JPH08512187A - 改善されたセラミック・デュプレクス・フィルタ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 セラミック・デュプレクス・フィルタを提供する。このデュプレクス・フィルタ（１０）は、誘電材料のフィルタ・ブロック（１２）を有し、上面（１４），底面（１６）および側面（１８，２０，２２，２４）を有し、貫通穴は上面（１４）から底面（１６）に延在する。受けは、上面（１４）に隣接して配置され、その中に導電材料が入る。面（１６，１８，２０，２２，２４）は、上面（１４）が実質的にメタライゼーションされないことを除いて、メタライゼーション層（２５）を定める導電材料で実質的に被覆される。これらの受けは、特定の容量を定める材料の導電層を含む。また、デュプレクス・フィルタ（１０）の内外に信号を結合する結合デバイス（９４，９６，９８）も設けられる。分路コンデンサ，直列コンデンサおよび結合コンデンサは、上面に隣接して適切に配置され、フィルタの同調を容易にするのに役立つ。

Description

【発明の詳細な説明】 改善されたセラミック・デュプレクス・フィルタ 発明の分野 本発明は、一般に、セラミック・フィルタに関し、さらに詳しくは、改善され たデュプレクス・フィルタに関する。 発明の背景 セラミック・フィルタは、当技術分野で周知である。一般に、従来のセラミッ ク帯域通過フィルタは、セラミック材料のブロックからなり、離散的な配線（di scrcte wirc），ケーブル，ピンまたは表面実装パッドを介して外部回路に一般 に結合されるさまざまな形状を有する。 電子設計における主な目的の一部は、物理的寸法を小さくし、信頼性を高め、 製造性を改善し、製造コストを低減することである。 一般に、従来のデュプレクス・フィルタは、所望の周波数応答を提供するため 上面にさまざまなメタライゼーション方式を必要とする。上部メタライゼーショ ン方式がわずかにずれると、周波数応答も変化して望ましくないので、これらの デュプレクス・フィルタは一貫して、高い信頼性 で製造するのが困難である。さらに、これらのデバイスは、適切に同調するのが 困難で、また追加プロセス工程を必要とする。例えば、従来の同調では、底部メ タライゼーションを除去し、底面からセラミックの一部を研削除去し、次に、セ ラミックの底面に再度メタライゼーションを施し、デュプレクサを焼成して、不 要な溶媒を解放し、次に新たにメタライゼーションを施した底面を焼結する。 これらの理由により、上記の欠点の多くを克服するデュプレクス・フィルタは 、当技術分野において改善であるとみなされる。また、同調および製造プロセス を容易にし、かつ信頼性を高めるため方法およびデュプレクス構造を簡略化でき れば、改善であるとみなされる。 図面の簡単な説明 第１図は、本発明によるデュプレクス・フィルタの拡大斜視図を示す。 第２図は、本発明による第１図に示すデュプレクス・フィルタの別の実施例で ある。 第３図は、本発明による第１図に示すデュプレクス・フィルタの上面図である 。 第４図は、本発明による第１図ないし第３図に示すデュプレクス・フィルタの 等価回路図である。 第５図は、本発明により製造された第２図に示すデュプ レクス・フィルタの代表的な周波数応答である。 第６図は、本発明により製造されたデュプレクス・フィルタの別の実施例の拡 大斜視図である。 第７図は、本発明による図６に示すデュプレクス・フィルタの底面斜視図であ る。 第８図は、本発明による第６図に示すデュプレクス・フィルタの上面図である 。 第９図は、本発明により製造された特定用途向けの入出力パッドを示す、別の 実施例の部分的な図である。 第１０図は、本発明による第６図ないし第８図に示すデュプレクス・フィルタ の周波数応答である。 第１１図は、本発明によるデュプレクス・フィルタを同調する方法のブロック 図である。 第１２図は、本発明によるデュプレクス・フィルタを同調する別の方法のブロ ック図である。 好適な実施例の詳細な説明 第１図および第３図に示すデュプレクス・フィルタ１０は、概して並行パイプ 型のフィルタ・ボディ１２を含み、このボディ１２はすべてが実質的に平坦な上 面１４，底面１６，側面１８，２０，２２，２４を有する誘電材料のブロックか らなる。また、フィルタ・ボディ１２は、それぞれ上面１４から底面１６に延在 する第１ないし第１０の貫 通穴２８，３０，３２，３４，３６，３８，４０，４２，４４，４６を含む複数 の貫通穴を有する。第３図におけるフィルタ・ボディ１２は、上面１４に隣接し 、かつ導電材料を受ける適切な深さを有する、参照番号５０，５２，５４および ５４’，５６および５６’，５８および５８’，６０および６０’，６２および ６２’，６４および６４’，６６および６６’ならびに６８に対応する複数の受 け(receptacle)４８も有する。フィルタ・ボディ１２の外面１６，１８，２０， ２２，２４の多くは、上面１４が実質的にメタライゼーションを施されないこと を除いて、メタライゼーション層２５を定める導電材料で実質的に被覆される。 受けは、所定の容量を定めるのに十分な材料の導電層を含む。一実施例では、 導電層は、参照番号７２，７４，７６，７８，８０，８２，８４，８６，８８， ９０にそれぞれ対応するいくつかの導電層を含む。これらの導電層は、各受けに ついて実質的に垂直な壁７２’，７４’，７６’，７８’，８０’，８２’，８ ４’，８６’，８８’，９０’および水平な床部７３，７５，７７，７９，８１ ，８３，８５，８７，８９，９１によって限定される。 デュプレクス・フィルタ１０はさらに、外部回路，回路板などの外部部品に結 合するための実質的に埋設された容量性デバイスを含め、フィルタ・ボディ１２ の内外に信号を結合する結合デバイスを含む。これらのデバイス９４， ９６，９８は、非導電性または誘電性材料によって実質的に囲まれる。埋設容量 性デバイス９４，９６，９８は、それぞれ受信機，アンテナおよび送信機に結合 されるように特に適応される。第２図において、結合９４，９６，９８は、正面 ２０においてそれぞれ受信機，アンテナおよび送信機パッド１００，１０２，１ ０４を含む。