JPH0850356A - ポジ型フォトレジスト - Google Patents
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- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 title claims abstract description 19
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 claims abstract description 56
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims abstract description 24
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 22
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 claims abstract description 13
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 11
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims abstract description 11
- 125000004185 ester group Chemical group 0.000 claims abstract description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 66
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 63
- CCTFMNIEFHGTDU-UHFFFAOYSA-N 3-methoxypropyl acetate Chemical compound COCCCOC(C)=O CCTFMNIEFHGTDU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 37
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 35
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 32
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 31
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 28
- -1 triphenylsulfonium hexafluoroantimonate Chemical compound 0.000 claims description 27
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 claims description 16
- 229920001519 homopolymer Polymers 0.000 claims description 16
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 claims description 15
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 claims description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 14
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 11
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims description 10
- 125000003710 aryl alkyl group Chemical group 0.000 claims description 9
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 claims description 9
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims description 8
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 claims description 7
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 6
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 claims description 6
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 claims description 6
- 239000002585 base Substances 0.000 claims description 5
- RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-O sulfonium Chemical compound [SH3+] RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-O 0.000 claims description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 claims description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 4
- XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N hydrogen iodide Chemical class I XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 claims description 3
- 125000000962 organic group Chemical group 0.000 claims description 3
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 claims description 3
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 claims description 3
- 125000004434 sulfur atom Chemical group 0.000 claims description 3
- 125000006702 (C1-C18) alkyl group Chemical group 0.000 claims description 2
- 125000004191 (C1-C6) alkoxy group Chemical group 0.000 claims description 2
- VUBUXALTYMBEQO-UHFFFAOYSA-N 2,2,3,3,3-pentafluoro-1-phenylpropan-1-one Chemical compound FC(F)(F)C(F)(F)C(=O)C1=CC=CC=C1 VUBUXALTYMBEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 claims description 2
- 239000012954 diazonium Substances 0.000 claims description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-O diazynium Chemical compound [NH+]#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-O 0.000 claims description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 2
- 125000005537 sulfoxonium group Chemical group 0.000 claims description 2
- ITMCEJHCFYSIIV-UHFFFAOYSA-M triflate Chemical compound [O-]S(=O)(=O)C(F)(F)F ITMCEJHCFYSIIV-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 2
- WLOQLWBIJZDHET-UHFFFAOYSA-N triphenylsulfonium Chemical compound C1=CC=CC=C1[S+](C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 WLOQLWBIJZDHET-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000012953 triphenylsulfonium Substances 0.000 claims description 2
- 239000003513 alkali Substances 0.000 claims 1
- 150000003459 sulfonic acid esters Chemical class 0.000 claims 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 6
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 abstract description 5
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 abstract description 5
- 230000007774 longterm Effects 0.000 abstract 1
- 238000004321 preservation Methods 0.000 abstract 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 85
- 238000011161 development Methods 0.000 description 35
- VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N Methyl methacrylate Chemical compound COC(=O)C(C)=C VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 27
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 22
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N Methacrylic acid Chemical compound CC(=C)C(O)=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 19
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 19
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 17
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 17
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 16
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M Methacrylate Chemical compound CC(=C)C([O-])=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 14
- JIGUQPWFLRLWPJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acrylate Chemical compound CCOC(=O)C=C JIGUQPWFLRLWPJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- PNJWIWWMYCMZRO-UHFFFAOYSA-N pent‐4‐en‐2‐one Natural products CC(=O)CC=C PNJWIWWMYCMZRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- QHGUPRQTQITEPO-UHFFFAOYSA-N oxan-2-yl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CC(=C)C(=O)OC1CCCCO1 QHGUPRQTQITEPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 9
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 8
- BAPJBEWLBFYGME-UHFFFAOYSA-N Methyl acrylate Chemical compound COC(=O)C=C BAPJBEWLBFYGME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 7
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- KTALPKYXQZGAEG-UHFFFAOYSA-N 2-propan-2-ylthioxanthen-9-one Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC(C(C)C)=CC=C3SC2=C1 KTALPKYXQZGAEG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 241001454667 Perga Species 0.000 description 6
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- HIDBROSJWZYGSZ-UHFFFAOYSA-N 1-phenylpyrrole-2,5-dione Chemical compound O=C1C=CC(=O)N1C1=CC=CC=C1 HIDBROSJWZYGSZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical group [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 5
- IMHBYKMAHXWHRP-UHFFFAOYSA-N anilazine Chemical compound ClC1=CC=CC=C1NC1=NC(Cl)=NC(Cl)=N1 IMHBYKMAHXWHRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- CQEYYJKEWSMYFG-UHFFFAOYSA-N butyl acrylate Chemical compound CCCCOC(=O)C=C CQEYYJKEWSMYFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 150000001721 carbon Chemical group 0.000 description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 5
- WDQMWEYDKDCEHT-UHFFFAOYSA-N 2-ethylhexyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CCCCC(CC)COC(=O)C(C)=C WDQMWEYDKDCEHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- WOBHKFSMXKNTIM-UHFFFAOYSA-N Hydroxyethyl methacrylate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCCO WOBHKFSMXKNTIM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ISAOCJYIOMOJEB-UHFFFAOYSA-N benzoin Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(O)C(=O)C1=CC=CC=C1 ISAOCJYIOMOJEB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000002734 metacrylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 4
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 4
- 238000010526 radical polymerization reaction Methods 0.000 description 4
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 4
- MCTWTZJPVLRJOU-UHFFFAOYSA-N 1-methyl-1H-imidazole Chemical compound CN1C=CN=C1 MCTWTZJPVLRJOU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- JKNCOURZONDCGV-UHFFFAOYSA-N 2-(dimethylamino)ethyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CN(C)CCOC(=O)C(C)=C JKNCOURZONDCGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CPGPAVAKSZHMBP-UHFFFAOYSA-N 9-methylanthracene Chemical compound C1=CC=C2C(C)=C(C=CC=C3)C3=CC2=C1 CPGPAVAKSZHMBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RWRDLPDLKQPQOW-UHFFFAOYSA-N Pyrrolidine Chemical compound C1CCNC1 RWRDLPDLKQPQOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N Triethylamine Chemical compound CCN(CC)CC ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 3
- 150000001735 carboxylic acids Chemical class 0.000 description 3
- RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N imidazole Natural products C1=CNC=N1 RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- FGWRVVZMNXRWDQ-UHFFFAOYSA-N oxan-2-yl prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OC1CCCCO1 FGWRVVZMNXRWDQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000003254 radicals Chemical class 0.000 description 3
- ISXSCDLOGDJUNJ-UHFFFAOYSA-N tert-butyl prop-2-enoate Chemical compound CC(C)(C)OC(=O)C=C ISXSCDLOGDJUNJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RUFPHBVGCFYCNW-UHFFFAOYSA-N 1-naphthylamine Chemical compound C1=CC=C2C(N)=CC=CC2=C1 RUFPHBVGCFYCNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxy-5-methylphenyl)ethanamine Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1CCN SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 2-Propenoic acid Natural products OC(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229940093475 2-ethoxyethanol Drugs 0.000 description 2
- OMIGHNLMNHATMP-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxyethyl prop-2-enoate Chemical compound OCCOC(=O)C=C OMIGHNLMNHATMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KGIGUEBEKRSTEW-UHFFFAOYSA-N 2-vinylpyridine Chemical compound C=CC1=CC=CC=N1 KGIGUEBEKRSTEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 4-Butyrolactone Chemical compound O=C1CCCO1 YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IRQWEODKXLDORP-UHFFFAOYSA-N 4-ethenylbenzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=C(C=C)C=C1 IRQWEODKXLDORP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLSZMDLNRCVEIJ-UHFFFAOYSA-N 4-methylimidazole Chemical compound CC1=CNC=N1 XLSZMDLNRCVEIJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N Aniline Chemical compound NC1=CC=CC=C1 PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004342 Benzoyl peroxide Substances 0.000 description 2
- OMPJBNCRMGITSC-UHFFFAOYSA-N Benzoylperoxide Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)OOC(=O)C1=CC=CC=C1 OMPJBNCRMGITSC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 206010011878 Deafness Diseases 0.000 description 2
- XTHFKEDIFFGKHM-UHFFFAOYSA-N Dimethoxyethane Chemical compound COCCOC XTHFKEDIFFGKHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YNQLUTRBYVCPMQ-UHFFFAOYSA-N Ethylbenzene Chemical compound CCC1=CC=CC=C1 YNQLUTRBYVCPMQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JLTDJTHDQAWBAV-UHFFFAOYSA-N N,N-dimethylaniline Chemical compound CN(C)C1=CC=CC=C1 JLTDJTHDQAWBAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AFBPFSWMIHJQDM-UHFFFAOYSA-N N-methylaniline Chemical compound CNC1=CC=CC=C1 AFBPFSWMIHJQDM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NQRYJNQNLNOLGT-UHFFFAOYSA-N Piperidine Chemical compound C1CCNCC1 NQRYJNQNLNOLGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 244000028419 Styrax benzoin Species 0.000 description 2
- 235000000126 Styrax benzoin Nutrition 0.000 description 2
- 235000008411 Sumatra benzointree Nutrition 0.000 description 2
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N Vinyl acetate Chemical compound CC(=O)OC=C XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N Vinyl chloride Chemical compound ClC=C BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 2
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 description 2
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229960002130 benzoin Drugs 0.000 description 2
- 235000019400 benzoyl peroxide Nutrition 0.000 description 2
- AOJOEFVRHOZDFN-UHFFFAOYSA-N benzyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCC1=CC=CC=C1 AOJOEFVRHOZDFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GCTPMLUUWLLESL-UHFFFAOYSA-N benzyl prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OCC1=CC=CC=C1 GCTPMLUUWLLESL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 2
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 125000002915 carbonyl group Chemical group [*:2]C([*:1])=O 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- RWGFKTVRMDUZSP-UHFFFAOYSA-N cumene Chemical compound CC(C)C1=CC=CC=C1 RWGFKTVRMDUZSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BGTOWKSIORTVQH-UHFFFAOYSA-N cyclopentanone Chemical compound O=C1CCCC1 BGTOWKSIORTVQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DMBHHRLKUKUOEG-UHFFFAOYSA-N diphenylamine Chemical compound C=1C=CC=CC=1NC1=CC=CC=C1 DMBHHRLKUKUOEG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 2
