JPH0841085A - チオカルバモイルメタンホスホン酸ジエステルの製造方法。 - Google Patents
チオカルバモイルメタンホスホン酸ジエステルの製造方法。Info
- Publication number
- JPH0841085A JPH0841085A JP8432995A JP8432995A JPH0841085A JP H0841085 A JPH0841085 A JP H0841085A JP 8432995 A JP8432995 A JP 8432995A JP 8432995 A JP8432995 A JP 8432995A JP H0841085 A JPH0841085 A JP H0841085A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- general formula
- formula
- carbon atoms
- acid diester
- hydrogen sulfide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 5
- 150000005690 diesters Chemical class 0.000 title abstract 2
- RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N Dihydrogen sulfide Chemical compound S RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 18
- -1 cyanomethanephosphonic acid diester Chemical class 0.000 claims abstract description 15
- 229910000037 hydrogen sulfide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 15
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims abstract description 9
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims abstract description 8
- 150000003512 tertiary amines Chemical class 0.000 claims abstract description 6
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 5
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 claims abstract description 4
- 125000003710 aryl alkyl group Chemical group 0.000 claims description 2
- 125000001797 benzyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])* 0.000 claims description 2
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 claims description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 claims description 2
- 125000004437 phosphorous atom Chemical group 0.000 claims description 2
- 229910052698 phosphorus Chemical group 0.000 claims description 2
- ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N Triethylamine Chemical compound CCN(CC)CC ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 15
- 239000002904 solvent Substances 0.000 abstract description 10
- YTPHFFRQTRUHMW-UHFFFAOYSA-N 2-diethoxyphosphorylethanethioamide Chemical compound CCOP(=O)(CC(N)=S)OCC YTPHFFRQTRUHMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- KWMBADTWRIGGGG-UHFFFAOYSA-N 2-diethoxyphosphorylacetonitrile Chemical compound CCOP(=O)(CC#N)OCC KWMBADTWRIGGGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 abstract description 2
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 abstract 1
