JPH085678B2 - 希土類ドープガラスの製法 - Google Patents
希土類ドープガラスの製法Info
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- JPH085678B2 JPH085678B2 JP2146792A JP14679290A JPH085678B2 JP H085678 B2 JPH085678 B2 JP H085678B2 JP 2146792 A JP2146792 A JP 2146792A JP 14679290 A JP14679290 A JP 14679290A JP H085678 B2 JPH085678 B2 JP H085678B2
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B37/00—Manufacture or treatment of flakes, fibres, or filaments from softened glass, minerals, or slags
- C03B37/01—Manufacture of glass fibres or filaments
- C03B37/012—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments
- C03B37/014—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD]
- C03B37/01413—Reactant delivery systems
- C03B37/01433—Reactant delivery systems for delivering and depositing additional reactants as liquids or solutions, e.g. for solution doping of the porous glass preform
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B2201/00—Type of glass produced
- C03B2201/06—Doped silica-based glasses
- C03B2201/30—Doped silica-based glasses doped with metals, e.g. Ga, Sn, Sb, Pb or Bi
- C03B2201/34—Doped silica-based glasses doped with metals, e.g. Ga, Sn, Sb, Pb or Bi doped with rare earth metals, i.e. with Sc, Y or lanthanides, e.g. for laser-amplifiers
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- Glass Melting And Manufacturing (AREA)
- Manufacture, Treatment Of Glass Fibers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、光増幅などに用いられる希土類元素ドー
プガラスを製造する方法に関する。
プガラスを製造する方法に関する。
エルビウムなどの希土類元素をドープした石英ガラス
などを製造する方法の１つに、VAD法、MCVD法、OVD法な
どで得られたガラス微粒子集合体（以下、スートと略称
する。）を塩化エルビウムなどの希土類元素化合物のガ
ス雰囲気中で加熱、焼結し、ガラス中にエルビウムイオ
ンをドープする方法がある。
などを製造する方法の１つに、VAD法、MCVD法、OVD法な
どで得られたガラス微粒子集合体（以下、スートと略称
する。）を塩化エルビウムなどの希土類元素化合物のガ
ス雰囲気中で加熱、焼結し、ガラス中にエルビウムイオ
ンをドープする方法がある。
この方法において、希土類元素化合物ガス雰囲気を形
成する手段としては、第５図に示すようにロッド状スー
ト１の焼結炉２の底部３に原料容器４を設け、この原料
容器４内の塩化エルビウムなどの希土類元素化合物Ａを
ヒータ５で加熱して昇華せしめ、これによって炉２内を
希土類元素化合物ガス雰囲気とする方法が採られてい
る。
成する手段としては、第５図に示すようにロッド状スー
ト１の焼結炉２の底部３に原料容器４を設け、この原料
容器４内の塩化エルビウムなどの希土類元素化合物Ａを
