JPH0855952A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
半導体装置およびその製造方法Info
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- JPH0855952A JPH0855952A JP6192607A JP19260794A JPH0855952A JP H0855952 A JPH0855952 A JP H0855952A JP 6192607 A JP6192607 A JP 6192607A JP 19260794 A JP19260794 A JP 19260794A JP H0855952 A JPH0855952 A JP H0855952A
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- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
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- Die Bonding (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】横方向にも縦方向にも小型化することが可能
で、かつ製造工程中に半導体ペレットと内部リードとの
相対的な上下移動を防止した半導体装置およびその製造
方法を提供する。 【構成】半導体ペレット１の側面１１を内部リード２１
の先端部２１Ａに絶縁性接着部材４で固着する。
で、かつ製造工程中に半導体ペレットと内部リードとの
相対的な上下移動を防止した半導体装置およびその製造
方法を提供する。 【構成】半導体ペレット１の側面１１を内部リード２１
の先端部２１Ａに絶縁性接着部材４で固着する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置およびその製
造方法に係わり、特にリードフレームを用いて製造され
る半導体装置およびその製造方法に関する。
造方法に係わり、特にリードフレームを用いて製造され
る半導体装置およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】リードフレームを用いてモールド樹脂で
封止する一般的な半導体装置を図４に示す。金属板から
形成されリードフレーム構成になっていた内部リード２
１、外部リード２２およびアイランド（タブ）２６を有
し、アイランド２６上に半導体ペレット１が固着搭載さ
れ、その電極１３と内部リード２１の上面とがボンディ
ングワイヤ３で接続され、モールド樹脂５により封止さ
れている。
封止する一般的な半導体装置を図４に示す。金属板から
形成されリードフレーム構成になっていた内部リード２
１、外部リード２２およびアイランド（タブ）２６を有
し、アイランド２６上に半導体ペレット１が固着搭載さ
れ、その電極１３と内部リード２１の上面とがボンディ
ングワイヤ３で接続され、モールド樹脂５により封止さ
れている。
【０００３】この種の半導体装置を小型化して実装密度
を向上させるために、また半導体ぺレット１が大型化し
ても半導体装置全体を大きくしないために、図５や図６
に示す改良構造が提案されている。
を向上させるために、また半導体ぺレット１が大型化し
ても半導体装置全体を大きくしないために、図５や図６
に示す改良構造が提案されている。
【０００４】図５は特開昭６１−２１８１３９号公報に
開示されている半導体装置であり、リードフレームのア
イランドを省略し、内部リード２１を半導体ペレット１
の周辺下まで延在させ、その上に絶縁シート７を接着
し、この絶縁シート７上に半導体ペレット１を固着して
いる。また図５の変形として内部リードを半導体ペレッ
トの上を延在させることもできる。
開示されている半導体装置であり、リードフレームのア
イランドを省略し、内部リード２１を半導体ペレット１
の周辺下まで延在させ、その上に絶縁シート７を接着
し、この絶縁シート７上に半導体ペレット１を固着して
いる。また図５の変形として内部リードを半導体ペレッ
トの上を延在させることもできる。
【０００５】図６は特開昭５８−１４３５４１号公報に
開示されている半導体装置であり、リードフレームのア
イランドを省略し、内部リード２１の下面に絶縁シート
８を接着し、この接着シート８の上面に半導体ペレット
１を固着している。
開示されている半導体装置であり、リードフレームのア
イランドを省略し、内部リード２１の下面に絶縁シート
８を接着し、この接着シート８の上面に半導体ペレット
１を固着している。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】図４に示す従来技術で
