JPH0851113A - 半導体集積回路とその製造方法 - Google Patents
半導体集積回路とその製造方法Info
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- JPH0851113A JPH0851113A JP20424394A JP20424394A JPH0851113A JP H0851113 A JPH0851113 A JP H0851113A JP 20424394 A JP20424394 A JP 20424394A JP 20424394 A JP20424394 A JP 20424394A JP H0851113 A JPH0851113 A JP H0851113A
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- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 種々のパッド形態を有する半導体集積回路に
対してワイヤボンディング装置の自動センタリング機能
を広く使用できるようにする。 【構成】 一方の面を回路形成面２とし、その回路形成
面２にワイヤボンディング用の電極パッド４が形成され
た半導体集積回路であり、電極パッド４のワイヤボンデ
ィング領域５が露出し、他のパッド領域は反射防止膜６
によって覆われている。
対してワイヤボンディング装置の自動センタリング機能
を広く使用できるようにする。 【構成】 一方の面を回路形成面２とし、その回路形成
面２にワイヤボンディング用の電極パッド４が形成され
た半導体集積回路であり、電極パッド４のワイヤボンデ
ィング領域５が露出し、他のパッド領域は反射防止膜６
によって覆われている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、回路形成面側にワイヤ
ボンディング用の複数の電極パッドを有する半導体集積
回路とその製造方法に関するものである。
ボンディング用の複数の電極パッドを有する半導体集積
回路とその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に、ワイヤボンディング技術では半
導体集積回路における電極パッドピッチ縮小化技術が重
要なテーマとなっている。これはＡｌ（アルミ）細線化
技術の発展に伴い、半導体機能部の面積が小さくなり、
チップサイズを決定する因子がパッドピッチになりつつ
あるためである。チップサイズが小さくなれば、その分
だけ１ウエハあたりの収率が増加してコストダウンとな
る。そこでパッドピッチを小さくするためには、ワイヤ
ボンディングの位置精度を向上させることが必要不可欠
となっている。
導体集積回路における電極パッドピッチ縮小化技術が重
要なテーマとなっている。これはＡｌ（アルミ）細線化
技術の発展に伴い、半導体機能部の面積が小さくなり、
チップサイズを決定する因子がパッドピッチになりつつ
あるためである。チップサイズが小さくなれば、その分
だけ１ウエハあたりの収率が増加してコストダウンとな
る。そこでパッドピッチを小さくするためには、ワイヤ
ボンディングの位置精度を向上させることが必要不可欠
となっている。
【０００３】一般に、ワイヤボンディングを行う場合
は、ワイヤボンディング装置に半導体チップの電極パッ
ドとリードフレームのインナーリードとの結線位置を覚
え込ませる必要がある。これをティーチングというが、
このティーチングでは、オペレータがワイヤボンディン
グ装置のモニタ画面を見ながら電極パッドの中心に目合
わせを行っていた。このため、当然のことながらティー
チングに際してはオペレータの目視誤差やオペレータ間
の個人差が生じ、その結果として、ワイヤボンディング
時に隣接するボンディングワイヤとボンディングツール
とが接触して、ワイヤ曲がりやワイヤショートが発生す
るなど、パッドピッチを縮小化するにも限界があった。
は、ワイヤボンディング装置に半導体チップの電極パッ
ドとリードフレームのインナーリードとの結線位置を覚
え込ませる必要がある。これをティーチングというが、
このティーチングでは、オペレータがワイヤボンディン
