JPH0878270A

JPH0878270A - 積層コンデンサ基板

Info

Publication number: JPH0878270A
Application number: JP6206515A
Authority: JP
Inventors: Takeshi Hasegawa; 健長谷川; Hiroki Uemura; 浩樹植村
Original assignee: Kyocera Corp
Current assignee: Kyocera Corp
Priority date: 1994-08-31
Filing date: 1994-08-31
Publication date: 1996-03-22

Abstract

(57)【要約】【目的】容量調整に適したコンデンサ構造の平面占有
面積を小さくすることができ、高密度実装が可能となる
積層コンデンサ基板を提供する。【構成】本発明は、複数のセラミック層１ａ〜１ｅを積
層した積層体１内に、１対の共通電極膜２１、２２及び
該共通電極膜２１、２２から延び、互いに噛み合う棒状
電極導体２１ａ、２１ｂ・・・、２２ａ、２２ｂ・・・
を配置して成る積層コンデンサ基板１０であり、前記共
通電極膜の一方、例えば２１は少なくとも積層体１の表
面に形成するとともに、棒状電極導体２１ａ、２１ｂ・
・・、２２ａ、２２ｂ・・・はセラミック層１ａ〜１ｅ
の厚みを貫くように延びている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、特に容量値の調整に優
れ、小型化が可能な積層コンデンサ基板に関するもので
ある。

【０００２】

【従来の技術】従来、所定容量値を発生するコンデンサ
構造を具備したコンデンサ基板において、典型的なコン
デンサ構造の一例は、基板表面に下部電極膜を形成し、
下部電極膜を覆うように誘電体層を形成し、さらに、誘
電体層を介して下部電極膜と対向するように上部電極膜
を形成していた。

【０００３】しかし、このようなコンデンサ構造におい
て、下部電極膜や上部電極膜を形成する時の位置ずれや
誘電体層の厚みのばらつきにより、実際には所期の定容
量値と異なる容量値となってしまう。このような容量値
を調整するため予め設計時の容量値を大きく設定してお
き、上部電極膜の一部を除去して、上部電極膜と下部電
極との対向面積を調整していた。しかし、この場合、上
部電極膜と下部電極膜とが対向しているため、除去手段
の条件の設定が非常に難しいという問題点があった。

【０００４】また、別の典型的なコンデンサ構造の一例
は、誘電体基板の表面に、１対の共通電極導体膜と夫々
の共通電極膜から延出する複数の櫛歯電極膜とから成
り、夫々の櫛歯電極膜とが互い噛み合うように形成して
いた。

【０００５】このコンデンサ構造では、互いに対向する
櫛歯電極膜の対向距離、対向間隔によって所定容量が得
られる。この構造は、容量値は小さいものの、例えば、
互いに噛み合う複数の櫛歯電極膜のうち、順次櫛歯電極
膜を切断することにより、切断された櫛歯電極膜が容量
の発生に寄与しない浮き電極となり、その結果、容量値
が直線的に減少させることができ、特に精度の高い容量
値の調整が必要な場合に多用されていた。

【０００６】また、発振回路の共振手段やその他の回路
において、容量値の調整を利用して回路全体の特性の調
整に利用する時にも、上述の櫛歯電極膜が互いに噛み合
うコンデンサ構造が使用されていた。

【０００７】例えば、図５のコイル素子とコンデンサ素
子とを並設したコンデンサ基板においては、誘電体基板
５１上に、コイルパターン５２と、１対の共通電極膜５
３、５４と該共通電極膜５３、５４から延出する櫛歯電
極膜５３ａ、５３ｂ・・・、櫛歯電極膜５４ａ、５４ｂ
・・・とを形成していた。尚、第１の共通電極膜５３の
他端はコイルパターン５２の一端に接続していた。

【０００８】また、第１の共通電極膜５３、第２の共通
電極膜５４と第１の共通電極膜側の櫛歯電極膜５３ａ、
５３ｂ・・・、第２の共通電極膜側の櫛歯電極膜５４
ａ、５４ｂ・・・とから成るコンデンサ構造は、第１の
共通電極膜側の櫛歯電極膜５３ａが第２の共通電極膜側
の櫛歯電極膜５４ａに基板に対して平面的に噛み合い、
また、第１の共通電極膜側の櫛歯電極膜５３ｂが第２の
共通電極膜側の櫛歯電極膜５４ａ、５４ｂとに平面的に
噛み合い、また、第１の共通電極膜側の櫛歯電極膜５３
ｃが第２の共通電極膜側の櫛歯電極膜５４ｂ、５４ｃと
に平面的に噛み合い、・・・これの噛み合い部分に容量
成分が発生し、これらの容量成分が合成されていた。

