JPH0841626A

JPH0841626A - 金属部分膜の形成装置およびその形成方法

Info

Publication number: JPH0841626A
Application number: JP6196051A
Authority: JP
Inventors: Hidetsugu Fuchida; 英嗣渕田; Kazuhiro Setoguchi; 和宏瀬戸口
Original assignee: Vacuum Metallurgical Co Ltd
Current assignee: Vacuum Metallurgical Co Ltd
Priority date: 1994-07-28
Filing date: 1994-07-28
Publication date: 1996-02-13
Anticipated expiration: 2019-12-02
Also published as: JP3595823B2

Abstract

(57)【要約】［目的］マスキングやエッチングを必要としない金属
部分膜の形成装置、及びその装置を使用して酸化され易
い金属による耐湿性に優れた金属部分膜を形成させる方
法を提供すること。［構成］シャッタ機構９付きの、高周波誘導加熱され
るカーボン・ルツボ６を備えた超微粒子生成室１と、超
微粒子を搬送する搬送管３及びノズル４と、Ｘ軸方向、
Ｙ軸方向に走査可能なガラス基板８を配置した膜形成室
２と、膜形成室２を吸気する真空ポンプ１５、及び吸込
管５を介して超微粒子生成室１を吸気する真空ポンプ１
６と、真空ポンプ１５、１６の排気を超微粒子生成室１
の底部へ戻す配管の途中に設けたＨｅガス・リサイクル
機構１７とからなる装置を使用し、純度９９．９９％の
Ｈｅガスによって、Ｃｕ超微粒子をノズル４から噴射さ
せつつ、ガラス基板８を走査させ、シャッタ機構９によ
ってＣｕ超微粒子の搬送を断続させて、ガラス基板８上
にＣｕ部分膜を形成させる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は金属部分膜の形成装置お
よびその形成方法に関するものであり、更に詳しくは、
酸化され易い金属の部分膜を、マスキングやエッチング
を行なうことなく、基板状へ直接に形成させる装置およ
びその形成方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術及びその問題点】基板上に金属膜を形成さ
せる方法として、厚膜ペースト法、スパッタ法、真空蒸
着法、メッキ法等がある。これらの方法において、必要
な個所にのみ金属膜を形成させるには、すなわち、金属
部分膜を形成させるには、基板上の不必要な個所を遮蔽
（スクリーン）して、換言すればマスキングを行なって
膜形成を行なうか、又は基板上の全面に膜を形成させた
後に、必要な個所にレジスト膜を形成させ、レジスト膜
を形成させなかった不必要な個所の膜をエッチングして
除去することが行なわれている。このように金属部分膜
の形成にはマスキング、又はエッチングなどの工程を必
要とし、かつ、マスキングを行なう場合にはマスキング
材料が、またエッチングを行なう場合にはレジスト膜が
使い捨てである。

【０００３】また、厚膜ペースト法、メッキ法は１回の
適用で厚さ１μｍ以上の厚膜を得やすいが、スパッタ法
や真空蒸着法は膜厚形成速度、すなわち成膜レートが小
さく、厚膜を得るには非常に時間を要して適切でない。
そのほか、メッキ法は水溶性の薬品を使用するので、最
後には水洗し乾燥する工程が必要であり、設備が大がか
りとなる。

【０００４】また、厚膜を形成させる場合、酸化されな
い金や白金は高価であるため、一般的な銅、ニッケルな
どを使うことが多いが、これら酸化され易い金属を厚膜
ペースト法やメッキ法で形成させると酸化が生起して比
抵抗が増大し、膜形成後に還元処理を必要とする場合が
ある。更には、これらの膜は経時的にも酸化が進行して
比抵抗が増大するので、これらの金属厚膜を使用した電
気部品は信頼性に劣り、長期の寿命を期待し難い。

