JPH0868573A - 熱電冷却装置の制御装置と熱基準源および検出器 - Google Patents
熱電冷却装置の制御装置と熱基準源および検出器Info
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- JPH0868573A JPH0868573A JP7130832A JP13083295A JPH0868573A JP H0868573 A JPH0868573 A JP H0868573A JP 7130832 A JP7130832 A JP 7130832A JP 13083295 A JP13083295 A JP 13083295A JP H0868573 A JPH0868573 A JP H0868573A
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- coupled
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- F25—REFRIGERATION OR COOLING; COMBINED HEATING AND REFRIGERATION SYSTEMS; HEAT PUMP SYSTEMS; MANUFACTURE OR STORAGE OF ICE; LIQUEFACTION SOLIDIFICATION OF GASES
- F25B—REFRIGERATION MACHINES, PLANTS OR SYSTEMS; COMBINED HEATING AND REFRIGERATION SYSTEMS; HEAT PUMP SYSTEMS
- F25B21/00—Machines, plants or systems, using electric or magnetic effects
- F25B21/02—Machines, plants or systems, using electric or magnetic effects using Peltier effect; using Nernst-Ettinghausen effect
-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05D—SYSTEMS FOR CONTROLLING OR REGULATING NON-ELECTRIC VARIABLES
- G05D23/00—Control of temperature
- G05D23/19—Control of temperature characterised by the use of electric means
- G05D23/1919—Control of temperature characterised by the use of electric means characterised by the type of controller
-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05D—SYSTEMS FOR CONTROLLING OR REGULATING NON-ELECTRIC VARIABLES
- G05D23/00—Control of temperature
- G05D23/19—Control of temperature characterised by the use of electric means
- G05D23/20—Control of temperature characterised by the use of electric means with sensing elements having variation of electric or magnetic properties with change of temperature
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- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F25—REFRIGERATION OR COOLING; COMBINED HEATING AND REFRIGERATION SYSTEMS; HEAT PUMP SYSTEMS; MANUFACTURE OR STORAGE OF ICE; LIQUEFACTION SOLIDIFICATION OF GASES
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- F25B2321/0212—Control thereof of electric power, current or voltage
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- Control Of Temperature (AREA)
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- Investigating Or Analyzing Materials Using Thermal Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、電流制御を使用し、双極性電圧を
使用する必要のない熱電冷却装置の温度制御装置を提供
することを目的とする。 【構成】 制御される熱電冷却装置15に結合されて温度
フィードバック信号を与える温度センサ16と、温度指令
信号を温度センサ16からのフィードバック信号と比較
し、正の極性の出力電流指令信号を発生するエラー増幅
器12と、電流指令信号の１／２に等しい出力電流を与え
るためにエラー増幅器に結合されている電流駆動装置13
と、加熱および冷却が必要なときに熱電冷却装置15の電
流の方向を切換えるために電流駆動装置13と熱電冷却装
置15との間に結合されているＨブリッジ回路14と、エラ
ー増幅器12およびＨブリッジ回路14に結合され、Ｈブリ
ッジ回路14により熱電冷却装置15に供給される電流を制
御する比較装置19とを具備していることを特徴とする。
使用する必要のない熱電冷却装置の温度制御装置を提供
することを目的とする。 【構成】 制御される熱電冷却装置15に結合されて温度
フィードバック信号を与える温度センサ16と、温度指令
信号を温度センサ16からのフィードバック信号と比較
し、正の極性の出力電流指令信号を発生するエラー増幅
器12と、電流指令信号の１／２に等しい出力電流を与え
るためにエラー増幅器に結合されている電流駆動装置13
と、加熱および冷却が必要なときに熱電冷却装置15の電
流の方向を切換えるために電流駆動装置13と熱電冷却装
置15との間に結合されているＨブリッジ回路14と、エラ
ー増幅器12およびＨブリッジ回路14に結合され、Ｈブリ
ッジ回路14により熱電冷却装置15に供給される電流を制
御する比較装置19とを具備していることを特徴とする。
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は熱検出システム、特に熱
電冷却装置の制御装置と、その制御装置を用いた熱基準
源と、熱基準源と制御装置を使用した検出システムと、
熱較正システムに関する。
電冷却装置の制御装置と、その制御装置を用いた熱基準
源と、熱基準源と制御装置を使用した検出システムと、
熱較正システムに関する。
【０００２】
【従来の技術】本発明の出願人は画像検出システムで熱
基準源を使用する熱画像システムを設計し製造してい
る。このような熱画像システムは熱基準源用の制御装置
を含んでいる熱電冷却装置駆動装置を使用している。熱
基準源を制御するためこのような熱画像システムで使用
される従来の制御装置は熱基準源に供給される電圧の変
化によりその役目を果たす。
基準源を使用する熱画像システムを設計し製造してい
る。このような熱画像システムは熱基準源用の制御装置
を含んでいる熱電冷却装置駆動装置を使用している。熱
基準源を制御するためこのような熱画像システムで使用
される従来の制御装置は熱基準源に供給される電圧の変
化によりその役目を果たす。
【０００３】前述の、および従来使用されていた熱基準
源用の制御装置は熱基準源を駆動するために電圧を使用
している。制御装置の出力段は高電流の双極性パワー入
力を必要とする電力増幅器である。熱基準源が電流制御
装置として最良に限定されるので、電圧制御は目標温度
の変動を導く。
源用の制御装置は熱基準源を駆動するために電圧を使用
している。制御装置の出力段は高電流の双極性パワー入
力を必要とする電力増幅器である。熱基準源が電流制御
装置として最良に限定されるので、電圧制御は目標温度
の変動を導く。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、従来
の設計の問題を克服する改良された熱電冷却装置制御装
置と、この制御装置を用いた熱基準源と、熱基準源と制
御装置を用いた検出器システムと、熱較正システムを提
供することである。
の設計の問題を克服する改良された熱電冷却装置制御装
置と、この制御装置を用いた熱基準源と、熱基準源と制
御装置を用いた検出器システムと、熱較正システムを提
供することである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】前述および他の目的を満
たすため、本発明は熱電冷却制御装置と、制御装置を用
いた熱基準源と、熱基準源と制御装置を用いた検出シス
テムと、熱較正システムとを提供する。熱電冷却装置制
御装置は熱電冷却装置の温度制御手段を提供する。熱電
冷却制御装置は温度フィードバック信号を行う熱電冷却
装置に結合された温度センサを具備する。エラー増幅器
は温度指令（信号）とフィードバック信号とを比較し、
正の極性の出力電流指令信号（ＶＣＭＤ）を発生するよ
うに構成される。電流駆動装置は１／２の電流指令信号
に等しい出力電流を与えるエラー増幅器に結合される。
Ｈブリッジ回路は熱電冷却装置の電流の流れる方向を切
換えこれを加熱および冷却するために電流駆動装置と熱
電冷却装置との間に結合される。比較装置はＨブリッジ
回路により熱電冷却装置に供給される電流を制御するた
めエラー増幅器とＨブリッジ回路に結合される。
たすため、本発明は熱電冷却制御装置と、制御装置を用
いた熱基準源と、熱基準源と制御装置を用いた検出シス
テムと、熱較正システムとを提供する。熱電冷却装置制
御装置は熱電冷却装置の温度制御手段を提供する。熱電
冷却制御装置は温度フィードバック信号を行う熱電冷却
装置に結合された温度センサを具備する。エラー増幅器
は温度指令（信号）とフィードバック信号とを比較し、
正の極性の出力電流指令信号（ＶＣＭＤ）を発生するよ
うに構成される。電流駆動装置は１／２の電流指令信号
に等しい出力電流を与えるエラー増幅器に結合される。
Ｈブリッジ回路は熱電冷却装置の電流の流れる方向を切
換えこれを加熱および冷却するために電流駆動装置と熱
電冷却装置との間に結合される。比較装置はＨブリッジ
回路により熱電冷却装置に供給される電流を制御するた
めエラー増幅器とＨブリッジ回路に結合される。
【０００６】熱基準源は熱電冷却装置と前述の制御装置
とを具備する。検出器システムは検出器と、熱基準源
と、制御装置とを具備する。熱較正システムは熱出力を
検出器と熱基準源と制御装置に提供するために検出器と
熱電冷却装置とを具備する。
とを具備する。検出器システムは検出器と、熱基準源
と、制御装置とを具備する。熱較正システムは熱出力を
検出器と熱基準源と制御装置に提供するために検出器と
熱電冷却装置とを具備する。
【０００７】制御装置は電流を熱基準源に提供するスイ
ッチングコンバータを具備する。スイッチングコンバー
タは単極電源だけから高電力出力を得る。これは高電力
の双極性電圧を供給するための電力変換の必要性を減少
する。ほとんどの熱基準源は＋２８ボルトの入力電源か
ら動作するので、電流源の電流がこの入力電源から直接
来て双極性バイアス電圧は非常に小さいスイッチング調
節装置に限定されることができるため効率は増加する。
ッチングコンバータを具備する。スイッチングコンバー
タは単極電源だけから高電力出力を得る。これは高電力
の双極性電圧を供給するための電力変換の必要性を減少
する。ほとんどの熱基準源は＋２８ボルトの入力電源か
ら動作するので、電流源の電流がこの入力電源から直接
来て双極性バイアス電圧は非常に小さいスイッチング調
節装置に限定されることができるため効率は増加する。
【０００８】特に、本発明は双方向性電流源を使用して
熱基準源の温度を制御する電流を提供する制御装置に関
する。電流源は単一の正電圧源により付勢されるスイッ
チングコンバータを利用することにより構成される。熱
電冷却装置はそこに供給された電流が一方方向に流れる
とき冷却し、電流が反対方向に流れるとき加熱する。双
方向性の温度動作（加熱／冷却）はＨブリッジ回路によ
り出力電流の流れる方向を切換えることにより達成され
る。加熱から冷却の変換およびその逆変換はゼロの出力
電流で達成され、駆動回路と熱電冷却への応力を阻止す
る。
熱基準源の温度を制御する電流を提供する制御装置に関
する。電流源は単一の正電圧源により付勢されるスイッ
チングコンバータを利用することにより構成される。熱
電冷却装置はそこに供給された電流が一方方向に流れる
とき冷却し、電流が反対方向に流れるとき加熱する。双
方向性の温度動作（加熱／冷却）はＨブリッジ回路によ
り出力電流の流れる方向を切換えることにより達成され
る。加熱から冷却の変換およびその逆変換はゼロの出力
電流で達成され、駆動回路と熱電冷却への応力を阻止す
る。
【０００９】動作において、熱電冷却温度（ＶＴＥＭ
Ｐ）は感知され、温度設定点（ＶＳＥＴ）と比較され
る。温度の設定点はパルス幅変調信号の平均である。整
流されたエラー信号は電流源として構成されるバック変
換回路に供給される。出力電流はエラー信号の振幅に比
例する。この出力電流はＨブリッジにより熱電冷却装置
を経て切換えられる。電流の流れる方向は比較装置によ
り決定され、これはＶＳＥＴがＶＴＥＭＰよりも大きい
とき電界効果トランジスタの一方のセットをオンに切換
え、ＶＴＥＭＰがＶＳＥＴよりも大きいとき電界効果ト
ランジスタの他方のセットをオンに切換える。本発明の
種々の特徴および利点は添付図面を伴った後述の詳細な
説明を参照して容易に理解されるであろう。
Ｐ）は感知され、温度設定点（ＶＳＥＴ）と比較され
る。温度の設定点はパルス幅変調信号の平均である。整
流されたエラー信号は電流源として構成されるバック変
換回路に供給される。出力電流はエラー信号の振幅に比
例する。この出力電流はＨブリッジにより熱電冷却装置
を経て切換えられる。電流の流れる方向は比較装置によ
り決定され、これはＶＳＥＴがＶＴＥＭＰよりも大きい
とき電界効果トランジスタの一方のセットをオンに切換
え、ＶＴＥＭＰがＶＳＥＴよりも大きいとき電界効果ト
ランジスタの他方のセットをオンに切換える。本発明の
種々の特徴および利点は添付図面を伴った後述の詳細な
説明を参照して容易に理解されるであろう。
【００１０】
【実施例】図面を参照すると、図１は熱電（ＴＥ）冷却
装置15の温度制御用の本発明の原理による制御装置10を
示している。制御装置10はエラー増幅器12、電流駆動装
置13、Ｈブリッジ回路14、温度センサ16、バッファおよ
びレベルシフト回路18、比較装置19を含んでいる複数の
回路から構成されており、示されているように相互接続
されいる。制御装置10は検出器17を較正するための熱基
準源として使用される熱電冷却装置15の温度を制御する
ために使用される。熱画像システム処理の制御装置イン
ターフェイス11が参照用に示されている。
装置15の温度制御用の本発明の原理による制御装置10を
示している。制御装置10はエラー増幅器12、電流駆動装
置13、Ｈブリッジ回路14、温度センサ16、バッファおよ
びレベルシフト回路18、比較装置19を含んでいる複数の
回路から構成されており、示されているように相互接続
されいる。制御装置10は検出器17を較正するための熱基
準源として使用される熱電冷却装置15の温度を制御する
ために使用される。熱画像システム処理の制御装置イン
ターフェイス11が参照用に示されている。
【００１１】図１で示されている制御装置10は実際のも
のの半分の好ましい実施例を表している。この好ましい
実施例は図１で示されているようにプロセス制御装置イ
ンターフェイス11に結合されている２つの別々の回路を
含んでいる。第２の回路は例えば第２の検出器の較正に
使用される第２の熱電冷却装置への電力を制御する。
のの半分の好ましい実施例を表している。この好ましい
実施例は図１で示されているようにプロセス制御装置イ
ンターフェイス11に結合されている２つの別々の回路を
含んでいる。第２の回路は例えば第２の検出器の較正に
使用される第２の熱電冷却装置への電力を制御する。
【００１２】処理制御装置インターフェイス11は制御装
置10用の電力を提供する単極電圧源20（例えば＋２４Ｖ
および接地帰線）を提供する。処理制御装置インターフ
ェイス11は熱電冷却装置15と検出器17の所望の温度であ
る温度設定点を決定する温度指令（ＴＥＭＰ ＣＭＤ）
出力信号を結合する。処理制御装置インターフェイス11
はまたバッファおよびレベルシフト回路18により温度セ
ンサ16から温度フィードバック信号を受信する。
置10用の電力を提供する単極電圧源20（例えば＋２４Ｖ
および接地帰線）を提供する。処理制御装置インターフ
ェイス11は熱電冷却装置15と検出器17の所望の温度であ
る温度設定点を決定する温度指令（ＴＥＭＰ ＣＭＤ）
出力信号を結合する。処理制御装置インターフェイス11
はまたバッファおよびレベルシフト回路18により温度セ
ンサ16から温度フィードバック信号を受信する。
【００１３】エラー増幅器12は演算増幅器21から構成さ
れ、利得設定に使用される抵抗23と２個のキャパシタ2
2,24 とを含んでいる。図１のツェナーダイオード25に
より表されている電流指令クランプ回路25は演算増幅器
21の出力に結合される。
れ、利得設定に使用される抵抗23と２個のキャパシタ2
2,24 とを含んでいる。図１のツェナーダイオード25に
より表されている電流指令クランプ回路25は演算増幅器
21の出力に結合される。
【００１４】電流駆動装置13は電流フィードバックを行
うように、ＭＯＳＦＥＴスイッチ32の制御に使用される
パルス幅変調回路31と、パルス幅変調回路31とＭＯＳＦ
ＥＴスイッチ32との間に結合された分離変成器33と、バ
ッファおよびレベルシフト回路35を通って駆動装置の出
力（ＯＵＴ１）からパルス幅変調回路31の入力へ結合さ
れる電流感知回路34から構成され、これらは図示のよう
に相互接続している。ＭＯＳＦＥＴスイッチ32の出力は
図示のように結合されているダイオード36、キャパシタ
37、抵抗38、インダクタ39を具備するフィルタ28を通っ
て結合される。
うように、ＭＯＳＦＥＴスイッチ32の制御に使用される
パルス幅変調回路31と、パルス幅変調回路31とＭＯＳＦ
ＥＴスイッチ32との間に結合された分離変成器33と、バ
ッファおよびレベルシフト回路35を通って駆動装置の出
力（ＯＵＴ１）からパルス幅変調回路31の入力へ結合さ
れる電流感知回路34から構成され、これらは図示のよう
に相互接続している。ＭＯＳＦＥＴスイッチ32の出力は
図示のように結合されているダイオード36、キャパシタ
37、抵抗38、インダクタ39を具備するフィルタ28を通っ
て結合される。
