JPH0529909A - 光マイクロスイツチ - Google Patents
光マイクロスイツチInfo
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- JPH0529909A JPH0529909A JP3185029A JP18502991A JPH0529909A JP H0529909 A JPH0529909 A JP H0529909A JP 3185029 A JP3185029 A JP 3185029A JP 18502991 A JP18502991 A JP 18502991A JP H0529909 A JPH0529909 A JP H0529909A
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 22
- 229920005989 resin Polymers 0.000 abstract description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 abstract description 3
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 abstract description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 abstract description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Push-Button Switches (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
- Switches Operated By Changes In Physical Conditions (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】大きな出力電流が得られる光マイクロスイッチ
を提供するにある。 【構成】出力側スイッチ要素Ｓはエポキシ樹脂からなる
透明樹脂のパッケージ２内に光電素子１のチップと、出
力側ＭＯＳＦＥＴＱ2 、Ｑ3 のチップを一体に内蔵して
いる。光電素子１は発光ダイオードの光を受光する太陽
電池ＳＣと、受光によって生じる太陽電池ＳＣの出力電
圧により動作する制御回路ＣＴからなり、制御回路ＣＴ
の出力端間にはエンハンス型ＭＯＳＦＥＴＱ2 、Ｑ3 の
ゲート・ソース間を夫々が反対となるように接続してい
る。
を提供するにある。 【構成】出力側スイッチ要素Ｓはエポキシ樹脂からなる
透明樹脂のパッケージ２内に光電素子１のチップと、出
力側ＭＯＳＦＥＴＱ2 、Ｑ3 のチップを一体に内蔵して
いる。光電素子１は発光ダイオードの光を受光する太陽
電池ＳＣと、受光によって生じる太陽電池ＳＣの出力電
圧により動作する制御回路ＣＴからなり、制御回路ＣＴ
の出力端間にはエンハンス型ＭＯＳＦＥＴＱ2 、Ｑ3 の
ゲート・ソース間を夫々が反対となるように接続してい
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光マイクロスイッチに
関する。
関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の光マイクロスイッチは図６に示す
ようにスイッチハウジングＨ内に入力側の発光ダイオー
ドＬＥＤと、この発光ダイオードＬＥＤからの光を受光
してスイッチングするホトトランジスタＰＴと、この発
光ダイオードＬＥＤとホトトランジスタＰＴの光路を機
械的に開閉する機械的スイッチＳＷとを内装しており、
機械的スイッチＳＷが押し釦Ｂの押し操作で支点Ｘを中
心として回転し、上記光路内に介在していた遮光板Ｙを
持ち上げると、光路がつながって発光ダイオードＬＥＤ
からの光がホトトランジスタＰＴに受光され、ホトトラ
ンジスタＰＴがオンする。次に上記押し釦Ｂの押し操作
が解除されると機械的スイッチＳＷがばね付勢手段（図
示せず）により復帰して遮光板Ｙが下がり光路を遮断す
る。この光路遮断によりホトトランジスタＰＴの受光が