ヒータ５で加熱して昇華せしめ、これによって炉２内を
希土類元素化合物ガス雰囲気とする方法が採られてい
る。
しかしながら、この方法では、次のような問題があっ
た。
た。
すなわち、雰囲気中の希土類元素化合物のガス濃度を
一定に保持する必要があるが、これには、希土類元素化
合物の昇華量を一定とする必要がある。昇華量を一定に
保つには、希土類元素化合物Ａへのヒータ５からの単位
時間当たりの熱量を希土類元素化合物Ａの残存量に応じ
て精密に制御する必要があるが、この制御は極めて困難
である。また、希土類元素化合物Ａの量が減少してゆく
ので、加熱効率も低下してゆく。これらの要因のため、
昇華の開始時と終了時とでは昇華量に差が生じてしま
い、第６図に示すように得られるロッド状のガラスの長
手方向にドープ量が変化する不都合が生じる。
一定に保持する必要があるが、これには、希土類元素化
合物の昇華量を一定とする必要がある。昇華量を一定に
保つには、希土類元素化合物Ａへのヒータ５からの単位
時間当たりの熱量を希土類元素化合物Ａの残存量に応じ
て精密に制御する必要があるが、この制御は極めて困難
である。また、希土類元素化合物Ａの量が減少してゆく
ので、加熱効率も低下してゆく。これらの要因のため、
昇華の開始時と終了時とでは昇華量に差が生じてしま
い、第６図に示すように得られるロッド状のガラスの長
手方向にドープ量が変化する不都合が生じる。
さらに、塩化エルビウムなどの希土類元素化合物は、
一般に結晶水を有するため、前記原料容器４に置く希土
類元素化合物Ａは、予めこの結晶水を取り除いたものを
用いる必要がある。このため、スート自体の脱水とは別
に脱水工程を設けねばならない欠点もある。
一般に結晶水を有するため、前記原料容器４に置く希土
類元素化合物Ａは、予めこの結晶水を取り除いたものを
用いる必要がある。このため、スート自体の脱水とは別
に脱水工程を設けねばならない欠点もある。
よって、この発明における課題は、スートを希土類元
素化合物ガスの雰囲気中で焼結する際、希土類元素化合
物ガスの供給量を一定とすることができ、希土類元素の
均一なドープが可能であり、かつ製造工程の簡略化も可
能な方法を提供することにある。
素化合物ガスの雰囲気中で焼結する際、希土類元素化合
物ガスの供給量を一定とすることができ、希土類元素の
均一なドープが可能であり、かつ製造工程の簡略化も可
能な方法を提供することにある。
かかる課題は、希土類元素化合物ガス雰囲気の形成を
焼結されるスートの表面に均一に付着せしめられた希土
類元素化合物のスートの軸方向に沿う徐々の昇華によっ
て行うことで解決される。
焼結されるスートの表面に均一に付着せしめられた希土
類元素化合物のスートの軸方向に沿う徐々の昇華によっ
て行うことで解決される。
以下、この発明を詳しく説明する。
この発明の製法では、まずスートに希土類元素化合物
を付着させる。第１図は、このために用いられる装置の
一例を示すもので図中符号11は、スートである。このス
ート11は、棒状基材12の一端に、周知のVAD法によって
形成された棒状のものである。このスート11の嵩密度
は、0.2〜0.7g/cm3の範囲であればよく、若干低目の嵩
密度のものが、後述する基土類元素化合物のガスの浸透
が良くなって好ましい。このスート11の棒状基材12の他
端は、図示しないトラバーサ装置に装着され、スート11
が回転させられるとともに上下方向に往復移動されるよ
うになっている。一方、図中符号13はネブライザ（噴霧
器）である。このネブライザ13は、希土類元素化合物溶
液を霧化して霧状物とし、この霧状物をスート11表面に
吹き付けるためのものであって、アルゴン、窒素、ヘリ
ウムなどのキャリヤガスを導入するキャリヤガス導入パ
イプ13aと、希土類元素化合物溶液Ｓを貯留する本体13b
と、キャリヤガスに同伴されて霧状物が噴出される噴出
パイプ13cとからなるものである。前記希土類元素化合
物溶液Ｓをなす希土類元素化合物としては、エルビウ
ム、ネオジム、ユーロピウムなどの塩化物や硝酸塩など
の塩が用いられ、これら塩類を水や塩酸、硝酸など酸水
溶液、アルコールなどに溶解して溶液とする。
を付着させる。第１図は、このために用いられる装置の
一例を示すもので図中符号11は、スートである。このス
ート11は、棒状基材12の一端に、周知のVAD法によって
形成された棒状のものである。このスート11の嵩密度
は、0.2〜0.7g/cm3の範囲であればよく、若干低目の嵩
密度のものが、後述する基土類元素化合物のガスの浸透
が良くなって好ましい。このスート11の棒状基材12の他