- 235000019382 gum benzoic Nutrition 0.000 description 2
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 2
- CATSNJVOTSVZJV-UHFFFAOYSA-N heptan-2-one Chemical compound CCCCCC(C)=O CATSNJVOTSVZJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NAQMVNRVTILPCV-UHFFFAOYSA-N hexane-1,6-diamine Chemical compound NCCCCCCN NAQMVNRVTILPCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003999 initiator Substances 0.000 description 2
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 2
- 229910001507 metal halide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000005309 metal halides Chemical class 0.000 description 2
- 125000000956 methoxy group Chemical group [H]C([H])([H])O* 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 2
- BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N pyrene Chemical compound C1=CC=C2C=CC3=CC=CC4=CC=C1C2=C43 BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- 125000001273 sulfonato group Chemical group [O-]S(*)(=O)=O 0.000 description 2
- HJUGFYREWKUQJT-UHFFFAOYSA-N tetrabromomethane Chemical compound BrC(Br)(Br)Br HJUGFYREWKUQJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- 239000000080 wetting agent Substances 0.000 description 2
- WBYWAXJHAXSJNI-VOTSOKGWSA-M .beta-Phenylacrylic acid Natural products [O-]C(=O)\C=C\C1=CC=CC=C1 WBYWAXJHAXSJNI-VOTSOKGWSA-M 0.000 description 1
- JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-triazine Chemical compound C1=CN=NN=C1 JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WSLDOOZREJYCGB-UHFFFAOYSA-N 1,2-Dichloroethane Chemical compound ClCCCl WSLDOOZREJYCGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KNKRKFALVUDBJE-UHFFFAOYSA-N 1,2-dichloropropane Chemical compound CC(Cl)CCl KNKRKFALVUDBJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FVXNLWRKEVZHKO-UHFFFAOYSA-N 1-chlorohexan-2-one Chemical compound CCCCC(=O)CCl FVXNLWRKEVZHKO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DBZKLCIHFPDWMJ-UHFFFAOYSA-N 1-ethoxyethyl prop-2-enoate Chemical group CCOC(C)OC(=O)C=C DBZKLCIHFPDWMJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UXQLRDMDVHCHJS-UHFFFAOYSA-N 1-ethoxypropyl prop-2-enoate Chemical compound CCOC(CC)OC(=O)C=C UXQLRDMDVHCHJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WJFKNYWRSNBZNX-UHFFFAOYSA-N 10H-phenothiazine Chemical compound C1=CC=C2NC3=CC=CC=C3SC2=C1 WJFKNYWRSNBZNX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JAHNSTQSQJOJLO-UHFFFAOYSA-N 2-(3-fluorophenyl)-1h-imidazole Chemical compound FC1=CC=CC(C=2NC=CN=2)=C1 JAHNSTQSQJOJLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SJIXRGNQPBQWMK-UHFFFAOYSA-N 2-(diethylamino)ethyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CCN(CC)CCOC(=O)C(C)=C SJIXRGNQPBQWMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QHVBLSNVXDSMEB-UHFFFAOYSA-N 2-(diethylamino)ethyl prop-2-enoate Chemical compound CCN(CC)CCOC(=O)C=C QHVBLSNVXDSMEB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DPBJAVGHACCNRL-UHFFFAOYSA-N 2-(dimethylamino)ethyl prop-2-enoate Chemical compound CN(C)CCOC(=O)C=C DPBJAVGHACCNRL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HUHXLHLWASNVDB-UHFFFAOYSA-N 2-(oxan-2-yloxy)oxane Chemical group O1CCCCC1OC1OCCCC1 HUHXLHLWASNVDB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BEWCNXNIQCLWHP-UHFFFAOYSA-N 2-(tert-butylamino)ethyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCCNC(C)(C)C BEWCNXNIQCLWHP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KDAKDBASXBEFFK-UHFFFAOYSA-N 2-(tert-butylamino)ethyl prop-2-enoate Chemical compound CC(C)(C)NCCOC(=O)C=C KDAKDBASXBEFFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GOXQRTZXKQZDDN-UHFFFAOYSA-N 2-Ethylhexyl acrylate Chemical compound CCCCC(CC)COC(=O)C=C GOXQRTZXKQZDDN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 2-METHOXYETHANOL Chemical compound COCCO XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PTJDGKYFJYEAOK-UHFFFAOYSA-N 2-butoxyethyl prop-2-enoate Chemical compound CCCCOCCOC(=O)C=C PTJDGKYFJYEAOK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SVONRAPFKPVNKG-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethyl acetate Chemical compound CCOCCOC(C)=O SVONRAPFKPVNKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CUKVGYQSIHWKAV-UHFFFAOYSA-N 2-methylprop-2-enamide;2-methylprop-2-enoic acid Chemical compound CC(=C)C(N)=O.CC(=C)C(O)=O CUKVGYQSIHWKAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JBIJLHTVPXGSAM-UHFFFAOYSA-N 2-naphthylamine Chemical compound C1=CC=CC2=CC(N)=CC=C21 JBIJLHTVPXGSAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CPHGOBGXZQKCKI-UHFFFAOYSA-N 4,5-diphenyl-1h-imidazole Chemical compound N1C=NC(C=2C=CC=CC=2)=C1C1=CC=CC=C1 CPHGOBGXZQKCKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HLBLWEWZXPIGSM-UHFFFAOYSA-N 4-Aminophenyl ether Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1OC1=CC=C(N)C=C1 HLBLWEWZXPIGSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KFDVPJUYSDEJTH-UHFFFAOYSA-N 4-ethenylpyridine Chemical compound C=CC1=CC=NC=C1 KFDVPJUYSDEJTH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QZHXKQKKEBXYRG-UHFFFAOYSA-N 4-n-(4-aminophenyl)benzene-1,4-diamine Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1NC1=CC=C(N)C=C1 QZHXKQKKEBXYRG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZWAPMFBHEQZLGK-UHFFFAOYSA-N 5-(dimethylamino)-2-methylidenepentanamide Chemical compound CN(C)CCCC(=C)C(N)=O ZWAPMFBHEQZLGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TYOXIFXYEIILLY-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-2-phenyl-1h-imidazole Chemical compound N1C(C)=CN=C1C1=CC=CC=C1 TYOXIFXYEIILLY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FLCAEMBIQVZWIF-UHFFFAOYSA-N 6-(dimethylamino)-2-methylhex-2-enamide Chemical compound CN(C)CCCC=C(C)C(N)=O FLCAEMBIQVZWIF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical group [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WBYWAXJHAXSJNI-SREVYHEPSA-N Cinnamic acid Chemical compound OC(=O)\C=C/C1=CC=CC=C1 WBYWAXJHAXSJNI-SREVYHEPSA-N 0.000 description 1
- 229920008712 Copo Polymers 0.000 description 1
- 229910021591 Copper(I) chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N Dihydrogen sulfide Chemical class S RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XXRCUYVCPSWGCC-UHFFFAOYSA-N Ethyl pyruvate Chemical compound CCOC(=O)C(C)=O XXRCUYVCPSWGCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N Ethylenediamine Chemical compound NCCN PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Propanedioic acid Natural products OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000002318 adhesion promoter Substances 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 229910052910 alkali metal silicate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 1
- 125000005250 alkyl acrylate group Chemical group 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 1
- ROOXNKNUYICQNP-UHFFFAOYSA-N ammonium peroxydisulfate Substances [NH4+].[NH4+].[O-]S(=O)(=O)OOS([O-])(=O)=O ROOXNKNUYICQNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VAZSKTXWXKYQJF-UHFFFAOYSA-N ammonium persulfate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[O-]S(=O)OOS([O-])=O VAZSKTXWXKYQJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001870 ammonium persulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 125000000129 anionic group Chemical group 0.000 description 1
- ILFFFKFZHRGICY-UHFFFAOYSA-N anthracene-1-sulfonic acid Chemical compound C1=CC=C2C=C3C(S(=O)(=O)O)=CC=CC3=CC2=C1 ILFFFKFZHRGICY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 150000004982 aromatic amines Chemical class 0.000 description 1
- 150000007514 bases Chemical class 0.000 description 1
- 229960003328 benzoyl peroxide Drugs 0.000 description 1
- ZLSMCQSGRWNEGX-UHFFFAOYSA-N bis(4-aminophenyl)methanone Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1C(=O)C1=CC=C(N)C=C1 ZLSMCQSGRWNEGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012662 bulk polymerization Methods 0.000 description 1
- 150000004649 carbonic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 125000002091 cationic group Chemical group 0.000 description 1
- 239000003518 caustics Substances 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 150000008280 chlorinated hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000001309 chloro group Chemical group Cl* 0.000 description 1
- 229930016911 cinnamic acid Natural products 0.000 description 1
- 235000013985 cinnamic acid Nutrition 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 238000007334 copolymerization reaction Methods 0.000 description 1
- OXBLHERUFWYNTN-UHFFFAOYSA-M copper(I) chloride Chemical compound [Cu]Cl OXBLHERUFWYNTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L copper(II) chloride Chemical compound Cl[Cu]Cl ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- LDHQCZJRKDOVOX-NSCUHMNNSA-N crotonic acid Chemical compound C\C=C\C(O)=O LDHQCZJRKDOVOX-NSCUHMNNSA-N 0.000 description 1
- 238000007766 curtain coating Methods 0.000 description 1
- 230000001627 detrimental effect Effects 0.000 description 1
- SBZXBUIDTXKZTM-UHFFFAOYSA-N diglyme Chemical compound COCCOCCOC SBZXBUIDTXKZTM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZZTCPWRAHWXWCH-UHFFFAOYSA-N diphenylmethanediamine Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(N)(N)C1=CC=CC=C1 ZZTCPWRAHWXWCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 1
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000007590 electrostatic spraying Methods 0.000 description 1
- 239000000839 emulsion Substances 0.000 description 1
- 238000007720 emulsion polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 125000001301 ethoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 description 1
- SUPCQIBBMFXVTL-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CCOC(=O)C(C)=C SUPCQIBBMFXVTL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 229940117360 ethyl pyruvate Drugs 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N fluoranthrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=C22)=C3C2=CC=CC3=C1 GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010528 free radical solution polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 1
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 150000004679 hydroxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- FBAFATDZDUQKNH-UHFFFAOYSA-M iron chloride Chemical compound [Cl-].[Fe] FBAFATDZDUQKNH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- AQBLLJNPHDIAPN-LNTINUHCSA-K iron(3+);(z)-4-oxopent-2-en-2-olate Chemical compound [Fe+3].C\C([O-])=C\C(C)=O.C\C([O-])=C\C(C)=O.C\C([O-])=C\C(C)=O AQBLLJNPHDIAPN-LNTINUHCSA-K 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 229910052743 krypton Inorganic materials 0.000 description 1
- VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N maleic acid Chemical compound OC(=O)\C=C/C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N 0.000 description 1
- 239000011976 maleic acid Substances 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910000000 metal hydroxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001463 metal phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- FQPSGWSUVKBHSU-UHFFFAOYSA-N methacrylamide Chemical compound CC(=C)C(N)=O FQPSGWSUVKBHSU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WBYWAXJHAXSJNI-UHFFFAOYSA-N methyl p-hydroxycinnamate Natural products OC(=O)C=CC1=CC=CC=C1 WBYWAXJHAXSJNI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LVHBHZANLOWSRM-UHFFFAOYSA-N methylenebutanedioic acid Natural products OC(=O)CC(=C)C(O)=O LVHBHZANLOWSRM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- YKYONYBAUNKHLG-UHFFFAOYSA-N n-Propyl acetate Natural products CCCOC(C)=O YKYONYBAUNKHLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004108 n-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000001298 n-hexoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 description 1
- 125000001280 n-hexyl group Chemical group C(CCCCC)* 0.000 description 1
- 125000000740 n-pentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000004123 n-propyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- QVEIBLDXZNGPHR-UHFFFAOYSA-N naphthalene-1,4-dione;diazide Chemical compound [N-]=[N+]=[N-].[N-]=[N+]=[N-].C1=CC=C2C(=O)C=CC(=O)C2=C1 QVEIBLDXZNGPHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001971 neopentyl group Chemical group [H]C([*])([H])C(C([H])([H])[H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- IZJVVXCHJIQVOL-UHFFFAOYSA-N nitro(phenyl)methanesulfonic acid Chemical compound OS(=O)(=O)C([N+]([O-])=O)C1=CC=CC=C1 IZJVVXCHJIQVOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 238000007645 offset printing Methods 0.000 description 1
- TWDHOQDRNBAZDE-UHFFFAOYSA-N oxan-2-yl prop-2-eneperoxoate Chemical compound C=CC(=O)OOC1CCCCO1 TWDHOQDRNBAZDE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002978 peroxides Chemical class 0.000 description 1
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 1
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 1
- 229950000688 phenothiazine Drugs 0.000 description 1
- 150000002990 phenothiazines Chemical class 0.000 description 1
- 235000021317 phosphate Nutrition 0.000 description 1
