JPH0848791A - ポリスチレン系フィルムとそれを用いたコンデンサ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 コンデンサ用誘電体フィルムとして好適な、
フィルムの製造時やコンデンサ製造時のフィルムの走行
性、耐削れ性に優れ、且つ電圧負荷時の耐湿性、セルフ
ヒーリング性が改良されたシンジオタクチックポリスチ
レン系フィルムおよびコンデンサに関するものである。 【構成】 シンジオタクチック構造を有するスチレン系
重合体からなるフィルムの少なくとも一方の表面の極表
面の炭素原子に対する酸素原子の比率が10％以上である
ことを特徴とするポリスチレン系フィルムとそれを用い
たコンデンサ。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明はポリスチレン系フィルム
およびそれを用いたコンデンサに関するものであり、さ
らに詳しく言えばコンデンサ用誘電体フィルムとして好
適な、フィルムの製造時やコンデンサ製造時のフィルム
の走行性、耐削れ性に優れ、且つ電圧負荷時の耐湿性、
セルフヒーリング性が改良されたシンジオタクチックポ
リスチレン系フィルムおよびコンデンサに関するもので
ある。

【０００２】

【従来の技術】シンジオタクチックポリスチレン系重合
体を主成分とする樹脂組成物を二軸延伸、熱固定した二
軸延伸フィルムは耐熱性、電気特性が良好であるためコ
ンデンサの誘電体に展開されている（特開平2-143851、
特開平3-124750、特開平5-200858）。また、コンデンサ
ーの製造時の走行性向上や収率向上のために滑り性を改
良したものが知られている（特開平6-29146 、特開平6-
80793 ）。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかし、これら従来の
シンジオタクチックポリスチレン系フィルムにおいて、
フィルムの製造時及びコンデンサ製造時の耐削れ性、走
行性の改良は見られるが、得られたコンデンサの電圧負
荷時の耐湿性およびセルフヒーリング性に関しては必ず
しも満足できるものではなかった。

【０００４】

【課題を解決するための手段】本発明は、シンジオタク
チック構造を有するスチレン系重合体からなるフィルム
の少なくとも一方の表面のＸ線光電子分光法により評価
した極表面の炭素原子に対する酸素原子の比率が10％以
上であることを特徴とするポリスチレン系フィルムであ
る。更にシンジオタクチック構造を有するスチレン系重
合体からなるフィルムの少なくとも一方の表面に樹脂組
成物からなる表面層が形成されたこと、シンジオタクチ
ック構造を有するスチレン系重合体からなるフィルムの
少なくとも一方の表面を酸化法により表面処理したこ
と、シンジオタクチック構造を有するスチレン系重合体
からなるフィルムの少なくとも一方の表面に樹脂組成物
からなる表面層を形成し、該表面層を酸化法により表面
処理したこと、シンジオタクチック構造を有するスチレ
ン系重合体からなるフィルムの少なくとも一方の表面の
三次元表面粗さSRa が0.01（μm ）以上、且つ Sλa
（μm ）とガラス転移温度が下記の関係を満足すること
を特徴とすること、3+4 ×(Tgc−Tgs)／Tgc ≦Sλa ≦2
0+10 ×(Tgc−Tgs)／Tgc ここで、Tgc はシンジオタクチックポリスチレン系フィ
ルム層のガラス転移温度 Tgs は表面層のガラス転移温度 シンジオタクチック構造を有するスチレン系重合体から
なるフィルムの少なくとも一方の表面に樹脂組成物から
なる表面層を形成し、該表面層の厚みがフィルム全体の
厚みの30％以下であること、フィルムの誘電正接（25
℃、1kHz）が0.001 以下であることにより、コンデンサ
用誘電体フィルムとして好適な、フィルムの製造時やコ
ンデンサ製造時の滑剤の脱落を抑制し、走行性に優れ、
且つ電圧負荷時の耐湿性、セルフヒーリング性が改良さ
れたシンジオタクチックポリスチレン系フィルムを得る
ことが出来る。また、このようなシンジオタクチックポ
リスチレン系フィルムの少なくとも片面に金属薄膜層を
形成した金属化シンジオタクチックポリスチレン系フィ
ルムを用いたことを特徴とするコンデンサは電気特性に
優れ、且つ電圧負荷時の耐湿性およびセルフヒーリング
性に優れたものである。