無くなってオフするのである。
ようにスイッチハウジングＨ内に入力側の発光ダイオー
ドＬＥＤと、この発光ダイオードＬＥＤからの光を受光
してスイッチングするホトトランジスタＰＴと、この発
光ダイオードＬＥＤとホトトランジスタＰＴの光路を機
械的に開閉する機械的スイッチＳＷとを内装しており、
機械的スイッチＳＷが押し釦Ｂの押し操作で支点Ｘを中
心として回転し、上記光路内に介在していた遮光板Ｙを
持ち上げると、光路がつながって発光ダイオードＬＥＤ
からの光がホトトランジスタＰＴに受光され、ホトトラ
ンジスタＰＴがオンする。次に上記押し釦Ｂの押し操作
が解除されると機械的スイッチＳＷがばね付勢手段（図
示せず）により復帰して遮光板Ｙが下がり光路を遮断す
る。この光路遮断によりホトトランジスタＰＴの受光が
無くなってオフするのである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで上記の従来の
光マイクロスイッチは出力側のスイッチ素子としてホト
トランジスタを用いているため、得られる出力電流が小
さく、そのためアンプによる増幅が必要な上に、ＤＣ専
用の出力しか得られなかった。図７は入力側の発光ダイ
オードＬＥＤの入力電流ＩF と出力電流の関係を示して
おり、この図から分かるように入力電流ＩF に応じた出
力電流しか得られず、せいぜい１０ｍＡ程度である上
に、スイッチング動作が急峻でなかった。
光マイクロスイッチは出力側のスイッチ素子としてホト
トランジスタを用いているため、得られる出力電流が小
さく、そのためアンプによる増幅が必要な上に、ＤＣ専
用の出力しか得られなかった。図７は入力側の発光ダイ
オードＬＥＤの入力電流ＩF と出力電流の関係を示して
おり、この図から分かるように入力電流ＩF に応じた出
力電流しか得られず、せいぜい１０ｍＡ程度である上
に、スイッチング動作が急峻でなかった。
【０００４】本発明は上述の問題点に鑑みて為されたも
ので、請求項１記載の発明の目的とするところは大きな
出力電流が得られる光マイクロスイッチを提供するにあ
る。更に請求項２記載の発明の目的とするところは上記
目的に加えて機械的スイッチの構造を変えることなく常
閉タイプに構成した光マイクロスイッチを提供するにあ
る。
ので、請求項１記載の発明の目的とするところは大きな
出力電流が得られる光マイクロスイッチを提供するにあ
る。更に請求項２記載の発明の目的とするところは上記
目的に加えて機械的スイッチの構造を変えることなく常
閉タイプに構成した光マイクロスイッチを提供するにあ
る。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
めに、スイッチハウジング内に入力側発光素子と、出力
用ＭＯＳＦＥＴと、入力側発光素子からの光の受光によ
り上記出力用ＭＯＳＦＥＴにゲート信号を与えてスイッ
チングさせる光電素子と、上記入力側発光素子と光電素
子との間に光路を外部の操作で開閉する機械的スイッチ
とを内装したものである。
めに、スイッチハウジング内に入力側発光素子と、出力
用ＭＯＳＦＥＴと、入力側発光素子からの光の受光によ
り上記出力用ＭＯＳＦＥＴにゲート信号を与えてスイッ
チングさせる光電素子と、上記入力側発光素子と光電素
子との間に光路を外部の操作で開閉する機械的スイッチ
とを内装したものである。
【０００６】また請求項２記載の発明は、上記出力用Ｍ
ＯＳＦＥＴにディプレション型のＭＯＳＦＥＴを用い、
非受光時にＭＯＳＦＥＴのゲートにマイナス電荷を供給
する光電素子を用いた。
ＯＳＦＥＴにディプレション型のＭＯＳＦＥＴを用い、
非受光時にＭＯＳＦＥＴのゲートにマイナス電荷を供給
する光電素子を用いた。
【０００７】
【作用】請求項１記載の発明によれば、機械的スイッチ
によって光路を開閉することにより、出力側のＭＯＳＦ
ＥＴをスイッチングさせることができる。またＭＯＳＦ
ＥＴを用いることにより、発光素子の発光量がつまり入
力電流が一定以上であればスイッチングさせることがで
き、しかも出力電流としてはリニアなＶーＩ特性が得ら
れ、大きな出力電流を得ることができる。
によって光路を開閉することにより、出力側のＭＯＳＦ
ＥＴをスイッチングさせることができる。またＭＯＳＦ
