JPH0855879A - Tab用テープ及びこれを用いた半導体装置の製造方法 - Google Patents
Tab用テープ及びこれを用いた半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH0855879A JPH0855879A JP6192605A JP19260594A JPH0855879A JP H0855879 A JPH0855879 A JP H0855879A JP 6192605 A JP6192605 A JP 6192605A JP 19260594 A JP19260594 A JP 19260594A JP H0855879 A JPH0855879 A JP H0855879A
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- Japan
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- pellet
- window
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- tab
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/701—Tape-automated bond [TAB] connectors
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】異る機種のICペレットを搭載でき、共用化が
可能で汎用性のあるTAB用テープ及びこれを用いた半
導体装置の製造方法を提供する。 【構成】TABパッケージを必要とするICペレット9
の最小サイズのパッドの位置に合わせてインナリード7
を配置したTAB用テープ及びこのTAB用テープを用
いて、ILB接続前にインナリード7を使用するICペ
レット9のパッドの位置に合わせて切断して長さを調整
し、ILB用窓3にICペレット9を搭載した後ICペ
レット9のパッドとインナリード7をILB接続する工
程を含む半導体装置の製造方法。
可能で汎用性のあるTAB用テープ及びこれを用いた半
導体装置の製造方法を提供する。 【構成】TABパッケージを必要とするICペレット9
の最小サイズのパッドの位置に合わせてインナリード7
を配置したTAB用テープ及びこのTAB用テープを用
いて、ILB接続前にインナリード7を使用するICペ
レット9のパッドの位置に合わせて切断して長さを調整
し、ILB用窓3にICペレット9を搭載した後ICペ
レット9のパッドとインナリード7をILB接続する工
程を含む半導体装置の製造方法。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はTAB用テープ及びこれ
を用いた半導体装置の製造方法に関する。
を用いた半導体装置の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、半導体装置は多端子・軽量・薄型
化が進み、また、実装技術の進歩によりQuad Fu
at Package(以下、QFPと記す)からTA
Bパッケージへの移り変わろうとしている。従来、TA
B用テープは35・48・70mm幅などのポリイミド
樹脂等の絶縁フィルム上に、35μm前後の厚みの金属
材料を貼り合わせ、金属材料をエッチングすることによ
り、配線パターンを形成している。TABパッケージ
は、このTAB用テープを用いインナリードボンディン
グ(以下、ILBと記す)用窓上にICペレットを配
し、ICペレットの各辺に沿って具備された入出力信号
及び電源を供給する為の電極(以下パッドと記す)とT
AB用テープのインナリードをILB接続により、熱圧
着または共晶結合にて接続し、絶縁性の流動樹脂を用い
ポッティング封止などにより樹脂封止されている。実装
時には、アウタリード部にてリードを切断・分離しリー
ド成形等を施した後使用している。
化が進み、また、実装技術の進歩によりQuad Fu
at Package(以下、QFPと記す)からTA
Bパッケージへの移り変わろうとしている。従来、TA
B用テープは35・48・70mm幅などのポリイミド
樹脂等の絶縁フィルム上に、35μm前後の厚みの金属
材料を貼り合わせ、金属材料をエッチングすることによ
り、配線パターンを形成している。TABパッケージ
は、このTAB用テープを用いインナリードボンディン
グ(以下、ILBと記す)用窓上にICペレットを配
し、ICペレットの各辺に沿って具備された入出力信号
