JPH0546353Y2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0546353Y2 JPH0546353Y2 JP1987156770U JP15677087U JPH0546353Y2 JP H0546353 Y2 JPH0546353 Y2 JP H0546353Y2 JP 1987156770 U JP1987156770 U JP 1987156770U JP 15677087 U JP15677087 U JP 15677087U JP H0546353 Y2 JPH0546353 Y2 JP H0546353Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- photodiode
- relay
- photo sensor
- semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Electronic Switches (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本考案は半導体リレーに係わり、特に高速開閉
動作を可能にする半導体リレーに関する。
動作を可能にする半導体リレーに関する。
第３図は従来の半導体リレーの一例を示す回路
図である。
図である。
入力端子２ａ，２ｂ間に接続された発光ダイオ
ード１およびフオトダイオード３より成るフオト
センサの出力間には抵抗４が接続されている。フ
オトダイオード３のアノードにはスイツチ素子と
してのMOS FET（METAL OXIDE
SEMICONDUCTOR）５のゲートが接続され、
そのソースはフオトダイオード３のカソードに接
続されている。MOS FET５のドレインおよび
ソースが半導体リレーの出力端子６ａ，６ｂにな
る。
ード１およびフオトダイオード３より成るフオト
センサの出力間には抵抗４が接続されている。フ
オトダイオード３のアノードにはスイツチ素子と
してのMOS FET（METAL OXIDE
SEMICONDUCTOR）５のゲートが接続され、
そのソースはフオトダイオード３のカソードに接
続されている。MOS FET５のドレインおよび
ソースが半導体リレーの出力端子６ａ，６ｂにな
る。
以上の構成において、入力端子２ａ，２ｂ間に
操作入力信号が印加されると、発光ダイオード１
が発光し、これがフオトダイオード３によつて受
光される。フオトダイオード３は受光量に応じた
通電電流を生じさせ、抵抗４に電圧を生じさせ
る。この電圧によつてMOS FET５に制御電圧
としてのゲート電圧が与えられ、MOS FET５
が導通する。すなわち、MOS FET５のドレイ
ン・ソース間が接点として機能する。
操作入力信号が印加されると、発光ダイオード１
が発光し、これがフオトダイオード３によつて受
光される。フオトダイオード３は受光量に応じた
通電電流を生じさせ、抵抗４に電圧を生じさせ
る。この電圧によつてMOS FET５に制御電圧
としてのゲート電圧が与えられ、MOS FET５
が導通する。すなわち、MOS FET５のドレイ
ン・ソース間が接点として機能する。
しかし、従来の半導体リレーにあつては、操作
入力信号を光電変換し、この出力によつて開閉素
子としてのMOS FETをターンオンさせること
により導通させているため、より少ない操作入力
信号によつてMOS FETを駆動させようとする
と、これに反比例してターンオン時間が大きくな
り、リレーとしての高速開閉動作を行うことが難
しい。
入力信号を光電変換し、この出力によつて開閉素
子としてのMOS FETをターンオンさせること
により導通させているため、より少ない操作入力
信号によつてMOS FETを駆動させようとする
と、これに反比例してターンオン時間が大きくな
り、リレーとしての高速開閉動作を行うことが難
しい。
本考案の目的は、リレーの高速開閉動作を可能
にする半導体リレーを提供することにある。
にする半導体リレーを提供することにある。
〔問題点を解決するための手段〕
本考案では、入力信号に応じて発光する第１の
発光ダイオードと、この第１の発光ダイオードの
発する光のみを受光しこれに応じて比較的小さな
信号を発生する第１のフオトセンサと、この比較
的小さな信号を制御信号としてオン・オフ制御さ
れる第１の半導体スイツチ素子と、この第１の半
導体スイツチ素子と直列に配置され、外部より導
いた光を受光する第２のフオトセンサと、第１の
半導体スイツチ素子を介してこの第２のフオトセ
ンサの出力する比較的大きな信号を制御信号とし
てオン・オフ制御されるリレー接点としての第２
の半導体スイツチ素子とを半導体リレーに具備さ
せる。
発光ダイオードと、この第１の発光ダイオードの
発する光のみを受光しこれに応じて比較的小さな
信号を発生する第１のフオトセンサと、この比較
的小さな信号を制御信号としてオン・オフ制御さ
れる第１の半導体スイツチ素子と、この第１の半
導体スイツチ素子と直列に配置され、外部より導
いた光を受光する第２のフオトセンサと、第１の
半導体スイツチ素子を介してこの第２のフオトセ
ンサの出力する比較的大きな信号を制御信号とし
てオン・オフ制御されるリレー接点としての第２
の半導体スイツチ素子とを半導体リレーに具備さ
せる。
すなわち本考案では第１のフオトセンサの後段
に接続された第１の半導体スイツチは、小電力の
制御を行うので入力容量の小さな構造のものを使
用することができ、ターンオン時間を小さくでき