グ装置のモニタ画面を見ながら電極パッドの中心に目合
わせを行っていた。このため、当然のことながらティー
チングに際してはオペレータの目視誤差やオペレータ間
の個人差が生じ、その結果として、ワイヤボンディング
時に隣接するボンディングワイヤとボンディングツール
とが接触して、ワイヤ曲がりやワイヤショートが発生す
るなど、パッドピッチを縮小化するにも限界があった。
【０００４】そこで、現在では電極パッドの自動センタ
リング機能を備えたワイヤボンディング装置が開発され
ている。これは、電極パッドの形状、大きさを予めワイ
ヤボンディング装置に覚え込ませておき、光学式カメラ
によって取り込んだ実際の電極パッドの画像を２値化し
て、白っぽく浮き上がらせた電極パッドの画像と予め覚
え込ませたパッド画像とを照らし合わせて自動センタリ
ングを行うものである。
リング機能を備えたワイヤボンディング装置が開発され
ている。これは、電極パッドの形状、大きさを予めワイ
ヤボンディング装置に覚え込ませておき、光学式カメラ
によって取り込んだ実際の電極パッドの画像を２値化し
て、白っぽく浮き上がらせた電極パッドの画像と予め覚
え込ませたパッド画像とを照らし合わせて自動センタリ
ングを行うものである。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら従来の半
導体集積回路においては、光学カメラにて取り込んだ電
極パッドの画像を２値化した場合、図４（ａ）に示すよ
うに電極パッド３０から引き出されている配線部分３１
も電極パッド３０とともに白っぽく浮き上がってしまう
ため、ワイヤボンディング装置に覚え込ませたパッド画
像と実際に装置側で認識したパッド画像とを一致させる
ことができず、自動センタリング機能が使用できなくな
る。
導体集積回路においては、光学カメラにて取り込んだ電
極パッドの画像を２値化した場合、図４（ａ）に示すよ
うに電極パッド３０から引き出されている配線部分３１
も電極パッド３０とともに白っぽく浮き上がってしまう
ため、ワイヤボンディング装置に覚え込ませたパッド画
像と実際に装置側で認識したパッド画像とを一致させる
ことができず、自動センタリング機能が使用できなくな
る。
【０００６】また、図４（ｂ）に示すように、隣合う電
極パッド３０の間隔（パッドピッチ）が極端に狭くなっ
た場合においても、パッド面の反射によってパッド間の
境界を検出できずにワイヤボンディング装置が複数の電
極パッド３０を１つの電極パッド３０と誤認してしま
い、上記同様に自動センタリング機能が使用できなくな
る。さらに、ワイヤボンディング装置には一つのパッド
画像だけしか覚え込ませることが出来ないため、図４
（ｃ）に示すように、一つの半導体集積回路の中に形状
又は大きさの異なる電極パッド３０が混在する場合にも
自動センタリング機能が使用できなくなる。
極パッド３０の間隔（パッドピッチ）が極端に狭くなっ
た場合においても、パッド面の反射によってパッド間の
境界を検出できずにワイヤボンディング装置が複数の電
極パッド３０を１つの電極パッド３０と誤認してしま
い、上記同様に自動センタリング機能が使用できなくな
る。さらに、ワイヤボンディング装置には一つのパッド
画像だけしか覚え込ませることが出来ないため、図４
（ｃ）に示すように、一つの半導体集積回路の中に形状
又は大きさの異なる電極パッド３０が混在する場合にも
自動センタリング機能が使用できなくなる。
【０００７】本発明は、上記問題を解決するためになさ
れたもので、その目的は、種々のパッド形態を有する半
導体集積回路に対してワイヤボンディング装置の自動セ
ンタリング機能を広く使用できるようにすることにあ
る。
れたもので、その目的は、種々のパッド形態を有する半
導体集積回路に対してワイヤボンディング装置の自動セ
ンタリング機能を広く使用できるようにすることにあ
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するためになされたもので、一方の面を回路形成面と
し、その回路形成面にワイヤボンディング用の複数の電
極パッドが形成された半導体集積回路であり、回路形成
面に形成されている複数の電極パッドは、各々のワイヤ
