JPH0873400A - 光学活性シクロプロパンカルボン酸誘導体の製造法 - Google Patents
光学活性シクロプロパンカルボン酸誘導体の製造法Info
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- JPH0873400A JPH0873400A JP6208423A JP20842394A JPH0873400A JP H0873400 A JPH0873400 A JP H0873400A JP 6208423 A JP6208423 A JP 6208423A JP 20842394 A JP20842394 A JP 20842394A JP H0873400 A JPH0873400 A JP H0873400A
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
- Y02P20/52—Improvements relating to the production of bulk chemicals using catalysts, e.g. selective catalysts
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- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】一般式（２）
で示されるシクロプロペンカルボン酸誘導体を、一般式
（３） で示される光学活性メタロセニルホスフィン誘導体で修
飾した金属触媒の存在下に、不斉水素還元することを特
徴とする一般式（１） で示される光学活性シクロプロパンカルボン酸誘導体の
製造法。 【効果】好転化率、好収率で容易に一般式（１）で示さ
れる光学活性シクロプロパンカルボン酸誘導体、特にそ
のシス体を製造することができる。
（３） で示される光学活性メタロセニルホスフィン誘導体で修
飾した金属触媒の存在下に、不斉水素還元することを特
徴とする一般式（１） で示される光学活性シクロプロパンカルボン酸誘導体の
製造法。 【効果】好転化率、好収率で容易に一般式（１）で示さ
れる光学活性シクロプロパンカルボン酸誘導体、特にそ
のシス体を製造することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光学活性シクロプロパ
ンカルボン酸誘導体の製造法に関する。
ンカルボン酸誘導体の製造法に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般式（１） （式中、Ｒ1 は低級アルキル基、炭素数５〜８のシクロ
アルキル基、アリール基または炭素数５〜６のヘテロ環
を、Ｒ2 は低級アルキル基またはアリール基をそれぞれ
示す。）で示される光学活性シクロプロパンカルボン酸
誘導体は、そのカルボン酸基を容易にアミン、アルコー
ルなどへ変換することが可能であり、とりわけ上記一般
式において置換基Ｒ1 とカルボキシル基がシス配置であ
るシス体は医薬などの製造のための重要な光学活性中間
体としてよく知られている。
アルキル基、アリール基または炭素数５〜６のヘテロ環
を、Ｒ2 は低級アルキル基またはアリール基をそれぞれ
示す。）で示される光学活性シクロプロパンカルボン酸
誘導体は、そのカルボン酸基を容易にアミン、アルコー
ルなどへ変換することが可能であり、とりわけ上記一般
式において置換基Ｒ1 とカルボキシル基がシス配置であ
るシス体は医薬などの製造のための重要な光学活性中間
体としてよく知られている。
【０００３】従来、このような光学活性シクロプロパン
カルボン酸誘導体の製造法としては、不斉銅触媒を用い
たオレフィンとジアゾ酢酸エステルによる不斉シクロプ
ロパン化によりカルボン酸エステルとして製造する方法
がよく知られている。しかし、この方法により得られる
生成物はシス／トランス混合物であり、かつジアゾ酢酸
エステルのエステル部位を大きくしないと一般的に光学
純度は高くないという問題がある。また、不斉シクロプ
ロパン化はオレフィンの種類により反応性が大きく異な
り、三置換オレフィンでは一般的にシス／トランスの異