端は、図示しないトラバーサ装置に装着され、スート11
が回転させられるとともに上下方向に往復移動されるよ
うになっている。一方、図中符号13はネブライザ（噴霧
器）である。このネブライザ13は、希土類元素化合物溶
液を霧化して霧状物とし、この霧状物をスート11表面に
吹き付けるためのものであって、アルゴン、窒素、ヘリ
ウムなどのキャリヤガスを導入するキャリヤガス導入パ
イプ13aと、希土類元素化合物溶液Ｓを貯留する本体13b
と、キャリヤガスに同伴されて霧状物が噴出される噴出
パイプ13cとからなるものである。前記希土類元素化合
物溶液Ｓをなす希土類元素化合物としては、エルビウ
ム、ネオジム、ユーロピウムなどの塩化物や硝酸塩など
の塩が用いられ、これら塩類を水や塩酸、硝酸など酸水
溶液、アルコールなどに溶解して溶液とする。
ついで、この希土類元素化合物溶液Ｓの霧状物を図示
するようにネブライザ13から噴出させ、回転するととも
に上下方向に往復移動するスート11の表面に吹き付け
る。そして、スート11の数回の往復移動によって、スー
ト11表面に均一に希土類元素化合物の霧状物が付着す
る。こののち、このスートを乾燥窒素気流中などで乾燥
して、水分を除去する。
するようにネブライザ13から噴出させ、回転するととも
に上下方向に往復移動するスート11の表面に吹き付け
る。そして、スート11の数回の往復移動によって、スー
ト11表面に均一に希土類元素化合物の霧状物が付着す
る。こののち、このスートを乾燥窒素気流中などで乾燥
して、水分を除去する。
この発明でのスートへの希土類元素化合物の付着は、
上述のネブライザ13を用いて霧状物を吹き付ける方法に
限られず、例えば、スート11を回転させつつ、左右方向
に往復移動させ、このスート11上に希土類元素化合物溶
液の微小液滴を定量的に滴下する方法やスート11の嵩密
度が0.4g/cm3以上であれば、スート11全体を希土類元素
化合物溶液中に短時間浸漬する方法などが採用できる。
また、スート11としては、VAD法によって得られたもの
に限られず、OVD法（外付け法）で得られたものやMCVD
法で得られたスートであってもよい。
上述のネブライザ13を用いて霧状物を吹き付ける方法に
限られず、例えば、スート11を回転させつつ、左右方向
に往復移動させ、このスート11上に希土類元素化合物溶
液の微小液滴を定量的に滴下する方法やスート11の嵩密
度が0.4g/cm3以上であれば、スート11全体を希土類元素
化合物溶液中に短時間浸漬する方法などが採用できる。
また、スート11としては、VAD法によって得られたもの
に限られず、OVD法（外付け法）で得られたものやMCVD
法で得られたスートであってもよい。
次に、希土類元素化合物が付着したスート11を第２図
に示すように密封状態の温度勾配分布が形成された加熱
炉14内に収容して加熱し、希土類元素化合物を昇華させ
て加熱炉14内を希土類元素化合物のガスの雰囲気とする
とともにスート11を焼結する。
に示すように密封状態の温度勾配分布が形成された加熱
炉14内に収容して加熱し、希土類元素化合物を昇華させ
て加熱炉14内を希土類元素化合物のガスの雰囲気とする
とともにスート11を焼結する。
上記加熱炉14は、ヒータ14aによって第２図に示すよ
うに、その下端側が低温に、上端側が高温となるように
連続的に変化する温度分布が形成されており、例えば、
希土類元素化合物として塩化エルビウムを用いた場合で
は下端側の温度が塩化エルビウムの昇華温度の850℃程
度とされ、上端側の温度がスート11をなす石英ガラス微
粒子の溶融温度以上の1500℃程度とされる。また、スー
ト11は、その棒状基材12が存在する一端部が加熱炉14の
低温側に位置するように初期位置として図示しないトラ
バーサ装置に取り付けられ、回転しながら徐々に上方に
一定速度で移動するようになっている。また、加熱炉14
内には、アルゴン、ヘリウムなどの不活性ガスが導入さ
れ、炉内圧力が大気圧より微かに高くなるようになって
おり、実質的に密閉状態となっている。
うに、その下端側が低温に、上端側が高温となるように
連続的に変化する温度分布が形成されており、例えば、
希土類元素化合物として塩化エルビウムを用いた場合で
は下端側の温度が塩化エルビウムの昇華温度の850℃程
度とされ、上端側の温度がスート11をなす石英ガラス微
粒子の溶融温度以上の1500℃程度とされる。また、スー
ト11は、その棒状基材12が存在する一端部が加熱炉14の
低温側に位置するように初期位置として図示しないトラ
バーサ装置に取り付けられ、回転しながら徐々に上方に
一定速度で移動するようになっている。また、加熱炉14