それぞれは、ボディ１２の誘電材料によって囲まれる。 この構造は、ゼロの調整のために上面付近に直列コンデンサを配置し、特定の 周波数における極の適切な配置のために上面付近に分路コンデンサ(shunt capac itor)を配置して、所望の阻止帯および通過帯リプル応答をそれぞれ得るという 利点を有する。直列，分路および結合コンデンサは、フィルタ・ボディの内部に 形成される。 この構造は、簡単かつより効率的・効果的な周波数同調のためのデュプレクサ を提供する。この構造は、外部部品（コンデンサ）に対する複雑かつ不安定な上 部印刷または接続を必要としない。 さらに詳しくは、デュプレクス・フィルタの長さＬの調整は、直列，分路およ び結合コンデンサを、必要に応じて実質的に同時に、適切に調整し、ある周波数 応答を与える。この構造は、確実に量産が可能な小型携帯装置で用いられる。 この設計は、上面より下で、デュプレクス・フィルタにおける３次元構造を提 供し、確実に製造でき、かつ同調プ ロセスを簡単にする。これとは対照的に、従来のデュプレクス・フィルタは、導 電パターンの複雑かつ厳密な上部印刷を必要とする。また、底面において導電コ ーティングを除去し、再度塗布する追加段階をさらに必要とする。本設計は、簡 単な構造および再現可能な設計を提供し、製造時間，コストならびにデユプレク ス・フィルタの製造および同調におけるプロセス工程数を低減する。 一般に、貫通穴は、上面に隣接し、かつその真下にそれぞれ受けを含む。つま り、各貫通穴２８，３０，３２，３４，３６，３８，４０，４２，４４，４６は 、上面１４に隣接し、かつその真下に隣接部分５０，５２，５４，５６，５８， ６０，６２，６４，６６，６８をそれぞれ有する。 貫通穴２８，３０，３２，３４，３６，３８は、第５図の受信機帯域通過応答 を提供し、貫通穴４２，４４，４６は、送信機フィルタ帯域通過応答の帯域通過 応答を提供する。貫通穴４０は、送信機および受信機フィルタによって共用され 、２つのフィルタを第２図に示すような単一のアンテナに接続することを可能に する。 受け５０〜６８（内包的）は、それぞれＣ１４，Ｃ１５，Ｃ１６，Ｃ１７，Ｃ １８，Ｃ１９，Ｃ２０，Ｃ２１，Ｃ２２など第４図に示す直列コンデンサの一部 を設けるために利用される。これらのコンデンサは、第４図のそれぞれのインダ クタＬ１１，Ｌ１２，Ｌ１３，Ｌ１４，Ｌ１５，Ｌ１６，Ｌ１７，Ｌ１８，１９ と並列で、第５図においてい わゆるゼロを形成する。これらのゼロのほとんどは、特定の（望ましくない）周 波数において減衰を増加するために用いられる。 受けは、貫通穴の概して漏斗状の上部を定め、それぞれは少なくとも１つの隣 接貫通穴に対して所定の容量性結合を行うのに十分に、少なくとも１つの隣接貫 通穴の一部と少なくとも部分的に相補的に構成される。 第２図においてギャップｇ１〜ｇ９として定められ、導電面の間に挟まれた、 誘電材料とともに、隣接漏斗状部分の対置する導電面は、上記のゼロを形成する ために必要な直列コンデンサを形成する。 漏斗状部分は、並行プレート・コンデンサを形成し、これらは従来の上部印刷 デュプレクス・フィルタに比べて容量変化の影響を受けにくい。 上面１４から底面１６までの距離は、フィルタ・ボディ１２の長さＬとして定 義でき、各受け４８は、第５図および第１０図に示すような所望の周波数応答に ついて、約１／６Ｌ以下、好ましくは、１／１０Ｌ以下の長さを含む。 一実施例では、上面１４から底面１６までの距離Ｌは、１／４波長以下を定 める。しかし、上面付近の受けの存在は、必要な集中容量性負荷(luｍped capac itive loading)を追加して、１／４波長共振構造で一般的な所定の周波数で所定 の帯域通過応答を提供する。当業者に理解されるように、１／４波長，１／２波 長などの共振構造は、 本発明の教示から逸脱せずに作製できる。 埋設容量性(embedded capacitive)デバイス９４，９６，９８は、受信機結合 コンデンサ，アンテナ結合コンデンサおよび送信機結合コンデンサに対応し、そ れぞれは所望の帯域幅を提供することに寄与する所定の値を有する。一実施例で は、各コンデンサは、約０．５ピコファラド（picofarads：以下、ｐｆ）から約 ５ｐｆの範囲の値で、ＵＨＦ周波数では好ましくは１ｐｆから３ｐｆの範囲の値 を有する。 埋設デバイス９４，９６，９８の容量値は、それぞれの導電層９５，９７，９ ９の表面積と、デバイス９４，９６，９８からそれぞれの隣接貫通穴２８，４０ ，４６までの距離とによって定められる。 この構造は、フィルタに対しておよびフィルタから結合する頑丈かつ堅牢な手 段を提供し、埋設デバイスは、誘電フィルタ・ボディ１２が形成されるのと同時 に形成され、厳密な寸法および値を提供する。この構造は、従来技術の場合のよ うに上面上のスクリーン印刷および導電ギャップの厳密な配置の必要を最小限に 抑え、あるいは排除し有利である。 好適な実施例では、各容量性デバイス９４，９６．９８は、実質的に同心円で あり、かつそれぞれ隣接貫通穴２８，４０，４６の１つに対して相補的に構成さ れた少なくとも一部を含み、携帯性が高く、全体的に小型な構造を提供す る。 受け５０，５２，５４，５６，５８，６０，６２，６４，６６，６８として定 められる複数の受けは、一般に漏斗状であり、上面１４に隣接して配置され、例 えば第５図に示すような所望の帯域通過応答および所望のゼロを提供するのに十 分な直列容量を定める。 つまり各受けは、隣接する垂直面と１つまたはそれ以上の水平面とによって区 切られ、所望の容量値を与える１つまたはそれ以上の導電層を含む。 さらに詳しくは、各導電層７２，７４，７６，７８，８０，８２，８４，８６ ，８８，９０は、それぞれ垂直壁および水平床７２’および７３，７４’および ７５，７６’および７７，７８’および７９，８０’および８１，８２’および ８３，８４’および８５，８６’および８７，８８’および８９，９０’および ９１に隣接しそれらによって区切られる導電層を含む。第４図における直列容量 は、Ｃ１４，Ｃ１５，Ｃ１６，Ｃ１７，Ｃ１８，Ｃ１９，Ｃ２０，Ｃ２１，Ｃ２ ２として実質的に定義される。