は、半導体ペレット１より大きな面積のアイランド２６
を有しているために内部リード２１を半導体ペレット１
により近づけることができないから、横方向（Ｘ方向）
の寸法をより縮小することに制限を生じる。また、内部
リード２１の先端は半導体ペレット固着後も樹脂モール
ド工程まで自由端となっているから変形する懸念があ
る。また、半導体ペレット１はアイランド２６の金属板
２６の上に搭載され、その上のモールド樹脂５は耐湿性
等を考慮した所定の厚さを必要とするから縦方向（Ｚ方
向）の寸法をより縮小することにも制限を生じる。
は、半導体ペレット１より大きな面積のアイランド２６
を有しているために内部リード２１を半導体ペレット１
により近づけることができないから、横方向（Ｘ方向）
の寸法をより縮小することに制限を生じる。また、内部
リード２１の先端は半導体ペレット固着後も樹脂モール
ド工程まで自由端となっているから変形する懸念があ
る。また、半導体ペレット１はアイランド２６の金属板
２６の上に搭載され、その上のモールド樹脂５は耐湿性
等を考慮した所定の厚さを必要とするから縦方向（Ｚ方
向）の寸法をより縮小することにも制限を生じる。
【０００７】図５に示す従来技術では、アイランドを省
略してあるから半導体ペレット１により近い内部リード
２１の表面箇所にボンディングワイヤ３を接続すること
ができ、したがって図４よりもＸ方向の寸法を縮小する
ことができる。また、内部リード２１の先端は絶縁シー
ト７に接着しているから変形することがない。しかしな
がら内部リードを構成する金属板の膜厚に樹脂シート７
の膜厚を加算しただけ半導体ペレット１が上方向に突出
し、その上部のモールド樹脂５は図４と同様の膜厚を必
要とするから、縦方向（Ｚ方向）における図５の外形寸
法は図４より大きな値になってしまう。
略してあるから半導体ペレット１により近い内部リード
２１の表面箇所にボンディングワイヤ３を接続すること
ができ、したがって図４よりもＸ方向の寸法を縮小する
ことができる。また、内部リード２１の先端は絶縁シー
ト７に接着しているから変形することがない。しかしな
がら内部リードを構成する金属板の膜厚に樹脂シート７
の膜厚を加算しただけ半導体ペレット１が上方向に突出
し、その上部のモールド樹脂５は図４と同様の膜厚を必
要とするから、縦方向（Ｚ方向）における図５の外形寸
法は図４より大きな値になってしまう。
【０００８】図６に示す従来技術では、大きな面積のア
イランドを省略してあるから半導体ペレット１により近
い内部リード２１の表面箇所にボンディングワイヤ３を
接続することができ、したがって図４よりもＸ方向の寸
法を縮小することができる。また、内部リード２１の先
端は絶縁シート８に接着しているから変形することがな
い。Ｚ方向に関しては、半導体ペレット１の下面と内部
リード２１の下面とが一致しているから上方向の寸法は
図４より縮小できるが、絶縁シート８の厚さだけ下方向
に突出しており、その下部のモールド樹脂５の膜厚は図
４のアイランド２６下のモールド樹脂の膜厚と同様の値
を必要とするから、絶縁シート８の厚さ分だけ図５の外
形寸法は図４より大きな値になってしまう。さらに絶縁
シート８の同一表面に間隔をあけて半導体ペレット１と
内部リード２１が接着しているから、この接着工程−ワ
イヤボンディング工程−モールド封止工程の間にねじれ
作用で両者間に上下移動を発生し、ボンディングワイヤ
の短絡等の不都合を発生する。一方この不都合を回避す
るために絶縁シート８の膜厚を大きくすると、上記した
下方向の突出がますます大きくなり、これによりモール
ド樹脂のＺ方向の外形寸法がますます大きくなる。
イランドを省略してあるから半導体ペレット１により近
い内部リード２１の表面箇所にボンディングワイヤ３を
接続することができ、したがって図４よりもＸ方向の寸
法を縮小することができる。また、内部リード２１の先
端は絶縁シート８に接着しているから変形することがな
い。Ｚ方向に関しては、半導体ペレット１の下面と内部
リード２１の下面とが一致しているから上方向の寸法は
図４より縮小できるが、絶縁シート８の厚さだけ下方向
に突出しており、その下部のモールド樹脂５の膜厚は図
４のアイランド２６下のモールド樹脂の膜厚と同様の値
を必要とするから、絶縁シート８の厚さ分だけ図５の外
形寸法は図４より大きな値になってしまう。さらに絶縁
シート８の同一表面に間隔をあけて半導体ペレット１と
内部リード２１が接着しているから、この接着工程−ワ
イヤボンディング工程−モールド封止工程の間にねじれ
作用で両者間に上下移動を発生し、ボンディングワイヤ
の短絡等の不都合を発生する。一方この不都合を回避す
るために絶縁シート８の膜厚を大きくすると、上記した
下方向の突出がますます大きくなり、これによりモール
