JPH0442819A - 希土類ドープガラスの製法 - Google Patents
希土類ドープガラスの製法Info
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- JPH0442819A JPH0442819A JP14679290A JP14679290A JPH0442819A JP H0442819 A JPH0442819 A JP H0442819A JP 14679290 A JP14679290 A JP 14679290A JP 14679290 A JP14679290 A JP 14679290A JP H0442819 A JPH0442819 A JP H0442819A
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B37/00—Manufacture or treatment of flakes, fibres, or filaments from softened glass, minerals, or slags
- C03B37/01—Manufacture of glass fibres or filaments
- C03B37/012—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments
- C03B37/014—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD]
- C03B37/01413—Reactant delivery systems
- C03B37/01433—Reactant delivery systems for delivering and depositing additional reactants as liquids or solutions, e.g. for solution doping of the porous glass preform
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B2201/00—Type of glass produced
- C03B2201/06—Doped silica-based glasses
- C03B2201/30—Doped silica-based glasses doped with metals, e.g. Ga, Sn, Sb, Pb or Bi
- C03B2201/34—Doped silica-based glasses doped with metals, e.g. Ga, Sn, Sb, Pb or Bi doped with rare earth metals, i.e. with Sc, Y or lanthanides, e.g. for laser-amplifiers
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- Glass Melting And Manufacturing (AREA)
- Manufacture, Treatment Of Glass Fibers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
Ｃ産業上の利用分野〕
この発明は、光増幅などに用いられる希土類元素ドープ
ガラスを製造する方法に関する。
ガラスを製造する方法に関する。
エルビウムなどの希土類元素をドープした石英ガラスな
どを製造する方法の１つに、ＶＡＤ法、ＭＣＶＤ法、Ｏ
ＶＤ法などで得られたガラス微粒子集合体く以下、スー
トと略称する。）を塩化エルビウムなどの希土類元素化
合物のガス雰囲気中で加熱、焼結し、ガラス中にエルビ
ウムイオンをドープする方法がある。
どを製造する方法の１つに、ＶＡＤ法、ＭＣＶＤ法、Ｏ
ＶＤ法などで得られたガラス微粒子集合体く以下、スー
トと略称する。）を塩化エルビウムなどの希土類元素化
合物のガス雰囲気中で加熱、焼結し、ガラス中にエルビ
ウムイオンをドープする方法がある。
この方法において、希土類元素化合物ガス雰囲気を形成
する手段としては、第５図に示すようにロッド状スート
ｌの焼結炉２の底部３に原料容器４を設け、この原料容
器４内の塩化エルビウムなどの希土類元素化合物Ａをヒ
ータ５で加熱して昇草せしめ、これによって炉２内を希
土類元素化合物ガス雰囲気とする方法が採られている。
する手段としては、第５図に示すようにロッド状スート
