JPH0854649A - 液晶表示装置及びその製造方法 - Google Patents
液晶表示装置及びその製造方法Info
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- JPH0854649A JPH0854649A JP16937495A JP16937495A JPH0854649A JP H0854649 A JPH0854649 A JP H0854649A JP 16937495 A JP16937495 A JP 16937495A JP 16937495 A JP16937495 A JP 16937495A JP H0854649 A JPH0854649 A JP H0854649A
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 画面の明るさを向上させ、画面の明るさを一
定値以上に保持しつつ画素数を増加させることのできる
液晶表示装置を提供する。 【構成】 絶縁基板１１上に順次的に積層されたブラッ
クマトリクス１３及び第１絶縁膜１４と、第１絶縁膜の
上部に蒸着された半導体をパターニングした活性層１５
と、活性層とゲート電極１７を絶縁せしめる第２絶縁膜
１６と、第２絶縁膜上に蒸着された導電物質をパターニ
ングしたゲート電極と、ゲート電極を上部構造物と絶縁
せしめる第３絶縁膜１８と、第２及び第３絶縁膜のエッ
チングされた部分を介して活性層と接するソース／ドレ
ーン電極２０からなる薄膜トランジスタ部と、同一の基
板上に形成された下部ストレージ電極１３′と、下部ス
トレージ電極を上部ストレージ電極１７′と絶縁せしめ
る第１絶縁膜及び第２絶縁膜から成る。
定値以上に保持しつつ画素数を増加させることのできる
液晶表示装置を提供する。 【構成】 絶縁基板１１上に順次的に積層されたブラッ
クマトリクス１３及び第１絶縁膜１４と、第１絶縁膜の
上部に蒸着された半導体をパターニングした活性層１５
と、活性層とゲート電極１７を絶縁せしめる第２絶縁膜
１６と、第２絶縁膜上に蒸着された導電物質をパターニ
ングしたゲート電極と、ゲート電極を上部構造物と絶縁
せしめる第３絶縁膜１８と、第２及び第３絶縁膜のエッ
チングされた部分を介して活性層と接するソース／ドレ
ーン電極２０からなる薄膜トランジスタ部と、同一の基
板上に形成された下部ストレージ電極１３′と、下部ス
トレージ電極を上部ストレージ電極１７′と絶縁せしめ
る第１絶縁膜及び第２絶縁膜から成る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は液晶表示装置及びその製
造方法に係り、特にストレージキャパシタ（Ｓｔｏｒａ
ｇｅ Ｃａｐａｃｉｔｏｒ）の形成時に、ブラックマト
リクス（Ｂｌａｃｋ Ｍａｔｒｉｘ）を用いてキャパシ
タンス（Ｃａｐａｃｉｔａｎｃｅ）を増加させることに
より、前記ストレージキャパシタの面積を減少させて開
口率を向上させるための液晶表示装置及びその製造方法
に関する。
造方法に係り、特にストレージキャパシタ（Ｓｔｏｒａ
ｇｅ Ｃａｐａｃｉｔｏｒ）の形成時に、ブラックマト
リクス（Ｂｌａｃｋ Ｍａｔｒｉｘ）を用いてキャパシ
タンス（Ｃａｐａｃｉｔａｎｃｅ）を増加させることに
より、前記ストレージキャパシタの面積を減少させて開
口率を向上させるための液晶表示装置及びその製造方法
に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般的に薄膜トランジシタアレーが位置
する液晶表示装置の下板ピクセル（Ｐｉｘｅｌ）の薄膜
トランジスタ部５０は図１の左側に示すように、ガラス
又は水晶のような絶縁性の絶縁基板１上に蒸着されたバ
ッファ層２と、前記バッファ層２上に半導体物質を蒸着
させた後パターニングした活性層３と、ゲート絶縁膜と
して使用するために前記活性層３上に絶縁物質を蒸着さ
せた第１絶縁膜４と、前記第１絶縁膜４上に不純物がド
ーピングされた多結晶シリコン又は金属又はシリサイド
を蒸着させた後パターニングしたゲート電極５と、前記
ゲート電極５をマスクとしてＮ型もしくはＰ型のドーパ
ントを注入させて活性化させた後、前記ゲート電極を絶
縁させるために前記ゲート電極５が形成された結果物の