ＥＴを用いることにより、発光素子の発光量がつまり入
力電流が一定以上であればスイッチングさせることがで
き、しかも出力電流としてはリニアなＶーＩ特性が得ら
れ、大きな出力電流を得ることができる。
【０００８】更に請求項２記載の発明によれば、出力用
ＭＯＳＦＥＴにディプレション型のＭＯＳＦＥＴを用
い、光電素子にはＭＯＳＦＥＴのゲートにマイナス電荷
を供給する光電素子を用いたものであるから、機械的ス
イッチの構成を変えたり、外付け回路を用いることな
く、常閉型の光マイクロスイッチが実現できる。
ＭＯＳＦＥＴにディプレション型のＭＯＳＦＥＴを用
い、光電素子にはＭＯＳＦＥＴのゲートにマイナス電荷
を供給する光電素子を用いたものであるから、機械的ス
イッチの構成を変えたり、外付け回路を用いることな
く、常閉型の光マイクロスイッチが実現できる。
【０００９】
【実施例】以下本発明を実施例により説明する。
（実施例１）図２は本発明の全体の概略構成を示してお
り、この概略構成から分かるようにホトトランジスタＰ
Ｔの代わりに、光電素子とＭＯＳＦＥＴからなる出力側
スイッチ要素Ｓを用いた他は、従来例と同じである。
り、この概略構成から分かるようにホトトランジスタＰ
Ｔの代わりに、光電素子とＭＯＳＦＥＴからなる出力側
スイッチ要素Ｓを用いた他は、従来例と同じである。
【００１０】ここで出力側スイッチ要素Ｓは図１に示す
ようにエポキシ樹脂からなる透明樹脂のパッケージ２内
に光電素子１のチップと、出力側ＭＯＳＦＥＴＱ2 、Ｑ
3 のチップとを一体に内蔵したものであり、その回路構
成は図３に示すようになっている。つまり光電素子１は
発光ダイオードＬＥＤの光を受光する太陽電池ＳＣと、
受光によって生じる太陽電池ＳＣの出力電圧により常閉
のＭＯＳＦＥＴＱ1 を介して流れる電流によって抵抗要
素Ｒ1 に電圧降下を生じさせてＭＯＳＦＥＴＱ1 のゲー
トに電圧Ｖｔｈ（−電圧）を印加し、ゲート電流を流
す。このゲート電流が流れてＭＯＳＦＥＴＱ1 がオフす
る制御回路ＣＴからなり、制御回路ＣＴの出力端間には
エンハンス型ＭＯＳＦＥＴＱ2 、Ｑ3 のゲート・ソース
間を夫々が反対となるように接続している。
ようにエポキシ樹脂からなる透明樹脂のパッケージ２内
に光電素子１のチップと、出力側ＭＯＳＦＥＴＱ2 、Ｑ
3 のチップとを一体に内蔵したものであり、その回路構
成は図３に示すようになっている。つまり光電素子１は
発光ダイオードＬＥＤの光を受光する太陽電池ＳＣと、
受光によって生じる太陽電池ＳＣの出力電圧により常閉
のＭＯＳＦＥＴＱ1 を介して流れる電流によって抵抗要
素Ｒ1 に電圧降下を生じさせてＭＯＳＦＥＴＱ1 のゲー
トに電圧Ｖｔｈ（−電圧）を印加し、ゲート電流を流
す。このゲート電流が流れてＭＯＳＦＥＴＱ1 がオフす
る制御回路ＣＴからなり、制御回路ＣＴの出力端間には
エンハンス型ＭＯＳＦＥＴＱ2 、Ｑ3 のゲート・ソース
間を夫々が反対となるように接続している。
【００１１】而して制御回路ＣＴのＭＯＳＦＥＴＱ1 が
オフすると出力側のＭＯＳＦＥＴＱ 2 、Ｑ3 にゲート電
流が流れてＭＯＳＦＥＴＱ2 、Ｑ3 の何れかがオンして
出力電流が流れる。つまり実施例ではＭＳＯＦＥＴ
Ｑ2 、Ｑ3 のドレイン電圧が交互に極性を切り換える交
流電圧であればＭＳＯＦＥＴＱ2 、Ｑ3 が交互にオン・
オフして交流出力が得られ、また直流電圧であれば、い
ずれか一方がオンして直流出力が得られる。
オフすると出力側のＭＯＳＦＥＴＱ 2 、Ｑ3 にゲート電
流が流れてＭＯＳＦＥＴＱ2 、Ｑ3 の何れかがオンして
出力電流が流れる。つまり実施例ではＭＳＯＦＥＴ
Ｑ2 、Ｑ3 のドレイン電圧が交互に極性を切り換える交
流電圧であればＭＳＯＦＥＴＱ2 、Ｑ3 が交互にオン・
オフして交流出力が得られ、また直流電圧であれば、い
ずれか一方がオンして直流出力が得られる。
【００１２】図４は本実施例の出力特性を示しており、
入力側発光ダイオードＬＥＤに一定値以上の入力電流を
流して発光させると、出力側には図のようにリニアなＶ
−Ｉ特性を持つ出力電流が得られた。また一定値より低
い電流を流した場合には出力側には出力電流は流れず、
スイッチングも良好な結果が得られた。 （実施例２）上記実施例１では出力用のＭＯＳＦＥＴＱ