ｌの焼結炉２の底部３に原料容器４を設け、この原料容
器４内の塩化エルビウムなどの希土類元素化合物Ａをヒ
ータ５で加熱して昇草せしめ、これによって炉２内を希
土類元素化合物ガス雰囲気とする方法が採られている。
しかしながら、この方法では、次のような問題があった
。
。
すなわち、雰囲気中の希土類元素化合物のガス濃度を一
定に保持する必要があるが、これには、希土類元素化合
物の昇華量を一定とする必要がある。昇華量を一定に保
つには、希土類元素化合物Ａへのヒータ５からの単位時
間当たりの熱量を希土類元素化合物Ａの残存量に応じて
精密に制御する必要があるが、この制御は極めて困難で
ある。
定に保持する必要があるが、これには、希土類元素化合
物の昇華量を一定とする必要がある。昇華量を一定に保
つには、希土類元素化合物Ａへのヒータ５からの単位時
間当たりの熱量を希土類元素化合物Ａの残存量に応じて
精密に制御する必要があるが、この制御は極めて困難で
ある。
また、希土類元素化合物Ａの量が減少してゆくので、加
熱効率も低下してゆく。これらの要因のため、昇華の開
始時と終了時とでは昇華量に差が生じてしまい、第６図
に示すように得られる口・メト状のガラスの長手方向に
ドープ量が変化する不都合が生じる。
熱効率も低下してゆく。これらの要因のため、昇華の開
始時と終了時とでは昇華量に差が生じてしまい、第６図
に示すように得られる口・メト状のガラスの長手方向に
ドープ量が変化する不都合が生じる。
さらに、塩化エルビウムなどの希土類元素化合物は、一
般に結晶水を有するため、前記原料容器４に置く希土類
元素化合物Ａは、予めこの結晶水を取り除いたものを用
いる必要がある。このため、スート自体の脱水とは別に
脱水工程を設けねばならない欠点もある。
般に結晶水を有するため、前記原料容器４に置く希土類
元素化合物Ａは、予めこの結晶水を取り除いたものを用
いる必要がある。このため、スート自体の脱水とは別に
脱水工程を設けねばならない欠点もある。
よって、この発明における課題は、スートを希土類元素
化合物ガスの雰囲気中で焼結する際、希土類元素化合物
ガスの供給量を一定とすることができ、希土類元素の均
一なドープが可能であり、かつ製造工程の簡略化も可能
な方法を提供することにある。
化合物ガスの雰囲気中で焼結する際、希土類元素化合物
ガスの供給量を一定とすることができ、希土類元素の均
一なドープが可能であり、かつ製造工程の簡略化も可能
な方法を提供することにある。
かかる課題は、希土類元素化合物ガス雰囲気の形成を焼
結されるスートに付着せしめられた希土類元素化合物の
徐々の昇華によって行うことで解決される。
結されるスートに付着せしめられた希土類元素化合物の
徐々の昇華によって行うことで解決される。
以下、この発明の詳細な説明する。
この発明の製法では、まずスートに希土類元素化合物を
付着させる。第１図は、このために用いられる装置の一
例を示すもので図中符号１１は、スートである。このス
ート１１は、棒状基材１２の一端に、周知のＶＡＤ法に
よって形成された棒状のものである。このスート１１の
嵩密度は、０．２〜０．７ｇ／ｃｚ’の範囲であればよ
く、若干低目の嵩密度のものが、後述する希土類元素化
合物のガスの浸透が良くなって好ましい。このスートｌ
ｌの棒状基材１２の他端は、図示しないトラバーサ装置
に装着され、スー１１が回転させられるとともに上下方
向に往復移動されるようになっている。一方、図中符号
１３はネプライザ（噴霧器）である。このネプライザ１
３は、希土類元素化合物溶液を霧化して霧状物とし、こ
の霧状物をスート１１表面に吹き付けるためのものであ
って、アルゴン、窒素、ヘリウムなどの牛ヤリャガスを
導入するキャリヤガス導入パイプ１３ａと、希土類元素
化合物溶液Ｓを貯留する本体１３ｂと、キャリヤガスに
同伴されて霧状物が噴出される噴出、ｆイブ１３ｃとか
らなるものである。前記希土類元素化合物溶液Ｓをなす
希土類元素化合物としては、エルビウム、ネオジム、ユ
ーロピウムなどの塩化物や硝酸塩などの塩が用いられ、
これら塩類を水や塩酸、硝酸など酸水溶液、アルコール
などに溶解して溶液とする。
付着させる。第１図は、このために用いられる装置の一
例を示すもので図中符号１１は、スートである。このス
ート１１は、棒状基材１２の一端に、周知のＶＡＤ法に
よって形成された棒状のものである。このスート１１の
嵩密度は、０．２〜０．７ｇ／ｃｚ’の範囲であればよ
く、若干低目の嵩密度のものが、後述する希土類元素化
合物のガスの浸透が良くなって好ましい。このスートｌ