- 150000003013 phosphoric acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 1
- 238000012673 precipitation polymerization Methods 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 229940090181 propyl acetate Drugs 0.000 description 1
- LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N propylene glycol methyl ether acetate Chemical compound COCC(C)OC(C)=O LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012966 redox initiator Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 238000007763 reverse roll coating Methods 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 1
- 238000010557 suspension polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 229940066767 systemic antihistamines phenothiazine derivative Drugs 0.000 description 1
- 238000010345 tape casting Methods 0.000 description 1
- SJMYWORNLPSJQO-UHFFFAOYSA-N tert-butyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CC(=C)C(=O)OC(C)(C)C SJMYWORNLPSJQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GJBRNHKUVLOCEB-UHFFFAOYSA-N tert-butyl benzenecarboperoxoate Chemical compound CC(C)(C)OOC(=O)C1=CC=CC=C1 GJBRNHKUVLOCEB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001412 tetrahydropyranyl group Chemical group 0.000 description 1
- VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N trans-butenedioic acid Natural products OC(=O)C=CC(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LDHQCZJRKDOVOX-UHFFFAOYSA-N trans-crotonic acid Natural products CC=CC(O)=O LDHQCZJRKDOVOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IMFACGCPASFAPR-UHFFFAOYSA-N tributylamine Chemical compound CCCCN(CCCC)CCCC IMFACGCPASFAPR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YFTHZRPMJXBUME-UHFFFAOYSA-N tripropylamine Chemical compound CCCN(CCC)CCC YFTHZRPMJXBUME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NQPDZGIKBAWPEJ-UHFFFAOYSA-N valeric acid Chemical compound CCCCC(O)=O NQPDZGIKBAWPEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
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-
- G—PHYSICS
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Abstract
(57)【要約】
【目的】熱的後処理を必要とせず、長期の保存寿命をも
ちおよび良好な解像度のレリーフ構造を与える、高感光
性のポジ型フォトレジスト材料を提供する。 【構成】a)酸−活性(acid labile)α−アルコキシア
ルキルエステル基を含むホモポリマーまたはコポリマー
の少なくとも1種; b)カルボキシル基の含量が0.40ないし5.50m
ol/kgであるカルボキシル含有コポリマーの少なく
とも1種; c)化学線への露光において酸を形成する化合物の少な
くとも1種および d)有機溶媒からなる水性アルカリ媒体で現像可能なポ
ジ型フォトレジスト組成物およびこのフォトレジスト組
成物を使用するレリーフ構造の製造方法。
ちおよび良好な解像度のレリーフ構造を与える、高感光
性のポジ型フォトレジスト材料を提供する。 【構成】a)酸−活性(acid labile)α−アルコキシア
ルキルエステル基を含むホモポリマーまたはコポリマー
の少なくとも1種; b)カルボキシル基の含量が0.40ないし5.50m
ol/kgであるカルボキシル含有コポリマーの少なく
とも1種; c)化学線への露光において酸を形成する化合物の少な
くとも1種および d)有機溶媒からなる水性アルカリ媒体で現像可能なポ
ジ型フォトレジスト組成物およびこのフォトレジスト組
成物を使用するレリーフ構造の製造方法。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は水性アルカリ媒体で現像
することのできるポジ型フォトレジストおよびこのフォ
トレジスト組成物を使用するレリーフ構造の製造方法に
関する。
することのできるポジ型フォトレジストおよびこのフォ
トレジスト組成物を使用するレリーフ構造の製造方法に
関する。
【0002】
【従来の技術】異種の基材上におけるレリーフ構造のリ
ソグラフ製造はしばしば酸感受性基を含んでいるバイン
ダーおよび光酸発生剤(acid photogenerators) を含む
エッチレジストを使用して行われる。
ソグラフ製造はしばしば酸感受性基を含んでいるバイン
ダーおよび光酸発生剤(acid photogenerators) を含む
エッチレジストを使用して行われる。
【0003】特開平2−248952号ではヒドロキシ
ル基の全てまたは幾つかがテトラヒドロピラニルエーテ
ル基で置換されているフェノール樹脂を基剤とするフォ
トレジスト組成物を記載している。これらの組成物は高
い解像能力によって特徴づけられる。しかし、これらは
露光後の加熱処理を必要とする不利な点をもつ。
ル基の全てまたは幾つかがテトラヒドロピラニルエーテ
ル基で置換されているフェノール樹脂を基剤とするフォ
トレジスト組成物を記載している。これらの組成物は高
い解像能力によって特徴づけられる。しかし、これらは
露光後の加熱処理を必要とする不利な点をもつ。
【0004】特開平5−17711号は(メタ)アクリ
ル酸、テトラヒドロピラニル(メタ)アクリレートのコ
ポリマーおよびアルキルアクリレートおよび光酸発生剤
を含むエッチレジスト組成物を記載する。この組成物は
高均質性フィルムを与える電着塗布により基材に付着さ
れる。しかしこのレジストの感光性は比較的低い。加え
て、この手法もまた露光後の熱処理を必要とする。
ル酸、テトラヒドロピラニル(メタ)アクリレートのコ
ポリマーおよびアルキルアクリレートおよび光酸発生剤
を含むエッチレジスト組成物を記載する。この組成物は
高均質性フィルムを与える電着塗布により基材に付着さ
れる。しかしこのレジストの感光性は比較的低い。加え
て、この手法もまた露光後の熱処理を必要とする。
【0005】米国特許第5252427号は酸感受性基
および遊離酸基の両方を含み、そしてエッチレジストと
して慣用の光酸発生剤と共同で使用できるコポリマーを
記載する。しかし、ある種の適用に対しては、コポリマ
ーおよびそこから生成する塗膜の両方の熱安定性が不適
切である。
および遊離酸基の両方を含み、そしてエッチレジストと
して慣用の光酸発生剤と共同で使用できるコポリマーを
記載する。しかし、ある種の適用に対しては、コポリマ
ーおよびそこから生成する塗膜の両方の熱安定性が不適
切である。
【0006】ヨーロッパ特許568827号公報に記載
される酸感受性基を含むコポリマーおよび遊離酸を含む
コポリマーの混合物もまた、ポジ型フォトレジストに対
するベース樹脂として、慣用の光酸発生剤と共同で使用
することができる。これらのフォトレジストはさらに比
較的低い感光性および照射後の熱処理を必要とする不利
な点をもつ。
される酸感受性基を含むコポリマーおよび遊離酸を含む
コポリマーの混合物もまた、ポジ型フォトレジストに対
するベース樹脂として、慣用の光酸発生剤と共同で使用
することができる。これらのフォトレジストはさらに比
較的低い感光性および照射後の熱処理を必要とする不利
な点をもつ。
【0007】
【課題を解決するための手段】特定の有機ホモポリマー
またはコポリマーの混合物の使用が、熱的後処理を必要
とせず、長期の保存寿命をもちおよび良好な解像度のレ
リーフ構造を与える、高感光性のフォトレジスト材料を
与えることが今や見出された。
またはコポリマーの混合物の使用が、熱的後処理を必要
とせず、長期の保存寿命をもちおよび良好な解像度のレ
リーフ構造を与える、高感光性のフォトレジスト材料を
与えることが今や見出された。
【0008】本発明は a)酸−活性(acid labile)−アルコキシアルキルエス
テル基を含むホモポリマーまたはコポリマーの少なくと
も1種; b)カルボキシル基の含量が0.40ないし5.50m
ol/kgであるカルボキシル含有コポリマーの少なく
とも1種; c)化学線への露光において酸を形成する化合物の少な
くとも1種および d)有機溶媒;からなる水性アルカリ媒体で現像可能な
ポジ型フォトレジスト組成物に関する。
テル基を含むホモポリマーまたはコポリマーの少なくと
も1種; b)カルボキシル基の含量が0.40ないし5.50m
ol/kgであるカルボキシル含有コポリマーの少なく
とも1種; c)化学線への露光において酸を形成する化合物の少な
くとも1種および d)有機溶媒;からなる水性アルカリ媒体で現像可能な
ポジ型フォトレジスト組成物に関する。
【0009】成分(a)は好ましくは、下式Iaで表さ
れる反復構造単位の8−100重量%および下式Ibで
表される反復構造単位の92−0重量% 〔式中、Xは直接結合または、1またはそれ以上の炭素
原子が酸素原子、硫黄原子または非塩基性窒素原子によ
り置換されていてもよい1ないし18個の炭素原子を有
する2価の有機基を表し;R1 、R2 およびR3 は、互
いに独立して、水素原子、炭素原子数1ないし6のアル
キル基、炭素原子数5ないし14のアリール基、炭素原
子数6ないし20のアラルキル基、ハロゲン原子、−C
OOH、−COOR12または−CONR13R14(式中、
R12は未置換のもしくは炭素原子数1ないし6のアルコ
キシ基、ヒドロキシル基もしくはハロゲン原子で置換さ
れた炭素原子数1ないし18のアルキル基またはヒドロ
キシを末端基とするポリエーテルもしくはポリエステル
の基を表し;ならびにR13およびR14は、互いに独立し
て、水素原子、炭素原子数1ないし18のアルキル基、
炭素原子数5ないし14のアリール基もしくは炭素原子
数6ないし20のアラルキル基を表す。)を表し;R4
は炭素原子数1ないし6のアルキル基またはフェニル基
を表し;R5 は水素原子または炭素原子数1ないし6の
アルキル基を表しおよびR6 およびR7 は、互いに独立
して、水素原子、炭素原子数1ないし6のアルキル基ま
たは炭素原子数1ないし6のアルコキシ基を表し;ある
いは基R4 、R5、R6 またはR7 の2つが、それらが
結合している炭素原子または酸素原子と一緒になって、
5−ないし8員環を形成し;R8 、R9 、R10およびR
11は、互いに独立して、水素原子、炭素原子数1ないし
18のアルキル基、未置換のまたは炭素原子数1ないし
6のアルキル基、炭素原子数1ないし6のアルコキシ基
もしくはハロゲン原子で置換されたフェニル基、ハロゲ
ン原子、炭素原子数1ないし18のアルコキシ基、−C
OOR12、−OCOR12または−COOH(式中、R12
は上記に定義したと同じ意味を表す。)を表し;あるい
はR9 およびR11はそれらと結合している炭素原子と一
緒になって、構造式 (式中、R15は水素原子、炭素原子数1ないし18個の
アルキル基、炭素原子数5ないし14のアリール基、炭
素原子数6ないし20のアラルキル基を表すかまたはヒ
ドロキシル基で、アルコキシ基でもしくはハロゲン原子
で置換されたフェニル基を表す。)を有する5員環を形
成する。〕からなるホモポリマーまたはコポリマーであ
り、但し、該ホモポリマーまたはコポリマーの平均分子
量(重量平均)は1000─500,000であり、お
よびCOOH基の量は最大0.4mol/kgである。
れる反復構造単位の8−100重量%および下式Ibで
表される反復構造単位の92−0重量% 〔式中、Xは直接結合または、1またはそれ以上の炭素
原子が酸素原子、硫黄原子または非塩基性窒素原子によ
り置換されていてもよい1ないし18個の炭素原子を有
する2価の有機基を表し;R1 、R2 およびR3 は、互
いに独立して、水素原子、炭素原子数1ないし6のアル
キル基、炭素原子数5ないし14のアリール基、炭素原
子数6ないし20のアラルキル基、ハロゲン原子、−C
OOH、−COOR12または−CONR13R14(式中、
R12は未置換のもしくは炭素原子数1ないし6のアルコ
キシ基、ヒドロキシル基もしくはハロゲン原子で置換さ
れた炭素原子数1ないし18のアルキル基またはヒドロ
キシを末端基とするポリエーテルもしくはポリエステル
の基を表し;ならびにR13およびR14は、互いに独立し
て、水素原子、炭素原子数1ないし18のアルキル基、
炭素原子数5ないし14のアリール基もしくは炭素原子
数6ないし20のアラルキル基を表す。)を表し;R4
は炭素原子数1ないし6のアルキル基またはフェニル基
を表し;R5 は水素原子または炭素原子数1ないし6の
アルキル基を表しおよびR6 およびR7 は、互いに独立
して、水素原子、炭素原子数1ないし6のアルキル基ま
たは炭素原子数1ないし6のアルコキシ基を表し;ある
いは基R4 、R5、R6 またはR7 の2つが、それらが
結合している炭素原子または酸素原子と一緒になって、
5−ないし8員環を形成し;R8 、R9 、R10およびR
11は、互いに独立して、水素原子、炭素原子数1ないし
18のアルキル基、未置換のまたは炭素原子数1ないし
6のアルキル基、炭素原子数1ないし6のアルコキシ基
もしくはハロゲン原子で置換されたフェニル基、ハロゲ
ン原子、炭素原子数1ないし18のアルコキシ基、−C
OOR12、−OCOR12または−COOH(式中、R12
は上記に定義したと同じ意味を表す。)を表し;あるい
はR9 およびR11はそれらと結合している炭素原子と一
緒になって、構造式 (式中、R15は水素原子、炭素原子数1ないし18個の
アルキル基、炭素原子数5ないし14のアリール基、炭
素原子数6ないし20のアラルキル基を表すかまたはヒ
ドロキシル基で、アルコキシ基でもしくはハロゲン原子
で置換されたフェニル基を表す。)を有する5員環を形
成する。〕からなるホモポリマーまたはコポリマーであ
り、但し、該ホモポリマーまたはコポリマーの平均分子
量(重量平均)は1000─500,000であり、お
よびCOOH基の量は最大0.4mol/kgである。
【0010】2価の有機基Xは1ないし18の炭素原子
を有し、および所望ならばO、N、またはSのようなヘ
テロ原子を含んでよい2価の脂肪族、脂環式、芳香族、
アルアリファチック(araliphatic) または複素環式基の
いずれか、またはカルボニル基またはエステル基のよう
な官能基であってよい。
を有し、および所望ならばO、N、またはSのようなヘ
テロ原子を含んでよい2価の脂肪族、脂環式、芳香族、
アルアリファチック(araliphatic) または複素環式基の
いずれか、またはカルボニル基またはエステル基のよう
な官能基であってよい。
【0011】用語、非塩基性窒素原子は第四窒素原子、
または例えばカルボニル基のような電子陰性置換基を含
む窒素原子を意味する。
または例えばカルボニル基のような電子陰性置換基を含
む窒素原子を意味する。
【0012】アルキル基またはアルコキシ基であるR1
ないしR12またはフェニル基の置換基としてのアルキル
基またはアルコキシ基は直鎖または分枝鎖でよい。言及
し得る基は、メチル基、エチル基、n−プロピル基、i
−プロピル基、n−ブチル基、第二ブチル基、第三ブチ
ル基、n−ペンチル基、ネオペンチル基、n−ヘキシル
基、2−エチルヘキシル基、メトキシ基、エトキシ基、
n−プロポキシ基、i−プロポキシ基、n−ブトキシ
基、第二ブトキシ基、第三ブトキシ基、n−ペントキシ
基、ネオペントキシ基およびn−ヘキソキシ基である。
ないしR12またはフェニル基の置換基としてのアルキル
基またはアルコキシ基は直鎖または分枝鎖でよい。言及
し得る基は、メチル基、エチル基、n−プロピル基、i
−プロピル基、n−ブチル基、第二ブチル基、第三ブチ
ル基、n−ペンチル基、ネオペンチル基、n−ヘキシル
基、2−エチルヘキシル基、メトキシ基、エトキシ基、
n−プロポキシ基、i−プロポキシ基、n−ブトキシ
基、第二ブトキシ基、第三ブトキシ基、n−ペントキシ
基、ネオペントキシ基およびn−ヘキソキシ基である。
【0013】置換基としてのハロゲン原子は好ましくは
臭素原子または塩素原子である。
臭素原子または塩素原子である。
【0014】式Iaにおいて、R1 およびR2 は好まし
くは水素原子であり、およびR3 は水素原子またはメチ
ル基である。
くは水素原子であり、およびR3 は水素原子またはメチ
ル基である。
【0015】成分(a)は特に好ましくは式III (式中、R1 、R2 およびR3 は互いに独立して、水素
原子、炭素原子数1ないし6のアルキル基、フェニル基
またはハロゲン原子である。)で表される反復構造単位
からなるホモポリマーまたはコポリマーである。
原子、炭素原子数1ないし6のアルキル基、フェニル基
またはハロゲン原子である。)で表される反復構造単位
からなるホモポリマーまたはコポリマーである。
【0016】成分(a)は特に好ましくは、R1 および
R2 は水素原子を表しおよびR3 は水素原子またはメチ
ル基を表す式III の反復構造単位からなるホモポリマー
またはコポリマーである。
R2 は水素原子を表しおよびR3 は水素原子またはメチ
ル基を表す式III の反復構造単位からなるホモポリマー
またはコポリマーである。
【0017】成分(b)は好ましくは、下式IIaで表さ
れる反復構造単位の5−40重量%および下式IIbで表
される反復構造単位の95−60重量% 〔式中、Xは直接結合または、1ないし18個の炭素原
子を有し、1またはそれ以上の炭素原子が酸素原子、硫
黄原子または非塩基性窒素原子により置換されていても
よい2価の有機基を表し;R1 、R2 およびR3 は、互
いに独立して、水素原子、炭素原子数1ないし6のアル
キル基、炭素原子数5ないし14のアリール基、炭素原
子数6ないし20のアラルキル基、ハロゲン原子、−C
OOH、−COOR12,または−CONR13R14(式
中、R12は未置換のもしくは炭素原子数1ないし6のア
ルコキシ基、ヒドロキシル基もしくはハロゲン原子で置
換された炭素原子数1ないし18のアルキル基またはヒ
ドロキシを末端基とするポリエーテルもしくはポリエス
テルの基を表し;ならびにR13およびR14は、互いに独
立して、水素原子、炭素原子数1ないし18のアルキル
基、炭素原子数5ないし14のアリール基もしくは炭素
原子数6ないし20のアラルキル基を表す。)を表し;
R4 は炭素原子数1ないし6のアルキル基またはフェニ
ル基を表し;R5 は水素原子または炭素原子数1ないし
6のアルキル基を表しおよびR6 およびR7 は、互いに
独立して、水素原子、炭素原子数1ないし6のアルキル
基または炭素原子数1ないし6のアルコキシ基を表し;
あるいは基R4 、R5、R6 またはR7 の2つが、それ
らが結合している炭素原子または酸素原子と一緒になっ
て、5−ないし8員環を形成し;R8 、R9 、R10およ
びR11は、互いに独立して、水素原子、炭素原子数1な
いし18のアルキル基、未置換のまたは炭素原子数1な
いし6のアルキル基、炭素原子数1ないし6のアルコキ
シ基もしくはハロゲン原子で置換されたフェニル基、ハ
ロゲン原子、炭素原子数1ないし18のアルコキシ基、
−COOR12、−OCOR12または−COOH(式中、
R12は上記に定義したと同じ意味を表す。)を表し;あ
るいはR9 およびR11はそれらと結合している炭素原子
と一緒になって、構造式 (式中、R15は水素原子、炭素原子数1ないし18のア
ルキル基、炭素原子数5ないし14のアリール基、炭素
原子数6ないし20のアラルキル基を表すかまたはヒド
ロキシル基、アルコキシ基もしくはハロゲン置換フェニ
ル基を表す。)を有する5員環を形成する。〕からなる
ホモポリマーまたはコポリマーであり、但し、コポリマ
ーの平均分子量(重量平均)は1000−500,00
0ダルトンであり、カルボキシル基の量は0.40ない
し5.50mol/kgである。
れる反復構造単位の5−40重量%および下式IIbで表
される反復構造単位の95−60重量% 〔式中、Xは直接結合または、1ないし18個の炭素原
子を有し、1またはそれ以上の炭素原子が酸素原子、硫
黄原子または非塩基性窒素原子により置換されていても
よい2価の有機基を表し;R1 、R2 およびR3 は、互
いに独立して、水素原子、炭素原子数1ないし6のアル
キル基、炭素原子数5ないし14のアリール基、炭素原
子数6ないし20のアラルキル基、ハロゲン原子、−C
OOH、−COOR12,または−CONR13R14(式
中、R12は未置換のもしくは炭素原子数1ないし6のア
ルコキシ基、ヒドロキシル基もしくはハロゲン原子で置
換された炭素原子数1ないし18のアルキル基またはヒ
ドロキシを末端基とするポリエーテルもしくはポリエス
テルの基を表し;ならびにR13およびR14は、互いに独
立して、水素原子、炭素原子数1ないし18のアルキル
基、炭素原子数5ないし14のアリール基もしくは炭素
原子数6ないし20のアラルキル基を表す。)を表し;
R4 は炭素原子数1ないし6のアルキル基またはフェニ
ル基を表し;R5 は水素原子または炭素原子数1ないし
6のアルキル基を表しおよびR6 およびR7 は、互いに
独立して、水素原子、炭素原子数1ないし6のアルキル
基または炭素原子数1ないし6のアルコキシ基を表し;
あるいは基R4 、R5、R6 またはR7 の2つが、それ
らが結合している炭素原子または酸素原子と一緒になっ
て、5−ないし8員環を形成し;R8 、R9 、R10およ
びR11は、互いに独立して、水素原子、炭素原子数1な
いし18のアルキル基、未置換のまたは炭素原子数1な
いし6のアルキル基、炭素原子数1ないし6のアルコキ
シ基もしくはハロゲン原子で置換されたフェニル基、ハ
ロゲン原子、炭素原子数1ないし18のアルコキシ基、
−COOR12、−OCOR12または−COOH(式中、
R12は上記に定義したと同じ意味を表す。)を表し;あ
るいはR9 およびR11はそれらと結合している炭素原子
と一緒になって、構造式 (式中、R15は水素原子、炭素原子数1ないし18のア
ルキル基、炭素原子数5ないし14のアリール基、炭素
原子数6ないし20のアラルキル基を表すかまたはヒド
ロキシル基、アルコキシ基もしくはハロゲン置換フェニ
ル基を表す。)を有する5員環を形成する。〕からなる
ホモポリマーまたはコポリマーであり、但し、コポリマ
ーの平均分子量(重量平均)は1000−500,00
0ダルトンであり、カルボキシル基の量は0.40ない
し5.50mol/kgである。
【0018】成分(b)は、好ましくは、R1 およびR
2 が水素原子を表しおよびR3 が水素原子またはメチル
基を表しおよびXが直接結合を表す、式(IIa)で表さ
れる反復構造単位からなるホモポリマーまたはコポリマ
ーである。
2 が水素原子を表しおよびR3 が水素原子またはメチル
基を表しおよびXが直接結合を表す、式(IIa)で表さ
れる反復構造単位からなるホモポリマーまたはコポリマ
ーである。
【0019】式IIbの構造単位のうち、R8 およびR9
が好ましくは水素原子を表し、R10が水素原子またはメ
チル基を表し、およびR11がフェニル基または−COO
R12(式中、R12は炭素原子数1ないし18のアルキル
基を表す。)を表す。さらに好ましいものは式 (式中、R15はフェニル基を表す。)で表される反復構
造単位からなるコポリマーで与えられるものである。
が好ましくは水素原子を表し、R10が水素原子またはメ
チル基を表し、およびR11がフェニル基または−COO
R12(式中、R12は炭素原子数1ないし18のアルキル
基を表す。)を表す。さらに好ましいものは式 (式中、R15はフェニル基を表す。)で表される反復構
造単位からなるコポリマーで与えられるものである。
【0020】成分(a)および(b)のホモポリマーお
よびコポリマーはアニオン重合、カチオン重合またはグ
ループ−トランスファー重合によるまたは特には相当す
る不飽和モノマーにおけるフリーラジカル重合による公
知の方法により製造できる。
よびコポリマーはアニオン重合、カチオン重合またはグ
ループ−トランスファー重合によるまたは特には相当す
る不飽和モノマーにおけるフリーラジカル重合による公
知の方法により製造できる。
【0021】フリーラジカル重合または共重合は種々の
方法を使用して行うことができる。これらは例えば、
S.サンドラーおよびW.カロ(S. Sandler and W. Ka
ro) による、"Polymer Synthsis", Vol.1,pp3-17,1968
,Academic Press, New Yorkに記載されている。慣用
の重合法の例は塊重合および溶液重合、ならびにさらに
乳化重合、懸濁重合および沈澱重合である。
方法を使用して行うことができる。これらは例えば、
S.サンドラーおよびW.カロ(S. Sandler and W. Ka
ro) による、"Polymer Synthsis", Vol.1,pp3-17,1968
,Academic Press, New Yorkに記載されている。慣用
の重合法の例は塊重合および溶液重合、ならびにさらに
乳化重合、懸濁重合および沈澱重合である。
【0022】所望ならば、分子量は調節剤の少量を加え
ることにより調整できる。
ることにより調整できる。
【0023】重合は一般に慣用のフリーラジカル開始剤
により開始される。これらはアゾ化合物例えばα,α′
−アゾイソブチロニトリル(AIBN)または過酸化物
例えばベンゾイルパーオキサイドのような熱開始剤また
は、鉄(III )アセチルアセトネート、ベンゾインおよ
びベンゾイルパーオキサイドの混合物のようなレドック
ス開始剤系、またはベンゾインまたはベンジルジメチル
ケタールのような光化学的フリーラジカルフォーマーで
ある。
により開始される。これらはアゾ化合物例えばα,α′
−アゾイソブチロニトリル(AIBN)または過酸化物
例えばベンゾイルパーオキサイドのような熱開始剤また
は、鉄(III )アセチルアセトネート、ベンゾインおよ
びベンゾイルパーオキサイドの混合物のようなレドック
ス開始剤系、またはベンゾインまたはベンジルジメチル
ケタールのような光化学的フリーラジカルフォーマーで
ある。
【0024】重合は好ましくは溶液中で行われる。反応
温度は一般に10ないし200℃の範囲で、好ましくは
40ないし150℃の範囲で、特に好ましくは40ない
し100℃の範囲である。
温度は一般に10ないし200℃の範囲で、好ましくは
40ないし150℃の範囲で、特に好ましくは40ない
し100℃の範囲である。
【0025】存在するいずれかの溶媒は反応条件下で不
活性でなければならない。適当な溶媒の例は芳香族炭化
水素、塩素化炭化水素、アルコール、ケトンおよびエー
テルである。それらの例はベンゼン、トルエン、キシレ
ン、エチルベンゼン、イソプロピルベンゼン、塩化エチ
レン、塩化プロピレン、塩化メチレン、クロロホルム、
メチルエチルケトン、アセトン、メトキシプロピルアセ
テート、イソプロパノール、クロロヘキサノン、ジエチ
ルエーテルおよびテトラヒドロフランである。
活性でなければならない。適当な溶媒の例は芳香族炭化
水素、塩素化炭化水素、アルコール、ケトンおよびエー
テルである。それらの例はベンゼン、トルエン、キシレ
ン、エチルベンゼン、イソプロピルベンゼン、塩化エチ
レン、塩化プロピレン、塩化メチレン、クロロホルム、
メチルエチルケトン、アセトン、メトキシプロピルアセ
テート、イソプロパノール、クロロヘキサノン、ジエチ
ルエーテルおよびテトラヒドロフランである。
【0026】酸−活性α−アルコキシアルキルエステル
基を含むホモポリマーまたはコポリマーの製造のために
適当なモノマーの例は、1−エトキシエチルアクリレー
ト、メタクリレートおよびp−ビニルベンゾエート;1
−ブトキシエチルアクリレート、メタクリレートおよび
p−ビニルベンゾエート;1−エトキシ−1−プロピル
アクリレート、メタクリレートおよびp−ビニルベンゾ