【０００９】そして、コイルパターン５２のインダクタ
成分とコンデンサ構造の合成容量成分によって決定され
る特性、例えば共振周波数を所定周波数に調整手段する
場合、例えば、第１の共通電極膜５３から延出する各櫛
歯電極膜５３ａ、５３ｂ、５３ｃ・・の根元部分を順次
切断し、切断部分の先端の各櫛歯電極膜５３ａ、５３
ｂ、５３ｃ・・を実質的に容量の発生に寄与しない浮き
電極として、容量値を順次減少させ、所定共振周波数に
まで追い込んでいた。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】しかし、上述のよう
に、誘電体基板５０上に互いに噛み合うように形成され
た櫛歯電極膜の一方側の櫛歯電極膜５３ａ、５３ｂ、５
３ｃ・・・、又は両方の櫛歯電極膜導体５３ａ、５３
ｂ、５３ｃ・・・、５４ａ、５４ｂ、５４ｃ・・を順次
切断するコンデンサ構造では、容量値の調整には優れて
いるものの、例えば容量値の変化率を小さくして、且つ
微調整を可能にしようとすると、互いに噛み合う櫛歯電
極膜の数を数多く形成しなければならなかった。

【００１１】このため、基板５０上に数多くの櫛歯電極
膜５３ａ、５３ｂ、５３ｃ・・・、５４ａ、５４ｂ、５
４ｃ・・を形成しなくてはならず、その占有面積が非常
に増大してしまうという問題点があった。

【００１２】本発明は上述の問題点に鑑みて案出された
ものであり、その目的は、容量値の調整に適した互いに
噛み合う棒状電極導体を有するコンデンサ構造が、平面
的な基板に対する占有面積を小さくして形成することが
できる積層コンデンサ基板を提供することにある。

【００１３】

【課題を解決するための手段】本発明は、複数のセラミ
ック層を積層した積層体内に、１対の共通電極膜及び該
共通電極膜から互いの対向方向に延び、互いに噛み合う
棒状電極導体を配置して成る積層コンデンサ基板であっ
て、前記棒状電極導体を積層体の厚み方向を貫くように
配列している。

【００１４】即ち、棒状電極導体は、複数のセラミック
層の厚み方向を貫くビアホール導体、スルーホール導体
として形成されるものであり、夫々の共通電極膜から延
出する棒状電極導体どうしが、立体的に噛み合うように
配列されている。そして、実際の容量値の調整は、積層
体の表面に形成した共通電極を切断することによって行
われるものである。

【００１５】

【作用】以上、本発明ではセラミック層を積層した積層
体内に、一対の共通電極膜からその対向方向に延びる棒
状電極導体を、セラミック層の厚み方向に配列されてい
るため、基板表面には実質的に直線状の共通電極膜のみ
が存在することになるため、平面的な基板の占有面積を
非常に減少させることができる。

【００１６】これによって、コンデンサ基板の形状を非
常に小さくすることができ、また、基板の表面に他の配
線パターンなど形成する際に、配線の引き回しの自由度
が向上し、配線パターンの高密度化が達成できる。

【００１７】また、容量を発生させるための棒状電極導
体が誘電体セラミックによって囲まれているため、従来
の基板の表面に平面的に形成した櫛歯電極膜に比較して
実効誘電率が向上する。

【００１８】

【実施例】以下、本発明の積層コンデンサ基板を図面に
基づいて詳説する。

【００１９】図１は、本発明の積層コンデンサ基板の一
例を示す外観斜視図であり、図２はＡ−Ａ線部分の断面
斜視図である。尚、実施例では、基板の表面にコイルパ
ターンを形成した積層コンデンサ基板で説明する。

