JPH0862078A

JPH0862078A - 圧力センサー及びその製造方法

Info

Publication number: JPH0862078A
Application number: JP19974894A
Authority: JP
Inventors: Ryuichi Kurosawa; 龍一黒沢; Osamu Iwamoto; 修岩本; Fumitaka Kitamura; 文孝北村
Original assignee: Seiko Epson Corp
Current assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 1994-08-24
Filing date: 1994-08-24
Publication date: 1996-03-08

Abstract

(57)【要約】【目的】半導体圧力センサーにおいて、出力を大きく
し、耐圧特性及び出力特性を安定させること。また、微
小圧力から大きな圧力まで連続して測定できること。【構成】基板２に設けられた第１の空洞部３、基板２
の内部に形成された第２の空洞部５、基板２に積層され
た薄肉部４４の一部で形成され圧力を感知するダイヤフ
ラム４を具備する。第２の空洞部５は、不純物の拡散層
をエッチングにより除去することにより形成し、この第
２の空洞部５を楕円形などの任意形状にすることにより
ダイヤフラム４の形状は上方から見て楕円形などの任意
形状とすることができる。第１の空洞部３は、異方性エ
ッチングにより形成する。また、基板２と第２の基板１
６は陽極接合により接合する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、気圧・水圧等を測定す
る半導体圧力センサーとその製造方法に関し、特に複数
の形状の異なる空洞部を有する半導体圧力センサーに関
する。

【０００２】

【従来の技術】本発明に係わる従来技術としては、例え
ば特開平４−１４８８３４号公報がある。特開平４−１
４８８３４号公報の構成は同公報第１図に示され、さら
に特許請求の範囲（１）に記載されているように、単結
晶半導体基板に圧力を導入する開口部を持ち、内部に前
記開口部より大きな空洞部を伴った円形薄膜ダイヤフラ
ムを有していた。また、発明の詳細な説明として同公報
７ページの第２文節より８ページの第１文節にまたがり
記載されているように、同発明はシリコン基板を用い基
板上に薄膜のエピタキシャル層を形成し、エピタキシャ
ル層の一部をシリコン基板のホウケイ酸ガラスと接合す
る面に形成させた開口部よりエッチングを行い開口部よ
り大きい空洞部を形成し、その空洞部によりダイヤフラ
ムを形成するものであった。

【０００３】また、同公報８ページの第３文節に記載さ
れているように、犠牲層を薄くすることによりダイヤフ
ラムの変位量を小さくし、過大圧印加時の高耐圧性を強
化させる構成であった。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかし、上記構成の従
来の半導体圧力センサーでは、ダイヤフラムを形成する
ための空洞部の形成を等方性エッチングで行っているた
め、空洞部の形状は円形のみに限定されてしまい、ダイ
ヤフラム（圧力を感知する薄肉部）の設計が規制される
という課題を有している。これは、例えば４つのゲージ
電極でブリッジ回路を構成し、Ｘ−Ｙ２方向のゲージ電
極対の電圧差を出力とする場合は、ダイヤフラムの形状
は長方形や楕円形の方がＸ−Ｙの寸法比が異なるので出
力が大きくなり円形のダイヤフラムより有利であるの
に、上記構成の圧力センサーではこうした円形以外の形
状が作製できないことを示している。

【０００５】さらに、空洞部を形成するときのエッチン
グ停止時間の変化により、ダイヤフラムの大きさにばら
つきが生じ出力電圧特性が変動するという課題を有して
いる。すなわち、ダイヤフラムの形状及び大きさを正確
に制御することができないという課題を有している。

【０００６】また、犠牲層が薄い場合は、過大圧力が印
加された時、薄膜ダイヤフラムが空洞部の底面に接する
ため薄膜ダイヤフラムの耐圧性が向上するが、薄膜ダイ
ヤフラムが底面に接する以上の圧力を感知できないとい
う課題を有していた。

【０００７】そこで、本発明はこの様な課題を解決する
もので、その目的とするところは、印加圧力に対するセ
ンサーの出力電圧を大きくでき、また、耐圧特性及び出
力特性が安定した圧力センサー及びその製造方法を提供
することである。

【０００８】また、本発明の別の目的は、微小圧力から
大きな圧力まで広い範囲の圧力を連続して測定できる圧
力センサーを提供することである。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明の圧力センサー
は、基板上に積層された薄肉部の変位により圧力を検出
するものであって、２つの特徴的な空洞部を基板の内部
に形成したものである。