エート;ならびにテトラヒドロピラニルオキシアクリレ
ート、メタクリレートおよびp−ビニルベンゾエートで
ある。
基を含むホモポリマーまたはコポリマーの製造のために
適当なモノマーの例は、1−エトキシエチルアクリレー
ト、メタクリレートおよびp−ビニルベンゾエート;1
−ブトキシエチルアクリレート、メタクリレートおよび
p−ビニルベンゾエート;1−エトキシ−1−プロピル
アクリレート、メタクリレートおよびp−ビニルベンゾ
エート;ならびにテトラヒドロピラニルオキシアクリレ
ート、メタクリレートおよびp−ビニルベンゾエートで
ある。
【0027】特に好ましいのはテトラヒドロピラニルア
クリレートおよびメタクリレートである。
クリレートおよびメタクリレートである。
【0028】酸−活性α−アルコキシアルキルエステル
基を含むモノマーは単独重合または1もしくはそれ以上
の他のモノマーとの交互共重合が可能である。
基を含むモノマーは単独重合または1もしくはそれ以上
の他のモノマーとの交互共重合が可能である。
【0029】コポリマーの製造のための適当なモノマー
の例はエチレン、プロピレン、スチレン、塩化ビニル、
酢酸ビニル、アクリル酸およびメタクリル酸、メチルア
クリレートおよびメタクリレート、エチルアクリレート
およびメタクリレート、ブチルアクリレートおよびメタ
クリレート、ベンジルアクリレートおよびメタクリレー
ト、2−エチルヘキシルアクリレートおよびメタクリレ
ート、ならびに2−ヒドロキシエチルアクリレートおよ
びメタクリレートである。
の例はエチレン、プロピレン、スチレン、塩化ビニル、
酢酸ビニル、アクリル酸およびメタクリル酸、メチルア
クリレートおよびメタクリレート、エチルアクリレート
およびメタクリレート、ブチルアクリレートおよびメタ
クリレート、ベンジルアクリレートおよびメタクリレー
ト、2−エチルヘキシルアクリレートおよびメタクリレ
ート、ならびに2−ヒドロキシエチルアクリレートおよ
びメタクリレートである。
【0030】好ましいのは、メチルアクリレート、メチ
ルメタクリレート、エチルアクリレート、ブチルアクリ
レート、ベンジルメタクリレート、2−エチルヘキシル
メタクリレートおよび2−ヒドロキシエチルメタクリレ
ートである。
ルメタクリレート、エチルアクリレート、ブチルアクリ
レート、ベンジルメタクリレート、2−エチルヘキシル
メタクリレートおよび2−ヒドロキシエチルメタクリレ
ートである。
【0031】成分(b)のカルボキシル−含有ホモポリ
マーおよびコポリマーは同様に相当する不飽和カルボン
酸のフリーラジカル重合により製造できる。
マーおよびコポリマーは同様に相当する不飽和カルボン
酸のフリーラジカル重合により製造できる。
【0032】適当なカルボン酸の例は、マレイン酸、イ
タコン酸、ケイヒ酸、クロトン酸、p−ビニル安息香酸
ならびに特にアクリル酸およびメタクリル酸である。
タコン酸、ケイヒ酸、クロトン酸、p−ビニル安息香酸
ならびに特にアクリル酸およびメタクリル酸である。
【0033】不飽和カルボン酸は1またはそれ以上の他
のモノマー例えばエチレン、プロピレン、スチレン、塩
化ビニル、酢酸ビニル、メチルアクリレートおよびメタ
クリレート、エチルアクリレートおよびメタクリレー
ト、ブチルアクリレートおよびメタクリレート、ベンジ
ルアクリレートおよびメタクリレート、2−エチルヘキ
シルアクリレートおよびメタクリレート、2−ヒドロキ
シエチルアクリレートおよびメタクリレート、ならびに
N−フェニルマレイミドにより共重合することが可能で
ある。
のモノマー例えばエチレン、プロピレン、スチレン、塩
化ビニル、酢酸ビニル、メチルアクリレートおよびメタ
クリレート、エチルアクリレートおよびメタクリレー
ト、ブチルアクリレートおよびメタクリレート、ベンジ
ルアクリレートおよびメタクリレート、2−エチルヘキ
シルアクリレートおよびメタクリレート、2−ヒドロキ
シエチルアクリレートおよびメタクリレート、ならびに
N−フェニルマレイミドにより共重合することが可能で
ある。
【0034】好ましいコモノマーはメチルアクリレー
ト、メチルメタクリレート、エチルアクリレート、ブチ
ルアクリレート、ベンジルメタクリレート、第三ブチル
アクリレート、第三ブチルメタクリレート、2−エチル
ヘキシルメタクリレートおよびN−フェニルマレイミド
である。
ト、メチルメタクリレート、エチルアクリレート、ブチ
ルアクリレート、ベンジルメタクリレート、第三ブチル
アクリレート、第三ブチルメタクリレート、2−エチル
ヘキシルメタクリレートおよびN−フェニルマレイミド
である。
【0035】本発明による好ましい組成物における成分
(a)は、式Iaで表される反復構造単位20−100
重量%、特に30−100重量%および式Ibで表され
る反復構造単位80ないし0重量%、特に70−0重量
%からなるホモポリマーまたはコポリマーの少なくとも
1種を含む。
(a)は、式Iaで表される反復構造単位20−100
重量%、特に30−100重量%および式Ibで表され
る反復構造単位80ないし0重量%、特に70−0重量
%からなるホモポリマーまたはコポリマーの少なくとも
1種を含む。
【0036】本発明による好ましい組成物における成分
(b)は、式IIaで表される反復構造単位5−35重量
%、特に10−30重量%および式IIbで表される反復
構造単位95−65重量%、特に90−70重量%から
なるコポリマーの少なくとも1種を含む。
(b)は、式IIaで表される反復構造単位5−35重量
%、特に10−30重量%および式IIbで表される反復
構造単位95−65重量%、特に90−70重量%から
なるコポリマーの少なくとも1種を含む。
【0037】成分(a)および(b)間の混合比は広範
囲に変化できる。本発明による組成物の好ましいものは
成分(a)+(b)の総計に基づいて、成分(a)10
−95重量%、特に20−80重量%および成分(b)
90−5重量%、特に80−20重量%からなる。
囲に変化できる。本発明による組成物の好ましいものは
成分(a)+(b)の総計に基づいて、成分(a)10
−95重量%、特に20−80重量%および成分(b)
90−5重量%、特に80−20重量%からなる。
【0038】成分(c)は原則的に、レジスト技術の当
業者に公知の、化学線への露光において酸を形成するい
ずれかの化合物であり、例えば、オニウム塩、ジスルホ
ン、鉄/アレーン複合体、光活性ハロゲン原子を含む化
合物(例えばハロメチルトリアジン、テトラブロモメタ
ン等々)、スルホン酸エステル例えばニトロベンジルス
ルホネート、オキシムスルホネート、α−スルホニルオ
キシケトン、N−ヒドロキシイミドスルホネートおよび
N−ヒドロキシアミドスルホネートである。
業者に公知の、化学線への露光において酸を形成するい
ずれかの化合物であり、例えば、オニウム塩、ジスルホ
ン、鉄/アレーン複合体、光活性ハロゲン原子を含む化
合物(例えばハロメチルトリアジン、テトラブロモメタ
ン等々)、スルホン酸エステル例えばニトロベンジルス
ルホネート、オキシムスルホネート、α−スルホニルオ
キシケトン、N−ヒドロキシイミドスルホネートおよび
N−ヒドロキシアミドスルホネートである。
【0039】適当な光開始剤の例はヨーロッパ特許第4
51741号およびヨーロッパ特許第568827号に
記載される。
51741号およびヨーロッパ特許第568827号に
記載される。
【0040】成分(c)は好ましくは感光性ジアゾニウ
ム、スルホニウム、スルホキソニウムまたはヨードニウ
ム塩または感光性スルホン酸エステルである。
ム、スルホニウム、スルホキソニウムまたはヨードニウ
ム塩または感光性スルホン酸エステルである。
【0041】成分(c)は特に好ましくはトリフェニル
スルホニウム、トリフルオロメタンスルホネート、トリ
フェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、
トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロホスフェー
ト、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロアルセネ
ートであるか、または (式中、mは1ないし10の整数を表す。)で表される
スルホニウムイオンのヘキサフルオロホスフェートもし
くはヘキサフルオロアンチモネートである。
スルホニウム、トリフルオロメタンスルホネート、トリ
フェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、
トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロホスフェー
ト、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロアルセネ
ートであるか、または (式中、mは1ないし10の整数を表す。)で表される
スルホニウムイオンのヘキサフルオロホスフェートもし
くはヘキサフルオロアンチモネートである。
【0042】成分(c)は一般に成分(a)+(b)の
総計に基づいて、1−20重量%、好ましくは2−10
重量%が使用される。
総計に基づいて、1−20重量%、好ましくは2−10
重量%が使用される。
【0043】都合よくは、増感剤を本発明の組成物に添
加することも可能である。これらの増感剤は所望の波長
における光開始剤系のスペクトル感度を増加させる。適
当な増感剤の選択は基本的には選択する光開始剤に依存
する。例えばスルホニウム塩およびヨードニウム塩は波
長<350nmにおいてのみ適切な感光性を有する。よ
り高い波長におけるこのような化合物の感度は例えば芳
香族炭化水素例えばペリレン、ピレン、アントラセンお
よびそれらの誘導体、フェノチアジンもしくはフェノチ
アジン誘導体、または未置換のまたは置換チオキサノン
を添加することにより著しく増加する。例えば米国特許
第4775450号に開示されているアミノアリールケ
トンはまたスルホニウムおよびヨードニウム塩に対する
増感剤として適当である。他の適当な増感剤は米国特許
第4162162号に記載される増感剤である。
加することも可能である。これらの増感剤は所望の波長
における光開始剤系のスペクトル感度を増加させる。適
当な増感剤の選択は基本的には選択する光開始剤に依存
する。例えばスルホニウム塩およびヨードニウム塩は波
長<350nmにおいてのみ適切な感光性を有する。よ
り高い波長におけるこのような化合物の感度は例えば芳
香族炭化水素例えばペリレン、ピレン、アントラセンお
よびそれらの誘導体、フェノチアジンもしくはフェノチ
アジン誘導体、または未置換のまたは置換チオキサノン
を添加することにより著しく増加する。例えば米国特許
第4775450号に開示されているアミノアリールケ
トンはまたスルホニウムおよびヨードニウム塩に対する
増感剤として適当である。他の適当な増感剤は米国特許
第4162162号に記載される増感剤である。
【0044】本発明の組成物は他の慣用の添加剤、例え
ば安定剤、顔料、染料、充填剤、接着促進剤、流れ調節
剤、湿潤剤および可塑剤を含むことも可能である。
ば安定剤、顔料、染料、充填剤、接着促進剤、流れ調節
剤、湿潤剤および可塑剤を含むことも可能である。
【0045】保存寿命を増加するため、適当には本発明
の組成物に弱塩基性添加剤の少量を添加することができ
る。好ましい塩基性化合物は第一、第二および第三脂肪
族、脂環式および芳香族アミンおよびN−複素環化合物
である。言及しうる例は:トリエチルアミン、トリプロ
ピルアミン、トリブチルアミン、アニリン、N−メチル
アニリン、N,N−ジメチルアニリン、1−ナフチルア
ミン、2−ナフチルアミン、ジフェニルアミン、エチレ
ンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、4,4′−ジア
ミノジフェニルメタン、4,4′−ジアミノジフェニル
エーテル、4,4′−ジアミノベンゾフェノン、4,
4′−ジアミノジフェニルアミン、ピロリジンおよびそ
れらの誘導体、ピペリジンおよびそれらの誘導体、イミ
ダゾールおよびそれらの誘導体例えば4−メチルイミダ
ゾール、4−メチル−2−フェニルイミダゾール、4,
5−ジフェニルイミダゾールおよび特に1−メチルイミ
ダゾールである。
の組成物に弱塩基性添加剤の少量を添加することができ
る。好ましい塩基性化合物は第一、第二および第三脂肪
族、脂環式および芳香族アミンおよびN−複素環化合物
である。言及しうる例は:トリエチルアミン、トリプロ
ピルアミン、トリブチルアミン、アニリン、N−メチル
アニリン、N,N−ジメチルアニリン、1−ナフチルア
ミン、2−ナフチルアミン、ジフェニルアミン、エチレ
ンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、4,4′−ジア
ミノジフェニルメタン、4,4′−ジアミノジフェニル
エーテル、4,4′−ジアミノベンゾフェノン、4,
4′−ジアミノジフェニルアミン、ピロリジンおよびそ
れらの誘導体、ピペリジンおよびそれらの誘導体、イミ
ダゾールおよびそれらの誘導体例えば4−メチルイミダ
ゾール、4−メチル−2−フェニルイミダゾール、4,
5−ジフェニルイミダゾールおよび特に1−メチルイミ
ダゾールである。
【0046】塩基性添加剤が都合良く添加される量は本
質的に光酸発生剤(c)の量に依存し、そして好ましく
は、光酸発生剤のグラム当り塩基性添加剤0.01−
5.0mmol、特には0.02−2.0mmolであ
る。
質的に光酸発生剤(c)の量に依存し、そして好ましく
は、光酸発生剤のグラム当り塩基性添加剤0.01−
5.0mmol、特には0.02−2.0mmolであ
る。
【0047】安定化作用はまた、塩基性置換基例えばア
ミノ基、の少量を含む成分(a)および/または(b)
のポリマーである場合も達成される。このようなポリマ
ーを製造するために、塩基性置換基を含む不飽和モノマ
ーの少量をフリーラジカル重合の間に不飽和出発モノマ
ーに添加する。塩基性置換基を含む適当なモノマーの例
は、アミノ置換アクリレート例えば2−ジメチルアミノ
エチルアクリレート、2−ジメチルアミノエチルメタク
リレート、2−ジエチルアミノエチルアクリレート、2
−ジエチルアミノエチルメタクリレート、ジメチルアミ
ノプロピルアクリルアミド、ジメチルアミノプロピルメ
タクリルアミド、2−t−ブチルアミノエチルアクレー
トおよび2−t−ブチルアミノエチルメタクリレートな
らびに2−ビニルピリジンまたは4−ビニルピリジンの
ようなビニルピリジンである。
ミノ基、の少量を含む成分(a)および/または(b)
のポリマーである場合も達成される。このようなポリマ
ーを製造するために、塩基性置換基を含む不飽和モノマ
ーの少量をフリーラジカル重合の間に不飽和出発モノマ
ーに添加する。塩基性置換基を含む適当なモノマーの例
は、アミノ置換アクリレート例えば2−ジメチルアミノ
エチルアクリレート、2−ジメチルアミノエチルメタク
リレート、2−ジエチルアミノエチルアクリレート、2
−ジエチルアミノエチルメタクリレート、ジメチルアミ
ノプロピルアクリルアミド、ジメチルアミノプロピルメ
タクリルアミド、2−t−ブチルアミノエチルアクレー
トおよび2−t−ブチルアミノエチルメタクリレートな
らびに2−ビニルピリジンまたは4−ビニルピリジンの
ようなビニルピリジンである。
【0048】塩基性置換基を含むこのようなコモノマー
が都合良く使用される量は本質的に光酸発生剤(c)の
量に依存し、そして好ましくは、光酸発生剤のグラム当
り塩基性添加剤0.01−5.0mmol、特には0.
02−2.0mmolである。
が都合良く使用される量は本質的に光酸発生剤(c)の
量に依存し、そして好ましくは、光酸発生剤のグラム当
り塩基性添加剤0.01−5.0mmol、特には0.
02−2.0mmolである。
【0049】溶媒および濃度の選択は原則的には組成物
のタイプおよび塗布方法に依存する。溶媒は不活性でな
ければならず、即ち成分とのいかなる化学反応をも受け
てはならず、および塗布後の乾燥中に除去されなければ
ならない。適当な溶媒の例は、ケトン、エーテルおよび
エステルであり、メチルエチルケトン、2−ヘプタノ
ン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、γ−ブチロ
ラクトン、エチルピルベート、ジエチレングリコールジ
メチルエーテル、2−メトキシエタノール、2−エトキ
シエタノール、2−エトキシエチルアセテート、1−メ
トキシ−2−プロピルアセテート、1,2−ジメトキシ
エタン、エチルアセテートおよび3−メトキシメチルプ
ロピオネートである。
のタイプおよび塗布方法に依存する。溶媒は不活性でな
ければならず、即ち成分とのいかなる化学反応をも受け
てはならず、および塗布後の乾燥中に除去されなければ
ならない。適当な溶媒の例は、ケトン、エーテルおよび
エステルであり、メチルエチルケトン、2−ヘプタノ
ン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、γ−ブチロ
ラクトン、エチルピルベート、ジエチレングリコールジ
メチルエーテル、2−メトキシエタノール、2−エトキ
シエタノール、2−エトキシエチルアセテート、1−メ
トキシ−2−プロピルアセテート、1,2−ジメトキシ
エタン、エチルアセテートおよび3−メトキシメチルプ
ロピオネートである。
【0050】好ましい溶媒はメトキシプロピルアセテー
トである。
トである。
【0051】組成物の固体含量は施用方法および所望の
塗布厚に依存しならびに10ないし80重量%である。
塗布厚に依存しならびに10ないし80重量%である。
【0052】溶液は公知の塗布方法例えば、スピン塗
布、浸漬、ナイフ塗布、カーテン塗布、刷毛塗り、吹付
および特に静電吹付、リバースロール塗布により基材に
均質に施用される。一時的に可撓性支持体へ感光性塗膜
を塗布しそして次に積層により塗膜を転写することによ
り最終的な基材、例えば銅貼り積層回路板に塗布するこ
とも可能である。
布、浸漬、ナイフ塗布、カーテン塗布、刷毛塗り、吹付
および特に静電吹付、リバースロール塗布により基材に
均質に施用される。一時的に可撓性支持体へ感光性塗膜
を塗布しそして次に積層により塗膜を転写することによ
り最終的な基材、例えば銅貼り積層回路板に塗布するこ
とも可能である。
【0053】施用割合(塗布厚)および基材タイプ(塗
布支持体)は所望の施用面積に依存する。塗布厚範囲は
一般に約1μmないし約20μm、好ましくは3−15
μmの被覆値である。
布支持体)は所望の施用面積に依存する。塗布厚範囲は
一般に約1μmないし約20μm、好ましくは3−15
μmの被覆値である。
【0054】塗布後、溶媒は一般的に、好ましくは20
℃ないし100℃の温度において乾燥により除去され、
基材上に本発明による組成物のコーティングが得られ
る。
℃ないし100℃の温度において乾燥により除去され、
基材上に本発明による組成物のコーティングが得られ
る。
【0055】レリーフ構造体の製造のために、本発明に
よる組成物で塗布された基材を化学線に画像様に露光す
る。用語「化学線」は一般に、好ましくは220−55
0nmの波長範囲の紫外線または可視線の意味をもつ。
用語「画像様(imagewise)」露光は予め決められたパタ
ーンを含むフォトマスクを通しての露光および例えばコ
ンピューター制御の下、塗布された基材の表面上を移動
するレーザービームによる露光の両方を包含する。
よる組成物で塗布された基材を化学線に画像様に露光す
る。用語「化学線」は一般に、好ましくは220−55
0nmの波長範囲の紫外線または可視線の意味をもつ。
用語「画像様(imagewise)」露光は予め決められたパタ
ーンを含むフォトマスクを通しての露光および例えばコ
ンピューター制御の下、塗布された基材の表面上を移動
するレーザービームによる露光の両方を包含する。
【0056】使用可能な放射線源は、原則として紫外線
および/または可視線領域における放射線を放射する全
てのランプである。点光源およびスプレッドエミッター
(spread emitter)〔ランプカーペット(lamp carpets)
〕の両方が適当である。具体例は:カーボンアーク
灯、キセノンアーク灯、所望ならば金属ハライドでドー
プ塗布されている、水銀蒸気ランプ(金属ハライドラン
プ)、蛍光ランプ、アルゴン白熱灯、電子閃光ランプ、
写真投光ランプ、電子ビームおよびX線である。ランプ
と新規な画像材料との距離は用途およびランプのタイプ
および強度に依存して変化でき、例えば2cmないし1
50cmである。特に好適な光源はレーザー光源、例え
ばアルゴンイオンレーザーまたはクリプトンイオンレー
ザーである。レーザー光はまた、制御されたレーザービ
ームをレジスト層に直接書込むことにより、マスクなし
でも照射され得る。新規な材料の高い感受性はここでは
非常に有利であり、相対的に低い強さで高い書込み速度
を可能にする。この方法は、電子工業における印刷回
路、平板印刷法のオフセット印刷板またはレリーフ印刷
板並びに写真画像記録材料を製造するのに使用すること
ができる。
および/または可視線領域における放射線を放射する全
てのランプである。点光源およびスプレッドエミッター
(spread emitter)〔ランプカーペット(lamp carpets)
〕の両方が適当である。具体例は:カーボンアーク
灯、キセノンアーク灯、所望ならば金属ハライドでドー
プ塗布されている、水銀蒸気ランプ(金属ハライドラン
プ)、蛍光ランプ、アルゴン白熱灯、電子閃光ランプ、
写真投光ランプ、電子ビームおよびX線である。ランプ
と新規な画像材料との距離は用途およびランプのタイプ
および強度に依存して変化でき、例えば2cmないし1
50cmである。特に好適な光源はレーザー光源、例え
ばアルゴンイオンレーザーまたはクリプトンイオンレー
ザーである。レーザー光はまた、制御されたレーザービ
ームをレジスト層に直接書込むことにより、マスクなし
でも照射され得る。新規な材料の高い感受性はここでは
非常に有利であり、相対的に低い強さで高い書込み速度
を可能にする。この方法は、電子工業における印刷回
路、平板印刷法のオフセット印刷板またはレリーフ印刷
板並びに写真画像記録材料を製造するのに使用すること
ができる。
【0057】多くの公知の化学的増幅に基づくポジ型フ
ォトレジスト系とは対照的に、本発明の組成物を使用す
る場合に、露光による酸発生を伴うポリマー構造中の酸
感受性基の完全な反応を確実にするためおよび揮発性反
応生成物を除去するための「露光後焼付(post exposure
bake)」として知られる露光後の熱処理をレジストにか
ける必要のないことは驚くべきことである。
ォトレジスト系とは対照的に、本発明の組成物を使用す
る場合に、露光による酸発生を伴うポリマー構造中の酸
感受性基の完全な反応を確実にするためおよび揮発性反
応生成物を除去するための「露光後焼付(post exposure
bake)」として知られる露光後の熱処理をレジストにか
ける必要のないことは驚くべきことである。
【0058】しかし、所望ならば、このような熱処理は
露光した構造に不利な結果なく行うことも可能である。
露光した構造に不利な結果なく行うことも可能である。
【0059】慣用の方法で、材料を画像様に露光した
後、フォトレジストの露光した領域を現像中への溶解に
より除去する。
後、フォトレジストの露光した領域を現像中への溶解に
より除去する。
【0060】特別な現像液の選択はフォトレジストのタ
イプに依存し、特に使用するバインダーまたは形成され
る光分解性製造物の性質に依存する。現像液は有機溶媒
またはその混合物がそれに添加される塩基の水溶液を含
むことができる。
イプに依存し、特に使用するバインダーまたは形成され
る光分解性製造物の性質に依存する。現像液は有機溶媒
またはその混合物がそれに添加される塩基の水溶液を含
むことができる。
【0061】特に好ましい現像液はナフトキノンジアジ
ド塗膜の現像にも使用されるような水性アルカリ溶液で
ある。これらは、特にアルカリ金属シリケート、ホスフ
ェート、水酸化物および炭酸塩の水溶液を含む。所望な
らば、湿潤剤および/または有機溶媒の比較的少量をこ
れらの溶液に添加していてもよい。
ド塗膜の現像にも使用されるような水性アルカリ溶液で
ある。これらは、特にアルカリ金属シリケート、ホスフ
ェート、水酸化物および炭酸塩の水溶液を含む。所望な
らば、湿潤剤および/または有機溶媒の比較的少量をこ
れらの溶液に添加していてもよい。
【0062】現像液に加えることのできる代表的な有機
溶媒の例はシクロヘキサノン、2−エトキシエタノー
ル、アセトン、イソプロパノール、エタノールおよびそ
れらの溶媒の2またはそれ以上の混合物である。
溶媒の例はシクロヘキサノン、2−エトキシエタノー
ル、アセトン、イソプロパノール、エタノールおよびそ
れらの溶媒の2またはそれ以上の混合物である。
【0063】本発明による放射線感受性組成物はエレク
トロニクス用のフォトレジストとして、特にプリント回
路板の製造用のエッチレジストとしてまたは集積回路の
製造用のミクロレジストとして、およびプリント板、例
えばオフセット印刷板の製造のためのレジストとして適
当である。
トロニクス用のフォトレジストとして、特にプリント回
路板の製造用のエッチレジストとしてまたは集積回路の
製造用のミクロレジストとして、およびプリント板、例
えばオフセット印刷板の製造のためのレジストとして適
当である。
【0064】エッチレジストとしての本発明による組成
物の好ましい使用は現像により覆われていない金属、通
常銅はいずれかの公知の腐食剤例えば塩化鉄、過酸化水
素/リン酸、過硫酸アンモニウムまたは塩化銅にて除去
できる。
物の好ましい使用は現像により覆われていない金属、通
常銅はいずれかの公知の腐食剤例えば塩化鉄、過酸化水
素/リン酸、過硫酸アンモニウムまたは塩化銅にて除去
できる。
【0065】残っているのフォトレジストは続いて強水
性塩基例えばNaOHまたはKOH、および/または有
機溶媒によるストリッピングによって除去される。
性塩基例えばNaOHまたはKOH、および/または有
機溶媒によるストリッピングによって除去される。
【0066】本発明はさらに本発明による組成物で基材
を塗布しそして溶媒の除去後に得られたフィルムを画像
様に露光し続いて露光したフィルムを水性アルカリ媒体
中で現像することからなる、回路板上におけるレリーフ
構造の製造方法に関する。
を塗布しそして溶媒の除去後に得られたフィルムを画像
様に露光し続いて露光したフィルムを水性アルカリ媒体
中で現像することからなる、回路板上におけるレリーフ
構造の製造方法に関する。
【0067】本発明の好ましい実例は以下の段階 (A)公知の方法による液体レジストの施用により銅積
層基材を本発明の組成物を用いて塗布し; (B)30℃ないし130℃の温度で乾燥することによ
り溶媒を除去し; (C)マスクを通して化学線に露光するかまたは直接レ
ーザー照射によって露光し; (D)水性アルカリまたは半水性アルカリ現像液を使用
して現像し; (E)酸性または弱アルカリエッチング剤を用いてエッ
チングし; (F)強水性塩基および/または有機溶媒を用いたスト
リッピングにより残存しているフォトレジストコーティ
ングの除去からなるレリーフ構造物の製造方法である。
層基材を本発明の組成物を用いて塗布し; (B)30℃ないし130℃の温度で乾燥することによ
り溶媒を除去し; (C)マスクを通して化学線に露光するかまたは直接レ
ーザー照射によって露光し; (D)水性アルカリまたは半水性アルカリ現像液を使用
して現像し; (E)酸性または弱アルカリエッチング剤を用いてエッ
チングし; (F)強水性塩基および/または有機溶媒を用いたスト
リッピングにより残存しているフォトレジストコーティ
ングの除去からなるレリーフ構造物の製造方法である。
【0068】特別な言及は貯蔵における個々の成分と得
られた塗膜の極めて良好な熱安定性になされるべきであ
る。
られた塗膜の極めて良好な熱安定性になされるべきであ
る。
【0069】成分(a)および(b)のポリマーの適当
な選択はまたレジスト組成物の機械的性質が広い範囲内
で変化するのを可能にする。例えば硬性ポリマーの使用
は非常に高い機械強度を達成するのを可能にする。
な選択はまたレジスト組成物の機械的性質が広い範囲内
で変化するのを可能にする。例えば硬性ポリマーの使用
は非常に高い機械強度を達成するのを可能にする。
【0070】
【実施例】以下の実施例により本発明をより詳しく説明
する。I.ポリマーの製造 I.1. ポリ−2−テトラヒドロピラニルメタクリレ
ート メトキシプロピルアセテート15g中の2−テトラヒド
ロピラニルメタクリレート10g(59mmol)およ
びアゾイソブチルニトリル(AIBN)0.25gの溶
液を窒素雰囲気下80℃で8時間攪拌する。ポリ−2−
テトラヒドロピラニルメタクリレート(Mn =443
5、Mw =91,593)の得られた溶液は直接(ポリ
マーの単離なしで)より先の操作が可能である。 溶液の酸含量:0.033mol/kg 室温における9ヵ月後の酸含量:0.040mol/k
g
する。I.ポリマーの製造 I.1. ポリ−2−テトラヒドロピラニルメタクリレ
ート メトキシプロピルアセテート15g中の2−テトラヒド
ロピラニルメタクリレート10g(59mmol)およ
びアゾイソブチルニトリル(AIBN)0.25gの溶
液を窒素雰囲気下80℃で8時間攪拌する。ポリ−2−
テトラヒドロピラニルメタクリレート(Mn =443
5、Mw =91,593)の得られた溶液は直接(ポリ
マーの単離なしで)より先の操作が可能である。 溶液の酸含量:0.033mol/kg 室温における9ヵ月後の酸含量:0.040mol/k
g
【0071】I.2. 2−テトラヒドロピラニルメタ
クリレート、メチルメタクリレートおよび2−エチルヘ
キシルメタクリレートのコポリマー 実施例I.1と同様に、メトキシプロピルアセテート6
0gの2−テトラヒドロピラニルメタクリレート25.