【０００５】その他の厚膜を形成させる方法として、本
願出願人による特許第１５３１６０７号、特開平５−２
９５５２５号、特開平５−２９５５５０号、特開平６−
９３４３０号、特開平６−１０１０２６号、特開平６−
１２８７２８の各公報、および特願平５−３４１８４号
において開示されているガスデポジション装置を使用す
る方法がある。何れも蒸発させた金属蒸気からの超微粒
子を搬送ガスと共に基板上へ噴射させて厚膜を形成させ
得るが、これらの装置においては搬送ガスの循環は行な
われておらず、また酸化され易い金属を使用する金属膜
の形成については言及されていない。

【０００６】

【発明が解決しようとする問題点】本発明は上述の問題
に鑑みてなされ、マスキングやエッチングの如き工程を
要さずに、基板上へ直接に金属部分膜を形成させる装置
を提供することを目的とする。

【０００７】また、酸化され易い金属材料を使用して経
時的に比抵抗が増大しない耐湿性に優れた金属部分膜の
形成方法を提供することを目的とする。

【０００８】

【問題点を解決するための手段】以上の目的は、金属を
蒸発させる蒸発源が設けられた超微粒子生成室と、下端
が前記超微粒子生成室にあって前記蒸発源の直上方に配
設され、生成された超微粒子を搬送する搬送管と、該搬
送管の上端およびその先端のノズルが挿入され、部分膜
を形成させるべき基板が前記ノズルに近接して配置され
た膜形成室と、前記超微粒子生成室から前記搬送管と前
記ノズルを経て前記膜形成室へ前記超微粒子と共に噴射
される搬送ガスを前記膜形成室から前記超微粒子生成室
へ戻して循環させるための真空ポンプ系および搬送ガス
リサイクル機構とからなり、前記超微粒子生成室内に前
記超微粒子の搬送を断続させるシャッタ機構と、前記膜
形成室内に前記基板をその面内の少なくともＸ軸方向と
Ｙ軸方向とに走査させる走査機構とが設けられているこ
とを特徴とする金属部分膜の形成装置、によって達成さ
れる。

【０００９】また以上の目的は、金属を蒸発させる蒸発
源が設けられた超微粒子生成室と、下端が前記超微粒子
生成室にあって前記蒸発源の直上方に配設され、生成さ
れた超微粒子を搬送する搬送管と、該搬送管の上端およ
びその先端のノズルが挿入され、部分膜を形成させるべ
き基板が前記ノズルに近接して配置された膜形成室と、
前記超微粒子生成室から前記搬送管と前記ノズルを経て
前記膜形成室へ前記超微粒子と共に噴射される搬送ガス
を前記膜形成室から前記超微粒子生成室へ戻して循環さ
せるための真空ポンプ系および搬送ガスリサイクル機構
とからなり、前記超微粒子生成室内に前記超微粒子の搬
送を断続させるシャッタ機構と、前記膜形成室内に前記
基板をその面内の少なくともＸ軸方向とＹ軸方向とに走
査させる走査機構とが設けられている金属部分膜形成装
置において、前記搬送ガスとして純度９９．９９％また
はそれ以上の不活性ガスを使用し、前記蒸発源から酸化
され易い金属を蒸発させて超微粒子を生成させると共
に、前記シャッタ機構によって前記超微粒子の搬送を断
続させ、かつ前記基板を前記走査機構によって走査させ
つつ、前記ノズルから前記基板上へ前記超微粒子を適用
することを特徴とする金属部分膜の形成方法、によって
達成される。

【００１０】

【作用】超微粒子生成室内において蒸発源から蒸発され
る金属は超微粒子となり、搬送ガスによって搬送管内を
搬送され、膜形成室内においてノズルから基板上へ噴射
されるが、超微粒子形成室に設けたシャッタ機構によっ
て超微粒子の搬送が断続され、かつ膜形成室内において
基板が少なくともＸ軸方向とＹ軸方向とに走査されるの
で、マスキングやエッチングを行なうことなく、基板上
に金属部分膜が形成される。