ボンディング領域を除いた他のパッド領域が反射防止膜
によって覆われた構造となっている。
成するためになされたもので、一方の面を回路形成面と
し、その回路形成面にワイヤボンディング用の複数の電
極パッドが形成された半導体集積回路であり、回路形成
面に形成されている複数の電極パッドは、各々のワイヤ
ボンディング領域を除いた他のパッド領域が反射防止膜
によって覆われた構造となっている。
【０００９】
【作用】本発明の半導体集積回路においては、電極パッ
ドの領域のうち、そのワイヤボンディング領域を除いた
他の領域が反射防止膜に覆われた構造になっているた
め、自動センタリング機能を備えたワイヤボンディング
装置に予めワイヤボンディング領域に対応したパッド形
状を覚え込ませることにより、種々の形態の電極パッド
に対して自動センタリング機能を使用できるようにな
る。
ドの領域のうち、そのワイヤボンディング領域を除いた
他の領域が反射防止膜に覆われた構造になっているた
め、自動センタリング機能を備えたワイヤボンディング
装置に予めワイヤボンディング領域に対応したパッド形
状を覚え込ませることにより、種々の形態の電極パッド
に対して自動センタリング機能を使用できるようにな
る。
【００１０】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を参照し
ながら詳細に説明する。図１は本発明に係わる半導体集
積回路の一実施例を説明する図であり、図中（ａ）はそ
の要部拡大図、（ｂ）はそのＡ−Ａ断面図である。
ながら詳細に説明する。図１は本発明に係わる半導体集
積回路の一実施例を説明する図であり、図中（ａ）はそ
の要部拡大図、（ｂ）はそのＡ−Ａ断面図である。
【００１１】図１において、１は半導体集積回路のベー
スとなる回路基材であり、この回路基材１の一方の面２
には不純物の適切な印加や絶縁膜の成膜によって、例え
ばトランジスタやダイオード、抵抗、キャパシタなどの
部品をまとめた一つの電子回路が形成されている。ま
た、こうした回路基材１の回路形成面２には、成膜技術
によって作製された種々の部品とともに、例えばアルミ
製の配線パターン３が形成されており、その配線パター
ン３の各終端部に矩形状の電極パッド（この場合はアル
ミ電極パッド）４がそれぞれ形成されている。
スとなる回路基材であり、この回路基材１の一方の面２
には不純物の適切な印加や絶縁膜の成膜によって、例え
ばトランジスタやダイオード、抵抗、キャパシタなどの
部品をまとめた一つの電子回路が形成されている。ま
た、こうした回路基材１の回路形成面２には、成膜技術
によって作製された種々の部品とともに、例えばアルミ
製の配線パターン３が形成されており、その配線パター
ン３の各終端部に矩形状の電極パッド（この場合はアル
ミ電極パッド）４がそれぞれ形成されている。
【００１２】これらの電極パッド４は、ワイヤボンディ
ング時に金線等のボンディングワイヤが接続される部分
であり、ワイヤボンディング時には、個々の電極パッド
４が例えば外部引き出しのためのリードフレーム（イン
ナーリード等）にボンディングワイヤを介して接続され
る。ちなみに、回路形成面２上における電極パッド４の
配置状態としては、電子回路が構築されているアクティ
ブ領域よりも外寄りの周縁部に一定の配列形態で形成さ
れたものが殆どであるが、最近では、回路形成面２の中
央寄りに電極パッド４を形成したものも提案されてい
る。
ング時に金線等のボンディングワイヤが接続される部分
であり、ワイヤボンディング時には、個々の電極パッド
４が例えば外部引き出しのためのリードフレーム（イン
ナーリード等）にボンディングワイヤを介して接続され
る。ちなみに、回路形成面２上における電極パッド４の
配置状態としては、電子回路が構築されているアクティ
ブ領域よりも外寄りの周縁部に一定の配列形態で形成さ
れたものが殆どであるが、最近では、回路形成面２の中
央寄りに電極パッド４を形成したものも提案されてい
る。
【００１３】ここで、本実施例の半導体集積回路におい
て、上記従来例と相違する点は、回路基材１の回路形成
面２に形成されている電極パッド４の構造にある。すな
わち本実施例では、図１に示すように、電極パッド４の
ワイヤボンディング領域５を除く他のパッド領域（図中
ハッチング部分）が配線パターン３とともに例えばＴｉ
ＯＮ膜を用いた反射防止膜６によって覆われている。と
ころで、各電極パッド４のワイヤボンディング領域５
は、接続対象となるボンディングワイヤの太さやそのボ
ール圧着径等に応じて適宜設定される領域であるため、
一つの半導体集積回路の中では各電極パッド４に対して
全て共通（形状、大きさが同一）の領域として設定され
ることになる。
て、上記従来例と相違する点は、回路基材１の回路形成
面２に形成されている電極パッド４の構造にある。すな
わち本実施例では、図１に示すように、電極パッド４の
ワイヤボンディング領域５を除く他のパッド領域（図中
ハッチング部分）が配線パターン３とともに例えばＴｉ
ＯＮ膜を用いた反射防止膜６によって覆われている。と
ころで、各電極パッド４のワイヤボンディング領域５
は、接続対象となるボンディングワイヤの太さやそのボ
ール圧着径等に応じて適宜設定される領域であるため、
一つの半導体集積回路の中では各電極パッド４に対して
全て共通（形状、大きさが同一）の領域として設定され
ることになる。
【００１４】したがって、自動センタリング機能を備え
たワイヤボンディング装置にてワイヤボンディングを行
う場合は、光学カメラによって取り込んだパッド画像を
２値化したときに、電極パッド４の領域のうち、反射防
止膜６で覆われていないワイヤボンディング領域５の画
像だけが白っぽく浮かび上がることになる。このため、
電極パッド４のワイヤボンディング領域５に対応したパ
ッド形状を予めワイヤボンディング装置に覚え込ませて
おけば、その覚え込ませたパッド形状と２値化画像によ
って得られたパッド画像とが必ず一致するようになるた
め、従来のように電極パッド４から引き出されている配
線部分３が電極パッド４とともに白っぽく浮かび上がっ
て自動センタリング機能が使用できないといった不都合
が生じることがなく、自動センタリング機能による高い
位置精度をもってワイヤボンディングを行うことが可能
となる。
たワイヤボンディング装置にてワイヤボンディングを行
う場合は、光学カメラによって取り込んだパッド画像を
２値化したときに、電極パッド４の領域のうち、反射防
止膜６で覆われていないワイヤボンディング領域５の画
像だけが白っぽく浮かび上がることになる。このため、
電極パッド４のワイヤボンディング領域５に対応したパ
ッド形状を予めワイヤボンディング装置に覚え込ませて
おけば、その覚え込ませたパッド形状と２値化画像によ
って得られたパッド画像とが必ず一致するようになるた
め、従来のように電極パッド４から引き出されている配
線部分３が電極パッド４とともに白っぽく浮かび上がっ
て自動センタリング機能が使用できないといった不都合
が生じることがなく、自動センタリング機能による高い
位置精度をもってワイヤボンディングを行うことが可能
となる。
【００１５】続いて、本実施例における半導体集積回路
の製造方法について図２を参照しながら簡単に説明す
る。先ず、第１の工程では、図２（ａ）に示すように、
回路基材となるＳｉ（シリコン）基板１０上に酸化装置
によって酸化膜（ＳｉＯ2 ）１１を形成する。次に、第
２の工程では、図２（ｂ）に示すように、Ｓｉ基板１０
に形成した酸化膜１１の上にスパッタリング装置によっ
て例えばアルミ膜を用いた導電膜１２を成膜し、さらに
第３の工程では、図２（ｃ）に示すように、導電膜１２
の上に反射防止膜１３を成膜する。この反射防止膜１３
は、フォトエッチング法でアルミ配線を形成する場合、
光の乱反射によって良好なエッチングが阻害されること
を防止するために通常、２０〜５０ｎｍの膜厚でコーテ
ィングされるもので、本実施例では反射率の低い成膜材
料としてＴｉＯＮ膜を用いている。
の製造方法について図２を参照しながら簡単に説明す
る。先ず、第１の工程では、図２（ａ）に示すように、
回路基材となるＳｉ（シリコン）基板１０上に酸化装置
によって酸化膜（ＳｉＯ2 ）１１を形成する。次に、第
２の工程では、図２（ｂ）に示すように、Ｓｉ基板１０
に形成した酸化膜１１の上にスパッタリング装置によっ
て例えばアルミ膜を用いた導電膜１２を成膜し、さらに