性体比率、光学純度が低いため、目的の光学活性シクロ
プロパンカルボン酸誘導体を得るためにはシス体とトラ
ンス体の分離、光学分割などの操作が必要となり、非常
に煩雑であるという問題がある。
カルボン酸誘導体の製造法としては、不斉銅触媒を用い
たオレフィンとジアゾ酢酸エステルによる不斉シクロプ
ロパン化によりカルボン酸エステルとして製造する方法
がよく知られている。しかし、この方法により得られる
生成物はシス／トランス混合物であり、かつジアゾ酢酸
エステルのエステル部位を大きくしないと一般的に光学
純度は高くないという問題がある。また、不斉シクロプ
ロパン化はオレフィンの種類により反応性が大きく異な
り、三置換オレフィンでは一般的にシス／トランスの異
性体比率、光学純度が低いため、目的の光学活性シクロ
プロパンカルボン酸誘導体を得るためにはシス体とトラ
ンス体の分離、光学分割などの操作が必要となり、非常
に煩雑であるという問題がある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】このようなことから、
本発明者は前記一般式（１）で示される光学活性シクロ
プロパンカルボン酸誘導体特にそのシス体を好光学純度
で、効率よく容易に製造する方法について検討の結果、
本発明に至った。
本発明者は前記一般式（１）で示される光学活性シクロ
プロパンカルボン酸誘導体特にそのシス体を好光学純度
で、効率よく容易に製造する方法について検討の結果、
本発明に至った。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、一般式（２） （式中、Ｒ1 およびＲ2 は前記と同じ意味を有する。）
で示されるシクロプロペンカルボン酸誘導体を、一般式
（３） （式中、Ｒ3 およびＲ4 は低級アルキル基を、Ｒ5 およ
びＲ6 は水素原子または低級アルキル基をそれぞれ示
す。またＲ5 、Ｒ6 が結合して窒素原子とともにヘテロ
環を形成してもよく、そのヘテロ環はさらに酸素原子ま
たは窒素原子を含んでいてもよい。Ｐｈはフェニル基を
示し、ＭはＦｅまたはＲｕを示す。ｎは１〜３の整数で
ある。）で示される光学活性メタロセニルホスフィン誘
導体で修飾した金属触媒の存在下に、不斉水素還元する
ことを特徴とする前記一般式（１）で示される光学活性
シクロプロパンカルボン酸誘導体、特にそのシス体の製
造法を提供するものである。
で示されるシクロプロペンカルボン酸誘導体を、一般式
（３） （式中、Ｒ3 およびＲ4 は低級アルキル基を、Ｒ5 およ
びＲ6 は水素原子または低級アルキル基をそれぞれ示
す。またＲ5 、Ｒ6 が結合して窒素原子とともにヘテロ
環を形成してもよく、そのヘテロ環はさらに酸素原子ま
たは窒素原子を含んでいてもよい。Ｐｈはフェニル基を
示し、ＭはＦｅまたはＲｕを示す。ｎは１〜３の整数で
ある。）で示される光学活性メタロセニルホスフィン誘
導体で修飾した金属触媒の存在下に、不斉水素還元する
ことを特徴とする前記一般式（１）で示される光学活性
シクロプロパンカルボン酸誘導体、特にそのシス体の製
造法を提供するものである。
【０００６】本発明の方法における原料化合物であるシ
クロプロペンカルボン酸誘導体は上記一般式（２）で示
されるが、該式における置換基Ｒ1 の低級アルキル基と
してはメチル、エチル、イソプロピル、ｎ−プロピル、
ｎ−ブチル、ｔ−ブチルなどが、炭素数５〜８のシクロ
アルキル基としてはシクロペンチル、シクロヘキシル、
シクロオクチルなどが、アリール基としてはフェニル、
トリル、キシリル、イソプロピルフェニル、メトキシフ
ェニル、プロポキシフェニルなどの低級アルキルもしく
は低級アルコキシルで置換されていてもよいフェニル基
などが、炭素数５〜６のヘテロ環としてはフリル、ピリ
ジル、ピペリジルなどがそれぞれ例示される。また、置
換基Ｒ2 の低級アルキル基、アリール基についても上記
と同様に例示される。
クロプロペンカルボン酸誘導体は上記一般式（２）で示
されるが、該式における置換基Ｒ1 の低級アルキル基と
してはメチル、エチル、イソプロピル、ｎ−プロピル、