これらは、隣接受け間に物理的に配置され、第１ 図ないし第４図における隣接貫通穴間のギャップ領域によって実質的に定められ る。 直列容量Ｃ１４〜Ｃ２２は、上記の導電層によって部分的に定められ、また垂 直壁および水平床ならびに各受け間のギャップ領域によって区切られる。各複数 の直列コンデ ンサは、広い範囲であってもよい。好適な実施例では、各直列コンデンサは、所 望の周波数応答を提供するため約０．１ｐｆから約５ｐｆの範囲の値である。 第１図に示す実施例では、容量性デバイス９４，９６，９８は、伝送ライン， 導電材料など（第１図には図示せず）を介して、あるいは任意の適切な方法で、 上面１４からまたは上面１４に隣接して、受信機，アンテナおよび送信機に結合 される。第１図に示すデバイスは、これを回路板または外部回路に接続するため に追加接続プローブを必要とすることがある。これは、パーソナル通信装置など について、２ＧＨｚ以上のように高い周波数用途において、長さＬがＷ幅寸法よ りもかなり小さい場合の好適な実施例である。 第２図において、容量性デバイス９４，９６，９８は、直接表面実装のため受 信機，アンテナおよび送信機パッド１００，１０２，１０４に電気接続される。 第２図に示すデバイスは、たとえば、回路基板に直接表面実装可能である。この 構成は、長さＬがたとえば、Ｗ幅寸法と同じかそれよりも大きい場合に好ましい 。 また、デュプレクス・フィルタ１０は、所定の周波数応答を提供するため複数 の接地凹部(ground recess)を含むことができる。接地凹部は、所望の極周波数( polefrequency)のため，送信（Ｔｘ）および受信（Ｒｘ）フィルタ中心周波数を 調整するため、上面１４および側面１８， ２２，２４に隣接できる。各接地凹部上の導電コーティングは、メタライゼーシ ョン層２５（またはフィルタ１０の電気接地）に接続できる。この構造は、Ｔｘ およびＲｘフィルタの中心周波数を調整するための所定の分路コンデンサを提供 する。 つまり、第１図および第３図に示すように、第４図におけるコンデンサＣ１を 設ける右側接地凹部１０８が示される。第１背面接地凹部１１０は、それぞれ第 １０貫通穴４６および第１０受け６８に隣接して配置され、コンデンサＣ２を設 ける。第２背面凹部１１２は、第９貫通穴４０および受け６６に隣接して配置さ れ、コンデンサＣ４を設ける。第３および第４背面凹部１１４，１１６は、第８ および第７貫通穴および受け６４，６２に隣接して配置・整合され、コンデンサ Ｃ６，Ｃ７を設ける。第５背面凹部１１８は、第５貫通穴および受け５８に隣接 して配置・整合され、コンデンサＣ９を設ける。第６背面接地凹部１２０は、第 ４貫通穴および受け５６に隣接して配置・整合され、コンデンサＣ１０を設ける 。第７背面凹部１２２は、第３貫通穴および受け５４に隣接し、コンデンサＣ１ １を設ける。第８背面凹部１２４は、第１および第２貫通穴および受け５０，５ ２と配置・構成・整合されて、それぞれコンデンサＣ１３，Ｃ１２を設ける。つ まり、第８背面凹部１２４は、第２および第１受け５２，５０にそれぞれ・隣接 した第１セクション１２６および第２セクション１２８を含み、 これらは同じまたは異なる寸法を有してもよい。さらに、第１および第２正面凹 部１３０，１３２は、第８および第９受け６４，６６に隣接して配置・整合され 、コンデンサＣ５，Ｃ３を設ける。 第４図のコンデンサＣ１−Ｃ６は、極周波数(polefrequency)、ひいては第５ 図のＴｘフィルタの通過帯域を設定する。コンデンサＣ７は、アンテナ共振周波 数を設定する。そして、コンデンサＣ８〜Ｃ１３は、極周波数、ひいては第５図 のＲｘフィルタの通過帯域を設定する。 好適な実施例では、接地凹部は、少なくともメタライゼーションされた水平セ クションと、接地されメタライゼーションされた垂直セクションとを含み、この 垂直セクションは、それぞれの隣接貫通穴の一部と実質的に並行かつ整合され、 所望の分路容量を提供する。 複数の貫通穴は、第１ないし第５貫通穴２８，３０，３２，３４，３６に対応 する受信機貫通穴を含む。また、複数の貫通穴は、アンテナ貫通穴または第７貫 通穴４０を含み、送信機貫通穴は、第８，第９および第１０貫通穴４２，４４， ４６によってそれぞれ設けられる。 一実施例では、受信機貫通穴２８，３０，３２，３４，３６，３８は、アイテ ム４０，４２，４４，４６によって設けられるアンテナおよび送信機貫通穴より も小さい。好適な実施例では、貫通穴の断面は、フィルタ１０の所望の周波数応 答および全体的に小型な設計を提供するため、実 質的に楕円形であるが、円形，方形などの断面穴も可能である。これは、フィル タ・ボディ１２の並行パイプ構造を利用しつつ、所望の周波数特性を得るため小 型構造を提供する。ボディ１２のこの長さＬ，幅Ｗおよび高さを一定に設定する と、Ｔｘおよびアンテナ貫通穴をＲｘ貫通穴よりも大きくすることにより、Ｔｘ フィルタにおいて挿入損が最小になり（あるいは挿入損が小さくなり）、これは 、例えば、無線装置，ワイヤレスおよびセルラ電話において望ましい特徴である 。 第２図において、受信機，送信機およびアンテナ結合デバイス９４，９６，９ ８は、入出力パッド１００，１０２，１０４に接続される。パッド１００，１０ ２，１０４は、正面２０上に配置され、かつ誘電材料によって取り囲まれた導電 材料の領域を含み、入出力パッドをメタライゼーション層２５から分離する。こ れは、表面実装可能なデュプレクス・フィルタを提供する。 デュプレクス・フィルタ等価回路を第４図に示す。デュプレクス・フィルタは 、送信（Ｔｘ）フィルタおよび受信（Ｒｘ）フィルタによって構成される。Ｔｘ フィルタは、３つの並列共振回路を有し、それにはインダクタＬ１およびコンデ ンサＣ１，Ｃ２；インダクタＬ２およびコンデンサＣ３，Ｃ４；ならびにインダ クタＬ３およびコンデンサＣ５，Ｃ６を含み、コンデンサＣ１〜Ｃ６それぞれは 接地され、３つの極を形成する。これらの極は、所定の周波数 で配置され、第５図に実質的に示すような好適なＴｘ帯域通過応答を形成する。 インダクタＬ１９およびコンデンサＣ２２，インダクタＬ１８およびコンデン サＣ２１，ならびにインダクタＬ１７およびコンデンサＣ２０によって形成され る３つの送信ゼロがあり、これらは阻止帯領域に配置され、第４図および第５図 に示すように所望の周波数における減衰を増加する。 