【０００５】本発明に用いられる立体規則性がシンジオ
タクチック構造であるポリスチレン系重合体は、側鎖で
あるフェニル基又は置換フェニル基が核磁気共鳴法によ
り定量されるタクティシティがダイアッド（構成単位が
二個）で85％以上、ペンタッド（構成単位が５個）で50
％以上のシンジオタクチック構造であることが望まし
い。

【０００６】該ポリスチレン系重合体としては、ポリス
チレン、ポリ（p-、m-又はo-メチルスチレン）、ポリ
（2,4-、2,5-、3,4-又は3,5-ジメチルスチレン）、ポリ
（p-ターシャリーブチルスチレン）などのポリ（アルキ
ルスチレン）、ポリ（p-、m-又はo-クロロスチレン）、
ポリ（p-、m-又はo-ブロモスチレン）、ポリ（p-、m-又
はo-フルオロスチレン）、ポリ（o-メチル-p- フルオロ
スチレン）などのポリ（ハロゲン化スチレン）、ポリ
（p-、m-又はo-クロロメチルスチレン）などのポリ（ハ
ロゲン置換アルキルスチレン）、ポリ（p-、m-又はo-メ
トキシスチレン）、ポリ（p-、m-又はo-エトキシスチレ
ン）などのポリ（アルコキシスチレン）、ポリ（p-、m-
又はo-カルボキシメチルスチレン）などのポリ（カルボ
キシアルキルスチレン）ポリ（p-ビニルベンジルプロピ
ルエーテル）などのポリ（アルキルエーテルスチレ
ン）、ポリ（p-トリメチルシリルスチレン）などのポリ
（アルキルシリルスチレン）、さらにはポリ（ビニルベ
ンジルジメトキシホスファイド）などが挙げられる。

【０００７】本発明においては、前記ポリスチレン系重
合体のなかで、特にポリスチレンが好適である。また、
本発明で用いるシンジオタクチック構造を有するポリス
チレン系重合体は、必ずしも単一化合物である必要はな
く、シンジオタクティシティが前記範囲内であればアタ
クチック構造やアイソタクチック構造のポリスチレン系
重合体との混合物や、共重合体及びそれらの混合物でも
よい。

【０００８】また本発明に用いるポリスチレン系重合体
は、重量平均分子量が10,000以上、更に好ましくは50,0
00以上である。重量平均分子量が10,000未満のもので
は、強伸度特性や耐熱性に優れたフィルムを得ることが
できない。重量平均分子量の上限については、特に限定
されるものではないが、1500,000以上では延伸張力の増
加に伴う破断の発生などが生じるため余り好ましくな
い。

【０００９】更に、本発明のシンジオタクチックポリス
チレン系フィルムは、公知の方法、例えば、縦延伸及び
横延伸を順に行なう逐次二軸延伸方法のほか、横・縦・
縦延伸法、縦・横・縦延伸法、縦・縦・横延伸法などの
延伸方法を採用することができ、要求される強度や寸法
安定性などの諸特性に応じて選択される。また、熱固定
処理、縦弛緩処理、横弛緩処理などを施すことができ
る。

【００１０】本発明に用いられるシンジオタクチックポ
リスチレン系重合体には必要に応じて、公知の酸化防止
剤、帯電防止剤等を適量配合したものを用いることがで
きる。配合量はシンジオタクチックポリスチレン系重合
体100 重量％に対して10重量％以下が望ましい。10重量
％を越えると延伸時に破断を起こしやすくなり、生産安
定性不良となるので好ましくない。

【００１１】本発明のシンジオタクチック構造を有する
スチレン系重合体からなるフィルムの少なくとも一方の
表面のＸ線光電子分光法により評価した極表面の炭素原
子に対する酸素原子の比率が10％以上であることが好ま
しい。更に好ましくは、15％以上である。極表面の炭素
原子に対する酸素原子の比率が10％より小さくなると、
電圧負荷時の耐湿性およびセルフヒーリング性が不良な
ものとなるため好ましくない。