- APVPOHHVBBYQAV-UHFFFAOYSA-N n-(4-aminophenyl)sulfonyloctadecanamide Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC(=O)NS(=O)(=O)C1=CC=C(N)C=C1 APVPOHHVBBYQAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 description 11
- 239000000047 product Substances 0.000 description 6
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 description 6
- JGFZNNIVVJXRND-UHFFFAOYSA-N N,N-Diisopropylethylamine (DIPEA) Chemical compound CCN(C(C)C)C(C)C JGFZNNIVVJXRND-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 3
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 238000001394 phosphorus-31 nuclear magnetic resonance spectrum Methods 0.000 description 2
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 2
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 2
- RKHXQBLJXBGEKF-UHFFFAOYSA-M tetrabutylphosphanium;bromide Chemical compound [Br-].CCCC[P+](CCCC)(CCCC)CCCC RKHXQBLJXBGEKF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- ZFFMLCVRJBZUDZ-UHFFFAOYSA-N 2,3-dimethylbutane Chemical group CC(C)C(C)C ZFFMLCVRJBZUDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XVMSFILGAMDHEY-UHFFFAOYSA-N 6-(4-aminophenyl)sulfonylpyridin-3-amine Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1S(=O)(=O)C1=CC=C(N)C=N1 XVMSFILGAMDHEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 239000012043 crude product Substances 0.000 description 1
- 125000004177 diethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- XPYGGHVSFMUHLH-UUSULHAXSA-N falecalcitriol Chemical compound C1(/[C@@H]2CC[C@@H]([C@]2(CCC1)C)[C@@H](CCCC(O)(C(F)(F)F)C(F)(F)F)C)=C\C=C1\C[C@@H](O)C[C@H](O)C1=C XPYGGHVSFMUHLH-UUSULHAXSA-N 0.000 description 1
- 239000000543 intermediate Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 239000012452 mother liquor Substances 0.000 description 1
- ISRXMEYARGEVIU-UHFFFAOYSA-N n-methyl-n-propan-2-ylpropan-2-amine Chemical compound CC(C)N(C)C(C)C ISRXMEYARGEVIU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UEZVMMHDMIWARA-UHFFFAOYSA-M phosphonate Chemical compound [O-]P(=O)=O UEZVMMHDMIWARA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 150000004714 phosphonium salts Chemical group 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 150000003510 tertiary aliphatic amines Chemical class 0.000 description 1
- YFTHZRPMJXBUME-UHFFFAOYSA-N tripropylamine Chemical compound CCCN(CCC)CCC YFTHZRPMJXBUME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F9/00—Compounds containing elements of Groups 5 or 15 of the Periodic Table
- C07F9/02—Phosphorus compounds
- C07F9/28—Phosphorus compounds with one or more P—C bonds