インダクタＬ４およびコンデンサＣ７は、アンテナ極周波数を設定する。 Ｒｘフィルタは、インダクタＬ５およびコンデンサＣ８；インダクタＬ６およ びコンデンサＣ９；インダクタＬ７およびコンデンサＣ１０；インダクタＬ８お よびコンデンサＣ１１；インダクタＬ９およびコンデンサＣ１２；インダクタＬ １０およびコンデンサＣ１３によって形成される６つの極を有し、これらはＲｘ 帯域通過応答を設定する。 インダクタＬ１６およびコンデンサＣ１９；インダクタＬ１５およびコンデン サＣ１８；インダクタＬ１４およびコンデンサＣ１７；インダクタＬ１３および コンデンサＣ１６；インダクタＬ１２およびコンデンサＣ１５；インダクタＬ１ １およびコンデンサＣ１４よって形成される６つの送信ゼロは、所望の周波数に おいて減衰を増加するためＲｘ通過帯域のいずれかの側に配置される。 コンデンサＣ２３は、送信機を送信フィルタの入力に結 合する。コンデンサＣ２４は、アンテナ共振器を介して互いに接続される送信機 フィルタの出力と受信フィルタの入力とを、第４図においてＡＮＴとして示され る単一アンテナに結合する。そして、コンデンサＣ２５は、受信フィルタ出力を 、例えば、無線装置，セルラ電話などにおける受信機に接続する。 第５図における周波数応答は、実質的に自明である。ゼロは、特定の望ましく ない周波数の減衰を増加するために、特定の周波数に効果的に配置される。 ギャップｇ６，ｇ２，ｇ４は、送信帯域においてＲｘフィルタのゼロ（または 追加減衰）を生成するために設けられる。 ギャップｇ５，ｇ３は、例えば、約９１４ＭＨｚまたはそれ以上の局部発振帯 域（阻止帯域）でＲｘフィルタについてゼロ（または追加減衰）を提供する。 ギャップｇ１は、Ｔｘ画像帯域（すなわち、約９４０〜９６０ＭＨｚ範囲）に おいてＲｘフィルタの追加減衰のためのゼロを提供する。 ギャップｇ９，ｇ８，ｇ７は、受信機との送信機雑音干渉を最小限に抑えるた め、受信機帯域においてＴｘフィルタのゼロを生成するために設けられる。 第６図，第７図および第８図を参照して、デュプレクス・フィルタ２１０の別 の実施例を示す。このフィルタ２１０は、第１図〜第３図で説明したのとほぼ同 じ構造を含む （例えば、フィルタ１０，２１０，ボディ１２，２１２など、同様な参照番号は 、同様な構造を説明するために全体を通じて用いられる）。 第６図〜第８図に示されるデュプレクス・フィルタ２１０は、上面２１４，底 面２１６および側面２１８，２２０，２２２，２２４を有する誘電材料のブロッ クからなるフィルタ・ブロック２１２を含む。フィルタ・ボデイ２１２は、上面 ２１４から底面２１６まで延在する複数の貫通穴を有し、これらの貫通穴の上部 は、適切に構成され、かつ導電材料を受けるのに十分な深さを有する受けを定め る。外面２１６，２１８，２２０，２２２，２２４は、上面２１４が実質的にメ タライゼーションされないことを除いて、メタライゼーション層２２５を定める 導電材料によって実質的に被覆される。また、入出力パッドを取り囲む側面２２ ０上の誘電材料の少なくとも非被覆領域２１１もメタライゼーションされない。 上面２１４に隣接し、かつその下に配置される各受けは、所定の容量を提供する のに十分な材料の導電層を含む。また、デュプレクス・フィルタ２１０はさらに 、第１，第２および第３入出力パッド３００，３０２，３０４を含み、これらの パッドは、側面の１つ、好ましくは側面２２０上に配置され、かつ非コーティン グ領域２１１など誘電または絶縁材料によって囲まれた導電材料の領域を含む。 本デュプレクス・フィルタ２１０は、従来技術に比べて 小型で携帯性が高く、容易にコスト効率的に製造できる表面実装可能なデュプレ クス・フィルタを提供する。さらに、本発明は、従来のデュプレクサの周波数調 整に必要であった上部印刷，底面研削工程および再電極処理を必要とせず、その ため上面印刷構造を有する従来のデュプレクス・フィルタ設計に比べて製造プロ セス・フローおよび同調が大幅に簡略化される。 第６図〜第８図に示される実施例では、受け２５０，２５２，２５４，２５６ ，２５８，２６０，２６２，２６４は、実質的に平坦な垂直側壁２７２’，２７ ４’，２７６’，２７８’，２８０’，２８２’，２８４’，２８６’と、たと えば、第１０図に示される所望の周波数応答および小型設計を得るためそれぞれ の貫通穴の残りの部分に達するそれぞれの床上にポートを有する実質的に平坦な 水平床部２７３，２７５，２７７，２７９，２８１，２８３，２８５，２８７を 含む。 第４図を参照して、Ｃ２１，Ｌ１８，Ｃ２２，Ｌ１９が短絡し、Ｌ９，Ｃ１２ ，Ｌ１０，Ｃ１３が開路状態になると、一般にこの概略図は第６図〜第８図に示 す本発明と等価的になる。しかし、低い受け２３７，２３９，２４１，２４３を 有する実施例では、等価回路は、いくつかのマルヘルベ結合伝送ライン回路(Mal herbe coupled transmission line circult)をさらに含む。 一実施例において、側壁２７２’〜２８６’は、セラミ ック・フィルタ・ボディ２１２の製造および形成を簡単にするため、縦軸から約 １５°以下、好ましくは１０°だけわずかに縦軸から傾く。 受けの水平床部分２７３〜２８７は、メタライゼーションを受けてこれを簡単 にするため、あるいは導電層をそこに配置するために実質的に水平である。この 構造は、受け２５０〜２６４間の容量性結合をメタライゼーション層２２５（ま たは接地）に与えて、実質的に第１０図に示すような好適な周波数応答を提供す るのに寄与する。 一実施例において、正面２２０上の第１および第３入出力パッド３００，３０ ４に隣接しかつ平行な受け２５０，２６４の第６図および第８図に示す実質的に 垂直な側壁２７２”，２８６”の水平（構成要素）部分は、入出力パッドに隣接 しない他の受け２５２〜２６２の側壁の同様な部分に比べて大きい表面積を有す る。好適な実施例では、壁２７２”，２８６”の水平構成要素は、受け２５０， ２６４に隣接しない他の壁に比べて横方向に広く、受け２５０，２６４と入出力 パッド３００，３０４との間で所望の容量性結合を提供する。