第３の工程では、図２（ｃ）に示すように、導電膜１２
の上に反射防止膜１３を成膜する。この反射防止膜１３
は、フォトエッチング法でアルミ配線を形成する場合、
光の乱反射によって良好なエッチングが阻害されること
を防止するために通常、２０〜５０ｎｍの膜厚でコーテ
ィングされるもので、本実施例では反射率の低い成膜材
料としてＴｉＯＮ膜を用いている。
【００１６】続いて、第４の工程では、図３（ｄ）に示
すように、フォトエッチングによって導電膜１２および
反射防止膜１３の所定箇所を除去し、回路基材となるＳ
ｉ基板１０の一方の面（図２では上面）に反射防止膜１
３によって覆われた複数（図２は１個だけ表示）の電極
パッド１４とアルミ配線１５とを形成する。この時点で
は、電極パッド１４の全領域が反射防止膜１３によって
覆われているため、そのままでは電極パッド１４にボン
ディングワイヤを接続することができない。
すように、フォトエッチングによって導電膜１２および
反射防止膜１３の所定箇所を除去し、回路基材となるＳ
ｉ基板１０の一方の面（図２では上面）に反射防止膜１
３によって覆われた複数（図２は１個だけ表示）の電極
パッド１４とアルミ配線１５とを形成する。この時点で
は、電極パッド１４の全領域が反射防止膜１３によって
覆われているため、そのままでは電極パッド１４にボン
ディングワイヤを接続することができない。
【００１７】そこで従来では、電極パッド１４およびア
ルミ配線１５に被着している反射防止膜１３を全て除去
し、電極パッド１４の全領域を露出させるようにしてい
たが、本実施例では、図２（ｅ）に示すように、電極パ
ッド１４のワイヤボンディング領域１６に被着している
反射防止膜１３を除去し、他のパッド領域は反射防止膜
１３で覆われたままの状態にする。これにより、図１に
示した半導体集積回路と同じパッド構造を作製すること
ができる。
ルミ配線１５に被着している反射防止膜１３を全て除去
し、電極パッド１４の全領域を露出させるようにしてい
たが、本実施例では、図２（ｅ）に示すように、電極パ
ッド１４のワイヤボンディング領域１６に被着している
反射防止膜１３を除去し、他のパッド領域は反射防止膜
１３で覆われたままの状態にする。これにより、図１に
示した半導体集積回路と同じパッド構造を作製すること
ができる。
【００１８】上述した本実施例の製造方法は、図２
（ｅ）に示す最後工程で反射防止膜１３を特定の領域
（ワイヤボンディング領域１６）に限定して除去する以
外は、従来の製造方法と何ら変わりがないため、工程数
を増やすことなく図１に示す半導体集積回路を得ること
ができる。
（ｅ）に示す最後工程で反射防止膜１３を特定の領域
（ワイヤボンディング領域１６）に限定して除去する以
外は、従来の製造方法と何ら変わりがないため、工程数
を増やすことなく図１に示す半導体集積回路を得ること
ができる。
【００１９】図３は本発明に係わる半導体集積回路の他
の実施例を説明する図である。先ず、図３（ａ）は、回
路形成面上におけるパッド形態として、隣合う電極パッ
ド４の間隔が極端に狭い半導体集積回路に適用した場合
であり、この場合にも先の図１と同様に、各電極パッド
４のワイヤボンディング領域５を除いた他のパッド領域
（図中ハッチング部分）が反射防止膜６によって覆われ
ている。
の実施例を説明する図である。先ず、図３（ａ）は、回
路形成面上におけるパッド形態として、隣合う電極パッ
ド４の間隔が極端に狭い半導体集積回路に適用した場合
であり、この場合にも先の図１と同様に、各電極パッド
４のワイヤボンディング領域５を除いた他のパッド領域
（図中ハッチング部分）が反射防止膜６によって覆われ
ている。
【００２０】従来、こうしたパッド形態ではパッドピッ
チが極端に狭いためにワイヤボンディング装置側で複数
（例えば２つ）の電極パッド４を１つの電極パッド４と
誤認してしまうといった不都合が生じていたが、図３
（ａ）に示すパッド構造を採用すれば、隣合う電極パッ
ド４の境界部分に反射防止膜６が介在するようになるた
め、各電極パッド４の中心位置を自動センタリング機能
をもって確実に検出できるようになる。
チが極端に狭いためにワイヤボンディング装置側で複数
（例えば２つ）の電極パッド４を１つの電極パッド４と
誤認してしまうといった不都合が生じていたが、図３
（ａ）に示すパッド構造を採用すれば、隣合う電極パッ
ド４の境界部分に反射防止膜６が介在するようになるた
め、各電極パッド４の中心位置を自動センタリング機能
をもって確実に検出できるようになる。
【００２１】一方、図３（ｂ）は、回路形成面上におけ
る電極パッド形態として、形状又は大きさが異なる電極
パッド４が混在している半導体集積回路に適用した場合
であり、この場合にも上記同様に、各電極パッド４のワ
イヤボンディング領域５を除いた他のパッド領域（図中
ハッチング部分）が反射防止膜６によって覆われてい
る。
る電極パッド形態として、形状又は大きさが異なる電極
パッド４が混在している半導体集積回路に適用した場合
であり、この場合にも上記同様に、各電極パッド４のワ
イヤボンディング領域５を除いた他のパッド領域（図中
ハッチング部分）が反射防止膜６によって覆われてい
る。
【００２２】従来、こうしたパッド形態では電極パッド
４の形状又は大きさが異なるためにワイヤボンディング
装置に覚え込ませたパッド画像を全ての電極パッド４の
２値化画像に照らし合わせることができなかったが、図
３（ｂ）に示すパッド構造を採用すれば、個々の電極パ
ッド４のワイヤボンディング領域５が共通しているため
その２値化画像に照らし合わせて各電極パッド４の中心
位置を自動センタリング機能をもって確実に検出できる
ようになる。
４の形状又は大きさが異なるためにワイヤボンディング
装置に覚え込ませたパッド画像を全ての電極パッド４の
２値化画像に照らし合わせることができなかったが、図
３（ｂ）に示すパッド構造を採用すれば、個々の電極パ
ッド４のワイヤボンディング領域５が共通しているため
その２値化画像に照らし合わせて各電極パッド４の中心
位置を自動センタリング機能をもって確実に検出できる
ようになる。
【００２３】さらに、図３（ｃ）および図３（ｄ）は、
回路形成面上における電極パッド形態として、１つの電
極パッド４内に複数のワイヤボンディング領域５が設定
されている半導体集積回路に適用した場合であり、図３
（ｃ）の場合は１つの電極パッド４内に２つのワイヤボ
ンディング領域５が設定され、図３（ｄ）の場合は１つ
の電極パッド４内に４つのワイヤボンディング領域５が
設定されている。そして、これらの場合にも上記同様
に、各電極パッド４のワイヤボンディング領域５を除い
た他のパッド領域（図中ハッチング部分）が反射防止膜
６によって覆われている。
回路形成面上における電極パッド形態として、１つの電
極パッド４内に複数のワイヤボンディング領域５が設定
されている半導体集積回路に適用した場合であり、図３
（ｃ）の場合は１つの電極パッド４内に２つのワイヤボ
ンディング領域５が設定され、図３（ｄ）の場合は１つ
の電極パッド４内に４つのワイヤボンディング領域５が
設定されている。そして、これらの場合にも上記同様
に、各電極パッド４のワイヤボンディング領域５を除い
た他のパッド領域（図中ハッチング部分）が反射防止膜
６によって覆われている。
【００２４】従来、こうしたパッド形態では１つの電極
パッド４内に複数のワイヤボンディング領域５が設定さ
れているにもかかわらず、ワイヤボンディング装置の自
動センタリング機能では各電極パッド４の中心位置Ｐし
か検出させることができず、実際のワイヤボンディング
領域５に対応して自動センタリング機能を活用すること
ができなかった。しかしながら、図３（ｃ）および図３
（ｄ）に示すパッド構造を採用すれば、１つの電極パッ
ド４内に複数のワイヤボンディング領域５が設定されて
いる場合であっても、それぞれのワイヤボンディング領
域５が共通しているため、光学カメラによって取り込ま
れた２値化画像に照らし合わせて各電極パッド４におけ
るワイヤボンディング領域５の中心位置を自動センタリ
ング機能をもって確実に検出できるようになる。
パッド４内に複数のワイヤボンディング領域５が設定さ
れているにもかかわらず、ワイヤボンディング装置の自
動センタリング機能では各電極パッド４の中心位置Ｐし
か検出させることができず、実際のワイヤボンディング
領域５に対応して自動センタリング機能を活用すること
ができなかった。しかしながら、図３（ｃ）および図３