2 、Ｑ3にエンハンスメント型を用いているが、本実施
例では図４に示すようディプレション型のＭＯＳＦＥＴ
Ｑ2 ’，Ｑ3 ’を用いたもので、この実施例では太陽電
池ＳＣが受光していない状態つまり機械的スイッチＳＷ
の非駆動状態で、ＭＯＳＦＥＴＱ2 ’，Ｑ3 ’がオンと
なり、機械的スイッチＳＷの駆動による受光時にオフす
る常閉型の光マイクロスイッチを構成する。
入力側発光ダイオードＬＥＤに一定値以上の入力電流を
流して発光させると、出力側には図のようにリニアなＶ
−Ｉ特性を持つ出力電流が得られた。また一定値より低
い電流を流した場合には出力側には出力電流は流れず、
スイッチングも良好な結果が得られた。 （実施例２）上記実施例１では出力用のＭＯＳＦＥＴＱ
2 、Ｑ3にエンハンスメント型を用いているが、本実施
例では図４に示すようディプレション型のＭＯＳＦＥＴ
Ｑ2 ’，Ｑ3 ’を用いたもので、この実施例では太陽電
池ＳＣが受光していない状態つまり機械的スイッチＳＷ
の非駆動状態で、ＭＯＳＦＥＴＱ2 ’，Ｑ3 ’がオンと
なり、機械的スイッチＳＷの駆動による受光時にオフす
る常閉型の光マイクロスイッチを構成する。
【００１３】この実施例２の機械的スイッチＳＷ，入力
側発光ダイオードＬＥＤ、光電素子１の構成は実施例１
と変わらない。尚上記各実施例１，２のスイッチ要素Ｓ
は透明樹脂で全体をモールドして、機械的スイッチＳ
Ｗ、入力側発光ダイオードＬＥＤとともにスイッチハウ
ジングＨ内に収めているが、スイッチ要素Ｓを樹脂モー
ルドする際、光電素子１部分のみを透明として、発光ダ
イオードＬＥＤの光を光電素子１の太陽電池ＳＣが受光
できるようにしても良い。
側発光ダイオードＬＥＤ、光電素子１の構成は実施例１
と変わらない。尚上記各実施例１，２のスイッチ要素Ｓ
は透明樹脂で全体をモールドして、機械的スイッチＳ
Ｗ、入力側発光ダイオードＬＥＤとともにスイッチハウ
ジングＨ内に収めているが、スイッチ要素Ｓを樹脂モー
ルドする際、光電素子１部分のみを透明として、発光ダ
イオードＬＥＤの光を光電素子１の太陽電池ＳＣが受光
できるようにしても良い。
【００１４】
【発明の効果】請求項１記載の発明は、スイッチハウジ
ング内に入力側発光素子と、出力用ＭＯＳＦＥＴと、入
力側発光素子からの光の受光により上記出力用ＭＯＳＦ
ＥＴにゲート信号を与えてスイッチングさせる光電素子
と、上記入力側発光素子と光電素子との間に光路を外部
の操作で開閉する機械的スイッチとを内装したものであ
るから、機械的スイッチによって光路を開閉することに
より、出力側のＭＯＳＦＥＴをスイッチングさせること
ができるものであって、出力側にＭＯＳＦＥＴを用いる
ことにより、発光素子の発光量がつまり入力電流が一定
以上であればスイッチングさせることができ、出力電流
としてリニアなＶーＩ特性が得られ、大きな出力電流を
得ることも可能で、また相補に動作するように対のＭＯ
ＳＦＥＴを接続すれば、交流出力を得ることもできると
いうという効果がある。
ング内に入力側発光素子と、出力用ＭＯＳＦＥＴと、入
力側発光素子からの光の受光により上記出力用ＭＯＳＦ
ＥＴにゲート信号を与えてスイッチングさせる光電素子
と、上記入力側発光素子と光電素子との間に光路を外部
の操作で開閉する機械的スイッチとを内装したものであ
るから、機械的スイッチによって光路を開閉することに
より、出力側のＭＯＳＦＥＴをスイッチングさせること
ができるものであって、出力側にＭＯＳＦＥＴを用いる
ことにより、発光素子の発光量がつまり入力電流が一定
以上であればスイッチングさせることができ、出力電流
としてリニアなＶーＩ特性が得られ、大きな出力電流を
得ることも可能で、また相補に動作するように対のＭＯ
ＳＦＥＴを接続すれば、交流出力を得ることもできると
いうという効果がある。
【００１５】また請求項２記載の発明は、上記出力用Ｍ
ＯＳＦＥＴにディプレション型のＭＯＳＦＥＴを用い、
非受光時にＭＯＳＦＥＴのゲートにマイナス電荷を供給
する光電素子を用いたので、機械的スイッチの構成を変
えたり、外付け回路を設けることなく上述の効果を有す
る常閉型の光マイクロスイッチが得られる。
ＯＳＦＥＴにディプレション型のＭＯＳＦＥＴを用い、
非受光時にＭＯＳＦＥＴのゲートにマイナス電荷を供給