【００２０】図において、１０は積層コンデンサ基板で
あり、積層コンデンサ基板１０は、積層体１、容量成分
を発生する構造（以下、コンデンサ構造）２から構成さ
れ、さらに必要に応じて所定回路の配線パターン、図で
はコイルパターン３などが形成されている。尚、コンデ
ンサ構造２は、第１の共通電極膜２１、第１の共通電極
膜２１から延びる棒状電極導体（以下、櫛歯電極導体と
いう）２１ａ、２１ｂ・・・・、第２の共通電極膜２
２、第２の共通電極膜２２から延びる櫛歯電極導体２２
ａ、２２ｂ・・・・から構成されている。

【００２１】積層体１は、例えば５層の誘電体セラミッ
ク層１ａ〜１ｅが積層して構成されており、各セラミッ
ク層１ａ〜１ｅは、例えばアルナミを主成分とするセラ
ミック、チタン酸バリウムを主成分とするセラミック、
さらにこれらのセラミックとガラス成分を混合したガラ
ス−セラミックなどから成る。

【００２２】積層体１の表面側主面には、コンデンサ構
造２を構成する実質的に直線状の第１の共通電極膜２１
と例えばスパイラル状のコイルパターン３が形成されて
いる。図では、第１の共通電極膜２１の他端がコイルパ
ターン３の一端に接続されている。尚、第１の共通電極
膜２１、コイルパターン３は、Ａｇ系（Ａｇ単体、Ａｇ
合金）、Ｃｕ系（Ｃｕ単体、Ｃｕ合金）材料などから成
っている。

【００２３】また、積層体１の裏面側主面には、コンデ
ンサ構造２を構成する実質的に直線状の第２の共通電極
膜２２が形成されている。第１の共通電極膜２１と第２
の共通電極膜２２の平面的な位置関係は、第１の共通電
極膜２１と第２のコンデンサ電極膜２２とが重なり合う
よう、また、互いに平行関係になるように若干変位して
配置されている。

【００２４】さらに、積層体１の内部には、第１の共通
電極膜２１から下方向に延びる櫛歯電極導体２１ａ、２
１ｂ・・・が形成されており、第２の共通電極膜２２か
ら上方向に延びる櫛歯電極導体２２ａ、２２ｂ・・・が
形成されている。各櫛歯電極導体２１ａ、２１ｂ・・
・、２２ａ、２２ｂ・・・は、Ａｇ系（Ａｇ単体、Ａｇ
合金）、Ｃｕ系（Ｃｕ単体、Ｃｕ合金）材料、Ｗ、Ｍｏ
などの高融点金属材料などから成っている。

【００２５】具体的には、図２に示すように、櫛歯電極
導体２１ａ、２１ｂ・・・は、セラミック層１ａ〜１ｄ
の厚みを貫通するように形成され、また、櫛歯電極導体
２２ａ、２２ｂ・・・は、セラミック１ｂ〜１ｅを貫通
するように形成され、櫛歯電極導体２１ａ、２１ｂ・・
・と櫛歯電極導体２２ａ、２２ｂ・・・とは互いに平行
に、そしてセラミック層１ｂ〜１ｄの厚み部分で交互に
噛み合うようにい直線上に配列されている。即ち、第１
の共通電極膜２１から延びる櫛歯電極導体２１ａ、２１
ｂ・・・は、第１の共通電極膜２１の一端側から所定間
隔毎に、積層体１の表面側主面から下方向に延び、ま
た、第２の共通電極膜２２から延びる櫛歯電極導体２２
ａ、２２ｂ・・・は、第２の共通電極膜２２の一端側か
ら所定間隔毎に、積層体１の裏面側主面から上方向に延
びることになる。

【００２６】上述の構造により、第１の共通電極膜２１
から延びる櫛歯電極導体２１ａは、誘電体層１ｂ〜１ｄ
の厚み部分で第２の共通電極膜２２から延びる櫛歯電極
導体２２ａと噛み合い、第１の共通電極膜２１から延び
る櫛歯電極導体２１ｂは、誘電体層１ｂ〜１ｄの厚み部
分で第２の共通電極膜２２から延びる櫛歯電極導体２２
ａ、２２ｂと噛み合い、第１の共通電極膜２１から延び
る櫛歯電極導体２１ｃは、誘電体層１ｂ〜１ｄの厚み部
分で第２の共通電極膜２２から延びる櫛歯電極導体２２
ｂ、２２ｃと噛み合い、・・・、この噛み合い部分で所
定容量が発生することになる。即ち、各噛み合い部分で
発生した容量が合成されて全体の容量となり、コイルパ
ターン３に接続されることになる。