全面に絶縁物質を蒸着させた第２絶縁膜６と、前記活性
層３の上部の第２絶縁膜６と第１絶縁膜４の一部領域を
活性層３が露出されるようにエッチングしてコンタクト
ホールを形成した後、導電物質を蒸着させて前記コンタ
クトホールを介して活性層３と接するデータライン８か
ら構成されており、ストレージキャパシタ部１００は図
１の右側に示すように、絶縁基板１上に蒸着されたバッ
ファ層２と、前記バッファ層２上に絶縁物質を蒸着させ
た第１絶縁膜４と、前記第１絶縁膜４の前記下坂ピクセ
ル部１００のゲート電極５と同時に不純物がドーピング
された多結晶シリコン又は金属又はシリサイドを蒸着さ
せた後パターニングしたストレージ電極５′と、前記ス
トレージ電極５′上に再び絶縁物質を蒸着させた第２絶
縁膜６と、前記第２絶縁膜６上に透明の導電物質を蒸着
させてパターニングした画素電極７と、から構成されて
いる。
する液晶表示装置の下板ピクセル（Ｐｉｘｅｌ）の薄膜
トランジスタ部５０は図１の左側に示すように、ガラス
又は水晶のような絶縁性の絶縁基板１上に蒸着されたバ
ッファ層２と、前記バッファ層２上に半導体物質を蒸着
させた後パターニングした活性層３と、ゲート絶縁膜と
して使用するために前記活性層３上に絶縁物質を蒸着さ
せた第１絶縁膜４と、前記第１絶縁膜４上に不純物がド
ーピングされた多結晶シリコン又は金属又はシリサイド
を蒸着させた後パターニングしたゲート電極５と、前記
ゲート電極５をマスクとしてＮ型もしくはＰ型のドーパ
ントを注入させて活性化させた後、前記ゲート電極を絶
縁させるために前記ゲート電極５が形成された結果物の
全面に絶縁物質を蒸着させた第２絶縁膜６と、前記活性
層３の上部の第２絶縁膜６と第１絶縁膜４の一部領域を
活性層３が露出されるようにエッチングしてコンタクト
ホールを形成した後、導電物質を蒸着させて前記コンタ
クトホールを介して活性層３と接するデータライン８か
ら構成されており、ストレージキャパシタ部１００は図
１の右側に示すように、絶縁基板１上に蒸着されたバッ
ファ層２と、前記バッファ層２上に絶縁物質を蒸着させ
た第１絶縁膜４と、前記第１絶縁膜４の前記下坂ピクセ
ル部１００のゲート電極５と同時に不純物がドーピング
された多結晶シリコン又は金属又はシリサイドを蒸着さ
せた後パターニングしたストレージ電極５′と、前記ス
トレージ電極５′上に再び絶縁物質を蒸着させた第２絶
縁膜６と、前記第２絶縁膜６上に透明の導電物質を蒸着
させてパターニングした画素電極７と、から構成されて
いる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記の
ような液晶表示装置の場合、図２に示すように、データ
ラインとゲートラインに連結された前記薄膜トランジス
タＴＦＴのオフ時、画素電極の電圧の変動を一定値以下
に維持して良質の画面を得るように画素電圧変動効果を
相殺するために、ストレージキャパシタンスＣｓ1 を一
定値以上に増加させるために、従来の場合は前記ストレ
ージキャパシタ部の面積を増やす方法が用いられたが、
こういう場合、開口率が減少されて画質が劣化するとい
う問題点があった。
ような液晶表示装置の場合、図２に示すように、データ
ラインとゲートラインに連結された前記薄膜トランジス
タＴＦＴのオフ時、画素電極の電圧の変動を一定値以下
に維持して良質の画面を得るように画素電圧変動効果を
相殺するために、ストレージキャパシタンスＣｓ1 を一
定値以上に増加させるために、従来の場合は前記ストレ
ージキャパシタ部の面積を増やす方法が用いられたが、
こういう場合、開口率が減少されて画質が劣化するとい
う問題点があった。
【０００４】従って、本発明はかかる問題点を解決るた
めのもので、同一ストレージキャパシタの面積上のキャ
パシタンスを増加させることにより、画面の明るさを向
上させ、画面の明るさを一定値以上に保持しつつ画素数
を増加させることのできる液晶表示装置を提供すること
を目的とする。本発明の他の目的は、前記液晶表示装置
を効果的に製造するための液晶表示装置の製造方法を提
供することにある。
めのもので、同一ストレージキャパシタの面積上のキャ
パシタンスを増加させることにより、画面の明るさを向
上させ、画面の明るさを一定値以上に保持しつつ画素数