【００１５】Ｈブリッジ回路14は電流駆動回路13の出力
と熱電冷却装置15の入力間に結合される２対のＭＯＳＦ
ＥＴスイッチ41,42,43,44 から構成される。温度センサ
16は熱電冷却装置15に結合され、バッファおよびレベル
シフト回路18によりエラー増幅器12の演算増幅器21に結
合される温度フィードバック信号を提供する。各ＭＯＳ
ＦＥＴスイッチ41,42,43,44 への入力信号は加熱または
冷却を感知する比較装置19から結合される。
と熱電冷却装置15の入力間に結合される２対のＭＯＳＦ
ＥＴスイッチ41,42,43,44 から構成される。温度センサ
16は熱電冷却装置15に結合され、バッファおよびレベル
シフト回路18によりエラー増幅器12の演算増幅器21に結
合される温度フィードバック信号を提供する。各ＭＯＳ
ＦＥＴスイッチ41,42,43,44 への入力信号は加熱または
冷却を感知する比較装置19から結合される。
【００１６】図２、３、４は制御装置10の一部の詳細図
を示している。特に、図２は図１の制御装置10のバッフ
ァおよびレベルシフト回路18とエラー増幅器12の詳細図
を示している。バッファおよびレベルシフト回路18は演
算増幅器45を含んでおりその入力は５ボルト基準電圧信
号および温度センサ16からの入力である。入力分路抵抗
46は温度センサ16における一定の電流を設定するために
設けられている。プラスおよびマイナス１５ボルトの電
力は２つのキャパシタ47,48 によりフィルタされて演算
増幅器45を駆動するように供給される。
を示している。特に、図２は図１の制御装置10のバッフ
ァおよびレベルシフト回路18とエラー増幅器12の詳細図
を示している。バッファおよびレベルシフト回路18は演
算増幅器45を含んでおりその入力は５ボルト基準電圧信
号および温度センサ16からの入力である。入力分路抵抗
46は温度センサ16における一定の電流を設定するために
設けられている。プラスおよびマイナス１５ボルトの電
力は２つのキャパシタ47,48 によりフィルタされて演算
増幅器45を駆動するように供給される。
【００１７】演算増幅器45の出力と５ボルト基準信号は
組合されて差動増幅器51に供給される。プラスおよびマ
イナス１５ボルトの電力は２つのキャパシタ55,58 によ
りフィルタされて差動増幅器51を駆動するように供給さ
れる。抵抗フィードバック回路網と電圧駆動装置回路網
は図示のように接続されている複数の抵抗52,53,54,56,
57を具備する差動増幅器51に結合されている。
組合されて差動増幅器51に供給される。プラスおよびマ
イナス１５ボルトの電力は２つのキャパシタ55,58 によ
りフィルタされて差動増幅器51を駆動するように供給さ
れる。抵抗フィードバック回路網と電圧駆動装置回路網
は図示のように接続されている複数の抵抗52,53,54,56,
57を具備する差動増幅器51に結合されている。
【００１８】差動増幅器51の出力は抵抗63を通って処理
制御装置インターフェイス11に結合されている出力フィ
ードバック信号を供給し、出力フィードバック信号はエ
ラー増幅器回路12に供給される。エラー増幅器回路12は
入力が温度指令信号および、差動増幅器51からの出力フ
ィードバック信号である演算増幅器61から構成されてい
る。フィードバックキャパシタ67が演算増幅器61に対し
て設けられている。
制御装置インターフェイス11に結合されている出力フィ
ードバック信号を供給し、出力フィードバック信号はエ
ラー増幅器回路12に供給される。エラー増幅器回路12は
入力が温度指令信号および、差動増幅器51からの出力フ
ィードバック信号である演算増幅器61から構成されてい
る。フィードバックキャパシタ67が演算増幅器61に対し
て設けられている。
【００１９】演算増幅器61の出力は絶対値回路70に結合
されるエラー信号である。絶対値回路70は図示のように
相互接続されている２個の演算増幅器71,81 と、５個の
抵抗72,73,74,78,82と、２個のダイオード75,76 から構
成されている。絶対値回路70の出力は電流指令クランプ
回路25に結合されそれは図示のように相互接続されてい
る３個の抵抗92,93,94とシャント調整器91とを具備して
いる。電流指令クランプ回路25の出力と＋１．５ボルト
の基準電圧信号は、演算増幅器96と、４個の抵抗97,98,
99,100をから構成されるフィードバック回路網とを具備
するバッファおよびレベルシフト回路95に結合されてお
り、これらは図示のように接続されている。バッファお
よびレベルシフト回路95はエラー増幅器12のＶＣＭＤ出
力を構成する。
されるエラー信号である。絶対値回路70は図示のように
相互接続されている２個の演算増幅器71,81 と、５個の
抵抗72,73,74,78,82と、２個のダイオード75,76 から構
成されている。絶対値回路70の出力は電流指令クランプ
回路25に結合されそれは図示のように相互接続されてい
る３個の抵抗92,93,94とシャント調整器91とを具備して
いる。電流指令クランプ回路25の出力と＋１．５ボルト
の基準電圧信号は、演算増幅器96と、４個の抵抗97,98,
99,100をから構成されるフィードバック回路網とを具備
するバッファおよびレベルシフト回路95に結合されてお
り、これらは図示のように接続されている。バッファお
よびレベルシフト回路95はエラー増幅器12のＶＣＭＤ出
力を構成する。
【００２０】図３は図１の制御装置10で使用される電流
駆動回路13の詳細な図を示している。電流駆動回路13は
演算増幅器101 を具備するバッファおよびレベルシフト
回路35から構成され、この増幅器は複数の入力、分圧
器、およびフィードバック抵抗102,103,104,105 を含ん
でおり、これらは図示のように接続されている。バッフ
ァおよびレベルシフト回路35への入力は１．５ボルトの
電圧入力信号に関してレベルをシフトされた電流感知回
路34からのフィードバック信号である。バッファおよび
レベルシフト回路35の出力は抵抗112 によりパルス幅変
調回路111 に結合される。パルス幅変調回路111 はエラ
ー増幅器12から得られるＶＣＭＤ信号と電流感知フィー
ドバック信号とからなる入力信号を処理する。パルス変
調回路111は例えばユニットロード（Unitrode）社によ
り製造されているＵＣ1825パルス幅変調回路であっても
よく、これは図示のように接続されている。
駆動回路13の詳細な図を示している。電流駆動回路13は
演算増幅器101 を具備するバッファおよびレベルシフト
