＩＣ13の実装面に圧接させ
る。加熱状態の実装面に圧接した異方性導電膜12の一部
のみ残留する。実装ツール25による加熱、加圧すること
により、熱硬化性の異方性導電膜12は一旦溶融した後に
硬化する。ベアＩＣ13を基板11上に機械的に固着させる
とともに、異方性導電膜12内の導電粒子により、ベアＩ
Ｃ13の接続電極と基板11上の配線パターンとの間を導電
接続して実装が完了する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、膜状接着部材を用いて
半導体素子を基板上の所定位置に実装するための半導体
素子の実装方法およびその装置に関する。
半導体素子を基板上の所定位置に実装するための半導体
素子の実装方法およびその装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、ベアＩＣのような半導体素子を
基板上の所定位置に、直接フェースダウンで実装する場
合、異方性導電膜（ＡＣＦ）やシート状接着剤などの膜
状接着部材を用いて実装することが知られている。
基板上の所定位置に、直接フェースダウンで実装する場
合、異方性導電膜（ＡＣＦ）やシート状接着剤などの膜
状接着部材を用いて実装することが知られている。
【０００３】そして、この実装方法は、基板の実装部分
に実装される半導体素子より少し大きめに切り取った異
方性導電膜を位置決めしておき、この異方性導電膜上に
実装される半導体素子の実装面を重ね合せ、この半導体
素子を加熱、加圧することにより、異方性導電膜を溶
融、硬化させ、半導体素子を基板上に機械的および電気
的に一体に結合して実装するものである。
に実装される半導体素子より少し大きめに切り取った異
方性導電膜を位置決めしておき、この異方性導電膜上に
実装される半導体素子の実装面を重ね合せ、この半導体
素子を加熱、加圧することにより、異方性導電膜を溶
融、硬化させ、半導体素子を基板上に機械的および電気
的に一体に結合して実装するものである。
【０００４】この実装に際しては、まず、図６および図
７に示すように、基板11の所定の実装部分に、膜状接着
部材としての異方性導電膜12を位置決めしておく。そし
て、異方性導電膜12は図１０および図１１で示す半導体
素子としてのベアＩＣ13の実装面面積より少し大きめに
切り取ったもので、この異方性導電膜12の上面にはセパ
レータ12a が貼り付けられており、セパレータ12a の反
対側が基板11上と接する状態で取り付けられる。
７に示すように、基板11の所定の実装部分に、膜状接着
部材としての異方性導電膜12を位置決めしておく。そし
て、異方性導電膜12は図１０および図１１で示す半導体
素子としてのベアＩＣ13の実装面面積より少し大きめに
切り取ったもので、この異方性導電膜12の上面にはセパ
レータ12a が貼り付けられており、セパレータ12a の反
対側が基板11上と接する状態で取り付けられる。
【０００５】次に、図８で示すように、仮付けツール14
を用いて異方性導電膜12をセパレータ12a の上から加圧
し、あるいは、加圧、加熱し、異方性導電膜12を基板11
上に貼り付ける。この後、図９で示すようにセパレータ
12a を異方性導電膜12から剥ぎ取る。
を用いて異方性導電膜12をセパレータ12a の上から加圧
し、あるいは、加圧、加熱し、異方性導電膜12を基板11
上に貼り付ける。この後、図９で示すようにセパレータ
12a を異方性導電膜12から剥ぎ取る。
【０００６】次に、図１０で示すように、実装ツール15
により、実装されるベアＩＣ13の反実装面を吸着保持す
るとともに、このベアＩＣ13を所定温度に加熱する。そ
して、この加熱されたベアＩＣ13のバンプ16が設けられ
た実装面を、基板11上の異方性導電膜12が貼り付けられ
た所定の実装位置に圧接させる。このとき、ベアＩＣ13
は所定温度に加熱されており、異方性導電膜12は熱硬化
性により一旦溶融後に硬化する。そして、この動作によ
り、ベアＩＣ13は基板11上に機械的に固着されるととも
に、異方性導電膜12内の導電粒子によりバンプ16を介し
て、基板11上に形成された図示しない配線パターンに導
電接続される。
により、実装されるベアＩＣ13の反実装面を吸着保持す
るとともに、このベアＩＣ13を所定温度に加熱する。そ
して、この加熱されたベアＩＣ13のバンプ16が設けられ
た実装面を、基板11上の異方性導電膜12が貼り付けられ
た所定の実装位置に圧接させる。このとき、ベアＩＣ13
は所定温度に加熱されており、異方性導電膜12は熱硬化
