JPH087634Y2 - Ｔａｂ式半導体装置 - Google Patents
Ｔａｂ式半導体装置Info
- Publication number
- JPH087634Y2 JPH087634Y2 JP1990009267U JP926790U JPH087634Y2 JP H087634 Y2 JPH087634 Y2 JP H087634Y2 JP 1990009267 U JP1990009267 U JP 1990009267U JP 926790 U JP926790 U JP 926790U JP H087634 Y2 JPH087634 Y2 JP H087634Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- hole
- semiconductor device
- conductive pattern
- tab
- lead
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/701—Tape-automated bond [TAB] connectors
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】 産業上の利用分野 本考案はTape Automted Bonding（TAB）式半導体装置
に関する。
に関する。
従来の技術 TAB式半導体装置の一例を第３図から説明する。
図において、１は絶縁フィルムで、透孔1aを穿設して
いる。２は絶縁フィルム１に積層した導電パターンで、
その一部を透孔1a内に延在させインナリード2aを形成し
ている。３はバンプ電極3aを有する半導体ペレットで、
透孔1a内に配置されてバンプ電極3aとインナリード2aを
熱圧着などの手段により電気的に接続されている。
いる。２は絶縁フィルム１に積層した導電パターンで、
その一部を透孔1a内に延在させインナリード2aを形成し
ている。３はバンプ電極3aを有する半導体ペレットで、
透孔1a内に配置されてバンプ電極3aとインナリード2aを
熱圧着などの手段により電気的に接続されている。
このTAB式半導体装置は絶縁フィルム１に導電パター
ン２を積層したTABテープ４に連続形成され、図示しな
いが透孔1a外方のアウターリードで個々の半導体装置に
分離される。
ン２を積層したTABテープ４に連続形成され、図示しな
いが透孔1a外方のアウターリードで個々の半導体装置に
分離される。
ところで、この半導体装置は、インナリード2aが細
く、しかも薄いため変形し易く、製造過程でTABテープ
４が変形したり、半導体ペレット３に外力が加わるとイ
ンナリード2aが変形する虞があった。
く、しかも薄いため変形し易く、製造過程でTABテープ
４が変形したり、半導体ペレット３に外力が加わるとイ
ンナリード2aが変形する虞があった。
一方、バンプ電極3aは高さが数10μｍ程度でインナリ
ード2aが変形すると半導体ペレット３のエッジ部にイン
ナリード2aが近接したり最悪の場合接触し、耐電圧の低
下や短絡事故を発生する虞がある。
ード2aが変形すると半導体ペレット３のエッジ部にイン
ナリード2aが近接したり最悪の場合接触し、耐電圧の低
下や短絡事故を発生する虞がある。
そのため、第４図に示すようにインナリード2aを押圧
変形させインナリード2aと半導体ペレット３のエッジ部
の間隔を確保したり、さらに、第５図に示すようにポッ
ティングによりバンプ電極3aを含む半導体ペレット３と
TABテープ４を樹脂５に被覆し保護するようにしてい
る。
変形させインナリード2aと半導体ペレット３のエッジ部
の間隔を確保したり、さらに、第５図に示すようにポッ
ティングによりバンプ電極3aを含む半導体ペレット３と
TABテープ４を樹脂５に被覆し保護するようにしてい
る。
考案が解決しようとする課題 しかしながら第４図半導体装置でも半導体ペレット３
やインナリード2aに外力が加えられると耐電圧低下，短
絡，断線などの問題を完全に解決できなかった。
やインナリード2aに外力が加えられると耐電圧低下，短
絡，断線などの問題を完全に解決できなかった。
また第５図半導体装置は封止時にリード変形があると
そのまま固定されてしまい、樹脂５を硬化させる際に樹
脂収縮によってリード切れ、リード外れ、テープのひず
みなどを生じる信頼性が低下する虞があった。
そのまま固定されてしまい、樹脂５を硬化させる際に樹
脂収縮によってリード切れ、リード外れ、テープのひず
みなどを生じる信頼性が低下する虞があった。
課題を解決するための手段 本考案は上記課題の解決を目的として提案されたもの
で、透孔を開口した絶縁フィルムに導電パターンをその
一部を透孔内に延在させて積層形成し、上記透孔位置で
導電パターンと半導体ペレットとを電気的に接続したTA
B式半導体装置において、 上記透孔に導電パターンを介して半導体ペレットを押
圧するエンボスを有する絶縁キャップを装着したことを
特徴とするTAB式半導体装置を提供する。
で、透孔を開口した絶縁フィルムに導電パターンをその
一部を透孔内に延在させて積層形成し、上記透孔位置で
導電パターンと半導体ペレットとを電気的に接続したTA
B式半導体装置において、 上記透孔に導電パターンを介して半導体ペレットを押
圧するエンボスを有する絶縁キャップを装着したことを
特徴とするTAB式半導体装置を提供する。
作用 本考案によれば絶縁キャップのエンボスに導電パター
ンに沿わせることにより、リードにねじれ変形を生ずる
ことなく成形し固定でき、耐電圧低下や短絡のないTAB
式半導体装置を実現できる。
ンに沿わせることにより、リードにねじれ変形を生ずる
ことなく成形し固定でき、耐電圧低下や短絡のないTAB
式半導体装置を実現できる。
実施例 以下に本考案の実施例を第１図から説明する。図にお