を増加させることのできる液晶表示装置を提供すること
を目的とする。本発明の他の目的は、前記液晶表示装置
を効果的に製造するための液晶表示装置の製造方法を提
供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
の本発明の液晶表示装置は、絶縁基板上の順次的に積層
されたブラックマトリクス及び第１絶縁膜と、前記第１
絶縁膜の上部に蒸着された半導体をパターニングした活
性層と、前記活性層とゲート電極を絶縁せしめる第２絶
縁膜と、前記第２絶縁膜上に蒸着された導電物質をパタ
ーニングしたゲート電極と、前記ゲート電極を上部構造
物と絶縁せしめる第３絶縁膜と、前記第２及び第３絶縁
膜のエチングされた部分を介して前記活性層と接するソ
ース／ドレーン電極からなる薄膜トランジスタ部と、前
記と同一の基板上に形成された下部ストレージ電極と、
前記下部ストレージ電極を上部ストレージ電極と絶縁せ
しめる第１絶縁膜及び第２絶縁膜と、前記第２絶縁膜上
に蒸着された導電物質をパターニングした上部ストレー
ジ電極と、前記上部ストレージ電極を上部構造物と絶縁
せしめる第３絶縁膜と、前記第３絶縁膜の上部の画素電
極からなるストレージキャパシタ部と、を含んでなるこ
とを特徴とする。
の本発明の液晶表示装置は、絶縁基板上の順次的に積層
されたブラックマトリクス及び第１絶縁膜と、前記第１
絶縁膜の上部に蒸着された半導体をパターニングした活
性層と、前記活性層とゲート電極を絶縁せしめる第２絶
縁膜と、前記第２絶縁膜上に蒸着された導電物質をパタ
ーニングしたゲート電極と、前記ゲート電極を上部構造
物と絶縁せしめる第３絶縁膜と、前記第２及び第３絶縁
膜のエチングされた部分を介して前記活性層と接するソ
ース／ドレーン電極からなる薄膜トランジスタ部と、前
記と同一の基板上に形成された下部ストレージ電極と、
前記下部ストレージ電極を上部ストレージ電極と絶縁せ
しめる第１絶縁膜及び第２絶縁膜と、前記第２絶縁膜上
に蒸着された導電物質をパターニングした上部ストレー
ジ電極と、前記上部ストレージ電極を上部構造物と絶縁
せしめる第３絶縁膜と、前記第３絶縁膜の上部の画素電
極からなるストレージキャパシタ部と、を含んでなるこ
とを特徴とする。
【０００６】前記他の目的を達成するための本発明の液
晶表示装置の製造方法は、絶縁基板上に光を遮断し、導
電性のある物質を蒸着させて薄膜トランジスタア部のブ
ラックマトリクスとストレージキャパシタ部の下部スト
レージ電極を同時に形成する過程と、前記ブラックマト
リクスと下部ストレージ電極上に第１絶縁膜を形成する
過程と、前記第１絶縁膜上に半導体物質を蒸着させた
後、パターニングして薄膜トランジスタ部に活性層を形
成する過程と、前記活性層の形成後、結果物の全面に第
２絶縁膜を形成する過程と、前記第２絶縁膜上に導電物
質を蒸着させた後、パターニングして薄膜トランジスタ
部のゲート電極とストレージキャパシタ部の上部ストレ
ージ電極を形成する過程と、前記ゲート電極及び上部ス
トレージ電極の形成後、結果物の全面に第３絶縁膜を形
成する過程と、前記ストレージキャパシタ部の第３絶縁
膜上に画素電極を形成する過程と、前記第２及び第３絶
縁膜を選択的にエッチングして活性層と下部ストレージ
電極を露出させてコンタクトホールを形成した後、結果
物の全面に導電物質を蒸着しパターニングさせて前記下
部ストレージ電極と画素電極を連結するとともに、前記
コンタクトホールを介して前記活性層と接するソース／
ドレーン電極を形成する過程とを含んでなることを特徴
とする。
晶表示装置の製造方法は、絶縁基板上に光を遮断し、導
電性のある物質を蒸着させて薄膜トランジスタア部のブ
ラックマトリクスとストレージキャパシタ部の下部スト
レージ電極を同時に形成する過程と、前記ブラックマト
リクスと下部ストレージ電極上に第１絶縁膜を形成する
過程と、前記第１絶縁膜上に半導体物質を蒸着させた
後、パターニングして薄膜トランジスタ部に活性層を形
成する過程と、前記活性層の形成後、結果物の全面に第
２絶縁膜を形成する過程と、前記第２絶縁膜上に導電物
質を蒸着させた後、パターニングして薄膜トランジスタ
部のゲート電極とストレージキャパシタ部の上部ストレ
ージ電極を形成する過程と、前記ゲート電極及び上部ス