性により一旦溶融後に硬化する。そして、この動作によ
り、ベアＩＣ13は基板11上に機械的に固着されるととも
に、異方性導電膜12内の導電粒子によりバンプ16を介し
て、基板11上に形成された図示しない配線パターンに導
電接続される。
【０００７】この後、図１１で示すように、実装ツール
15をベアＩＣ13から取り外すことにより実装動作が完了
する。
15をベアＩＣ13から取り外すことにより実装動作が完了
する。
【０００８】しかしながら、上述の実装方法では、基板
11上に貼り付けられた異方性導電膜12上にベアＩＣ13を
実装しているが、位置精度を考慮すると、異方性導電膜
12にはベアＩＣ13の実装面より少し大きなものを使用す
る必要がある。このため、実装時に、加熱されたベアＩ
Ｃ13により異方性導電膜12を圧接した場合、ベアＩＣ13
の真下に位置する部分は溶融後に硬化するが、ベアＩＣ
13の実装面より外側にはみ出した部分は、ベアＩＣ13か
らの熱が十分に伝わらないため、未硬化状態のまま残っ
てしまう。
11上に貼り付けられた異方性導電膜12上にベアＩＣ13を
実装しているが、位置精度を考慮すると、異方性導電膜
12にはベアＩＣ13の実装面より少し大きなものを使用す
る必要がある。このため、実装時に、加熱されたベアＩ
Ｃ13により異方性導電膜12を圧接した場合、ベアＩＣ13
の真下に位置する部分は溶融後に硬化するが、ベアＩＣ
13の実装面より外側にはみ出した部分は、ベアＩＣ13か
らの熱が十分に伝わらないため、未硬化状態のまま残っ
てしまう。
【０００９】このように、異方性導電膜12の一部が未硬
化のまま残ると、異方性導電膜12の樹脂の未硬化部分に
含まれる不純物が、基板11上の配線パターンを腐食させ
たり、あるいは、実装後にベアＩＣ13上や周囲に塗布さ
れる保護樹脂との密着性を阻害したりする不具合が生じ
る。特に、基板11に対する異方性導電膜12の精密な位置
決めを省略した場合は、ベアＩＣ13の外形よりかなり大
きな異方性導電膜12を貼る必要があり、上述した問題が
一層顕著になるとともに、大幅な材料の無駄が生じる。
化のまま残ると、異方性導電膜12の樹脂の未硬化部分に
含まれる不純物が、基板11上の配線パターンを腐食させ
たり、あるいは、実装後にベアＩＣ13上や周囲に塗布さ
れる保護樹脂との密着性を阻害したりする不具合が生じ
る。特に、基板11に対する異方性導電膜12の精密な位置
決めを省略した場合は、ベアＩＣ13の外形よりかなり大
きな異方性導電膜12を貼る必要があり、上述した問題が
一層顕著になるとともに、大幅な材料の無駄が生じる。
【００１０】さらに、図８で示した仮付け時に、仮付け
ツール14に接する側にはセパレータ12a が貼り付いてい
る必要があり、ベアＩＣ13を実装する直前にこのセパレ
ータ12a を剥がす工程が必要になる。しかし、セパレー
タ12a を剥がす工程は自動化が難しく、実装機への組み
込みも困難である。
ツール14に接する側にはセパレータ12a が貼り付いてい
る必要があり、ベアＩＣ13を実装する直前にこのセパレ
ータ12a を剥がす工程が必要になる。しかし、セパレー
タ12a を剥がす工程は自動化が難しく、実装機への組み
込みも困難である。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】上述のように、従来方
法では、実装されるベアＩＣ13より大きな異方性導電膜
12が必要であり、このため異方性導電膜12に未硬化部分
が生じ、この異方性導電膜12が基板11上に残ることによ
り、配線パターンの腐食や保護樹脂の密着性の低下など
を招くとともに材料の無駄を生じている。また、仮付け
状態では異方性導電膜12にセパレータ12a を貼り付けて
おく必要があり、このため、このセパレータ12a を実装
直前に剥がさねばならず、装置全体の自動化を困難なも
のにしている。
法では、実装されるベアＩＣ13より大きな異方性導電膜
12が必要であり、このため異方性導電膜12に未硬化部分
が生じ、この異方性導電膜12が基板11上に残ることによ
り、配線パターンの腐食や保護樹脂の密着性の低下など
を招くとともに材料の無駄を生じている。また、仮付け
状態では異方性導電膜12にセパレータ12a を貼り付けて
おく必要があり、このため、このセパレータ12a を実装
直前に剥がさねばならず、装置全体の自動化を困難なも
のにしている。
【００１２】本発明の目的は、実装される半導体素子の
実装面とほぼ同じ大きさの膜状接着部材が使用可能で、
膜状接着部材の未硬化部分が生じたり、材料の無駄が生
じたりすることがなく、しかも実装作業直前のセパレー
タ剥がし作業が不要な半導体素子の実装方法およびその
装置を提供することにある。
実装面とほぼ同じ大きさの膜状接着部材が使用可能で、
膜状接着部材の未硬化部分が生じたり、材料の無駄が生
じたりすることがなく、しかも実装作業直前のセパレー
タ剥がし作業が不要な半導体素子の実装方法およびその
装置を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の半導体素
子の実装方法は、所定温度に加熱された半導体素子の実
装面に、一面にシート状のセパレータが貼り付けられて
いる膜状接着部材を前記セパレータの反対側から加圧
し、この加圧後に前記セパレータを含む膜状接着部材の
他の部分を実装面から分離することにより、前記膜状接
着部材を実装面上に転写し、この転写後に前記膜状接着
部材が転写された前記半導体素子の実装面を基板上の所
定の実装位置に加圧、加熱して結合するものである。
子の実装方法は、所定温度に加熱された半導体素子の実
装面に、一面にシート状のセパレータが貼り付けられて
いる膜状接着部材を前記セパレータの反対側から加圧
し、この加圧後に前記セパレータを含む膜状接着部材の
他の部分を実装面から分離することにより、前記膜状接
着部材を実装面上に転写し、この転写後に前記膜状接着
部材が転写された前記半導体素子の実装面を基板上の所
定の実装位置に加圧、加熱して結合するものである。
【００１４】請求項２記載の半導体素子の実装装置は、
半導体素子を膜状接着部材を介して基板上の所定位置に
実装する半導体素子の実装装置において、前記半導体素
子を着脱可能に保持し、この保持状態にて半導体素子を
所定温度に加熱するとともに、この半導体素子を基板上
の所定位置に圧接させる実装ツールと、この実装ツール
の所定の実装位置と異なる仮付け位置にて、一面にセパ
レータが貼り付けられた膜状接着部材のセパレータの反
対側を、この実装ツールによって保持された半導体素子
の実装面と所定の間隔で対向させる支持部材と、この支
持部材により支持された前記膜状接着部材を前記半導体
素子の実装面上に圧接させ、この実装面に対応する部分
を実装面上に転写させる加圧ツールとを具備したもので
ある。
半導体素子を膜状接着部材を介して基板上の所定位置に
実装する半導体素子の実装装置において、前記半導体素
子を着脱可能に保持し、この保持状態にて半導体素子を
所定温度に加熱するとともに、この半導体素子を基板上
の所定位置に圧接させる実装ツールと、この実装ツール
の所定の実装位置と異なる仮付け位置にて、一面にセパ
レータが貼り付けられた膜状接着部材のセパレータの反
対側を、この実装ツールによって保持された半導体素子
の実装面と所定の間隔で対向させる支持部材と、この支
持部材により支持された前記膜状接着部材を前記半導体
素子の実装面上に圧接させ、この実装面に対応する部分
を実装面上に転写させる加圧ツールとを具備したもので
ある。
【００１５】
【作用】請求項１記載の半導体素子の実装方法は、半導
体素子の実装面に、膜状接着部材の実装面に対応する部
分のみを転写し、この転写された膜状接着部材を介して
半導体素子を基板上に実装するので、膜状接着部材の未
硬化部分が生じたり、材料の無駄が生じたりすることは
なく、転写において、セパレータは膜状接着部材から剥
がれるので、実装作業直前のセパレータ剥がし作業が不
要となり、容易に自動化する。
体素子の実装面に、膜状接着部材の実装面に対応する部
分のみを転写し、この転写された膜状接着部材を介して
半導体素子を基板上に実装するので、膜状接着部材の未
硬化部分が生じたり、材料の無駄が生じたりすることは
なく、転写において、セパレータは膜状接着部材から剥
がれるので、実装作業直前のセパレータ剥がし作業が不
要となり、容易に自動化する。
【００１６】請求項２に記載の半導体素子の実装装置
は、実装ツールに保持され、所定温度に加熱された半導
体素子の実装面に、膜状接着部材のセパレータの反対側
を、加圧ツールにより圧接させ、セパレータを含む膜状
接着部材の他の部分を実装面から分離させることによ
り、膜状接着部材の実装面に対応する部分のみを実装面
上に転写でき、この転写部分からセパレータを自動的に
剥ぎ取ることができる。このため、膜状接着部材の未硬
化部分や、材料の無駄が生じたりすることはなく、しか
も、実装作業直前でのセパレータ剥がし作業が不要とな
る。
は、実装ツールに保持され、所定温度に加熱された半導
体素子の実装面に、膜状接着部材のセパレータの反対側