及び電源を供給する為の電極(以下パッドと記す)とT
AB用テープのインナリードをILB接続により、熱圧
着または共晶結合にて接続し、絶縁性の流動樹脂を用い
ポッティング封止などにより樹脂封止されている。実装
時には、アウタリード部にてリードを切断・分離しリー
ド成形等を施した後使用している。
【0003】従来、QFPでは金属線によるワイヤボン
ディングにて接続しているため、ICペレットに具備さ
れたパッドピッチが120μm前後必要であるが、TA
B用テープでは80μm前後で量産が可能でありICペ
レットを高集積化することができる。また、金線を用い
るQFPに比べ容易に多端子・軽量・薄型化を実現する
ことができ、民生機器などの小型化に広く用いられよう
としている。なお、従来のTAB用テープのインナリー
ドは、所望の機能が得られるようにICペレットのパッ
ド配置に合わせ各々専用設計されている。また、エッチ
ング処理により形成されたTAB用テープのインナリー
ドは薄膜であり、今後、高集積・多ピンになるにつれイ
ンナリードはより微細及び薄膜となって行く。
ディングにて接続しているため、ICペレットに具備さ
れたパッドピッチが120μm前後必要であるが、TA
B用テープでは80μm前後で量産が可能でありICペ
レットを高集積化することができる。また、金線を用い
るQFPに比べ容易に多端子・軽量・薄型化を実現する
ことができ、民生機器などの小型化に広く用いられよう
としている。なお、従来のTAB用テープのインナリー
ドは、所望の機能が得られるようにICペレットのパッ
ド配置に合わせ各々専用設計されている。また、エッチ
ング処理により形成されたTAB用テープのインナリー
ドは薄膜であり、今後、高集積・多ピンになるにつれイ
ンナリードはより微細及び薄膜となって行く。
【0004】図4(a),(b)〜図8(a),(b)
は従来のTAB用テープを用いた半導体装置の製造方法
の一例を説明する工程順に示した平面図及びそのA−
A′線断面図である。従来のTAB用テープは、まず、
図4(a),(b)に示すように、ポリイミド樹脂等の
絶縁フィルム1にパンチングによりILB用窓3及びア
ウタリードボンディング(以下、OLBと記す)用窓4
を打ち抜く。次に、図5(a),(b)に示すように、
金属材料5を貼り合わせた後、図6(a),(b)に示
すようにエッチング処理を施して配線パターン6を形成
する。この配線パターン6は、ILB用窓3上に形成さ
れた部分がインナリード7となり、OLB用窓4上に形
成された部分がアウタリード8となる。次に、図7
(a),(b)に示すように、ILB用窓3上にICペ
レット9を搭載し、ICペレット9に配置されているパ
ッドとインナリード7をILB用窓3によりILB接続
した後、図8(a),(b)に示すように、ICペレッ
ト9を封止樹脂10にて樹脂封止を施す。従来は、マス
タスライス方式の半導体集積回路のパッドはICペレッ
ト9の各辺に沿って等間隔に並べられている。また、製
品群の展開をICペレット9の大きさを変えることによ
り実施している。
は従来のTAB用テープを用いた半導体装置の製造方法
の一例を説明する工程順に示した平面図及びそのA−
A′線断面図である。従来のTAB用テープは、まず、
図4(a),(b)に示すように、ポリイミド樹脂等の
絶縁フィルム1にパンチングによりILB用窓3及びア
ウタリードボンディング(以下、OLBと記す)用窓4
を打ち抜く。次に、図5(a),(b)に示すように、
金属材料5を貼り合わせた後、図6(a),(b)に示
すようにエッチング処理を施して配線パターン6を形成
する。この配線パターン6は、ILB用窓3上に形成さ
れた部分がインナリード7となり、OLB用窓4上に形
成された部分がアウタリード8となる。次に、図7
(a),(b)に示すように、ILB用窓3上にICペ
レット9を搭載し、ICペレット9に配置されているパ
ッドとインナリード7をILB用窓3によりILB接続
した後、図8(a),(b)に示すように、ICペレッ
ト9を封止樹脂10にて樹脂封止を施す。従来は、マス
タスライス方式の半導体集積回路のパッドはICペレッ
ト9の各辺に沿って等間隔に並べられている。また、製
品群の展開をICペレット9の大きさを変えることによ
り実施している。
【0005】この従来の半導体装置のTAB用テープを
用いれば高集積・多ピン・軽量・薄型化を容易に実現す
ることができるが、マスタスライス方式の半導体集積回
路などでは少量多品種化が進むにつれTAB用テープの
共用化及びインナリードの微細化による変形防止が課題
となっている。この共用化及びインナリードの微細化に
よる変形防止対策をリードフレームに適用した例とし
て、特開平2−94464号公報では、リードフレーム
のインナリードの下面にインナリードを固定する絶縁体
を設け、ICペレットを積載するための平板を絶縁体の
下面に固定し、ICペレットのサイズに応じて絶縁体の
中央箇所の打ち抜く大きさを変えることにより、平板の
ICペレット積載部の広さを変え対応している。
用いれば高集積・多ピン・軽量・薄型化を容易に実現す
ることができるが、マスタスライス方式の半導体集積回
路などでは少量多品種化が進むにつれTAB用テープの
共用化及びインナリードの微細化による変形防止が課題
となっている。この共用化及びインナリードの微細化に
よる変形防止対策をリードフレームに適用した例とし
て、特開平2−94464号公報では、リードフレーム
のインナリードの下面にインナリードを固定する絶縁体
を設け、ICペレットを積載するための平板を絶縁体の
下面に固定し、ICペレットのサイズに応じて絶縁体の
中央箇所の打ち抜く大きさを変えることにより、平板の
ICペレット積載部の広さを変え対応している。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】この従来のTAB用テ
ープでは、所望の機能が得られるようインナリードをI
Cペレットのパッドの位置に合わせて専用設計されてい
るために共用化が難かしいという問題点がある。また、
インナリードの微細化による変形防止が課題となってい
る。
ープでは、所望の機能が得られるようインナリードをI
Cペレットのパッドの位置に合わせて専用設計されてい
るために共用化が難かしいという問題点がある。また、
インナリードの微細化による変形防止が課題となってい
る。
【0007】本発明の目的は、異る機種のICペレット
の共用化が可能で、インナリードの変形を防止できる接
続信頼性の高い半導体装置が得られるTAB用テープ及
びこれを用いた半導体装置の製造方法を提供することに
ある。
の共用化が可能で、インナリードの変形を防止できる接
続信頼性の高い半導体装置が得られるTAB用テープ及
びこれを用いた半導体装置の製造方法を提供することに
ある。
【0008】
【課題を解決するための手段】第1の発明のTAB用テ
ープは、絶縁フィルムと、この絶縁フィルムにそれぞれ
形成されたスプロケットホールと、ILB用窓及びOL
B用窓と、前記絶縁フィルム上にそれぞれ配設されたイ
ンナリード、アウタリード及び試験用パッドを含む配線
パターンとを有するTAB用テープにおいて、前記IL
B用窓上に形成される前記インナリードの先端をTAB
パッケージを必要とする最小サイズのICペレットのパ
ッドの位置に合わせて配置されている。
ープは、絶縁フィルムと、この絶縁フィルムにそれぞれ
形成されたスプロケットホールと、ILB用窓及びOL
B用窓と、前記絶縁フィルム上にそれぞれ配設されたイ
ンナリード、アウタリード及び試験用パッドを含む配線
パターンとを有するTAB用テープにおいて、前記IL
B用窓上に形成される前記インナリードの先端をTAB
パッケージを必要とする最小サイズのICペレットのパ
ッドの位置に合わせて配置されている。
【0009】第1の発明の半導体装置の製造方法は、上
記第1の発明のTAB用テープを形成する工程と、IL
B用窓上に形成されたインナリードを搭載するICペレ
ットのパッドの位置に合わせて切断する工程と、前記I
LB用窓上に前記ICペレットを搭載する工程と、前記
ICペレッドのパッドと前記インナリードの先端を前記
ILB用窓によりILB接続する工程と、前記ICペレ
ットを封止樹脂にて樹脂封止する工程とを含む。
記第1の発明のTAB用テープを形成する工程と、IL
B用窓上に形成されたインナリードを搭載するICペレ
ットのパッドの位置に合わせて切断する工程と、前記I
LB用窓上に前記ICペレットを搭載する工程と、前記
ICペレッドのパッドと前記インナリードの先端を前記
ILB用窓によりILB接続する工程と、前記ICペレ
ットを封止樹脂にて樹脂封止する工程とを含む。
【0010】第2の発明のTAB用テープは、絶縁フィ
ルムと、この絶縁フィルムにそれぞれ形成されたスプロ
ケットホールと、ILB用窓及びOLB用窓と、前記絶
縁フィルム上にそれぞれ配設されたインナリード、アウ
タリード及び試験用パッドを含む配線パターンとを有す
るTAB用テープにおいて、前記ILB用窓上に形成さ
れる前記インナリード同志がTABパッケージを必要と
する最小サイズのICペレットのパッドが囲む領域内で
接続している。
ルムと、この絶縁フィルムにそれぞれ形成されたスプロ
ケットホールと、ILB用窓及びOLB用窓と、前記絶
縁フィルム上にそれぞれ配設されたインナリード、アウ
タリード及び試験用パッドを含む配線パターンとを有す
るTAB用テープにおいて、前記ILB用窓上に形成さ
れる前記インナリード同志がTABパッケージを必要と
する最小サイズのICペレットのパッドが囲む領域内で
接続している。
【0011】第2の発明の半導体装置の製造方法は、上
記第2の発明のTB用テープを形成する工程と、ILB
用窓上に形成されたインナリードを搭載するICペレッ
トのパッドの位置に合わせて切断する工程と、前記IL
B用窓上に前記ICペレットを搭載する工程と、前記I
Cペレッドのパッドと前記インナリードの先端を前記I
LB用窓によりILB接続する工程と、前記ICペレッ
トを封止樹脂にて樹脂封止する工程とを含む。
記第2の発明のTB用テープを形成する工程と、ILB
用窓上に形成されたインナリードを搭載するICペレッ
トのパッドの位置に合わせて切断する工程と、前記IL
B用窓上に前記ICペレットを搭載する工程と、前記I
Cペレッドのパッドと前記インナリードの先端を前記I
LB用窓によりILB接続する工程と、前記ICペレッ
トを封止樹脂にて樹脂封止する工程とを含む。
【0012】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。
て説明する。
【0013】図1(a),(b)及び図2(a),
(b)は本発明の第1の実施例を説明する平面図及びそ
のA−A′線断面図である。本実施例は、まず、図1
(a),(b)に示すように、ILB用窓3上に形成さ
れるインナリード7の先端をTABパッケージを必要と
する最小サイズのICペレット9のパッドの配置に合わ
せて設計し、絶縁フィルム1にスプロケットホール2,
ILB用窓3,OLB用窓4及びインナリード7,アウ
タリード8,試験用パッド11を含む配線パターン6に
よって構成されるTAB用テープを形成する。次に、I
LB用窓3上にICペレット9を搭載し、ICペレット
9に配置されているパッドとインナリードの先端をIL
B用窓3によりILB接続した後、封止樹脂にて樹脂封
止を施す。
(b)は本発明の第1の実施例を説明する平面図及びそ
のA−A′線断面図である。本実施例は、まず、図1
(a),(b)に示すように、ILB用窓3上に形成さ
れるインナリード7の先端をTABパッケージを必要と
する最小サイズのICペレット9のパッドの配置に合わ
せて設計し、絶縁フィルム1にスプロケットホール2,
ILB用窓3,OLB用窓4及びインナリード7,アウ
タリード8,試験用パッド11を含む配線パターン6に
よって構成されるTAB用テープを形成する。次に、I
LB用窓3上にICペレット9を搭載し、ICペレット
9に配置されているパッドとインナリードの先端をIL
B用窓3によりILB接続した後、封止樹脂にて樹脂封
止を施す。
【0014】このTAB用テープをサイズの異るICペ
レットに使用する場合には、まず、図2(a),(b)
に示すように、ILB用窓3上に形成されたインナリー
ド7を搭載するICペレット9のパッドの位置に合わせ
て切断する。次に、ILB用窓3上にICペレット9を
搭載し、ICペレット9に配置されているパッドとイン
ナリード7の先端をILB用窓3によりILB接続した
後、封止樹脂にて樹脂封止を施すことにより、異る機種
の共用化が可能となる。
レットに使用する場合には、まず、図2(a),(b)
に示すように、ILB用窓3上に形成されたインナリー
ド7を搭載するICペレット9のパッドの位置に合わせ
て切断する。次に、ILB用窓3上にICペレット9を
搭載し、ICペレット9に配置されているパッドとイン
ナリード7の先端をILB用窓3によりILB接続した
後、封止樹脂にて樹脂封止を施すことにより、異る機種
の共用化が可能となる。
【0015】図3(a),(b)は、本発明の第2の実
施例を説明する平面図及びそのA−A′線断面図であ
る。本実施例は、まず、図3(a),(b)に示すよう
に、ILB用窓3上に形成されるインナリード7同志が
TABパッケージを必要とする最小サイズのICペレッ
トのパッドが囲む領域内で接続するように設計し、絶縁
フィルム1にスプロケットホール2,ILB用窓3,O
LB用窓4及びインナリード7,アウタリード8,試験
用パッド11を含む配線パターン6によって構成される
TAB用テープを形成する。次に、ILB用窓3上に形
成されたインナリード7を搭載するICペレットのパッ
ドの配置に合わせて切断する。次に、ILB用窓3上I
Cペレットを搭載し、ICペレットに配置されているパ