これは、各共振器 部分と入出力パッド３００，３０４との間の入力および出力容量性結合を改善す るために行われる。この構造は、適切な帯域幅を有する所望の通過帯域を提供す るためのより大きな容量性結合を提供する。 一実施例において、第２入出力パッド（またはアンテナ・ パッド）３０２の垂直（深さ）構成要素は、受信機および送信機周波数の両方を 結合するため、第１および第３入出力パッド３００，３０４の同じ垂直構成要素 よりも長い。アンテナ入力は受信機および送信機の両方に共通なため、最小限の 損失で送信信号および受信信号を通過し、通過帯域はＴｘおよびＲｘ通過帯域を 適切に通過させる。従って、第２パッド３０２の垂直構成要素は、より大きな容 量性値と、より大きくて長い導電パッドを提供して、所望を結合を施す。 各受け２５０，２５２，２５４，２５６，２５８，２６０，２６２，２６４は 、所望の周波数特性を提供するため、少なくとも１つまたはそれ以上の隣接受け と、接地を定める外部表面上のメタライゼーション層とに所定の容量性結合を行 うように慎重に構成される。 受け２５０は、Ｔｘフィルタの第１共振回路に対して所望の容量性負荷を与え 、送信機パッド３００に対して所望の結合を与え、第１受け２５０と第２受け２ ５２との間で容量性結合を与える。受け２５２は、第２共振器に対して容量性負 荷を与え、所望の第１共振器から第２共振器への結合容量を与え、第２共振器か ら第３共振器への結合容量を与える。受け２５４は、第３共振器に対して所望の 容量性負荷を与え、所定の第２から第３共振器および第３共振器からアンテナ共 振器への結合容量を与える。受け２５６は、アンテナ共振器に対して所望の容量 性負荷を与え、所 定の結合をアンテナ・パッド３０２に与え、第３共振器からアンテナおよびアン テナ（第４受け）共振器結合容量を第５共振器に与える。受け２５８は、第４共 振器から第５共振器に所定の容量性負荷を与え、第５共振器から第６共振器に結 合性容量を与える。同様に、受け２６０，２６２は、前述のように同様な容量性 結合を与える。受け２６４は、所望の容量性負荷を共振器に与え、第８共振器２ ６４と受信機パッド３０４との間で所望の結合を与える。ギャップｇ１，ｇ２， ｇ３，ｇ４，ｇ５，ｇ６，ｇ７は、隣接受け間で誘電材料のギャップ領域を定め 、かかる隣接受け間で所望の容量性結合を実質的に提供する。 複数の受けは、さまざまな範囲の深さを有し、上面２１４から底面２１６まで の距離として定義されるフィルタ・ボディ２１２の長さＬの約１／５以下の深さ や、好ましくは、所望の周波数応答のために長さＬの約１／１０である。大きな 電界は、フィルタ・ボディ２１２の導電受けと導電外壁（メタライゼーション層 ２２５）との間で、セラミック・ブロックの上面２１４またはその付近で生じる 。電界強度（またはアクティビティ）は、受けの深さを介して上面２１４から下 に移動すると低下する。受けの深さは、長さＬの１／１０以上に増加されるので 、容量性負荷効率は低下する。好ましくは、各受けの深さは長さＬの約１／１０ である。言い換えると、受けの最大潜在的負荷容量の７０％以上は、長さＬの約 １／１０以下の深さの受けによっ て実現されると考えられる。さらに、長さＬの約１／１０の深さの受けは、確実 に製造できる。 一実施例において、第９図に示すように、入出力パッド３００，３０２，３０ ４は、側面３２０から外側４００に向かって延在でき、導電材料の凹部４０２が パッド３００，３０２，３０４を定める。この構造は、ある用途において入出力 接続を容易にするという利点を有する。これは、メタライゼーションされた側面 印刷を必要とせず、デュプレクス・フィルタを簡単なプロセスで製造できる。 上面２１４からの距離として定義される複数の受け２５０〜２６４の深さは、 製造を簡単にするため実質的に同様である。 一実施例において、１つまたはそれ以上の受けは、セル間容量性結合を増加せ ずに、そのセルの容量性負荷を増加するために、異なる深さを有することができ る。 第６図および第７図を参照して、一部の受けは、所望の周波数特性および小型 設計のため、上面２１４から見て４つまたはそれ以上の垂直側壁を有する。各受 けの特定の形状および構成は、所望の容量性負荷と、入出力パッドへの容量性結 合と、所望の共振器間の結合容量とによって決定される。一般に、各受けは、ほ ぼ４つの垂直側壁を有する。その形状は各受けごとに異なってもよく、所望の周 波数特性と、フィルタ２１０の所望の寸法と、製造用件とによって一般に決定さ れる。 第７図および第８図に示すように、貫通穴の少なくとも一部は、実質的に同じ 形状を有する。貫通穴の断面は、フィルタ２１０の所望の周波数特性および寸法 のため実質的に楕円形である。例えば、第１，第２および第３貫通穴２２８，２ ３０，２３２として定義される送信貫通穴と、アンテナ貫通穴２３４とは、貫通 穴の受けまたは上部から、実質的に同じ形状を有し、ここで製造しやすさ，ツー リング(tooling)および所望の周波数応答のため、底面２１６までの各受けを満 たす。 第６図において、貫通穴の少なくとも一部は、実質的に異なる形状を有し、例 えば、第５，第６，第７および第８貫通穴２３６，２３８，２４０，２４２とし て定められる受信（Ｒｘ）貫通穴は、広がった、実質的に漏斗状の底部２３７， ２３９，２４１，２４３をそれぞれ含む。 底面２１６（または広がった形状含む）付近のＲｘ貫通穴をＴｘ貫通穴よりも 大きくすることにより、Ｒｘ共振器の未負荷共振器Ｑを改善でき、Ｒｘ共振器の 動作周波数をＴｘ共振器の動作周波数よりも高くできる。デュプレクサは２つの 動作帯域を有するので、この特徴で設計すると、高い動作帯域を有する側面は、 広がった部分２３７，２３９，２４１，２４３を有する。アンテナ貫通穴２３４ は、製造しやすいように、また例えば、第１０図に実質的に示すように、所望の 周波数応答特性を提供するように、Ｔｘ貫通穴２２８，２３０，２３２と同じ貫 通穴断面を有する ように選択される。 一実施例において、貫通穴の少なくとも一部は、隣接貫通穴から等間隔ではな い。例えば、最終周波数応答および所望の寸法を最適化するため、以下の貫通穴 は隣接貫通穴から等間隔ではない。