【００１０】そして第１の空洞部は、薄肉部の反対面側
に開口を有し、第２の空洞部は、この第１の空洞部と連
通し、かつ薄肉部と接すると共に、薄肉部と接する領域
の面積が第１の空洞部との連通部の開口面積よりも大と
なる形状を有している。

【００１１】また、本発明の圧力センサーは、３つの特
徴的な空洞部を基板の内部に形成し、１つの圧力センサ
ーの中に２種類の異なるセンサーを有していることを特
徴とする。

【００１２】まず第３の空洞部は、薄肉部の反対面側に
開口を有し、第１の空洞部は、第３の空洞部の薄肉部側
の一部分に開口を有して第３の空洞部と連通し、かつ第
３の空洞部よりも体積が小さく、第２の空洞部は、第１
の空洞部と連通し、かつ薄肉部と接すると共に、薄肉部
と接する領域の面積が第１の空洞部との連通部の開口面
積よりも大となる形状を有している。そして、第２の空
洞部に対向する薄肉部で形成される第１のダイヤフラム
と、第２の空洞部に対向する薄肉部上に形成される第１
の歪みゲージの組と、第１、第２、第３の空洞部によっ
て輪郭形状が決定され変位可能となるように構成された
基板の一部で形成される第２のダイヤフラムと、第３の
空洞部に対向する薄肉部上に形成される第２の歪みゲー
ジの組とを有しており、これらにより２つのセンサーが
構成される。

【００１３】さらに、本発明の圧力センサーは以下のよ
うな製造工程を含むことを特徴とする。

【００１４】単結晶基板の一面に不純物を拡散した部分
を形成する工程、不純物を拡散した部分に接して薄肉部
を形成する工程、基板の不純物を拡散した部分の反対側
の面より基板をエッチングして第１の空洞部を形成する
工程、第１の空洞部側から不純物を拡散した部分をエッ
チングして、第１の空洞部と連通し、かつ薄肉部と接す
ると共に、薄肉部と接する領域の面積が第１の空洞部と
の連通部の開口面積よりも大となる形状を有する第２の
空洞部を形成する工程である。

【００１５】

【作用】本発明の圧力センサー及びその製造方法の作用
は以下の通りである。

【００１６】まず、基板内に拡散層を形成しこの拡散層
を選択的にエッチングして第２の空洞部を形成するの
で、空洞部の形状を任意にすることができる。この空洞
部がダイヤフラムを構成する要素となることから、結果
的にダイヤフラムの形状を任意にすることができる。そ
して、これを利用してダイヤフラムの形状を等方形状
（例えば正方形や円など）でないようにすれば（例えば
長方形や楕円など）、ＸＹ方向の寸法比を異なるように
構成することができる。本発明はこの寸法差を利用して
圧力センサーの出力を増大を図ったものである。

【００１７】また、この空洞部の形成を拡散層のエッチ
ングにより行ったので精度良く形成することができる。
このため、この空洞部に対応するダイヤフラムの形状
（大きさ）も精度が良くなる。従って、多数個ダイヤフ
ラムを作成する場合であってもその形状にあまりばらつ
きが生じないので、結果的にこれらのダイヤフラムを用
いた圧力センサーの特性（耐圧や出力電圧など）にもば
らつきが生じない。

【００１８】また、第１のダイヤフラムの変位による内
周圧力センサーと、第２のダイヤフラムの変位による外
周圧力センサーとで構成することにより、微小圧力から
大きな圧力までの広範囲にわたる連続圧力計測を可能に
するように企図したものである。すなわち、第１のダイ
ヤフラムはその変位量が制限されて主として小さな圧力
の検出に用いられ、所定の変位量以上では第１のダイヤ
フラムに代わって、第１のダイヤフラムよりも大きい第
２のダイヤフラムの変位を用いて主として大きな圧力の
検出に用いられる。なおこの場合、小さな圧力の検出に
用いられる第１のダイヤフラムは、大きな圧力が印加さ
れてもその変位量が制限されているので破壊されること
がない。

【００１９】

【実施例】以下実施例に従い詳細に説明する。なお、実
施例１は基板の内部に２つの空洞部を設けて１つのダイ
ヤフラムを形成し圧力センサーを構成した例、実施例２
は基板の内部に３つの空洞部を設けて２つのダイヤフラ
ムを形成し圧力センサーを構成した例である。