内には、アルゴン、ヘリウムなどの不活性ガスが導入さ
れ、炉内圧力が大気圧より微かに高くなるようになって
おり、実質的に密閉状態となっている。
この状態において、スート11を前記初期位置から回転
させつつ加熱炉14の上方に徐々に移動させると、スート
11の上端部が加熱炉14の低温の希土類元素化合物が昇華
する昇華温度域に入り、ここでスート11の表面に付着し
ている希土類元素化合物が昇華し、この昇華ガスが加熱
炉14内に充填して、スート11が希土類元素化合物のガス
雰囲気内におかれることになる。そして、この昇華ガス
はスート11の空隙に浸透し、ガラス微粒子内部に浸透し
てゆく。
させつつ加熱炉14の上方に徐々に移動させると、スート
11の上端部が加熱炉14の低温の希土類元素化合物が昇華
する昇華温度域に入り、ここでスート11の表面に付着し
ている希土類元素化合物が昇華し、この昇華ガスが加熱
炉14内に充填して、スート11が希土類元素化合物のガス
雰囲気内におかれることになる。そして、この昇華ガス
はスート11の空隙に浸透し、ガラス微粒子内部に浸透し
てゆく。
スート11が徐々に上方に移動するにつれて、スート11
の残りの部分が順次昇華温度域に入り、付着している希
土類元素化合物が順次昇華してゆき、加熱炉14内は希土
類元素化合物のガス雰囲気に保たれることになる。
の残りの部分が順次昇華温度域に入り、付着している希
土類元素化合物が順次昇華してゆき、加熱炉14内は希土
類元素化合物のガス雰囲気に保たれることになる。
スート11の上端部が加熱炉14の上部の高温の焼結温度
域に入ると、希土類元素化合物のガス雰囲気内でのスー
ト11の焼結が始まり、スート11の上端部から順次希土類
元素化合物がドープされた状態で透明ガラス化されてゆ
く。かくして、スート11の下端部までが焼結温度域に入
れば、スート11全体が希土類元素がドープされた状態で
透明ガラス化され、希土類元素ドープガラスロッドが得
られる。
域に入ると、希土類元素化合物のガス雰囲気内でのスー
ト11の焼結が始まり、スート11の上端部から順次希土類
元素化合物がドープされた状態で透明ガラス化されてゆ
く。かくして、スート11の下端部までが焼結温度域に入
れば、スート11全体が希土類元素がドープされた状態で
透明ガラス化され、希土類元素ドープガラスロッドが得
られる。
スートがOVD法によって得られたものの場合は、上述
とまったく同様に操作することができ、MCVD法による内
付け法で得られたものでも、ほぼ同様の操作でよく、ス
ートを透明ガラス化したのち、強熱してコプラス化すれ
ばよい。
とまったく同様に操作することができ、MCVD法による内
付け法で得られたものでも、ほぼ同様の操作でよく、ス
ートを透明ガラス化したのち、強熱してコプラス化すれ
ばよい。
このような製法にあっては、スート11表面に付着する
希土類元素化合物の単位面積当たりの量がスート11全体
で均一であれば、スート11の上方への移動速度を一定と
した場合、単位時間当たりの希土類元素化合物の昇華温
度域への供給量は一定となり、昇華温度域の温度を一定
とし、加熱熱量を充分与えれば、希土類元素化合物の昇
華量は一定となり、加熱炉14内の雰囲気の昇華ガス濃度
は容易に一定となる。したがって、スート11全体の希土
類元素のドープ量を極めて簡単に均一とすることができ
る。
希土類元素化合物の単位面積当たりの量がスート11全体
で均一であれば、スート11の上方への移動速度を一定と
した場合、単位時間当たりの希土類元素化合物の昇華温
度域への供給量は一定となり、昇華温度域の温度を一定
とし、加熱熱量を充分与えれば、希土類元素化合物の昇
華量は一定となり、加熱炉14内の雰囲気の昇華ガス濃度
は容易に一定となる。したがって、スート11全体の希土
類元素のドープ量を極めて簡単に均一とすることができ
る。
また、希土類元素化合物を予め脱水する必要がなく、
希土類元素化合物溶液のスートへの付着後の乾燥工程で
大部分が除去され、また昇華時にも除去される。
希土類元素化合物溶液のスートへの付着後の乾燥工程で
大部分が除去され、また昇華時にも除去される。
また、希土類元素化合物の昇華に先立って、スート11
を700〜800℃に加熱しつつ、塩素ガスなどのハロゲンガ
スを加熱炉14内に供給し、スート11の脱水を行うことも
でき、この脱水時に、希土類元素化合物の付着に起因す
る水分をも同時に除去することができる。
を700〜800℃に加熱しつつ、塩素ガスなどのハロゲンガ
スを加熱炉14内に供給し、スート11の脱水を行うことも
でき、この脱水時に、希土類元素化合物の付着に起因す