ｌの棒状基材１２の他端は、図示しないトラバーサ装置
に装着され、スー１１が回転させられるとともに上下方
向に往復移動されるようになっている。一方、図中符号
１３はネプライザ（噴霧器）である。このネプライザ１
３は、希土類元素化合物溶液を霧化して霧状物とし、こ
の霧状物をスート１１表面に吹き付けるためのものであ
って、アルゴン、窒素、ヘリウムなどの牛ヤリャガスを
導入するキャリヤガス導入パイプ１３ａと、希土類元素
化合物溶液Ｓを貯留する本体１３ｂと、キャリヤガスに
同伴されて霧状物が噴出される噴出、ｆイブ１３ｃとか
らなるものである。前記希土類元素化合物溶液Ｓをなす
希土類元素化合物としては、エルビウム、ネオジム、ユ
ーロピウムなどの塩化物や硝酸塩などの塩が用いられ、
これら塩類を水や塩酸、硝酸など酸水溶液、アルコール
などに溶解して溶液とする。
ついで、この希土類元素化合物溶液Ｓの霧状物を図示す
るようにネプライザ１３から噴出させ、回転するととも
に上下方向に往復移動するスート１１の表面に吹き付け
る。そして、スート１１の数回の往復移動によって、ス
ート１１表面に均一に希土類元素化合物の霧状物が付着
する。こののち、このスートを乾燥窒素気流中などで乾
燥して、水分を除去する。
るようにネプライザ１３から噴出させ、回転するととも
に上下方向に往復移動するスート１１の表面に吹き付け
る。そして、スート１１の数回の往復移動によって、ス
ート１１表面に均一に希土類元素化合物の霧状物が付着
する。こののち、このスートを乾燥窒素気流中などで乾
燥して、水分を除去する。
この発明でのスートへの希土類元素化合物の付着は、上
述のネプライザ１３を用いて霧状物を吹き付ける方法に
限られず、例えば、スート１１を回転させつつ、左右方
向に往復移動させ、このスート１１上に希土類元素化合
物溶液の微小液滴を定量的に滴下する方法やスート１１
の嵩密度が０．４ｇ／ｃ＋＋Ｓ以上であれば、スートｌ
ｌ全体を希土類元素化合物溶液中に短時間浸漬する方法
などが採用できる。また、スート１１としては、ＶＡＤ
法によって得られたものに限られず、ＯＶＤ法（外付は
法）で得られたものやＭＣＶＤ法で得られたスートであ
ってもよい。
述のネプライザ１３を用いて霧状物を吹き付ける方法に
限られず、例えば、スート１１を回転させつつ、左右方
向に往復移動させ、このスート１１上に希土類元素化合
物溶液の微小液滴を定量的に滴下する方法やスート１１
の嵩密度が０．４ｇ／ｃ＋＋Ｓ以上であれば、スートｌ
ｌ全体を希土類元素化合物溶液中に短時間浸漬する方法
などが採用できる。また、スート１１としては、ＶＡＤ
法によって得られたものに限られず、ＯＶＤ法（外付は
法）で得られたものやＭＣＶＤ法で得られたスートであ
ってもよい。
次に、希土類元素化合物が付着したスート１１を第２図
に示すように密閉状態の温度勾配分布が形成された加熱
炉１４内に収容して加熱し、希土類元素化合物を昇華さ
せて加熱炉１４内を希土類元素化合物のガスの雰囲気と
するとともにスート１１を焼結する。
に示すように密閉状態の温度勾配分布が形成された加熱
炉１４内に収容して加熱し、希土類元素化合物を昇華さ
せて加熱炉１４内を希土類元素化合物のガスの雰囲気と
するとともにスート１１を焼結する。
上記加熱炉１４は、ヒータ１４ａによって第２図に示す
ように、その下端側が低温に、上端側が高温となるよう
に連続的に変化する温度分布が形成されており、例えば
、希土類元素化合物として塩化エルビウムを用いた場合
では下端側の温度が塩化エルビウムの昇華温度の８５０
℃程度とされ、上端側の温度がスー）１１をなす石英ガ
ラス微粒子の溶融温度以上の１５００℃程度とされる。
ように、その下端側が低温に、上端側が高温となるよう
に連続的に変化する温度分布が形成されており、例えば
、希土類元素化合物として塩化エルビウムを用いた場合
では下端側の温度が塩化エルビウムの昇華温度の８５０
℃程度とされ、上端側の温度がスー）１１をなす石英ガ
ラス微粒子の溶融温度以上の１５００℃程度とされる。
また、スート１１は、その棒状基材１２が存在する一端
部が加熱炉１４の低温側に位置するように初期位置とし
て図示しないトラバーサ装置に取り付けられ、回転しな
がら徐々に上方に一定速度で移動するようになっている
。また、加熱炉１４内には、アルゴン、ヘリウムなどの
不活性ガスが導入され、炉内圧力が大気圧より微かに高
（なるようになっており、実質的に密閉状態となってい
る。
部が加熱炉１４の低温側に位置するように初期位置とし
て図示しないトラバーサ装置に取り付けられ、回転しな
がら徐々に上方に一定速度で移動するようになっている
