JPH0878315A - 露光装置 - Google Patents
露光装置Info
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- JPH0878315A JPH0878315A JP6214610A JP21461094A JPH0878315A JP H0878315 A JPH0878315 A JP H0878315A JP 6214610 A JP6214610 A JP 6214610A JP 21461094 A JP21461094 A JP 21461094A JP H0878315 A JPH0878315 A JP H0878315A
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- stage
- substrate
- wafer
- mask
- acceleration
- Prior art date
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70358—Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 マスク上のパターンを感光性の基板上に露光
する露光装置において、ウエハステージの位置を計測す
る計測器に対する空気の揺らぎの影響を少なくする。 【構成】 X軸に沿ってスライドするウエハXステージ
8、Y軸に沿ってスライドするウエハYステージ7、及
びそれら両ステージに載置されるウエハレベリングテー
ブル9等からなるウエハステージを使用し、走査露光中
のウエハレベリングステージ9のX方向及びY方向の加
速度をウエハレベリングテーブル9上に配置した複数の
加速度センサ21,22等により計測し、その計測され
た加速度からウエハレベリングテーブル9の位置を算出
する。
する露光装置において、ウエハステージの位置を計測す
る計測器に対する空気の揺らぎの影響を少なくする。 【構成】 X軸に沿ってスライドするウエハXステージ
8、Y軸に沿ってスライドするウエハYステージ7、及
びそれら両ステージに載置されるウエハレベリングテー
ブル9等からなるウエハステージを使用し、走査露光中
のウエハレベリングステージ9のX方向及びY方向の加
速度をウエハレベリングテーブル9上に配置した複数の
加速度センサ21,22等により計測し、その計測され
た加速度からウエハレベリングテーブル9の位置を算出
する。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば半導体集積回
路、液晶ディスプレイ等を製造するためのフォトリソグ
ラフィー工程において、マスク上のパターンを感光基板
上に露光する露光装置に関し、ステッパーのような一括
露光方式の露光装置にも適用できるが、マスクと感光基
板とを同期して走査することにより感光基板上に逐次マ
スクパターンを露光する投影式走査型露光装置に適用し
て好適なものである。
路、液晶ディスプレイ等を製造するためのフォトリソグ
ラフィー工程において、マスク上のパターンを感光基板
上に露光する露光装置に関し、ステッパーのような一括
露光方式の露光装置にも適用できるが、マスクと感光基
板とを同期して走査することにより感光基板上に逐次マ
スクパターンを露光する投影式走査型露光装置に適用し
て好適なものである。
【0002】
【従来の技術】例えば半導体素子、液晶表示素子又は薄
膜磁気ヘッド等をフォトリソグラフィー工程で製造する
際に、レチクル(又はフォトマスク等)のパターンを感
光材が塗布されたウエハ(又はガラスプレート等)上に
転写する投影露光装置が使用されている。従来は主に、
ウエハの各ショット領域に順次レチクルのパターンの像
を転写露光するステップ・アンド・リピート方式の縮小
投影型露光装置(ステッパー等)が多用されていた。
膜磁気ヘッド等をフォトリソグラフィー工程で製造する
際に、レチクル(又はフォトマスク等)のパターンを感
光材が塗布されたウエハ(又はガラスプレート等)上に
転写する投影露光装置が使用されている。従来は主に、
ウエハの各ショット領域に順次レチクルのパターンの像
を転写露光するステップ・アンド・リピート方式の縮小
投影型露光装置(ステッパー等)が多用されていた。
【0003】しかし近年、半導体素子等においては1個
のチップパターンが大型化しているため、より大面積の
パターンを露光できる露光装置も必要とされている。と
ころが、投影光学系の広い露光フィールドの全面で解像
力及び他の結像性能(ディストーション、像面湾曲等)
を所定の精度に維持することは困難である。そこで現在
注目されているのが、走査型露光装置である。この走査
型露光装置の原型とも言うべき露光装置が、投影倍率が
等倍の反射投影光学系を備え、等倍のレチクル(狭義の
所謂マスク)を保持するレチクルステージとウエハを保
持するウエハステージとを共通の移動コラムに結合し
て、レチクル及びウエハを同一速度で走査露光するミラ
ープロジェクションアライナである。その等倍の反射投
影光学系では、屈折素子(レンズ)を用いないために広
い露光波長域において色収差が良好であり、光源(水銀
ランプ等)から発する2種類以上の輝線スペクトル(例
えばg線とh線等)を同時に使って露光強度を高めるこ
とができ、従って高速の走査露光が可能となっている。
その反射式の投影光学系では、S(サジタル)像面とM
(メリジオナル)像面との双方の非点収差をともに零に
する点が、反射投影系の光軸から一定距離の像高位置近
傍に制限されるため、レチクルを照明する露光光の形状
は幅の狭い輪帯の一部分、いわゆる円弧スリット状にな
っている。
のチップパターンが大型化しているため、より大面積の
パターンを露光できる露光装置も必要とされている。と
ころが、投影光学系の広い露光フィールドの全面で解像
力及び他の結像性能(ディストーション、像面湾曲等)
を所定の精度に維持することは困難である。そこで現在
注目されているのが、走査型露光装置である。この走査
型露光装置の原型とも言うべき露光装置が、投影倍率が
等倍の反射投影光学系を備え、等倍のレチクル(狭義の
所謂マスク)を保持するレチクルステージとウエハを保
持するウエハステージとを共通の移動コラムに結合し
て、レチクル及びウエハを同一速度で走査露光するミラ
ープロジェクションアライナである。その等倍の反射投
影光学系では、屈折素子(レンズ)を用いないために広
い露光波長域において色収差が良好であり、光源(水銀
ランプ等)から発する2種類以上の輝線スペクトル(例
えばg線とh線等)を同時に使って露光強度を高めるこ
とができ、従って高速の走査露光が可能となっている。
その反射式の投影光学系では、S(サジタル)像面とM
(メリジオナル)像面との双方の非点収差をともに零に
する点が、反射投影系の光軸から一定距離の像高位置近
傍に制限されるため、レチクルを照明する露光光の形状
は幅の狭い輪帯の一部分、いわゆる円弧スリット状にな
っている。
【0004】このような等倍の走査型露光装置では、ウ
エハ上に投影されるレチクルのパターンの像が鏡像関係
にならないような投影光学系を用いた場合には、レチク
ルとウエハとを一体の移動コラム上にアライメントした
状態で保持させた後、移動コラムに円弧スリット状の照
明光の短手方向に1次元的に走査を行わせることで露光
が完了する。一方、ウエハ上に投影されたレチクルのパ
ターンの像が鏡像関係になるような等倍投影光学系を用
いた場合には、レチクルステージとウエハステージとを
互いに逆方向に同一速度で移動させる必要がある。
エハ上に投影されるレチクルのパターンの像が鏡像関係
にならないような投影光学系を用いた場合には、レチク
ルとウエハとを一体の移動コラム上にアライメントした
状態で保持させた後、移動コラムに円弧スリット状の照
明光の短手方向に1次元的に走査を行わせることで露光
が完了する。一方、ウエハ上に投影されたレチクルのパ
ターンの像が鏡像関係になるような等倍投影光学系を用
いた場合には、レチクルステージとウエハステージとを
互いに逆方向に同一速度で移動させる必要がある。
【0005】更に、従来の走査型露光方式として、屈折
素子等を組み込んで投影倍率を拡大、又は縮小した状態
でレチクルステージとウエハステージとの両方を倍率に
応じた速度比で相対走査する方式も知られている。この
場合、その走査型露光装置の投影光学系としては、反射
素子と屈折素子とを組み合わせたもの、あるいは屈折素
子のみで構成されたものが使われ、反射素子と屈折素子
とを組み合わせた縮小投影光学系の一例が、特開昭63
−163319号公報に開示されている。
素子等を組み込んで投影倍率を拡大、又は縮小した状態
でレチクルステージとウエハステージとの両方を倍率に
応じた速度比で相対走査する方式も知られている。この
場合、その走査型露光装置の投影光学系としては、反射
素子と屈折素子とを組み合わせたもの、あるいは屈折素
子のみで構成されたものが使われ、反射素子と屈折素子
とを組み合わせた縮小投影光学系の一例が、特開昭63
−163319号公報に開示されている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
縮小倍率の投影光学系を有する走査型露光装置を使用し
た場合には、ウエハ上での露光領域が数十mm程度しか
得られないため、等倍の走査型露光装置と異なり、1度
の走査露光でウエハ全面を露光することはできない。従
って、ウエハ上の各ショットを投影光学系の視野に対す
る走査開始位置にステップ・アンド・リピート方式で移