ド樹脂のＺ方向の外形寸法がますます大きくなる。
【０００９】したがって本発明の目的は、横方向（Ｘ方
向）にも縦方向（Ｚ方向）にも小型化することが可能
で、かつ製造工程中に半導体ペレットと内部リードとの
相対的な上下移動を防止した半導体装置およびその製造
方法を提供することである。
向）にも縦方向（Ｚ方向）にも小型化することが可能
で、かつ製造工程中に半導体ペレットと内部リードとの
相対的な上下移動を防止した半導体装置およびその製造
方法を提供することである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明の特徴は、半導体
ペレットと、前記半導体ペレットを取り囲んで配置され
た複数の内部リードと、前記半導体ペレットと前記内部
リードとを含んで封止するモールド樹脂と、前記内部リ
ードと連続的に接続して前記モールド樹脂の外に導出さ
れた外部リードとを有する半導体装置において、前記半
導体ペレットの側面と前記内部リードの先端部とを絶縁
性接着部材で固着した半導体装置にある。ここで、前記
絶縁性接着部材はエポキシ系の熱硬化型の樹脂であるこ
とができる。あるいは、前記絶縁性接着部材は両面接着
型テープであり、一方の接着面が前記半導体ペレットの
側面に接着し、他方の接着面が前記内部リードの先端部
に接着されていることができる。この場合、前記両面接
着型テープは、テフロンもしくはポリイミド樹脂の薄膜
を基材としその両面に接着剤としてエポシキ系の樹脂を
コーテイングして構成されていることが好ましい。ま
た、前記半導体ペレットの表面に形成された電極と前記
内部リードの表面とがボンディングワイヤで接続されて
おり、前記半導体ペレットの裏面の実質的の全部分に前
記モ−ルド樹脂が被着していることが好ましい。
ペレットと、前記半導体ペレットを取り囲んで配置され
た複数の内部リードと、前記半導体ペレットと前記内部
リードとを含んで封止するモールド樹脂と、前記内部リ
ードと連続的に接続して前記モールド樹脂の外に導出さ
れた外部リードとを有する半導体装置において、前記半
導体ペレットの側面と前記内部リードの先端部とを絶縁
性接着部材で固着した半導体装置にある。ここで、前記
絶縁性接着部材はエポキシ系の熱硬化型の樹脂であるこ
とができる。あるいは、前記絶縁性接着部材は両面接着
型テープであり、一方の接着面が前記半導体ペレットの
側面に接着し、他方の接着面が前記内部リードの先端部
に接着されていることができる。この場合、前記両面接
着型テープは、テフロンもしくはポリイミド樹脂の薄膜
を基材としその両面に接着剤としてエポシキ系の樹脂を
コーテイングして構成されていることが好ましい。ま
た、前記半導体ペレットの表面に形成された電極と前記
内部リードの表面とがボンディングワイヤで接続されて
おり、前記半導体ペレットの裏面の実質的の全部分に前
記モ−ルド樹脂が被着していることが好ましい。
【００１１】本発明の他の特徴は、半導体ペレットの側
面と内部リードの先端部とを絶縁性接着部材で固着した
後、前記半導体ペレットの電極と前記内部リードの表面
をボンディングワイヤで接続し、しかる後、前記半導体
ペレット、前記内部リードおよび前記ボンディングワイ
ヤをモールド樹脂で封止する半導体装置の製造方法にあ
る。ここで上記絶縁性接着部材での固着は、内部リー
ド、外部リードおよび外枠を有するリードフレームなら
びに上面に電極を有する半導体ペレットを用意する工程
と、前記半導体ペレットの下面を真空吸着した状態で該
半導体ペレットを第１の治具の上面に固定し、前記内部
リードの先端部が前記半導体ペレットの側面と所定の間
隔を有して対面した状態で、前記リードフレームを前記
第１の治具の上面に固定する工程と、前記内部リードの
先端部と前記半導体ペレットの側面との間の前記間隔に
エポキシ系の熱硬化型の樹脂を流し込み、熱処理するこ
とにより該樹脂を硬化させる工程を有して行うことがで
きる。この場合、前記内部リードの全上面を含む前記リ
ードフレームの上面を第２の治具で押えることにより該
リードフレームを前記第１の治具上に固定し、前記第１
の治具の上面に凹部が形成され、該凹部に前記半導体ペ
レットが固定されかつ前記内部リードの先端部が該凹部
上に突出し、これにより前記樹脂は前記半導体ペレット
の側面ならびに前記内部リードの先端部の側面および下
面に固着することが好ましい。
面と内部リードの先端部とを絶縁性接着部材で固着した
後、前記半導体ペレットの電極と前記内部リードの表面
をボンディングワイヤで接続し、しかる後、前記半導体
ペレット、前記内部リードおよび前記ボンディングワイ
ヤをモールド樹脂で封止する半導体装置の製造方法にあ
る。ここで上記絶縁性接着部材での固着は、内部リー
ド、外部リードおよび外枠を有するリードフレームなら
びに上面に電極を有する半導体ペレットを用意する工程