トレージ電極の形成後、結果物の全面に第３絶縁膜を形
成する過程と、前記ストレージキャパシタ部の第３絶縁
膜上に画素電極を形成する過程と、前記第２及び第３絶
縁膜を選択的にエッチングして活性層と下部ストレージ
電極を露出させてコンタクトホールを形成した後、結果
物の全面に導電物質を蒸着しパターニングさせて前記下
部ストレージ電極と画素電極を連結するとともに、前記
コンタクトホールを介して前記活性層と接するソース／
ドレーン電極を形成する過程とを含んでなることを特徴
とする。
【０００７】
【実 施 例】以下、図面を参照して本発明をさらに詳
しく説明する。本発明の液晶表示装置は図３に示すよう
に、導電性を呈し且つ光を遮断できる物質で薄膜トラン
ジスタ部５０のブラックマトリクス１３と同時に形成さ
れたストレージキャパシタ部１００の下部ストレージ電
極１３′と、上部ストレージ電極１７′が図４に示すよ
うに並列連結されるようにすることで、従来と同一の製
造面積で総キャパシタンスの増加を招くことができる。
しく説明する。本発明の液晶表示装置は図３に示すよう
に、導電性を呈し且つ光を遮断できる物質で薄膜トラン
ジスタ部５０のブラックマトリクス１３と同時に形成さ
れたストレージキャパシタ部１００の下部ストレージ電
極１３′と、上部ストレージ電極１７′が図４に示すよ
うに並列連結されるようにすることで、従来と同一の製
造面積で総キャパシタンスの増加を招くことができる。
【０００８】この際、前記上部ストレージ電極１７′と
画素電極１９との間の絶縁膜の厚さｔ1 と下部ストレー
ジ電極１３′と上部ストレージ電極１７′との間の絶縁
膜の厚さｔ2 が同一であれば、従来の構造によるキャパ
シタンスＣｓ（Ａ）と本発明による総キャパシタンシＣ
ｓ（Ｂ）は、Ｃｓ（Ａ）＝Ｃｓ1 （但し、Ｃｓ1 ＝Ａ
（ε0 ε1 ）／ｔ1 ：Ａはストレージキャパシタ部の面
積、ε0 は空気中の誘電率、ε1 絶縁膜の誘電定数）で
あり、Ｃｓ（Ｂ）＝Ｃｓ1 ＋Ｃｓ2 （但し、Ｃｓ2 ＝Ａ
（ε0 ε1 ）／ｔ2 ）であるので、従来のキャパシタン
スＣｓ（Ａ）の２倍となる。
画素電極１９との間の絶縁膜の厚さｔ1 と下部ストレー
ジ電極１３′と上部ストレージ電極１７′との間の絶縁
膜の厚さｔ2 が同一であれば、従来の構造によるキャパ
シタンスＣｓ（Ａ）と本発明による総キャパシタンシＣ
ｓ（Ｂ）は、Ｃｓ（Ａ）＝Ｃｓ1 （但し、Ｃｓ1 ＝Ａ
（ε0 ε1 ）／ｔ1 ：Ａはストレージキャパシタ部の面
積、ε0 は空気中の誘電率、ε1 絶縁膜の誘電定数）で
あり、Ｃｓ（Ｂ）＝Ｃｓ1 ＋Ｃｓ2 （但し、Ｃｓ2 ＝Ａ
（ε0 ε1 ）／ｔ2 ）であるので、従来のキャパシタン
スＣｓ（Ａ）の２倍となる。
【０００９】このような上下部ストレージ電極を備えた
液晶表示装置の製造方法は図５に示すように、まず
（ａ）ではガラスや水晶のような透明基板１１上にバッ
ファ層１２を形成した後、前記バッファ層１２上に金属
又はシリサイドのような光トランジスタ部にはブラック
マトリクス１３を形成するとともに、ストレージキャパ
シタ部には下部ストレージ電流１３′を形成する。
液晶表示装置の製造方法は図５に示すように、まず
（ａ）ではガラスや水晶のような透明基板１１上にバッ
ファ層１２を形成した後、前記バッファ層１２上に金属
又はシリサイドのような光トランジスタ部にはブラック
マトリクス１３を形成するとともに、ストレージキャパ
シタ部には下部ストレージ電流１３′を形成する。
【００１０】（ｂ）では前記下部ストレージ電極１３′
が形成された構造物の全面に層絶縁物質を所定の厚さに
蒸着させて第１絶縁膜１４を形成し、前記第１絶縁膜１
４上に半導体物質を所定の厚さに蒸着させた前記薄膜ト
ランジスタ部にのみ残るようにエッチングして活性層１
５を形成するが、この際、前記第１絶縁膜１４を過度に
エッチングして第１絶縁膜１４の厚さを減少させてキャ
パシタンスを増加させるようにする。
が形成された構造物の全面に層絶縁物質を所定の厚さに
蒸着させて第１絶縁膜１４を形成し、前記第１絶縁膜１
４上に半導体物質を所定の厚さに蒸着させた前記薄膜ト
ランジスタ部にのみ残るようにエッチングして活性層１
５を形成するが、この際、前記第１絶縁膜１４を過度に
エッチングして第１絶縁膜１４の厚さを減少させてキャ
パシタンスを増加させるようにする。
【００１１】（ｃ）では前記活性層１５の形成後、結果
物の全面に絶縁物質を蒸着させて第２絶縁膜１６を形成
し、次に第２絶縁膜１６上に不純物がドーピングされた
多結晶シリコン、不純物がドーピングされた非結晶シリ
コン又は金属又はシリサイドを所定の厚さに蒸着させた
後パターニングして、ゲート電極１７とストレージキャ
パシタ部の上部ストレージ電極１７′を形成した後、ゲ
ート電極１７をマスクとしてもＮ型もしくはＰ型のドー
パントを注入させてソース／ドレーン領域を形成し、前
記パターニング工程時にも前記図５（ｂ）と同様に前記
第２絶縁膜１６を過度にエッチングして絶縁膜の厚さを
減少させる。
物の全面に絶縁物質を蒸着させて第２絶縁膜１６を形成
し、次に第２絶縁膜１６上に不純物がドーピングされた
多結晶シリコン、不純物がドーピングされた非結晶シリ
コン又は金属又はシリサイドを所定の厚さに蒸着させた
後パターニングして、ゲート電極１７とストレージキャ
パシタ部の上部ストレージ電極１７′を形成した後、ゲ
ート電極１７をマスクとしてもＮ型もしくはＰ型のドー
パントを注入させてソース／ドレーン領域を形成し、前
記パターニング工程時にも前記図５（ｂ）と同様に前記
第２絶縁膜１６を過度にエッチングして絶縁膜の厚さを
減少させる。
【００１２】（ｄ）では前記ゲート電極１７と上部スト
レージ電極１７′の形成後、結果物の全面に絶縁物質を
蒸着させて前記ゲート電極１７と上部ストレージ電極１
７′を上部構造物と絶縁させるための第３絶縁膜１８を
形成し、続いて、前記ストレージキャパシタ部の第３絶
縁膜１８上に透明な導電性物質を蒸着させた後パターニ
ングして画素電極１９を形成する。
レージ電極１７′の形成後、結果物の全面に絶縁物質を
蒸着させて前記ゲート電極１７と上部ストレージ電極１
７′を上部構造物と絶縁させるための第３絶縁膜１８を
形成し、続いて、前記ストレージキャパシタ部の第３絶
縁膜１８上に透明な導電性物質を蒸着させた後パターニ
ングして画素電極１９を形成する。
【００１３】（ｅ）では前記画素電極１９の形成後、前
記第２及び第３絶縁膜１６，１８を選択的にエッチング
して活性層１５と下部ストレージ電極１３′を露出させ
てコンタクトホールを形成した後、結果物に全面にアル
ミニウムのような導電物質を蒸着しパターニングして、
前記下部ストレージ電極１３′と画素電極１９とを連結
するとともに、前記コンタクトホールを介して前記活性
層１５と接するソース／ドレーン電極２０を形成する。
記第２及び第３絶縁膜１６，１８を選択的にエッチング
して活性層１５と下部ストレージ電極１３′を露出させ
てコンタクトホールを形成した後、結果物に全面にアル
ミニウムのような導電物質を蒸着しパターニングして、
前記下部ストレージ電極１３′と画素電極１９とを連結
するとともに、前記コンタクトホールを介して前記活性
層１５と接するソース／ドレーン電極２０を形成する。
【００１４】
【発明の効果】上述したように本発明によれば、ストレ
ージキャパシタ部の面積を減らしても必要なキャパシタ
ンスが提供できるので、液晶表示装置の画面の明るさを
向上させ、画面の明るさの減少なしに画素数を増加させ
ることにより画質を改善できる効果がある。
ージキャパシタ部の面積を減らしても必要なキャパシタ
ンスが提供できるので、液晶表示装置の画面の明るさを
向上させ、画面の明るさの減少なしに画素数を増加させ
ることにより画質を改善できる効果がある。
【図１】従来の技術による液晶表示装置の断面図であ
る。
る。
【図２】従来の技術によるピクセル部の等価回路図であ
る。
る。
【図３】本発明による液晶表示装置の断面図である。
【図４】本発明によるピクセル部の等価回路図である。
【図５】本発明による液晶表示装置の製造方法を示す工
程順序図である。
程順序図である。
１１…絶縁基板、１２…バッファ層、１３…ブラックマ
トリクス、１３′…下部ストレージ電極、１４…第１絶
縁膜、１５…活性層、１６…第２絶縁膜、１７…ゲート
電極、１７′…上部ストレージ電極、１８…第３絶縁
膜、１９…画素電極、２０…／ソース／ドレーン電極。
トリクス、１３′…下部ストレージ電極、１４…第１絶
縁膜、１５…活性層、１６…第２絶縁膜、１７…ゲート
