JPH0846504A - リレー - Google Patents
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- JPH0846504A JPH0846504A JP17883494A JP17883494A JPH0846504A JP H0846504 A JPH0846504 A JP H0846504A JP 17883494 A JP17883494 A JP 17883494A JP 17883494 A JP17883494 A JP 17883494A JP H0846504 A JPH0846504 A JP H0846504A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitting
- emitting diode
- output side
- side light
- switching circuit
- Prior art date
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/753—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between laterally-adjacent chips
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Led Device Packages (AREA)
- Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 自己保持回路に好適なリレーを提供する。
【構成】 入力側の信号に応答して発光する入力側発光
ダイオード1 と、入力側発光ダイオード1 からの光を受
けて光起電力を発生する光電素子21と、その光起電力を
ゲート22g ・ソース22s 間に印加されてドレイン22d ・
ソース22s 間をオン状態にするＭＯＳＦＥＴ22と、オン
状態になったＭＯＳＦＥＴ22の電流により発光しその光
を受けた光電素子21の光起電力により自己のオン状態を
保持するようＭＯＳＦＥＴ22のドレイン22d に接続され
た出力側発光ダイオード3 と、を有した構成にしてあ
る。
ダイオード1 と、入力側発光ダイオード1 からの光を受
けて光起電力を発生する光電素子21と、その光起電力を
ゲート22g ・ソース22s 間に印加されてドレイン22d ・
ソース22s 間をオン状態にするＭＯＳＦＥＴ22と、オン
状態になったＭＯＳＦＥＴ22の電流により発光しその光
を受けた光電素子21の光起電力により自己のオン状態を
保持するようＭＯＳＦＥＴ22のドレイン22d に接続され
た出力側発光ダイオード3 と、を有した構成にしてあ
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、警報装置等の自己保持
回路に使用されるリレーに関する。
回路に使用されるリレーに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の自己保持回路、つまり、
例えばセンサーが警報パルス信号を出力すると復帰スイ
ッチを作動させるまで警報ブザーを鳴らし続けるといっ
た回路に、電磁リレーを使用した図６に示す構成のもの
が存在する。
例えばセンサーが警報パルス信号を出力すると復帰スイ
ッチを作動させるまで警報ブザーを鳴らし続けるといっ
た回路に、電磁リレーを使用した図６に示す構成のもの
が存在する。
【０００３】この電磁リレーは、２個の常開型接点R1,R
2 を有し、電源E の両端間において、そのコイルRyがセ
ンサーの警報パルス信号により閉成する常開型スイッチ
S1及び手動復帰用の常閉型スイッチS2を直列接続され、
一方の常開型接点R1が常開型スイッチS1に並列接続さ
れ、他方の常開型接点R2が警報ブザーBzに接続されてい
る。
2 を有し、電源E の両端間において、そのコイルRyがセ