るので、リレーの高速動作を達成することができ
る。
に接続された第１の半導体スイツチは、小電力の
制御を行うので入力容量の小さな構造のものを使
用することができ、ターンオン時間を小さくでき
るので、リレーの高速動作を達成することができ
る。
以下、本考案の一実施例を図面に基づいて説明
する。
する。
第１図は本考案の一実施例の回路構成を示す回
路図、第２図は実装状態を示す断面図である。な
お、本実施例においては、第３図の従来例と同一
部分については同一符号を付してその説明を省略
し、異なる構成について説明する。
路図、第２図は実装状態を示す断面図である。な
お、本実施例においては、第３図の従来例と同一
部分については同一符号を付してその説明を省略
し、異なる構成について説明する。
第１図において、フオトダイオード３の出力間
には抵抗７が接続され、この抵抗間に第２の半導
体スイツチとしてのMOS FET８のゲートとソ
ースが接続されている。MOS FET９のドレイ
ンには受光素子としてのフオトダイオード９のア
ノードが接続され、そのカソードとアース間に第
３図に示した抵抗４およびMOS FET５が接続
されている。
には抵抗７が接続され、この抵抗間に第２の半導
体スイツチとしてのMOS FET８のゲートとソ
ースが接続されている。MOS FET９のドレイ
ンには受光素子としてのフオトダイオード９のア
ノードが接続され、そのカソードとアース間に第
３図に示した抵抗４およびMOS FET５が接続
されている。
以上の構成において、第３図で説明したと同様
に、操作入力信号が入力端子２ａ，２ｂに印加さ
れると、MOS FET８がフオトダイオード３の
出力によつて導通可能な状態になる。このときフ
オトダイオード９に外光が照射されていると、フ
オトダイオード９が導通し、抵抗４に電流が流
れ、抵抗８の両端に電圧が発生する。この抵抗４
に生じた電圧がMOS FET５のゲート電圧にな
り、MOS FET５が導通してリレーのオン状態
になる。
に、操作入力信号が入力端子２ａ，２ｂに印加さ
れると、MOS FET８がフオトダイオード３の
出力によつて導通可能な状態になる。このときフ
オトダイオード９に外光が照射されていると、フ
オトダイオード９が導通し、抵抗４に電流が流
れ、抵抗８の両端に電圧が発生する。この抵抗４
に生じた電圧がMOS FET５のゲート電圧にな
り、MOS FET５が導通してリレーのオン状態
になる。
このように、フオトダイオード９が受光状態に
あるときに、操作入力信号が印加されると、この
信号の有無に応じてMOS FET５が開閉し、リ
レーとして機能する。この場合、MOS FET５
のゲート電圧はフオトダイオード９によつて作ら
れ、フオトダイオード３による生成電圧はMOS
FET８をスイツチ動作させるためにのみ用いら
れる。したがつて、MOS FET８は電流容量の
少ないもので済み、この結果、ゲート入力容量の
少ないタイプのものを用いることができ、低消費
電力でかつ高速動作の可能な半導体リレーを実現
できる。
あるときに、操作入力信号が印加されると、この
信号の有無に応じてMOS FET５が開閉し、リ
レーとして機能する。この場合、MOS FET５
のゲート電圧はフオトダイオード９によつて作ら
れ、フオトダイオード３による生成電圧はMOS
FET８をスイツチ動作させるためにのみ用いら
れる。したがつて、MOS FET８は電流容量の
少ないもので済み、この結果、ゲート入力容量の
少ないタイプのものを用いることができ、低消費
電力でかつ高速動作の可能な半導体リレーを実現
できる。
第２図は第１図の実施例の実装状態を示す断面
図である。発光ダイオード１とフオトダイオード
３は所定の間隔をもつて対向配置され、各々には
リード端子１０が接続されると共に、これらに隣
接してフオトダイオード９が配設されている。各
部材の周囲には適度の空間を確保し、かつフオト
ダイオード９の上部に採光窓１１を形成した状態
で非透光性の樹脂によるモールド１２が施されて
いる。各部材の周囲に形成されていた空間内に透
光性樹脂１３および１４が充填されている。
図である。発光ダイオード１とフオトダイオード
３は所定の間隔をもつて対向配置され、各々には
リード端子１０が接続されると共に、これらに隣
接してフオトダイオード９が配設されている。各
部材の周囲には適度の空間を確保し、かつフオト
ダイオード９の上部に採光窓１１を形成した状態
で非透光性の樹脂によるモールド１２が施されて
いる。各部材の周囲に形成されていた空間内に透
光性樹脂１３および１４が充填されている。
透光性樹脂１３が充填されることによつて発光
ダイオード１よりの光がフオトダイオード９に入
射し、かつ透光性樹脂１３の周囲にモールド１２
が設けられているために発光ダイオード１より発
した光が外部に漏れることは無い。また、フオト
ダイオード９にあつては、透光性樹脂１４の一部
が採光窓１１を介してモールド１２外に露出して
いるため、外部からフオトダイオード９に光を照
射することができる。例えば明りに対する警報装
置のように屋外に設置される各種の装置や警報装
置では、この採光窓１１から外部光を取り入れて
利用することができる。
ダイオード１よりの光がフオトダイオード９に入
射し、かつ透光性樹脂１３の周囲にモールド１２
が設けられているために発光ダイオード１より発
した光が外部に漏れることは無い。また、フオト
ダイオード９にあつては、透光性樹脂１４の一部
が採光窓１１を介してモールド１２外に露出して