動した後、それぞれ走査露光を行うというステップ・ア
ンド・スキャン方式で露光を行う必要がある。そのため
にウエハステージのストロークはウエハの直径とほぼ等
しく、ウエハステージの位置計測用のレーザ干渉計のパ
ス(光路)もウエハの直径と同じ長さが必要であった。
縮小倍率の投影光学系を有する走査型露光装置を使用し
た場合には、ウエハ上での露光領域が数十mm程度しか
得られないため、等倍の走査型露光装置と異なり、1度
の走査露光でウエハ全面を露光することはできない。従
って、ウエハ上の各ショットを投影光学系の視野に対す
る走査開始位置にステップ・アンド・リピート方式で移
動した後、それぞれ走査露光を行うというステップ・ア
ンド・スキャン方式で露光を行う必要がある。そのため
にウエハステージのストロークはウエハの直径とほぼ等
しく、ウエハステージの位置計測用のレーザ干渉計のパ
ス(光路)もウエハの直径と同じ長さが必要であった。
【0007】ところが、そのように長いレーザ干渉計の
パスでは、空気の揺らぎによる影響が甚だしく、特に走
査型の露光装置において走査露光時のウエハの位置及び
速度の制御精度が悪くなるという不都合があった。そこ
で、その空気の揺らぎによる影響を低減させるために、
レーザ干渉計のパスをカバーで覆って且つ温調された空
気を流す等の対策が施されているが、それでも十分な制
御精度が得られていない。
パスでは、空気の揺らぎによる影響が甚だしく、特に走
査型の露光装置において走査露光時のウエハの位置及び
速度の制御精度が悪くなるという不都合があった。そこ
で、その空気の揺らぎによる影響を低減させるために、
レーザ干渉計のパスをカバーで覆って且つ温調された空
気を流す等の対策が施されているが、それでも十分な制
御精度が得られていない。
【0008】そこで本出願人は、レーザ干渉計が空気の
揺らぎによる影響を受けても位置ずれが生じないよう
に、走査露光の間中連続的にレチクルとウエハとの相対
的な位置合わせを行う投影式走査型露光装置を、特開平
4−307720号公報及び特開平5−62871号公
報において提案している。ところが、斯かる装置では、
ウエハをエッチングするプロセス、又はウエハ上に膜を
蒸着等で形成するプロセス等により、アライメント用の
ウエハマークが部分的に損傷してしまった場合には、ア
ライメントの精度が低下するという不都合がある。
揺らぎによる影響を受けても位置ずれが生じないよう
に、走査露光の間中連続的にレチクルとウエハとの相対
的な位置合わせを行う投影式走査型露光装置を、特開平
4−307720号公報及び特開平5−62871号公
報において提案している。ところが、斯かる装置では、
ウエハをエッチングするプロセス、又はウエハ上に膜を
蒸着等で形成するプロセス等により、アライメント用の
ウエハマークが部分的に損傷してしまった場合には、ア
ライメントの精度が低下するという不都合がある。
【0009】また、走査型の露光装置に限らずステッパ
ータイプ(一括露光方式)の露光装置においても、レチ
クルやウエハの位置を計測するためレーザ干渉計が利用
されている。走査型の露光装置とは異なり、レチクル或
いはウエハのショット毎の位置決めだけに使用されるた
め、走査型の露光装置に使用される場合に比較して条件
的には緩やかと言えるが、干渉計のパスの長さは走査型
の露光装置に使用される場合と変わらず、空気の揺らぎ
による影響により位置決め精度が悪化していた。
ータイプ(一括露光方式)の露光装置においても、レチ
クルやウエハの位置を計測するためレーザ干渉計が利用
されている。走査型の露光装置とは異なり、レチクル或
いはウエハのショット毎の位置決めだけに使用されるた
め、走査型の露光装置に使用される場合に比較して条件
的には緩やかと言えるが、干渉計のパスの長さは走査型
の露光装置に使用される場合と変わらず、空気の揺らぎ
による影響により位置決め精度が悪化していた。
【0010】本発明は斯かる点に鑑み、空気の揺らぎの
影響を受けることのない、又はあってもその影響の少な
い新たな位置計測手段により、露光中のウエハ(感光性
の基板)の位置の制御精度を向上させた露光装置を提供
することを目的とする。更に、本発明は、走査露光中の
レチクル及びウエハの位置の制御精度を向上させた走査
型の露光装置を提供することを目的とする。更に、本発
明は走査型の露光装置でアライメントの精度を向上させ
ることをも目的とする。
影響を受けることのない、又はあってもその影響の少な
い新たな位置計測手段により、露光中のウエハ(感光性
の基板)の位置の制御精度を向上させた露光装置を提供
することを目的とする。更に、本発明は、走査露光中の
レチクル及びウエハの位置の制御精度を向上させた走査
型の露光装置を提供することを目的とする。更に、本発
明は走査型の露光装置でアライメントの精度を向上させ
ることをも目的とする。
【0011】
【課題を解決するための手段】本発明による第1の露光
装置は、感光性の基板(6)に転写されるパターンが形
成されたマスク(1)を照明する照明手段(EL)と、
その基板(6)を所定の位置決め平面上で移動させる基
板ステージ(9)とを有し、そのマスク(1)のパター
ンをその基板(6)上の所定の露光領域に露光する露光
装置において、その位置決め平面上の互いに交差する2
方向(X方向及びY方向)におけるその基板ステージ
(9)の加速度を検出する加速度検出手段(21〜2
3)と、この加速度検出手段の検出結果に基づいてその
基板ステージ(9)の2次元的な位置を算出する位置算
出手段(62)と、この位置算出手段により算出された
位置に基づいてその基板ステージ(9)の2次元的な位
置を制御する基板ステージ制御手段(63)と、を設け
たものである。
装置は、感光性の基板(6)に転写されるパターンが形
成されたマスク(1)を照明する照明手段(EL)と、
その基板(6)を所定の位置決め平面上で移動させる基
板ステージ(9)とを有し、そのマスク(1)のパター
ンをその基板(6)上の所定の露光領域に露光する露光
装置において、その位置決め平面上の互いに交差する2
方向(X方向及びY方向)におけるその基板ステージ
(9)の加速度を検出する加速度検出手段(21〜2
3)と、この加速度検出手段の検出結果に基づいてその
基板ステージ(9)の2次元的な位置を算出する位置算
出手段(62)と、この位置算出手段により算出された
位置に基づいてその基板ステージ(9)の2次元的な位
置を制御する基板ステージ制御手段(63)と、を設け
たものである。
【0012】この場合、その基板ステージ(9)のその
位置決め平面上での回転角加速度を検出する角加速度検
出手段(21,22)を設け、その位置算出手段(6
2)は、その加速度検出手段(21〜23)及び角加速
度検出手段(21,22)の検出結果に基づいて更にそ
の基板ステージ(9)の回転角を算出し、その基板ステ
ージ制御手段(63)は、その位置算出手段(62)に
より算出された回転角に基づいてその基板ステージ
(9)の回転角をも制御することが好ましい。
位置決め平面上での回転角加速度を検出する角加速度検
出手段(21,22)を設け、その位置算出手段(6
2)は、その加速度検出手段(21〜23)及び角加速
度検出手段(21,22)の検出結果に基づいて更にそ
の基板ステージ(9)の回転角を算出し、その基板ステ
ージ制御手段(63)は、その位置算出手段(62)に
より算出された回転角に基づいてその基板ステージ
(9)の回転角をも制御することが好ましい。
【0013】更に、本発明による第2の露光装置は、転
写用のパターンが形成されたマスク(1)を照明し、そ
のマスク(1)を第1の方向(Y方向又は−Y方向)に
走査するのと同期してその基板(6)を第2の方向(−
Y方向又はY方向)に走査することによりそのマスク
(1)のパターンを逐次その基板(6)上の各露光領域
に露光する走査型露光装置において、そのマスク(1)
をこのマスクに平行な第1の位置決め平面上で移動させ
るマスクステージ(2)と、その第1の位置決め平面上
でその第1の方向及びこの第1の方向に交差する方向で
のそのマスクステージの加速度を検出するマスク側加速
度検出手段(18〜20)と、その基板(6)をこの基
板の表面に平行な第2の位置決め平面上で移動させる基
板ステージ(9)と、その第2の位置決め平面上でその
第2の方向及びこの第2の方向に交差する方向での前記
基板ステージの加速度を検出する基板側加速度検出手段
(21〜23)と、そのマスク側加速度検出手段(18
〜20)及び基板側加速度検出手段(21〜23)の検
出結果に基づいてそれぞれそのマスク(1)及びその基
板(6)の位置を算出する位置算出手段(60,62)
と、この位置算出手段の算出結果に基づいてそのマスク
ステージ(2)及び基板ステージ(9)の動作を制御す
るステージ制御手段(61,63)と、を設けたもので
ある。
写用のパターンが形成されたマスク(1)を照明し、そ
のマスク(1)を第1の方向(Y方向又は−Y方向)に
走査するのと同期してその基板(6)を第2の方向(−
Y方向又はY方向)に走査することによりそのマスク
(1)のパターンを逐次その基板(6)上の各露光領域
に露光する走査型露光装置において、そのマスク(1)
をこのマスクに平行な第1の位置決め平面上で移動させ
るマスクステージ(2)と、その第1の位置決め平面上
でその第1の方向及びこの第1の方向に交差する方向で
のそのマスクステージの加速度を検出するマスク側加速
度検出手段(18〜20)と、その基板(6)をこの基
板の表面に平行な第2の位置決め平面上で移動させる基
板ステージ(9)と、その第2の位置決め平面上でその
第2の方向及びこの第2の方向に交差する方向での前記
基板ステージの加速度を検出する基板側加速度検出手段
(21〜23)と、そのマスク側加速度検出手段(18
〜20)及び基板側加速度検出手段(21〜23)の検
出結果に基づいてそれぞれそのマスク(1)及びその基
板(6)の位置を算出する位置算出手段(60,62)
と、この位置算出手段の算出結果に基づいてそのマスク
ステージ(2)及び基板ステージ(9)の動作を制御す
るステージ制御手段(61,63)と、を設けたもので
ある。
【0014】この場合、そのマスク(1)に形成された
位置合わせ用マーク(48,49)と、その基板(6)
に形成された位置合わせ用マーク(46,47)との相
対的な位置ずれ量を検出するアライメント系(AL)を
設け、そのステージ制御手段を介してそのマスク(1)
及びその基板(6)の位置決めを行う際に、そのアライ
メント系(AL)で検出される位置ずれ量を所定の許容
範囲内に追い込むことが好ましい。
位置合わせ用マーク(48,49)と、その基板(6)
に形成された位置合わせ用マーク(46,47)との相
対的な位置ずれ量を検出するアライメント系(AL)を
設け、そのステージ制御手段を介してそのマスク(1)
及びその基板(6)の位置決めを行う際に、そのアライ
メント系(AL)で検出される位置ずれ量を所定の許容
範囲内に追い込むことが好ましい。
【0015】
【作用】斯かる本発明の第1の露光装置によれば、基板
ステージ(9)の位置及び速度はその基板ステージ
(9)に搭載された加速度センサ(21〜23)からの
加速度情報に基づき算出されるので、基板ステージ
(9)の位置をモニタする計測器に対する空気揺らぎの
影響はなく、基板(6)の位置及び速度は高精度に制御
される。
ステージ(9)の位置及び速度はその基板ステージ
(9)に搭載された加速度センサ(21〜23)からの
加速度情報に基づき算出されるので、基板ステージ
(9)の位置をモニタする計測器に対する空気揺らぎの
影響はなく、基板(6)の位置及び速度は高精度に制御
される。
【0016】また、基板ステージ(9)の回転角加速度
を検出する角加速度検出手段(21,22)を設けて基
板ステージ(9)の回転角をも制御する場合には、空気
揺らぎの影響を受けることなく回転角の制御ができる。
また本発明の第2の露光装置によれば、走査露光用のマ
スクステージ(2)及び走査用の基板ステージ(9)の
位置は、マスクステージ(2)に搭載された加速度セン
サ(18〜20)及び基板ステージ(9)に搭載された
加速度センサ(21〜23)からの加速度情報に基づき
それぞれ算出されるので、干渉計のように空気の揺らぎ
の影響を受けることなく、従ってマスク(1)及び基板
(6)の位置及び速度は高精度に制御される。
を検出する角加速度検出手段(21,22)を設けて基
板ステージ(9)の回転角をも制御する場合には、空気
揺らぎの影響を受けることなく回転角の制御ができる。
また本発明の第2の露光装置によれば、走査露光用のマ
スクステージ(2)及び走査用の基板ステージ(9)の
位置は、マスクステージ(2)に搭載された加速度セン
サ(18〜20)及び基板ステージ(9)に搭載された
加速度センサ(21〜23)からの加速度情報に基づき
それぞれ算出されるので、干渉計のように空気の揺らぎ
の影響を受けることなく、従ってマスク(1)及び基板
(6)の位置及び速度は高精度に制御される。
【0017】また、アライメント系(AL)を用いて、
走査開始前にマスク(1)に形成された位置合わせ用マ
ーク(48,49)と、基板(6)に形成された位置合
わせ用マーク(46,47)との相対的な位置ずれ量を
所定の許容範囲内に追い込む場合には、マスク(1)と
基板(6)とは高精度に位置合わせ(アライメント)が
行われる。その後の走査露光でも、その位置合わせ精度
が高精度に維持される。
走査開始前にマスク(1)に形成された位置合わせ用マ
ーク(48,49)と、基板(6)に形成された位置合
わせ用マーク(46,47)との相対的な位置ずれ量を
所定の許容範囲内に追い込む場合には、マスク(1)と
基板(6)とは高精度に位置合わせ(アライメント)が
行われる。その後の走査露光でも、その位置合わせ精度
が高精度に維持される。
【0018】
【実施例】以下、本発明による露光装置の一実施例につ
き、図1〜図6を参照して説明する。本実施例は、レチ
クル上のパターンを投影光学系を介してウエハ上の各シ
ョット領域に走査露光方式で露光するステップ・アンド
・スキャン方式の投影露光装置に本発明を適用したもの
である。
き、図1〜図6を参照して説明する。本実施例は、レチ
クル上のパターンを投影光学系を介してウエハ上の各シ
ョット領域に走査露光方式で露光するステップ・アンド
・スキャン方式の投影露光装置に本発明を適用したもの
である。
【0019】図1は、本実施例の投影露光装置の概略構
成を示し、この図1において、水銀ランプ又はエキシマ
レーザ光源等よりなる光源、この光源からの照明光を整
形する整形光学系、均一な照度にするためのフライアイ
レンズ、及びコンデンサーレンズ等よりなる照明光学系
ELから射出された露光用の照明光ILが、レチクル1
に対してほぼ45°の傾斜角で配置されたダイクロイッ
クミラー24で反射されて、レチクル1上の矩形の照明
領域(以下「スリット状の照明領域」という)50に照
射され、その照明領域50内に描画された回路パターン
が、投影光学系3を介してウエハ6の表面に露光され
る。ここで、図1において、投影光学系3の光軸AXに
平行にZ軸を取り、その光軸に垂直な平面内で図1の紙
面に平行にX軸、図1の紙面に垂直にY軸を取る。
成を示し、この図1において、水銀ランプ又はエキシマ
レーザ光源等よりなる光源、この光源からの照明光を整
形する整形光学系、均一な照度にするためのフライアイ
レンズ、及びコンデンサーレンズ等よりなる照明光学系
ELから射出された露光用の照明光ILが、レチクル1
に対してほぼ45°の傾斜角で配置されたダイクロイッ
クミラー24で反射されて、レチクル1上の矩形の照明
領域(以下「スリット状の照明領域」という)50に照
射され、その照明領域50内に描画された回路パターン
が、投影光学系3を介してウエハ6の表面に露光され
る。ここで、図1において、投影光学系3の光軸AXに
平行にZ軸を取り、その光軸に垂直な平面内で図1の紙
面に平行にX軸、図1の紙面に垂直にY軸を取る。
【0020】また、投影光学系3の投影倍率をβ(本例
ではβ=1/4)とすると、上記のレチクル1の回路パ
ターンがウエハ6の表面に露光される際に、照明光IL
によるスリット状の照明領域50に対して、レチクル1
が図1の紙面に対して前方向(−Y方向)に一定速度V
R で走査されるのに同期して、ウエハ6は図1の紙面に
対して後方向(+Y方向)に一定速度VW =β・VR で
走査される。
ではβ=1/4)とすると、上記のレチクル1の回路パ
ターンがウエハ6の表面に露光される際に、照明光IL
によるスリット状の照明領域50に対して、レチクル1
が図1の紙面に対して前方向(−Y方向)に一定速度V
R で走査されるのに同期して、ウエハ6は図1の紙面に
対して後方向(+Y方向)に一定速度VW =β・VR で
走査される。
【0021】回路パターンの描かれたレチクル1は、レ
チクルベース板25上に載置されたレチクルステージ2
上に真空吸着され、このレチクルステージ2は、投影光
学系3の光軸AXに垂直な2次元平面(XY平面)内
で、X方向、Y方向及び回転方向(θ方向)にレチクル
2を位置決めする。また、レチクルステージ2はY方向
(走査方向)に所定の走査速度でレチクル1を走査でき
るようになっている。即ち、レチクルステージ2は、レ
チクル1に描かれたパターンの全ての領域が照明光IL
によるスリット状の照明領域上を通過できるのに十分な
Y方向の移動ストロークを有している。
チクルベース板25上に載置されたレチクルステージ2
上に真空吸着され、このレチクルステージ2は、投影光
学系3の光軸AXに垂直な2次元平面(XY平面)内
で、X方向、Y方向及び回転方向(θ方向)にレチクル
2を位置決めする。また、レチクルステージ2はY方向
(走査方向)に所定の走査速度でレチクル1を走査でき
るようになっている。即ち、レチクルステージ2は、レ
チクル1に描かれたパターンの全ての領域が照明光IL
によるスリット状の照明領域上を通過できるのに十分な
Y方向の移動ストロークを有している。
【0022】また、レチクルステージ2の周辺には最低
3系統のレーザ干渉計52が配置され、またレチクルス
テージ2上にはレーザ干渉計52からのレーザを反射す
る移動鏡53X,53Y(図2参照)が設けられてレチ
クルステージ2のX座標、Y座標及び回転角が計測され
る。レチクルステージ2の位置はレーザ干渉計52によ
って、例えば0.01μm程度の分解能で常時検出され
ている。走査露光時には空気揺らぎの影響によりレーザ
干渉計の計測値の信頼性は低くなるが、略々静止時(位
置決め時等)におけるレーザ干渉計の計測値の信頼性は
高い。そこで、本例ではレチクルステージ2の位置決め
時(アライメント時)にはレーザ干渉計52で計測を行
い、この計測結果を基準として、走査露光時には後述の
加速度センサにより位置計測を行う。
3系統のレーザ干渉計52が配置され、またレチクルス
テージ2上にはレーザ干渉計52からのレーザを反射す
る移動鏡53X,53Y(図2参照)が設けられてレチ
クルステージ2のX座標、Y座標及び回転角が計測され
る。レチクルステージ2の位置はレーザ干渉計52によ