ンサーの警報パルス信号により閉成する常開型スイッチ
S1及び手動復帰用の常閉型スイッチS2を直列接続され、
一方の常開型接点R1が常開型スイッチS1に並列接続さ
れ、他方の常開型接点R2が警報ブザーBzに接続されてい
る。
【０００４】その動作は、センサーの警報パルス信号に
より常開型スイッチS1が閉成すると、コイルRyが励磁さ
れることによって、他方の常開型接点R2が閉成して警報
ブザーBzが鳴り始めると同時に、一方の常開型接点R1も
閉成することによってコイルRyはその常開型接点R1を介
して励磁状態を自己保持され、常閉型スイッチS2を手動
復帰して開成させるまで、警報ブザーBzは鳴り続ける。
より常開型スイッチS1が閉成すると、コイルRyが励磁さ
れることによって、他方の常開型接点R2が閉成して警報
ブザーBzが鳴り始めると同時に、一方の常開型接点R1も
閉成することによってコイルRyはその常開型接点R1を介
して励磁状態を自己保持され、常閉型スイッチS2を手動
復帰して開成させるまで、警報ブザーBzは鳴り続ける。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記した従来の警報装
置等の自己保持回路に使用されるリレーは電磁リレーで
あって、一般にはそのコイルRyを励磁するのに必要な消
費電力が比較的大きいために、センサーによる警報パル
ス信号出力も大きくする必要があり、また、機構部材で
構成されているために、全体サイズが大きく、しかも振
動等により誤動作する可能性もある。
置等の自己保持回路に使用されるリレーは電磁リレーで
あって、一般にはそのコイルRyを励磁するのに必要な消
費電力が比較的大きいために、センサーによる警報パル
ス信号出力も大きくする必要があり、また、機構部材で
構成されているために、全体サイズが大きく、しかも振
動等により誤動作する可能性もある。
【０００６】本発明は、上記事由に鑑みてなしたもの
で、その目的とするところは、自己保持回路に好適なリ
レーを提供することにある。
で、その目的とするところは、自己保持回路に好適なリ
レーを提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記した課題を解決する
ために、請求項１記載のものは、入力側の信号に応答し
て発光する入力側発光ダイオードと、入力側発光ダイオ
ードからの光を受けてオン状態になる出力側のスイッチ
ング回路と、オン状態になったスイッチング回路の電流
により発光しその光を受けたスイッチング回路が自己の
オン状態を保持するようスイッチング回路に接続された
出力側発光ダイオードと、を有した構成にしてある。
ために、請求項１記載のものは、入力側の信号に応答し
て発光する入力側発光ダイオードと、入力側発光ダイオ
ードからの光を受けてオン状態になる出力側のスイッチ
ング回路と、オン状態になったスイッチング回路の電流
により発光しその光を受けたスイッチング回路が自己の
オン状態を保持するようスイッチング回路に接続された
出力側発光ダイオードと、を有した構成にしてある。
【０００８】また、請求項２記載のものは、請求項１記
載のものにおいて、前記スイッチング回路は、入力側発
光ダイオードからの光を受けて光起電力を発生する光電
素子と、その光起電力をゲート・ソース間に印加されて
ドレイン・ソース間をオン状態にするＭＯＳＦＥＴと、
からなる構成にしてある。
載のものにおいて、前記スイッチング回路は、入力側発
光ダイオードからの光を受けて光起電力を発生する光電
素子と、その光起電力をゲート・ソース間に印加されて
ドレイン・ソース間をオン状態にするＭＯＳＦＥＴと、
からなる構成にしてある。
【０００９】また、請求項３記載のものは、請求項１記
載のものにおいて、バイパス回路を前記出力側発光ダイ
オードに並列接続した構成にしてある。
載のものにおいて、バイパス回路を前記出力側発光ダイ
オードに並列接続した構成にしてある。
【００１０】また、請求項４記載のものは、請求項１記
載のものにおいて、前記スイッチング回路及び前記出力