ｎ−ブチル、ｔ−ブチルなどが、炭素数５〜８のシクロ
アルキル基としてはシクロペンチル、シクロヘキシル、
シクロオクチルなどが、アリール基としてはフェニル、
トリル、キシリル、イソプロピルフェニル、メトキシフ
ェニル、プロポキシフェニルなどの低級アルキルもしく
は低級アルコキシルで置換されていてもよいフェニル基
などが、炭素数５〜６のヘテロ環としてはフリル、ピリ
ジル、ピペリジルなどがそれぞれ例示される。また、置
換基Ｒ2 の低級アルキル基、アリール基についても上記
と同様に例示される。
【０００７】このような一般式（２）で示されるシクロ
プロペンカルボン酸誘導体として、具体的には３，３−
ジメチル−２−メチル−シクロプロペンカルボン酸、
３，３−ジメチル−２−（ｎ−プロピル）−シクロプロ
ペンカルボン酸、３，３−ジメチル−２−フェニル−シ
クロプロペンカルボン酸、３，３−ジメチル−２−（ｐ
−トリル）−シクロプロペンカルボン酸、３，３−ジエ
チル−２−（ｐ−メトキシフェニル）−シクロプロペン
カルボン酸、３，３−ジメチル−２−シクロヘキシル−
シクロプロペンカルボン酸、３，３−ジフェニル−２−
メチル−シクロプロペンカルボン酸、３，３−ジメチル
−２−ピリジル−シクロプロペンカルボン酸などが例示
され、これらはたとえばJ.Am.Chem.Soc., Vol.85, 99(1
963)、J.Chem.Soc.Perkin Trans. I, 1845(1986)などに
記載の方法により製造することができる。
プロペンカルボン酸誘導体として、具体的には３，３−
ジメチル−２−メチル−シクロプロペンカルボン酸、
３，３−ジメチル−２−（ｎ−プロピル）−シクロプロ
ペンカルボン酸、３，３−ジメチル−２−フェニル−シ
クロプロペンカルボン酸、３，３−ジメチル−２−（ｐ
−トリル）−シクロプロペンカルボン酸、３，３−ジエ
チル−２−（ｐ−メトキシフェニル）−シクロプロペン
カルボン酸、３，３−ジメチル−２−シクロヘキシル−
シクロプロペンカルボン酸、３，３−ジフェニル−２−
メチル−シクロプロペンカルボン酸、３，３−ジメチル
−２−ピリジル−シクロプロペンカルボン酸などが例示
され、これらはたとえばJ.Am.Chem.Soc., Vol.85, 99(1
963)、J.Chem.Soc.Perkin Trans. I, 1845(1986)などに
記載の方法により製造することができる。
【０００８】本発明は、光学活性メタロセニルホスフィ
ン誘導体で修飾した金属触媒を使用するものであり、該
光学活性メタロセニルホスフィン誘導体は前記した一般
式（３）で示されるとおりであるが、該式における置換
基Ｒ3 〜Ｒ6 の低級アルキル基としてはメチル、エチ
ル、イソプロピル、ｎ−プロピル、ｎ−ブチル、ｔ−ブ
チルなどが例示され、Ｒ5 、Ｒ6 が結合して窒素原子と
ともに形成するヘテロ環としてはピペリジル基、ピロリ
ジル基、イミダゾリル基、オキサゾリル基などが例示さ
れる。かかる化合物において、置換基Ｒ3 がメチル基ま
たはエチル基を、Ｒ4 がメチル基を、Ｒ5 およびＲ6 が
ともに低級アルキル基であるかＲ5 およびＲ6 が結合し
て窒素原子とともにピペリジル基、ピロリジル基などの
ヘテロ環を形成し、ｎが２を示す化合物が好ましく使用
される。
ン誘導体で修飾した金属触媒を使用するものであり、該
光学活性メタロセニルホスフィン誘導体は前記した一般
式（３）で示されるとおりであるが、該式における置換
基Ｒ3 〜Ｒ6 の低級アルキル基としてはメチル、エチ
ル、イソプロピル、ｎ−プロピル、ｎ−ブチル、ｔ−ブ
チルなどが例示され、Ｒ5 、Ｒ6 が結合して窒素原子と
ともに形成するヘテロ環としてはピペリジル基、ピロリ
ジル基、イミダゾリル基、オキサゾリル基などが例示さ
れる。かかる化合物において、置換基Ｒ3 がメチル基ま
たはエチル基を、Ｒ4 がメチル基を、Ｒ5 およびＲ6 が
ともに低級アルキル基であるかＲ5 およびＲ6 が結合し
て窒素原子とともにピペリジル基、ピロリジル基などの
ヘテロ環を形成し、ｎが２を示す化合物が好ましく使用
される。
【０００９】このような光学活性メタロセニルホスフィ