【００１２】本発明のシンジオタクチック構造を有する
スチレン系重合体からなるフィルムの少なくとも一方の
表面のＸ線光電子分光法により評価した極表面の炭素原
子に対する酸素原子の比率を10％以上にする方法として
は、炭素原子に対する酸素原子の比率が10％以上である
樹脂組成物により評面層を形成する方法、表面を酸化法
により表面処理する方法、及び樹脂組成物により形成し
た表面層を酸化法により表面処理する方法等が挙げられ
る。

【００１３】樹脂組成物により表面層の形成方法として
はシンジオタクチックポリスチレン系重合体と表面形成
用樹脂組成物を溶融した状態でダイ内部又はダイの開口
部等で接合させ積層しダイから押出し急冷し無定形シー
トを作成した後延伸する方法、シンジオタクチックポリ
スチレン系重合体をダイから押出し急冷し得られた無定
形シート上もしくは一軸延伸したフィルム上に表面形成
用樹脂組成物をコーティングした後更に延伸する方法、
それぞれ別々に延伸したフィルムを接着し重ね合せるす
る方法等が挙げられる。

【００１４】本発明のシンジオタクチックポリスチレン
系に積層される樹脂としてはポリエチレン、ポリプロピ
レン、ポリブテン等のポリオレフィン系樹脂、ポリエチ
レンテレフタレート、ポリエチレンイソフタレート、ポ
リエチレン−2,6 −テレナフタレート、ポリブチレンテ
レフタレート等のポリエステル系重合体、ナイロン6、
ナイロン66、ナイロン12、ナイロン4 、ポリヘキサメチ
レンアジパミド等のポリアミド系重合体、ポリフェニレ
ンオキサイド、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポ
リエーテルスルホン、ポリフェニレンサルファイド等が
挙げられる。上記樹脂は混合物や共重合体及びそれらの
混合物でもよい。ここで、形成された表面層のＸ線光電
子分光法により評価した極表面の炭素原子に対する酸素
原子の比率が10％に満たない場合には、酸化処理等によ
って酸素原子の比率を高める必要がある。

【００１５】本発明に於いてシンジオタクチック構造を
有するスチレン系重合体からなるフィルムは少なくとも
一方の表面を酸化法により表面処理した物であることが
好ましい。酸化法による表面処理の方法としては、コロ
ナ放電処理、クロム酸化処理、火炎処理、火炎プラズマ
処理、熱風処理、オゾン・紫外線照射処理等が挙げられ
る。これらの処理のなかでは特に火炎プラズマ処理によ
る物が電圧負荷時の耐湿性およびセルフヒーリング性が
良好となるため最も好ましい。

【００１６】また、前記の三次元表面粗さ Sλa 及びSR
a は、フィルムの製膜条件、突起形成剤及び積層化等に
よって調整される。突起形成剤の種類及び添加量は三次
元表面粗さ Sλa 、SRa が所定の範囲に入るならば特に
限定されるものではないが、、例えばシリカ、二酸化チ
タン、タルク、カオリナイト、ゼオライト等の金属酸化
物、炭酸カルシウム、リン酸カルシウム、硫酸バリウム
などの金属の塩またはシリコーン樹脂、架橋ポリスチレ
ン等の有機重合体からなる粒子等の添加が例示される。
そして、これら微粒子は、いずれか一種を単独で用いて
もよく、また２種以上を併用してもよいが、使用する微
粒子の平均粒子系は0.01μｍ以上2.0 μｍ以下、特に0.
05μｍ以上1.5 μｍ以下が好ましく、粒子径のばらつき
度（標準偏差と平均粒子径との比率）が25％以下が好ま
しい。添加量はシンジオタクチックポリスチレン系重合
体100 重量％に対し0.005 重量％以上2.0 重量％以下含
有することが好ましく、特に0.1 重量％以上1.0 重量％
以下が好ましい。