2g(148mmol)、メチルメタクリレート10.
4g(104mmol)、2−エチルヘキシルメタクリ
レート4.4g(22mmol)およびアゾイソブチロ
ニトリル1gの溶液を窒素下で8時間攪拌する。得られ
たコポリマーの溶液は(Mn =7237、Mw =48,
154)直接、より先の操作が可能である。
クリレート、メチルメタクリレートおよび2−エチルヘ
キシルメタクリレートのコポリマー 実施例I.1と同様に、メトキシプロピルアセテート6
0gの2−テトラヒドロピラニルメタクリレート25.
2g(148mmol)、メチルメタクリレート10.
4g(104mmol)、2−エチルヘキシルメタクリ
レート4.4g(22mmol)およびアゾイソブチロ
ニトリル1gの溶液を窒素下で8時間攪拌する。得られ
たコポリマーの溶液は(Mn =7237、Mw =48,
154)直接、より先の操作が可能である。
【0072】I.3. ポリ−2−テトラヒドロピラニ
ルメタクリレート、メチルメタクリレートおよび2−ヒ
ドロキシエチルメタクリレートのコポリマー メトキシプロピルアセテート50g中の2−テトラヒド
ロピラニルメタクリレート56.7g(333mmo
l)およびメチルメタクリレート23.4g(234m
mol)、2−ヒドロキシエチルメタクリレート9.9
g(76mmol)およびアゾイソブチロニトリル2g
の溶液を、2−テトラヒドロピラニルメタクリレート
6.3g(27mmol)、メチルメタクリレート2.
6g(2.6mmol)、2−ヒドロキシエチルメタク
リレート1.1g(9mmol)およびメトキシプロピ
ルアセテート100gの混合物に窒素下、80℃で攪拌
しながら1時間にわたって滴下で添加する。80℃で攪
拌を続け、そして添加後1時間、さらにアゾイソブチロ
ニトリル0.5gを加える。溶液を続いて80℃で6時
間攪拌する。得られたコポリマーの溶液(Mn =810
3、Mw =47,096)は直接、より先の操作が可能
である。
ルメタクリレート、メチルメタクリレートおよび2−ヒ
ドロキシエチルメタクリレートのコポリマー メトキシプロピルアセテート50g中の2−テトラヒド
ロピラニルメタクリレート56.7g(333mmo
l)およびメチルメタクリレート23.4g(234m
mol)、2−ヒドロキシエチルメタクリレート9.9
g(76mmol)およびアゾイソブチロニトリル2g
の溶液を、2−テトラヒドロピラニルメタクリレート
6.3g(27mmol)、メチルメタクリレート2.
6g(2.6mmol)、2−ヒドロキシエチルメタク
リレート1.1g(9mmol)およびメトキシプロピ
ルアセテート100gの混合物に窒素下、80℃で攪拌
しながら1時間にわたって滴下で添加する。80℃で攪
拌を続け、そして添加後1時間、さらにアゾイソブチロ
ニトリル0.5gを加える。溶液を続いて80℃で6時
間攪拌する。得られたコポリマーの溶液(Mn =810
3、Mw =47,096)は直接、より先の操作が可能
である。
【0073】I.4. 2−テトラヒドロピラニルアク
リレートおよびメチルメタクリレートのコポリマー メトキシプロピルアセテート30gの2−テトラヒドロ
ピラニルアクリレート34.02g(218mmo
l)、メチルメタクリレート19.98g(200mm
ol)およびアゾイソブチロニトリル1.2gを、2−
テトラヒドロピラニルアクリレート3.78g(24m
mol)、メチルメタクリレート2.22g(22mm
ol)およびメトキシプロピルアセテート60gの混合
物に窒素下、80℃で、1.5時間にわたって攪拌しな
がら添加する。80℃で攪拌を続けて、添加後1時間、
さらにアゾイソブチロニトリル0.3gを加える。溶液
を引続き80℃でさらに5.5時間攪拌する。コポリマ
ーの得られた溶液(Mn =8108、Mw =32,16
7)は直接、より先の操作が可能である。
リレートおよびメチルメタクリレートのコポリマー メトキシプロピルアセテート30gの2−テトラヒドロ
ピラニルアクリレート34.02g(218mmo
l)、メチルメタクリレート19.98g(200mm
ol)およびアゾイソブチロニトリル1.2gを、2−
テトラヒドロピラニルアクリレート3.78g(24m
mol)、メチルメタクリレート2.22g(22mm
ol)およびメトキシプロピルアセテート60gの混合
物に窒素下、80℃で、1.5時間にわたって攪拌しな
がら添加する。80℃で攪拌を続けて、添加後1時間、
さらにアゾイソブチロニトリル0.3gを加える。溶液
を引続き80℃でさらに5.5時間攪拌する。コポリマ
ーの得られた溶液(Mn =8108、Mw =32,16
7)は直接、より先の操作が可能である。
【0074】I.5. メタクリル酸、メチルメタクリ
レートおよび2−エチルヘキシルメタクリレートのコポ
リマー 実施例I.1と同様に、イソプロパノール30gのメタ
クリル酸4.0g(47mmol)、メチルメタクリレ
ート12.0g(120mmol)および12.0g
(120mmol)および2−エチルヘキシルメタクリ
レート4.0g(20mmol)およびアゾイソブチロ
ニトリル0.5gの溶液を窒素下で8時間攪拌する。得
られたコポリマーの溶液(Mn =8691、Mw =5
4,540、酸含量=1.13mol/kg)は直接、
より先の操作が可能である。
レートおよび2−エチルヘキシルメタクリレートのコポ
リマー 実施例I.1と同様に、イソプロパノール30gのメタ
クリル酸4.0g(47mmol)、メチルメタクリレ
ート12.0g(120mmol)および12.0g
(120mmol)および2−エチルヘキシルメタクリ
レート4.0g(20mmol)およびアゾイソブチロ
ニトリル0.5gの溶液を窒素下で8時間攪拌する。得
られたコポリマーの溶液(Mn =8691、Mw =5
4,540、酸含量=1.13mol/kg)は直接、
より先の操作が可能である。
【0075】I.6. メタクリル酸、メチルメタクリ
レートおよび第三ブチルアクリレートのコポリマー イソプロパノール500g中のメタクリル酸135g
(1.568mol)、メチルメタクリレート630g
(6.30mol)、第三ブチルアクリレート135g
(1.05mol)およびアゾイソブチロニトリル1
2.5gを、メタクリル酸15.0g(174mmo
l)メチルメタクリレート70g(700mmol)、
第三ブチルアクリレート15.0g(1187mmo
l)およびイソプロパノール1000gの混合物に80
℃で窒素下、2時間にわたって滴下で添加する。80℃
で攪拌を続け、そして添加1時間後、さらにアゾイソブ
チロニトリル2.5gを加える。溶液を続いて80℃
で、5時間攪拌する。得られたコポリマーの溶液(Mn
=8880、Mw =27,422,酸含量=0.75m
ol/kg)は直接、より先の操作が可能である。
レートおよび第三ブチルアクリレートのコポリマー イソプロパノール500g中のメタクリル酸135g
(1.568mol)、メチルメタクリレート630g
(6.30mol)、第三ブチルアクリレート135g
(1.05mol)およびアゾイソブチロニトリル1
2.5gを、メタクリル酸15.0g(174mmo
l)メチルメタクリレート70g(700mmol)、
第三ブチルアクリレート15.0g(1187mmo
l)およびイソプロパノール1000gの混合物に80
℃で窒素下、2時間にわたって滴下で添加する。80℃
で攪拌を続け、そして添加1時間後、さらにアゾイソブ
チロニトリル2.5gを加える。溶液を続いて80℃
で、5時間攪拌する。得られたコポリマーの溶液(Mn
=8880、Mw =27,422,酸含量=0.75m
ol/kg)は直接、より先の操作が可能である。
【0076】I.7. 2−テトラヒドロピラニルメタ
リレート、メチルメタクリレートおよび2−ヒドロキシ
エチルメタクリレートのコポリマー メトキシプロピルアセテート30g中の2−テトラヒド
ロピラニルメタクリレート34.02g(200mmo
l)、メチルメタクリレート14.04g(163mm
ol)、2−ヒドロキシメチルメタクリレート5.94
g(46mmol)およびアゾイソブチロニトリル1.
74gを、2−テトラヒドロピラニルメタクリレート
3.78g(22mmol)、メチルメタクリレート
1.56g(18mmol)、2−ヒドロキシエチルメ
タクリレート0.66g(5mmol)およびメトキシ
プロピルアセテート60gの混合物に攪拌しながら70
℃で窒素下、6時間にわたって滴下で添加する。70℃
で攪拌を続け、そして添加1時間後、さらにアゾイソブ
チロニトリル0.18gを加える。溶液を続いて70℃
で、さらに1時間攪拌する。得られたコポリマーの溶液
(Mn =9074、Mw=44,877)は直接、より
先の操作が可能である。
リレート、メチルメタクリレートおよび2−ヒドロキシ
エチルメタクリレートのコポリマー メトキシプロピルアセテート30g中の2−テトラヒド
ロピラニルメタクリレート34.02g(200mmo
l)、メチルメタクリレート14.04g(163mm
ol)、2−ヒドロキシメチルメタクリレート5.94
g(46mmol)およびアゾイソブチロニトリル1.
74gを、2−テトラヒドロピラニルメタクリレート
3.78g(22mmol)、メチルメタクリレート
1.56g(18mmol)、2−ヒドロキシエチルメ
タクリレート0.66g(5mmol)およびメトキシ
プロピルアセテート60gの混合物に攪拌しながら70
℃で窒素下、6時間にわたって滴下で添加する。70℃
で攪拌を続け、そして添加1時間後、さらにアゾイソブ
チロニトリル0.18gを加える。溶液を続いて70℃
で、さらに1時間攪拌する。得られたコポリマーの溶液
(Mn =9074、Mw=44,877)は直接、より
先の操作が可能である。
【0077】I.8. メタクリル酸、メチルメタクリ
レート、エチルアクリレートおよびメタクリルアミドの
コポリマー メトキシプロピルアセテート27g中のメタクリル酸2
7g(314mmol)、エチルアクリレート45g
(450mol)、メタクリルアミド9.0g(80m
mol)およびアゾイソブチロニトリル2.5gを、メ
タクリル酸3.0g(35mmol)、メチルメタクリ
レート11g(110mmol)、エチルアクリレート
5.0g(50mmol)およびメタクリルアミド1.
0g(9mmol)およびメトキシプロピルアセテート
200gの混合物に80℃で窒素下、2.25時間にわ
たって滴下で添加する。80℃で攪拌を続け、そして添
加1時間後、さらにアゾイソブチロニトリル0.5gを
加える。溶液を続いて80℃で、さらに4.75時間攪
拌する。得られたコポリマーの溶液(Mn =8547、
Mw =31,820,酸含量=0.84mol/kg)
は直接、より先の操作が可能である。
レート、エチルアクリレートおよびメタクリルアミドの
コポリマー メトキシプロピルアセテート27g中のメタクリル酸2
7g(314mmol)、エチルアクリレート45g
(450mol)、メタクリルアミド9.0g(80m
mol)およびアゾイソブチロニトリル2.5gを、メ
タクリル酸3.0g(35mmol)、メチルメタクリ
レート11g(110mmol)、エチルアクリレート
5.0g(50mmol)およびメタクリルアミド1.
0g(9mmol)およびメトキシプロピルアセテート
200gの混合物に80℃で窒素下、2.25時間にわ
たって滴下で添加する。80℃で攪拌を続け、そして添
加1時間後、さらにアゾイソブチロニトリル0.5gを
加える。溶液を続いて80℃で、さらに4.75時間攪
拌する。得られたコポリマーの溶液(Mn =8547、
Mw =31,820,酸含量=0.84mol/kg)
は直接、より先の操作が可能である。
【0078】I.9. メタクリル酸、メチルメタクリ
レートおよびエチルアクリレートのコポリマー メトキシプロピルアセテート100g中のメタクリル酸
27g(314mmol)、メチルメタクリレート99
g(99mmol)、エチルアクリレート54g(54
0mol)およびアゾイソブチロニトリル2.5gを、
メタクリル酸3.0g(35mmol)、メチルメタク
リレート11g(110mmol)、エチルアクリレー
ト6.0g(60mmol)およびメトキシプロピルア
セテート200gの混合物に80℃で窒素下、2.25
時間にわたって滴下で添加する。80℃で攪拌を続け、
そして添加1時間後、さらにアゾイソブチロニトリル
0.5gを加える。溶液を続いて80℃で、さらに5時
間攪拌する。得られたコポリマーの溶液(Mn =899
3、Mw =43,314,酸含量=0.7mol/k
g)は直接、より先の操作が可能である。
レートおよびエチルアクリレートのコポリマー メトキシプロピルアセテート100g中のメタクリル酸
27g(314mmol)、メチルメタクリレート99
g(99mmol)、エチルアクリレート54g(54
0mol)およびアゾイソブチロニトリル2.5gを、
メタクリル酸3.0g(35mmol)、メチルメタク
リレート11g(110mmol)、エチルアクリレー
ト6.0g(60mmol)およびメトキシプロピルア
セテート200gの混合物に80℃で窒素下、2.25
時間にわたって滴下で添加する。80℃で攪拌を続け、
そして添加1時間後、さらにアゾイソブチロニトリル
0.5gを加える。溶液を続いて80℃で、さらに5時
間攪拌する。得られたコポリマーの溶液(Mn =899
3、Mw =43,314,酸含量=0.7mol/k
g)は直接、より先の操作が可能である。
【0079】I.10. メタクリル酸、メチルメタク
リレートおよびエチルアクリレートのコポリマー メトキシプロピルアセテート100g中のメタクリル酸
21.6g(251mmol)、メチルメタクリレート
104.4g(1.04mol)、エチルアクリレート
54g(540mmol)およびアゾイソブチロニトリ
ル4.0gを、メタクリル酸2.4g(28mmo
l)、メチルメタクリレート11.6g(116mmo
l)、エチルアクリレート6.0g(60mmol)お
よびメトキシプロピルアセテート200gの混合物に8
0℃で窒素下、2時間にわたって滴下で添加する。80
℃で攪拌を続け、そして添加1時間後、さらにアゾイソ
ブチロニトリル1.0gを加える。溶液を続いて80℃
で、さらに5時間攪拌する。得られたコポリマーの溶液
(Mn =9275、Mw =30,304,酸含量=0.