ッドとインナリード7の先端をILB用窓3によりIL
B接続した後、封止樹脂にて樹脂封止を施す。第2の実
施例は、切断前のインナリード同志を接続しておくの
で、ILB接続前のインナリードの変形を防止し接続信
頼性を高める効果がある。
施例を説明する平面図及びそのA−A′線断面図であ
る。本実施例は、まず、図3(a),(b)に示すよう
に、ILB用窓3上に形成されるインナリード7同志が
TABパッケージを必要とする最小サイズのICペレッ
トのパッドが囲む領域内で接続するように設計し、絶縁
フィルム1にスプロケットホール2,ILB用窓3,O
LB用窓4及びインナリード7,アウタリード8,試験
用パッド11を含む配線パターン6によって構成される
TAB用テープを形成する。次に、ILB用窓3上に形
成されたインナリード7を搭載するICペレットのパッ
ドの配置に合わせて切断する。次に、ILB用窓3上I
Cペレットを搭載し、ICペレットに配置されているパ
ッドとインナリード7の先端をILB用窓3によりIL
B接続した後、封止樹脂にて樹脂封止を施す。第2の実
施例は、切断前のインナリード同志を接続しておくの
で、ILB接続前のインナリードの変形を防止し接続信
頼性を高める効果がある。
【0016】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、TABパ
ッケージを必要とするICペレットの最小サイズのパッ
ドの位置に合わせてインナリードを配置し、ILB接続
前にインナリードを使用するICペレットのパッドの位
置に合わせて切断し、長さを調整してILB接続するこ
とにより、異る機種のICペレットへの適用を可能に
し、汎用性を持たせることができるという効果がある。
また、インナリード同志を接続しておくことにより、イ
ンナリードの変形を防止し接続信頼性を高めることがで
きるという効果もある。
ッケージを必要とするICペレットの最小サイズのパッ
ドの位置に合わせてインナリードを配置し、ILB接続
前にインナリードを使用するICペレットのパッドの位
置に合わせて切断し、長さを調整してILB接続するこ
とにより、異る機種のICペレットへの適用を可能に
し、汎用性を持たせることができるという効果がある。
また、インナリード同志を接続しておくことにより、イ
ンナリードの変形を防止し接続信頼性を高めることがで
きるという効果もある。
【図1】(a),(b)は本発明の第1の実施例を説明
する平面図及びそのA−A′線断面図である。
する平面図及びそのA−A′線断面図である。
【図2】(a),(b)は本発明の第1の実施例を説明
する平面図及びそのA−A′線断面図である。
する平面図及びそのA−A′線断面図である。
【図3】(a),(b)は本発明の第2の実施例を説明
する平面図及びそのA−A′線断面図である。
する平面図及びそのA−A′線断面図である。
【図4】(a),(b)は従来のTAB用テープを用い
た半導体装置の製造方法の一例を説明する工程順に示し
た平面図及びそのA−A′線断面図である。
た半導体装置の製造方法の一例を説明する工程順に示し
た平面図及びそのA−A′線断面図である。
【図5】(a),(b)は従来のTAB用テープを用い
た半導体装置の製造方法の一例を説明する工程順に示し
た平面図及びそのA−A′線断面図である。
た半導体装置の製造方法の一例を説明する工程順に示し
た平面図及びそのA−A′線断面図である。
【図6】(a),(b)は従来のTAB用テープを用い
た半導体装置の製造方法の一例を説明する工程順に示し
た平面図及びそのA−A′線断面図である。
た半導体装置の製造方法の一例を説明する工程順に示し
た平面図及びそのA−A′線断面図である。
【図7】(a),(b)は従来のTAB用テープを用い
た半導体装置の製造方法の一例を説明する工程順に示し
た平面図及びそのA−A′線断面図である。
た半導体装置の製造方法の一例を説明する工程順に示し
た平面図及びそのA−A′線断面図である。
【図8】(a),(b)は従来のTAB用テープを用い
た半導体装置の製造方法の一例を説明する工程順に示し
た平面図及びそのA−A′線断面図である。
た半導体装置の製造方法の一例を説明する工程順に示し
た平面図及びそのA−A′線断面図である。
1 絶縁フィルム 2 スプロケットホール 3 ILB用窓 4 OLB用窓 5 金属材料 6 配線パターン 7 インナリード 8 アウタリード 9 ICペレット 10 封止樹脂 11 試験用パッド
Claims (4)
- 【請求項1】 絶縁フィルムと、この絶縁フィルムにそ
れぞれ形成されたスプロケットホール、インナリードボ