と、前記半導体ペレットの下面を真空吸着した状態で該
半導体ペレットを第１の治具の上面に固定し、前記内部
リードの先端部が前記半導体ペレットの側面と所定の間
隔を有して対面した状態で、前記リードフレームを前記
第１の治具の上面に固定する工程と、前記内部リードの
先端部と前記半導体ペレットの側面との間の前記間隔に
エポキシ系の熱硬化型の樹脂を流し込み、熱処理するこ
とにより該樹脂を硬化させる工程を有して行うことがで
きる。この場合、前記内部リードの全上面を含む前記リ
ードフレームの上面を第２の治具で押えることにより該
リードフレームを前記第１の治具上に固定し、前記第１
の治具の上面に凹部が形成され、該凹部に前記半導体ペ
レットが固定されかつ前記内部リードの先端部が該凹部
上に突出し、これにより前記樹脂は前記半導体ペレット
の側面ならびに前記内部リードの先端部の側面および下
面に固着することが好ましい。
【００１２】
【作用】このように本発明は半導体ペレットの側面と内
部リードの先端部とを絶縁性接着部材で固着するもので
あるから、半導体ペレット搭載用のアイランド（タブ）
や樹脂シートが不要となる。また、半導体ペレットと内
部リードとは側面接着であり、絶縁シートの表面にそれ
ぞれの下面を接着するものではないから、半導体ペレッ
トと内部リードとの相対位置の変化がなくなる。
部リードの先端部とを絶縁性接着部材で固着するもので
あるから、半導体ペレット搭載用のアイランド（タブ）
や樹脂シートが不要となる。また、半導体ペレットと内
部リードとは側面接着であり、絶縁シートの表面にそれ
ぞれの下面を接着するものではないから、半導体ペレッ
トと内部リードとの相対位置の変化がなくなる。
【００１３】
【実施例】以下図面を参照して本発明を説明する。
【００１４】図１は本発明の一実施例の半導体装置を示
す断面図である。リードフレームの金属板から形成され
た内部リード２１と一体的に接続された外部リード２２
がモールド樹脂５から導出され、下方向に曲げられてい
る。この内部リード２１の先端部２１Ａと半導体ペレッ
ト１の側面１１とがエポキシ系の熱硬化型の樹脂４で固
着されている。この接着樹脂４は内部リード２１の先端
部２１Ａの側面だけでなくその下面にも回り込んで被着
されているから、薄い内部リードにも確実に接着され
る。このように半導体ペレット１は内部リード２１の先
端部２１Ａにより保持されているからアイランド（タ
ブ）も他の絶縁シートも不必要である。また、半導体ペ
レット１の固着後は内部リードの先端は自由端で無いか
らその後の製造工程中に変形することがない。
す断面図である。リードフレームの金属板から形成され
た内部リード２１と一体的に接続された外部リード２２
がモールド樹脂５から導出され、下方向に曲げられてい
る。この内部リード２１の先端部２１Ａと半導体ペレッ
ト１の側面１１とがエポキシ系の熱硬化型の樹脂４で固
着されている。この接着樹脂４は内部リード２１の先端
部２１Ａの側面だけでなくその下面にも回り込んで被着
されているから、薄い内部リードにも確実に接着され
る。このように半導体ペレット１は内部リード２１の先
端部２１Ａにより保持されているからアイランド（タ
ブ）も他の絶縁シートも不必要である。また、半導体ペ
レット１の固着後は内部リードの先端は自由端で無いか
らその後の製造工程中に変形することがない。
【００１５】半導体ペレット１の上面１２に形成されて
いる電極１３と内部リード２１の上面とをボンディング
ワイヤ３で接続し、モールド樹脂５で封止されている。
このモールド樹脂５は半導体ペレット１の下面１４の全
箇所に被着されている。
いる電極１３と内部リード２１の上面とをボンディング
ワイヤ３で接続し、モールド樹脂５で封止されている。
このモールド樹脂５は半導体ペレット１の下面１４の全
箇所に被着されている。
【００１６】したがって半導体装置の縦方向（Ｚ方向）
の外形寸法（モールド樹脂の縦方向の外形寸法であり外
部リードの下方向への突出箇所を除く）は、半導体ペレ
ット１の厚さ、すなわち上面１２と下面１４との間の寸
法に、上下それぞれの方向のモールド樹脂の膜厚寸法、
すなわち耐湿性を考慮したモールド樹脂の必要最小限の
膜厚寸法を加算した値にすることができ、リードフレー
ムの金属板の厚さや他の絶縁シートの厚さを考量するこ
とがないから、この実施例の半導体装置は７００μｍ程
度まで薄くすることができる。
の外形寸法（モールド樹脂の縦方向の外形寸法であり外
部リードの下方向への突出箇所を除く）は、半導体ペレ
ット１の厚さ、すなわち上面１２と下面１４との間の寸
法に、上下それぞれの方向のモールド樹脂の膜厚寸法、
すなわち耐湿性を考慮したモールド樹脂の必要最小限の
膜厚寸法を加算した値にすることができ、リードフレー
ムの金属板の厚さや他の絶縁シートの厚さを考量するこ