【００１１】また、上記の金属部分膜の形成において、
搬送ガスに純度９９．９９％またはそれ以上の不活性ガ
スを使用して酸化され易い金属を蒸発源から蒸発させ超
微粒子とすることにより、経時的に比抵抗の増大しない
耐湿性に優れた金属部分膜が形成される。

【００１２】

【実施例】以下、本発明の実施例による金属部分膜の形
成装置およびその形成方法について、図面を参照して説
明する。

【００１３】図１は実施例による金属部分膜の形成装置
の全体を示す概略図である。同装置は概しては、超微粒
子生成室１と、膜形成室２と、これらを結ぶ搬送管３
と、膜形成室２および超微粒子生成室１内のＨｅ（ヘリ
ウム）ガスを超微粒子生成室１の底部へ戻し供給するた
めの真空ポンプ１５、１６とＨｅガス・リサイクル機構
１７とからなっている。

【００１４】超微粒子生成室１内には、蒸発源としてカ
ーボン・ルツボ６（内径５ｍｍφ、外径１５ｍｍφ、高
さ１０ｍｍ）が配設され、蒸発材料２２としてＣｕ
（銅）が収容されている。カーボン・ルツボ６の周囲に
は誘導加熱のためのコイル７Ｃが巻装され、その両端は
超微粒子生成室１の外側に設けた高周波電源（１５０ｋ
Ｈｚ）７に接続されている。なお、ここで高周波誘導加
熱方式を採用しているのは次の理由による。すなわち、
抵抗加熱方式ではルツボをジュール熱で加熱し、内部の
蒸発材料はルツボからの伝熱によって加熱される。溶け
た金属が対流することはあっても粘度は高く、加熱が不
均一で突沸することがあるほか、生成される超微粒子の
粒径分布が大きい。これに対し、高周波誘導加熱方法は
ルツボと蒸発材料とに渦電流を発生させて加熱するの
で、加熱が均一で、生成される超微粒子の粒径分布も均
一なためである。

【００１５】カーボン・ルツボ６の直上方には垂直状と
した搬送管３（内径１／４インチ）の下端が配置され、
その下端の上方には搬送管３と軸心を共有する大径の吸
込管５が設けられている。そして、吸込管５と搬送管３
との間の環状空間はバルブ１３を介して真空ポンプ１６
の吸気側に接続されている。この吸込管５はカーボン・
ルツボ６の直上部以外の超微粒子生成室１内に滞留する
超微粒子を吸い込ませるべく設けられている。また、カ
ーボン・ルツボ６の底部を支持してシャッタ機構９が設
けられている。シャッタ機構９は図２を参照し、図２の
Ａに示すように、カーボン・ルツボ６が搬送管３の直下
となる位置と、この位置から矢印ａで示す方向に３０ｍ
ｍ程度移動させて、図２のＢに示すように、カーボン・
ルツボ６が吸込管５による環状空間の直下となる位置と
の２位置間をプログラムされた図示しないコントローラ
によって移動させて開閉が行なわれる。すなわち、カー
ボン・ルツボ６からの金属蒸気が雰囲気のキャリヤとし
てのＨｅガスに冷却され、超微粒子となっての立ち昇り
２０が図２のＡの開時には搬送管３へ吸込まれ、図２の
Ｂの閉時には吸込管５へ吸込まれる様子を示している。
更には、超微粒子生成室１には真空計１Ｇが設けられて
いる。