61mol/kg)は直接、より先の操作が可能であ
る。
リレートおよびエチルアクリレートのコポリマー メトキシプロピルアセテート100g中のメタクリル酸
21.6g(251mmol)、メチルメタクリレート
104.4g(1.04mol)、エチルアクリレート
54g(540mmol)およびアゾイソブチロニトリ
ル4.0gを、メタクリル酸2.4g(28mmo
l)、メチルメタクリレート11.6g(116mmo
l)、エチルアクリレート6.0g(60mmol)お
よびメトキシプロピルアセテート200gの混合物に8
0℃で窒素下、2時間にわたって滴下で添加する。80
℃で攪拌を続け、そして添加1時間後、さらにアゾイソ
ブチロニトリル1.0gを加える。溶液を続いて80℃
で、さらに5時間攪拌する。得られたコポリマーの溶液
(Mn =9275、Mw =30,304,酸含量=0.
61mol/kg)は直接、より先の操作が可能であ
る。
【0080】I.11. メタクリル酸、メチルメタク
リレートおよびN−フェニルマレイミドのコポリマー メトキシプロピルアセテート100g中のメタクリル酸
36.0g(419mmol)、メチルメタクリレート
126g(1.26mol)、N−フェニルマレイミド
18g(104mmol)およびトリゴノックスC(Tr
igonox C) 〔アクゾ(Akzo) 社製品〕5.0gを、メタ
クリル酸4.0g(26.5mmol)、メチルメタク
リレート14.0g(140mmol)、N−フェニル
マレイミド2.0g(11.6mmol)およびメトキ
シプロピルアセテート200gの混合物に135℃で窒
素下、2時間にわたって滴下で添加する。溶液は続いて
135℃で6時間攪拌を続ける。得られたコポリマーの
溶液(Mn =3883、Mw =10,041,酸含量=
0.993mol/kg)は直接、より先の操作が可能
である。
リレートおよびN−フェニルマレイミドのコポリマー メトキシプロピルアセテート100g中のメタクリル酸
36.0g(419mmol)、メチルメタクリレート
126g(1.26mol)、N−フェニルマレイミド
18g(104mmol)およびトリゴノックスC(Tr
igonox C) 〔アクゾ(Akzo) 社製品〕5.0gを、メタ
クリル酸4.0g(26.5mmol)、メチルメタク
リレート14.0g(140mmol)、N−フェニル
マレイミド2.0g(11.6mmol)およびメトキ
シプロピルアセテート200gの混合物に135℃で窒
素下、2時間にわたって滴下で添加する。溶液は続いて
135℃で6時間攪拌を続ける。得られたコポリマーの
溶液(Mn =3883、Mw =10,041,酸含量=
0.993mol/kg)は直接、より先の操作が可能
である。
【0081】I.12. 2−テトラヒドロピラニルア
クリレート、メチルメタクリレートおよび2−ジメチル
アミノエチルメタクリレートコポリマー メトキシプロピルアセテート50g中の2−テトラヒド
ロピラニルメタクリレート56.7g(333mmo
l)、メチルメタクリレート33.0(33mmol
l)、2−ジメチルアミノエチルメタクリレート0.2
7g(1.72mmol)およびアゾイソブチロニトリ
ル2.0gを、2−テトラヒドロピラニルメタクリレー
ト6.3g(37mmol)、メチルメタクリレート
3.67g(36.7mmol)、2−ジメチルアミノ
エチルメタクリレート0.03g(0.19mmol)
およびメトキシプロピルアセテート100gの混合物に
70℃で窒素下、2時間にわたって滴下で添加する。7
0℃で攪拌を続け、そして添加1時間後、さらにアゾイ
ソブチロニトリル0.5gを加える。溶液を続いて70
℃で、さらに5時間攪拌する。得られたコポリマーの溶
液(Mn =9334、Mw =44.050)は直接、よ
り先の操作が可能である。
クリレート、メチルメタクリレートおよび2−ジメチル
アミノエチルメタクリレートコポリマー メトキシプロピルアセテート50g中の2−テトラヒド
ロピラニルメタクリレート56.7g(333mmo
l)、メチルメタクリレート33.0(33mmol
l)、2−ジメチルアミノエチルメタクリレート0.2
7g(1.72mmol)およびアゾイソブチロニトリ
ル2.0gを、2−テトラヒドロピラニルメタクリレー
ト6.3g(37mmol)、メチルメタクリレート
3.67g(36.7mmol)、2−ジメチルアミノ
エチルメタクリレート0.03g(0.19mmol)
およびメトキシプロピルアセテート100gの混合物に
70℃で窒素下、2時間にわたって滴下で添加する。7
0℃で攪拌を続け、そして添加1時間後、さらにアゾイ
ソブチロニトリル0.5gを加える。溶液を続いて70
℃で、さらに5時間攪拌する。得られたコポリマーの溶
液(Mn =9334、Mw =44.050)は直接、よ
り先の操作が可能である。
【0082】II.使用実施例 II.1. ポジ型エッチレジスト メトキシプロピルアセテート3g中の光開始剤登録商標
デガキュア(Degacure)KI85〔デグッサ(Degussa)
社〕0.23gおよび9−メチルアントラセン0.04
gの溶液を実施例I.1.からの溶液2gおよび実施例
I.6からの溶液3gの混合物に添加する。得られたレ
ジスト溶液をろ過しそして続いてK−バーコーター(K-
bar coater) (36μm)によって銅貼積層基板(銅1
8μm)に塗布する。塗布された基板を室温で10分
間、続いて80℃で15分間乾燥し、9μm厚のレジス
トフィルムを得る。マスクとして21ステップストッフ
ァーセンシティビティガイド(21 step Stoffer sensit
ivity guide)を使用してKPR340ORCプリンタ
ー,SMX7000Hランプにより露光を行う〔W.
S.デフォーレスト(W.S.DeForest),”Photoresist",
マックグロー−ヒル ブック社(McGrow-Hill Book C
o.), ニューヨーク,109頁以降参照〕。露光エネル
ギーは80J/cm2 である。約5分後、露光したプレ
ートを1%水性Na2 CO3 溶液で120秒現像する
(30℃、スプレー圧力2bar)。45℃でCuCl
2 /HCl溶液でエッチング後、最終画像化ステップ
(final imaged step)がNo.4であるレリーフ画像が
得られる。50μmの構造は十分解像される。レジスト
は続いて30℃で水性5%NaOH溶液中での浸漬によ
り除去される。
デガキュア(Degacure)KI85〔デグッサ(Degussa)
社〕0.23gおよび9−メチルアントラセン0.04
gの溶液を実施例I.1.からの溶液2gおよび実施例
I.6からの溶液3gの混合物に添加する。得られたレ
ジスト溶液をろ過しそして続いてK−バーコーター(K-
bar coater) (36μm)によって銅貼積層基板(銅1
8μm)に塗布する。塗布された基板を室温で10分
間、続いて80℃で15分間乾燥し、9μm厚のレジス
トフィルムを得る。マスクとして21ステップストッフ
ァーセンシティビティガイド(21 step Stoffer sensit
ivity guide)を使用してKPR340ORCプリンタ
ー,SMX7000Hランプにより露光を行う〔W.
S.デフォーレスト(W.S.DeForest),”Photoresist",
マックグロー−ヒル ブック社(McGrow-Hill Book C
o.), ニューヨーク,109頁以降参照〕。露光エネル
ギーは80J/cm2 である。約5分後、露光したプレ
ートを1%水性Na2 CO3 溶液で120秒現像する
(30℃、スプレー圧力2bar)。45℃でCuCl
2 /HCl溶液でエッチング後、最終画像化ステップ
(final imaged step)がNo.4であるレリーフ画像が
得られる。50μmの構造は十分解像される。レジスト
は続いて30℃で水性5%NaOH溶液中での浸漬によ
り除去される。
【0083】II.2. ポジ型エッチレジスト メトキシプロピルアセテート3g中の光開始剤登録商標
デガキュア(Degacure)KI85〔デグッサ(Degussa)
社〕0.23gおよび9−メチルアントラセン0.04
gの溶液を実施例I.2からの溶液3.5gおよび実施
例I.5からの溶液1.5gの混合物に添加する。塗
布、露光、現像およびエッチングを実施例II.1と同様
の方法で行う。露光エネルギーは80J/cm2 であ
る。現像時間は22℃で120秒間および2barのス
プレー圧力である。最終画像化ステップがNo.3であ
るレリーフ画像が得られる。25μmの構造は十分解像
される。
デガキュア(Degacure)KI85〔デグッサ(Degussa)
社〕0.23gおよび9−メチルアントラセン0.04
gの溶液を実施例I.2からの溶液3.5gおよび実施
例I.5からの溶液1.5gの混合物に添加する。塗
布、露光、現像およびエッチングを実施例II.1と同様
の方法で行う。露光エネルギーは80J/cm2 であ
る。現像時間は22℃で120秒間および2barのス
プレー圧力である。最終画像化ステップがNo.3であ
るレリーフ画像が得られる。25μmの構造は十分解像
される。
【0084】II.3. ポジ型エッチレジスト メトキシプロピルアセテート3g中の光開始剤登録商標
デガキュア(Degacure)KI85〔デグッサ(Degussa)
社〕0.23gおよび9−メチルアントラセン0.04
gの溶液を実施例I.2からの溶液2.5gおよび実施
例I.6からの溶液2.5gの混合物に添加する。塗
布、露光、現像およびエッチングを実施例II.1と同様
の方法で行う。 露光エネルギー:80J/cm2 現像時間:120秒間(30℃/スプレー圧力2ba
r) 最終画像化ステップ:No.3 解像度:25μm
デガキュア(Degacure)KI85〔デグッサ(Degussa)
社〕0.23gおよび9−メチルアントラセン0.04
gの溶液を実施例I.2からの溶液2.5gおよび実施
例I.6からの溶液2.5gの混合物に添加する。塗
布、露光、現像およびエッチングを実施例II.1と同様
の方法で行う。 露光エネルギー:80J/cm2 現像時間:120秒間(30℃/スプレー圧力2ba
r) 最終画像化ステップ:No.3 解像度:25μm
【0085】II.4. ポジ型エッチレジスト メトキシプロピルアセテート1.83g中の光開始剤登
録商標シラキュア(Cyracure)6990〔ユニオンカーバ
イド(Union Carbide)社〕0.16gおよびクァンタキ
ュア(Quantacure)ITX〔オクテルケミカルズ(Octel C
hemicals)社〕0.04gの溶液を、実施例I.2から
の溶液1.5gおよびメトキシプロピルアセテート中の
スクリプセット(Scripset)550の30%溶液の4.6
7gに添加する。塗布、露光、現像およびエッチングを
実施例II.1と同様の方法で行う。 露光エネルギー:125mJ/cm2 現像時間:120秒間(30℃/スプレー圧力1ba
r) 最終画像化ステップ:No.1 解像度:25μm 室温における9ヵ月間の貯蔵後の実施例I.2からの溶
液による比較試験では違いが見られない。
録商標シラキュア(Cyracure)6990〔ユニオンカーバ
イド(Union Carbide)社〕0.16gおよびクァンタキ
ュア(Quantacure)ITX〔オクテルケミカルズ(Octel C
hemicals)社〕0.04gの溶液を、実施例I.2から
の溶液1.5gおよびメトキシプロピルアセテート中の
スクリプセット(Scripset)550の30%溶液の4.6
7gに添加する。塗布、露光、現像およびエッチングを
実施例II.1と同様の方法で行う。 露光エネルギー:125mJ/cm2 現像時間:120秒間(30℃/スプレー圧力1ba
r) 最終画像化ステップ:No.1 解像度:25μm 室温における9ヵ月間の貯蔵後の実施例I.2からの溶
液による比較試験では違いが見られない。
【0086】II.5. ポジ型エッチレジスト メトキシプロピルアセテート3g中の光開始剤登録商標
シラキュア(Cyracure)6990〔ユニオンカーバイド
(Union Carbide)社〕0.16g、クァンタキュア(Qua
ntacure)ITX〔オクテルケミカルズ(Octel Chemical
s)社〕0.04gおよびオラソルブラウ(Orasolblau)
GN〔チバ(Ciba) 社〕0.01gの溶液を、実施例
I.3からの溶液3.0gおよび実施例I.5からの溶
液2.0gの混合物に添加する。塗布、露光、現像およ
びエッチングを実施例II.1と同様の方法で行う。 露光エネルギー:150mJ/cm2 現像時間:100秒間(30℃/スプレー圧力1ba
r) 最終画像化ステップ:No.2 解像度:25μm
シラキュア(Cyracure)6990〔ユニオンカーバイド
(Union Carbide)社〕0.16g、クァンタキュア(Qua
ntacure)ITX〔オクテルケミカルズ(Octel Chemical
s)社〕0.04gおよびオラソルブラウ(Orasolblau)
GN〔チバ(Ciba) 社〕0.01gの溶液を、実施例
I.3からの溶液3.0gおよび実施例I.5からの溶
液2.0gの混合物に添加する。塗布、露光、現像およ
びエッチングを実施例II.1と同様の方法で行う。 露光エネルギー:150mJ/cm2 現像時間:100秒間(30℃/スプレー圧力1ba
r) 最終画像化ステップ:No.2 解像度:25μm
【0087】II.6. ポジ型エッチレジスト メトキシプロピルアセテート2.17g中の光開始剤登
録商標シラキュア(Cyracure)6990〔ユニオンカーバ
イド(Union Carbide)社〕0.16gおよびクァンタキ
ュア(Quantacure)ITX〔オクテルケミカルズ(Octel C
hemicals)社〕0.04gの溶液を、実施例I.4から
の溶液2.5gおよびメトキシプロピルアセテート中の
スクリプセット(Scripset)550の30%溶液の3.3
3gの混合物に添加する。塗布、露光、現像およびエッ
チングを実施例II.1と同様の方法で行う。 露光エネルギー:30mJ/cm2 現像時間:63秒間(30℃/スプレー圧力1bar) 最終画像化ステップ:No.3 解像度:25μm
録商標シラキュア(Cyracure)6990〔ユニオンカーバ
イド(Union Carbide)社〕0.16gおよびクァンタキ
ュア(Quantacure)ITX〔オクテルケミカルズ(Octel C
hemicals)社〕0.04gの溶液を、実施例I.4から
の溶液2.5gおよびメトキシプロピルアセテート中の
スクリプセット(Scripset)550の30%溶液の3.3
3gの混合物に添加する。塗布、露光、現像およびエッ
チングを実施例II.1と同様の方法で行う。 露光エネルギー:30mJ/cm2 現像時間:63秒間(30℃/スプレー圧力1bar) 最終画像化ステップ:No.3 解像度:25μm
【0088】II.7. ポジ型エッチレジスト メトキシプロピルアセテート6g中の光開始剤登録商標
シラキュア(Cyracure)6974〔ユニオンカーバイド
(Union Carbide)社〕0.32gおよびクァンタキュア
(Quantacure)ITX〔オクテルケミカルズ(Octel Chemi
cals)社〕0.08g、パーガスクリトプトブラウ(Per
gascriptblau) S−RB〔チバ(Ciba) 社〕0.04
g、トリアジンA(Triazin A) (PCAS社) 0.02
gおよびオラソルブラウ(Orasolblau) GN〔チバ(Ci
ba) 社〕0.01gの溶液を、実施例I.3からの溶液
7.0gおよび実施例I.8からの溶液3.0gの混合
物に添加する。塗布、露光、現像およびエッチングを実
施例II.1と同様の方法で行うが、スタウブ(Staub) L
B65−1/5000W灯を露光のために使用する。 露光エネルギー:114mJ/cm2 現像時間:70秒間(30℃/スプレー圧力1bar) 最終画像化ステップ:No.2 解像度:25μm
シラキュア(Cyracure)6974〔ユニオンカーバイド
(Union Carbide)社〕0.32gおよびクァンタキュア
(Quantacure)ITX〔オクテルケミカルズ(Octel Chemi
cals)社〕0.08g、パーガスクリトプトブラウ(Per
gascriptblau) S−RB〔チバ(Ciba) 社〕0.04
g、トリアジンA(Triazin A) (PCAS社) 0.02
gおよびオラソルブラウ(Orasolblau) GN〔チバ(Ci
ba) 社〕0.01gの溶液を、実施例I.3からの溶液
7.0gおよび実施例I.8からの溶液3.0gの混合
物に添加する。塗布、露光、現像およびエッチングを実
施例II.1と同様の方法で行うが、スタウブ(Staub) L
B65−1/5000W灯を露光のために使用する。 露光エネルギー:114mJ/cm2 現像時間:70秒間(30℃/スプレー圧力1bar) 最終画像化ステップ:No.2 解像度:25μm
【0089】II.8. ポジ型エッチレジスト メトキシプロピルアセテート22.7g中の光開始剤登
録商標シラキュア(Cyracure)6974〔ユニオンカーバ
イド(Union Carbide)社〕3.2gおよびクァンタキュ
ア(Quantacure)ITX〔オクテルケミカルズ(Octel Che
micals)社〕0.8g、パーガスクリトプトブラウ(Per
gascriptblau) S−RB(Ciba社) 0.4g、トリアジ
ンA(Triazin A) (PCAS社) 0.2gおよびオラソ
ルブラウ(Orasolblau) GN〔チバ(Ciba) 社〕0.1
gの溶液を、実施例I.3からの溶液50gおよび実施
例I.9からの溶液50gの混合物に添加する。塗布、
露光、現像およびエッチングを実施例II.1と同様の方
法で行うが、ローラーコーター64gおよびスタウブ(S
taub) LB65−1/5000W灯を露光のために使用
する。 露光エネルギー:114mJ/cm2 現像時間:80秒間(30℃/スプレー圧力1bar) 最終画像化ステップ:No.3 解像度:25μm
録商標シラキュア(Cyracure)6974〔ユニオンカーバ
イド(Union Carbide)社〕3.2gおよびクァンタキュ
ア(Quantacure)ITX〔オクテルケミカルズ(Octel Che
micals)社〕0.8g、パーガスクリトプトブラウ(Per
gascriptblau) S−RB(Ciba社) 0.4g、トリアジ
ンA(Triazin A) (PCAS社) 0.2gおよびオラソ
ルブラウ(Orasolblau) GN〔チバ(Ciba) 社〕0.1
gの溶液を、実施例I.3からの溶液50gおよび実施
例I.9からの溶液50gの混合物に添加する。塗布、
露光、現像およびエッチングを実施例II.1と同様の方
法で行うが、ローラーコーター64gおよびスタウブ(S
taub) LB65−1/5000W灯を露光のために使用
する。 露光エネルギー:114mJ/cm2 現像時間:80秒間(30℃/スプレー圧力1bar) 最終画像化ステップ:No.3 解像度:25μm
【0090】II.9. ポジ型エッチレジスト メトキシプロピルアセテート6g中の光開始剤登録商標
シラキュア(Cyracure)6974〔ユニオンカーバイド社
(Union Carbide)〕0.32gおよびクァンタキュア(Q
uantacure)ITX〔オクテルケミカルズ社(Octel Chemi
cals)〕0.08g、パーガスクリトプトブラウ(Perga
scriptblau) S−RB(Ciba社) 0.04g、トリアジ
ンA(Triazin A) (PCAS社) 0.02gおよびオラ
ソルブラウ(Orasolblau) GN〔チバ(Ciba) 社〕0.