電極、１７′…上部ストレージ電極、１８…第３絶縁
膜、１９…画素電極、２０…／ソース／ドレーン電極。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 29/786 21/336
Claims (5)
- 【請求項１】 絶縁基板上の順次的に積層されたブラッ
クマトリクス及び第１絶縁膜と、前記第１絶縁膜の上部
の蒸着された半導体をパターニングした活性層と、前記
活性層とゲート電極を絶縁せしめる第２絶縁膜と、前記
第２絶縁膜上に蒸着された導電物質をパターニングした
ゲート電極と、前記ゲート電極を上部構造物と絶縁せし
める第３絶縁膜と、前記第２及び第３絶縁膜のエッチン
グされた部分を介して前記活性層と接するソース／ドレ
ーン電極からなる薄膜トランジスタ部と、前記と同一の
基板上に形成された下部ストレージ電極と、前記下部ス
トレージ電極を上部ストレージ電極と絶縁せしめる第１
絶縁膜及び第２絶縁膜と、前記第２絶縁膜上に蒸着され
た導電物質をパターニングした上部ストレージ電極と、
前記上部ストレージ電極を上部構造物と絶縁せしめる第
３絶縁膜と、前記第３絶縁膜の上部の画素電極からなる
ストレージキャパシタ部と、を含んでなることを特徴と
する液晶表示装置。 - 【請求項２】 絶縁基板は、石英又はガラスのような透
明基板等を使用して構成されたことを特徴とする請求項
１記載の液晶表示装置。 - 【請求項３】 絶縁基板上に光を遮断し、導電性のある
物質を蒸着させて薄膜トランジスタ部のブラックマトリ
クスとストレージキャパシタ部の下部ストレージ電極を
同時に形成する過程と、前記ブラックマトリクスと下部
ストレージ電極上に第１絶縁膜を形成する過程と、前記
第１絶縁膜上に半導体物資を蒸着させた後、パターニン
グして薄膜トランジスタ部に活性層を形成する過程と、
前記活性層の形成後、結果物の全面に第２絶縁膜を形成
する過程と、前記第２絶縁膜上に導電物質を蒸着させた
後、パターニングして薄膜トランジスタ部のゲート電極
とストレージキャパシタ部の上部ストレージ電極を形成
した後、ゲート電極をマスクとしてＮ型もしくはＰ型の
ドーパントを注入させ、活性化させてソース／トレーン
領域を形成する過程と、前記ゲート電極及び上部ストレ
ージ電極の形成後、結果物の全面に第３絶縁膜を形成す
る過程と、前記ストレージキャパシタ部の第３絶縁膜上
に画素電極を形成する過程と、前記第２及び第３絶縁膜
を選択的にエッチングして活性層と下部ストレージ電極
を露出させてコンタクトホールを形成した後、結果物の
全面に導電物質を蒸着しパターニングさせて前記下部ス
トレージ電極と画素電極を連結するとともに、前記コン
タクトホールを介して前記活性層と接するソース／ドレ
ーン電極を形成する過程とを含んでなることを特徴とす
る液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項４】 前記活性層の形成時に、第１絶縁膜の上
部領域を過度にエッチングする過程を含んで構成された
ことを特徴とする請求項３記載の液晶表示装置の製造方
法。 - 【請求項５】 前記ゲート電極及び上部ストレージ電極
の形成時に、前記第２絶縁膜の上部領域を過度にエッチ
ングする過程を含んでなることを特徴とする請求項３記
載の液晶表示装置の製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940013785A KR0141774B1 (ko) | 1994-06-17 | 1994-06-17 | 액정표시장치 및 그 제조방법 |
| KR1994P13785 | 1994-06-17 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0854649A true JPH0854649A (ja) | 1996-02-27 |
Family
ID=19385550
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16937495A Pending JPH0854649A (ja) | 1994-06-17 | 1995-06-13 | 液晶表示装置及びその製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5734449A (ja) |