側発光ダイオードからなる出力側回路の一対を互いに対
称的に直列接続するとともに、その各前記出力側発光ダ
イオードにダイオードを逆極性でそれぞれ並列接続した
構成にしてある。
載のものにおいて、前記スイッチング回路及び前記出力
側発光ダイオードからなる出力側回路の一対を互いに対
称的に直列接続するとともに、その各前記出力側発光ダ
イオードにダイオードを逆極性でそれぞれ並列接続した
構成にしてある。
【００１１】
【作用】請求項１記載のものによれば、自己保持回路を
構成する各構成部材は、機構部材からなる従来例と違っ
て、半導体で構成できるから、全体サイズも小さく、し
かも振動等による誤動作もなくなるとともに、入力側の
信号は消費電力の比較的小さい入力側発光ダイオードを
発光させるだけでよい。
構成する各構成部材は、機構部材からなる従来例と違っ
て、半導体で構成できるから、全体サイズも小さく、し
かも振動等による誤動作もなくなるとともに、入力側の
信号は消費電力の比較的小さい入力側発光ダイオードを
発光させるだけでよい。
【００１２】また、請求項２記載のものによれば、スイ
ッチング回路は、入力側発光ダイオードからの光を受け
て発生する光電素子の光起電力をゲート・ソース間に印
加されてドレイン・ソース間をオン状態にするＭＯＳＦ
ＥＴを使用しており、このＭＯＳＦＥＴは、フォトカプ
ラ等の半導体と違って、オン時のオフセット電圧が極め
て低いため、微小電圧の信号やアナログ信号でも歪みな
く開閉制御する。
ッチング回路は、入力側発光ダイオードからの光を受け
て発生する光電素子の光起電力をゲート・ソース間に印
加されてドレイン・ソース間をオン状態にするＭＯＳＦ
ＥＴを使用しており、このＭＯＳＦＥＴは、フォトカプ
ラ等の半導体と違って、オン時のオフセット電圧が極め
て低いため、微小電圧の信号やアナログ信号でも歪みな
く開閉制御する。
【００１３】また、請求項３記載のものによれば、スイ
ッチング回路がオン状態になったとき、負荷電流の大部
分はバイパス回路を介して流れる。
ッチング回路がオン状態になったとき、負荷電流の大部
分はバイパス回路を介して流れる。
【００１４】また、請求項４記載のものによれば、負荷
電流が交流であっても、互いに対称的に直列接続した一
方のスイッチング回路及び出力側発光ダイオードを流れ
た電流は、他方の出力側発光ダイオードに逆極性で並列
接続したダイオードを介して流れる。
電流が交流であっても、互いに対称的に直列接続した一
方のスイッチング回路及び出力側発光ダイオードを流れ
た電流は、他方の出力側発光ダイオードに逆極性で並列
接続したダイオードを介して流れる。
【００１５】
【実施例】本発明の第１実施例を図１乃至図３に基づい
て以下に説明する。
て以下に説明する。
【００１６】1 は入力側発光ダイオードで、入力端子
P1,P2 間に接続され、入力側の信号、例えば警報装置に
おけるセンサーからの警報パルス信号に応答して発光す
るようになっている。
P1,P2 間に接続され、入力側の信号、例えば警報装置に
おけるセンサーからの警報パルス信号に応答して発光す
るようになっている。
【００１７】2 はスイッチング回路で、光電素子21及び
ＭＯＳＦＥＴ22からなり、光電素子21は、入力側発光ダ
イオード1 からの光を受けて光起電力を発生し、その光
起電力の正極及び負極がＭＯＳＦＥＴ22のゲート22g 及
びソース22s にそれぞれ接続されており、入力側発光ダ
イオード1 と出力側のスイッチング回路2 詳しくは光電
素子21とは、光学的に結合されるものであって、電気的
には絶縁されていることになる。
ＭＯＳＦＥＴ22からなり、光電素子21は、入力側発光ダ
イオード1 からの光を受けて光起電力を発生し、その光
起電力の正極及び負極がＭＯＳＦＥＴ22のゲート22g 及
びソース22s にそれぞれ接続されており、入力側発光ダ
イオード1 と出力側のスイッチング回路2 詳しくは光電
素子21とは、光学的に結合されるものであって、電気的
には絶縁されていることになる。