を、加圧ツールにより圧接させ、セパレータを含む膜状
接着部材の他の部分を実装面から分離させることによ
り、膜状接着部材の実装面に対応する部分のみを実装面
上に転写でき、この転写部分からセパレータを自動的に
剥ぎ取ることができる。このため、膜状接着部材の未硬
化部分や、材料の無駄が生じたりすることはなく、しか
も、実装作業直前でのセパレータ剥がし作業が不要とな
る。
【００１７】
【実施例】以下、本発明の半導体素子の実装装置の一実
施例を図面を参照して説明する。なお、従来例に対応す
る部分には、同一符号を付して説明する。
施例を図面を参照して説明する。なお、従来例に対応す
る部分には、同一符号を付して説明する。
【００１８】図１ないし図３において、25は実装ツール
で、この実装ツール25は、半導体素子としてのベアＩＣ
13を着脱可能に保持するものであり、このベアＩＣ13
は、実装面に導電接続用のバンプ16を設けたものであ
る。また、実装ツール25は、基板11に対する所定の実装
位置とは異なる仮付け位置にあり、すなわち、実装ツー
ル25は、ベアＩＣ13をバンプ16を有する実装面が上向き
となる状態の仮付け位置で保持している。
で、この実装ツール25は、半導体素子としてのベアＩＣ
13を着脱可能に保持するものであり、このベアＩＣ13
は、実装面に導電接続用のバンプ16を設けたものであ
る。また、実装ツール25は、基板11に対する所定の実装
位置とは異なる仮付け位置にあり、すなわち、実装ツー
ル25は、ベアＩＣ13をバンプ16を有する実装面が上向き
となる状態の仮付け位置で保持している。
【００１９】また、この実装ツール25は、図示していな
いが、吸着保持されたベアＩＣ13を所定温度に加熱する
ヒータを持っている。そして、ベアＩＣ13に対する加熱
方式は、常時加熱方式、あるいは、必要な時に急速に加
熱するいわゆるパルスヒート方式のいずれでもよいが、
本実施例ではパルスヒート方式を使用する。
いが、吸着保持されたベアＩＣ13を所定温度に加熱する
ヒータを持っている。そして、ベアＩＣ13に対する加熱
方式は、常時加熱方式、あるいは、必要な時に急速に加
熱するいわゆるパルスヒート方式のいずれでもよいが、
本実施例ではパルスヒート方式を使用する。
【００２０】一方、26はローラ状の支持部材で、この支
持部材26は一面にセパレータ12a が貼り付けられ導電粒
子を有する熱硬化性の膜状接着部材となる異方性導電膜
（ＡＣＦ）12を、そのセパレータ12a の反対側が、実装
ツール25によって保持されたベアＩＣ13の実装面と所定
の間隔で対向するように支持する。ここで、異方性導電
膜12はシート状またはテープ状のいずれでもよいが、こ
こではテープ状のものを用いている。
持部材26は一面にセパレータ12a が貼り付けられ導電粒
子を有する熱硬化性の膜状接着部材となる異方性導電膜
（ＡＣＦ）12を、そのセパレータ12a の反対側が、実装
ツール25によって保持されたベアＩＣ13の実装面と所定
の間隔で対向するように支持する。ここで、異方性導電
膜12はシート状またはテープ状のいずれでもよいが、こ
こではテープ状のものを用いている。
【００２１】また、この異方性導電膜12は図示しない供
給機構によりその長さ方向に順次間欠送りされるが、支
持部材26はこの異方性導電膜12を上方への所定の張力を
保った状態で、ベアＩＣ13の実装面と所定間隔を保つよ
うに支持する。
給機構によりその長さ方向に順次間欠送りされるが、支
持部材26はこの異方性導電膜12を上方への所定の張力を
保った状態で、ベアＩＣ13の実装面と所定間隔を保つよ
うに支持する。
【００２２】さらに、27は加圧ツールで、この加圧ツー
ル27は支持部材26により支持された異方性導電膜12を、
張力に抗してベアＩＣ13の実装面上に圧接させ、この実
装面に対応する異方性導電膜12の一部を実装面上に転写
させる。
ル27は支持部材26により支持された異方性導電膜12を、
張力に抗してベアＩＣ13の実装面上に圧接させ、この実
装面に対応する異方性導電膜12の一部を実装面上に転写
させる。
【００２３】そして、図４および図５において、ベアＩ
Ｃ13を吸着保持した実装ツール25は、図示しない反転機
構により、仮付け位置とは異なる実装位置に反転操作さ
れる。すなわち、吸着保持したベアＩＣ13の実装面が、
実装先である基板11の所定の実装位置と対向する下向き
の状態にある。
Ｃ13を吸着保持した実装ツール25は、図示しない反転機
構により、仮付け位置とは異なる実装位置に反転操作さ
れる。すなわち、吸着保持したベアＩＣ13の実装面が、
実装先である基板11の所定の実装位置と対向する下向き
の状態にある。
【００２４】次に、上記実施例の実装について説明す
る。
る。
【００２５】まず、実装作業にあたっては、図１で示す
ように、バンプ16付きのベアＩＣ13を実装ツール25に装
着する。このとき、実装ツール25は支持面が上向きとな
った仮付け位置にあり、この支持面上にベアＩＣ13の実
装面の反対を載せ、図示しないバキューム機構を動作さ
せ、このベアＩＣ13を吸着保持する。そして、実装ツー
ル25は仮付け位置において、ベアＩＣ13を９０℃〜１３
０℃に加熱する。
ように、バンプ16付きのベアＩＣ13を実装ツール25に装
着する。このとき、実装ツール25は支持面が上向きとな
った仮付け位置にあり、この支持面上にベアＩＣ13の実
装面の反対を載せ、図示しないバキューム機構を動作さ
せ、このベアＩＣ13を吸着保持する。そして、実装ツー
ル25は仮付け位置において、ベアＩＣ13を９０℃〜１３
０℃に加熱する。
【００２６】また、熱硬化性の異方性導電膜12はローラ
状の支持部材26により、セパレータ12a の反対側がベア
ＩＣ13の実装面と所定間隔で対向するように支持されて
いる。
状の支持部材26により、セパレータ12a の反対側がベア
ＩＣ13の実装面と所定間隔で対向するように支持されて
いる。
【００２７】この状態において、加圧ツール27を下降動
作させ、支持部材26により所定の張力によって支持され
ている異方性導電膜12を押し下げ、図２で示すように、
実装ツール25上に保持され、所定温度に加熱されたベア
ＩＣ13の実装面に圧接させる。この後、加圧ツール27を
上昇させると、図３で示すように、セパレータ12a を含
む異方性導電膜12の全体は張力により上昇する。しか
し、加熱状態の実装面に圧接された異方性導電膜12の一
部のみはこの実装面上に残留する。すなわち、ベアＩＣ
13の実装面上には、セパレータ12a を剥ぎ取った状態で
異方性導電膜12が転写されたこととなる。
作させ、支持部材26により所定の張力によって支持され
ている異方性導電膜12を押し下げ、図２で示すように、
実装ツール25上に保持され、所定温度に加熱されたベア
ＩＣ13の実装面に圧接させる。この後、加圧ツール27を
上昇させると、図３で示すように、セパレータ12a を含
む異方性導電膜12の全体は張力により上昇する。しか
し、加熱状態の実装面に圧接された異方性導電膜12の一
部のみはこの実装面上に残留する。すなわち、ベアＩＣ
13の実装面上には、セパレータ12a を剥ぎ取った状態で
異方性導電膜12が転写されたこととなる。
【００２８】次に、実装ツール25を図示しない反転機構
により反転させ、ベアＩＣ13の実装面が下向きとなるよ
うにする。そして、このベアＩＣ13の実装面を、図４で
示すように、基板11上の所定の実装位置上に位置合わせ
する。この後、実装ツール25を下降させ、異方性導電膜
12が転写されているベアＩＣ13の実装面を、基板11上の
所定の実装位置に圧接させ、加熱する。
により反転させ、ベアＩＣ13の実装面が下向きとなるよ
うにする。そして、このベアＩＣ13の実装面を、図４で
示すように、基板11上の所定の実装位置上に位置合わせ
する。この後、実装ツール25を下降させ、異方性導電膜
12が転写されているベアＩＣ13の実装面を、基板11上の
所定の実装位置に圧接させ、加熱する。
【００２９】そして、実装ツール25による加熱、加圧す
ることにより、熱硬化性の異方性導電膜12は一旦溶融し
た後に硬化し、ベアＩＣ13を基板11上に機械的に固着さ
せるとともに、異方性導電膜12内の図示しない導電粒子
により、ベアＩＣ13の接続電極と基板11上の配線パター
ンとの間を導電接続して実装が完了する。
ることにより、熱硬化性の異方性導電膜12は一旦溶融し
た後に硬化し、ベアＩＣ13を基板11上に機械的に固着さ
せるとともに、異方性導電膜12内の図示しない導電粒子
により、ベアＩＣ13の接続電極と基板11上の配線パター
ンとの間を導電接続して実装が完了する。
【００３０】ここで、図１ないし図３で示した仮付け工
程によりベアＩＣ13の実装面に転写される異方性導電膜
12は、実装面の面積にほぼ等しい大きさであり、図４お
よび図５で示した実装ツール25による基板11への加熱、
加圧により、転写された異方性導電膜12の全てが溶融、
硬化する。すなわち、従来のように半導体素子の実装面
より大きなＡＣＦを基板側に設けておく必要はなく、し
たがって半導体素子の周囲にはみ出た部分が未硬化のま
ま残ることもない。このため、未硬化の異方性導電膜12
の部分に含まれる不純物により基板11の配線パターンが
腐食することはない。また、ベアＩＣ13の実装後に基板
11に塗布される保護樹脂の密着性が、未硬化部分により
阻害されることはなく、良好な製品を得ることができ
る。
程によりベアＩＣ13の実装面に転写される異方性導電膜
12は、実装面の面積にほぼ等しい大きさであり、図４お
よび図５で示した実装ツール25による基板11への加熱、
加圧により、転写された異方性導電膜12の全てが溶融、
硬化する。すなわち、従来のように半導体素子の実装面
より大きなＡＣＦを基板側に設けておく必要はなく、し
たがって半導体素子の周囲にはみ出た部分が未硬化のま
ま残ることもない。このため、未硬化の異方性導電膜12
の部分に含まれる不純物により基板11の配線パターンが
腐食することはない。また、ベアＩＣ13の実装後に基板
11に塗布される保護樹脂の密着性が、未硬化部分により
阻害されることはなく、良好な製品を得ることができ
る。
【００３１】また、異方性導電膜12は必要最小限が使用
されるだけであり、高価な異方性導電膜12の節約にな
り、コストダウンが図れる。
されるだけであり、高価な異方性導電膜12の節約にな
り、コストダウンが図れる。
【００３２】さらに、異方性導電膜12を転写する際にセ
パレータ12a も同時に剥離されるので、従来のように実
装直前にセパレータを剥ぎ取る必要はなく、工程の全自
動化を容易に達成できる。
パレータ12a も同時に剥離されるので、従来のように実
装直前にセパレータを剥ぎ取る必要はなく、工程の全自
動化を容易に達成できる。
【００３３】また、実装ツール25にベアＩＣ13の加熱機
能を持たせ、加圧ツール27を兼用したことにより、異方
性導電膜12の転写装置を実装機に容易に組み込むことが
可能となり、より一層の自動化を図ることができる。
能を持たせ、加圧ツール27を兼用したことにより、異方
性導電膜12の転写装置を実装機に容易に組み込むことが
可能となり、より一層の自動化を図ることができる。
【００３４】なお、実装に当り、ベアＩＣ13の実装面に
アライメントマークを設け、このアライメントマークに
より基板11側との位置合わせを行なうことがある。しか
し、実装面には異方性導電膜12が転写されるので、転写
後にこのアライメントマークを認識し易くするため、転
写された異方性導電膜12のアライメントマークに対応す
る部分に窓を形成したり、あるいは、この部分をくりぬ
いたりしてもよい。
アライメントマークを設け、このアライメントマークに
より基板11側との位置合わせを行なうことがある。しか
し、実装面には異方性導電膜12が転写されるので、転写
後にこのアライメントマークを認識し易くするため、転
写された異方性導電膜12のアライメントマークに対応す
る部分に窓を形成したり、あるいは、この部分をくりぬ
いたりしてもよい。
【００３５】
【発明の効果】請求項１記載の半導体素子の実装方法
は、半導体素子の実装面に、膜状接着部材の実装面に対
応する部分のみを転写し、この転写された膜状接着部材
を介して半導体素子を基板上に実装するので、膜状接着
部材の大きさを、実装される半導体素子とほぼ同じ大き
さにすることができ、材料の無駄が生じたりすることは
なく、転写において、セパレータは膜状接着部材から剥
がれるので、膜状接着部材の未硬化部分が生じたり、材
料の無駄が生じたりすることがなく、さらに実装作業直
前のセパレータ剥がし作業が不要となり、全体の自動化
を容易に達成することができる。
は、半導体素子の実装面に、膜状接着部材の実装面に対
応する部分のみを転写し、この転写された膜状接着部材
を介して半導体素子を基板上に実装するので、膜状接着
部材の大きさを、実装される半導体素子とほぼ同じ大き
さにすることができ、材料の無駄が生じたりすることは
なく、転写において、セパレータは膜状接着部材から剥
がれるので、膜状接着部材の未硬化部分が生じたり、材
料の無駄が生じたりすることがなく、さらに実装作業直
前のセパレータ剥がし作業が不要となり、全体の自動化
を容易に達成することができる。
【００３６】請求項２に記載の半導体素子の実装装置
は、実装ツールに保持され、所定温度に加熱された半導
体素子の実装面に、膜状接着部材のセパレータの反対側
を、加圧ツールにより圧接させ、セパレータを含む膜状
接着部材の他の部分を実装面から分離させることによ
り、膜状接着部材の実装面に対応する部分のみを実装面
上に転写でき、この転写部分からセパレータを自動的に
剥ぎ取ることができる。このため、膜状接着部材の未硬