【００１７】本発明のシンジオタクチックポリスチレン
系フィルムに形成された表面層の三次元表面粗さSRa お
よび Sλa は、表面層のフィルムのガラス転移温度によ
って、フィルムの走行時やコンデンサ製造時の滑剤の脱
落を抑制し、走行性に優れた物にするための最適な範囲
が異なり、下記範囲内にする必要があることが分かっ
た。 SRa ≧0.01 3+4 ×(Tgc−Tgs)／Tgc ≦ Sλa ≦20+10 ×(Tgc−Tgs)
／Tgc ここで、Tgc はシンジオタクチックポリスチレン系フィ
ルム層のガラス転移温度 Tgs は表面層のガラス転移温度 SRa がこの範囲を外れた場合には走行性不良となりフィ
ルムの製造時及びコンデンサ製造時にロールとの接触に
よりしわ及び傷等の欠点が発生するため好ましくない。
また、 Sλa が3+4 ×(Tgc−Tgs)／Tgc 未満になった場
合には走行性が不良となる。更に、 Sλa が20+10 ×(T
gc−Tgs)／Tgc より大きくなった場合には、突起の削れ
に伴う白粉が生じ、耐磨耗性不良となるため好ましくな
い。

【００１８】本発明に於いて表面層の厚みはフィルム全
体の厚みの30％以下であることが好ましい。30％より厚
い場合には静電容量や誘電正接の温度、周波数特性等の
電気特性および耐熱性が不良になるため好ましくない。
厚みの下限については特に限定されないが、0.005 μm
より薄くなるとセルフヒーリング性の改良効果が得られ
にくくなるため好ましくない。

【００１９】また、本発明に於いてシンジオタクチック
構造を有するスチレン系重合体からなるフィルムの誘電
正接（25℃、1kHz）は0.001 以下であることが好まし
い。誘電正接（25℃、1kHz）が0.001 より大きくなった
場合、シンジオタクチックポリスチレン系重合体からな
るフィルムの持つ良好な電気特性が、積層された表面層
の樹脂の特性の影響等を受けたことにより、損なわれた
物となるため好ましくない。

【００２０】更に、本発明に於いてこれらのポリスチレ
ン系フィルムの少なくとも片面に金属薄膜層を形成した
金属化シンジオタクチックポリスチレン系フィルムを用
いたコンデンサは、コンデンサ製造工程における滑剤の
脱落が抑制され、且つ走行性に優れているため得られた
コンデンサの特性のバラツキが減少し、収率が向上す
る。また、得られたコンデンサは電圧負荷時の耐湿性お
よびセルフヒーリング性が改良された物となる。

【００２１】

【実施例】以下に実施例にて本発明を具体的に説明する
が、本発明はこれら実施例のみに限定されるものではな
い。なお、フィルムの評価方法を以下に示す。

【００２２】（１）三次元表面粗さ Sλa 、SRa フィルム表面を触針式３次元表面粗さ計（SE-3AK, 株式
会社小坂研究所社製）を用いて、針の半径２μｍ、荷重
30mgの条件化に、フィルムの長手方向にカットオフ値0.
25mmで、測定長1mm にわたって測定し、２μm ピッチで
500 点に分割し、各点の高さを３次元粗さ解析装置（SP
A-11) に取り込ませた。これと同様の操作をフィルムの
幅方向について２μm 間隔で連続的に150 回、即ちフィ
ルムの幅方向0.3mm にわたって行ない、解析装置にデー
タを取り込ませた。次に、解析装置を用いて、 Sλa お
よびSRa を求めた。

【００２３】（２）ガラス転移温度 理学電気株式会社製 THERMOFLEX DSC-8230を用いて、
昇温速度は20℃/ 分、サンプル重量は５mgの条件で測定
した。

【００２４】（３）Ｘ線光電子分光法による極表面の炭
素原子に対する酸素原子の比率（O/C比） 炭素原子に対する酸素原子の比率は、株式会社島津製作
所製 ESCA-850により、光源にMg-Kα線（1254ev ）を
用い、極表面に存在する炭素原子と酸素原子との比率を
評価した。表面層の極表面の炭素原子に対する酸素原子
の比率（％）＝（酸素原子／炭素原子）×１００。