って、例えば0.01μm程度の分解能で常時検出され
ている。走査露光時には空気揺らぎの影響によりレーザ
干渉計の計測値の信頼性は低くなるが、略々静止時(位
置決め時等)におけるレーザ干渉計の計測値の信頼性は
高い。そこで、本例ではレチクルステージ2の位置決め
時(アライメント時)にはレーザ干渉計52で計測を行
い、この計測結果を基準として、走査露光時には後述の
加速度センサにより位置計測を行う。
【0023】次に、図2を参照してレチクルステージ2
の周辺の構成を更に詳しく説明する。図2は、レチクル
ステージ2を示す平面図であり、この図2においてレチ
クルステージ2上の+Y方向の端部には、X方向の加速
度を検知する加速度センサ20が設けられ、レチクルス
テージ2上の−X方向及び+X方向の端部にはそれぞれ
Y方向の加速度を検知する加速度センサ18及び19が
設けられている。また、レチクルベース板25上の+Y
方向の端部には、X方向の加速度を検知する加速度セン
サ28が設けられ、レチクルベース板25上の−X方向
及び+X方向の端部にはそれぞれY方向の加速度を検知
する加速度センサ26及び27が設けられている。その
レチクルベース板25上の加速度センサ26〜28は、
レチクルステージ2を保持する周辺機器の傾きあるいは
振動等の影響による計測位置のずれを補正するために設
けられている。なお、加速度センサの具体例について
は、後で説明する。
の周辺の構成を更に詳しく説明する。図2は、レチクル
ステージ2を示す平面図であり、この図2においてレチ
クルステージ2上の+Y方向の端部には、X方向の加速
度を検知する加速度センサ20が設けられ、レチクルス
テージ2上の−X方向及び+X方向の端部にはそれぞれ
Y方向の加速度を検知する加速度センサ18及び19が
設けられている。また、レチクルベース板25上の+Y
方向の端部には、X方向の加速度を検知する加速度セン
サ28が設けられ、レチクルベース板25上の−X方向
及び+X方向の端部にはそれぞれY方向の加速度を検知
する加速度センサ26及び27が設けられている。その
レチクルベース板25上の加速度センサ26〜28は、
レチクルステージ2を保持する周辺機器の傾きあるいは
振動等の影響による計測位置のずれを補正するために設
けられている。なお、加速度センサの具体例について
は、後で説明する。
【0024】レーザ干渉計52の計測値、加速度センサ
18〜20からのレチクルステージ2の加速度情報、及
び加速度センサ26〜28からのレチクルベース板25
の加速度情報は、レチクルステージ位置算出部60に送
られる。レチクルステージ位置算出部60ではこれらの
加速度情報等に基づいてレチクルステージ2の位置が算
出されるが、ここで、加速度センサから送られてくる加
速度情報の処理について、レチクルステージ2をモニタ
する加速度センサ18〜20を例にとり説明する。
18〜20からのレチクルステージ2の加速度情報、及
び加速度センサ26〜28からのレチクルベース板25
の加速度情報は、レチクルステージ位置算出部60に送
られる。レチクルステージ位置算出部60ではこれらの
加速度情報等に基づいてレチクルステージ2の位置が算
出されるが、ここで、加速度センサから送られてくる加
速度情報の処理について、レチクルステージ2をモニタ
する加速度センサ18〜20を例にとり説明する。
【0025】レチクルステージ2をモニタする加速度セ
ンサ20からはX方向の加速度が、また、加速度センサ
18,19からは共にY方向の加速度が情報として伝え
られる。X方向の加速度は、加速度センサ20の測定値
でよく、Y方向の加速度は加速度センサ18,19の測
定値の何れか一方の値又は両者の平均値をとればよい。
次に、加速度センサ18の測定値と加速度センサ19の
測定値との差分からレチクルステージ2の回転に伴うX
Y2次元平面内の角加速度が算出される。レチクルベー
ス板25、後述するウエハレベリングテーブル9、及び
装置ベース29の位置を計測する加速度センサからの加
速度情報の処理についても同様である。
ンサ20からはX方向の加速度が、また、加速度センサ
18,19からは共にY方向の加速度が情報として伝え
られる。X方向の加速度は、加速度センサ20の測定値
でよく、Y方向の加速度は加速度センサ18,19の測
定値の何れか一方の値又は両者の平均値をとればよい。
次に、加速度センサ18の測定値と加速度センサ19の
測定値との差分からレチクルステージ2の回転に伴うX
Y2次元平面内の角加速度が算出される。レチクルベー
ス板25、後述するウエハレベリングテーブル9、及び
装置ベース29の位置を計測する加速度センサからの加
速度情報の処理についても同様である。
【0026】以上のX方向の加速度、Y方向の加速度、
及び回転角加速度から後述する計算方法によりレチクル
ステージ2の位置が算出される。算出された位置情報は
レチクルステージ制御系61に送られる。レチクルステ
ージ制御系61の位置情報は、更に主制御系(不図示)
に送られる。主制御系は、ウエハステージとの位置関係
を検出し、その結果をレチクルステージ制御系61にフ
ィードバックする。レチクルステージ制御系61は、フ
ィードバックされた結果に基づきレチクルステージ駆動
系54を介してレチクルステージ全体の動作を制御す
る。
及び回転角加速度から後述する計算方法によりレチクル
ステージ2の位置が算出される。算出された位置情報は
レチクルステージ制御系61に送られる。レチクルステ
ージ制御系61の位置情報は、更に主制御系(不図示)
に送られる。主制御系は、ウエハステージとの位置関係
を検出し、その結果をレチクルステージ制御系61にフ
ィードバックする。レチクルステージ制御系61は、フ
ィードバックされた結果に基づきレチクルステージ駆動
系54を介してレチクルステージ全体の動作を制御す
る。
【0027】レチクルステージ2の2次元平面内の位置
座標(xr ,yr ,θr )は、位置決め時にはレチクル
ステージ2上の移動鏡53、及び周辺に配置された最低
3系統のレーザ干渉計52の計測値に基づき計測され、
また、走査露光時にはレチクルステージ2上の加速度セ
ンサ18〜20及びレチクルベース板25上の加速度セ
ンサ26〜28の計測値に基づき算出される。なお、そ
の位置座標において、xr はX座標、yr はY座標、θ
r は2次元平面内での回転角を表す。
座標(xr ,yr ,θr )は、位置決め時にはレチクル
ステージ2上の移動鏡53、及び周辺に配置された最低
3系統のレーザ干渉計52の計測値に基づき計測され、
また、走査露光時にはレチクルステージ2上の加速度セ
ンサ18〜20及びレチクルベース板25上の加速度セ
ンサ26〜28の計測値に基づき算出される。なお、そ
の位置座標において、xr はX座標、yr はY座標、θ
r は2次元平面内での回転角を表す。
【0028】図3は、本実施例の投影露光装置のウエハ
ステージ周辺の構成を示す平面図である。図1及び図3
によりウエハステージ周辺の構造を詳しく説明する。な
お、ウエハステージは、ウエハホルダ10、ウエハレベ
リングテーブル9、ウエハXステージ8、及びウエハY
ステージ7等を併せた全体のステージを総称するもので
ある。
ステージ周辺の構成を示す平面図である。図1及び図3
によりウエハステージ周辺の構造を詳しく説明する。な
お、ウエハステージは、ウエハホルダ10、ウエハレベ
リングテーブル9、ウエハXステージ8、及びウエハY
ステージ7等を併せた全体のステージを総称するもので
ある。
【0029】ウエハ6は、ウエハホルダ10上に真空吸
着され、ウエハホルダ10はウエハレベリングテーブル
9上に搭載されている。ウエハレベリングテーブル9
は、Y方向にレチクルステージ2のY方向のストローク
のβ倍(1/4)のストロークを持ち、走査露光時はレ
チクルステージ2の走査方向とは逆の方向にレチクルス
テージ2の速度のβ倍(1/4)の速度で走査される。
着され、ウエハホルダ10はウエハレベリングテーブル
9上に搭載されている。ウエハレベリングテーブル9
は、Y方向にレチクルステージ2のY方向のストローク
のβ倍(1/4)のストロークを持ち、走査露光時はレ
チクルステージ2の走査方向とは逆の方向にレチクルス
テージ2の速度のβ倍(1/4)の速度で走査される。
【0030】ウエハレベリングテーブル9は、この投影
露光装置で露光される最大のウエハの直径分の長さだけ
X方向に移動可能なウエハXステージ8上に載置され、
ウエハXステージ8は、最大のウエハの直径分の長さだ
けY方向に移動可能なウエハYステージ7上に載置され
ている。また、ウエハYステージ7は、装置ベース29
上に載置されている。
露光装置で露光される最大のウエハの直径分の長さだけ
X方向に移動可能なウエハXステージ8上に載置され、
ウエハXステージ8は、最大のウエハの直径分の長さだ
けY方向に移動可能なウエハYステージ7上に載置され
ている。また、ウエハYステージ7は、装置ベース29
上に載置されている。
【0031】ウエハYステージ7は、送りねじ機構13
によって装置ベース29に対して相対的にY方向に移動
する。送りねじ機構13は、ウエハYステージ7の側面
に配置され且つ装置ベース29に固定された駆動モータ
13a、及びこの駆動モータ13aに連結されて回転す
る送りねじ13bより構成されている。他の送りねじ機
構も同様である。また、ウエハXステージ8は、送りね
じ機構14によってウエハYステージ7に対して相対的
にX方向に移動する。更に、ウエハレベリングテーブル
9は、ウエハ6の傾斜角を調整する。また、不図示であ
るがウエハ6のZ方向の位置を調整するZステージも設
けられている。
によって装置ベース29に対して相対的にY方向に移動
する。送りねじ機構13は、ウエハYステージ7の側面
に配置され且つ装置ベース29に固定された駆動モータ
13a、及びこの駆動モータ13aに連結されて回転す
る送りねじ13bより構成されている。他の送りねじ機
構も同様である。また、ウエハXステージ8は、送りね
じ機構14によってウエハYステージ7に対して相対的
にX方向に移動する。更に、ウエハレベリングテーブル
9は、ウエハ6の傾斜角を調整する。また、不図示であ
るがウエハ6のZ方向の位置を調整するZステージも設
けられている。
【0032】また、ウエハレベリングテーブル9の周囲
には最低3系統のレーザ干渉計17が配置され、ウエハ
レベリングテーブル9上にはレーザ干渉計17からのレ
ーザ光を反射する移動鏡11及び12が設けられてい
る。レーザ干渉計17によりウエハレベリングテーブル
9のX座標、Y座標及び回転角が計測される。更に、図
3において、ウエハレベリングテーブル9上の+Y方向
の端部には、X方向の加速度を検知する加速度センサ2
3が設けられ、ウエハレベリングテーブル9上の−X方
向及び+X方向の端部にはそれぞれY方向の加速度を検
知する加速度センサ21及び22が設けられている。ま
た、装置ベース29上の+Y方向の端部には、X方向の
加速度を検知する加速度センサ32が設けられ、装置ベ
ース29上の−X方向及び+X方向の端部にはそれぞれ
Y方向の加速度を検知する加速度センサ30及び31が
設けられている。その装置ベース29上の加速度センサ
30〜32は、ウエハレベリングテーブル9を保持する
周辺機器の傾きあるいは振動等の影響による計測位置の
ずれを補正するために設けられている。
には最低3系統のレーザ干渉計17が配置され、ウエハ
レベリングテーブル9上にはレーザ干渉計17からのレ
ーザ光を反射する移動鏡11及び12が設けられてい
る。レーザ干渉計17によりウエハレベリングテーブル
9のX座標、Y座標及び回転角が計測される。更に、図
3において、ウエハレベリングテーブル9上の+Y方向
の端部には、X方向の加速度を検知する加速度センサ2
3が設けられ、ウエハレベリングテーブル9上の−X方
向及び+X方向の端部にはそれぞれY方向の加速度を検
知する加速度センサ21及び22が設けられている。ま
た、装置ベース29上の+Y方向の端部には、X方向の
加速度を検知する加速度センサ32が設けられ、装置ベ
ース29上の−X方向及び+X方向の端部にはそれぞれ
Y方向の加速度を検知する加速度センサ30及び31が
設けられている。その装置ベース29上の加速度センサ
30〜32は、ウエハレベリングテーブル9を保持する
周辺機器の傾きあるいは振動等の影響による計測位置の
ずれを補正するために設けられている。
【0033】ウエハレベリングテーブル9の2次元平面
内の位置座標(xw ,yw ,θw )は、位置決め時には
ウエハレベリングテーブル9上の移動鏡11,12、及
び周辺に配置されたレーザ干渉計17の計測値に基づ
き、また、走査露光時にはウエハレベリングテーブル9
上の加速度センサ21〜23及び装置ベース29上の加
速度センサ30〜32の計測値に基づいて検出される。
なお、その位置座標において、xw はX座標、yw はY
座標、θw は2次元平面内での回転角を表す。
内の位置座標(xw ,yw ,θw )は、位置決め時には
ウエハレベリングテーブル9上の移動鏡11,12、及
び周辺に配置されたレーザ干渉計17の計測値に基づ
き、また、走査露光時にはウエハレベリングテーブル9
上の加速度センサ21〜23及び装置ベース29上の加
速度センサ30〜32の計測値に基づいて検出される。
なお、その位置座標において、xw はX座標、yw はY
座標、θw は2次元平面内での回転角を表す。
【0034】レーザ干渉計17の計測値及び加速度セン
サ21〜23,30〜32からのウエハレベリングテー
ブル9の加速度情報は、ウエハステージ位置算出部62
に送られる。ウエハステージ位置算出部62では、それ
らの情報に基づいてウエハレベリングテーブル9の位置
が算出され、その結果はウエハステージ制御系63に送
られる。ウエハステージ制御系63の位置情報は、更に
主制御系(不図示)に送られる。主制御系は、レチクル
ステージとの位置関係を検出し、その結果をウエハステ
ージ制御系63にフィードバックする。ウエハステージ
制御系63は、フィードバックされた結果に基づき送り
ねじ機構13,14等を介してウエハステージ全体の動
作を制御する。
サ21〜23,30〜32からのウエハレベリングテー
ブル9の加速度情報は、ウエハステージ位置算出部62
に送られる。ウエハステージ位置算出部62では、それ
らの情報に基づいてウエハレベリングテーブル9の位置
が算出され、その結果はウエハステージ制御系63に送
られる。ウエハステージ制御系63の位置情報は、更に
主制御系(不図示)に送られる。主制御系は、レチクル
ステージとの位置関係を検出し、その結果をウエハステ
ージ制御系63にフィードバックする。ウエハステージ
制御系63は、フィードバックされた結果に基づき送り
ねじ機構13,14等を介してウエハステージ全体の動
作を制御する。
【0035】更に、図1中には投影光学系3の結像面付
近のウエハ6の露光面に向けて、光軸AXに対して斜め
にピンホール、あるいはスリットパターン等の像を投影
する照射光学系4と、その投影された像のウエハ6の表
面での反射光束をスリットを介して受光する受光光学系
5とからなる斜入射方式の焦点位置検出系が設けられて
いる。ウエハ6の表面のZ方向の位置は、この焦点位置
検出系4,5によって検出され、その検出情報に基づき
ウエハ6の表面が投影光学系3の結像面に合致するよう
にオートフォーカスが行われる。
近のウエハ6の露光面に向けて、光軸AXに対して斜め
にピンホール、あるいはスリットパターン等の像を投影
する照射光学系4と、その投影された像のウエハ6の表
面での反射光束をスリットを介して受光する受光光学系
5とからなる斜入射方式の焦点位置検出系が設けられて
いる。ウエハ6の表面のZ方向の位置は、この焦点位置
検出系4,5によって検出され、その検出情報に基づき
ウエハ6の表面が投影光学系3の結像面に合致するよう
にオートフォーカスが行われる。
【0036】ここで、図1〜3に示す加速度センサの具
体例につき簡単に説明する。加速度センサにはサーボ
型、圧電素子型等数多くの方式があり、例えばサーボ型
は、固定された永久磁石と、コイルが取り付けられた振
り子とよりなり、加速度によって振り子が振れたとき、
その振れを元に戻そうとしてコイルに流れる電流を電圧
に変換して検出するもので、その電圧を検出することに
より加速度が測定される。圧電素子型には、せん断式と
圧縮式とがあるが、何れも圧電材料に重りが付けられて
おり、加速度によって圧電材料が歪んだときに発生する
電荷量を検出することにより加速度が測定される。また
圧電素子型の一種で、別々の材質からなる2種類の材料
を張り合わせた板棒状のものを片持ち状態で保持し、加
速度が発生したときに物体が撓んで電荷が発生すること
により加速度を測定する方式もある。その他半導体型、
振動子型、及び静電容量型等数多くの方式が開発されて
いる。
体例につき簡単に説明する。加速度センサにはサーボ
型、圧電素子型等数多くの方式があり、例えばサーボ型
は、固定された永久磁石と、コイルが取り付けられた振
り子とよりなり、加速度によって振り子が振れたとき、
その振れを元に戻そうとしてコイルに流れる電流を電圧
に変換して検出するもので、その電圧を検出することに
より加速度が測定される。圧電素子型には、せん断式と
圧縮式とがあるが、何れも圧電材料に重りが付けられて
おり、加速度によって圧電材料が歪んだときに発生する
電荷量を検出することにより加速度が測定される。また
圧電素子型の一種で、別々の材質からなる2種類の材料
を張り合わせた板棒状のものを片持ち状態で保持し、加
速度が発生したときに物体が撓んで電荷が発生すること
により加速度を測定する方式もある。その他半導体型、
振動子型、及び静電容量型等数多くの方式が開発されて
いる。
【0037】本実施例においては、以上の何れのタイプ
の加速度センサも使用できるが、その加速度センサを使
用することにより一種の閉じた系で位置を計測すること
ができる。次に、図1に示す本実施例のアライメント光
学系ALについて説明する。本例のアライメント光学系
ALは、レチクルマークとウエハマークとの位置ずれ量
を画像処理方式で計測するFIA(Field Image Alignm
ent)方式のアライメント光学系である。
の加速度センサも使用できるが、その加速度センサを使
用することにより一種の閉じた系で位置を計測すること
ができる。次に、図1に示す本実施例のアライメント光
学系ALについて説明する。本例のアライメント光学系
ALは、レチクルマークとウエハマークとの位置ずれ量
を画像処理方式で計測するFIA(Field Image Alignm
ent)方式のアライメント光学系である。
【0038】図4は、アライメント光学系ALを示す構
成図であり、この図4において、アライメント光学系A
Lは2系統のアライメント観察系AL1,AL2からな
り、両者ともX方向及びY方向の位置ずれ量を検出でき
る。図1の如くアライメント光学系ALの2系統のアラ
イメント観察系AL1,AL2から射出されたそれぞれ
のアライメント光AB1,AB2は、ダイクロイックミ
ラー24の異なった領域を通過してレチクル1上の異な
る領域に入射し、更にレチクル1を通過した後、投影光
学系3を経てウエハ6の表面の互いに異なる領域に入射
する。ウエハ6の表面に照射されたアライメント光AB
1及びAB2は、それぞれウエハ6の表面で反射され、
反射された光束は、再び投影光学系3を経た後、レチク
ル1で反射されたそれぞれの反射光束と共にダイクロイ
ックミラー24の異なった領域を通過してアライメント
光学系ALの対応するアライメント観察系AL1及びA
L2に入射する。
成図であり、この図4において、アライメント光学系A
Lは2系統のアライメント観察系AL1,AL2からな
り、両者ともX方向及びY方向の位置ずれ量を検出でき
る。図1の如くアライメント光学系ALの2系統のアラ
イメント観察系AL1,AL2から射出されたそれぞれ
のアライメント光AB1,AB2は、ダイクロイックミ
ラー24の異なった領域を通過してレチクル1上の異な
る領域に入射し、更にレチクル1を通過した後、投影光
学系3を経てウエハ6の表面の互いに異なる領域に入射
する。ウエハ6の表面に照射されたアライメント光AB
1及びAB2は、それぞれウエハ6の表面で反射され、
反射された光束は、再び投影光学系3を経た後、レチク
ル1で反射されたそれぞれの反射光束と共にダイクロイ
ックミラー24の異なった領域を通過してアライメント
光学系ALの対応するアライメント観察系AL1及びA
L2に入射する。
【0039】一方のアライメント観察系AL1では、光
源33から射出されたアライメント光AB1は、集光レ
ンズ34、ビームスプリッタ35、対物レンズ36を通
過した後、図1のダイクロイックミラー24を透過して
レチクル1に形成されたレチクルマーク48及びウエハ
6上に形成されたウエハマーク46に照射される。そし
て、レチクルマーク48及びウエハマーク46で反射さ
れたアライメント光は、再び図4の対物レンズ36を通
り、ビームスプリッタ35に戻り、ビームスプリッタ3
5で反射されたアライメント光は結像レンズ37を通っ
て2次元CCD撮像素子38で受光される。
源33から射出されたアライメント光AB1は、集光レ
ンズ34、ビームスプリッタ35、対物レンズ36を通
過した後、図1のダイクロイックミラー24を透過して
レチクル1に形成されたレチクルマーク48及びウエハ
6上に形成されたウエハマーク46に照射される。そし
て、レチクルマーク48及びウエハマーク46で反射さ
れたアライメント光は、再び図4の対物レンズ36を通
り、ビームスプリッタ35に戻り、ビームスプリッタ3
5で反射されたアライメント光は結像レンズ37を通っ
て2次元CCD撮像素子38で受光される。
【0040】他方のアライメント観察系AL2でも、光
源39から射出されたアライメント光AB2は、集光レ
ンズ40、ビームスプリッタ41、対物レンズ42を通
過した後、図1のダイクロイックミラー24を透過して
レチクル1に形成されたレチクルマーク49及びウエハ
6上に形成されたウエハマーク47に照射される。そし
て、レチクルマーク49及びウエハマーク47で反射さ
れたアライメント光は、再び図4の対物レンズ42を通
り、ビームスプリッタ41で反射された後、結像レンズ
43を通って2次元CCD撮像素子44で受光される。
源39から射出されたアライメント光AB2は、集光レ
ンズ40、ビームスプリッタ41、対物レンズ42を通
過した後、図1のダイクロイックミラー24を透過して
レチクル1に形成されたレチクルマーク49及びウエハ
6上に形成されたウエハマーク47に照射される。そし
て、レチクルマーク49及びウエハマーク47で反射さ
れたアライメント光は、再び図4の対物レンズ42を通
り、ビームスプリッタ41で反射された後、結像レンズ
43を通って2次元CCD撮像素子44で受光される。
【0041】図5は、2次元CCD撮像素子38及び4
4で撮像された像をCRTディスプレイ45に表示した
状態を示す。図5において、2次元CCD撮像素子38
により撮像されたレチクルマーク48及びウエハマーク
46のそれぞれの像48A及び46Aからなる1組の像
と、2次元CCD撮像素子44により撮像されたレチク
ルマーク49及びウエハマーク47のそれぞれの像49
A及び47Aからなる1組の像とが電気的に合成され、
CRTディスプレイ45の一つの画面上に映し出されて
いる。この画像を処理することにより、レチクルマーク
48,49と対応するウエハマーク46,47との位置
ずれ量が検出される。
4で撮像された像をCRTディスプレイ45に表示した
状態を示す。図5において、2次元CCD撮像素子38
により撮像されたレチクルマーク48及びウエハマーク
46のそれぞれの像48A及び46Aからなる1組の像
と、2次元CCD撮像素子44により撮像されたレチク
ルマーク49及びウエハマーク47のそれぞれの像49
A及び47Aからなる1組の像とが電気的に合成され、
CRTディスプレイ45の一つの画面上に映し出されて
いる。この画像を処理することにより、レチクルマーク
48,49と対応するウエハマーク46,47との位置
ずれ量が検出される。
【0042】図6は図1の平面図であり、この図6に示
すように、2系統のアライメント観察系AL1,AL2
は、斜線を施したスリット状の照明領域50に対して外
側に配置されている。また、レチクル1上の走査露光領
域51の端部に左右対で形成されたレチクルマーク4
8,49及びウエハマーク46,47の共役像46R,
47Rの観察ができるようにアライメント観察系AL
1,AL2は配置されている。なお、図1においては便
宜上、レチクルマーク48,49と照明領域50とはX
方向に離れて形成されているが、実際の配置は図6のよ
うになっている。更に、2系統のアライメント観察系A
L1,AL2は、そのX方向の間隔が可変になってお
り、種々の大きさの露光ショットに対応できるようにな
っている。
すように、2系統のアライメント観察系AL1,AL2
は、斜線を施したスリット状の照明領域50に対して外
側に配置されている。また、レチクル1上の走査露光領
域51の端部に左右対で形成されたレチクルマーク4
8,49及びウエハマーク46,47の共役像46R,
47Rの観察ができるようにアライメント観察系AL
1,AL2は配置されている。なお、図1においては便
宜上、レチクルマーク48,49と照明領域50とはX
方向に離れて形成されているが、実際の配置は図6のよ
うになっている。更に、2系統のアライメント観察系A
L1,AL2は、そのX方向の間隔が可変になってお
り、種々の大きさの露光ショットに対応できるようにな
っている。
【0043】次に、本例におけるウエハステージの位置
決め及び走査露光方式による露光動作の一例につき説明
する。図1において、不図示のウエハローダによってウ
エハホルダ10上に運ばれたウエハ6はそのウエハホル
ダ10上に真空吸着され、不図示の粗アライメント系に
よって±数μm以下の精度でその位置合わせが行われ
る。次に、ウエハ6上でまず最初に露光しようとするシ
ョット領域に付設されたウエハマーク46,47が、図
4の2系統のアライメント観察系AL1,AL2の視野
内に位置決めされる。この際、干渉計17の計測値に基
づいてウエハ6はウエハXステージ8、ウエハYステー
ジ7によって位置決めされ、それと同時に、レチクルマ
ーク48,49も2系統のアライメント観察系AL1,
AL2の視野内に位置決めされる。
決め及び走査露光方式による露光動作の一例につき説明
する。図1において、不図示のウエハローダによってウ
エハホルダ10上に運ばれたウエハ6はそのウエハホル
ダ10上に真空吸着され、不図示の粗アライメント系に
よって±数μm以下の精度でその位置合わせが行われ
る。次に、ウエハ6上でまず最初に露光しようとするシ
ョット領域に付設されたウエハマーク46,47が、図
4の2系統のアライメント観察系AL1,AL2の視野
内に位置決めされる。この際、干渉計17の計測値に基
づいてウエハ6はウエハXステージ8、ウエハYステー
ジ7によって位置決めされ、それと同時に、レチクルマ
ーク48,49も2系統のアライメント観察系AL1,
AL2の視野内に位置決めされる。
【0044】次に、アライメント観察系AL1は、レチ
クルマーク48とウエハマーク46との相対的な位置ず
れ量(Δx1 ,Δy1 )を計測し、アライメント観察系
AL2は、レチクルマーク49とウエハマーク47との
相対的な位置ずれ量(Δx2,Δy2 )を計測する。Δ
x1 及びΔx2 はそれぞれX方向の位置ずれ量を表し、
Δy1 及びΔy2 はそれぞれY方向の位置ずれ量を表
す。そして、これらの位置ずれ量Δx1 ,Δy1 ,Δx
2 ,Δy2 の値が全て0(又は所定の基準値)になるよ
うにレチクルステージ2を微動させる。以上の動作によ
り、アライメントが終了する。
クルマーク48とウエハマーク46との相対的な位置ず
れ量(Δx1 ,Δy1 )を計測し、アライメント観察系
AL2は、レチクルマーク49とウエハマーク47との
相対的な位置ずれ量(Δx2,Δy2 )を計測する。Δ
x1 及びΔx2 はそれぞれX方向の位置ずれ量を表し、
Δy1 及びΔy2 はそれぞれY方向の位置ずれ量を表
す。そして、これらの位置ずれ量Δx1 ,Δy1 ,Δx
2 ,Δy2 の値が全て0(又は所定の基準値)になるよ
うにレチクルステージ2を微動させる。以上の動作によ
り、アライメントが終了する。
【0045】更に、レチクルマーク48,49と対応す
るウエハマーク46,47との相対的な位置ずれ量が0
になったとき、レチクル側のレーザ干渉計52によりレ
チクルステージ2の初期位置(xr0,yr0,θr0)が計
測され、同時にレーザ干渉計17によりウエハレベリン
グテーブル9の初期位置(xw0,yw0,θw0)が計測さ
れる。
るウエハマーク46,47との相対的な位置ずれ量が0
になったとき、レチクル側のレーザ干渉計52によりレ
チクルステージ2の初期位置(xr0,yr0,θr0)が計
測され、同時にレーザ干渉計17によりウエハレベリン
グテーブル9の初期位置(xw0,yw0,θw0)が計測さ
れる。
【0046】初期位置が計測された後、走査露光が開始
される。レチクルステージ2に搭載された三つの加速度
センサ18〜20により測定されたそれぞれの加速度の
値をaRS1 〜aRS3 、レチクルベース板25に搭載され
た3つの加速度センサ26〜28により測定されたそれ
ぞれの加速度の値をaRB1 〜aRB3 、ウエハレベリング
テーブル9に搭載された3つの加速度センサ21〜23
により測定されたそれぞれの加速度の値をaWS1 〜a
WS3 、そして装置ベース29に搭載された3つの加速度
センサ30〜32から出力されるそれぞれの加速度の値
をaWB1 〜aWB3とする。これらの加速度情報に基づき
レチクルステージ2の位置(xr ,yr ,θr )とウエ
ハレベリングテーブル9の位置(xw ,yw ,θw )と
を求めるには、それぞれの加速度の値に2回の時間積分
を施せばよい。例えばレチクルステージ2のX座標の位
置xr は以下の計算により求めることができる。また、
走査開始時(t=0)での位置xr の初期値はxr0であ
る。
される。レチクルステージ2に搭載された三つの加速度
センサ18〜20により測定されたそれぞれの加速度の
値をaRS1 〜aRS3 、レチクルベース板25に搭載され
た3つの加速度センサ26〜28により測定されたそれ
ぞれの加速度の値をaRB1 〜aRB3 、ウエハレベリング
テーブル9に搭載された3つの加速度センサ21〜23
により測定されたそれぞれの加速度の値をaWS1 〜a
WS3 、そして装置ベース29に搭載された3つの加速度
センサ30〜32から出力されるそれぞれの加速度の値
をaWB1 〜aWB3とする。これらの加速度情報に基づき
レチクルステージ2の位置(xr ,yr ,θr )とウエ
ハレベリングテーブル9の位置(xw ,yw ,θw )と
を求めるには、それぞれの加速度の値に2回の時間積分
を施せばよい。例えばレチクルステージ2のX座標の位
置xr は以下の計算により求めることができる。また、
走査開始時(t=0)での位置xr の初期値はxr0であ
る。
【0047】 xr =∫(∫aRS3 dt)dt−∫(∫aRB3 dt)dt (1) 以上の方法により求めたレチクルステージ2の位置(x
r ,yr ,θr )とウエハレベリングテーブル9の位置
(xw ,yw ,θw )とを基に、各ステージの制御を行
いながら、走査露光を行う。更に、加速度を1回時間積
分すると速度が求められるため、上述の加速度を1回積
分して求めた速度に基づいて、レチクルステージ2及び
ウエハレベリングステージ9の速度を制御してもよい。
r ,yr ,θr )とウエハレベリングテーブル9の位置
(xw ,yw ,θw )とを基に、各ステージの制御を行
いながら、走査露光を行う。更に、加速度を1回時間積
分すると速度が求められるため、上述の加速度を1回積
分して求めた速度に基づいて、レチクルステージ2及び
ウエハレベリングステージ9の速度を制御してもよい。
【0048】レチクル1上の所定の走査露光範囲の露光
が終了した後、ウエハレベリングテーブル9は走査開始
点に戻され、次に露光されるショット領域に付設された
2つのウエハマーク(不図示)がウエハXステージ8と
ウエハYステージ7とによって、2系統のアライメント
観察系AL1,AL2の視野内に位置決めされる。同時
に、レチクルマーク48,49も2系統のアライメント
観察系AL1,AL2の視野内に位置決めされる。以下
上述の最初の露光時と同様の手順を繰り返しながら、ウ
エハ6の各ショット領域にそれぞれレチクル1のパター
ンが露光される。
が終了した後、ウエハレベリングテーブル9は走査開始
点に戻され、次に露光されるショット領域に付設された
2つのウエハマーク(不図示)がウエハXステージ8と
ウエハYステージ7とによって、2系統のアライメント
観察系AL1,AL2の視野内に位置決めされる。同時
に、レチクルマーク48,49も2系統のアライメント
観察系AL1,AL2の視野内に位置決めされる。以下
上述の最初の露光時と同様の手順を繰り返しながら、ウ
エハ6の各ショット領域にそれぞれレチクル1のパター
ンが露光される。
【0049】以上のように走査露光中のレチクルステー
ジ2及びウエハレベリングテーブル9の位置は、それぞ
れの上に搭載された加速度センサにより検出される。従
って、レーザ干渉計を使用することなく、レチクルステ
ージ2及びウエハレベリングテーブル9の位置をそれぞ
れ一種の閉じた系で高精度に検出することができる。即
ち、走査露光中における空気の揺らぎによる影響はな
い。
ジ2及びウエハレベリングテーブル9の位置は、それぞ
れの上に搭載された加速度センサにより検出される。従
って、レーザ干渉計を使用することなく、レチクルステ
ージ2及びウエハレベリングテーブル9の位置をそれぞ
れ一種の閉じた系で高精度に検出することができる。即
ち、走査露光中における空気の揺らぎによる影響はな
い。
【0050】なお本実施例では、走査露光中のレチクル
ステージ2及びウエハレベリングテーブル9の位置はそ
れぞれの上に搭載された加速度センサからの加速度情報
だけに基づき算出したが、走査露光の途中において、本
実施例で示した加速度センサからの加速度情報に基づく
計算により求まる位置とそれぞれの干渉計でモニタして
いる位置とを、ローパスフィルタ(低域フィルタ)を通
した後比較し、両者の差が許容範囲を越えないよう、補
正を適宜行いながら走査を行ってもよい。この方法によ
れば、レチクルステージ及びウエハステージの位置を算
出する過程で加速度センサからの測定値を2回の時間積
分することにより累積する誤差は干渉系の測定値により
補正することができる。
ステージ2及びウエハレベリングテーブル9の位置はそ
れぞれの上に搭載された加速度センサからの加速度情報
だけに基づき算出したが、走査露光の途中において、本
実施例で示した加速度センサからの加速度情報に基づく
計算により求まる位置とそれぞれの干渉計でモニタして
いる位置とを、ローパスフィルタ(低域フィルタ)を通
した後比較し、両者の差が許容範囲を越えないよう、補
正を適宜行いながら走査を行ってもよい。この方法によ
れば、レチクルステージ及びウエハステージの位置を算
出する過程で加速度センサからの測定値を2回の時間積
分することにより累積する誤差は干渉系の測定値により
補正することができる。
【0051】なお、本実施例では、1/4の縮小倍率の
投影光学系3を用いたが、この縮小倍率に制限はない。
また、上述実施例は投影型の走査型露光装置に本発明を
適用したものであるが、本発明は投影光学系を使用しな
いプロキシミティ方式の走査型露光装置、又は一括露光
型(ステップ・アンド・リピート方式等)の投影露光装
置等にも同様に適用できる。
投影光学系3を用いたが、この縮小倍率に制限はない。
また、上述実施例は投影型の走査型露光装置に本発明を
適用したものであるが、本発明は投影光学系を使用しな
いプロキシミティ方式の走査型露光装置、又は一括露光
型(ステップ・アンド・リピート方式等)の投影露光装
置等にも同様に適用できる。
【0052】このように本発明は上述実施例に限定され
ず、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の構成を取り
得る。
ず、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の構成を取り
得る。
【0053】
【発明の効果】本発明の第1の露光装置によれば、一括
露光型又は走査露光型の何れに適用した場合でも、基板
ステージ(ウエハレベリングテーブル等)の位置はその
基板ステージに搭載された加速度センサにより測定され
るので、干渉計のように空気揺らぎの影響を受けること
なく、基板(ウエハ等)の位置が高精度に制御される利
点がある。
露光型又は走査露光型の何れに適用した場合でも、基板
ステージ(ウエハレベリングテーブル等)の位置はその
基板ステージに搭載された加速度センサにより測定され
るので、干渉計のように空気揺らぎの影響を受けること
なく、基板(ウエハ等)の位置が高精度に制御される利
点がある。
【0054】また、基板ステージの回転角加速度を検出
する角加速度検出手段を設けて基板ステージの回転角を
制御する場合には、空気揺らぎの影響を受けることなく
基板の回転方向の位置を迅速且つ正確に制御できる。本
発明の第2の露光装置は走査型露光装置に関するもので
あり、本発明によれば、走査露光中のマスク(レチクル
等)ステージ及び走査用の基板ステージの位置は、マス
クステージに搭載された加速度センサ及び基板ステージ
に搭載された加速度センサによりそれぞれ測定されるの
で、干渉計のように空気の揺らぎの影響を受けることが
ない。従って、走査露光中のマスク及び基板の位置及び
速度は高精度に制御される。
する角加速度検出手段を設けて基板ステージの回転角を
制御する場合には、空気揺らぎの影響を受けることなく
基板の回転方向の位置を迅速且つ正確に制御できる。本
発明の第2の露光装置は走査型露光装置に関するもので
あり、本発明によれば、走査露光中のマスク(レチクル
等)ステージ及び走査用の基板ステージの位置は、マス