とがないから、この実施例の半導体装置は７００μｍ程
度まで薄くすることができる。
【００１７】図２は図１の半導体装置の製造方法を示す
図である。図２（Ａ）の平面図のＢーＢ部の断面が図２
（Ｂ）の断面図であるが、図２（Ａ）では図２（Ｂ）の
治具３１，３２の図示を省略してある。また、図２
（Ｃ）および図２（Ｄ）は図２（Ｂ）と同じ断面箇所に
おける図２（Ｂ）以降の工程を示す断面図である。
図である。図２（Ａ）の平面図のＢーＢ部の断面が図２
（Ｂ）の断面図であるが、図２（Ａ）では図２（Ｂ）の
治具３１，３２の図示を省略してある。また、図２
（Ｃ）および図２（Ｄ）は図２（Ｂ）と同じ断面箇所に
おける図２（Ｂ）以降の工程を示す断面図である。
【００１８】図２（Ａ）および（Ｂ）の工程において、
薄い金属板から形成されたリードフレーム２は、それぞ
れ先端部２１Ａを有して４辺の各辺に配列された多数の
内部リード２１、各内部リードに接続する外部リード２
２、内部リードと外部リードの接続箇所において隣りの
接続箇所と接続するタイバー（ダム）２３、デバイスホ
ール２４およびスプロケットホール２５を具備してい
る。
薄い金属板から形成されたリードフレーム２は、それぞ
れ先端部２１Ａを有して４辺の各辺に配列された多数の
内部リード２１、各内部リードに接続する外部リード２
２、内部リードと外部リードの接続箇所において隣りの
接続箇所と接続するタイバー（ダム）２３、デバイスホ
ール２４およびスプロケットホール２５を具備してい
る。
【００１９】第１の治具３１の上面に凹部３１Ａが形成
され、凹部３１Ａの中央に半導体チップ１の下面１４を
真空孔３３で真空引きして固定する。一方、各辺に配列
された内部リード２１の先端部２１Ａと半導体チップ１
の４方向の側面１１とが同じ所定の間隔となるようにリ
ードフレーム２を第１の治具３１に載置する。この場
合、第１の治具３１に位置出し孔（図示省略）を形成し
ておいてこれとリードフレーム２のスプロケットホール
２５とをノックピン（図示省略）で位置出しすることが
好ましい。また、第１の治具３１の凹部３１Ａは、その
上に内部リード２１の先端部２１Ａが突出するように形
成されている。そして先端部２１Ａを含めた内部リード
２１の全上面およびリードフレームの他の箇所の上面を
第２の治具３２で加圧することによりリードフレーム２
を第１の治具３１上に固定する。
され、凹部３１Ａの中央に半導体チップ１の下面１４を
真空孔３３で真空引きして固定する。一方、各辺に配列
された内部リード２１の先端部２１Ａと半導体チップ１
の４方向の側面１１とが同じ所定の間隔となるようにリ
ードフレーム２を第１の治具３１に載置する。この場
合、第１の治具３１に位置出し孔（図示省略）を形成し
ておいてこれとリードフレーム２のスプロケットホール
２５とをノックピン（図示省略）で位置出しすることが
好ましい。また、第１の治具３１の凹部３１Ａは、その
上に内部リード２１の先端部２１Ａが突出するように形
成されている。そして先端部２１Ａを含めた内部リード
２１の全上面およびリードフレームの他の箇所の上面を
第２の治具３２で加圧することによりリードフレーム２
を第１の治具３１上に固定する。
【００２０】次にエポキシ系の熱硬化型の樹脂４を半導
体ペレット１の側面１１と内部リード２１の先端部２１
Ａとの間に流し熱処理することにより接着樹脂４を硬化
させて半導体ペレット１が内部リード２１の先端部２１
Ａにより保持された状態にする。この際に第１の治具３
１の凹部３１Ａにより、接着樹脂４は先端部２１Ａの外
側面のみならずその下面および内側面にも回り込むか
ら、薄い金属板による先端部２１Ａと樹脂４との接続は
確実のものとなる。一方、先端部２１Ａを含めた内部リ
ード２１の全上面は第２の治具３２が当接しているか
ら、内部リード２１の上面には接着樹脂４が存在しな
い。したがって次のワイヤボンディングに支障を生じな
い。
体ペレット１の側面１１と内部リード２１の先端部２１
Ａとの間に流し熱処理することにより接着樹脂４を硬化
させて半導体ペレット１が内部リード２１の先端部２１
Ａにより保持された状態にする。この際に第１の治具３
１の凹部３１Ａにより、接着樹脂４は先端部２１Ａの外
側面のみならずその下面および内側面にも回り込むか
ら、薄い金属板による先端部２１Ａと樹脂４との接続は
確実のものとなる。一方、先端部２１Ａを含めた内部リ
ード２１の全上面は第２の治具３２が当接しているか
ら、内部リード２１の上面には接着樹脂４が存在しな
い。したがって次のワイヤボンディングに支障を生じな
い。
【００２１】次に図２（Ｃ）の工程において、半導体ペ
レット１とリードフレーム２との接続体を第１の治具３
１から取り出して、ボンディングステージの第３の治具
３４上に載置する。この第３の治具３４には、第１の治