【００２５】（４）誘電正接 横河・ヒューレットパッカード株式会社製 4192A LF
IMPEDANCE ANALYZERを用いて、25℃、1kHzにおける誘
電正接を評価した。

【００２６】（５）フィルムの走行性および耐削れ性 フィルムを細幅にスリットしたテープ状とし、これを金
属製ガイドロールにこすり付けて高速でかつ長時間走行
させ、このガイドロール擦過後のテープ張力の大小およ
びガイドロールの表面に発生する白紛量の多少を、それ
ぞれ以下に示すように５段階評価し、ランク付けした。 （イ）走行性 １級；張力大（擦り傷非常に多い） ２級；張力やや大（擦り傷多い） ３級；張力中（擦り傷ややあり） ４級；張力やや小（擦り傷ほとんどなし） ５級；張力小（擦り傷発生なし） （ロ）耐削れ性 １級；白紛の発生非常に多い ２級；白紛に発生多い ３級；白紛の発生ややあり ４級；白紛の発生ほぼなし ５級；白紛の発生なし

【００２７】（６）電圧負荷時の耐湿性 コンデンサを60℃、95％RHの雰囲気下で、100V（DC）の
電圧を印加し1000時間エージングして静電容量変化率を
横河・ヒューレットパッカード株式会社製 4192A LF
IMPEDANCE ANALYZERを用いて測定した。これをΔC ／
C （％）で示し、この静電容量変化率が小さいいほど耐
湿性が良好である。ここで、C はエージング前の静電容
量、ΔC はエージング前の静電容量からエージング後の
静電容量を引いた値である。判定は以下に示すように５
段階評価し、ランク付けした。 １級；−20＞ΔC ／C ２級；−10＞ΔC ／C ≧−20 ３級； −5 ＞ΔC ／C ≧−10 ４級； 0＞ΔC ／C ≧−5 ５級； ΔC ／C ≧0

【００２８】（７）セルフヒーリング性（SH性） 片側に厚さ600 Åのアルミニウムを蒸着したポリスチレ
ン系フィルムを、一辺１cmの正方形に切り、２枚重ね合
せ、更に一辺２cmのゴム板に挟み、２kgの荷重をかけ
た。この状態で、蒸着フィルムに電圧を印加し絶縁破壊
を発生させセルフヒーリング性の有無をサンプル数20個
で評価した。 １級；セルフヒーリング性なし ２級；セルフヒーリング性ほとんどない ３級；セルフヒーリング性ない場合あり ４級；セルフヒーリング性ほとんどあり ５級；セルフヒーリング性すべてあり

【００２９】（８）温度特性 横河・ヒューレットパッカード株式会社製 4192A LF
IMPEDANCE ANALYZERを用いて、150 ℃、1kHzにおける
誘電正接で評価した。誘電正接を以下に示すように５段
階評価し、ランク付けした。 １級；0.05以上 ２級；0.01〜0.05 ３級；0.005 〜0.01 ４級；0.001 〜0.005 ５級；0.001 未満

【００３０】実施例１ 比較例１ シンジオタクチックポリスチレン（重量平均分子量2500
00）100 重量部に対して、突起形成剤として炭酸カルシ
ウム微粒子（平均粒子径=1.1μm 、ばらつき度=20％）
を30重量％含有するポリエチレンテレフタレート(IV=0.
62) 樹脂を4.0重量部添加したポリマーチップと、突起
形成剤の添加されていないポリマーチップを0.5 対9.5
の割合で混合した後、乾燥し、300 ℃で溶融し、200 μ
ｍのリップギャップのT ダイから押し出し、40℃の冷却
ロールに静電印荷法により密着・冷却固化し、44μｍの
無定形シートを得た。該無定形シートをまずロールによ
り100 ℃に予熱し、表面温度700 ℃の赤外線加熱ヒータ
ーを４本使用により更に加熱し、フィルム温度139 ℃で
縦方向に2.0 倍延伸し、更に125 ℃で縦方向に1.8倍延
伸した。ついでテンターで、フィルムを120 ℃に予熱
し、横方向に延伸温度120 ℃で2.0 倍延伸し、更に150
℃で1.6 倍横方向に延伸した後、260 ℃で熱固定した。
得られたポリスチレン系フィルムの厚みは4 μｍであっ
た。更に、両方の表面を100m/ 分（実施例１）、200m/
分（比較例１）の処理速度で火炎プラズマ処理した。得
られたフィルムの塗布面上にアルミニウムを500 Å蒸着
し巻回型フィルムコンデンサを試作した。フィルムおよ
びコンデンサ特性を表１に示す。