クステージに搭載された加速度センサ及び基板ステージ
に搭載された加速度センサによりそれぞれ測定されるの
で、干渉計のように空気の揺らぎの影響を受けることが
ない。従って、走査露光中のマスク及び基板の位置及び
速度は高精度に制御される。
【0055】また、アライメント系を用いて、走査開始
前にマスクに形成された位置合わせ用マーク(レチクル
マーク)と、感光性の基板に形成された位置合わせ用マ
ーク(ウエハマーク)との相対的な位置ずれ量を所定の
許容範囲内に追い込んだ後に走査露光を開始する場合に
は、マスクと感光性の基板とは高精度に位置合わせされ
た状態で走査露光される。また、位置合わせ用のマーク
を走査領域全域にわたって形成する必要がないため、あ
る程度大きな位置合わせ用のマークも許容される。従っ
て、プロセス中の処理により位置合わせ用のマーク(ウ
エハマーク)が損傷を受けても、アライメントの精度に
それほど影響しないという利点がある。
前にマスクに形成された位置合わせ用マーク(レチクル
マーク)と、感光性の基板に形成された位置合わせ用マ
ーク(ウエハマーク)との相対的な位置ずれ量を所定の
許容範囲内に追い込んだ後に走査露光を開始する場合に
は、マスクと感光性の基板とは高精度に位置合わせされ
た状態で走査露光される。また、位置合わせ用のマーク
を走査領域全域にわたって形成する必要がないため、あ
る程度大きな位置合わせ用のマークも許容される。従っ
て、プロセス中の処理により位置合わせ用のマーク(ウ
エハマーク)が損傷を受けても、アライメントの精度に
それほど影響しないという利点がある。
【図1】本発明による走査型露光装置の一実施例を示す
概略構成図である。
概略構成図である。
【図2】図1のレチクルステージを示す平面図である。
【図3】図1のウエハステージを示す平面図である。
【図4】図1のアライメント光学系ALを示す構成図で
ある。
ある。
【図5】図1のアライメント光学系によって観察される
レチクルマーク及びウエハマークのCRTディスプレイ
上の像を示す図である。
レチクルマーク及びウエハマークのCRTディスプレイ
上の像を示す図である。
【図6】図1のアライメント光学系によるアライメント
実行時のスリット状の照明領域50に対するレチクルマ
ーク及びウエハマークの位置関係を示す平面図である。
実行時のスリット状の照明領域50に対するレチクルマ
ーク及びウエハマークの位置関係を示す平面図である。
1 レチクル 2 レチクルステージ 3 投影光学系 6 ウエハ 7 ウエハYステージ 8 ウエハXステージ 9 ウエハレベリングテーブル 18〜23,26〜28,30〜32 加速度センサ 17,52 レーザ干渉計 33,39 アライメント用の光源 38,44 2次元CCD撮像素子 46,47 ウエハマーク 48,49 レチクルマーク AL アライメント光学系 AL1,AL2 アライメント観察系 60 レチクルステージ位置算出部 61 レチクルステージ制御系 62 ウエハステージ位置算出部 63 ウエハステージ制御系
Claims (4)
- 【請求項1】 感光性の基板に転写されるパターンが形
成されたマスクを照明する照明手段と、前記基板を所定
の位置決め平面上で移動させる基板ステージとを有し、
前記マスクのパターンを前記基板上の所定の露光領域に
露光する露光装置において、 前記位置決め平面上の互いに交差する2方向における前
記基板ステージの加速度を検出する加速度検出手段と、 該加速度検出手段の検出結果に基づいて前記基板ステー
ジの2次元的な位置を算出する位置算出手段と、 該位置算出手段により算出された位置に基づいて前記基
板ステージの2次元的な位置を制御する基板ステージ制
御手段と、を備えたことを特徴とする露光装置。 - 【請求項2】 前記基板ステージの前記位置決め平面上
での回転角加速度を検出する角加速度検出手段を設け、 前記位置算出手段は、前記加速度検出手段及び角加速度
検出手段の検出結果に基づいて更に前記基板ステージの
回転角を算出し、 前記基板ステージ制御手段は、前記位置算出手段により
算出された回転角に基づいて前記基板ステージの回転角
をも制御することを特徴とする請求項1記載の露光装
置。 - 【請求項3】 転写用のパターンが形成されたマスクを
照明し、前記マスクを第1の方向に走査するのと同期し
て感光性の基板を第2の方向に走査することにより前記
マスクのパターンを逐次前記基板上の各露光領域に露光
する走査型露光装置において、 前記マスクを該マスクに平行な第1の位置決め平面上で
移動させるマスクステージと、 前記第1の位置決め平面上で前記第1の方向及び該第1
の方向に交差する方向での前記マスクステージの加速度
を検出するマスク側加速度検出手段と、 前記基板を該基板の表面に平行な第2の位置決め平面上
で移動させる基板ステージと、 前記第2の位置決め平面上で前記第2の方向及び該第2
の方向に交差する方向での前記基板ステージの加速度を
検出する基板側加速度検出手段と、 前記マスク側加速度検出手段及び基板側加速度検出手段
の検出結果に基づいてそれぞれ前記マスク及び前記基板
の位置を算出する位置算出手段と、 該位置算出手段の算出結果に基づいて前記マスクステー
ジ及び基板ステージの動作を制御するステージ制御手段
と、を備えたことを特徴とする露光装置。 - 【請求項4】 前記マスクに形成された位置合わせ用マ
ークと、前記基板に形成された位置合わせ用マークとの
相対的な位置ずれ量を検出するアライメント系を設け、 前記ステージ制御手段を介して前記マスク及び前記基板
の位置決めを行う際に、前記アライメント系で検出され
る位置ずれ量を所定の許容範囲内に追い込むことを特徴
とする請求項3記載の露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6214610A JPH0878315A (ja) | 1994-09-08 | 1994-09-08 | 露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6214610A JPH0878315A (ja) | 1994-09-08 | 1994-09-08 | 露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0878315A true JPH0878315A (ja) | 1996-03-22 |
Family
ID=16658576
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6214610A Withdrawn JPH0878315A (ja) | 1994-09-08 | 1994-09-08 | 露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0878315A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010129780A (ja) * | 2008-11-27 | 2010-06-10 | Nikon Corp | 本発明は、干渉計システム、ステージ装置、露光装置及びデバイス製造方法 |
| JP2011018902A (ja) * | 2009-07-08 | 2011-01-27 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
| CN113808901A (zh) * | 2020-06-15 | 2021-12-17 | 东京毅力科创株式会社 | 执行装置及执行方法 |
-
1994
- 1994-09-08 JP JP6214610A patent/JPH0878315A/ja not_active Withdrawn
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010129780A (ja) * | 2008-11-27 | 2010-06-10 | Nikon Corp | 本発明は、干渉計システム、ステージ装置、露光装置及びデバイス製造方法 |
| JP2011018902A (ja) * | 2009-07-08 | 2011-01-27 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
| US8441616B2 (en) | 2009-07-08 | 2013-05-14 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| CN113808901A (zh) * | 2020-06-15 | 2021-12-17 | 东京毅力科创株式会社 | 执行装置及执行方法 |
| KR20210155355A (ko) * | 2020-06-15 | 2021-12-22 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 실행 장치 및 실행 방법 |
| JP2021197450A (ja) * | 2020-06-15 | 2021-12-27 | 東京エレクトロン株式会社 | 実行装置及び実行方法 |
| US12198954B2 (en) | 2020-06-15 | 2025-01-14 | Tokyo Electron Limited | Execution device and execution method |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20011120 |