01gの溶液を、実施例I.3からの溶液3.0gおよ
び実施例I.10からの溶液7.0gの混合物に添加す
る。塗布、露光、現像およびエッチングを実施例II.1
と同様の方法で行うが、スタウブ(Staub) LB65−1
/5000W灯を露光のために使用する。 露光エネルギー:114mJ/cm2 現像時間:70秒間(30℃/スプレー圧力1bar) 最終画像化ステップ:No.1 解像度:25μm
シラキュア(Cyracure)6974〔ユニオンカーバイド社
(Union Carbide)〕0.32gおよびクァンタキュア(Q
uantacure)ITX〔オクテルケミカルズ社(Octel Chemi
cals)〕0.08g、パーガスクリトプトブラウ(Perga
scriptblau) S−RB(Ciba社) 0.04g、トリアジ
ンA(Triazin A) (PCAS社) 0.02gおよびオラ
ソルブラウ(Orasolblau) GN〔チバ(Ciba) 社〕0.
01gの溶液を、実施例I.3からの溶液3.0gおよ
び実施例I.10からの溶液7.0gの混合物に添加す
る。塗布、露光、現像およびエッチングを実施例II.1
と同様の方法で行うが、スタウブ(Staub) LB65−1
/5000W灯を露光のために使用する。 露光エネルギー:114mJ/cm2 現像時間:70秒間(30℃/スプレー圧力1bar) 最終画像化ステップ:No.1 解像度:25μm
【0091】II.10. ポジ型エッチレジスト メトキシプロピルアセテート6g中の光開始剤登録商標
シラキュア(Cyracure)6974〔ユニオンカーバイド
(Union Carbide)社〕0.32gおよびクァンタキュア
(Quantacure)ITX〔オクテルケミカルズ(Octel Chemi
cals)社〕0.08g、パーガスクリトプトブラウ(Per
gascriptblau) S−RB〔チバ(Ciba) 社〕0.04
g、トリアジンA(Triazin A) (PCAS社) 0.02
gおよびオラソルブラウ(Orasolblau) GN〔チバ(Ci
ba) 社〕0.01gの溶液を、実施例I.7からの溶液
5.0gおよび実施例I.10からの溶液5.0gの混
合物に添加する。塗布、露光、現像およびエッチングを
実施例II.1と同様の方法で行うが、スタウブ(Staub)
LB65−1/5000W灯を露光のために使用する。 露光エネルギー:130mJ/cm2 現像時間:70秒間(30℃/スプレー圧力1bar) 最終画像化ステップ:No.4 解像度:25μm
シラキュア(Cyracure)6974〔ユニオンカーバイド
(Union Carbide)社〕0.32gおよびクァンタキュア
(Quantacure)ITX〔オクテルケミカルズ(Octel Chemi
cals)社〕0.08g、パーガスクリトプトブラウ(Per
gascriptblau) S−RB〔チバ(Ciba) 社〕0.04
g、トリアジンA(Triazin A) (PCAS社) 0.02
gおよびオラソルブラウ(Orasolblau) GN〔チバ(Ci
ba) 社〕0.01gの溶液を、実施例I.7からの溶液
5.0gおよび実施例I.10からの溶液5.0gの混
合物に添加する。塗布、露光、現像およびエッチングを
実施例II.1と同様の方法で行うが、スタウブ(Staub)
LB65−1/5000W灯を露光のために使用する。 露光エネルギー:130mJ/cm2 現像時間:70秒間(30℃/スプレー圧力1bar) 最終画像化ステップ:No.4 解像度:25μm
【0092】II.11. ポジ型エッチレジスト メトキシプロピルアセテート6g中の光開始剤登録商標
シラキュア(Cyracure)6974〔ユニオンカーバイド
(Union Carbide)社〕0.32gおよびクァンタキュア
(Quantacure)ITX〔オクテルケミカルズ(Octel Chemi
cals)社〕0.08g、マルチフロー(Multiflow)〔モ
ンサント(Monsanto)社〕0.09gおよびオラソルブラ
ウ(Orasolblau) GN〔チバ(Ciba) 社〕0.01gの
溶液を、実施例I.4からの溶液5.0gおよび実施例
I.11からの溶液5.0gの混合物に添加する。塗
布、露光、現像およびエッチングを実施例II.1と同様
の方法で行うが、スタウブ(Staub) LB65−1/50
00W灯を露光のために使用する。 露光エネルギー:130mJ/cm2 現像時間:100秒間(25℃/スプレー圧力1ba
r) 最終画像化ステップ:No.4 解像度:25μm
シラキュア(Cyracure)6974〔ユニオンカーバイド
(Union Carbide)社〕0.32gおよびクァンタキュア
(Quantacure)ITX〔オクテルケミカルズ(Octel Chemi
cals)社〕0.08g、マルチフロー(Multiflow)〔モ
ンサント(Monsanto)社〕0.09gおよびオラソルブラ
ウ(Orasolblau) GN〔チバ(Ciba) 社〕0.01gの
溶液を、実施例I.4からの溶液5.0gおよび実施例
I.11からの溶液5.0gの混合物に添加する。塗
布、露光、現像およびエッチングを実施例II.1と同様
の方法で行うが、スタウブ(Staub) LB65−1/50
00W灯を露光のために使用する。 露光エネルギー:130mJ/cm2 現像時間:100秒間(25℃/スプレー圧力1ba
r) 最終画像化ステップ:No.4 解像度:25μm
【0093】II.12. ポジ型エッチレジスト メトキシプロピルアセテート5.7g中の光開始剤登録
商標シラキュア(Cyracure)6974〔ユニオンカーバイ
ド(Union Carbide)社〕0.32gおよびクァンタキュ
ア(Quantacure)ITX〔オクテルケミカルズ(Octel Che
micals)社〕0.08g、マルチフロー(Multiflow)
〔モンサント(Monsanto)社〕0.09g、N−メチルイ
ミダゾール0.63mgおよびオラソルブラウ(Orasol
blau) GN〔チバ(Ciba) 社〕0.01gの溶液を、実
施例I.4からの溶液5.0gおよび実施例I.11か
らの溶液5.0gの混合物に添加する。塗布、露光、現
像およびエッチングを実施例II.1と同様の方法で行う
が、スタウブ(Staub) LB65−1/5000W灯を露
光のために使用する。 露光エネルギー:200mJ/cm2 現像時間:40秒間(30℃/スプレー圧力1bar) 最終画像化ステップ:No.3 解像度:25μm
商標シラキュア(Cyracure)6974〔ユニオンカーバイ
ド(Union Carbide)社〕0.32gおよびクァンタキュ
ア(Quantacure)ITX〔オクテルケミカルズ(Octel Che
micals)社〕0.08g、マルチフロー(Multiflow)
〔モンサント(Monsanto)社〕0.09g、N−メチルイ
ミダゾール0.63mgおよびオラソルブラウ(Orasol
blau) GN〔チバ(Ciba) 社〕0.01gの溶液を、実
施例I.4からの溶液5.0gおよび実施例I.11か
らの溶液5.0gの混合物に添加する。塗布、露光、現
像およびエッチングを実施例II.1と同様の方法で行う
が、スタウブ(Staub) LB65−1/5000W灯を露
光のために使用する。 露光エネルギー:200mJ/cm2 現像時間:40秒間(30℃/スプレー圧力1bar) 最終画像化ステップ:No.3 解像度:25μm
【0094】II.13. ポジ型エッチレジスト メトキシプロピルアセテート5.7g中の光開始剤登録
商標シラキュア(Cyracure)6974〔ユニオンカーバイ
ド(Union Carbide)社〕0.32gおよびクァンタキュ
ア(Quantacure)ITX〔オクテルケミカルズ(Octel Che
micals)社〕0.08g、マルチフロー(Multiflow)
〔モンサント(Monsanto)社〕0.09g、N−メチルイ
ミダゾール6.3mgおよびオラソルブラウ(Orasolbl
au) GN〔チバ(Ciba) 社〕0.01gの溶液を、実施
例I.4からの溶液5.0gおよび実施例I.11から
の溶液5.0gの混合物に添加する。塗布、露光、現像
およびエッチングを実施例II.1と同様の方法で行う
が、スタウブ(Staub) LB65−1/5000W灯を露
光のために使用する。 露光エネルギー:200mJ/cm2 現像時間:70秒間(30℃/スプレー圧力1bar) 最終画像化ステップ:No.3 解像度:25μm
商標シラキュア(Cyracure)6974〔ユニオンカーバイ
ド(Union Carbide)社〕0.32gおよびクァンタキュ
ア(Quantacure)ITX〔オクテルケミカルズ(Octel Che
micals)社〕0.08g、マルチフロー(Multiflow)
〔モンサント(Monsanto)社〕0.09g、N−メチルイ
ミダゾール6.3mgおよびオラソルブラウ(Orasolbl
au) GN〔チバ(Ciba) 社〕0.01gの溶液を、実施
例I.4からの溶液5.0gおよび実施例I.11から
の溶液5.0gの混合物に添加する。塗布、露光、現像
およびエッチングを実施例II.1と同様の方法で行う
が、スタウブ(Staub) LB65−1/5000W灯を露
光のために使用する。 露光エネルギー:200mJ/cm2 現像時間:70秒間(30℃/スプレー圧力1bar) 最終画像化ステップ:No.3 解像度:25μm
【0095】II.14. ポジ型エッチレジスト メトキシプロピルアセテート6g中の光開始剤登録商標
シラキュア(Cyracure)6974〔ユニオンカーバイド
(Union Carbide)社〕0.32gおよびクァンタキュア
(Quantacure)ITX〔オクテルケミカルズ(Octel Chemi
cals)社〕0.08g、パーガスクリトプトブラウ(Per
gascriptblau) S−RB〔チバ(Ciba) 社〕0.04
g、トリアジンA(Triazin A) (PCAS社) 0.2g
およびオラソルブラウ(Orasolblau) GN〔チバ(Cib
a) 社〕0.01gの溶液を、実施例I.7からの溶液
4.0gおよび実施例I.11からの溶液6.0gの混
合物に添加する。塗布、露光、現像およびエッチングを
実施例II.1と同様の方法で行うが、スタウブ(Staub)
LB65−1/5000W灯を露光のために使用する。 露光エネルギー:130mJ/cm2 現像時間:60秒間(30℃/スプレー圧力1bar) 最終画像化ステップ:No.5 解像度:25μm
シラキュア(Cyracure)6974〔ユニオンカーバイド
(Union Carbide)社〕0.32gおよびクァンタキュア
(Quantacure)ITX〔オクテルケミカルズ(Octel Chemi
cals)社〕0.08g、パーガスクリトプトブラウ(Per
gascriptblau) S−RB〔チバ(Ciba) 社〕0.04
g、トリアジンA(Triazin A) (PCAS社) 0.2g
およびオラソルブラウ(Orasolblau) GN〔チバ(Cib
a) 社〕0.01gの溶液を、実施例I.7からの溶液
4.0gおよび実施例I.11からの溶液6.0gの混
合物に添加する。塗布、露光、現像およびエッチングを
実施例II.1と同様の方法で行うが、スタウブ(Staub)
LB65−1/5000W灯を露光のために使用する。 露光エネルギー:130mJ/cm2 現像時間:60秒間(30℃/スプレー圧力1bar) 最終画像化ステップ:No.5 解像度:25μm
【0096】II.15. ポジ型エッチレジスト メトキシプロピルアセテート5.7g中の光開始剤(4
−ニトロフェニル)メチル9,10−ジヒドロキシ−2
−アントラセンスルホネート0.16g、パーガスクリ
トプトブラウ(Pergascriptblau) S−RB〔チバ(Cib
a) 社〕0.4g、トリアジンA(Triazin A) (PCA
S社) 0.2gおよびオラソルブラウ(Orasolblau) G
N〔チバ(Ciba) 社〕0.01gの溶液を、実施例I.
7からの溶液4.0gおよび実施例I.11からの溶液
6.0gの混合物に添加する。塗布、露光、現像および
エッチングを実施例II.1と同様の方法で行うが、スタ
ウブ(Staub) LB65−1/5000W灯を露光のため
に使用する。 露光エネルギー:130mJ/cm2 現像時間:70秒間(30℃/スプレー圧力1bar) 最終画像化ステップ:No.2 解像度:25μm
−ニトロフェニル)メチル9,10−ジヒドロキシ−2
−アントラセンスルホネート0.16g、パーガスクリ
トプトブラウ(Pergascriptblau) S−RB〔チバ(Cib
a) 社〕0.4g、トリアジンA(Triazin A) (PCA
S社) 0.2gおよびオラソルブラウ(Orasolblau) G
N〔チバ(Ciba) 社〕0.01gの溶液を、実施例I.
7からの溶液4.0gおよび実施例I.11からの溶液
6.0gの混合物に添加する。塗布、露光、現像および
エッチングを実施例II.1と同様の方法で行うが、スタ
ウブ(Staub) LB65−1/5000W灯を露光のため
に使用する。 露光エネルギー:130mJ/cm2 現像時間:70秒間(30℃/スプレー圧力1bar) 最終画像化ステップ:No.2 解像度:25μm
【0097】II.16. ポジ型エッチレジスト メトキシプロピルアセテート5.7g中の光開始剤登録
商標シラキュア(Cyracure)6974〔ユニオンカーバイ
ド(Union Carbide)社〕0.32gおよびクァンタキュ
ア(Quantacure)ITX〔オクテルケミカルズ(Octel Che
micals)社〕0.08g、マルチフロー(Multiflow)
〔モンサント(Monsanto)社〕0.09gおよびオラソル
ブラウ(Orasolblau) GN〔チバ(Ciba) 社〕0.01
gの溶液を、実施例I.11からの溶液5.0gおよび
実施例I.12からの溶液5.0gの混合物に添加す
る。塗布、露光、現像およびエッチングを実施例II.1
と同様の方法で行うが、スタウブ(Staub) LB65−1
/5000W灯を露光のために使用する。 露光エネルギー:200mJ/cm2 現像時間:135秒間(30℃/スプレー圧力1ba
r) 最終画像化ステップ:No.2 解像度:25μm
商標シラキュア(Cyracure)6974〔ユニオンカーバイ
ド(Union Carbide)社〕0.32gおよびクァンタキュ
ア(Quantacure)ITX〔オクテルケミカルズ(Octel Che
micals)社〕0.08g、マルチフロー(Multiflow)
〔モンサント(Monsanto)社〕0.09gおよびオラソル
ブラウ(Orasolblau) GN〔チバ(Ciba) 社〕0.01
gの溶液を、実施例I.11からの溶液5.0gおよび
実施例I.12からの溶液5.0gの混合物に添加す
る。塗布、露光、現像およびエッチングを実施例II.1
と同様の方法で行うが、スタウブ(Staub) LB65−1
/5000W灯を露光のために使用する。 露光エネルギー:200mJ/cm2 現像時間:135秒間(30℃/スプレー圧力1ba
r) 最終画像化ステップ:No.2 解像度:25μm
【0098】II.16. ポジ型エッチレジスト メトキシプロピルアセテート5.7g中の光開始剤ジフ
ェニルヨードニウムヘキサフルオロアルセネート0.1
6gおよびクァンタキュア(Quantacure)ITX〔オクテ
ルケミカルズ(Octel Chemicals)社〕0.08g、マル
チフロー(Multiflow)〔モンサント(Monsanto)社〕0.
09gおよびオラソルブラウ(Orasolblau) GN〔チバ
(Ciba) 社〕0.01gの溶液を、実施例I.11から
の溶液5.0gおよび実施例I.12からの溶液5.0
gの混合物に添加する。塗布、露光、現像およびエッチ
ングを実施例II.1と同様の方法で行うが、スタウブ(S
taub) LB65−1/5000W灯を露光のために使用
する。 露光エネルギー:130mJ/cm2 現像時間:70秒間(30℃/スプレー圧力1bar) 最終画像化ステップ:No.5 解像度:25μm
ェニルヨードニウムヘキサフルオロアルセネート0.1
6gおよびクァンタキュア(Quantacure)ITX〔オクテ
ルケミカルズ(Octel Chemicals)社〕0.08g、マル
チフロー(Multiflow)〔モンサント(Monsanto)社〕0.