【００１８】3 は出力側発光ダイオードで、一方の出力
端子P3とＭＯＳＦＥＴ22のドレイン22d との間に接続さ
れるとともに、他方の出力端子P4にはＭＯＳＦＥＴ22の
ソース22s が接続される。
端子P3とＭＯＳＦＥＴ22のドレイン22d との間に接続さ
れるとともに、他方の出力端子P4にはＭＯＳＦＥＴ22の
ソース22s が接続される。
【００１９】そして、上記の各部材は、図２に示すよう
に、導電板により形成されたフレームF1乃至F5に実装さ
れている。詳しくは、入力側発光ダイオード1 は、カソ
ード電極となる裏面が入力端子P2を一端部に有するＬ字
状のフレームF2の他端部に接合され、アノード電極が入
力端子P1を一端部に有する矩形状のフレームF1の他端部
にワイヤボンディングされている。光電素子21は、出力
端子P4を一端部に有するＬ字状のフレームF4の他端部に
実装され、その負側電極がフレームF4に、正側電極がＭ
ＯＳＦＥＴ22のゲート電極にそれぞれワイヤボンディン
グされている。ＭＯＳＦＥＴ22は、ドレイン電極となる
裏面が略Ｓ字状のフレームF5の中央部に接合され、ゲー
ト電極が上記したように光電素子21の正側電極に、ソー
ス電極がフレームF4にそれぞれワイヤボンディングされ
ている。出力側発光ダイオード3は、カソード電極とな
る裏面がフレームF5の他端部に接合され、アノード電極
が入力端子P3を一端部に有するＬ字状のフレームF3の他
端部にワイヤボンディングされている。
に、導電板により形成されたフレームF1乃至F5に実装さ
れている。詳しくは、入力側発光ダイオード1 は、カソ
ード電極となる裏面が入力端子P2を一端部に有するＬ字
状のフレームF2の他端部に接合され、アノード電極が入
力端子P1を一端部に有する矩形状のフレームF1の他端部
にワイヤボンディングされている。光電素子21は、出力
端子P4を一端部に有するＬ字状のフレームF4の他端部に
実装され、その負側電極がフレームF4に、正側電極がＭ
ＯＳＦＥＴ22のゲート電極にそれぞれワイヤボンディン
グされている。ＭＯＳＦＥＴ22は、ドレイン電極となる
裏面が略Ｓ字状のフレームF5の中央部に接合され、ゲー
ト電極が上記したように光電素子21の正側電極に、ソー
ス電極がフレームF4にそれぞれワイヤボンディングされ
ている。出力側発光ダイオード3は、カソード電極とな
る裏面がフレームF5の他端部に接合され、アノード電極
が入力端子P3を一端部に有するＬ字状のフレームF3の他
端部にワイヤボンディングされている。
【００２０】ここで、フレームF1乃至F5は、同一平面上
に配設して全体外形が矩形状に形成されるとともに、そ
の一方側から入力端子P1,P2 及び出力端子P3,P4 が同方
向へ延出され、他方側に各フレームの他端部を寄せて配
置して近接する入力側発光ダイオード1 と光電素子21と
出力側発光ダイオード3 とが透明な光カップリング樹脂
4 を充填して光結合され、さらに図示していないが、矩
形状部分が遮光されるよう不透明な樹脂等により端子
P1,P2,P3,P4 だけを導出して充填される。
に配設して全体外形が矩形状に形成されるとともに、そ
の一方側から入力端子P1,P2 及び出力端子P3,P4 が同方
向へ延出され、他方側に各フレームの他端部を寄せて配
置して近接する入力側発光ダイオード1 と光電素子21と
出力側発光ダイオード3 とが透明な光カップリング樹脂
4 を充填して光結合され、さらに図示していないが、矩
形状部分が遮光されるよう不透明な樹脂等により端子
P1,P2,P3,P4 だけを導出して充填される。
【００２１】そして、このリレーは、図３に示すよう
に、電源E の両端間において、出力端子P3,P4 に負荷装
置例えば警報ブザーBz及び手動復帰用の常閉型スイッチ
S を直列接続して使用される。
に、電源E の両端間において、出力端子P3,P4 に負荷装
置例えば警報ブザーBz及び手動復帰用の常閉型スイッチ
S を直列接続して使用される。
【００２２】その動作は、センサーの警報パルス信号が