具３１の凹部３１Ａより少し大きめの凹部３４Ａが形成
されており、そこに半導体ペレット１および硬化された
接着樹脂４が挿入載置される。そしてボンディングツー
ル（図示省略）により、半導体チップ１の上面１２に形
成された電極１３と内部リード２１の上面とをボンディ
ングワイヤ３で接続する。
レット１とリードフレーム２との接続体を第１の治具３
１から取り出して、ボンディングステージの第３の治具
３４上に載置する。この第３の治具３４には、第１の治
具３１の凹部３１Ａより少し大きめの凹部３４Ａが形成
されており、そこに半導体ペレット１および硬化された
接着樹脂４が挿入載置される。そしてボンディングツー
ル（図示省略）により、半導体チップ１の上面１２に形
成された電極１３と内部リード２１の上面とをボンディ
ングワイヤ３で接続する。
【００２２】次に図２（Ｄ）の工程において、ワイヤボ
ンディング接続された半導体ペレット１とリードフレー
ム２との接続体を第３の治具３４から取り出して、モー
ルドステージの第４の治具（下型）３５と第５の治具
（上型）３６との間に載置して、モールド樹脂５を充填
し硬化させる。
ンディング接続された半導体ペレット１とリードフレー
ム２との接続体を第３の治具３４から取り出して、モー
ルドステージの第４の治具（下型）３５と第５の治具
（上型）３６との間に載置して、モールド樹脂５を充填
し硬化させる。
【００２３】その後、モールド樹脂５により各半導体ペ
レット１が封止されたリードフレーム２を取り出して、
タイバー２３を切断するとともに外部リード２２を所定
の長さに切断してリードフレームから切り離し、モ−ル
ド樹脂５から導出している外部リード２２を下方向に曲
げて図１の半導体装置となる。
レット１が封止されたリードフレーム２を取り出して、
タイバー２３を切断するとともに外部リード２２を所定
の長さに切断してリードフレームから切り離し、モ−ル
ド樹脂５から導出している外部リード２２を下方向に曲
げて図１の半導体装置となる。
【００２４】図３は本発明の他の実施例を示す断面図で
ある。図３において図１と同一もしくは類似の箇所は同
じ符号で示してあるから重複する説明は省略する。
ある。図３において図１と同一もしくは類似の箇所は同
じ符号で示してあるから重複する説明は省略する。
【００２５】図３において、半導体ペレット１の側面１
１を内部リード２１の先端部２１Ａに固着する絶縁性接
着材として、テフロンもしくはポリイミド樹脂の膜６１
を基材としその両面に接着剤としてエポシキ系の樹脂６
２，６２をコーテイングした両面接着型テープ６を用
い、接着剤の樹脂６２，６２が半導体ペレット１の側面
１１および内部リード２１の先端部２１Ａの側面にそれ
ぞれ接着している。この両面接着型テープ６は半導体ペ
レット１の４辺の側面１１それぞれ分離して設けても、
半導体ペレット１の４辺の側面１１の全周にわたって一
体的に巻いて設けてもよい。
１を内部リード２１の先端部２１Ａに固着する絶縁性接
着材として、テフロンもしくはポリイミド樹脂の膜６１
を基材としその両面に接着剤としてエポシキ系の樹脂６
２，６２をコーテイングした両面接着型テープ６を用
い、接着剤の樹脂６２，６２が半導体ペレット１の側面
１１および内部リード２１の先端部２１Ａの側面にそれ
ぞれ接着している。この両面接着型テープ６は半導体ペ
レット１の４辺の側面１１それぞれ分離して設けても、
半導体ペレット１の４辺の側面１１の全周にわたって一
体的に巻いて設けてもよい。
【００２６】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、半
導体ペレットの側面と内部リードの先端部とを絶縁性接
着部材で固着するものであるから、半導体ペレット搭載
用のアイランドや樹脂シートが不要となる。したがって
半導体装置の外形を横方向（Ｘ方向）にも縦方向（Ｚ方
向）にも縮小することができる。また、半導体ペレット
固着後は内部リードの先端は自由端でないから、その後
の製造工程において、先端が自由端であることに起因す
る内部リードの変形は発生しない。さらに、半導体ペレ
ットと内部リードとは側面接着であり、絶縁シートの表
面にそれぞれの下面を接着するものではないから、製造
工程中の半導体ペレットと内部リードとの相対的な上下
移動を防止することができ、これによりボンディングワ
イヤの短絡等の不都合を回避することができる。
導体ペレットの側面と内部リードの先端部とを絶縁性接
着部材で固着するものであるから、半導体ペレット搭載
用のアイランドや樹脂シートが不要となる。したがって
半導体装置の外形を横方向（Ｘ方向）にも縦方向（Ｚ方
向）にも縮小することができる。また、半導体ペレット
固着後は内部リードの先端は自由端でないから、その後
の製造工程において、先端が自由端であることに起因す