化部分や、材料の無駄が生じたりすることはなく、実装
作業直前のセパレータ剥がし作業が不要となり、全体の
自動化を容易に達成することができる。
は、実装ツールに保持され、所定温度に加熱された半導
体素子の実装面に、膜状接着部材のセパレータの反対側
を、加圧ツールにより圧接させ、セパレータを含む膜状
接着部材の他の部分を実装面から分離させることによ
り、膜状接着部材の実装面に対応する部分のみを実装面
上に転写でき、この転写部分からセパレータを自動的に
剥ぎ取ることができる。このため、膜状接着部材の未硬
化部分や、材料の無駄が生じたりすることはなく、実装
作業直前のセパレータ剥がし作業が不要となり、全体の
自動化を容易に達成することができる。
【図１】本発明による半導体素子の実装装置の一実施例
の膜状接着部材を転写する仮付け工程を示す正面図であ
る。
の膜状接着部材を転写する仮付け工程を示す正面図であ
る。
【図２】同上膜状接着部材を転写する工程の図１に示す
次の仮付け工程を示す正面図である。
次の仮付け工程を示す正面図である。
【図３】同上膜状接着部材を転写する工程の図２に示す
次の仮付け工程を示す正面図である。
次の仮付け工程を示す正面図である。
【図４】同上基板に対する半導体素子の実装工程の図３
に示す次の仮付け工程を示す正面図である。
に示す次の仮付け工程を示す正面図である。
【図５】同上基板に対する半導体素子の実装工程の図４
に示す次の仮付け工程を示す正面図である。
に示す次の仮付け工程を示す正面図である。
【図６】従来例の膜状接着部材の基板への仮付け工程を
示す正面図である。
示す正面図である。
【図７】同上膜状接着部材の基板への仮付け工程の図６
に示す次の工程を示す正面図である。
に示す次の工程を示す正面図である。
【図８】同上膜状接着部材の基板への仮付け工程の図７
に示す次の工程を示す正面図である。
に示す次の工程を示す正面図である。
【図９】同上セパレータ剥がし工程の図８に示す次の工
程を示す正面図である。
程を示す正面図である。
【図１０】同上半導体素子への実装工程の図９に示す次
の工程を示す正面図である。
の工程を示す正面図である。
【図１１】同上半導体素子への実装工程の図１０に示す
次の工程を示す正面図である。
次の工程を示す正面図である。
11 基板 12 膜状接着部材としての異方性導電膜（ＡＣＦ） 12a セパレータ 13 半導体素子としてのベアＩＣ 25 実装ツール 26 支持部材 27 加圧ツール
Claims (2)
- 【請求項１】 所定温度に加熱された半導体素子の実装
面に、一面にシート状のセパレータが貼り付けられてい
る膜状接着部材を前記セパレータの反対側から加圧し、 この加圧後に前記セパレータを含む膜状接着部材の他の
部分を実装面から分離することにより、前記膜状接着部
材を実装面上に転写し、 この転写後に前記膜状接着部材が転写された前記半導体
素子の実装面を基板上の所定の実装位置に加圧、加熱し
て結合することを特徴とする半導体素子の実装方法。 - 【請求項２】 半導体素子を膜状接着部材を介して基板
上の所定位置に実装する半導体素子の実装装置におい
て、 前記半導体素子を着脱可能に保持し、この保持状態にて
半導体素子を所定温度に加熱するとともに、この半導体
素子を基板上の所定位置に圧接させる実装ツールと、 この実装ツールの所定の実装位置と異なる仮付け位置に
て、一面にセパレータが貼り付けられた膜状接着部材の
セパレータの反対側を、この実装ツールによって保持さ
れた半導体素子の実装面と所定の間隔で対向させる支持
部材と、 この支持部材により支持された前記膜状接着部材を前記
半導体素子の実装面上に圧接させ、この実装面に対応す
る部分を実装面上に転写させる加圧ツールとを具備した
ことを特徴とする半導体素子の実装装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6172888A JPH0837208A (ja) | 1994-07-25 | 1994-07-25 | 半導体素子の実装方法およびその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6172888A JPH0837208A (ja) | 1994-07-25 | 1994-07-25 | 半導体素子の実装方法およびその装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0837208A true JPH0837208A (ja) | 1996-02-06 |