入力端子P1,P2 に入力されると、入力側発光ダイオード
1 が発光し、その光を受けて光起電力21が光起電力を発
生し、その光起電力をゲート22g 及びソース22s の間に
印加されたＭＯＳＦＥＴ22がオン状態になってドレイン
22d 及びソース22s の間が導通する。そうすると、電源
E から負荷電流が流れて警報ブザーBzが鳴り始めると同
時に、その負荷電流は出力側発光ダイオード3 にも流れ
て発光し、その光を受けた光起電力21は光起電力を引き
続き発生して、ＭＯＳＦＥＴ22はオン状態のまま自己保
持されることになり、警報ブザーBzは鳴り続ける。
入力端子P1,P2 に入力されると、入力側発光ダイオード
1 が発光し、その光を受けて光起電力21が光起電力を発
生し、その光起電力をゲート22g 及びソース22s の間に
印加されたＭＯＳＦＥＴ22がオン状態になってドレイン
22d 及びソース22s の間が導通する。そうすると、電源
E から負荷電流が流れて警報ブザーBzが鳴り始めると同
時に、その負荷電流は出力側発光ダイオード3 にも流れ
て発光し、その光を受けた光起電力21は光起電力を引き
続き発生して、ＭＯＳＦＥＴ22はオン状態のまま自己保
持されることになり、警報ブザーBzは鳴り続ける。
【００２３】また、常閉型スイッチS を手動復帰して開
成させると、負荷電流が流れなくなって出力側発光ダイ
オード3 が発光せず、光起電力21の光起電力がなくな
り、ＭＯＳＦＥＴ22がオフ状態になって、自己保持が解
除して警報ブザーBzは鳴るのを停止する。
成させると、負荷電流が流れなくなって出力側発光ダイ
オード3 が発光せず、光起電力21の光起電力がなくな
り、ＭＯＳＦＥＴ22がオフ状態になって、自己保持が解
除して警報ブザーBzは鳴るのを停止する。
【００２４】かかるリレーにあっては、自己保持回路を
構成する各構成部材、つまり入力側発光ダイオード1 、
光電素子21、ＭＯＳＦＥＴ22、出力側発光ダイオード3
は、機構部材からなる従来例と違って、半導体で構成さ
れるから、全体サイズも小さく、しかも振動等による誤
動作もなくなるとともに、入力側の信号は消費電力の比
較的小さい入力側発光ダイオード1 を発光させるだけで
よいために、センサーによる警報パルス信号出力も大き
くする必要がない。
構成する各構成部材、つまり入力側発光ダイオード1 、
光電素子21、ＭＯＳＦＥＴ22、出力側発光ダイオード3
は、機構部材からなる従来例と違って、半導体で構成さ
れるから、全体サイズも小さく、しかも振動等による誤
動作もなくなるとともに、入力側の信号は消費電力の比
較的小さい入力側発光ダイオード1 を発光させるだけで
よいために、センサーによる警報パルス信号出力も大き
くする必要がない。
【００２５】また、スイッチング回路2 に使用している
ＭＯＳＦＥＴ22は、フォトカプラ等の半導体と違って、
オン時のオフセット電圧、つまりオン状態を維持できる
最小電圧が極めて低いため、微小電圧の信号やアナログ
信号でも歪みなく開閉制御することができる。
ＭＯＳＦＥＴ22は、フォトカプラ等の半導体と違って、
オン時のオフセット電圧、つまりオン状態を維持できる
最小電圧が極めて低いため、微小電圧の信号やアナログ
信号でも歪みなく開閉制御することができる。
【００２６】なお、本実施例では、スイッチング回路2
は、光電素子21及びＭＯＳＦＥＴ22からなっているが、
開閉制御される信号が比較的大きくて多少の歪みを許容
できる場合には、入力側発光ダイオード1 及び出力側発
光ダイオード3 の光を直接受けて自身が光点弧すること
によってオン状態になるフォトカプラ等の半導体を使用
してもよい。
は、光電素子21及びＭＯＳＦＥＴ22からなっているが、
開閉制御される信号が比較的大きくて多少の歪みを許容
できる場合には、入力側発光ダイオード1 及び出力側発
光ダイオード3 の光を直接受けて自身が光点弧すること
によってオン状態になるフォトカプラ等の半導体を使用
してもよい。
【００２７】また、本実施例では、各部材を実装するフ