【００２７】以上のような本発明の積層コンデンサ基板
において、櫛歯電極導体２１ａ、２１ｂ・・・、櫛歯電
極導体２２ａ、２２ｂ・・・が、積層体１に立体的に互
いに噛み合うように配置されているため、積層体１の表
面においては、コンデンサ構造２を構成する実質的に直
線状の第１の共通電極膜２１のみが形成されることにな
る。従って、積層コンデンサ基板１０における、コンデ
ンサ構造２の平面的な占有面積は、従来の占有面積に比
較して非常に減少させることができることになる。

【００２８】これに伴い、例えば積層体１の表面に形成
する各種配線パターン、実施例ではコイルパターン３の
形成における配線引き回しなどの制約が緩和され、ま
た、複数の電子部品の搭載位置が確保できるなど、高密
度実装化が可能となる。

【００２９】また、櫛歯電極導体２１ａ、２１ｂ・・
・、２２ａ、２２ｂ・・・がセラミック層１ａ〜１ｅ内
に形成されていることから、その全てが誘電体セラミッ
ク材料に囲まれることになるため、容量を発生するため
の実効誘電率が向上し、従来の基板５０の表面に平面的
に形成したコンデンサ構造に比較して、高い容量を得る
ことができる。

【００３０】このようなコンデンサ構造２を有する積層
コンデンサ基板１０において、容量を調整する方法とし
ては、例えば積層体１の表面側主面に形成した第１の共
通電極膜２１を所定位置（Ｘ₁、Ｘ₂、Ｘ₃・・）で選
択的に切断することによって行われる。例えば、図２に
示す線Ｘ₁部分、即ち、櫛歯電極導体２１ａが延びる位
置と櫛歯電極導体２１ｂが延びる位置との間で第１の共
通電極膜２１を切断することによって、櫛歯電極導体２
１ａは実質的に浮き電極導体となり、容量発生には寄与
しなくなる。また、図２に示す線Ｘ₂部分、即ち、櫛歯
電極導体２１ｂが延びる位置と櫛歯電極導体２１ｃが延
びる位置との間で第１の共通電極膜２１を切断すること
によって、櫛歯電極導体２１ａ、２１ｂは実質的に浮き
電極導体となり、容量発生には寄与しなくなる。このよ
うにして第１の共通電極膜２１を所定位置で切断するこ
とにより、所望の容量値に調整することができる。

【００３１】次に、上述の積層コンデンサ基板１０の製
造方法を簡単に説明する。

【００３２】まず、セラミック層１ａ〜１ｄとなる、例
えばガラス−セラミック材料を含む厚み４０〜１２０μ
ｍのグリーンシートを用意し、各グリーンシートに、積
層後互いに接続されて櫛歯電極導体２１ａ、２１ｂ・・
・、櫛歯電極導体２２ａ、２２ｂ・・・となる位置に、
パンチング加工などによって貫通穴を形成する。貫通穴
の径は４０〜２００μｍ程度である。

【００３３】例えば、誘電体層１ａとなるグリーンシー
トには、櫛歯電極導体２１ａ、２１ｂ、２１ｃ・・・と
なる貫通穴を、誘電体層１ｂ〜１ｄとなるグリーンシー
トには、櫛歯電極導体２１ａ、２１ｂ、２１ｃ・・・、
２２ａ、２２ｂ、２２ｃ・・・となる貫通穴を、誘電体
層１ｅとなるグリーンシートには、櫛歯電極導体２２
ａ、２２ｂ、２２ｃ・・・となる貫通穴を形成する。

【００３４】次に、各貫通穴に、Ａｇ系導電性ペースト
などの印刷により、Ａｇ系導体を充填する。

【００３５】次に、各グリーンシートを積層順序に応じ
て、積層し一体化する。

【００３６】次に、この積層体を、例えば大気雰囲気、
酸化性雰囲気でピーク温度８００〜１０５０℃で焼成処
理する。

【００３７】次に、積層体１の表面側主面に露出する櫛
歯電極導体２１ａ、２１ｂ・・・の端部を互いに接続す
るする第１の共通電極膜２１となる導体膜を印刷形成
し、焼きつけを行う。尚、この時、他の配線パターンで
あるコイルパターン３を同時に形成する。

【００３８】次に、積層体１の裏面側主面に露出する櫛
歯電極導体２２ａ、２２ｂ・・・の端部を互いに接続す
るする第２の共通電極膜２２となる導体膜を印刷形成
し、焼きつけを行う。

【００３９】これにより、第１の共通電極膜２１と複数
の櫛歯電極導体２１ａ、２１ｂ・・・とが接続して、第
２の共通電極膜２２と複数の櫛歯電極導体２２ａ、２２
ｂ・・・とが接続することになる。尚、互いに噛み合う
櫛歯電極導体２１ａ、２１ｂ・・・と櫛歯電極導体２２
ａ、２２ｂ・・・との間隔は約５０μｍ以上である。

【００４０】尚、約５０μｍ未満では、グリーンシート
に貫通穴を形成する際の充分な強度が得られないためで
ある。また、間隔の上限は、誘電体材料の誘電率などを
考慮して所期の容量が発生しなる程度まで離すことがで
きる。

【００４１】以上のようにして積層コンデンサ基板１０
が達成される。

【００４２】実際の製造方法では、グリーンシートの形
状は、複数の積層コンデンサ基板１０が多数個抽出でき
る大型グリーンシートを用いる。このため、グリーンシ
ートを積層した状態で、各積層コンデンサ基板１０の形
状に対応する分割溝を形成し、製造工程の最終工程付近
で、分割溝に沿って分割処理を行うことが望ましい。

【００４３】また、表面、裏面処理である第１の共通電
極膜２１の形成、第２の共通電極膜２２の形成、コイル
パターン３などの形成に必要な焼きつけ処理を共通の焼
きつけ処理によって形成しても構わない。また、これら
の第１の共通電極膜２１となる導体膜、第２の共通電極
膜２２となる導体膜、コイルパターン３などとなる導体
膜をグリーンシートに予め形成したり、積層処理の直後
に形成したりして、積層体の焼成処理によって一体的に
形成しても構わない。

【００４４】図３は、本発明の他の実施例を示すコンデ
ンサ構造２の斜視図である。この実施例は、特に容量値
の調整が簡略化できる構造を示す。

【００４５】図１、図２との相違点は、第１の共通電極
膜２１は、共通電極幹線２１０と該共通電極幹線２１０
から延びる切断対象の支路２１０ａ、２１０ｂ・・・か
ら成り、この支路２１０ａ、２１０ｂ・・・の先端付近
に、櫛歯電極導体２１ａ、２１ｂ・・・を形成したこと
である。これに伴い、第２の共通電極膜２２を第１の共
通電極膜２１と同様な構造としてもよいし、また、図３
に示すように、第２の共通電極膜２２を直線状に形成し
て、第１の共通電極膜２１の共通電極幹線２１０と若干
変位させても構わない。要は、第１の共通電極膜２１側
の櫛歯電極導体２１ａ、２１ｂ・・・と第２の共通電極
膜２２側の櫛歯電極導体２２ａ、２２ｂ・・・とが容量
が発生するように、互いに直線上に、または交互に千鳥
状に配列されていれば構わない。

【００４６】上述の構造において、容量値を調整するに
あたり、支路２１０ａ、２１０ｂ・・・の根元部分を、
図３の矢印Ｙに沿って順次切断することにより、容量調
整を行うことができる。

【００４７】この実施例では容量調整のための切断が、
図１、図２のように切断がＸ₁、Ｘ₂、Ｘ₃・・・と異
なる方向で複数回行う必要があったのに対して、図３の
実施例では、矢印Ｙ方向に一直線上で行うことができる
ため、切断の手段として、自動化が簡単なレーザー照射
及び走査による光学的な切断手段を用いることができ
る。