回路35から構成され、この増幅器は複数の入力、分圧
器、およびフィードバック抵抗102,103,104,105 を含ん
でおり、これらは図示のように接続されている。バッフ
ァおよびレベルシフト回路35への入力は１．５ボルトの
電圧入力信号に関してレベルをシフトされた電流感知回
路34からのフィードバック信号である。バッファおよび
レベルシフト回路35の出力は抵抗112 によりパルス幅変
調回路111 に結合される。パルス幅変調回路111 はエラ
ー増幅器12から得られるＶＣＭＤ信号と電流感知フィー
ドバック信号とからなる入力信号を処理する。パルス変
調回路111は例えばユニットロード（Unitrode）社によ
り製造されているＵＣ1825パルス幅変調回路であっても
よく、これは図示のように接続されている。
【００２１】パルス幅変調回路111 の出力はキャパシタ
123 を通して分離変成器33に結合される。分離変成器33
の出力はＭＯＳＦＥＴスイッチ32に結合され、これはそ
こに結合された適切な入力抵抗131,132 とダイオード13
3,134,135,136 とを有する１対のＭＯＳＦＥＴスイッチ
32ａ，32ｂを具備する。出力ダイオード36ａ，36ｂとイ
ンダクタ39を具備する出力フィルタはＭＯＳＦＥＴスイ
ッチ32に結合されている。フィルタ処理された出力電流
はＩOUT 信号として電流感知抵抗110 を経てＨブリッジ
回路14に結合される。電流感知回路34は演算増幅器141
、フィードバック抵抗143 、および分圧抵抗142 とを
具備する。電流感知回路34はバッファおよびレベルシフ
ト回路35に結合されるフィードバック信号を提供するた
めＩOUT 信号を処理する。
123 を通して分離変成器33に結合される。分離変成器33
の出力はＭＯＳＦＥＴスイッチ32に結合され、これはそ
こに結合された適切な入力抵抗131,132 とダイオード13
3,134,135,136 とを有する１対のＭＯＳＦＥＴスイッチ
32ａ，32ｂを具備する。出力ダイオード36ａ，36ｂとイ
ンダクタ39を具備する出力フィルタはＭＯＳＦＥＴスイ
ッチ32に結合されている。フィルタ処理された出力電流
はＩOUT 信号として電流感知抵抗110 を経てＨブリッジ
回路14に結合される。電流感知回路34は演算増幅器141
、フィードバック抵抗143 、および分圧抵抗142 とを
具備する。電流感知回路34はバッファおよびレベルシフ
ト回路35に結合されるフィードバック信号を提供するた
めＩOUT 信号を処理する。
【００２２】図４は図１の制御装置10で使用される比較
装置19とＨブリッジ回路14の詳細図を示している。比較
装置19はエラー増幅器13により発生されるエラー信号を
処理する２個の比較装置151,161 とを具備する。ヒステ
リシスが２個の抵抗154,153により与えられる。プラス
およびマイナス１５ボルトの電力が２つのキャパシタ15
5,156 によりフィルタされて比較装置151,161 を駆動す
るために供給される。比較装置151,161 の出力は抵抗15
7,158,162,163 を有する２つの抵抗回路網と比較装置19
によりＨブリッジ回路14に結合されている。Ｈブリッジ
回路14は４対のＭＯＳＦＥＴスイッチ41,43,42,44 から
構成され、これは複数の抵抗171 乃至178 により共に抵
抗ブリッジ接続される。Ｈブリッジ回路14の出力は熱電
冷却装置15に結合される加熱および冷却電流からなる。
装置19とＨブリッジ回路14の詳細図を示している。比較
装置19はエラー増幅器13により発生されるエラー信号を
処理する２個の比較装置151,161 とを具備する。ヒステ
リシスが２個の抵抗154,153により与えられる。プラス
およびマイナス１５ボルトの電力が２つのキャパシタ15
5,156 によりフィルタされて比較装置151,161 を駆動す
るために供給される。比較装置151,161 の出力は抵抗15
7,158,162,163 を有する２つの抵抗回路網と比較装置19
によりＨブリッジ回路14に結合されている。Ｈブリッジ
回路14は４対のＭＯＳＦＥＴスイッチ41,43,42,44 から
構成され、これは複数の抵抗171 乃至178 により共に抵
抗ブリッジ接続される。Ｈブリッジ回路14の出力は熱電
冷却装置15に結合される加熱および冷却電流からなる。
【００２３】制御装置10の基本動作は図１を参照するこ
とによって最良に理解できるであろう。熱電冷却装置15
の温度（ＶＴＥＭＰ）は温度センサ16により感知され、
温度指令入力信号に対応する温度設定点（ＶＳＥＴ）と
比較される。温度設定点は処理制御インターフェイス11
により発生されたパルス幅変調信号の平均である。エラ
ー信号は電流源または駆動装置13として構成されるバッ
クコンバータ回路に供給される。電流駆動装置13からの
出力電流はエラー信号の振幅に比例する。この出力電流
はＨブリッジ回路14により熱電冷却装置15を通って切換
えられる。電流の流れる方向は比較装置19により決定さ
れ、これはＶＳＥＴがＶＴＥＭＰよりも大きい時、１組
のＭＯＳＦＥＴスイッチ41,42 をオンに切換え、ＶＴＥ
ＭＰがＶＳＥＴよりも大きい時、他方の電界効果トラン
ジスタＭＯＳＦＥＴ43,44 をオンに切換える。
とによって最良に理解できるであろう。熱電冷却装置15
の温度（ＶＴＥＭＰ）は温度センサ16により感知され、
温度指令入力信号に対応する温度設定点（ＶＳＥＴ）と
比較される。温度設定点は処理制御インターフェイス11
により発生されたパルス幅変調信号の平均である。エラ
ー信号は電流源または駆動装置13として構成されるバッ
クコンバータ回路に供給される。電流駆動装置13からの
出力電流はエラー信号の振幅に比例する。この出力電流
はＨブリッジ回路14により熱電冷却装置15を通って切換
えられる。電流の流れる方向は比較装置19により決定さ
れ、これはＶＳＥＴがＶＴＥＭＰよりも大きい時、１組
のＭＯＳＦＥＴスイッチ41,42 をオンに切換え、ＶＴＥ
ＭＰがＶＳＥＴよりも大きい時、他方の電界効果トラン
ジスタＭＯＳＦＥＴ43,44 をオンに切換える。
【００２４】熱電冷却装置15に供給される電流は電流感
知回路34中の感知抵抗110 の両端の電圧により感知され
る。この電流は電圧入力信号ＶＣＭＤと比較され、電流
はこの電圧に合致するように調節される。ＶＣＭＤ入力
信号は電流指令であり、所望の出力電流に対応する。こ
れは所望の温度入力と熱電冷却装置15の実際の温度との
間の差として決定される。２つの電圧が等しいとき、熱
電冷却装置15を通って流れる若干の電流が存在するが、
この電流は周囲温度で変化する。それ故、２つの温度電
圧からＶＣＭＤまでのＤＣ結合通路は存在しない。絶対
値回路70中の演算増幅器71,81 は標準的な整流回路とし
て構成される。双極性のエラー信号は電流駆動装置13中
でパルス幅変調回路31と比較可能であるように正の単極
性にされなければならない。設定温度と実際の温度の間
の差（エラー）が減少すると、ＶＣＭＤは減少し出力電
流も減少する。エラーが０ボルトのときエラー信号は一
方の１対のＭＯＳＦＥＴスイッチ43,44 をオンに切換
え、他方の１対のＭＯＳＦＥＴスイッチ41,42 をオフに
切換えることにより熱電冷却装置15を通る電流の方向を
切換える。ＶＣＭＤが０ボルトであるのでエラーが０ボ
ルトであるとき、スイッチ41,42,43,44 および／または
熱電冷却装置15の不必要な応力が減少される。エラー信
号が変化し続けると、信号の極性が変化する。しかしな
がら、パルス幅変調回路31は正電圧のみを受信するので
絶対値（整流器）回路70が極性を正に維持する。エラー
が減少すると即ち、より負になると電流指令信号（ＶＣ
ＭＤ）は増加し、熱電冷却装置15に与えられる電流は増
加する。これは熱電冷却装置15をより速く加熱（または
冷却）させ、実際の温度を設定温度へ戻す。
知回路34中の感知抵抗110 の両端の電圧により感知され
る。この電流は電圧入力信号ＶＣＭＤと比較され、電流
はこの電圧に合致するように調節される。ＶＣＭＤ入力
信号は電流指令であり、所望の出力電流に対応する。こ
れは所望の温度入力と熱電冷却装置15の実際の温度との
間の差として決定される。２つの電圧が等しいとき、熱
電冷却装置15を通って流れる若干の電流が存在するが、
この電流は周囲温度で変化する。それ故、２つの温度電
圧からＶＣＭＤまでのＤＣ結合通路は存在しない。絶対
値回路70中の演算増幅器71,81 は標準的な整流回路とし
て構成される。双極性のエラー信号は電流駆動装置13中
でパルス幅変調回路31と比較可能であるように正の単極
性にされなければならない。設定温度と実際の温度の間
の差（エラー）が減少すると、ＶＣＭＤは減少し出力電
流も減少する。エラーが０ボルトのときエラー信号は一
方の１対のＭＯＳＦＥＴスイッチ43,44 をオンに切換
え、他方の１対のＭＯＳＦＥＴスイッチ41,42 をオフに
切換えることにより熱電冷却装置15を通る電流の方向を
切換える。ＶＣＭＤが０ボルトであるのでエラーが０ボ
ルトであるとき、スイッチ41,42,43,44 および／または
熱電冷却装置15の不必要な応力が減少される。エラー信
号が変化し続けると、信号の極性が変化する。しかしな
がら、パルス幅変調回路31は正電圧のみを受信するので
絶対値（整流器）回路70が極性を正に維持する。エラー
が減少すると即ち、より負になると電流指令信号（ＶＣ
ＭＤ）は増加し、熱電冷却装置15に与えられる電流は増
加する。これは熱電冷却装置15をより速く加熱（または
冷却）させ、実際の温度を設定温度へ戻す。
【００２５】電流駆動回路13は正の単極電圧源20から出
力電力を得る。コンバータ制御出力は電流感知抵抗110
を経て検出されるとき出力電流である。従って、パルス
幅変調回路31は電圧にかかわらず出力電流のみを制御す
る。これはまた短絡出力の場合、電流制限として動作す
る。
力電力を得る。コンバータ制御出力は電流感知抵抗110
を経て検出されるとき出力電流である。従って、パルス
幅変調回路31は電圧にかかわらず出力電流のみを制御す
る。これはまた短絡出力の場合、電流制限として動作す
る。
【００２６】図１乃至４で示されている制御装置10は研
究室で作られ試験され、前述詳細に説明したように動作
する。この特定の実施例の詳細を以下説明する。熱電冷
却装置15の温度は冷却装置15に位置された温度センサ16
（サーミスタ）から得られる。サーミスタの抵抗値は摂
氏−４０度における８４８オームから摂氏＋５０度にお
ける１１８９オームまでの範囲である。１ｍＡの一定電
流は演算増幅器45により温度センサ16に与えられる。増
幅器45の出力はＶ＝（１ｍＡ）（サーミスタの抵抗）＋
５Ｖである。この電圧は＋５Ｖ乃至＋６．１９Ｖの範囲
である。オフセットと利得係数は差動増幅器51に加算さ
れ、従って出力（ＶＴＥＭＰ）はＶＴＥＭＰ＝（１４．
６０５ｍＶ／オーム）サーミスタ抵抗−１２．３８０で
ある。
究室で作られ試験され、前述詳細に説明したように動作
する。この特定の実施例の詳細を以下説明する。熱電冷
却装置15の温度は冷却装置15に位置された温度センサ16
（サーミスタ）から得られる。サーミスタの抵抗値は摂
氏−４０度における８４８オームから摂氏＋５０度にお
ける１１８９オームまでの範囲である。１ｍＡの一定電
流は演算増幅器45により温度センサ16に与えられる。増
幅器45の出力はＶ＝（１ｍＡ）（サーミスタの抵抗）＋
５Ｖである。この電圧は＋５Ｖ乃至＋６．１９Ｖの範囲
である。オフセットと利得係数は差動増幅器51に加算さ
れ、従って出力（ＶＴＥＭＰ）はＶＴＥＭＰ＝（１４．
６０５ｍＶ／オーム）サーミスタ抵抗−１２．３８０で
ある。
【００２７】これは−４０℃乃至＋５０℃の温度範囲で
０Ｖ乃至＋５Ｖの電圧を生じる。ＶＴＥＭＰは温度エラ
ー信号を発生するように演算増幅器61でＶＳＥＴと比較
される。エラー信号はＨブリッジ信号（熱／冷）を発生
するため比較装置151,161 に供給される。
０Ｖ乃至＋５Ｖの電圧を生じる。ＶＴＥＭＰは温度エラ
ー信号を発生するように演算増幅器61でＶＳＥＴと比較
される。エラー信号はＨブリッジ信号（熱／冷）を発生
するため比較装置151,161 に供給される。
【００２８】エラー信号は約＋１４Ｖ乃至−１４Ｖまで
変化する。パルス幅変調器31への入力は正の信号のみで
なければならず、上限は約７Ｖである。絶対値回路70の
演算増幅器71,81 は入力の絶対値に等しい出力を有する
ように構成されている。出力振幅（ＶＣＭＤ）は最大
３．７９Ｖ、最小３．６５Ｖの電圧に設定される調節可
能なシャント調整器を形成する電流指令クランプ回路25
によりクランプされる。
変化する。パルス幅変調器31への入力は正の信号のみで
なければならず、上限は約７Ｖである。絶対値回路70の
演算増幅器71,81 は入力の絶対値に等しい出力を有する
ように構成されている。出力振幅（ＶＣＭＤ）は最大
３．７９Ｖ、最小３．６５Ｖの電圧に設定される調節可
能なシャント調整器を形成する電流指令クランプ回路25
によりクランプされる。
【００２９】熱電冷却装置15は冷却および加熱が冷却装