レームF1乃至F5は、同一平面上に配設して全体外形が矩
形状に形成されて薄型になっているが、各フレームを立
体的に配設することによって、全体外形が直方体状に形
成されて小型になるようにしてもよく、さらには、入力
側発光ダイオード1 及び出力側発光ダイオード3 を除く
部材の一部又は全部を１チップ化すれば、より小型にな
る。
レームF1乃至F5は、同一平面上に配設して全体外形が矩
形状に形成されて薄型になっているが、各フレームを立
体的に配設することによって、全体外形が直方体状に形
成されて小型になるようにしてもよく、さらには、入力
側発光ダイオード1 及び出力側発光ダイオード3 を除く
部材の一部又は全部を１チップ化すれば、より小型にな
る。
【００２８】次に、本発明の第２実施例を図４に基づい
て以下に説明する。なお、第１実施例と実質的に同じ機
能を有する部材には同じ符号を付して、その相違すると
ころのみを説明する。
て以下に説明する。なお、第１実施例と実質的に同じ機
能を有する部材には同じ符号を付して、その相違すると
ころのみを説明する。
【００２９】すなわち、第１実施例では、出力側発光ダ
イオード3 は、一方の出力端子P3とＭＯＳＦＥＴ22のド
レイン22d との間に接続されているが、本実施例では、
ＭＯＳＦＥＴ22のドレイン22d と抵抗3aを介して接続さ
れるとともに、その出力側発光ダイオード3 及び抵抗3a
にダイオード5a,5b からなるバイパス回路5 が並列接続
されている。
イオード3 は、一方の出力端子P3とＭＯＳＦＥＴ22のド
レイン22d との間に接続されているが、本実施例では、
ＭＯＳＦＥＴ22のドレイン22d と抵抗3aを介して接続さ
れるとともに、その出力側発光ダイオード3 及び抵抗3a
にダイオード5a,5b からなるバイパス回路5 が並列接続
されている。
【００３０】かかるリレーにあっては、第１実施例の効
果に加えて、スイッチング回路2 がオン状態になったと
き、負荷電流の大部分はバイパス回路5 を介して流れ、
出力側発光ダイオード3 には、ダイオード5a,5b の電圧
降下と抵抗3aとで決まる電流が流れるだけであるので、
十分に大きな負荷電流を流すことができる。
果に加えて、スイッチング回路2 がオン状態になったと
き、負荷電流の大部分はバイパス回路5 を介して流れ、
出力側発光ダイオード3 には、ダイオード5a,5b の電圧
降下と抵抗3aとで決まる電流が流れるだけであるので、
十分に大きな負荷電流を流すことができる。
【００３１】次に、本発明の第３実施例を図５に基づい
て以下に説明する。なお、第１実施例と実質的に同じ機
能を有する部材には同じ符号を付してある。
て以下に説明する。なお、第１実施例と実質的に同じ機
能を有する部材には同じ符号を付してある。
【００３２】このものは、スイッチング回路2 及び出力
側発光ダイオード3 からなる出力側回路の一対を互いに
対称的に直列接続するとともに、その各出力側発光ダイ
オード3 にダイオード6 を逆極性でそれぞれ並列接続し
てある。
側発光ダイオード3 からなる出力側回路の一対を互いに
対称的に直列接続するとともに、その各出力側発光ダイ
オード3 にダイオード6 を逆極性でそれぞれ並列接続し
てある。
【００３３】詳しくは、一対のＭＯＳＦＥＴ22,22 が一
方のソース及び他方のドレインを接続され、その接続点
に光電素子21の負極が接続されるとともに、両ゲートに
光電素子21の正極がそれぞれ接続され、一対の出力側発
光ダイオード3,3 のカソードが一方のドレイン及び他方
のソースにそれぞれ接続され、その両出力側発光ダイオ
ード3,3 にダイオード6,6 が逆極性でそれぞれ並列接続
されている。
方のソース及び他方のドレインを接続され、その接続点
に光電素子21の負極が接続されるとともに、両ゲートに
光電素子21の正極がそれぞれ接続され、一対の出力側発
光ダイオード3,3 のカソードが一方のドレイン及び他方
のソースにそれぞれ接続され、その両出力側発光ダイオ
ード3,3 にダイオード6,6 が逆極性でそれぞれ並列接続
されている。
【００３４】そして、出力端子P3,P4 には、第１実施例
の図３において、直流電源E に代えて交流電源が接続し
て使用され、一方のＭＯＳＦＥＴ22及び出力側発光ダイ
オード3 を流れた電流は、他方のダイオード6 を介して
流れる。
の図３において、直流電源E に代えて交流電源が接続し
て使用され、一方のＭＯＳＦＥＴ22及び出力側発光ダイ
オード3 を流れた電流は、他方のダイオード6 を介して
流れる。
【００３５】かかるリレーにあっては、上記したよう
に、交流電源においても自己保持動作を行うことによっ
て、第１実施例と同様の効果を奏することができる。
に、交流電源においても自己保持動作を行うことによっ
て、第１実施例と同様の効果を奏することができる。
【００３６】
【発明の効果】請求項１記載のものは、自己保持回路を
構成する各構成部材は、機構部材からなる従来例と違っ
て、半導体で構成できるから、全体サイズも小さく、し
かも振動等による誤動作もなくなるとともに、入力側の
信号は消費電力の比較的小さい入力側発光ダイオードを
発光させるだけでよいために、センサーによる警報パル
ス信号出力も大きくする必要がない。
構成する各構成部材は、機構部材からなる従来例と違っ
て、半導体で構成できるから、全体サイズも小さく、し
かも振動等による誤動作もなくなるとともに、入力側の
信号は消費電力の比較的小さい入力側発光ダイオードを
発光させるだけでよいために、センサーによる警報パル
ス信号出力も大きくする必要がない。
【００３７】また、請求項２記載のものは、請求項１記
載のものの効果に加えて、スイッチング回路は、入力側
発光ダイオードからの光を受けて発生する光電素子の光
起電力をゲート・ソース間に印加されてドレイン・ソー
ス間をオン状態にするＭＯＳＦＥＴを使用しており、こ
のＭＯＳＦＥＴは、フォトカプラ等の半導体と違って、
オン時のオフセット電圧が極めて低いため、微小電圧の
信号やアナログ信号でも歪みなく開閉制御できる。
載のものの効果に加えて、スイッチング回路は、入力側
発光ダイオードからの光を受けて発生する光電素子の光
起電力をゲート・ソース間に印加されてドレイン・ソー
ス間をオン状態にするＭＯＳＦＥＴを使用しており、こ
のＭＯＳＦＥＴは、フォトカプラ等の半導体と違って、
オン時のオフセット電圧が極めて低いため、微小電圧の
信号やアナログ信号でも歪みなく開閉制御できる。
【００３８】また、請求項３記載のものは、請求項１記
載のものの効果に加えて、スイッチング回路がオン状態
になったとき、負荷電流の大部分はバイパス回路を介し
て流れるので、十分に大きな負荷電流を流すことができ
る。
載のものの効果に加えて、スイッチング回路がオン状態
になったとき、負荷電流の大部分はバイパス回路を介し
て流れるので、十分に大きな負荷電流を流すことができ
る。
【００３９】また、請求項４記載のものは、負荷電流が
交流であっても、互いに対称的に直列接続した一方のス
イッチング回路及び出力側発光ダイオードを流れた電流
は、他方の出力側発光ダイオードに逆極性で並列接続し
たダイオードを介して流れることによって、請求項１記
載のものと同様の効果を奏することができる。
交流であっても、互いに対称的に直列接続した一方のス
イッチング回路及び出力側発光ダイオードを流れた電流
は、他方の出力側発光ダイオードに逆極性で並列接続し
たダイオードを介して流れることによって、請求項１記
載のものと同様の効果を奏することができる。
【図１】本発明の第１実施例を示す回路図である。
【図２】同上の実装状態を示す平面図である。
【図３】同上のものに負荷を接続して使用する状態を示
す回路図である。
す回路図である。
【図４】本発明の第２実施例を示す回路図である。
【図５】本発明の第３実施例を示す回路図である。
【図６】従来例のものに負荷を接続して使用する状態を
示す回路図である。
示す回路図である。
1 入力側発光ダイオード 2 スイッチング回路 21 光電素子 22 ＭＯＳＦＥＴ 22g ゲート 22s ソース 22d ドレイン 3 出力側発光ダイオード 5 バイパス回路 6 ダイオード