。また、加熱炉１４内には、アルゴン、ヘリウムなどの
不活性ガスが導入され、炉内圧力が大気圧より微かに高
（なるようになっており、実質的に密閉状態となってい
る。
この状態において、スート１１を前記初期位置から回転
させつつ加熱炉１４の上方に徐々に移動させると、スー
）１１の上端部が加熱炉１４の低温の希土類元素化合物
が昇華する昇華温度域に入り、ここでスート１１の表面
に付着している希土類元素化合物が昇華し、この昇華ガ
スが加熱炉１４内に充填して、スート１１が希土類元素
化合物のガス雰囲気内におかれることになる。そして、
この昇華ガスはスート１１の空隙に浸透し、ガラス微粒
子内部に浸透してゆく。
させつつ加熱炉１４の上方に徐々に移動させると、スー
）１１の上端部が加熱炉１４の低温の希土類元素化合物
が昇華する昇華温度域に入り、ここでスート１１の表面
に付着している希土類元素化合物が昇華し、この昇華ガ
スが加熱炉１４内に充填して、スート１１が希土類元素
化合物のガス雰囲気内におかれることになる。そして、
この昇華ガスはスート１１の空隙に浸透し、ガラス微粒
子内部に浸透してゆく。
スート１１が徐々に上方に移動するにつれて。
スー）１１の残りの部分が順次昇華温度域に入り、付着
している希土類元素化合物が順次昇華してゆき、加熱炉
１４内は希土類元素化合物のガス雰囲気に保たれること
になる。
している希土類元素化合物が順次昇華してゆき、加熱炉
１４内は希土類元素化合物のガス雰囲気に保たれること
になる。
スート１１の上端部が加熱炉１４の上部の高温の焼結温
度域に入ると、希土類元素化合物のガス雰囲気内でのス
ー）１１の焼結が始まり、スート１１の上端部から順次
希土類元素化合物がドープされた状態で透明ガラス化さ
れてゆく。かくして、スートｌｌの下端部までが焼結温
度域に入れば、スート１１全体が希土類元素がドープさ
れた状態で−で透明ガラス化され、希土類元素ドープガ
ラスロッドが得られる。
度域に入ると、希土類元素化合物のガス雰囲気内でのス
ー）１１の焼結が始まり、スート１１の上端部から順次
希土類元素化合物がドープされた状態で透明ガラス化さ
れてゆく。かくして、スートｌｌの下端部までが焼結温
度域に入れば、スート１１全体が希土類元素がドープさ
れた状態で−で透明ガラス化され、希土類元素ドープガ
ラスロッドが得られる。
スートがＯＶＤ法によって得られたものの場合は、上述
とまったく同様に操作することができ、ＭＣＶＤ法によ
る肉付は法で得られたものでも、はぼ同様の操作でよく
、スートを透明ガラス化したのち、強熱してコブラス化
すればよい。
とまったく同様に操作することができ、ＭＣＶＤ法によ
る肉付は法で得られたものでも、はぼ同様の操作でよく
、スートを透明ガラス化したのち、強熱してコブラス化
すればよい。
このような製法にあっては、スー）１１表面に付着する
希土類元素化合物の単位面積当たりの量がスー）１１全
体で均一であれば、スート１１の上方への移動速度を一
定とした場合、単位時間当たりの希土類元素化合物の昇
華温度域への供給量は一定となり、昇１１１温度域の温
度を一定とし、加熱熱量を十分与えれば、希土類元素化
合物の昇華量は一定となり、加熱炉１４内の雰囲気の昇
華ガス濃度は容易に一定となる。したがって、スート１
１全体の希土類元素のドープ量を極めて簡単に均一とす
ることができる。
希土類元素化合物の単位面積当たりの量がスー）１１全
体で均一であれば、スート１１の上方への移動速度を一
定とした場合、単位時間当たりの希土類元素化合物の昇
華温度域への供給量は一定となり、昇１１１温度域の温
度を一定とし、加熱熱量を十分与えれば、希土類元素化
合物の昇華量は一定となり、加熱炉１４内の雰囲気の昇
華ガス濃度は容易に一定となる。したがって、スート１
１全体の希土類元素のドープ量を極めて簡単に均一とす
ることができる。
また、希土類元素化合物を予め脱水する必要がなく、希
土類元素化合物溶液のスートへの付着後の乾燥工程で大
部分が除去され、また昇華時にも除去される。
土類元素化合物溶液のスートへの付着後の乾燥工程で大
部分が除去され、また昇華時にも除去される。
また、希土類元素化合物の昇華に先立って、スート！ｌ
を７００〜８００℃に加熱しつつ、塩素ガスなどのハロ
ゲンガスを加熱炉１４内に供給し、スート１１の脱水を
行うこともでき、この脱水時に、希土類元素化合物の付
着に起因する水分をも同時に除去することができる。
を７００〜８００℃に加熱しつつ、塩素ガスなどのハロ
ゲンガスを加熱炉１４内に供給し、スート１１の脱水を
行うこともでき、この脱水時に、希土類元素化合物の付
着に起因する水分をも同時に除去することができる。
以下、具体例を示して、作用効果を明確にする。
（実施例］）
■ＡＤ法によって、外径５２ｘｍ、長さ２００ｘｍ、嵩
密度０．２２ ｇ／ｃｊ’ノｓ ｉ Ｏｘ カラナルス
−）を作成した。このスートを第１図に示すようにトラ
バーサ装置に取りつけ、その表面にネブライザによって
ＥｒＣＱｓ水溶液を噴霧した。ネプライザには、ＥｒＣ
１！ｓ・ｏ、５Ｈｔｏ ２４．７５ｇ、３５豐ｔ％塩
酸５ ｃｃ、水１５０ＣＣからなるＥｒＣＱｓ水溶液を
満たし、キャリヤガスとしてＡｒを５Ｑ／分の流量で供
給し、霧状とした。スートの回転数を６ Ｏｒｐｍとし
、往復移動速度を２０ ｘｉ１分として、スート全体に
噴霧した。
密度０．２２ ｇ／ｃｊ’ノｓ ｉ Ｏｘ カラナルス
−）を作成した。このスートを第１図に示すようにトラ
バーサ装置に取りつけ、その表面にネブライザによって
ＥｒＣＱｓ水溶液を噴霧した。ネプライザには、ＥｒＣ
１！ｓ・ｏ、５Ｈｔｏ ２４．７５ｇ、３５豐ｔ％塩
酸５ ｃｃ、水１５０ＣＣからなるＥｒＣＱｓ水溶液を
満たし、キャリヤガスとしてＡｒを５Ｑ／分の流量で供
給し、霧状とした。スートの回転数を６ Ｏｒｐｍとし
、往復移動速度を２０ ｘｉ１分として、スート全体に
噴霧した。
スート全体にわたる噴霧が完了したのち、スートを１０
０″Ｃの窒素気流中で４時間乾燥した。
０″Ｃの窒素気流中で４時間乾燥した。
このスートを第２図に示すような加熱炉に収め、全体を
８００℃として塩素ガスを流して脱水処理を行ったのち
、引きつづいて加熱炉に温度分布を形成し、炉内下部を
ＥｒＣＱ、の昇華温度の９００℃に保ち、炉内上部をス
ートの焼結温度１５００℃に保ち、スートを２０ｒｐ−
で回転させつつ、移動速度１０ｘＭ／分で上方に移動さ
せた。これにより、外径１７１１、長さ９６ｚｘの丸棒
状のＥｒドープ石英ガラスロッドが得られた。
８００℃として塩素ガスを流して脱水処理を行ったのち
、引きつづいて加熱炉に温度分布を形成し、炉内下部を
ＥｒＣＱ、の昇華温度の９００℃に保ち、炉内上部をス
ートの焼結温度１５００℃に保ち、スートを２０ｒｐ−
で回転させつつ、移動速度１０ｘＭ／分で上方に移動さ
せた。これにより、外径１７１１、長さ９６ｚｘの丸棒
状のＥｒドープ石英ガラスロッドが得られた。
この石英ガラスロッド中のＥｒドープ量を径方向および
軸方向について測定したところ、第３図および第４図に
示すように、径方向および軸方向に均一に５００ ｐｐ
ｍのＥｒがドープされていることがわかった。
軸方向について測定したところ、第３図および第４図に
示すように、径方向および軸方向に均一に５００ ｐｐ
ｍのＥｒがドープされていることがわかった。
以上説明したように、この発明の希土類ドープガラスの
製法は、ガラス微粒子集合体を希土類元素化合物ガスの
雰囲気中で加熱して、希土類元素がドープされたガラス
を得るに際して、前記希土類元素化合物ガス雰囲気の形
成を、前記焼結されるガラス微粒子集合体に付着せしめ
られた希土類元素化合物の徐々の昇華によって行うもの
であるので、簡単な操作によって、希土類元素のドープ
量が均一なガラスを得ることができる。
製法は、ガラス微粒子集合体を希土類元素化合物ガスの
雰囲気中で加熱して、希土類元素がドープされたガラス
を得るに際して、前記希土類元素化合物ガス雰囲気の形
成を、前記焼結されるガラス微粒子集合体に付着せしめ
られた希土類元素化合物の徐々の昇華によって行うもの
であるので、簡単な操作によって、希土類元素のドープ
量が均一なガラスを得ることができる。
第１図および第２図は、いずれもこの発明の製法に用い
られる装置の概略構成図であり、第１図はスートに希土
類元素化合物溶液の噴霧を行うための、第２図は希土類
元素化合物の昇華とス・−トの焼結を行うための装置を
示し、 第３図はおよび第４図は、いずれもこの発明の実施例で
得られたＥｒドープガラスロッドにおけるＥｒの分布状
態を示すグラフ、 第５図は従来の希土類ドープガラスの製造に用いられる
装置を示す概略構成図、第６図は従来の製法で得られた
希土類ドープガラス中の希土類元素の分布状態を示すグ
ラフである。 １１・・・・・スート、 １３・・・・・ネプライザ（噴霧器）、Ｓ ・・希土類
元素化合物溶液、 １４・・・加熱炉。
られる装置の概略構成図であり、第１図はスートに希土
類元素化合物溶液の噴霧を行うための、第２図は希土類
元素化合物の昇華とス・−トの焼結を行うための装置を
示し、 第３図はおよび第４図は、いずれもこの発明の実施例で