- C07F9/38—Phosphonic acids [RP(=O)(OH)2]; Thiophosphonic acids ; [RP(=X1)(X2H)2(X1, X2 are each independently O, S or Se)]
- C07F9/40—Esters thereof
- C07F9/4003—Esters thereof the acid moiety containing a substituent or a structure which is considered as characteristic
- C07F9/4006—Esters of acyclic acids which can have further substituents on alkyl
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Molecular Biology (AREA)
- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 下記一般式(I)
【化１】
〔式中R1、R2はC1-8アルキル基を表す〕で示されるチオ
カルバモイルメタンホスホン酸ジエステルの製法を提供
する。 【構成】 下記一般式(II) 【化２】 〔式中R1、R2は上記一般式(I) と同様に定義される〕で
示されるシアノメタンホスホン酸ジエステルを一般式(I
I)の化合物1mol当たり0.5 〜5molの下記一般式(III) 【化３】 〔式中R3、R4、R5はC1-4アルキル基を表す〕で示される
第三アミンの存在下で0〜130 ℃で反応させ製造する。
カルバモイルメタンホスホン酸ジエステルの製法を提供
する。 【構成】 下記一般式(II) 【化２】 〔式中R1、R2は上記一般式(I) と同様に定義される〕で
示されるシアノメタンホスホン酸ジエステルを一般式(I
I)の化合物1mol当たり0.5 〜5molの下記一般式(III) 【化３】 〔式中R3、R4、R5はC1-4アルキル基を表す〕で示される
第三アミンの存在下で0〜130 ℃で反応させ製造する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、下記一般式（Ｉ）
【０００２】
【化５】 〔式中、Ｒ1 及びＲ2 はそれぞれ同一であっても相違し
ていてもよく、それぞれ１〜８個、特に１〜４個の炭素
原子を有するアルキル基を表し、ここでＲ1 及びＲ2 は
互いに一緒になって１つの環を形成していてもよい〕で
示されるチオカルバモイルメタンホスホン酸ジエステル
の製造方法に関する。
ていてもよく、それぞれ１〜８個、特に１〜４個の炭素
原子を有するアルキル基を表し、ここでＲ1 及びＲ2 は
互いに一緒になって１つの環を形成していてもよい〕で
示されるチオカルバモイルメタンホスホン酸ジエステル
の製造方法に関する。
【０００３】
【従来の技術】ソ連特許１５８３４２５号には、下記一
般式
般式
【０００４】
【化６】 〔式中、Ｒはエチル又はイソプロピル基を、Ｒ1 は水素
又は-CH2C(O)OC2H5 を表す〕で示されるチオアミド−置
換ホスホン酸エステルの製造方法が開示されている。こ
の方法に従い、トリエチルアミン及びピリジンを容量比
１：１の割合で含む溶剤中でジアルキル（シアノメチ
ル）ホスホン酸エステルを硫化水素と室温で反応させ
る。目的生成物は、反応混合物を０℃で１２時間以上冷
却した後に反応混合物から結晶として得られる。
又は-CH2C(O)OC2H5 を表す〕で示されるチオアミド−置
換ホスホン酸エステルの製造方法が開示されている。こ
の方法に従い、トリエチルアミン及びピリジンを容量比
１：１の割合で含む溶剤中でジアルキル（シアノメチ
ル）ホスホン酸エステルを硫化水素と室温で反応させ
る。目的生成物は、反応混合物を０℃で１２時間以上冷
却した後に反応混合物から結晶として得られる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】既知の方法の不利な点
は、収量が変動する点及び溶剤の回収が必要である点そ
してまた硫化水素がかなり過剰に必要な点である。
は、収量が変動する点及び溶剤の回収が必要である点そ
してまた硫化水素がかなり過剰に必要な点である。
【０００６】従って、本発明の課題はチオカルバモイル
メタンホスホン酸ジエステルの製造において、溶剤なし
で実施でき必要な硫化水素がほんの僅かの過剰量ですむ
製造方法を提供することにある。
メタンホスホン酸ジエステルの製造において、溶剤なし
で実施でき必要な硫化水素がほんの僅かの過剰量ですむ
製造方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記の課題は本発明に従
い下記一般式（II）
い下記一般式（II）
【０００８】
【化７】 〔式中、Ｒ1 及びＲ2 は上記一般式（Ｉ）と同様に定義
される〕で示されるシアノメタンホスホン酸ジエステル
を一般式（II）の化合物１ｍｏｌ当たり０．５〜５ｍｏ
ｌの下記一般式（III ）
される〕で示されるシアノメタンホスホン酸ジエステル
を一般式（II）の化合物１ｍｏｌ当たり０．５〜５ｍｏ
ｌの下記一般式（III ）
【０００９】
【化８】 〔式中、Ｒ3 、Ｒ4 及びＲ5 はそれぞれ同一又は相違
し、それぞれ１〜４個の炭素原子を有する直鎖又は分岐
のアルキル基を表し、ここでＲ3 、Ｒ4 及びＲ5に含ま
れる炭素原子数の合計は５以上１０以下である〕で示さ
れる第三アミンの存在下において０〜１３０℃で硫化水
素と反応させることで達成される。
し、それぞれ１〜４個の炭素原子を有する直鎖又は分岐
のアルキル基を表し、ここでＲ3 、Ｒ4 及びＲ5に含ま
れる炭素原子数の合計は５以上１０以下である〕で示さ
れる第三アミンの存在下において０〜１３０℃で硫化水
素と反応させることで達成される。
【００１０】さらに本発明に従った方法の好ましい態様
を示すと以下の通りである。 ａ）下記一般式（IV）
を示すと以下の通りである。 ａ）下記一般式（IV）
【００１１】
【化９】 〔式中、Ｒ6 、Ｒ7 、Ｒ8 及びＲ9 はそれぞれ同一又は
相違し、それぞれ１〜２０個の炭素原子を有するアルキ
ル、ベンジル又はアルアルキル基を表し、Ｘは窒素原子
又はリン原子を表し、Ｙはハロゲン化物を表す〕で示さ
れる化合物を付加的な触媒として使用すること ｂ）反応を１０〜４０℃で実施すること ｃ）シアノメタンホスホン酸ジエステルと硫化水素をモ
ル比が１：（１〜２）、好ましくは１：（１．１〜１．
５）で反応させること を含む。
相違し、それぞれ１〜２０個の炭素原子を有するアルキ
ル、ベンジル又はアルアルキル基を表し、Ｘは窒素原子
又はリン原子を表し、Ｙはハロゲン化物を表す〕で示さ
れる化合物を付加的な触媒として使用すること ｂ）反応を１０〜４０℃で実施すること ｃ）シアノメタンホスホン酸ジエステルと硫化水素をモ
ル比が１：（１〜２）、好ましくは１：（１．１〜１．
５）で反応させること を含む。
【００１２】本発明に従った方法で使用され得る出発物
質は、シアノメタンホスホン酸のジメチル、ジエチル、
ジイソプロピル、ジシクロヘキシル又はモノメチルモノ
ブチルエステルである。
質は、シアノメタンホスホン酸のジメチル、ジエチル、
ジイソプロピル、ジシクロヘキシル又はモノメチルモノ
ブチルエステルである。
【００１３】本発明に従った方法における特に適した化
合物は、トリエチルアミン、トリ−ｎ−プロピルアミ
ン、ジイソプロピルメチルアミン又はジイソプロピルエ
チルアミンのような第三脂肪族アミン及び臭化テトラブ
チルホスホニウムのような第四ホスホニウム塩である。
合物は、トリエチルアミン、トリ−ｎ−プロピルアミ
ン、ジイソプロピルメチルアミン又はジイソプロピルエ
チルアミンのような第三脂肪族アミン及び臭化テトラブ
チルホスホニウムのような第四ホスホニウム塩である。
【００１４】本発明に従った方法は原則として溶剤を使
用しないで実施できる。しかしながら、溶剤を使用する
ならば、トルエン、キシレン又はヘキサンを推奨する。
一般式（III ）の第三アミンは、通常一般式（II）のシ
アノメタンホスホン酸ジエステルには殆ど溶解しない。
従って、本発明の方法において、第三アミン及びエステ
ルの混合物中に硫化水素を導入するには、強く攪拌し、
激しい渦流の状態で硫化水素が溶解しなくなるまで行う
ことが必要である。
用しないで実施できる。しかしながら、溶剤を使用する
ならば、トルエン、キシレン又はヘキサンを推奨する。
一般式（III ）の第三アミンは、通常一般式（II）のシ
アノメタンホスホン酸ジエステルには殆ど溶解しない。
従って、本発明の方法において、第三アミン及びエステ
ルの混合物中に硫化水素を導入するには、強く攪拌し、
激しい渦流の状態で硫化水素が溶解しなくなるまで行う
ことが必要である。
【００１５】本発明の方法は、一般的に大気圧下で実施
される；しかし、昇圧下で行うこともまた可能である。
本発明の方法の１つの有利な点は、反応が終了した時に
通常２つの層が形成され、上層は使用されたアミンを含
み、もし溶剤を使用したならば溶剤で希釈されたアミン
を含み、一方下層は共存する硫化水素及び低沸点成分を
除去すると粗目的生成物に相当するものが含まれる。粗
目的生成物は、溶剤を用いて溶融晶出及び温浸（digest
ion)を行うことで精製され、一方上層のアミンはさらな
る処理を行うことなく再利用され得る。
される；しかし、昇圧下で行うこともまた可能である。
本発明の方法の１つの有利な点は、反応が終了した時に
通常２つの層が形成され、上層は使用されたアミンを含
み、もし溶剤を使用したならば溶剤で希釈されたアミン
を含み、一方下層は共存する硫化水素及び低沸点成分を
除去すると粗目的生成物に相当するものが含まれる。粗
目的生成物は、溶剤を用いて溶融晶出及び温浸（digest
ion)を行うことで精製され、一方上層のアミンはさらな
る処理を行うことなく再利用され得る。
【００１６】本発明の方法において、一般式（IV）の触
媒を付加的に使用するならば、およそ化学量論的な量の
硫化水素を導入した後に反応混合物から高純度で生成物
が晶出される。
媒を付加的に使用するならば、およそ化学量論的な量の
硫化水素を導入した後に反応混合物から高純度で生成物
が晶出される。
【００１７】本発明に従って得られるチオカルバモイル
ホスホン酸ジエステルは、例えばホーナーホスホン酸エ
ステル反応（Horner phosphonate reaction ）のための
中間体として重要である。
ホスホン酸ジエステルは、例えばホーナーホスホン酸エ
ステル反応（Horner phosphonate reaction ）のための
中間体として重要である。
【００１８】
例１ ４２．４ｇ（０．２４ｍｏｌ）のシアノメタンホスホン
酸ジエチル及び４８．６ｇ（０．４８ｍｏｌ）のトリエ
チルアミンの混合物を激しく攪拌し、硫化水素ガスを導
入し、温度を４０℃に昇温する。この温度で硫化水素が
溶解しなくなるまで導入を続ける。反応混合物は二層か
らなり、その下層を別離し、２０ｍｂａｒの一定圧力で
内部温度を８０℃に加熱する。冷却した後に得られる４
７．５ｇの結晶塊をトルエンを用いて再晶出し、融点が
６９〜７１℃であり31Ｐ ＮＭＲスペクトルによる生成
物純度が９６％であるチオカルバモイルメタンホスホン
酸ジエチルを３７ｇ得る。理論値に対する収率は、７３
％である。 例２ 激しく攪拌した５０ｇ（０．２８ｍｏｌ）のシアノメタ
ンホスホン酸ジエチル及び７３ｇ（０．５７ｍｏｌ）の
ジイソプロピルエチルアミンの混合物に２０〜２５℃に
冷却した状態で硫化水素ガスを導入する。温度を２０℃
に維持して、硫化水素を溶解しなくなるまで導入し続け
る。約４〜５時間後に反応混合物は二層に別れる。凝固
した下層は結晶塊を形成し、下層をエチルアセテートに
溶解して融点が６９〜７１℃であり理論値に対し６４％
の収率に相当するチオカルバモイルメタンホスホン酸ジ
エチルを３９ｇ得る。
酸ジエチル及び４８．６ｇ（０．４８ｍｏｌ）のトリエ
チルアミンの混合物を激しく攪拌し、硫化水素ガスを導
入し、温度を４０℃に昇温する。この温度で硫化水素が
溶解しなくなるまで導入を続ける。反応混合物は二層か
らなり、その下層を別離し、２０ｍｂａｒの一定圧力で
内部温度を８０℃に加熱する。冷却した後に得られる４
７．５ｇの結晶塊をトルエンを用いて再晶出し、融点が
６９〜７１℃であり31Ｐ ＮＭＲスペクトルによる生成
物純度が９６％であるチオカルバモイルメタンホスホン
酸ジエチルを３７ｇ得る。理論値に対する収率は、７３
％である。 例２ 激しく攪拌した５０ｇ（０．２８ｍｏｌ）のシアノメタ
ンホスホン酸ジエチル及び７３ｇ（０．５７ｍｏｌ）の
ジイソプロピルエチルアミンの混合物に２０〜２５℃に
冷却した状態で硫化水素ガスを導入する。温度を２０℃
に維持して、硫化水素を溶解しなくなるまで導入し続け
る。約４〜５時間後に反応混合物は二層に別れる。凝固
した下層は結晶塊を形成し、下層をエチルアセテートに
溶解して融点が６９〜７１℃であり理論値に対し６４％
の収率に相当するチオカルバモイルメタンホスホン酸ジ
エチルを３９ｇ得る。
【００１９】さらに、母液から８ｇの生成物を回収す
る。 例３ ７０ｇのトルエン中の６６ｇ（０．３７ｍｏｌ）のシア
ノメタンホスホン酸ジエチル、７５ｇ（０．７４ｍｏ
ｌ）のトリエチルアミン及び１ｇの臭化テトラブチルホ
スホニウムの懸濁液を１０℃に冷却する。攪拌した懸濁
液にすぐに消費される量の硫化水素を導入すると、冷却
しているにもかかわらず温度は１６℃に上昇する。５時
間後、最初は緑がかった状態であり次いで黄色となる反
応混合物から無色の固体としてチオカルバモイルメタン
ホスホン酸ジエチルが沈澱し、その固体を空気に触れな
いようにして濾過し、トルエンで洗浄し、減圧下で乾燥
し、融点が６８〜７１℃であり31Ｐ ＮＭＲスペクトル
による生成物純度が９８％であるチオカルバモイルメタ
ンホスホン酸ジエチルを７０ｇ得る。理論値に対する収
率は９０％である。
る。 例３ ７０ｇのトルエン中の６６ｇ（０．３７ｍｏｌ）のシア
ノメタンホスホン酸ジエチル、７５ｇ（０．７４ｍｏ
ｌ）のトリエチルアミン及び１ｇの臭化テトラブチルホ
スホニウムの懸濁液を１０℃に冷却する。攪拌した懸濁
液にすぐに消費される量の硫化水素を導入すると、冷却
しているにもかかわらず温度は１６℃に上昇する。５時
間後、最初は緑がかった状態であり次いで黄色となる反
応混合物から無色の固体としてチオカルバモイルメタン
ホスホン酸ジエチルが沈澱し、その固体を空気に触れな
いようにして濾過し、トルエンで洗浄し、減圧下で乾燥
し、融点が６８〜７１℃であり31Ｐ ＮＭＲスペクトル
による生成物純度が９８％であるチオカルバモイルメタ
ンホスホン酸ジエチルを７０ｇ得る。理論値に対する収
率は９０％である。
Claims (3)
- 【請求項１】 下記一般式（Ｉ） 【化１】 〔式中、Ｒ1 及びＲ2 はそれぞれ同一であっても相違し
ていてもよく、それぞれ１〜８個、特に１〜４個の炭素
原子を有するアルキル基を表し、またＲ1 及びＲ2 は互
いに一緒になって１つの環を形成していてもよい〕で示
されるチオカルバモイルメタンホスホン酸ジエステルの
製造方法において、下記一般式（II） 【化２】 〔式中、Ｒ1 及びＲ2 は上記一般式（Ｉ）と同様に定義
される〕で示されるシアノメタンホスホン酸ジエステル
を一般式（II）の化合物１ｍｏｌ当たり０．５〜５ｍｏ
ｌの下記一般式（III ） 【化３】 〔式中、Ｒ3 、Ｒ4 及びＲ5 はそれぞれ同一又は相違
し、それぞれ１〜４個の炭素原子を有する直鎖又は分岐
のアルキル基を表し、ここでＲ3 、Ｒ4 及びＲ5に含ま
れる炭素原子数の合計は５以上１０以下である〕で示さ
れる第三アミンの存在下において０〜１３０℃、好まし
くは１０〜４０℃で硫化水素と反応させることからなる
ことを特徴とする上記製造方法。 - 【請求項２】 下記一般式（IV） 【化４】 〔式中、Ｒ6 、Ｒ7 、Ｒ8 及びＲ9 はそれぞれ同一又は
相違し、それぞれ１〜２０個の炭素原子を有するアルキ
ル、ベンジル又はアルアルキル基を表し、Ｘは窒素原子
又はリン原子を表し、Ｙはハロゲン化物を表す〕で示さ
れる化合物を付加的な触媒として使用することを特徴と
する請求項１に記載の製造方法。 - 【請求項３】 シアノメタンホスホン酸ジエステルと硫
化水素をモル比が１：（１〜２）、好ましくは１：
（１．１〜１．５）で反応させることを特徴とする請求
項１又は２に記載の製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19944412347 DE4412347A1 (de) | 1994-04-11 | 1994-04-11 | Verfahren zur Herstellung von Thiocarbonylmethanphosphonsäurediestern |
| DE4412347:7 | 1994-04-11 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0841085A true JPH0841085A (ja) | 1996-02-13 |
Family
ID=6515058
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8432995A Withdrawn JPH0841085A (ja) | 1994-04-11 | 1995-04-10 | チオカルバモイルメタンホスホン酸ジエステルの製造方法。 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0676406A3 (ja) |
| JP (1) | JPH0841085A (ja) |
| CA (1) | CA2145373A1 (ja) |
| DE (1) | DE4412347A1 (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SU1583425A1 (ru) * | 1988-07-18 | 1990-08-07 | Казанский государственный университет им.В.И.Ульянова-Ленина | Способ получени тиоамидозамещенных фосфонатов |
-
1994
- 1994-04-11 DE DE19944412347 patent/DE4412347A1/de not_active Withdrawn
-
1995
- 1995-03-10 EP EP95103445A patent/EP0676406A3/de not_active Withdrawn
- 1995-03-23 CA CA 2145373 patent/CA2145373A1/en not_active Abandoned
- 1995-04-10 JP JP8432995A patent/JPH0841085A/ja not_active Withdrawn
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CA2145373A1 (en) | 1995-10-12 |
| EP0676406A3 (de) | 1996-08-21 |
| DE4412347A1 (de) | 1995-10-12 |
| EP0676406A2 (de) | 1995-10-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH09309891A (ja) | モノアルキルホスホニットを製造する方法 | |
| WO2020218316A1 (ja) | アリールスルホン酸エステル化合物の製造方法 | |
| US5245069A (en) | Process for the preparation of bis(aryl)-phosphorohalidates | |
| JPH0841085A (ja) | チオカルバモイルメタンホスホン酸ジエステルの製造方法。 | |
| JPS6272662A (ja) | ４−アルコキシ−３−ピロリン−２−オン−１−イル−酢酸アルキルエステルおよびその製造方法 | |
| JPH04504405A (ja) | シアノジエン類、ハロピリジン類、中間体及びそれらの製造方法 | |
| JPS603317B2 (ja) | 塩化ホスフアイトの製造方法 | |
| JP3481283B2 (ja) | ホスフィニルカルボン酸の製造方法 | |
| JP3046258B2 (ja) | １−クロロカルボニル−４−ピペリジノピペリジンまたはその塩酸塩の製造方法 | |
| JP3091022B2 (ja) | グルタル酸誘導体の製造方法 | |
| JP2530142B2 (ja) | Ｏ−アルキルｓ，ｓ−ジアルキルホスホロジチオエ−トの製造方法 | |
| US4781867A (en) | Process for making phosphinic or phosphonic acid chlorides | |
| JP3478574B2 (ja) | ジアリールクロロホスフェートの製造方法 | |
| KR100252462B1 (ko) | ο-(클로로메틸)벤조산에스테르유도체의제조방법 | |
| JP2582889B2 (ja) | 高純度アミノスルフェニルクロリドの製法 | |
| JPH06220001A (ja) | ３−イミノ−３−アルコキシ−プロピオン酸ラクテート類およびそれらの互変異性アクリル酸ラクテート類 | |
| US4751028A (en) | Process for the preparation of thiophosphinic chlorides | |
| JPS5888396A (ja) | アミノメチルホスホン酸の製造方法 | |
| JPH0841084A (ja) | チオカルバモイルメタンホスホン酸ジエステルの製造方法 | |
| KR100348100B1 (ko) | 2-[(2,6-디클로로페닐)아미노]페닐아세톡시아세트산의제조방법 | |
| JPS6310143B2 (ja) | ||
| JP2771882B2 (ja) | Ｓ，ｏ―ジアルキル（２―オキソ―３―チアゾリジニル）ホスホノチオレートの製造法 | |
| JP4370460B2 (ja) | アミド化合物の製造方法 | |
| KR100445781B1 (ko) | (ｓ)-1-아세틸-2-피롤리딘카복스아미드의 제조방법 | |
| JPH078860B2 (ja) | ピラゾ−ル誘導体およびその製造法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20020702 |