【００３１】実施例２、３ 比較例２ (a) ポリエステル水溶液の調整 バイロナール MD1200( 東洋紡績株式会社製) 20重量部（固形分25％） 水 36重量部 イソプロピルアルコール 36重量部 ベンジルアルコール 8 重量部

【００３２】(b) 積層フィルムの製造 シンジオタクチックポリスチレン（重量平均分子量2500
00）100 重量部に対して、突起形成剤として炭酸カルシ
ウム微粒子（平均粒子径=1.1μm 、ばらつき度=20 ％）
を30重量％含有するポリエチレンテレフタレート(IV=0.
62) 樹脂を4.0重量部添加したポリマーチップと、突起
形成剤の添加されていないポリマーチップを0.2 対9.8
（比較例１）、0.5 対9.5 （実施例１）、１対９（実施
例２）の割合で混合した後、乾燥し、300 ℃で溶融し、
200 μｍのリップギャップのT ダイから押し出し、40℃
の冷却ロールに静電印荷法により密着・ 冷却固化し、44
μｍの無定形シートを得た。該無定形シートをまずロー
ルにより100 ℃に予熱し、表面温度700 ℃の赤外線加熱
ヒーターを４本使用により更に加熱し、フィルム温度13
9 ℃で縦方向に2.0 倍延伸し、更に125 ℃で縦方向に1.
8 倍延伸した。該一軸延伸フィルムに上記(a) で得た塗
工液をバーコート法により両面に塗布した。ついでテン
ターで、フィルムを120 ℃に予熱し、横方向に延伸温度
120 ℃で2.0倍延伸し、更に150 ℃で1.6 倍横方向に延
伸した後、260 ℃で熱固定した。得られた積層フィルム
全体の厚みは４μｍ、表面層の厚みの合計は0.1 μm
で、均一な塗布膜であった。得られたフィルムの塗布面
上にアルミニウムを500 Å蒸着し巻回型フィルムコンデ
ンサを試作した。フィルムおよびコンデンサ特性を表１
に示す。

【００３３】比較例３ シンジオタクチックポリスチレン（重量平均分子量2500
00）100 重量部に対して、突起形成剤として炭酸カルシ
ウム微粒子（平均粒子径=1.1μm 、ばらつき度=20 ％）
を3.0 重量部添加したポリマーチップと、突起形成剤の
添加されていないポリマーチップを重量比で0.5 対9.5
の割合で混合し、使用した以外は実施例１と同様に実施
した。得られたフィルムの塗布面上にアルミニウムを50
0 Å蒸着し巻回型フィルムコンデンサを試作した。フィ
ルムおよびコンデンサ特性を表１に示す。