【００４８】図４は、本発明のさらに別の実施例を示す
コンデンサ構造２の斜視図である。

【００４９】この実施例は容量値の調整が簡略化でき、
且つ容量調整の変化率が異なる、即ち粗調整と微調整を
選択に行える構造を示す。

【００５０】図４に示す図１、図２との相違点は、第１
の共通電極膜２１は、共通電極幹線２１０と該共通電極
幹線２１０から延びる切断対象の支路２１０ａ、２１０
ｂ・・・から成り、第２の共通電極膜２２は、共通電極
幹線２２０と該共通電極幹線２２０から延びる切断対象
の支路２２０ａ、２２０ｂ・・・から成り、例えば第１
の共通電極膜２１の支路２１０ａには、櫛歯電極導体２
１１ａ、２１２ａ、２１３ａが形成され、支路２１０ｂ
には、櫛歯電極導体２１１ｂ、２１２ｂ、２１３ｂが形
成され、支路２１０ｃには、櫛歯電極導体２１１ｃ、２
１２ｃ、２１３ｃが形成されている。また、例えば第２
の共通電極膜２２の支路２２０ａには、櫛歯電極導体２
２１ａ、２２２ａが形成され、支路２２０ｂには、櫛歯
電極導体２２１ｂ、２２２ｂが形成され、支路２２０ｃ
には、櫛歯電極導体２２１ｃ、２２２ｃが形成されてい
る。

【００５１】また、第１の共通電極膜２１の支路２１０
ａの櫛歯電極導体２１１ａ、２１２ａ、２１３ａと第２
の共通電極膜２２の支路２２０ａの櫛歯電極導体２２１
ａ、２２２ａとの関係は、第１の共通電極膜２１の支路
２１０ａの櫛歯電極導体２１１ａは第２の共通電極膜２
２の支路２２０ａの櫛歯電極導体２２１ａと噛み合い、
第１の共通電極膜２１の支路２１０ａの櫛歯電極導体２
１２ａは第２の共通電極膜２２の支路２２０ａの櫛歯電
極導体２２１ａ、２２２ａと噛み合い、第１の共通電極
膜２１の支路２１０ａの櫛歯電極導体２１３ａは第２の
共通電極膜２２の支路２２０ａの櫛歯電極導体２２２ａ
と噛み合うようになっている。

【００５２】支路２１０ｂと支路２２０ｂ、支路２１０
ｃと支路２２０ｃ・・・の各櫛歯電極導体２１１ｂ、２
１２ｂ、２１３ｂ、２２１ｂ、２２２ｂ、２１１ｃ、２
１２ｃ、２１３ｃ、２２１ｃ、２２２ｃ・・・について
も同様の配置構造となる。

【００５３】このようなコンデンサ構造２において、容
量調整を行う場合には、第１の共通電極膜２１側の支路
２１０ａ、２１０ｂ、２１０ｃ・・・の切断して行う
が、例えば図４の矢印Ｚ₁と矢印Ｚ₂と矢印Ｚ₃で切断
する場合では、第１の共通電極側の櫛歯電極導体２１１
ａ、２１２ａ、２１３ａ、櫛歯電極導体２１１ｂ、２１
２ｂ、２１３ｂ、櫛歯電極導体２１１ｃ、２１２ｃ、２
１３ｃ、２２１ｃが浮き電極となり、容量の発生には寄
与しなくなる状態が異なる。従って、容量値の調整にお
いて、容量変化率を異ならせ、粗調整、微調整などが任
意に行えることになる。

【００５４】例えば、第１の共通電極２１側の支路２１
０ａ、２１０ｂ、２１０ｃ・・・において、矢印Ｚ₁で
順次切断すると、櫛歯電極導体２１１ａ、２１１ｂ、２
１１ｃ・・・は順次浮き電極となり、容量変化率は非常
に小さいものとなる。

【００５５】例えば、第１の共通電極２１側の支路２１
０ａ、２１０ｂ、２１０ｃ・・・において、矢印Ｚ₂で
順次切断すると、櫛歯電極導体２１１ａ、２１２ａ、櫛
歯電極導体２１１ｂ、２１２ｂ、櫛歯電極導体２１１
ｃ、２１２ｃ・・・は順次浮き電極となり、容量変化率
は中間的な値となる。

【００５６】例えば、第１の共通電極２１側の支路２１
０ａ、２１０ｂ、２１０ｃ・・・において、矢印Ｚ₃で
順次切断すると、支路２１０ａに形成された全ての櫛歯
電極導体２１１ａ、２１２ａ、２１３ａ、支路２１０ｂ
に形成された全ての櫛歯電極導体２１１ｂ、２１２ｂ、
２１３ｂ、支路２１０ｃに形成された全ての櫛歯電極導
体２１１ｃ、２１２ｃ、２１３ｃは、順次浮き電極とな
り、容量変化率は大きいものとなる。

【００５７】これの変化率の異なる容量調整を組み合わ
せて、即ち、粗調整を行い所望容量に近づけ、続いて中
間調整や微調整を行うことにより、所定容量を迅速且つ
精度よく行うことができる。