（ｄ）に示すパッド構造を採用すれば、１つの電極パッ
ド４内に複数のワイヤボンディング領域５が設定されて
いる場合であっても、それぞれのワイヤボンディング領
域５が共通しているため、光学カメラによって取り込ま
れた２値化画像に照らし合わせて各電極パッド４におけ
るワイヤボンディング領域５の中心位置を自動センタリ
ング機能をもって確実に検出できるようになる。
【００２５】なお、上記実施例においては、図１に示す
半導体集積回路の製造方法についてのみ説明したが、こ
れについては図３に示す種々のパッド形態を有する半導
体集積回路の製造方法としても適用できることは言うま
でもない。
半導体集積回路の製造方法についてのみ説明したが、こ
れについては図３に示す種々のパッド形態を有する半導
体集積回路の製造方法としても適用できることは言うま
でもない。
【００２６】
【発明の効果】以上、説明したように本発明によれば、
回路形成面に形成されている各電極パッドの領域のう
ち、そのワイヤボンディング領域を除いた他の領域が反
射防止膜に覆われた構造になっているため、自動センタ
リング機能を備えたワイヤボンディング装置に予めワイ
ヤボンディング領域に対応したパッド形状を覚え込ませ
ることにより、パッドピッチが極端に狭い場合や、形状
又は大きさの異なる電極パッドが混在する場合、さらに
は１つの電極パッド内に複数のワイヤボンディング領域
が設定された場合など、種々のパッド形態を有する半導
体集積回路に対して自動センタリング機能を広く使用で
きるようになる。
回路形成面に形成されている各電極パッドの領域のう
ち、そのワイヤボンディング領域を除いた他の領域が反
射防止膜に覆われた構造になっているため、自動センタ
リング機能を備えたワイヤボンディング装置に予めワイ
ヤボンディング領域に対応したパッド形状を覚え込ませ
ることにより、パッドピッチが極端に狭い場合や、形状
又は大きさの異なる電極パッドが混在する場合、さらに
は１つの電極パッド内に複数のワイヤボンディング領域
が設定された場合など、種々のパッド形態を有する半導
体集積回路に対して自動センタリング機能を広く使用で
きるようになる。
【００２７】その結果、種々のパッド形態を有する半導
体集積回路に対して、ワイヤボンディングにおけるティ
ーチング時の精度を向上させることができるため、さら
なるパッドピッチの縮小化が図られる。また、これによ
ってチップサイズを小さくすることができるため、１ウ
エハあたりの収率が向上してコストダウンにつながると
いった効果も得られる。
体集積回路に対して、ワイヤボンディングにおけるティ
ーチング時の精度を向上させることができるため、さら
なるパッドピッチの縮小化が図られる。また、これによ
ってチップサイズを小さくすることができるため、１ウ
エハあたりの収率が向上してコストダウンにつながると
いった効果も得られる。
【図１】本発明に係わる半導体集積回路の一実施例を説
明する図である。
明する図である。
【図２】本発明に係わる半導体集積回路の製造方法を説
明する図である。
明する図である。
【図３】本発明に係わる半導体集積回路の他の実施例を
説明する図である。
説明する図である。
【図４】従来例を説明する図である。
１ 回路基材 ２ 回路形成面 ３ 配線パターン ４ 電極パッド ５ ワイヤボンディング領域 ６ 反射防止膜
Claims (4)
- 【請求項１】 一方の面を回路形成面とし、その回路形
成面にワイヤボンディング用の複数の電極パッドが形成
された半導体集積回路において、 前記複数の電極パッドは各々のワイヤボンディング領域
を除いた他のパッド領域が反射防止膜によって覆われて
いることを特徴とする半導体集積回路。 - 【請求項２】 前記回路形成面に形状又は大きさの異な
る電極パッドが混在していることを特徴とする請求項１
記載の半導体集積回路。 - 【請求項３】 １つの電極パッド内に複数のワイヤボン
ディング領域が設定されていることを特徴とする請求項
１記載の半導体集積回路。 - 【請求項４】 請求項１、２又は３記載の半導体集積回
路の製造方法であって、 先ず、回路基材の一方の面に導電膜と反射防止膜とを順
に成膜し、 次いで、前記導電膜および前記反射防止膜の所定箇所を
除去して前記回路基材の一方の面に前記反射防止膜によ
って覆われた複数の電極パッドを形成し、 続いて、前記電極パッドのワイヤボンディング領域に被
着している反射防止膜を除去することを特徴とする半導
体集積回路の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20424394A JPH0851113A (ja) | 1994-08-05 | 1994-08-05 | 半導体集積回路とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20424394A JPH0851113A (ja) | 1994-08-05 | 1994-08-05 | 半導体集積回路とその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0851113A true JPH0851113A (ja) | 1996-02-20 |
Family
ID=16487227
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20424394A Pending JPH0851113A (ja) | 1994-08-05 | 1994-08-05 | 半導体集積回路とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0851113A (ja) |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59119044U (ja) * | 1983-01-31 | 1984-08-11 | 日本電気ホームエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
| JPS61234555A (ja) * | 1985-04-11 | 1986-10-18 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置 |
| JPS648733U (ja) * | 1987-07-03 | 1989-01-18 | ||
| JPH01233739A (ja) * | 1988-03-14 | 1989-09-19 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPH0349231A (ja) * | 1989-07-17 | 1991-03-04 | Sony Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPH04137640A (ja) * | 1990-09-28 | 1992-05-12 | Toppan Printing Co Ltd | 集積回路チップ，リードフレーム，並びにそれらからなる集積回路素子及びその製造方法 |
-
1994
- 1994-08-05 JP JP20424394A patent/JPH0851113A/ja active Pending
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59119044U (ja) * | 1983-01-31 | 1984-08-11 | 日本電気ホームエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
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| JPS648733U (ja) * | 1987-07-03 | 1989-01-18 | ||
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| JPH04137640A (ja) * | 1990-09-28 | 1992-05-12 | Toppan Printing Co Ltd | 集積回路チップ，リードフレーム，並びにそれらからなる集積回路素子及びその製造方法 |
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