例えば、Ｔｘフィルタ貫通穴は、より緊密に 配置され、より広い帯域幅を提供し、またＲｘフィルタ貫通穴は隣接貫通穴から 若干離れて配置され、阻止帯域における減衰を増加する。この特徴は、設計を最 適化し、定められた体積または寸法について良好な電気性能を提供することに寄 与する。言い換えると、共振器貫通穴間の間隔を変えることは、受けの形状およ び複雑さを低減することに寄与し、フィルタ・ボディ２１２の製造を容易にする 。 第８図に示すように、底面２１６に隣接する貫通穴の少なくとも一部は、導電 外面とともに、底部受け（広がり部分２３７，２３９，２４１，２４３）を含む 。好適な実施例では、底部受けは、一般に外側および下側に向かって広がる（一 般に漏斗状である）。これらの貫通穴の広がりは、これらの受けの動作周波数を 高める。言い換えると、広がった形状を有する貫通穴は、広がらない貫通穴より も高い周波数で共振する。 第７図において、第５，第６，第７および第８貫通穴２３６，２３８，２４０ ，２４２は、上記の理由により底部受け２３７，２３９，２４１，２４３を含む 。 つまり、貫通穴の一部は、送信機（Ｔｘ）通穴２２８，２３０，２３２を定め 、第４貫通穴は、アンテナ貫通穴２３４であり、第５，第６，第７および第８貫 通穴２３６，２３８，２４０，２４２は、受信機（Ｒｘ）貫通穴を定める。受信 機貫通穴２３６，２３８，２４０，２４２は、貫通穴自体よりも大きい寸法の底 部受け２３７，２３９，２４１，２４３をそれぞれ有し、それにより前述のよう に有効受信機周波数を高める。 受信帯域の底部受け２３７，２３９，２４１，２４３は、貫通穴２３６，２３ ８，２４０，２４２の有効長さを低減し、それにより受信フィルタ周波数を高め る。これは、１／４波長共振器構造の共振周波数が、第６図における長さＬとし て定められる長さに反比例するためである。 金属材料などからなる遮蔽デバイス４１０は、リークを最小限に抑え、帯域外 信号を除波し、インバンド信号の挿入損を改善するために利用でき、例えば、第 ６図に示すように、半田リフローによりメタライゼーション層２２５に接続でき る。 第１０図に示す周波数特性は、第５図で詳説したものと極めて類似する。帯域 通過領域およびゼロは、所望の特性を得るために適切に配置される。好適な実施 例では、本発明はセルラ電話との接続用に特に適用される。 第１１図を参照して、デュプレクス・フィルタ５００を同調する方法を最も簡 単な形式で示す。この方法は、（i） デュプレクス・フィルタの少なくとも１つのフィルタの中心周波数を測定する測 定段階５０２；（ii）被測定中心周波数と所望の中心周波数との間の差を判定す る判定段階５０４；および（iii）フィルタの上部から誘電材料の実質的に平坦 な層を選択的に除去して、フィルタの周波数特性を調整することによりフィルタ の周波数特性を同調する同調段階５０６を含む。好適な実施例では、例えば、第 ５図または第１０図に実質的に示されるような周波数特性が得られる。この方法 では、上面１４，２１４の平坦な部分が除去され、これはフィルタ・ボディから 容易にラップ仕上げ，機械加工あるいは研削できる。同調段階５０６は、自動化 するように特に適用され、これはコストを節減できるので製造の上で有利である 。しかし、手作業で行うこともできる。 ここでいうデュプレクス・フィルタは、第１図ないし第４図および第６図ない し第８図におけるデュプレクス・フィルタ１０または２１０を含むことができる 。両方のデュプレクス・フィルタ１０（および２１０）は、送信フィルタおよび 受信フィルタを有する。一実施例において、これらのフィルタの少なくとも一方 は、送信フィルタ，受信フィルタまたはその両方に近接するデュプレクス・フィ ルタ１０の上部また上面１４から誘電材料の実質的に平坦な層を選択的に除去す ることにより調整される。言い換えると、この段階により、オペレータは送信フ ィルタ，受信フ ィルタまたは両方の周波数特性を選択的に調整できる。この特徴は、製造歩どま りを改善するのに役立ち、異なるカスタマ仕様にデュプレクサのカスタム化を促 進できる。この方法は、小さな従来の製造誤差を補正でき、かつ従来の方法に比 べてより一貫性のあるデュプレクス・フィルタのグループを製造できるフィルタ 設計を提供できる。 この方法における同調段階５０６は、送信および受信フィルタを同じまたは異 なる長さに独立して同調することを含むことができる。送信および／または受信 フィルタを同じまたは異なる長さに独立して同調できることにより、カスタム・ デュプレクス・フィルタを異なる動作周波数帯域について製造中に作製できる。 同調の自動化は、この方法により促進・簡略化できる。 同調段階５０６は、デュプレクス・フィルタの両方のフィルタを実質的に同時 にあるいは別々に同調し、好ましくは同調レートの改善およびサイクル・タイム の短縮のため同時に同調することを含む。しかし、製造工程で誤差が生じたり、 調整が必要な場合、別々に同調する、例えば、デュプレクス・フィルタの一方ま たは両方のフィルタを再加工することがより有利である。 同調段階５０６は、上面１４の平坦な上部をラップ仕上げ，研削および／また は除去することにより、上面１４から底面１６までの距離として定められる各フ ィルタ長を一回でまたは複数回で調整することを含むことができる。 第１２図を参照して、別の実施例では、デュプレクス・フィルタを同調する方 法６００は、以下の段階を含むことができる。第１測定段階６０２は、第１フィ ルタの中心周波数を測定することを含むことができる。第２測定段階６０４は、 第２フィルタの中心周波数を測定することを含むことができる。第３段階は、第 １および第２段階６０２，６０４における第１および第２フィルタの中心周波数 を平均し、所定の測定値を得る平均化段階６０６を含むことができる。第４段階 または選択的除去段階６０８は、デュプレクス・フィルタ１０の上面の実質的に 平坦な層を選択的に除去して、デュプレクス・フィルタの周波数特性を調整する ことを含むことができる。この方法は、自動化に特に適用でき、歩どまりの向上 およびデュプレクス・フィルタの性能改善に寄与できる。 