いるため、外部からフオトダイオード９に光を照
射することができる。例えば明りに対する警報装
置のように屋外に設置される各種の装置や警報装
置では、この採光窓１１から外部光を取り入れて
利用することができる。
このように本考案によれば、主開閉の第２の半
導体スイツチの駆動源を別個に設けると共に、こ
の第２の半導体スイツチを、入力信号に応じて発
光する第１の発光ダイオードから発せられる光を
受光する第１のフオトセンサに接続される第１の
発光スイツチと外部より導いた光を受光する第２
のフオトセンサによつて駆動するようにした。し
たがつて、第１の半導体スイツチとして入力容量
の小さなものを使用することができ、高速動作の
可能な半導体リレーを実現することができる。し
かも、第２のフオトセンサは外部より導いた光を
受光するので、リレー内部に必要とするエネルギ
は少なくて済み、高感度で高速の動作が可能にな
るばかりでなく、省エネルギの経済的な半導体リ
レーを構成することができる。また、半導体リレ
ーのオン・オフ動作は第１および第２のフオトセ
ンサの相互関係によつて定まるので、例えば光セ
ンサ機能をもつたリレーのような動作を行わせる
ことができるという効果もある。
導体スイツチの駆動源を別個に設けると共に、こ
の第２の半導体スイツチを、入力信号に応じて発
光する第１の発光ダイオードから発せられる光を
受光する第１のフオトセンサに接続される第１の
発光スイツチと外部より導いた光を受光する第２
のフオトセンサによつて駆動するようにした。し
たがつて、第１の半導体スイツチとして入力容量
の小さなものを使用することができ、高速動作の
可能な半導体リレーを実現することができる。し
かも、第２のフオトセンサは外部より導いた光を
受光するので、リレー内部に必要とするエネルギ
は少なくて済み、高感度で高速の動作が可能にな
るばかりでなく、省エネルギの経済的な半導体リ
レーを構成することができる。また、半導体リレ
ーのオン・オフ動作は第１および第２のフオトセ
ンサの相互関係によつて定まるので、例えば光セ
ンサ機能をもつたリレーのような動作を行わせる
ことができるという効果もある。
第１図は本考案の一実施例を示す回路図、第２
図は第１図の半導体リレーの実装状態を示す断面
図、第３図は従来の半導体リレーを示すブロツク
図である。 １……発光ダイオード、３，９……フオトダイ
オード、４，７……抵抗、５，８……MOS
FET。
図は第１図の半導体リレーの実装状態を示す断面
図、第３図は従来の半導体リレーを示すブロツク
図である。 １……発光ダイオード、３，９……フオトダイ
オード、４，７……抵抗、５，８……MOS
FET。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 入力信号に応じて発光する第１の発光ダイオー
ドと、 この第１の発光ダイオードの発する光のみを受
光しこれに応じて比較的小さな信号を発生する第
１のフオトセンサと、 この比較的小さな信号を制御信号としてオン・
オフ制御される第１の半導体スイツチ素子と、 この第１の半導体スイツチ素子と直列に配置さ
れ、外部より導いた光を受光する第２のフオトセ
ンサと、 前記第１の半導体スイツチ素子を介してこの第
２のフオトセンサの出力する比較的大きな信号を
制御信号としてオン・オフ制御されるリレー接点
としての第２の半導体スイツチ素子 とを具備することを特徴とする半導体リレー。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1987156770U JPH0546353Y2 (ja) | 1987-10-15 | 1987-10-15 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1987156770U JPH0546353Y2 (ja) | 1987-10-15 | 1987-10-15 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0163229U JPH0163229U (ja) | 1989-04-24 |
| JPH0546353Y2 true JPH0546353Y2 (ja) | 1993-12-03 |
Family
ID=31435608
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1987156770U Expired - Lifetime JPH0546353Y2 (ja) | 1987-10-15 | 1987-10-15 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0546353Y2 (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62195918A (ja) * | 1986-02-24 | 1987-08-29 | Matsushita Electric Works Ltd | 半導体リレ−回路 |
-
1987
- 1987-10-15 JP JP1987156770U patent/JPH0546353Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0163229U (ja) | 1989-04-24 |
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