Family
ID=15950189
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6172888A Pending JPH0837208A (ja) | 1994-07-25 | 1994-07-25 | 半導体素子の実装方法およびその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0837208A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998030073A1 (en) * | 1996-12-27 | 1998-07-09 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method and device for mounting electronic component on circuit board |
| JPH10310743A (ja) * | 1997-05-12 | 1998-11-24 | Hitachi Chem Co Ltd | 異方導電性接着テープの貼付け方法および装置 |
| US7193328B2 (en) | 2001-07-05 | 2007-03-20 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor device |
| JP2008243867A (ja) * | 2007-03-26 | 2008-10-09 | Casio Comput Co Ltd | 電子部品の搭載方法 |
| JP2009283962A (ja) * | 1996-08-06 | 2009-12-03 | Hitachi Chem Co Ltd | 接着剤付チップの製造方法 |
| EP2509400A4 (en) * | 2009-12-01 | 2014-11-26 | Dexerials Corp | METHOD FOR PRODUCING AN ELECTRONIC COMPONENT, ELECTRONIC COMPONENT AND CONDUCTIVE FILM |
-
1994
- 1994-07-25 JP JP6172888A patent/JPH0837208A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009283962A (ja) * | 1996-08-06 | 2009-12-03 | Hitachi Chem Co Ltd | 接着剤付チップの製造方法 |
| WO1998030073A1 (en) * | 1996-12-27 | 1998-07-09 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method and device for mounting electronic component on circuit board |
| US6981317B1 (en) | 1996-12-27 | 2006-01-03 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method and device for mounting electronic component on circuit board |
| JPH10310743A (ja) * | 1997-05-12 | 1998-11-24 | Hitachi Chem Co Ltd | 異方導電性接着テープの貼付け方法および装置 |
| US7193328B2 (en) | 2001-07-05 | 2007-03-20 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor device |
| JP2008243867A (ja) * | 2007-03-26 | 2008-10-09 | Casio Comput Co Ltd | 電子部品の搭載方法 |
| EP2509400A4 (en) * | 2009-12-01 | 2014-11-26 | Dexerials Corp | METHOD FOR PRODUCING AN ELECTRONIC COMPONENT, ELECTRONIC COMPONENT AND CONDUCTIVE FILM |
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