【００３４】実施例４、５ 比較例４ シンジオタクチックポリスチレン（重量平均分子量2500
00）100 重量部に対して、突起形成剤として炭酸カルシ
ウム微粒子（平均粒子径=1.1μm 、ばらつき度=20 ％）
を3.0 重量部添加したポリマーチップと、突起形成剤の
添加されていないポリマーチップを重量比で１対９の割
合で混合したものと、表面層として突起形成剤を含まな
いポリエチレンテレフタレート（IV=0.62 ）をそれぞれ
別々の押し出し機に供給、溶融し、T ダイ中でポリエチ
レンテレフタレートが両方の表面層を形成するように接
合し、200 μｍのリップギャップのT ダイから押し出
し、40℃の冷却ロールに静電印荷法により密着・ 冷却固
化し、44μｍの無定形積層シートを得た。ここで、表面
層の厚みの合計は５μm （実施例３）、11μm （実施例
４）、14μm （比較例３）となるようにした。該無定形
シートをまずロールにより100 ℃に予熱し、表面温度70
0 ℃の赤外線加熱ヒーターを４本使用により更に加熱
し、フィルム温度139 ℃で縦方向に2.0 倍延伸し、更に
125 ℃で縦方向に1.8 倍延伸した。該一軸延伸フィルム
に上記(a) で得た塗工液をバーコート法により両面に塗
布した。ついでテンターで、フィルムを120 ℃に予熱
し、横方向に延伸温度120 ℃で2.0 倍延伸し、更に150
℃で1.6 倍横方向に延伸した後、260℃で熱固定した。
得られた積層フィルム全体の厚みは4 μｍであった。得
られたフィルムの塗布面上にアルミニウムを500 Å蒸着
し巻回型フィルムコンデンサを試作した。フィルムおよ
びコンデンサ特性を表１に示す。

【００３５】実施例６ 比較例５ シンジオタクチックポリスチレン（重量平均分子量2500
00）100 重量部に対して、突起形成剤として炭酸カルシ
ウム微粒子（平均粒子径=1.1μm 、ばらつき度=20 ％）
を3.0 重量部添加したポリマーチップと、突起形成剤の
添加されていないポリマーチップを重量比で1 対9 の割
合で混合したものと、表面層として突起形成剤を含まな
いポリエチレン−2,6 −テレナフタレート（実施例
５）、ポリフェニレンサルファイド（比較例４）をそれ
ぞれ別々の押し出し機に供給、溶融し、T ダイ中でポリ
エチレン−2,6 −テレナフタレートまたはポリフェニレ
ンサルファイドが両方の表面層を形成するように接合
し、200 μｍのリップギャップのT ダイから押し出し、
40℃の冷却ロールに静電印荷法により密着・ 冷却固化
し、44μｍの無定形積層シートを得た。ここで、表面層
の厚みの合計は1.0 μm となるようにした。該無定形シ
ートをまずロールにより100 ℃に予熱し、表面温度700
℃の赤外線加熱ヒーターを４本使用により更に加熱し、
フィルム温度139 ℃で縦方向に2.0 倍延伸し、更に125
℃で縦方向に1.8 倍延伸した。ついでテンターで、フィ
ルムを120 ℃に予熱し、横方向に延伸温度120 ℃で2.0
倍延伸し、更に150 ℃で1.6 倍横方向に延伸した後、26
0 ℃で熱固定した。得られた積層フィルム全体の厚みは
４μｍであった。得られたフィルムの塗布面上にアルミ
ニウムを500 Å蒸着し巻回型フィルムコンデンサを試作
した。フィルムおよびコンデンサ特性を表1 に示す。

【００３６】実施例７ シンジオタクチックポリスチレン（重量平均分子量2500
00）100 重量部に対して、突起形成剤として炭酸カルシ
ウム微粒子（平均粒子径=1.1μm 、ばらつき度=20 ％）
を3.0 重量部添加したポリマーチップと、突起形成剤の
添加されていないポリマーチップを重量比で１対９の割
合で混合したものと、表面層として突起形成剤を含まな
いポリプロピレンをそれぞれ別々の押し出し機に供給、
溶融し、T ダイ中でポリプロピレンが両方の表面層を形
成するように接合し、200 μｍのリップギャップのT ダ
イから押し出し、40℃の冷却ロールに静電印荷法により
密着・ 冷却固化し、44μｍの無定形積層シートを得た。
ここで、表面層の厚みの合計は1.0 μm となるようにし
た。該無定形シートをまずロールにより100 ℃に予熱
し、表面温度700 ℃の赤外線加熱ヒーターを４本使用に
より更に加熱し、フィルム温度139 ℃で縦方向に2.0 倍
延伸し、更に125 ℃で縦方向に1.8 倍延伸した。ついで
テンターで、フィルムを120 ℃に予熱し、横方向に延伸
温度120 ℃で2.0 倍延伸し、更に150 ℃で1.6 倍横方向
に延伸した後、260 ℃で熱固定した。得られた積層フィ
ルム全体の厚みは４μｍであった。更に、ポリプロピレ
ンで形成された表面を100m/ 分の処理速度で火炎プラズ
マ処理した。得られたフィルムの塗布面上にアルミニウ
ムを500 Å蒸着し巻回型フィルムコンデンサを試作し
た。フィルムおよびコンデンサ特性を表1 に示す。