得られたＥｒドープガラスロッドにおけるＥｒの分布状
態を示すグラフ、 第５図は従来の希土類ドープガラスの製造に用いられる
装置を示す概略構成図、第６図は従来の製法で得られた
希土類ドープガラス中の希土類元素の分布状態を示すグ
ラフである。 １１・・・・・スート、 １３・・・・・ネプライザ（噴霧器）、Ｓ ・・希土類
元素化合物溶液、 １４・・・加熱炉。
Claims (2)
- （１）ガラス微粒子集合体を希土類元素化合物ガスの雰
囲気中で加熱して、希土類元素がドープされたガラスを
得るに際して、 前記希土類元素化合物ガス雰囲気の形成が、前記焼結さ
れるガラス微粒子集合体に付着せしめられた希土類元素
化合物の徐々の昇華によってなされることを特徴とする
希土類ドープガラスの製法。 - （２）ガラス微粒子集合体に希土類元素化合物溶液の霧
状物を吹きつけ、 ついで、このガラス微粒子集合体を、温度勾配分布が形
成された密閉加熱雰囲気中で、低温側から高温側に徐々
に移動させつつ加熱し、ガラス微粒子集合体に付着した
希土類元素化合物を徐々に昇華させて、前記密閉加熱雰
囲気を希土類元素化合物ガス雰囲気とするとともに、 この雰囲気内でガラス微粒子集合体をその一端から順次
焼結することを特徴とする希土類ドープガラスの製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2146792A JPH085678B2 (ja) | 1990-06-05 | 1990-06-05 | 希土類ドープガラスの製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2146792A JPH085678B2 (ja) | 1990-06-05 | 1990-06-05 | 希土類ドープガラスの製法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0442819A true JPH0442819A (ja) | 1992-02-13 |
| JPH085678B2 JPH085678B2 (ja) | 1996-01-24 |
Family
ID=15415645
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2146792A Expired - Fee Related JPH085678B2 (ja) | 1990-06-05 | 1990-06-05 | 希土類ドープガラスの製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH085678B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009298664A (ja) * | 2008-06-16 | 2009-12-24 | Fujikura Ltd | 希土類添加光ファイバの製造方法 |
| JP2013147421A (ja) * | 2006-09-29 | 2013-08-01 | Corning Inc | 希土類がドープされた光ファイバ |
| CN112299703A (zh) * | 2020-11-13 | 2021-02-02 | 中国电子科技集团公司第四十六研究所 | 一种掺杂溶液喷洒装置及喷洒方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63195130A (ja) * | 1987-02-04 | 1988-08-12 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | レ−ザ−用ガラス体の製造方法 |
-
1990
- 1990-06-05 JP JP2146792A patent/JPH085678B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63195130A (ja) * | 1987-02-04 | 1988-08-12 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | レ−ザ−用ガラス体の製造方法 |
Cited By (3)
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH085678B2 (ja) | 1996-01-24 |
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