ンディング用窓及びアウタリードボンディング用窓と、
前記絶縁フィルム上にそれぞれ配設されたインナリー
ド、アウタリード及び試験用パッドを含む配線パターン
とを有するTAB用テープにおいて、前記インナリード
ボンディング用窓上に形成される前記インナリードの先
端をTABパッケージを必要とする最小サイズのICペ
レットのパッドの位置に合わせて配置したことを特徴と
するTAB用テープ。 - 【請求項2】 請求項1記載のTAB用テープを形成す
る工程と、インナリードボンディング用窓上に形成され
たインナリードを搭載するICペレットのパッドの位置
に合わせて切断する工程と、前記インナリードボンディ
ング用窓上に前記ICペレットを搭載する工程と、前記
ICペレッドのパッドと前記インナリードの先端を前記
インナリードボンディング用窓によりインナリードボン
ディング接続する工程と、前記ICペレットを封止樹脂
にて樹脂封止する工程とを含むことを特徴とする半導体
装置の製造方法。 - 【請求項3】 絶縁フィルムと、この絶縁フィルムにそ
れぞれ形成されたスプロケットホール、インナリードボ
ンディング用窓及びアウタリードボンディング用窓と、
前記絶縁フィルム上にそれぞれ配設されたインナリー
ド、アウタリード及び試験用パッドを含む配線パターン
とを有するTAB用テープにおいて、前記インナリード
ボンディング用窓上に形成される前記インナリード同志
がTABパッケージを必要とする最小サイズのICペレ
ットのパッドが囲む領域内で接続していることを特徴と
するTAB用テープ。 - 【請求項4】 請求項3記載のTAB用テープを形成す
る工程と、インナリードボンディング用窓上に形成され
たインナリードを搭載するICペレットのパッドの位置
に合わせて切断する工程と、前記インナリードボンディ
ング用窓上に前記ICペレットを搭載する工程と、前記
ICペレットのパッドと前記インナリードの先端を前記
インナリードボンディング用窓によりインナリードボン
ディング接続する工程と、前記ICペレットを封止樹脂
にて樹脂封止する工程とを含むことを特徴とする半導体
装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6192605A JPH0855879A (ja) | 1994-08-16 | 1994-08-16 | Tab用テープ及びこれを用いた半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6192605A JPH0855879A (ja) | 1994-08-16 | 1994-08-16 | Tab用テープ及びこれを用いた半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0855879A true JPH0855879A (ja) | 1996-02-27 |
Family
ID=16294048
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6192605A Pending JPH0855879A (ja) | 1994-08-16 | 1994-08-16 | Tab用テープ及びこれを用いた半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0855879A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100346467C (zh) * | 2005-07-19 | 2007-10-31 | 钰创科技股份有限公司 | 电路重布线方法及电路结构 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02237045A (ja) * | 1989-03-09 | 1990-09-19 | Fujitsu Ltd | テープキャリア |
| JPH0478150A (ja) * | 1990-07-20 | 1992-03-12 | Toshiba Corp | Tabテープ |
| JPH05144882A (ja) * | 1991-11-18 | 1993-06-11 | Hitachi Cable Ltd | 半導体装置用フイルムキヤリア |
-
1994
- 1994-08-16 JP JP6192605A patent/JPH0855879A/ja active Pending
Patent Citations (3)
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