【００２０】（実施例１）図１は、本発明の第１の実施
例による圧力センサー１の断面図である。また、図２は
第１の実施例による圧力センサー１の上面図である。た
だし、図２においては引き出し電極１５は除いて示して
ある。

【００２１】さて、図１に示すように本実施例による圧
力センサー１は、基板２に設けられた角錐状の第１の空
洞部３、同じく基板２の内部に形成され第１の空洞部３
と連通し、かつ薄肉部４４と接した第２の空洞部５、圧
力を感知するダイヤフラム４（薄肉部４４の第２の空洞
部５に接する部分）、基板２を載置する第２の基板１６
等を具備している。なお、本実施例における基板２は
（１００）面単結晶シリコンである。

【００２２】本実施例においては、第２の空洞部５は図
２に示すように上方からみると楕円形の形状をしてい
る。すなわち、ダイヤフラム４は楕円形である。一方、
同じく図２に示すように基板２のダイヤフラム４の反対
側に設けられた、第１の空洞部３の開口部６、および第
１の空洞部３の第２の空洞部との連通部の開口形状は長
方形である。なお、この楕円形の面積は、第１の空洞部
３の第２の空洞部との連通部の開口形状の面積よりも大
きくなるように設定している。さらにダイヤフラム４の
上には１組２対の計４つのゲージ電極７（歪みゲージ
組）が対同士それぞれ直交するように（ＸＹ方向となる
ように）形成されている。

【００２３】＊圧力センサーの製造方法ここで、図１、２に示す圧力センサーの製造方法につい
て述べる。図３は本実施例の圧力センサー１の製造工程
を工程順に説明するための断面図である。図３に従い本
実施例による圧力センサー１の製造工程を以下に説明
し、第２の空洞部５の上方からみた形状が楕円形（すな
わち任意の形状）にできる理由について説明する。

【００２４】まず、図３（ａ）に示すように基板２の両
面に絶縁膜８ａ及び絶縁膜８ｂを形成する。本実施例で
は基板２は（１００）面単結晶シリコンであり、絶縁膜
８ａ及び８ｂは酸化シリコンであり、熱酸化により形成
される。

【００２５】次に、図３（ｂ）に示されるように絶縁膜
８ａの一部分に開口部９を形成し、絶縁膜８ａをマスク
として不純物の拡散層（以下単に拡散層と称する）１０
を形成する。本実施例では拡散層１０は高濃度ボロンド
ープ層であり、イオン打ち込みにより形成している。ボ
ロン濃度は１０²⁰個／cm³ である。図３（ｂ）に示され
ている拡散層１０は開口部９の形状に一致する。そのた
め、開口部９を楕円形（任意の形状）にすることにより
拡散層１０を上方より見て楕円形（任意の形状）にする
ことができる。

【００２６】次に、図３（ｃ）に示されるように絶縁膜
８ａを除去し、基板２の絶縁膜８ｂと反対側の面に第２
の絶縁膜１１及びゲージ電極膜１２を形成する。本実施
例では、第２の絶縁膜１１は酸化シリコン膜とｎ型シリ
コン膜及び酸化シリコン膜であり、ゲージ電極膜１２は
高濃度ボロンドープポリシリコン膜である。ボロン濃度
としては１０¹⁹個／cm³ であり、イオン打ち込みにより
形成している。

【００２７】次に、図３（ｄ）に示されるようにゲージ
電極膜１２をパターニングしゲージ電極７を形成し、さ
らにゲージ電極７上に第３の絶縁膜１３を形成する。本
実施例では、第３の絶縁膜１３は窒化シリコン膜であ
る。

【００２８】次に、図３（ｅ）に示されるように絶縁膜
８ｂの一部分に開口部６を形成し、開口部６より絶縁膜
８ｂをマスクとして基板２をエッチングし第１の空洞部
３を形成する。本実施例では、エッチングは異方性エッ
チングでありエッチング液は水酸化カリウム水溶液であ
る。また、エッチングは拡散層１０において停止する。
これは拡散層１０が高濃度ボロン層であるためエッチン
グ液である水酸化カリウム溶液に溶解しないためであ
る。

【００２９】次に、図３（ｆ）に示されるように拡散層
１０をエッチングにより除去し第２の空洞部５を形成す
る。拡散層１０のエッチングには、ふっ酸＋硝酸＋酢酸
（組成比１：３：８）を用いている。このエッチング液
は選択的に拡散層１０のみをエッチングする。