| JP (1) | JPH0854649A (ja) |
| KR (1) | KR0141774B1 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100419086B1 (ko) * | 1996-04-12 | 2004-05-20 | 삼성전자주식회사 | 박막트랜지스터액정표시장치 |
| JP3433779B2 (ja) * | 1996-06-19 | 2003-08-04 | シャープ株式会社 | アクティブマトリクス基板およびその製造方法 |
| KR100226494B1 (ko) * | 1997-02-20 | 1999-10-15 | 김영환 | 액정표시장치 및 그 제조방법 |
| KR100249222B1 (ko) * | 1997-04-11 | 2000-03-15 | 구자홍 | 액정표시장치및그제조방법 |
| KR100265567B1 (ko) * | 1997-12-29 | 2000-09-15 | 김영환 | 액정표시소자및그의제조방법 |
| KR20000038298A (ko) * | 1998-12-05 | 2000-07-05 | 구본준 | 이미지소자, 센서박막트랜지스터와 그 제조방법. |
| GB9928353D0 (en) * | 1999-12-01 | 2000-01-26 | Koninkl Philips Electronics Nv | Liquid crystal display and method of manufacture |
| KR100654159B1 (ko) * | 2000-02-10 | 2006-12-05 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 반사형 액정 표시장치 및 그 제조방법 |
| KR100635042B1 (ko) * | 2001-12-14 | 2006-10-17 | 삼성에스디아이 주식회사 | 전면전극을 구비한 평판표시장치 및 그의 제조방법 |
| US6853052B2 (en) * | 2002-03-26 | 2005-02-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device having a buffer layer against stress |
| KR100480310B1 (ko) * | 2002-09-24 | 2005-04-07 | 한국전자통신연구원 | 2 층 충전기를 갖는 디스플레이 픽셀 및 그 제조방법 |
| TWI262344B (en) * | 2004-02-27 | 2006-09-21 | Au Optronics Corp | Pixel structure and fabricating method thereof |
| KR101112539B1 (ko) * | 2004-07-27 | 2012-02-15 | 삼성전자주식회사 | 다중 도메인 액정 표시 장치 및 그에 사용되는 표시판 |
| KR101112543B1 (ko) * | 2004-11-04 | 2012-03-13 | 삼성전자주식회사 | 다중 도메인 박막 트랜지스터 표시판 |
| KR101112549B1 (ko) | 2005-01-31 | 2012-06-12 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 표시판 |
| KR20060111265A (ko) * | 2005-04-22 | 2006-10-26 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 기판, 이의 제조 방법 및 이를 갖는 표시장치 |
| US7286192B2 (en) * | 2005-06-07 | 2007-10-23 | Au Optronics Corporation | Transflective liquid crystal display |