【００１６】膜形成室２内には搬送管３の上端部と、そ
れに取り付けたノズル４が挿入されており、ノズル４の
先端に近接して（０．１〜２．０ｍｍの範囲内で可変）
ガラス基板８が配置されている。ガラス基板８は走査可
能な基板ホールダ１０に取り付けられており、図示しな
いデジタル・プログラマブル・コントローラによって水
平なガラス基板８の面内におけるＸ軸方向とこれに直角
なＹ軸方向に０．０１〜２ｍｍ／ｓｅｃの速度で走査可
能とされている。なお、搬送管３は容積を有しているの
で、超微粒子は吸い込まれてからノズル４の出口に達す
るまでに０．１秒単位の時間を要する。従って、ガラス
基板８の走査は、ある地点で停止してシャッタ機構９を
閉とし次の地点へ移るに際しても、超微粒子が搬送管３
から出つくす迄の時間を経過してから次の地点へ移るよ
うにプログラムされている。すなわち、形成される金属
部分膜が尾を引かないようにしている。次の地点に達し
てシャッタ機構９を開とする場合も、超微粒子がノズル
４の先端から噴射されてくるまでの時間が経過してから
移動が開始される。また基板ホールダ１０内には、ガラ
ス基板８を加熱するためのヒータ・ユニットが内蔵され
ており、ガラス基板８に取り付けた熱電対１１からの温
度信号によってガラス基板８を所定の温度に保持するよ
うになっている。膜形成室２はバルブ１４を介して真空
ポンプ１５の吸気側と接続されており、膜形成室２には
真空計２Ｇが設けられている。

【００１７】真空ポンプ１５と真空ポンプ１６の排気側
の配管は１本にまとめられ、バルブ１９を介してＨｅガ
ス・リサイクル機構１７と接続され、更には、バルブ１
２を介して、超微粒子生成室１の底部と接続されて、キ
ャリヤとしてのＨｅガスを送り込むようになっている。
また、バルブ１２には、バルブ２１を介して純度９９．
９９％のＨｅガスボンベ１８が接続されている。なお、
真空ポンプ１５、１６とバルブ１９との中間には、バル
ブ１９に近接して、バルブ２０を備えた枝管２０が設け
られている。

【００１８】本実施例の金属部分膜の形成装置は以上の
ように構成されるが、次にその作用、すなわち、金属部
分膜の形成方法について説明する。

【００１９】（実施例１）図１を参照し、バルブ１２、
１３、１４、２０を開、バルブ１９、２１を閉として、
超微粒子生成室１、膜形成室２を含む全系を真空ポンプ
１５、１６によって圧力１０^-4Ｐａまで排気する。次い
で、真空ポンプ１５、１６の運転は継続したままバルブ
２０を閉、バルブ１９、２１を開として、Ｈｅガスボン
ベ１８から純度９９．９９％の所定量のＨｅガスを導入
し、バルブ２１を閉とする。これによってキャリヤとし
てのＨｅガスの矢印で示す方向の循環が開始されるが、
バルブ１３の開度を調節して、超微粒子生成室１内は圧
力２ｋｇ／ｃｍ² 、膜形成室２内は圧力約１ｔｏｒｒの
真空として、両室間に約２ｋｇ／ｃｍ²の差圧を生起さ
せる。

【００２０】この状態において、Ｈｅガスは超微粒子生
成室１から搬送管３へ約１０ＳＬＭ（１分間当りの標準
状態リットル数）、吸込管５へは約３０ＳＬＭに配分さ
れて流れる。吸込管５への流量を大にしているのは、搬
送管３へ吸い込まれずに超微粒子生成室１内に滞留する
超微粒子が存在すると、これらは滞留中に凝集体とな
り、何時かは搬送管３を経由し搬送されて形成中の膜に
悪影響を与えるので、その凝集体の生成を予防するため
である。

【００２１】上記の状態が整った後、カーボン・ルツボ
６を予め収容されている蒸発材料２２、すなわちＣｕと
共に高周波誘導加熱し、Ｃｕを約１５００°Ｃとして溶
融させ蒸発させる。Ｃｕの蒸気はキャリヤとしてのＨｅ
ガスと衝突し、冷却凝縮されて超微粒子となる。生成し
たＣｕの超微粒子の大部分は搬送管３内へＨｅガスと共
に吸い込まれ、ノズル４からガラス基板８上へ噴射され
る。ガラス基板８は予めヒータ・ユニットによって２５
０°Ｃに加熱されており、その面上に超微粒子によるＣ
ｕ膜が形成される。