る水分をも同時に除去することができる。
以下、具体例を示して、作用効果を明確にする。
（実施例１） VAD法によって、外径52mm、長さ200mm、嵩密度0.22g/
cm3のSiO2からなるスートを作成した。このスートを第
１図に示すようにトラバーサ装置に取りつけ、その表面
にネブライザによってErCl3水溶液を噴霧した。ネブラ
イザには、ErCl3・0.5H2O 24.75g、35wt％塩酸5cc、水1
50ccからなるErCl3水溶液を満たし、キャリヤガスとし
てArを５／分の流量で供給し、霧状とした。スートの
回転数を60rpmとし、往復移動速度を20mm/分として、ス
ート全体に噴霧した。
cm3のSiO2からなるスートを作成した。このスートを第
１図に示すようにトラバーサ装置に取りつけ、その表面
にネブライザによってErCl3水溶液を噴霧した。ネブラ
イザには、ErCl3・0.5H2O 24.75g、35wt％塩酸5cc、水1
50ccからなるErCl3水溶液を満たし、キャリヤガスとし
てArを５／分の流量で供給し、霧状とした。スートの
回転数を60rpmとし、往復移動速度を20mm/分として、ス
ート全体に噴霧した。
スート全体にわたる噴霧が完了したのち、スートを10
0℃の窒素気流中で４時間乾燥した。
0℃の窒素気流中で４時間乾燥した。
このスートを第２図に示すような加熱炉に収め、全体
を800℃として塩素ガスを流して脱水処理を行ったの
ち、引きつづいて加熱炉に温度分布を形成し、炉内下部
をErCl3の昇華温度の900℃に保ち、炉内上部をスートの
焼結温度1500℃に保ち、スートを20rpmで回転させつ
つ、移動速度10mm/分で上方に移動させた。これによ
り、外径17mm、長さ96mmの丸棒状のErドープ石英ガラス
ロッドが得られた。
を800℃として塩素ガスを流して脱水処理を行ったの
ち、引きつづいて加熱炉に温度分布を形成し、炉内下部
をErCl3の昇華温度の900℃に保ち、炉内上部をスートの
焼結温度1500℃に保ち、スートを20rpmで回転させつ
つ、移動速度10mm/分で上方に移動させた。これによ
り、外径17mm、長さ96mmの丸棒状のErドープ石英ガラス
ロッドが得られた。
この石英ガラスロッド中のErドープ量を径方向および
軸方向について測定したところ、第３図および第４図に
示すように、径方向および軸方向に均一に500ppmのErが
ドープされていることがわかった。
軸方向について測定したところ、第３図および第４図に
示すように、径方向および軸方向に均一に500ppmのErが
ドープされていることがわかった。
以上説明したように、この発明の希土類ドープガラス
の製法は、ガラス微粒子集合体を希土類元素化合物ガス
の雰囲気中で加熱して、希土類元素がドープされたガラ
スを得るに際して、前記希土類元素化合物ガス雰囲気の
形成を、前記焼結されるガラス微粒子集合体の表面に均
一に付着せしめられた希土類元素化合物のガラス微粒子
集合体の軸方向に沿う徐々の昇華によって行うものであ
るので、簡単な操作によって、希土類元素のドープ量が
均一なガラスを得ることができる。
の製法は、ガラス微粒子集合体を希土類元素化合物ガス
の雰囲気中で加熱して、希土類元素がドープされたガラ
スを得るに際して、前記希土類元素化合物ガス雰囲気の
形成を、前記焼結されるガラス微粒子集合体の表面に均
一に付着せしめられた希土類元素化合物のガラス微粒子
集合体の軸方向に沿う徐々の昇華によって行うものであ
るので、簡単な操作によって、希土類元素のドープ量が
均一なガラスを得ることができる。
第１図および第２図は、いずれもこの発明の製法に用い
られる装置の概略構成図であり、第１図はスートに希土
類元素化合物溶液の噴霧を行うための、第２図は希土類
元素化合物の昇華とスートの焼結を行うための装置を示
し、 第３図はおよび第４図は、いずれもこの発明の実施例で
得られたErドープガラスロッドにおけるErの分布状態を
示すグラフ、 第５図は従来の希土類ドープガラスの製造に用いられる
装置を示す概略構成図、第６図は従来の製法で得られた
希土類ドープガラス中の希土類元素の分布状態を示すグ
ラフである。 11……スート、 13……ネブライザ（噴霧器）、 Ｓ……希土類元素化合物溶液、 14……加熱炉。
られる装置の概略構成図であり、第１図はスートに希土
類元素化合物溶液の噴霧を行うための、第２図は希土類
元素化合物の昇華とスートの焼結を行うための装置を示
し、 第３図はおよび第４図は、いずれもこの発明の実施例で
得られたErドープガラスロッドにおけるErの分布状態を
示すグラフ、 第５図は従来の希土類ドープガラスの製造に用いられる