置15を通って流れる電流に比例する抵抗負荷である。必
要な電流源を与えるため、バック調整器構造は感知電流
フィードバックを使用する制御装置10で使用される。
置15を通って流れる電流に比例する抵抗負荷である。必
要な電流源を与えるため、バック調整器構造は感知電流
フィードバックを使用する制御装置10で使用される。
【００３０】出力（ＯＵＴ）で流れる電流は電流感知抵
抗110 により感知される。電流感知増幅器は２倍の出力
電流に等しい電圧を発生する。この電圧はパルス幅変調
器回路31に帰還される。パルス幅変調器回路31は冷却装
置15に与えられる電流（ＩOU T ）が１／２の指令信号
（ＶＣＭＤ）であるように設定される。冷却装置15への
最も低い最大電流は１．８２５アンペアであり、最高の
最大電流は１．９８５アンペアである。
抗110 により感知される。電流感知増幅器は２倍の出力
電流に等しい電圧を発生する。この電圧はパルス幅変調
器回路31に帰還される。パルス幅変調器回路31は冷却装
置15に与えられる電流（ＩOU T ）が１／２の指令信号
（ＶＣＭＤ）であるように設定される。冷却装置15への
最も低い最大電流は１．８２５アンペアであり、最高の
最大電流は１．９８５アンペアである。
【００３１】Ｈブリッジ回路14中のＭＯＳＦＥＴスイッ
チ41乃至44は比較装置151,161 により与えられる開コレ
クタ比較装置回路19により制御され、＋１５Ｖに引上げ
られる。第１の比較装置151 は正のエラー信号により制
御される。第２の比較装置161 は負のエラー信号により
制御される。これは両側のＨブリッジ回路14がＭＯＳＦ
ＥＴスイッチ41乃至44の実際の切換え期間に可能なこと
を除いては同時にオンに切換えられないことを確実にす
る。
チ41乃至44は比較装置151,161 により与えられる開コレ
クタ比較装置回路19により制御され、＋１５Ｖに引上げ
られる。第１の比較装置151 は正のエラー信号により制
御される。第２の比較装置161 は負のエラー信号により
制御される。これは両側のＨブリッジ回路14がＭＯＳＦ
ＥＴスイッチ41乃至44の実際の切換え期間に可能なこと
を除いては同時にオンに切換えられないことを確実にす
る。
【００３２】図面を簡明にする目的で図２乃至４で示さ
れた回路で使用されている部分の値および種類を以下に
示す。図２：増幅器45＝ＯＰ400 Ａ、抵抗46＝４．９９
Ｋオーム、キャパシタ47＝０．１μＦ、増幅器51＝ＬＭ
148 、抵抗52＝１．０Ｋオーム、抵抗53＝１６．５Ｋオ
ーム、抵抗54＝549 オーム、キャパシタ55＝０．１μ
Ｆ、抵抗56＝４．６４Ｋオーム、抵抗57＝１８２オー
ム、キャパシタ58＝０．１μＦ、増幅器51＝ＬＭ148 、
抵抗63＝１０Ｋオーム、増幅器71＝ＬＭ148 、抵抗72＝
１０Ｋオーム、抵抗73＝１０Ｋオーム、抵抗74＝１０Ｋ
オーム、ダイオード75,76 ＝１Ｎ4150、抵抗78＝１０Ｋ
オーム、増幅器81＝ＬＭ148 、抵抗82＝１０Ｋオーム、
ダイオード91＝ＴＬ431 Ｍ、１０Ｋオーム、抵抗92＝８
６６オーム、抵抗93＝３０．１Ｋオーム、抵抗94＝３
０．１Ｋオーム、増幅器96＝ＯＰ400 Ａ、抵抗97＝１０
Ｋオーム、抵抗98＝１０Ｋオーム、抵抗99＝１０Ｋオー
ム、抵抗100 ＝１０Ｋオーム。図３：増幅器101 ＝ＬＭ
148 、抵抗102 ＝１０Ｋオーム、抵抗103 ＝１０Ｋオー
ム、抵抗104 ＝１０Ｋオーム、抵抗105 ＝１０Ｋオー
ム、パルス幅変調回路111 ＝ＵＣ1825、抵抗112 ＝１０
Ｋオーム、キャパシタ113 ＝０．０３３μＦ、抵抗114
＝１０Ｋオーム、キャパシタ115 ＝１８００ｐＦ、ダイ
オード121 ＝１Ｎ4150、ダイオード122 ＝１Ｎ5711、キ
ャパシタ113 ＝１μＦ、変成器＝１：１００、抵抗131
＝１０オーム、抵抗132 ＝１０オーム、ダイオード133
＝１Ｎ9688、ダイオード134 ＝１Ｎ9688、ダイオード13
5 ＝１Ｎ9688、ダイオード136 ＝１Ｎ9688、ダイオード
133 ＝１Ｎ9688、ダイオード134 ＝１Ｎ9688、ダイオー
ド36ａ＝１Ｎ5811、ダイオード36ｂ＝１Ｎ5811、インダ
クタ39＝347 μＨ、抵抗38＝39オーム、抵抗103 ＝０．
１０オーム、増幅器141 ＝ＬＭ148 、抵抗142 ＝２０Ｋ
オーム、抵抗143 ＝２０Ｋオーム、抵抗144 ＝１Ｋオー
ム、抵抗145 ＝１Ｋオーム、図４：比較装置151 ＝ＬＭ
139 、抵抗153 ＝１Ｋオーム、抵抗154 ＝１Ｋオーム、
キャパシタ155 ＝０．１μＦ、キャパシタ156 ＝０．１
μＦ、抵抗157 ＝４．９９Ｋオーム、抵抗158 ＝４．９
９Ｋオーム、比較装置161 ＝ＬＭ139 、抵抗162 ＝４．
９９Ｋオーム、抵抗163 ＝４．９９Ｋオーム、抵抗171
乃至178 ＝１０オーム、ＭＯＳＦＥＴ41ａ，41ｂ，42
ａ，42ｂ，43ａ，43ｂ，44ａ，44ｂ＝ＩＲＦＦ130 。
れた回路で使用されている部分の値および種類を以下に
示す。図２：増幅器45＝ＯＰ400 Ａ、抵抗46＝４．９９
Ｋオーム、キャパシタ47＝０．１μＦ、増幅器51＝ＬＭ
148 、抵抗52＝１．０Ｋオーム、抵抗53＝１６．５Ｋオ
ーム、抵抗54＝549 オーム、キャパシタ55＝０．１μ
Ｆ、抵抗56＝４．６４Ｋオーム、抵抗57＝１８２オー
ム、キャパシタ58＝０．１μＦ、増幅器51＝ＬＭ148 、
抵抗63＝１０Ｋオーム、増幅器71＝ＬＭ148 、抵抗72＝
１０Ｋオーム、抵抗73＝１０Ｋオーム、抵抗74＝１０Ｋ
オーム、ダイオード75,76 ＝１Ｎ4150、抵抗78＝１０Ｋ
オーム、増幅器81＝ＬＭ148 、抵抗82＝１０Ｋオーム、
ダイオード91＝ＴＬ431 Ｍ、１０Ｋオーム、抵抗92＝８
６６オーム、抵抗93＝３０．１Ｋオーム、抵抗94＝３
０．１Ｋオーム、増幅器96＝ＯＰ400 Ａ、抵抗97＝１０
Ｋオーム、抵抗98＝１０Ｋオーム、抵抗99＝１０Ｋオー
ム、抵抗100 ＝１０Ｋオーム。図３：増幅器101 ＝ＬＭ
148 、抵抗102 ＝１０Ｋオーム、抵抗103 ＝１０Ｋオー
ム、抵抗104 ＝１０Ｋオーム、抵抗105 ＝１０Ｋオー
ム、パルス幅変調回路111 ＝ＵＣ1825、抵抗112 ＝１０
Ｋオーム、キャパシタ113 ＝０．０３３μＦ、抵抗114
＝１０Ｋオーム、キャパシタ115 ＝１８００ｐＦ、ダイ
オード121 ＝１Ｎ4150、ダイオード122 ＝１Ｎ5711、キ
ャパシタ113 ＝１μＦ、変成器＝１：１００、抵抗131
＝１０オーム、抵抗132 ＝１０オーム、ダイオード133
＝１Ｎ9688、ダイオード134 ＝１Ｎ9688、ダイオード13
5 ＝１Ｎ9688、ダイオード136 ＝１Ｎ9688、ダイオード
133 ＝１Ｎ9688、ダイオード134 ＝１Ｎ9688、ダイオー
ド36ａ＝１Ｎ5811、ダイオード36ｂ＝１Ｎ5811、インダ
クタ39＝347 μＨ、抵抗38＝39オーム、抵抗103 ＝０．
１０オーム、増幅器141 ＝ＬＭ148 、抵抗142 ＝２０Ｋ
オーム、抵抗143 ＝２０Ｋオーム、抵抗144 ＝１Ｋオー
ム、抵抗145 ＝１Ｋオーム、図４：比較装置151 ＝ＬＭ
139 、抵抗153 ＝１Ｋオーム、抵抗154 ＝１Ｋオーム、
キャパシタ155 ＝０．１μＦ、キャパシタ156 ＝０．１
μＦ、抵抗157 ＝４．９９Ｋオーム、抵抗158 ＝４．９
９Ｋオーム、比較装置161 ＝ＬＭ139 、抵抗162 ＝４．
９９Ｋオーム、抵抗163 ＝４．９９Ｋオーム、抵抗171
乃至178 ＝１０オーム、ＭＯＳＦＥＴ41ａ，41ｂ，42
ａ，42ｂ，43ａ，43ｂ，44ａ，44ｂ＝ＩＲＦＦ130 。
【００３３】以上、改良された熱基準源と制御装置とを
使用した新規で改良された追跡システムおよび検出装置
を説明した。前述の実施例は本発明の原理の応用を表し
ている多数の特定の実施例の単なる例示である。明白に
多数のその他の装置が本発明の技術的範囲を逸脱するこ
となく当業者により容易に実施されることができる。
使用した新規で改良された追跡システムおよび検出装置
を説明した。前述の実施例は本発明の原理の応用を表し
ている多数の特定の実施例の単なる例示である。明白に
多数のその他の装置が本発明の技術的範囲を逸脱するこ
となく当業者により容易に実施されることができる。
【図１】熱電冷却装置の温度を制御し検出器の較正に使
用される本発明の原理による制御装置の概略図。
用される本発明の原理による制御装置の概略図。
【図２】図１の制御装置のバッファおよびレベルシフト
回路およびエラー増幅器の詳細図。
回路およびエラー増幅器の詳細図。
【図３】図１の制御装置の電流駆動回路の詳細図。
【図４】図１の制御装置の比較装置とＨブリッジ回路の
詳細図。
詳細図。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ジョー・エー・オーティツ アメリカ合衆国、カリフォルニア州 92641、ガーデン・グローブ、トリスタ ン・ドライブ 9152
Claims (10)
- 【請求項１】 被制御装置に結合されて温度フィードバ
ック信号を提供する温度センサと、 温度指令信号を温度センサからのフィードバック信号と
比較し、正の極性の出力電流指令信号を発生するエラー
増幅器と、 電流指令信号の１／２に等しい出力電流を与えるために
エラー増幅器に結合されている電流駆動装置と、 加熱および冷却が必要なときに熱電冷却装置の電流の流
れる方向を切換えるために電流駆動装置と被制御装置の
間に結合されているＨブリッジ回路と、 エラー増幅器およびＨブリッジ回路に結合され、Ｈブリ
ッジ回路により被制御装置に供給されている電流を制御
するための比較装置とを具備していることを特徴とする
被制御装置の温度制御装置。 - 【請求項２】 前記電流駆動装置は、 ＭＯＳＦＥＴスイッチと、 エラー増幅器出力電圧に比例する出力電流を与えるため
にエラー増幅器に結合されているパルス幅変調回路と、 電流フィードバックを行うために出力フィルタのインダ
クタとＨブリッジ回路の出力との間に結合されている電
流感知回路とを具備している請求項１記載の方法。 - 【請求項３】 電流駆動装置が電流感知回路とパルス幅
変調回路との間に結合されているバッファおよびレベル
シフト回路をさらに具備している請求項２記載の装置。 - 【請求項４】 ＭＯＳＦＥＴスイッチの出力とＨブリッ
ジ回路との間に結合されているフィルタをさらに具備し
ている請求項２記載の方法。 - 【請求項５】 エラー増幅器が、 エラー信号の絶対値を決定する絶対値回路と、 絶対値回路の出力に結合されている電流指令クランプ回
路と、 正の極性の電流指令信号を発生させるために電流指令ク
ランプ回路に結合されているバッファおよびレベルシフ
ト回路とを具備している請求項１記載の装置。 - 【請求項６】 温度センサとエラー増幅器の間に結合さ
れるバッファおよびレベルシフト回路をさらに具備して
いる請求項５記載の装置。 - 【請求項７】 Ｈブリッジ回路が電流駆動回路の出力と
被制御装置の熱電冷却装置の入力との間に結合されてい
る２対のＭＯＳＦＥＴスイッチから構成されている請求
項１記載の装置。 - 【請求項８】 被制御装置が熱電冷却装置を具備してい
る請求項１記載の装置。 - 【請求項９】 熱電冷却装置が熱出力を与えるための熱
基準源を具備する請求項８記載の装置。 - 【請求項１０】 熱較正システムを具備し、さらに検出
器を有し、熱電冷却装置は検出器に結合されている請求
項８記載の装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US08/250,249 US5450727A (en) | 1994-05-27 | 1994-05-27 | Thermoelectric cooler controller, thermal reference source and detector |
| US250249 | 1994-05-27 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0868573A true JPH0868573A (ja) | 1996-03-12 |
| JP3261008B2 JP3261008B2 (ja) | 2002-02-25 |
Family
ID=22946957
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13083295A Expired - Fee Related JP3261008B2 (ja) | 1994-05-27 | 1995-05-29 | 熱電冷却装置の制御装置 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5450727A (ja) |
| EP (1) | EP0684536B1 (ja) |
| JP (1) | JP3261008B2 (ja) |
| DE (1) | DE69515721T2 (ja) |
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