Claims (4)
- 【請求項１】 入力側の信号に応答して発光する入力側
発光ダイオードと、入力側発光ダイオードからの光を受
けてオン状態になる出力側のスイッチング回路と、オン
状態になったスイッチング回路の電流により発光しその
光を受けたスイッチング回路が自己のオン状態を保持す
るようスイッチング回路に接続された出力側発光ダイオ
ードと、を有してなることを特徴とするリレー。 - 【請求項２】 前記スイッチング回路は、入力側発光ダ
イオードからの光を受けて光起電力を発生する光電素子
と、その光起電力をゲート・ソース間に印加されてドレ
イン・ソース間をオン状態にするＭＯＳＦＥＴと、から
なることを特徴とする請求項１記載のリレー。 - 【請求項３】 バイパス回路を前記出力側発光ダイオー
ドに並列接続してなることを特徴とする請求項１記載の
リレー。 - 【請求項４】 前記スイッチング回路及び前記出力側発
光ダイオードからなる出力側回路の一対を互いに対称的
に直列接続するとともに、その各前記出力側発光ダイオ
ードにダイオードを逆極性でそれぞれ並列接続してなる
ことを特徴とする請求項１記載のリレー。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17883494A JPH0846504A (ja) | 1994-07-29 | 1994-07-29 | リレー |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17883494A JPH0846504A (ja) | 1994-07-29 | 1994-07-29 | リレー |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0846504A true JPH0846504A (ja) | 1996-02-16 |
Family
ID=16055485
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17883494A Withdrawn JPH0846504A (ja) | 1994-07-29 | 1994-07-29 | リレー |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0846504A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101271556B1 (ko) * | 2010-12-30 | 2013-06-11 | 한국과학기술원 | 전력 자동화 시스템의 전력 스위칭 제어 장치 및 방법 |
| JP2015012466A (ja) * | 2013-06-28 | 2015-01-19 | ブラザー工業株式会社 | 通信装置 |
| CN111507445A (zh) * | 2020-06-01 | 2020-08-07 | 湖南炬神电子有限公司 | 一种条码扫码自动报警系统 |
-
1994
- 1994-07-29 JP JP17883494A patent/JPH0846504A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101271556B1 (ko) * | 2010-12-30 | 2013-06-11 | 한국과학기술원 | 전력 자동화 시스템의 전력 스위칭 제어 장치 및 방법 |
| JP2015012466A (ja) * | 2013-06-28 | 2015-01-19 | ブラザー工業株式会社 | 通信装置 |
| CN111507445A (zh) * | 2020-06-01 | 2020-08-07 | 湖南炬神电子有限公司 | 一种条码扫码自动报警系统 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20011002 |