ン誘導体として、たとえば、 （Ｒ）−Ｎ−メチル−〔２−（ジエチルアミノ）エチ
ル〕−１−〔（Ｓ）−１',２−ビス（ジフェニルホスフ
ィノ）フェロセニル〕エチルアミン （Ｒ）−Ｎ−メチル−〔２−（ジエチルアミノ）エチ
ル〕−１−〔（Ｓ）−１',２−ビス（ジフェニルホスフ
ィノ）ルテノセニル〕プロピルアミン （Ｒ）−Ｎ−メチル−〔２−（ピペリジル）エチル〕−
１−〔（Ｓ）−１',２−ビス（ジフェニルホスフィノ）
フェロセニル〕エチルアミン などが具体的に挙げられ、これらはBull.Chem.Soc.Jp
n.,Vol.53,1138(1980)、J.Organomet.Chem.,No.382,19
(1990),Tetrahedron:Asymmetry,Vol.4,1763(1993)など
に記載の方法に準じて容易に製造することができる。
ン誘導体として、たとえば、 （Ｒ）−Ｎ−メチル−〔２−（ジエチルアミノ）エチ
ル〕−１−〔（Ｓ）−１',２−ビス（ジフェニルホスフ
ィノ）フェロセニル〕エチルアミン （Ｒ）−Ｎ−メチル−〔２−（ジエチルアミノ）エチ
ル〕−１−〔（Ｓ）−１',２−ビス（ジフェニルホスフ
ィノ）ルテノセニル〕プロピルアミン （Ｒ）−Ｎ−メチル−〔２−（ピペリジル）エチル〕−
１−〔（Ｓ）−１',２−ビス（ジフェニルホスフィノ）
フェロセニル〕エチルアミン などが具体的に挙げられ、これらはBull.Chem.Soc.Jp
n.,Vol.53,1138(1980)、J.Organomet.Chem.,No.382,19
(1990),Tetrahedron:Asymmetry,Vol.4,1763(1993)など
に記載の方法に準じて容易に製造することができる。
【００１０】本発明は、このような光学活性メタロセニ
ルホスフィン誘導体で修飾した金属触媒を使用するもの
であり、たとえばRh(COD)2BF4 、[RuCl2(COD)]n などの
金属成分を含むカチオン錯体と上記した光学活性メタロ
セニルホスフィン誘導体を配位子交換させることにより
製造することができ、この場合にRh2(COD)2Cl2のような
金属錯体とAgBF4 のような銀塩および光学活性メタロセ
ニルホスフィン誘導体とを反応系中で混合して調製する
こともできる。かかる光学活性メタロセニルホスフィン
誘導体で修飾した金属触媒において、金属成分としては
遷移金属、特にロジウム、イリジウム、ルテニウムが好
ましく使用される。このような光学活性メタロセニルホ
スフィン誘導体で修飾した金属触媒として、具体的には
Rh[(R)-(S)-BPPF-NMeCH2CH2NEt2](COD)BF4、Rh[(R)-(S)
-Et-BPPR-NMeCH2CH2NEt2](NBD)BF4 、Ru2Cl2[(R)-(S)-B
PPF-NMeCH2CH2NEt2]2 などを例示することができる。上
記において、(R)-(S)-BPPF-NMeCH2CH2NEt2は（Ｒ）−Ｎ
−メチル−〔２−（ジエチルアミノ）エチル〕−１−
〔（Ｓ）−１' ，２−ビス（ジフェニルホスフィノ）フ
ェロセニル〕エチルアミンを、(R)-(S)-Et-BPPR-NMeCH2
CH2NEt2 は（Ｒ）−Ｎ−メチル−〔２−（ジエチルアミ
ノ）エチル〕−１−〔（Ｓ）−１' ，２−ビス（ジフェ
ニルホスフィノ）ルテロセニル〕プロピルアミンを、Ｃ
ＯＤは１，５−シクロオクタジエンを、ＮＢＤは２，５
−ノルボルナジエンをそれぞれ示すものである。
ルホスフィン誘導体で修飾した金属触媒を使用するもの
であり、たとえばRh(COD)2BF4 、[RuCl2(COD)]n などの
金属成分を含むカチオン錯体と上記した光学活性メタロ
セニルホスフィン誘導体を配位子交換させることにより
製造することができ、この場合にRh2(COD)2Cl2のような
金属錯体とAgBF4 のような銀塩および光学活性メタロセ
ニルホスフィン誘導体とを反応系中で混合して調製する
こともできる。かかる光学活性メタロセニルホスフィン
誘導体で修飾した金属触媒において、金属成分としては
遷移金属、特にロジウム、イリジウム、ルテニウムが好
ましく使用される。このような光学活性メタロセニルホ
スフィン誘導体で修飾した金属触媒として、具体的には
Rh[(R)-(S)-BPPF-NMeCH2CH2NEt2](COD)BF4、Rh[(R)-(S)
-Et-BPPR-NMeCH2CH2NEt2](NBD)BF4 、Ru2Cl2[(R)-(S)-B
PPF-NMeCH2CH2NEt2]2 などを例示することができる。上
記において、(R)-(S)-BPPF-NMeCH2CH2NEt2は（Ｒ）−Ｎ
−メチル−〔２−（ジエチルアミノ）エチル〕−１−
〔（Ｓ）−１' ，２−ビス（ジフェニルホスフィノ）フ
ェロセニル〕エチルアミンを、(R)-(S)-Et-BPPR-NMeCH2
CH2NEt2 は（Ｒ）−Ｎ−メチル−〔２−（ジエチルアミ
ノ）エチル〕−１−〔（Ｓ）−１' ，２−ビス（ジフェ
ニルホスフィノ）ルテロセニル〕プロピルアミンを、Ｃ
ＯＤは１，５−シクロオクタジエンを、ＮＢＤは２，５
−ノルボルナジエンをそれぞれ示すものである。
【００１１】本発明の方法において、かかる光学活性メ
タロセニルホスフィン誘導体で修飾した金属触媒の使用
量は、原料の一般式（２）で示されるシクロプロペンカ
ルボン酸誘導体に対して０．００１〜１０モル％、好ま
しくは０．０１〜１モル％の範囲である。
タロセニルホスフィン誘導体で修飾した金属触媒の使用
量は、原料の一般式（２）で示されるシクロプロペンカ
ルボン酸誘導体に対して０．００１〜１０モル％、好ま
しくは０．０１〜１モル％の範囲である。
【００１２】反応は、通常溶媒中で行われ、溶媒として
は反応に不活性であれば特に限定されることなく使用で
きるが、たとえばメタノール、エタノール、イソプロパ
ノール、ブタノール、ベンゼン、トルエン、テトラヒド
ロフラン、ジクロロメタンなどの各種有機溶媒または水
あるいはこれらの混合物が挙げられるが、メタノール、
エタノールが好ましく使用される。溶媒の使用量は、原
料シクロプロペンカルボン酸誘導体に対して通常１〜５
００重量倍、好ましくは１０〜２００重量倍である。
は反応に不活性であれば特に限定されることなく使用で
きるが、たとえばメタノール、エタノール、イソプロパ
ノール、ブタノール、ベンゼン、トルエン、テトラヒド
ロフラン、ジクロロメタンなどの各種有機溶媒または水
あるいはこれらの混合物が挙げられるが、メタノール、
エタノールが好ましく使用される。溶媒の使用量は、原
料シクロプロペンカルボン酸誘導体に対して通常１〜５
００重量倍、好ましくは１０〜２００重量倍である。
【００１３】還元反応に際しての水素圧力は、一般的に
は常圧〜５００ｋｇ／ｃｍ2 の範囲であるが、好ましく
は１０〜１５０ｋｇ／ｃｍ2 の範囲である。反応温度は
０〜１５０℃、好ましくは２０〜１００℃の範囲であ
る。この反応において、反応系に三級アミン、たとえば
トリエチルアミン、トリ−ｎ−プロピルアミンなどを添
加することは、反応性の向上のために有効である。三級
アミンを使用する場合、その効果を発現させるための使
用量は金属触媒に対して０．１〜１００モル倍、好まし
くは１〜２０モル倍である。
は常圧〜５００ｋｇ／ｃｍ2 の範囲であるが、好ましく
は１０〜１５０ｋｇ／ｃｍ2 の範囲である。反応温度は
０〜１５０℃、好ましくは２０〜１００℃の範囲であ
る。この反応において、反応系に三級アミン、たとえば
トリエチルアミン、トリ−ｎ−プロピルアミンなどを添
加することは、反応性の向上のために有効である。三級
アミンを使用する場合、その効果を発現させるための使
用量は金属触媒に対して０．１〜１００モル倍、好まし
くは１〜２０モル倍である。
【００１４】
【発明の効果】本発明の方法によれば、好転化率、好収
率で容易に前記一般式（１）で示される光学活性シクロ
プロパンカルボン酸誘導体、とくにそのシス体を製造す
ることができ、また、立体配置を変えた光学活性なメタ
ロセニルホスフィン誘導体で修飾された金属触媒を使用
することにより、生成する光学活性シクロプロパンカル
ボン酸誘導体の立体配置を制御することができる。
率で容易に前記一般式（１）で示される光学活性シクロ
プロパンカルボン酸誘導体、とくにそのシス体を製造す
ることができ、また、立体配置を変えた光学活性なメタ
ロセニルホスフィン誘導体で修飾された金属触媒を使用
することにより、生成する光学活性シクロプロパンカル
ボン酸誘導体の立体配置を制御することができる。
【００１５】
【実施例】以下、実施例により本発明を説明するが、本
発明がこれによって限定されるものでないことはいうま
でもない。
発明がこれによって限定されるものでないことはいうま
でもない。
【００１６】実施例１ Rh2(COD)2Cl2 １．２ｍｇ（０．００２５ミリモル）、
AgBF4 １．０ｍｇ（０．００５ミリモル）、(R)-(S)-Et
-BPPR-NMeCH2CH2NEt2 ４．８ｍｇ（０．００６２５ミリ
モル）、トリエチルアミン５．１ｍｇ（０．０５ミリモ
ル）およびメタノール７．５ｍｌを３５ｍｌ容のオート
クレーブに仕込み、溶解した。これに、３，３−ジメチ
ル−２−フェニルシクロプロペンカルボン酸１８８．２
ｍｇ（１ミリモル）を加え、溶解した。オートクレーブ
内を水素ガス置換後、水素圧５０ｋｇ／ｃｍ2 に加圧
し、室温で６６時間攪拌した。反応終了後、水素を除圧
し、メタノールを留去したのち、アルカリ抽出、酸析、
エーテル抽出および濃縮を行ない、ｃｉｓ（＋）−３，
３−ジメチル−２−フェニルシクロプロパンカルボン酸
１８８．２ｍｇを得た。 転化率 １００％ 選択率 ＞９８％ 光学収率 ９４．２％ｅｅ ｃｉｓ（＋） 旋光度 〔α〕D 25＝＋８．６°（ｃ＝１．０
３、CHCl3 ） 尚、転化率、選択率はＮＭＲにより、光学収率は光学活
性カラムを用いた液体クロマトグラムおよび旋光度によ
り算出した。また、(R)-(S)-Et-BPPR-NMeCH2CH2NEt2 の
構造は次のとおりである。
AgBF4 １．０ｍｇ（０．００５ミリモル）、(R)-(S)-Et
-BPPR-NMeCH2CH2NEt2 ４．８ｍｇ（０．００６２５ミリ
モル）、トリエチルアミン５．１ｍｇ（０．０５ミリモ
ル）およびメタノール７．５ｍｌを３５ｍｌ容のオート
クレーブに仕込み、溶解した。これに、３，３−ジメチ
ル−２−フェニルシクロプロペンカルボン酸１８８．２
ｍｇ（１ミリモル）を加え、溶解した。オートクレーブ
内を水素ガス置換後、水素圧５０ｋｇ／ｃｍ2 に加圧
し、室温で６６時間攪拌した。反応終了後、水素を除圧
し、メタノールを留去したのち、アルカリ抽出、酸析、
エーテル抽出および濃縮を行ない、ｃｉｓ（＋）−３，
３−ジメチル−２−フェニルシクロプロパンカルボン酸
１８８．２ｍｇを得た。 転化率 １００％ 選択率 ＞９８％ 光学収率 ９４．２％ｅｅ ｃｉｓ（＋） 旋光度 〔α〕D 25＝＋８．６°（ｃ＝１．０
３、CHCl3 ） 尚、転化率、選択率はＮＭＲにより、光学収率は光学活
性カラムを用いた液体クロマトグラムおよび旋光度によ
り算出した。また、(R)-(S)-Et-BPPR-NMeCH2CH2NEt2 の
構造は次のとおりである。
【００１７】実施例２ (R)-(S)-Et-BPPR-NMeCH2CH2NEt2 に代えて(R)-(S)-BPPF
-NMeCH2CH2NEt2を使用する以外は実施例１と同様に反
応、後処理を行ない、ｃｉｓ（＋）−３，３−ジメチル
−２−フェニルシクロプロパンカルボン酸１８６ｍｇを
得た。 転化率 １００％ 選択率 ＞９８％ 光学収率 ９０．７％ｅｅ ｃｉｓ（＋） 尚、(R)-(S)-BPPF-NMeCH2CH2NEt2の構造は次のとおりで
ある。
-NMeCH2CH2NEt2を使用する以外は実施例１と同様に反
応、後処理を行ない、ｃｉｓ（＋）−３，３−ジメチル
−２−フェニルシクロプロパンカルボン酸１８６ｍｇを
得た。 転化率 １００％ 選択率 ＞９８％ 光学収率 ９０．７％ｅｅ ｃｉｓ（＋） 尚、(R)-(S)-BPPF-NMeCH2CH2NEt2の構造は次のとおりで
ある。
Claims (3)
- 【請求項１】一般式（２） （式中、Ｒ1 は低級アルキル基、炭素数５〜８のシクロ
アルキル基、アリール基または炭素数５〜６のヘテロ環
を、Ｒ2 は水素原子、低級アルキル基またはアリール基
をそれぞれ示す。）で示されるシクロプロペンカルボン
酸誘導体を、一般式（３） （式中、Ｒ3 およびＲ4 は低級アルキル基を、Ｒ5 およ
びＲ6 は水素原子または低級アルキル基をそれぞれ示
す。またＲ5 、Ｒ6 が結合して窒素原子とともにヘテロ
環を形成してもよく、そのヘテロ環はさらに酸素原子ま
たは窒素原子を含んでいてもよい。Ｐｈはフェニル基を
示し、ＭはＦｅまたはＲｕを示す。ｎは１〜３の整数で
ある。）で示される光学活性メタロセニルホスフィン誘
導体で修飾した金属触媒の存在下に、不斉水素還元する
ことを特徴とする一般式（１） （式中、Ｒ1 およびＲ2 は前記と同じ意味を有する。）
で示される光学活性シクロプロパンカルボン酸誘導体の
製造法。 - 【請求項２】金属触媒の金属成分が遷移元素である請求
項１に記載の光学活性シクロプロパンカルボン酸誘導体
の製造法。 - 【請求項３】遷移元素がロジウム、イリジウムまたはル
テニウムであるである請求項２に記載の光学活性シクロ
プロパンカルボン酸誘導体の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6208423A JPH0873400A (ja) | 1994-09-01 | 1994-09-01 | 光学活性シクロプロパンカルボン酸誘導体の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6208423A JPH0873400A (ja) | 1994-09-01 | 1994-09-01 | 光学活性シクロプロパンカルボン酸誘導体の製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0873400A true JPH0873400A (ja) | 1996-03-19 |
Family
ID=16555980
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6208423A Pending JPH0873400A (ja) | 1994-09-01 | 1994-09-01 | 光学活性シクロプロパンカルボン酸誘導体の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0873400A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002026695A3 (en) * | 2000-09-29 | 2002-07-11 | Eastman Chem Co | Preparation of enantiomerically-enriched cyclopropylalanine derivatives |
| JP2009532410A (ja) * | 2006-04-03 | 2009-09-10 | エフ．ホフマン−ラ ロシュ アーゲー | 鏡像異性的に富化した環式β−アリール又はヘテロアリールカルボン酸の調製方法 |
-
1994
- 1994-09-01 JP JP6208423A patent/JPH0873400A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002026695A3 (en) * | 2000-09-29 | 2002-07-11 | Eastman Chem Co | Preparation of enantiomerically-enriched cyclopropylalanine derivatives |
| US6635784B2 (en) | 2000-09-29 | 2003-10-21 | Eastman Chemical Company | Process for the preparation of enantiomerically-enriched cyclopropylalanine derivates |
| JP2009532410A (ja) * | 2006-04-03 | 2009-09-10 | エフ．ホフマン−ラ ロシュ アーゲー | 鏡像異性的に富化した環式β−アリール又はヘテロアリールカルボン酸の調製方法 |
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