する光電素子を用いたので、機械的スイッチの構成を変
えたり、外付け回路を設けることなく上述の効果を有す
る常閉型の光マイクロスイッチが得られる。
【図１】本発明の実施例１に用いるスイッチ要素の構成
図である。
図である。
【図２】本発明の実施例１の概略構成図である。
【図３】本発明の実施例１に用いるスイッチ要素の回路
図である。
図である。
【図４】本発明の実施例１のＶ−Ｉ特性図である。
【図５】本発明の実施例２に用いるスイッチ要素の回路
図である。
図である。
【図６】従来例の概略構成図である。
【図７】従来例の入力電流−出力電流の特性図である。
１ 光電素子
２ パッケージ
ＣＴ 制御回路
Ｑ1 ＭＯＳＦＥＴ
Ｑ2 ＭＯＳＦＥＴ
Claims (2)
- 【請求項１】スイッチハウジング内に入力側発光素子
と、出力用ＭＯＳＦＥＴと、入力側発光素子からの光の
受光により上記出力用ＭＯＳＦＥＴにゲート信号を与え
てスイッチングさせる光電素子と、上記入力側発光素子
と光電素子との間に光路を外部の操作で開閉する機械的
スイッチとを内装したことを特徴とする光マイクロスイ
ッチ。 - 【請求項２】上記出力用ＭＯＳＦＥＴにディプレション
型のＭＯＳＦＥＴを用い、非受光時にＭＯＳＦＥＴのゲ
ートにマイナス電荷を供給する光電素子を用いたことを
特徴とする請求項１記載の光マイクロスイッチ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3185029A JPH0529909A (ja) | 1991-07-25 | 1991-07-25 | 光マイクロスイツチ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3185029A JPH0529909A (ja) | 1991-07-25 | 1991-07-25 | 光マイクロスイツチ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0529909A true JPH0529909A (ja) | 1993-02-05 |
Family
ID=16163539
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3185029A Withdrawn JPH0529909A (ja) | 1991-07-25 | 1991-07-25 | 光マイクロスイツチ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0529909A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1098329A3 (de) * | 1999-11-05 | 2003-05-28 | Valeo Schalter und Sensoren GmbH | Schaltmodul zum Schalten von Steuerstrombahnen, insbesondere in Fahrzeugen |
| JP2007257893A (ja) * | 2006-03-20 | 2007-10-04 | Matsushita Electric Works Ltd | 光式無接点スイッチ |
-
1991
- 1991-07-25 JP JP3185029A patent/JPH0529909A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1098329A3 (de) * | 1999-11-05 | 2003-05-28 | Valeo Schalter und Sensoren GmbH | Schaltmodul zum Schalten von Steuerstrombahnen, insbesondere in Fahrzeugen |
| JP2007257893A (ja) * | 2006-03-20 | 2007-10-04 | Matsushita Electric Works Ltd | 光式無接点スイッチ |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19981008 |