| TWI316763B (en) * | 2006-12-01 | 2009-11-01 | Au Optronics Corp | Lcd pixel array structure and fabrication method thereof |
| TWI329909B (en) * | 2007-03-16 | 2010-09-01 | Au Optronics Corp | Pixel structure of lcd and fabrication method thereof |
| TWI351764B (en) * | 2007-04-03 | 2011-11-01 | Au Optronics Corp | Pixel structure and method for forming the same |
| TWI354377B (en) * | 2007-05-30 | 2011-12-11 | Au Optronics Corp | Pixel structure of lcd and fabrication method ther |
| CN105679765A (zh) * | 2016-01-12 | 2016-06-15 | 武汉华星光电技术有限公司 | Tft阵列基板结构 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6045219A (ja) * | 1983-08-23 | 1985-03-11 | Toshiba Corp | アクテイブマトリクス型表示装置 |
| US5012274A (en) * | 1987-12-31 | 1991-04-30 | Eugene Dolgoff | Active matrix LCD image projection system |
| JPH0814669B2 (ja) * | 1988-04-20 | 1996-02-14 | シャープ株式会社 | マトリクス型表示装置 |
| JP2616160B2 (ja) * | 1990-06-25 | 1997-06-04 | 日本電気株式会社 | 薄膜電界効果型トランジスタ素子アレイ |
| US5245450A (en) * | 1990-07-23 | 1993-09-14 | Hosiden Corporation | Liquid crystal display device with control capacitors for gray-scale |
| EP0592063A3 (en) * | 1992-09-14 | 1994-07-13 | Toshiba Kk | Active matrix liquid crystal display device |
| US5657101A (en) * | 1995-12-15 | 1997-08-12 | Industrial Technology Research Institute | LCD having a thin film capacitor with two lower capacitor electrodes and a pixel electrode serving as an upper electrode |
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1994
- 1994-06-17 KR KR1019940013785A patent/KR0141774B1/ko not_active Expired - Fee Related
-
1995
- 1995-06-13 JP JP16937495A patent/JPH0854649A/ja active Pending
- 1995-06-13 US US08/490,059 patent/US5734449A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR0141774B1 (ko) | 1998-06-15 |
| US5734449A (en) | 1998-03-31 |
| KR960001843A (ko) | 1996-01-25 |
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