平均化段階は、一方の中心周波数を他方の中心周波数よりも加重することを含 むことができる。例えば、受信フィルタは、送信（または第２）フィルタ周波数 の１．１倍で加重できる。加重平均段階は、２つの中心周波数がかなり離れる場 合に特に有利である。加重平均段階は、２つのフィルタのうち一方を他方のフィ ルタとは別に調整して、デュプレクス・フィルタの所望の不均等同調が得られる 。 例１ いくつかのデュプレクス・フィルタを実質的に第２図に 示すように作った。以下では、これらのフィルタをどのようにして同調したかを 説明する。 所望の送信中心周波数がＦ_txに等しいとする。所望の受信中心フィルタ周波数 がＦ_rxに等しいとする。そして、平均所望デュプレクス周波数がＦ_avgに等しく 、Ｆ_avgが（Ｆ_tx＋Ｆ_rx）／２ ＭＨｚに等しいとする。 第１段階は、Ｆ_avgを計算することからなる。この周波数は、特定の製品また はデュプレクサで固定または一定である。例１におけるデュプレクス・フィルタ は、国内セルラ電話市場用に作られる。所望の周波数応答は、実質的に第５図に 示す通りである。 第２段階は、ブロック長Ｌ’を測定することを含む。この測定は、第２図にお ける長さＬに同等である。 第３段階は、Ｆ’_txとして表される送信中心周波数を測定することからなる。 これは、各デュプレクス・フィルタに対して行われる実測定である。 第４段階は、Ｆ’_rxに等しい受信中心周波数を測定することからなる。これも 各デュプレクス・フィルタに対して行われる実測定である。 第５段階は、Ｆ’_avgとして表される平均デュプレクス周波数を計算すること からなり、Ｆ’_avg＝（Ｆ’_tx＋Ｆ’_rx）／２ＭＨｚである。この周波数は、所 望よりも一般に低く、そのため適切なセラミックの層をフィルタ・ボディの上部 から除去できる。第２図に示すように、セラミック 材料をフィルタ・ブロックに追加することは、不可能ではないにしろ困難である 。 第６段階では、以下Ｌとして表されるブロックの所望の長さが計算され、Ｌは Ｌ’−（Ｆ_avg−Ｆ’_avg）／Ｒミル(mlls)に等しく、ここでＲはセラミックの除 去レートで、これは経験的，理論的またはその両方で決定でき、ＭＨｚ／ミルと して表される。好適な実施例では、Ｒは、所望のデュプレクス・フィルタについ て経験的に判定され、プロセス変動について調整できる。 第７段階では、第２図のデュプレクサのフィルタ・ボディの上面が研削除去さ れる。つまり、フィルタ・ボディの上面（第２図の参照番号１４）から、セラミ ックの実質的に均等で実質的に平坦な層が研削除去され、上記の第６段階におけ る長さＬを低減する。 より詳しくは、第７段階において、Ｌを低減することは第４図における実質的 にすべてのコンデンサ（Ｃ１−Ｃ２５）を低減し、それにより送信フィルタ中心 周波数をＦ’_txからＦ_tXに増加させ、受信フィルタ中心周波数をＦ’_rxからＦ_rx に増加させる。言い換えると、第７段階は、所望の応答に近づけるため被測定中 心周波数を所望の中心周波数に調整する。 国内セルラ電話市場用のいくつかのデュプレクス・フィルタは、上記の値およ び式を用いて上記のようにうまく同調できた。第２図に示すような多くのデュプ レクス・フィ ルタは上記のように同調した。 例２ この例では、例１で説明したすべての段階に従った。例２は、国内セルラ電話 用に１つの特定デュプレクサを同調することに特に適用される。Ｆ_tx＝８３６． ５ＭＨｚ，Ｆ_tx＝８８１．５ＭＨｚで、Ｆ’_Avgは（８３６．５＋８８１．５） ／２＝８５９ＭＨｚに等しい。これは第１段階に対応する。 セラミック（チタン酸ベリウム）の誘電率は約３７．５である。Ｒの除去レー トは、実験的に導出され、３．５ＭＨｚ／ミルに等しい。 第２段階において、Ｌ’＝５２５ミルで、第３および第４段階において、Ｆ’_tx ＝８２５ＭＨｚおよびＦ’_rx＝８７０ＭＨｚは、それぞれ測定値である。 従って、第５段階において、Ｆ’_avg＝８４７．５ＭＨｚである。故に、第６ 段階の式を用いて、Ｌ＝５２５−（８５９−８４７．５）／３．５＝５２１．７ ミルである。これは、上面から３．３ミル厚のセラミック層が除去（研削）され ることを意味し、第５図の周波数曲線が得られる。 例３ 以下の説明は、本発明のすべてのデュプレクス・フィルタにとって有効と考え られ、第６図ないし第８図に示すデ ュプレクス・フィルタに特に適用されたデュプレクス・フィルタを同調する方法 のプロセス・フローである。 第１段階は、デュプレクス・フィルタの第１および第２フィルタの周波数応答 （所定の中心周波数を含む）を測定することからなる。 第２段階は、測定値を適切なコンピュータ・メモリに記録することからなる。 第３段階は、第２段階における周波数応答の測定値を、コンピュータ・データ ベースに格納された応答曲線の既知のセットと比較することからなる。測定値が どのデータベース応答曲線とも一致しなければ、デュプレクス・フィルタは保留 され、更なる手作業による再加工を必要とすると適切に指定される。この手作業 による再加工の結果は、データベースに取り入れることができる。測定値がコン ピュータ・データベースの応答曲線の１つと同調可能として一致すると、手順は 次に進む。 第４段階は、コンピュータ・プログラムによる判定に従って、所定の場所でデ ュプレクサの上面から１つまたは複数の実質的に平坦な層を選択的に除去するこ とからなる。例えば、あるデュプレクス・フィルタ・モデルでは、第２フィルタ が所望の周波数で、第１フィルタが所望の周波数から２ＭＨｚ以下であることを 測定値が示し、両方のフィルタが通過する（または同調可能としてコンピュータ ・データベースの応答曲線内にある）応答形状を有すると、セ ラミック材料の適切な平坦な層の除去が行われる。除去される領域は、第１フィ ルタに隣接する上面の実質的にすべてを被覆するように定められる。 第５段階は、第４段階において同調されたフィルタの周波数応答を測定し、こ の応答をコンピュータ・データベース応答曲線と比較することからなる。デュプ レクス・フィルタが更なる同調を必要としない場合、コンピュータは適切な周波 数特性が満たされたことを適宜表示する。次に、このデュプレクス・フィルタは 、特定の条件を満たすものとして適宜分類できる。 あるモデルについて更なるデュプレクス・フィルタが同調されると、このモデ ルのコンピュータ・データベースは改善・拡張し、更なる応答曲線を網羅する。 特定の同調動作は、この経験的データ（情報の拡張データベース）に基づいて設 定される。 本方法は、信頼性の高いデュプレクス・フィルタを作るために必要なプロセス 工程数を低減できる。これは、サイクル・タイムの低減，性能およびコストの改 善ならびにフィルタの信頼性および再現性の向上につながる。対照的に、多くの 従来のデバイスでは、周波数の調整は、フィルタ・ブロックの底部からセラミッ ク層を除去することによって行われ、これは誘導同調である。この誘導同調は、 少なくとも３つまたはそれ以上の工程を必要とする。例えば、底部から導電コー ティングを除去し、底部からセラミック層 を除去し、底部に導電コーティングを再塗布し（湿式プロセス）および材料を再 焼成して、（湿式プロセスから）不要な溶媒を除去することによって長さを調整 する。 本方法は、セラミック材料の平坦な層を選択的に除去する１つの工程のみから なり、そのためサイクル・タイムおよびコストを低減し、効率および信頼性を向 上させる。 また、従来の方法とは対照的に、本方法は、適切に同調し、本発明のデュプレ クス・フィルタ上のセラミック材料の平坦な上層を除去することにより、第４図 におけるコンデンサを容量同調する。本発明の別の利点は、同調方法が、フィル タの最も高価な構成要素の１つである導電材料を節約することである。 本発明について特定の好適な実施例を参照して説明したが、本発明の新規な精 神および範囲から逸脱せずに、さまざまな修正および変形が当業者に可能である 。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １．上面，底面および側面を有し、前記上面から前記底面に延在する複数の貫通 穴を有し、導電材料を受けるために十分な深さの、前記上面に隣接する複数の受 けを有する、誘電材料のブロックからなるフィルタ・ボディであって、前記面は 、前記上面が実質的にメタライゼーションされないことを除いて、メタライゼー ション層を定める導電材料で実質的に被覆されるフィルタ・ボディ； 所定の容量を定めるのに十分な材料の導電層を含む前記受け；および 前記フィルタ・ボディの内外に信号を結合する結合手段であって、前記誘電材 料によって実質的に囲まれる外部構成要素に結合するため、実質的に埋設された 容量性手段を含む結合手段； によって構成されることを特徴とするデュプレクス・フィルタ。 ２．前記埋設された容量性手段は、受信機結合コンデンサ，送信機結合コンデン サおよびアンテナ結合コンデンサを含み、それぞれが所定の帯域幅を与える所定 の値からなることを特徴とする請求項１記載のデュプレクス・フィルタ。 ３．前記受けは、前記上面に隣接して一般に漏斗状であり、所望の帯域通過応答 を与えるのに十分な直列容量を定めることを特徴とする請求項１記載のデュプレ クス・フィルタ。 ４．前記上面および側面に隣接し、所定の極周波数を与える分路コンデンサ手段 を定める接地凹部をさらに含んで構成されることを特徴とする請求項１記載のデ ュプレクス・フィルタ。 ５．上面，底面および側面を有し、前記上面から前記底面に延在する複数の貫通 穴を有し、導電材料を受けるために十分な深さの、前記上面に隣接する複数の受 けを有する、誘電材料のブロックからなるフィルタ・ボディであって、前記面は 、前記上面が実質的にメタライゼーションされないことを除いて、メタライゼー ション層を定める導電材料で実質的に被覆され、前記複数の貫通穴は、送信機貫 通穴および受信機貫通穴を含み、前記送信機貫通穴が前記受信機貫通穴よりも大 きいフィルタ・ボディ； 所定の容量を定めるのに十分な材料の導電層を含む前記受けであって、前記受 けは、一般に漏斗状であり、前記上面に隣接して、所望の帯域通過応答を与える のに十分な直列容量を定める前記受け；および 前記フィルタ・ボディの内外に信号を結合する結合デバイスであって、前記誘 電材料によって実質的に囲まれる外部構成要素に結合するため、実質的に埋設さ れた容量性手段を含み、前記埋設された容量性手段は、受信機結合コンデンサ， 送信機結合コンデンサおよびアンテナ結合コンデンサを含み、それぞれが所定の 帯域幅を与える所定の値からなる結合デバイス； によって構成されるデュプレクス・フィルタ。 ６．前記複数の貫通穴は、送信機貫通穴，アンテナ貫通穴および受信機貫通穴を 含み、前記送信機貫通穴および前記アンテナ貫通穴は前記受信機貫通穴よりも大 きいことを特徴とする請求項５記載のデュプレクス・フィルタ。 ７．ａ）上面，底面および側面を有し、前記上面から前記底面に延在する複数の 貫通穴を有し、前記貫通穴の上部が導電材料を受けるために十分な深さの受けを 定める、誘電材料のブロックからなるフィルタ・ボディであって、前記面は、前 記上面が実質的にメタライゼーションされないことを除き、かつ前記側面上の少 なくとも１つの非メタライゼーション領域を除いて、メタライゼーション層を定 める導電材料で実質的に被覆されるフィルタ・ボディ； ｂ）所定の容量を与えるのに十分な材料の導電層を含む前記受け；および ｃ）前記側面の１つに配置され、誘電材料によって囲まれた導電材料の領域を 含む第１，第２および第３入出力パッド； によって構成されることを特徴とするデュプレクス・フィルタ。 ８．前記入出力パッドは、導電材料の凹部を有する前記側面から外側に延在する ことを特徴とする請求項７記載のデュプレクス・フィルタ。 ９．前記貫通穴の一部は送信機貫通穴を定め、一部が受信 機貫通穴を定め、前記受信機貫通穴は、該貫通穴よりも大きい直径の底部受けを 有し、それにより有効受信機周波数を高めることを特徴とする請求項７記載のデ ュプレクス・フィルタ。 １０．前記第３入出量パッドに隣接する貫通穴として定められる、前記受信機帯 域に対応する貫通穴は、導電材料の底部受けを有し、それにより前記受信機貫通 穴の有効長さを低減し、そのため受信機周波数が高められることを特徴とする請 求項７記載のデュプレクス・フィルタ。