る内部リードの変形は発生しない。さらに、半導体ペレ
ットと内部リードとは側面接着であり、絶縁シートの表
面にそれぞれの下面を接着するものではないから、製造
工程中の半導体ペレットと内部リードとの相対的な上下
移動を防止することができ、これによりボンディングワ
イヤの短絡等の不都合を回避することができる。
【図１】本発明の一実施例の半導体装置を示す断面図で
ある。
ある。
【図２】図１の半導体装置を製造する方法の実施例を示
す図であり、（Ａ）は平面図、（Ｂ）、（Ｃ）および
（Ｄ）は断面図である。
す図であり、（Ａ）は平面図、（Ｂ）、（Ｃ）および
（Ｄ）は断面図である。
【図３】本発明の他の実施例の半導体装置を示す断面図
である。
である。
【図４】従来技術の半導体装置を示す断面図である。
【図５】他の従来技術の半導体装置を示す断面図であ
る。
る。
【図６】別の従来技術の半導体装置を示す断面図であ
る。
る。
【符号の説明】 １ 半導体ペレット ２ リードフレーム ３ ボンディングワイヤ ４ 絶縁性接着部材としての樹脂 ５ モールド樹脂 ６ 絶縁性接着部材としての両面接着型テープ ７，８ 絶縁シート １１ 半導体ペレットの側面 １２ 半導体ペレットの上面 １３ 半導体ぺレットの電極 １４ 半導体ペレットの下面 ２１ 内部リード ２２ 外部リード ２３ タイバ− ２４ デバイスホール ２５ スプロケットホール ２６ アイランド ３１ 第１の治具 ３２ 第２の治具 ３３ 真空孔 ３４ 第３の治具 ３５ 第４の治具（上型） ３６ 第５の治具（下型） ６１ 両面接着型テープの基材となる膜 ６２ 両面接着型テープの接着剤となる樹脂
Claims (8)
- 【請求項１】 半導体ペレットと、前記半導体ペレット
を取り囲んで配置された複数の内部リードと、前記半導
体ペレットと前記内部リードとを含んで封止するモール
ド樹脂と、前記内部リードと連続的に接続して前記モー
ルド樹脂の外に導出された外部リードとを有する半導体
装置において、 前記半導体ペレットの側面と前記内部リードの先端部と
を絶縁性接着部材で固着したことを特徴とする半導体装
置。 - 【請求項２】 前記絶縁性接着部材はエポキシ系の熱硬
化型の樹脂であることを特徴とする請求項１記載の半導
体装置。 - 【請求項３】 前記絶縁性接着部材は両面接着型テープ
であり、一方の接着面が前記半導体ペレットの側面に接
着し、他方の接着面が前記内部リードの先端部に接着さ
れていることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。 - 【請求項４】 前記両面接着型テープは、テフロンもし
くはポリイミド樹脂の膜を基材としその両面に接着剤と
してエポシキ系の樹脂をコーテイングして構成されてい
ることを特徴とする請求項３記載の半導体装置。 - 【請求項５】 前記半導体ペレットの表面に形成された
電極と前記内部リードの表面とがボンディングワイヤで
接続されており、前記半導体ペレットの裏面の実質的の
全部分に前記モ−ルド樹脂が被着していることを特徴と
する請求項１記載の半導体装置。 - 【請求項６】 半導体ペレットの側面と内部リードの先
端部とを絶縁性接着部材で固着した後、前記半導体ペレ
ットの電極と前記内部リードの表面をボンディングワイ
ヤで接続し、しかる後、前記半導体ペレット、前記内部
リードおよび前記ボンディングワイヤをモールド樹脂で
封止することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項７】 内部リード、外部リードおよび外枠を有
するリードフレームならびに上面に電極を有する半導体
ペレットを用意する工程と、前記半導体ペレットの下面
を真空吸着した状態で該半導体ペレットを第１の治具の
上面に固定し、前記内部リードの先端部が前記半導体ペ
レットの側面と所定の間隔を有して対面した状態で、前
記リードフレームを前記第１の治具の上面に固定する工
程と、前記内部リードの先端部と前記半導体ペレットの
側面との間の前記間隔にエポキシ系の熱硬化型の樹脂を
流し込み、熱処理することにより該樹脂を硬化させる工
程とを有し、これにより前記硬化された樹脂を前記絶縁
性接着部材となし、前記半導体ペレットの側面と内部リ
ードの先端部とを固着することを特徴とする請求項６記
載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項８】 前記内部リードの全上面を含む前記リー
ドフレームの上面を第２の治具で押えることにより該リ
ードフレームを前記第１の治具上に固定し、前記第１の
治具の上面に凹部が形成され、該凹部に前記半導体ペレ
ットが固定されかつ前記内部リードの先端部が該凹部上
に突出し、これにより前記樹脂は前記半導体ペレットの
側面ならびに前記内部リードの先端部の側面および下面