【００５８】尚、図３、図４に示すコンデンサ構造２で
は、積層体１の表面側主面の第１の共通電極膜２１に直
線状の共通電極幹線の他に支路を形成するため、図１、
図２に比較してコンデンサ構造２の占有面積が若干増加
するが、従来に比較すれば大きな占有面積の減少とな
る。

【００５９】尚、上述の実施例では、積層体のセラミッ
ク層の数が５層で説明したが、この積層数は、容量値の
設計などによって任意に変えることができる。

【００６０】また、積層体１の表面にコンデンサ構造２
と接続する電子部品としてコイルパターン３を示した
が、コイルパターンにかぎらず、所定表面配線パターン
を形成して、その表面配線パターン上に各種の電子部品
を搭載しても構わない。

【００６１】さらに、積層体１の内部は、櫛歯電極導体
のみが形成されているが、コンデンサ構造と関係のない
部位で、内部配線導体を形成し、積層セラミック回路基
板としても構わない。

【００６２】また、コンデンサ構造において、容量調整
を基板の表面側の第１の共通電極膜側で行っているが、
これを裏面側の第２の共通電極膜でもおこなっても構わ
ない。

【００６３】また、容量調整に使用ない側の共通電極
膜、例えば第２の共通共通電極膜を、セラミック層の層
間に内装しても構わない。即ち、図において、誘電体層
１ｅの外側にもう一層の誘電体層を配置した構造とす
る。

【００６４】さらに、製造方法において、説明ではグリ
ーンシート多層を利用して説明したが、光硬化可能なモ
ノマーを含有するセラミックスリップ材を利用して、セ
ラミックスリップ材の塗布・乾燥してセラミック膜を形
成した後、櫛歯電極導体となる貫通穴を形成すべく、選
択的な露光処理・現像を行い、形成された貫通穴に櫛歯
電極導体となる導体を充填し、さらに、その表面にセラ
ミックスリップ材でセラミック膜を形成し、このセラミ
ック膜に貫通穴を選択的な露光処理・現像し、貫通穴に
導体を充填し、・・・を繰り返して未焼成状態の積層体
を形成しても構わない。

【００６５】さらに、櫛歯電極導体を積層基板の全厚み
を貫通するように形成しても構わない。この場合、共通
電極膜の形状を、図３の第１の共通電極膜２１のように
直線状の共通電極幹線の他に支路を形成する。特にこの
場合、製造工程において、貫通穴を有する焼成された積
層基板に対して、貫通穴の少なくとも内壁面に導体膜を
付着されるように印刷するだけでよいことになる。

【００６６】

【発明の効果】以上、本発明によれば、セラミック層を
積層した積層基板内に、セラミック層の厚み方向を貫
き、互いに噛み合う棒状電極導体が形成されているた
め、基板表面には実質的に直線状の共通電極膜のみが存
在することになるため、平面的な基板の占有面積が非常
に減少させることができる。

【００６７】これに伴い、基板の表面には、他の配線パ
ターンなどを制約なく形成することが可能となり、配線
パターンの高密度化が達成できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る積層コンデンサ基板の平面図であ
る。

【図２】図１のＡ−Ａ線部分の断面斜視図である。

【図３】本発明の他の実施例を示すコンデンサ構造部分
の透過斜視図である。

【図４】本発明の別の実施例を示すコンデンサ構造部分
の透過斜視図である。

【図５】従来のコンデンサ基板の平面図である。

【符号の説明】

１０・・・・・・積層コンデンサ基板１・・・・・・・積層体１ａ〜１ｅ・・・セラミック層２・・・・・・・コンデンサ構造２１・・・・・・第１の共通電極膜２２・・・・・・第２の共通電極膜２１ａ、２１ｂ・・・・・・・第１の共通電極膜側の棒
状電極導体２２ａ、２２ｂ・・・・・・・第１の共通電極膜側の棒
状電極導体３・・・・・・・コイルパターン

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】複数のセラミック層を積層した積層体内
に、１対の共通電極膜及び各々の共通電極膜から互いの
対向方向に延びる棒状電極導体を配置して成る積層コン
デンサ基板であって、前記棒状電極導体を積層体の厚み方向に配列したことを
特徴とする積層コンデンサ基板。