【００２２】この時のＣｕの成膜レート、すなわち膜厚
形成速度は約１０μｍ／ｓｅｃであり、成膜巾はノズル
４とガラス基板８との間の距離によって異なるが、８０
０〜１２００μｍである。そして、ガラス基板８はその
面内のＸ軸方向とＹ軸方向へ走査され得るので、シャッ
タ機構９の作動によるＣｕ超微粒子の搬送の断続と組み
合わせることにより、ガラス基板８上の任意の箇所から
任意の箇所に至る任意のパターンの部分膜を形成させる
ことができる。この方法によって巾０．８ｍｍ、長さ２
０ｍｍ、厚さ１０μｍのＣｕ部分膜（Ａ）を形成させ
た。

【００２３】上記で得たＣｕ部分膜（Ａ）について耐湿
テストを行ない、比抵抗の変化を観測した結果を図３に
示した。耐湿テストは温度５０°Ｃ、相対湿度９５％Ｒ
Ｈの条件で行ない、比抵抗は四端子法で測定した。Ｃｕ
部分膜（Ａ）の形成直後の比抵抗はＣｕバルク（純Ｃｕ
塊）の約１．７倍であり、その後１０００時間以上（４
０日間以上）経過しても比抵抗に変化は認められなかっ
た。

【００２４】（実施例２）カーボン・ルツボ６に収容す
る蒸発材料２２をＮｉ（ニッケル）とした以外は実施例
１と同様にキャリヤに純度９９．９９％のＨｅガスを使
用し、ガラス基板８上に巾０．８ｍｍ、長さ２０ｍｍ、
厚さ１０μｍのＮｉ部分膜を形成させた。

【００２５】このＮｉ部分膜についても実施例１と同
様、温度５０°Ｃ、相対湿度９５％ＲＨの条件での耐湿
テストを行ない、図４に示す結果を得た。すなわち、Ｎ
ｉ部分膜の形成直後の比抵抗はＮｉバルクの約２．６倍
であり、その後１０００時間以上（４０日間以上）経過
しても比抵抗に変化は認められなかった。

【００２６】（比較例）カーボン・ルツボ６に蒸発材料
２２としてＣｕを収容し、キャリヤとして純度９９．９
％のＨｅガスを使用し、実施例１と同様にして、ガラス
基板８上に初期比抵抗の異なる４種のＣｕ部分膜（Ｂ）
を形成させた。これらのＣｕ部分膜（Ｂ）について、一
般的な外気に相当する温度２０°Ｃ、相対湿度６０％Ｒ
Ｈの条件で行なった耐湿テストの結果を図５に示した。
４種のＣｕ部分膜（Ｂ）の形成直後の比抵抗はＣｕバル
クの３０〜９０倍を示し、テスト期間４０日でＣｕバル
クの６０〜２３０倍に増大したが、その後も更に増大を
続けた。

【００２７】以上、実施例１と比較例とから明らかなよ
うに、キャリヤとしてのＨｅガスの純度が９９．９９％
の場合（実施例１のＣｕ部分膜（Ａ））と、Ｈｅガスの
純度が９９．９％の場合（比較例のＣｕ部分膜（Ｂ））
とで、耐湿性は極度に異なるが、このような事実は従来
知られておらず、全く予期し難い現象であった。また、
この事実は純度９９．９９％以上純度１００％までのＨ
ｅガスも有効であることを推測させる。これを確認する
べく、純度９９．９９９９％のＨｅガスを使用し、それ
以外は実施例１と全く同様にして、耐湿性に優れたＣｕ
部分膜（Ｃ）を得た。

【００２８】（実施例３）Ｓｎ（錫）、及び鉄ニッケル
合金と鉄コバルト合金のそれぞれを蒸発材料２２として
カーボン・ルツボ６に収容し、キャリヤとして純度９
９．９９％のＨｅガスを使用して実施例１と同様にそれ
ぞれの部分膜を形成させた。

【００２９】これらの錫部分膜、鉄ニッケル合金部分
膜、鉄コバルト合金部分膜はいずれも５０°Ｃ、９５％
ＲＨでの１０００時間以上の耐湿テストで比抵抗が変化
せず、優れた耐湿性を持つことを示した。

【００３０】以上本発明の実施例について説明したが、
勿論、本発明はこれらに限られることなく、本発明の技
術的思想に基づいて種々の変形が可能である。

【００３１】例えば、各実施例において、キャリヤとし
て純度９９．９９％のＨｅガスを使用したが、同じく純
度９９．９９％またはそれ以上のＡｒ（アルゴン）ガ
ス、またはＮｅ（ネオン）ガスを使用してもよい。

【００３２】また、各実施例においてシングルのノズル
４を採用したが、複数本のマルチノズルを使用してもよ
い。

【００３３】また、各実施例においてはシャッタ機構９
としてカーボン・ルツボ６を移動させる方式を採用した
が、搬送管３をフレキシブルなものとして、その下端部
を曲げてカーボン・ルツボ６の直上から変位させること
により閉、元へ戻すことにより開とするような方式とし
てもよい。

【００３４】また、各実施例においてはカーボン・ルツ
ボ６を採用したが、これ以外の誘導加熱され得る材料、
例えば窒化ボロンのルツボとしてもよい。

【００３５】また、各実施例においてはガラス基板８を
採用したが、これ以外の一般に使用される基板、例えば
シリコンやセラミックスの基板であってもよい。

【００３６】また、各実施例では搬送管３、ノズル４を
加熱していないが、これらを約３００°Ｃの温度に加熱
すると、その内壁への超微粒子の沈着、凝集体の形成が
抑制されるので、より好ましい金属部分膜が得られる。

【００３７】また、各実施例においてはカーボン・ルツ
ボ６を１個としたが、ルツボを２個として異なる２種の
金属を蒸発させ、生成する２種の超微粒子を混合した部
分膜を形成させることも可能である。

【００３８】

【発明の効果】以上述べたように、本発明の金属部分膜
の形成装置およびその形成方法によれば、マスキングや
エッチングなどの処理を必要とせずに、基板上の任意の
箇所へ任意のパターンの金属部分膜を形成させることが
できるので、金属部分膜の形成コストを大巾に削減させ
得る。また、キャリヤとして純度９９．９９％またはそ
れ以上の不活性ガスを使用するので、酸化され易い金属
の部分膜であっても高湿度下において比抵抗が変化せず
極めて優れた耐湿性を示す。従って、例えばこの方法で
得たＣｕ部分膜からなる厚膜回路を使用した電気部品は
信頼性が極めて高い。また、本発明の金属部分膜の形成
装置及びその形成方法によれば、基板上において導電性
の金属部分膜を形成させ得るだけでなく、電気回路の補
修、任意の箇所での電極の形成、リード線のボンディン
グ、ないしは各種のシーリングが可能である。更には、
この金属部分膜の形成方法は化学薬品を使用するエッチ
ングを必要としないので環境を汚染させない。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例による金属部分膜形成装置の全
体を示す概略図である。

【図２】同装置におけるシャッタ機構の作用を示す図で
あり、Ａは開、Ｂは閉の状態である。

【図３】本発明の実施例１によって形成されたＣｕ部分
膜（Ａ）についての耐湿テストの結果を示す図である。

【図４】本発明の実施例２によって形成されたＮｉ部分
膜についての耐湿テストの結果を示す図である。

【図５】本発明の比較例としての初期比抵抗の異なる４
種のＣｕ部分膜（Ｂ）についての耐湿テストの結果を示
す図である。

【符号の説明】

１超微粒子生成室２膜形成室３搬送管４ノズル５吸込管６カーボン・ルツボ７高周波電源７Ｃコイル８ガラス基板９シャッタ機構１５真空ポンプ１６真空ポンプ１７Ｈｅガス・リサイクル機構２２蒸発材料（酸化され易い金属）

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】金属を蒸発させる蒸発源が設けられた超
微粒子生成室と、下端が前記超微粒子生成室にあって前
記蒸発源の直上方に配設され、生成された超微粒子を搬
送する搬送管と、該搬送管の上端およびその先端のノズ
ルが挿入され、部分膜を形成させるべき基板が前記ノズ
ルに近接して配置された膜形成室と、前記超微粒子生成
室から前記搬送管と前記ノズルを経て前記膜形成室へ前
記超微粒子と共に噴射される搬送ガスを前記膜形成室か
ら前記超微粒子生成室へ戻して循環させるための真空ポ
ンプ系および搬送ガスリサイクル機構とからなり、前記
超微粒子生成室内に前記超微粒子の搬送を断続させるシ
ャッタ機構と、前記膜形成室内に前記基板をその面内の
少なくともＸ軸方向とＹ軸方向とに走査させる走査機構
とが設けられていることを特徴とする金属部分膜の形成
装置。
【請求項２】前記超微粒子生成室内に、前記搬送管の
下端より上方に該搬送管より大径の吸込管が配設され、
該吸込管と前記搬送管との間の環状空間が前記真空ポン
プ系に接続されている請求項１に記載の金属部分膜の形
成装置。
【請求項３】前記シャッタ機構が前記蒸発源とその直
上方の前記搬送管との相対位置をずらせ戻すことによっ
て前記超微粒子の搬送を断続させる請求項１または２に
記載の金属部分膜の形成装置。
【請求項４】金属を蒸発させる蒸発源が設けられた超
微粒子生成室と、下端が前記超微粒子生成室にあって前
記蒸発源の直上方に配設され、生成された超微粒子を搬
送する搬送管と、該搬送管の上端およびその先端のノズ
ルが挿入され、部分膜を形成させるべき基板が前記ノズ
ルに近接して配置された膜形成室と、前記超微粒子生成
室から前記搬送管と前記ノズルを経て前記膜形成室へ前
記超微粒子と共に噴射される搬送ガスを前記膜形成室か
ら前記超微粒子生成室へ戻して循環させるための真空ポ
ンプ系および搬送ガスリサイクル機構とからなり、前記
超微粒子生成室内に前記超微粒子の搬送を断続させるシ
ャッタ機構と、前記膜形成室内に前記基板をその面内の
少なくともＸ軸方向とＹ軸方向とに走査させる走査機構
とが設けられている金属部分膜形成装置において、前記
搬送ガスとして純度９９．９９％またはそれ以上の不活
性ガスを使用し、前記蒸発源から酸化され易い金属を蒸
発させて超微粒子を生成させると共に、前記シャッタ機
構によって前記超微粒子の搬送を断続させ、かつ前記基
板を前記走査機構によって走査させつつ、前記ノズルか
ら前記基板上へ前記超微粒子を適用することを特徴とす
る金属部分膜の形成方法。
【請求項５】前記蒸発源が高周波誘導加熱され蒸発さ
れる金属を収容するるつぼである請求項４に記載の金属
部分膜の形成方法。
【請求項６】前記不活性ガスがヘリウムである請求項
４または５に記載の金属部分膜の形成方法。
【請求項７】前記酸化され易い金属が銅、ニッケル、
錫、鉄ニッケル化合物、鉄コバルト化合物の中の１種ま
たは１種以上である請求項４から請求項６までの何れか
に記載の金属部分膜の形成方法。