【００３０】次に、図３（ｇ）に示すように第３の絶縁
膜１３の一部に開口窓（図示なし）を造りゲージ電極７
とコンタクトをとるために、引き出し電極１５を形成す
る。本実施例では引き出し電極１５はＰｔとＴｉの積層
膜である。

【００３１】次に、図３（ｈ）に示すように、絶縁膜８
ｂを除去し第２の基板１６を基板２と接合する。本実施
例では第２の基板１６はホウケイ酸ガラスであり、基板
２と第２の基板１６の接合には陽極接合を用いている。

【００３２】本実施例によれば、ダイヤフラム４の形状
及び配置は表面からのフォトリソプロセスにより造り込
むことができる。すなわち、拡散層１０が第２の空洞部
５となり、したがってダイヤフラム４の上方からみた形
状は開口部９の形状に一致する。したがって、ダイヤフ
ラム４の形状を任意に設定できる。本実施例の場合は先
に記したように開口部９が楕円形であるため、ダイヤフ
ラム４の形状は上方からみて楕円形となっている。なお
本実施例の楕円形の長辺と短辺の比は２：１である。

【００３３】本実施例による圧力センサー１の出力は、
円形ダイヤフラムからなる従来の圧力センサーの出力に
比べて約１．５倍あった。これは、ダイヤフラム４のＸ
−Ｙ２方向の寸法比が異なるため、２つのゲージ電極対
からなるブリッジ回路の出力がより大きくなるためであ
る。

【００３４】また同じく、ダイヤフラム４の形状及び配
置は表面からのフォトリソプロセスにより造り込むた
め、ゲージ電極７の位置とダイヤフラム４の位置を、裏
面からのフォトリソプロセスにより作製する場合よりも
精度よく合わせることができる。

【００３５】さらに、第２の空洞部５は拡散層１０のみ
のエッチングにより決定され、拡散層１０の周囲をエッ
チングしないため精度良くダイヤフラム４を形成でき
る。

【００３６】なお、本実施例では第２の絶縁膜１１は酸
化シリコン膜とｎ型シリコン膜及び酸化シリコン膜の積
層膜であるが、酸化アルミニウム、弗化カルシウム等の
他の絶縁膜とｎ型シリコン膜との積層膜でも可能であ
る。また、絶縁膜のみの構成や半導体膜等でも可能であ
る。また、ｎ型シリコン膜以外にも他の不純物が拡散さ
れたシリコン膜でも良い。

【００３７】また、本実施例ではダイヤフラム４の形状
は楕円形であったが、長方形やその他の任意の形状でも
可能である。

【００３８】また基板２は（１００）面単結晶シリコン
であったが、他の方位の単結晶シリコンでも良く、また
水晶、ガリウム砒素、酸化マグネシウム、タンタル酸リ
チウム等の単結晶基板でも可能である。

【００３９】＊実施例１の変形例図４は、本発明による圧力センサーの変形例を示す上面
図であって、２つの圧力センサー３０，３１を隣接して
配置したものである。また、図５は図４のＡ−ＡＡ部の
断面図である。

【００４０】本実施例においては、第１の空洞部３３の
上部に第２の空洞部Ａ３５と第２の空洞部Ｂ３６の２つ
の第２の空洞部が形成されている。これら第２の空洞部
Ａ３５及び第２の空洞部Ｂ３６の上部には薄肉部３４を
介して各々ゲージ電極組３７が計８個設けられている。
従って、第２の空洞部Ａ３６またはＢ３６と各々のゲー
ジ電極組３７に対応して、圧力センサー３０，３１を各
々独立して形成することができる。

【００４１】また、２つの第２の空洞部３５，３６は連
結部３９を介して１つの空洞部を形成している。これ
は、第２の空洞部３５，３６をエッチングによって形成
するにあたり、エッチング液が隣りの空洞部に流れ易く
なって循環流動性が向上し、エッチング速度やエッチン
グ性能の点で製造上有利なためである。ただし、この連
結部３９は、圧力センサーとして見た場合はその特性上
顕著な利点がないので特に形成しなくても良い。

【００４２】本実施例の場合、測定位置の違いによる圧
力を測定する場合において、２つの独立した圧力センサ
ーを近接して形成することができるため、それぞれの圧
力センサー間の間隔を縮めることができる。この結果、
測定分解能が向上し、高精度の計測を行うことができ
る。また、高密度に圧力センサーを配置することができ
るため、より小型の圧力センサーアレイを実現すること
ができる。

【００４３】本実施例による圧力センサー３０，３１
は、第１の実施例の圧力センサー１の製造方法と同じ方
法で作製することができる。すなわち、不純物を拡散す
る層を第２の空洞部Ａ３５、Ｂ３６及び連結部３９の形
状にすることにより、第１の空洞部３３を得た後に形成
することができる。

【００４４】本実施例では、圧力センサーは２つである
が、さらに多く連続して作製することができる。また、
直線的配置のみでなく平面的配置にすることも可能であ
り、その場合は２次元圧力センサーアレイにすることが
できる。そして、圧力測定における平面内の位置分解能
を著しく向上することができる。

【００４５】（実施例２）図６に本発明による第２の実
施例の圧力センサー２０の断面図を示す。図６に示す圧
力センサー２０は、微小圧力を測定する内周圧力センサ
ー２２１と大きな圧力を測定する外周圧力センサー２２
２の２つの圧力センサーよりなる。

【００４６】内周圧力センサー２２１は、基板２１、こ
の基板２１上に積層形成された薄肉部４４、基板２１の
薄肉部４４と接する一部分に形成された第２の空洞部２
３、薄肉部４４の第２の空洞部２３上に形成される第１
のダイヤフラム２２、第１のダイヤフラム２２上に形成
される第１のゲージ電極組２６（第１の歪みゲージの
組）、及び基板２１の薄肉部４４が形成された面と反対
側の面からエッチングにより形成される第３の空洞部２
４、第３の空洞部２４の面の一部をエッチングして形成
され、第３の空洞部２４よりも体積の小さい第１の空洞
部２５より構成される。

【００４７】また、外周圧力センサー２２２は第２のダ
イヤフラム２８と、第２のダイヤフラム２８の第３の空
洞部２４に対向する薄肉部４４上に形成される第２のゲ
ージ電極組２７（第２の歪みゲージの組）より構成され
る。

【００４８】そして、第１、第２、第３の空洞部はそれ
ぞれ連通しており、基板２１を第２の基板１６と接合す
ることにより圧力センサー２０が構成されている。

【００４９】本実施例の構成によると、微小圧力が圧力
センサー２０に印加された場合は、第１のダイヤフラム
２２のみが変形し、第１のゲージ電極組２６に出力が現
れる。一方印加圧力が大きくなると、第１のダイヤフラ
ム２２は第２の空洞部２３の底面２９に接触するため、
第２の空洞部２３の深さ以上に変形することがなくなる
ため第１のダイヤフラム２２の破壊が防げる。

【００５０】そして、第１のダイヤフラム２２の変形が
第２の空洞部２３の底面２９に接触した以降にさらに大
きな圧力が印加された場合は、第１のダイヤフラム２２
が第２の空洞部２３の底面２９を変形させるため、第２
のダイヤフラム２８が変形する。この第２のダイヤフラ
ム２８の変形により第２のゲージ電極組２７に出力が現
れる。

【００５１】以上のように、本実施例による圧力センサ
ー２０によれば、微小圧力から大きな圧力までを連続し
て測定することが可能である。例えば、本実施例の圧力
センサー２０で圧力測定を行ったところ、０．０２メガ
パスカル（大気圧の約５分の１）から５メガパスカル
（約５０気圧）の広い範囲に渡り直線性の良い出力が得
られた。

【００５２】なお、本実施例の圧力センサーの製造にあ
たっても、上述した製造方法を適用することができる。
すなわち、図３（ｅ）に示すエッチングによる第１の空
洞部３の形成のかわりに、本実施例の第３の空洞部２４
と第１の空洞部２５の形成を２段階のエッチングに分け
て行えば良い。

【００５３】本実施例では、基板２１は（１００）面単
結晶シリコン、第１のダイヤフラム２２は酸化シリコン
膜とｎ型シリコン膜及び酸化シリコン膜の積層膜である
が、酸化アルミニウム、弗化カルシウム等の他の絶縁膜
とｎ型シリコン膜との積層膜でも可能である。また、絶
縁膜のみの構成や半導体膜等でも可能である。また、ｎ
型シリコン膜以外にも他の不純物が拡散されたシリコン
膜でも良い。

【００５４】また、基板２１は（１００）面単結晶シリ
コンであったが、他の方位の単結晶シリコンでも良く、
また水晶、ガリウム砒素、酸化マグネシウム、タンタル
酸リチウム等の単結晶基板でも可能である。

【００５５】

【発明の効果】以上説明した様に本発明によれば、以下
の様な効果を有する。

【００５６】基板内に任意形状の拡散層を形成し拡散層
を選択的にエッチングするためダイヤフラムの形状を任
意に設定できる。このため、圧力センサーの出力を大き
くできる。

【００５７】また、第２の空洞部を拡散層のエッチング
で精度良く形成できるのでダイヤフラムの大きさが安定
し、そのため耐圧特性及び出力特性が安定する。

【００５８】また、ダイヤフラムの形状及び配置は表面
からのフォトリソプロセスにより造り込むため、ゲージ
電極の位置をアライメントする場合に、薄肉部によりダ
イヤフラムの位置が判定できない従来のフォトリソプロ
セスにより作製する場合よりも、精度よく合わせること
ができる。

【００５９】また、内周圧力センサーと外周圧力センサ
ーの２つの圧力センサーから構成されるため、内周圧力
センサーの第１のダイヤフラムが底面に接した後は外周
圧力センサー第２のダイヤフラムが第１のダイヤフラム
の押されてたわむため、微小圧力から大きな圧力までを
連続して測定することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施例による圧力センサーの断
面図。

【図２】本発明の第１の実施例による圧力センサーの上
面図。

【図３】本発明の第１の実施例における圧力センサーの
製造工程毎の断面図。

【図４】本発明の圧力センサーを複数個隣接して設けた
例を示す上面図。

【図５】図４のＡ−ＡＡ断面図。

【図６】本発明の第２の実施例による圧力センサーの断
面図。

【符号の説明】

１，２０，３０，３１圧力センサー２，２１，３２基板３，２５，３３第１の空洞部４ダイヤフラム５，２３第２の空洞部６開口部７ゲージ電極８ａ，８ｂ絶縁膜９開口部１０不純物の拡散層１１第２の絶縁膜１２ゲージ電極膜１３第３の絶縁膜１５引き出し電極１６，３８第２の基板２２第１のダイヤフラム２４第３の空洞部２６第１のゲージ電極組２７第２のゲージ電極組２８第２のダイヤフラム２９底面３４，４４薄肉部３５第２の空洞部Ａ３６第２の空洞部Ｂ３７ゲージ電極組３９連結部２２１内周圧力センサー２２２外周圧力センサー

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板上に積層された薄肉部の変位により
圧力を検出する圧力センサーにおいて、前記基板の前記薄肉部が積層された面と反対側の面に開
口を有する第１の空洞部と、前記第１の空洞部と連通
し、かつ前記薄肉部と接すると共に、前記薄肉部と接す
る領域の面積が前記第１の空洞部との連通部の開口面積
よりも大となる形状を有する第２の空洞部とを、前記基
板の内部に形成することを特徴とする圧力センサー。
【請求項２】基板上に積層された薄肉部の変位により
圧力を検出する圧力センサーにおいて、前記基板の前記薄肉部が積層された面と反対側の面に開
口を有する第３の空洞部と、前記第３の空洞部の前記薄
肉部側の一部分に開口を有して前記第３の空洞部と連通
し、かつ前記第３の空洞部よりも体積の小さい第１の空
洞部と、前記第１の空洞部と連通し、かつ前記薄肉部と
接すると共に、前記薄肉部と接する領域の面積が前記第
１の空洞部との連通部の開口面積よりも大となる形状を
有する第２の空洞部とを、前記基板の内部に形成し、前記第２の空洞部に対向する前記薄肉部で形成される第
１のダイヤフラムと、前記第２の空洞部に対向する前記
薄肉部上に形成される第１の歪みゲージの組と、前記第
１、第２、第３の空洞部によって輪郭形状が決定され変
位可能となるように構成された基板の一部で形成される
第２のダイヤフラムと、前記第３の空洞部に対向する前
記薄肉部上に形成される第２の歪みゲージの組とを有す
ることを特徴とする圧力センサー。
【請求項３】単結晶基板の一面に不純物を拡散した部
分を形成する工程、前記不純物を拡散した部分に接して
薄肉部を形成する工程、前記基板の不純物を拡散した部
分の反対側の面より前記基板をエッチングして第１の空
洞部を形成する工程、前記第１の空洞部側から前記不純
物を拡散した部分をエッチングして、前記第１の空洞部
と連通し、かつ前記薄肉部と接すると共に、前記薄肉部
と接する領域の面積が前記第１の空洞部との連通部の開
口面積よりも大となる形状を有する第２の空洞部を形成
する工程を含むことを特徴とする圧力センサーの製造方
法。