装置を示す概略構成図、第６図は従来の製法で得られた
希土類ドープガラス中の希土類元素の分布状態を示すグ
ラフである。 11……スート、 13……ネブライザ（噴霧器）、 Ｓ……希土類元素化合物溶液、 14……加熱炉。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 酒井 哲弥 千葉県佐倉市六崎1440番地 藤倉電線株式 会社佐倉工場内 (72)発明者 山田 成俊 千葉県佐倉市六崎1440番地 藤倉電線株式 会社佐倉工場内 (72)発明者 山内 良三 千葉県佐倉市六崎1440番地 藤倉電線株式 会社佐倉工場内 (56)参考文献 特開 昭63−195130（ＪＰ，Ａ) 実開 昭63−56228（ＪＰ，Ｕ)
Claims (2)
- 【請求項１】ガラス微粒子集合体を希土類元素化合物ガ
スの雰囲気中で加熱して、希土類元素がドープされたガ
ラスを得るに際して、 前記希土類元素化合物ガス雰囲気の形成が、前記焼結さ
れるガラス微粒子集合体の表面に均一に付着せしめられ
た希土類元素化合物のガラス微粒子集合体の軸方向に沿
う徐々の昇華によってなされることを特徴とする希土類
ドープガラスの製法。 - 【請求項２】ガラス微粒子集合体に希土類元素化合物溶
液の霧状物を吹きつけ、 ついで、このガラス微粒子集合体を、温度勾配分布が形
成された密閉加熱雰囲気中で、低温側から高温側に徐々
に移動させつつ加熱し、ガラス微粒子集合体に付着した
希土類元素化合物を徐々に昇華させて、前記密閉加熱雰
囲気を希土類元素化合物ガス雰囲気とするとともに、 この雰囲気内でガラス微粒子集合体をその一端から順次
焼結することを特徴とする希土類ドープガラスの製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2146792A JPH085678B2 (ja) | 1990-06-05 | 1990-06-05 | 希土類ドープガラスの製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2146792A JPH085678B2 (ja) | 1990-06-05 | 1990-06-05 | 希土類ドープガラスの製法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0442819A JPH0442819A (ja) | 1992-02-13 |
| JPH085678B2 true JPH085678B2 (ja) | 1996-01-24 |
Family
ID=15415645
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2146792A Expired - Fee Related JPH085678B2 (ja) | 1990-06-05 | 1990-06-05 | 希土類ドープガラスの製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH085678B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7502539B2 (en) * | 2006-09-29 | 2009-03-10 | Corning Incorporated | Rare earth doped optical fiber |
| JP4951587B2 (ja) * | 2008-06-16 | 2012-06-13 | 株式会社フジクラ | 希土類添加光ファイバの製造方法 |
| CN112299703B (zh) * | 2020-11-13 | 2024-03-12 | 中国电子科技集团公司第四十六研究所 | 一种掺杂溶液喷洒装置及喷洒方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63195130A (ja) * | 1987-02-04 | 1988-08-12 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | レ−ザ−用ガラス体の製造方法 |
-
1990
- 1990-06-05 JP JP2146792A patent/JPH085678B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0442819A (ja) | 1992-02-13 |
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