に固着されることを特徴とする請求項７記載の半導体装
置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6192607A JP2582534B2 (ja) | 1994-08-16 | 1994-08-16 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6192607A JP2582534B2 (ja) | 1994-08-16 | 1994-08-16 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0855952A true JPH0855952A (ja) | 1996-02-27 |
| JP2582534B2 JP2582534B2 (ja) | 1997-02-19 |
Family
ID=16294080
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6192607A Expired - Fee Related JP2582534B2 (ja) | 1994-08-16 | 1994-08-16 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2582534B2 (ja) |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59181025A (ja) * | 1983-03-31 | 1984-10-15 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
| JPH01220464A (ja) * | 1988-02-29 | 1989-09-04 | Hitachi Ltd | 樹脂封止型半導体装置 |
| JPH02111059A (ja) * | 1988-10-20 | 1990-04-24 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
| JPH02197151A (ja) * | 1989-01-26 | 1990-08-03 | Oki Electric Ind Co Ltd | 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 |
| JPH03129871A (ja) * | 1989-10-16 | 1991-06-03 | Oki Electric Ind Co Ltd | 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 |
| JPH05235249A (ja) * | 1992-02-25 | 1993-09-10 | Hitachi Cable Ltd | 半導体装置 |
-
1994
- 1994-08-16 JP JP6192607A patent/JP2582534B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59181025A (ja) * | 1983-03-31 | 1984-10-15 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
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| JPH02111059A (ja) * | 1988-10-20 | 1990-04-24 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
| JPH02197151A (ja) * | 1989-01-26 | 1990-08-03 | Oki Electric Ind Co Ltd | 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 |
| JPH03129871A (ja) * | 1989-10-16 | 1991-06-03 | Oki Electric Ind Co Ltd | 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 |
| JPH05235249A (ja) * | 1992-02-25 | 1993-09-10 | Hitachi Cable Ltd | 半導体装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2582534B2 (ja) | 1997-02-19 |
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