【００３７】

【表１】 表１より、実施例１〜６で得られたフィルムは、フィル
ムの製造時やコンデンサ製造時のフィルムの走行性、耐
削れ性に優れ、且つ電圧負荷時の耐湿性、セルフヒーリ
ング性が改良されたシンジオタクチックポリスチレン系
フィルムおよびコンデンサであった。

【００３８】

【発明の効果】以上、記載のとおり、本発明は前記特許
請求の範囲に記載のとおりの構成を採用することによ
り、フィルムの製造時やコンデンサ製造時のフィルムの
走行性、耐削れ性に優れ、且つ電圧負荷時の耐湿性、セ
ルフヒーリング性が改良されたシンジオタクチックポリ
スチレン系フィルムおよびコンデンサが提供され、従っ
て、本発明の工業的価値は大である。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ０８Ｊ 7/00 ＣＥＴ Ａ 7/04 Ｋ Ｈ０１Ｇ 4/18 // Ｃ０８Ｌ 25:00

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 シンジオタクチック構造を有するスチレ
   ン系重合体からなるフィルムの少なくとも一方の表面の
   Ｘ線光電子分光法により評価した極表面の炭素原子に対
   する酸素原子の比率が10％以上であることを特徴とする
   ポリスチレン系フィルム。
2. 【請求項２】 シンジオタクチック構造を有するスチレ
   ン系重合体からなるフィルムの少なくとも一方の表面に
   樹脂組成物からなる表面層が形成されたことを特徴とす
   る請求項１記載のポリスチレン系フィルム。
3. 【請求項３】 シンジオタクチック構造を有するスチレ
   ン系重合体からなるフィルムの少なくとも一方の表面を
   酸化法により表面処理したことを特徴とする請求項１記
   載のポリスチレン系フィルム。
4. 【請求項４】 シンジオタクチック構造を有するスチレ
   ン系重合体からなるフィルムの少なくとも一方の表面に
   樹脂組成物からなる表面層を形成し、該表面層を酸化法
   により表面処理したことを特徴とする請求項１記載のポ
   リスチレン系フィルム。
5. 【請求項５】 シンジオタクチック構造を有するスチレ
   ン系重合体からなるフィルムの少なくとも一方の表面の
   三次元表面粗さSRa が0.01（μm ）以上、且つSλa
   （μm ）とガラス転移温度が下記の関係を満足すること
   を特徴とする請求項１記載のポリスチレン系フィルム。 3+4 ×(Tgc−Tgs)／Tgc ≦ Sλa ≦20+10 ×(Tgc−Tgs)
   ／Tgc ここで、Tgc はシンジオタクチックポリスチレン系フィ
   ルム層のガラス転移温度 Tgs は表面層のガラス転移温度
6. 【請求項６】 シンジオタクチック構造を有するスチレ
   ン系重合体からなるフィルムの少なくとも一方の表面に
   樹脂組成物からなる表面層を形成し、該表面層の厚みが
   フィルム全体の厚みの30％以下であることを特徴とする
   請求項２または４記載のポリスチレン系フィルム。
7. 【請求項７】 フィルムの誘電正接（25℃、1kHz）が0.
   001 以下であることを特徴とする請求項１記載のポリス
   チレン系フィルム。
8. 【請求項８】 請求項１記載のシンジオタクチックポリ
   スチレン系フィルムの少なくとも片面に金属薄膜層を形
   成した金属化シンジオタクチックポリスチレン系フィル
   ムを用いたことを特徴とするコンデンサ。