09gおよびオラソルブラウ(Orasolblau) GN〔チバ
(Ciba) 社〕0.01gの溶液を、実施例I.11から
の溶液5.0gおよび実施例I.12からの溶液5.0
gの混合物に添加する。塗布、露光、現像およびエッチ
ングを実施例II.1と同様の方法で行うが、スタウブ(S
taub) LB65−1/5000W灯を露光のために使用
する。 露光エネルギー:130mJ/cm2 現像時間:70秒間(30℃/スプレー圧力1bar) 最終画像化ステップ:No.5 解像度:25μm
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 C08L 33/02 LJF 33/14 35/02 LJD G03F 7/004 503 H01L 21/027
Claims (16)
- 【請求項1】 a)酸−活性(acid labile)α−アルコ
キシアルキルエステル基を含むホモポリマーまたはコポ
リマーの少なくとも1種; b)カルボキシル基の含量が0.40ないし5.50m
ol/kgであるカルボキシル含有コポリマーの少なく
とも1種; c)化学線への露光において酸を形成する化合物の少な
くとも1種および d)有機溶媒;からなる水性アルカリ媒体で現像可能な
ポジ型フォトレジスト組成物。 - 【請求項2】 成分(a)が下式Iaで表される反復構
造単位8−100重量%および下式Ibで表される反復
構造単位92−0重量% 〔式中、Xは直接結合または、1またはそれ以上の炭素
原子が酸素原子、硫黄原子または非塩基性窒素原子によ
り置換されていてもよい1ないし18個の炭素原子を有
する2価の有機基を表し;R1 、R2 およびR3 は、互
いに独立して、水素原子、炭素原子数1ないし6のアル
キル基、炭素原子数5ないし14のアリール基、炭素原
子数6ないし20のアラルキル基、ハロゲン原子、−C
OOH、−COOR12またはCONR13R14(式中、R
12は未置換のもしくは炭素原子数1ないし6のアルコキ
シ基、ヒドロキシル基もしくはハロゲン原子で置換され
た炭素原子数1ないし18のアルキル基またはヒドロキ
シを末端基とするポリエーテルもしくはポリエステルの
基を表し;ならびにR13およびR14は、互いに独立し
て、水素原子、炭素原子数1ないし18のアルキル基、
炭素原子数5ないし14のアリール基もしくは炭素原子
数6ないし20のアラルキル基を表す。)を表し;R4
は炭素原子数1ないし6のアルキル基またはフェニル基
を表し;R5 は水素原子または炭素原子数1ないし6の
アルキル基を表しおよびR6 およびR7 は、互いに独立
して、水素原子、炭素原子数1ないし6のアルキル基ま
たは炭素原子数1ないし6のアルコキシ基を表し;ある
いは基R4 、R5、R6 またはR7 の2つが、それらが
結合している炭素原子または酸素原子と一緒になって、
5−ないし8員環を形成し;R8 、R9 、R10およびR
11は、互いに独立して、水素原子、炭素原子数1ないし
18のアルキル基、未置換のまたは炭素原子数1ないし
6のアルキル基、炭素原子数1ないし6のアルコキシ基
もしくはハロゲン原子で置換されたフェニル基、ハロゲ
ン原子、炭素原子数1ないし18のアルコキシ基、−C
OOR12、−OCOR12または−COOH(式中、R12
は上記に定義したと同じ意味を表す。)を表し;あるい
はR9 およびR11はそれらと結合している炭素原子と一
緒になって、構造式 (式中、R15は水素原子、炭素原子数1ないし18のア
ルキル基、炭素原子数5ないし14のアリール基、炭素
原子数6ないし20のアラルキル基を表すかまたはヒド
ロキシル基で、アルコキシ基でもしくはハロゲン原子で
置換されたフェニル基を表す。)を有する5員環を形成
する。〕からなるホモポリマーまたはコポリマーであ
り、但し、該ホモポリマーまたはコポリマーの平均分子
量(重量平均)は1000─500,000であり、お
よびCOOH基の量は最大0.4mol/kgである、
請求項1に記載の組成物。 - 【請求項3】 成分(a)が、R1 およびR2 が水素原
子を表しおよびR3が水素原子またはメチル基を表す、
式Iaで表される反復構造単位からなるホモポリマーま
たはコポリマーの少なくとも1種である請求項2に記載
の組成物。 - 【請求項4】 成分(a)が式III (式中、R1 、R2 およびR3 は請求項2で定義された
と同じ意味を表す。)で表される反復構造単位からなる
ホモポリマーまたはコポリマーの少なくとも1種である
請求項2に記載の組成物。 - 【請求項5】 成分(a)が、R1 およびR2 が水素原
子を表しおよびR3が水素原子またはメチル基を表す、
式III の反復構造単位からなるホモポリマーまたはコポ
リマーの少なくとも1種である請求項4に記載の組成
物。 - 【請求項6】 成分(b)が下式IIaで表される反復構
造単位の5−40重量%および下式IIbで表される反復
構造単位の95−60重量% (式中、R1 、R2 、R3 、R8 、R9 、R10、R11お
よびXは請求項2で定義されたと同じ意味を表す。)か
らなる該コポリマーの少なくとも1種であり、但し、該
コポリマーの平均分子量(重量平均)は1000─50
0,000ダルトンであり、カルボキシル基の含量は
0.40ないし5.50mol/kgである、請求項2
に記載の組成物。 - 【請求項7】 成分(b)が、R1 およびR2 が水素原
子を表しおよびR3が水素原子またはメチル基を表しお
よびXが直接結合を表す、式(IIa)で表される反復構
造単位からなるホモポリマーまたはコポリマーの少なく
とも1種である請求項6に記載の組成物。 - 【請求項8】 成分(b)が、R8 およびR9 が水素原
子を表し、R10が水素原子またはメチル基を表しおよび
R11がフェニル基または−COOR12(式中、R12は炭
素原子数1ないし18のアルキル基を表す。)を表す、
式(IIb)で表される反復構造単位からなるコポリマー
の少なくとも1種、あるいは式 (式中、R15はフェニル基を表す。)で表される反復構
造単位からなるコポリマーの少なくとも1種である請求
項6項記載の組成物。 - 【請求項9】 成分(a)が、式Iaで表される反復構
造単位20−100重量%および式Ibで表される反復
構造単位80−0重量%からなるホモポリマーまたはコ
ポリマーの少なくとも1種である、請求項2に記載の組
成物。 - 【請求項10】 成分(b)が式IIaで表される反復構
造単位5ないし35重量%および式IIbで表される反復
構造単位95ないし65重量%からなるコポリマーの少
なくとも1種である、請求項6に記載の組成物。 - 【請求項11】 成分(a)+(b)の総計に基づい
て、成分(a)10−95重量%および成分(b)90
−5重量%からなる請求項1に記載の組成物。 - 【請求項12】 成分(c)が感光性ジアゾニウム、ス
ルホニウム、スルホキソニウムまたはヨードニウム塩ま
たは感光性スルホン酸エステルである請求項1に記載の
組成物。 - 【請求項13】 成分(c)がトリフェニルスルホニウ
ム、トリフルオロメタンスルホネート、トリフェニルス
ルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、トリフェニ
ルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート、トリフェ
ニルスルホニウムヘキサフルオロアルセネートである
か、または (式中、mは1ないし10の整数を表す。)で表される
スルホニウムイオンのヘキサフルオロホスフェートもし
くはヘキサフルオロアンチモネートである請求項1に記
載の組成物。 - 【請求項14】 成分(d)はメトキシプロピルアセテ
ートである請求項1に記載の組成物。 - 【請求項15】 請求項1に記載の組成物を用いて基材
を塗布し、溶媒の除去後得られたフィルムを画像様に露
光しおよび続いて露光されたフィルムを水性アルカリ媒
体中で現像することからなる、回路板上におけるレリー
フ構造の製造方法。 - 【請求項16】 以下の段階 (A)公知の方法による液体レジストの施用により銅積
層基材を請求項1に記載の組成物を用いて塗布し; (B)30℃ないし130℃の温度で乾燥することによ
り溶媒を除去し; (C)マスクを通して化学線に露光するかまたは直接レ
ーザー照射によって露光し; (D)水性アルカリまたは半水性アルカリ(semiaqueou
s-alkaline) 現像液を使用して現像し; (E)酸性または弱アルカリエッチング剤を用いてエッ
チングし; (F)強水性塩基および/または有機溶媒を用いたスト
リッピングにより残存しているフォトレジストコーティ
ングの除去からなる請求項15に記載の方法。
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CH1992/94-8 | 1994-06-22 | ||
| CH199294 | 1994-06-22 | ||
| CH0138/95-5 | 1995-01-18 | ||
| CH13895 | 1995-01-18 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0850356A true JPH0850356A (ja) | 1996-02-20 |
Family
ID=25683633
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7179554A Pending JPH0850356A (ja) | 1994-06-22 | 1995-06-22 | ポジ型フォトレジスト |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5939242A (ja) |
| EP (1) | EP0689098B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0850356A (ja) |
| KR (1) | KR100374447B1 (ja) |
| CN (1) | CN1075638C (ja) |
| AT (1) | ATE195590T1 (ja) |
| CA (1) | CA2152236A1 (ja) |
| DE (1) | DE59508640D1 (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006276851A (ja) * | 2005-03-04 | 2006-10-12 | Fuji Photo Film Co Ltd | ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法 |
| JP2007010748A (ja) * | 2005-06-28 | 2007-01-18 | Fujifilm Holdings Corp | ポジ型感光性組成物及びそれを用いたパターン形成方法 |
| JP2010530441A (ja) * | 2007-05-15 | 2010-09-09 | エルジー・ケム・リミテッド | 電磁波遮蔽層の製造時に無電解メッキに対する触媒前駆体樹脂組成物、これを用いた金属パターンの形成方法及びこれにより製造された金属パターン |
| JP2011043851A (ja) * | 2005-03-04 | 2011-03-03 | Fujifilm Corp | ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法 |
| JP2011191741A (ja) * | 2010-02-16 | 2011-09-29 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | 電子線用又はeuv用化学増幅ポジ型レジスト組成物及びパターン形成方法 |
| JP2012184384A (ja) * | 2011-03-08 | 2012-09-27 | Wakayama Prefecture | アクリレート系共重合体、およびそれを含む樹脂組成物、ならびにそれをコーティングした受容層付き基板 |
| JP2015025101A (ja) * | 2013-07-29 | 2015-02-05 | 三菱レイヨン株式会社 | アクリル系樹脂組成物 |
| JP2021524943A (ja) * | 2018-06-18 | 2021-09-16 | ヨンチャン ケミカル カンパニー リミテッドYoung Chang Chemical Co.,Ltd | パターンプロファイル改善用化学増幅型ポジティブフォトレジスト組成物 |
Families Citing this family (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09166871A (ja) * | 1995-12-15 | 1997-06-24 | Sumitomo Chem Co Ltd | フォトレジスト組成物 |
| US6090526A (en) * | 1996-09-13 | 2000-07-18 | Shipley Company, L.L.C. | Polymers and photoresist compositions |
| EP0877293B1 (en) * | 1997-05-09 | 2004-01-14 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Positive photosensitive composition |
| DE59906054D1 (de) | 1998-04-24 | 2003-07-31 | Infineon Technologies Ag | Filmbildende Polymere |
| DE59908549D1 (de) * | 1998-04-24 | 2004-03-25 | Infineon Technologies Ag | Strahlungsempfindliches Gemisch und dessen Verwendung |
| DE19936331B4 (de) * | 1999-08-02 | 2006-12-07 | Kodak Polychrome Graphics Gmbh | Copolymer zur Erhöhung der Chemikalien- und Entwicklerresistenz von positiv arbeitenden Druckplatten |
| EP1074887B1 (en) | 1999-08-02 | 2004-10-06 | Kodak Polychrome Graphics GmbH | Radiation-sensitive compositions for printing plates for improving their chemical and developer resistance and printing plates comprising said compositions |
| US6251569B1 (en) * | 1999-08-13 | 2001-06-26 | International Business Machines Corporation | Forming a pattern of a negative photoresist |
| US6811961B2 (en) * | 2001-02-25 | 2004-11-02 | Shipley Company, L.L.C. | Photoacid generator systems for short wavelength imaging |
| DE10137100B4 (de) | 2001-07-30 | 2005-07-07 | Infineon Technologies Ag | Transparenzverbesserung von Resist-Copolymeren für die 157 nm-Fotolithografie durch Einsatz von fluorierten Zimtsäurederivaten |
| JP3918542B2 (ja) * | 2001-12-11 | 2007-05-23 | 住友化学株式会社 | 化学増幅型ポジ型レジスト組成物 |
| DE10203839B4 (de) * | 2002-01-31 | 2007-10-18 | Infineon Technologies Ag | Resist für die Fotolithografie mit reaktiven Gruppen für eine nachträgliche Modifikation der Resiststrukturen |
| US6645689B2 (en) | 2002-03-13 | 2003-11-11 | Kodak Polychrome Graphics Llc | Solvent resistant polymers with improved bakeability features |
| US7223518B2 (en) * | 2003-06-06 | 2007-05-29 | Georgia Tech Research Corporation | Compositions and methods of use thereof |
| KR100676885B1 (ko) * | 2004-12-02 | 2007-02-23 | 주식회사 하이닉스반도체 | 상부 반사방지막 중합체, 이의 제조방법 및 이를 함유하는상부 반사방지막 조성물 |
| JP4533831B2 (ja) * | 2005-09-29 | 2010-09-01 | 富士フイルム株式会社 | ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法 |
| JP4464907B2 (ja) * | 2005-11-16 | 2010-05-19 | 株式会社日本触媒 | 感光性樹脂組成物 |
| KR101618316B1 (ko) | 2009-02-27 | 2016-05-09 | 주식회사 동진쎄미켐 | 포토레지스트 패턴 코팅용 고분자 및 이를 이용한 반도체 소자의 패턴 형성 방법 |
| WO2011053100A2 (ko) * | 2009-11-02 | 2011-05-05 | 주식회사 엘지화학 | 아크릴레이트 수지, 이를 포함하는 포토레지스트 조성물, 및 포토레지스트 패턴 |
| KR102003530B1 (ko) * | 2011-07-08 | 2019-10-17 | 헤레우스 프레셔스 메탈스 게엠베하 운트 코. 카게 | 적층체의 제조 공정 및 이로부터 얻어지는 적층체 |
| JP6456176B2 (ja) * | 2015-02-10 | 2019-01-23 | 東京応化工業株式会社 | 厚膜用化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物 |
| US20210294214A1 (en) * | 2018-07-31 | 2021-09-23 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Underlayer film forming composition |
Family Cites Families (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4162162A (en) | 1978-05-08 | 1979-07-24 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Derivatives of aryl ketones and p-dialkyl-aminoarylaldehydes as visible sensitizers of photopolymerizable compositions |
| US4755450A (en) | 1986-04-22 | 1988-07-05 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Spectral sensitizing dyes in photopolymerizable systems |
| JPH02248952A (ja) | 1989-03-22 | 1990-10-04 | Toshiba Corp | 感光性組成物 |
| US5120633A (en) * | 1990-04-10 | 1992-06-09 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Resist material for use in thick film resists |
| US5252427A (en) | 1990-04-10 | 1993-10-12 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Positive photoresist compositions |
| US5262281A (en) * | 1990-04-10 | 1993-11-16 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Resist material for use in thick film resists |
| US5120629A (en) | 1990-04-10 | 1992-06-09 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Positive-working photosensitive electrostatic master |
| JP2648805B2 (ja) * | 1990-04-24 | 1997-09-03 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション | 液体適用型の水性処理可能なホトレジスト組成物 |
| JPH0426850A (ja) * | 1990-05-23 | 1992-01-30 | Toyo Gosei Kogyo Kk | 感放射線樹脂組成物及びその組成物を用いたパターン形成方法 |
| US5085972A (en) * | 1990-11-26 | 1992-02-04 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Alkoxyalkyl ester solubility inhibitors for phenolic resins |
| JPH0517711A (ja) | 1991-07-09 | 1993-01-26 | Hitachi Chem Co Ltd | ポジ型感光性アニオン型電着塗料樹脂組成物、これを用いた電着塗装浴、電着塗装法及びプリント回路板の製造法 |
| US5332650A (en) * | 1991-09-06 | 1994-07-26 | Japan Synthetic Rubber Co., Ltd. | Radiation-sensitive composition |
| JP3010607B2 (ja) * | 1992-02-25 | 2000-02-21 | ジェイエスアール株式会社 | 感放射線性樹脂組成物 |
| US5384229A (en) | 1992-05-07 | 1995-01-24 | Shipley Company Inc. | Photoimageable compositions for electrodeposition |
| DE59306590D1 (de) * | 1992-12-04 | 1997-07-03 | Ocg Microelectronic Materials | Positiv-Photoresist mit verbesserten Prozesseigenschaften |
-
1995
- 1995-06-13 AT AT95810395T patent/ATE195590T1/de not_active IP Right Cessation
- 1995-06-13 DE DE59508640T patent/DE59508640D1/de not_active Expired - Fee Related
- 1995-06-13 EP EP95810395A patent/EP0689098B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1995-06-20 CA CA002152236A patent/CA2152236A1/en not_active Abandoned
- 1995-06-21 CN CN95107005A patent/CN1075638C/zh not_active Expired - Fee Related
- 1995-06-22 JP JP7179554A patent/JPH0850356A/ja active Pending
- 1995-06-22 KR KR1019950016814A patent/KR100374447B1/ko not_active Expired - Fee Related
-
1996
- 1996-11-27 US US08/757,391 patent/US5939242A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006276851A (ja) * | 2005-03-04 | 2006-10-12 | Fuji Photo Film Co Ltd | ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法 |
| JP2011043851A (ja) * | 2005-03-04 | 2011-03-03 | Fujifilm Corp | ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法 |
| US8741537B2 (en) | 2005-03-04 | 2014-06-03 | Fujifilm Corporation | Positive resist composition and pattern-forming method using the same |
| JP2007010748A (ja) * | 2005-06-28 | 2007-01-18 | Fujifilm Holdings Corp | ポジ型感光性組成物及びそれを用いたパターン形成方法 |
| US8012665B2 (en) | 2005-06-28 | 2011-09-06 | Fujifilm Corporation | Positive photosensitive composition and pattern forming method using the same |
| US8753792B2 (en) | 2005-06-28 | 2014-06-17 | Fujifilm Corporation | Positive photosensitive composition and pattern forming method using the same |
| JP2010530441A (ja) * | 2007-05-15 | 2010-09-09 | エルジー・ケム・リミテッド | 電磁波遮蔽層の製造時に無電解メッキに対する触媒前駆体樹脂組成物、これを用いた金属パターンの形成方法及びこれにより製造された金属パターン |
| JP2011191741A (ja) * | 2010-02-16 | 2011-09-29 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | 電子線用又はeuv用化学増幅ポジ型レジスト組成物及びパターン形成方法 |
| JP2012184384A (ja) * | 2011-03-08 | 2012-09-27 | Wakayama Prefecture | アクリレート系共重合体、およびそれを含む樹脂組成物、ならびにそれをコーティングした受容層付き基板 |
| JP2015025101A (ja) * | 2013-07-29 | 2015-02-05 | 三菱レイヨン株式会社 | アクリル系樹脂組成物 |
| JP2021524943A (ja) * | 2018-06-18 | 2021-09-16 | ヨンチャン ケミカル カンパニー リミテッドYoung Chang Chemical Co.,Ltd | パターンプロファイル改善用化学増幅型ポジティブフォトレジスト組成物 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0689098B1 (de) | 2000-08-16 |
| CN1075638C (zh) | 2001-11-28 |
| US5939242A (en) | 1999-08-17 |
| KR100374447B1 (ko) | 2003-08-21 |
| DE59508640D1 (de) | 2000-09-21 |
| CA2152236A1 (en) | 1995-12-23 |
| CN1121190A (zh) | 1996-04-24 |
| KR960001893A (ko) | 1996-01-26 |
| ATE195590T1 (de) | 2000-09-15 |
| EP0689098A1 (de) | 1995-12-27 |
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