いて、第３図と同一符号は同一物を示し説明を省略す
る。図中６は絶縁キャップで、第２図に示すように四角
形の平板状絶縁フィルム6aの中央部にエンボス加工によ
り開口部6bが透孔1aより小さく、底部6cが半導体ペレッ
ト３よりやや小さい、側壁6dが傾斜している。このエン
ボス6eが透孔1aに挿入され導電パターン（インナリー
ド）2aを介して半導体ペレット３を押圧し、インナリー
ド2aは側壁6dに沿って成形され、平板部6aはTABテープ
４に固定されている。固定は接着材を用いてもよいし、
直接溶着してもよい。
いて、第３図と同一符号は同一物を示し説明を省略す
る。図中６は絶縁キャップで、第２図に示すように四角
形の平板状絶縁フィルム6aの中央部にエンボス加工によ
り開口部6bが透孔1aより小さく、底部6cが半導体ペレッ
ト３よりやや小さい、側壁6dが傾斜している。このエン
ボス6eが透孔1aに挿入され導電パターン（インナリー
ド）2aを介して半導体ペレット３を押圧し、インナリー
ド2aは側壁6dに沿って成形され、平板部6aはTABテープ
４に固定されている。固定は接着材を用いてもよいし、
直接溶着してもよい。
これにより、TABテープ４の透孔1aは絶縁キャップ６
によって塞がれ、しかもエンボス6eによって補強される
ためTABテープ４に撓み変形が生じにくく、またTABテー
プ４に体するインナリード2aや半導体ペレット３の位置
が絶縁キャップ６により固定されるため、リード曲り、
リード外れがなく、短絡がなく耐電圧が十分保たれた信
頼性のある半導体装置を実現できる。
によって塞がれ、しかもエンボス6eによって補強される
ためTABテープ４に撓み変形が生じにくく、またTABテー
プ４に体するインナリード2aや半導体ペレット３の位置
が絶縁キャップ６により固定されるため、リード曲り、
リード外れがなく、短絡がなく耐電圧が十分保たれた信
頼性のある半導体装置を実現できる。
なお、本考案は上記実施例にのみ限定されることな
く、例えば、絶縁キャップ６に対しインナリード2aや半
導体ペレット３を樹脂封止してもよい。この場合、絶縁
キャップ６の適宜位置に穴あけしてもよい。
く、例えば、絶縁キャップ６に対しインナリード2aや半
導体ペレット３を樹脂封止してもよい。この場合、絶縁
キャップ６の適宜位置に穴あけしてもよい。
考案の効果 以上のように本考案によれば、TABテープと絶縁キャ
ップが一体化することにより、インナリードが絶縁キャ
ップによって成形された上、保護され、リード曲りや不
所望な変形が防止される。
ップが一体化することにより、インナリードが絶縁キャ
ップによって成形された上、保護され、リード曲りや不
所望な変形が防止される。
また樹脂封止時の樹脂収縮も絶縁キャップによって緩
和され、リード切り、リード外れ、テープのひずみが防
止され、耐電圧低下や短絡のない半導体装置を実現でき
る。
和され、リード切り、リード外れ、テープのひずみが防
止され、耐電圧低下や短絡のない半導体装置を実現でき
る。
第１図は本考案の実施例を示す側断面図，第２図は絶縁
キャップの一部断面斜視図，第３図乃至第５図はそれぞ
れTAB式半導体装置の一例を示す側断面図である。 １……絶縁フィルム、1a……透孔、２……導電パター
ン、2a……インナリード、３……半導体ペレット、４…
…TABテープ、６……絶縁キャップ、6e……エンボス。
キャップの一部断面斜視図，第３図乃至第５図はそれぞ
れTAB式半導体装置の一例を示す側断面図である。 １……絶縁フィルム、1a……透孔、２……導電パター
ン、2a……インナリード、３……半導体ペレット、４…
…TABテープ、６……絶縁キャップ、6e……エンボス。
Claims (1)
- 【請求項１】透孔を開口した絶縁フィルムに導電パター
ンをその一部を透孔内に延在させて積層形成し、上記透
孔位置で導電パターンと半導体ペレットとを電気的に接
続したTAB式半導体装置において、 上記透孔に導電パターンを介して半導体ペレットを押圧
するエンボスを有する絶縁キャップを装着したことを特
徴とするTAB式半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1990009267U JPH087634Y2 (ja) | 1990-01-31 | 1990-01-31 | Ｔａｂ式半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1990009267U JPH087634Y2 (ja) | 1990-01-31 | 1990-01-31 | Ｔａｂ式半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03101527U JPH03101527U (ja) | 1991-10-23 |
| JPH087634Y2 true JPH087634Y2 (ja) | 1996-03-04 |
Family
ID=31512872
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1990009267U Expired - Lifetime JPH087634Y2 (ja) | 1990-01-31 | 1990-01-31 | Ｔａｂ式半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH087634Y2 (ja) |
-
1990
- 1990-01-31 JP JP1990009267U patent/JPH087634Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03101527U (ja) | 1991-10-23 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |