JPH0878482A - フィルムキャリア、半導体パッケ−ジおよび半導体パッケ−ジの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】半導体素子の破損を防止でき、アウタリ−ドの
良好なハンダ付けを行えるフィルムキャリア、半導体パ
ッケ−ジおよび半導体パッケ−ジの製造方法を提供す
る。 【構成】フィルムキャリア１のデバイスホ−ル３とアウ
タリ−ドホ−ル４の間のベ−スフィルム２上に、このベ
−スフィルム２を補強すると共に、その厚さが少なくと
もインナ−リ−ド５ａに接続される半導体素子９の厚さ
より大きく形成されてなる金属板１１を接着すると共
に、上記アウタリ−ド５ｂの基端側には、このアウタリ
−ド５ｂの他の部位よりも細く形成されてなる細幅部７
を設けた。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、ＴＡＢ（Tape Autom
ated Bonding）技術を利用した半導体パッケ−ジの製造
におけるフィルムキャリア、半導体パッケ−ジおよび半
導体パッケ−ジの製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】最近のＬＳＩの多端子狭ピッチ化に対応
する半導体パッケ−ジとして、従来のプラスチックＱＦ
Ｐ（Quad Flat Packege （４方向に端子が突出してなる
プラスチック半導体パッケ−ジ））よりもさらに多端子
狭ピッチ化を図ることができるＴＣＰ（Tape Carrier P
ackage：テ−プキャリアパッケ−ジ）が登場している。

【０００３】このＴＣＰは、ＴＡＢ（Tape Automated B
onnding ）の技術を用いて製造されるもので、まず、シ
ネフィルム状の薄肉可撓性のフィルムキャリア上に半導
体素子を搭載する。

【０００４】ついで、このフィルムキャリアを上記半導
体素子とともに所定の形状に打ち抜くと共に、外方に突
出したアウタリ−ドを外部端子の形（例えばガルウイン
グ状）に折り曲げてフォ−ミングする。

【０００５】このようして製造されたＴＣＰによれば、
従来のプラスチックＱＦＰでは実現が困難であった３０
０ピン以上の多端子化が容易に実現できると共に、従来
のＱＦＰに比べ、厚さが１／３で、かつ重さが１／２の
パッケ−ジが得られる。

【０００６】ところで、上記フィルムキャリアは可撓性
の薄肉部材である。また、上記アウタリ−ドは上記フィ
ルムキャリアの表面に被着された銅箔をエッチングして
形成したものであるから、その幅が２００μｍ以下、厚
さが３５μｍと非常に微細なものである。このためＴＣ
Ｐは全体的に非常に変形しやすいということがある。

【０００７】したがって、従来、このＴＣＰを基板上に
表面実装する場合には、他の電子部品と一緒にリフロ−
ハンダ付けを行うことはできず、上記ＴＣＰを吸着ノズ
ルで吸着保持した状態でボンディングツ−ルを用いて上
記アウタリ−ドを基板に対して加熱、加圧することで個
別ハンダ付けを行っていた。

【０００８】そこで、近年、ＴＣＰの補強を図り、他の
部品と同様に良好にリフロ−ハンダ付けを行うための研
究がなされている。その補強の手段としては、上記フィ
ルムキャリアを樹脂で覆う、フィルムキャリア上に金属
板を貼り付ける等の方法がある。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】ところで、ＴＣＰをリ
フロ−ハンダ付けにより接続する場合には、以下に説明
するような考慮すべき事項がある。第１に、アウタリ−
ドを微細化することによるハンダ付け性の向上である。

【００１０】すなわち、微細なアウタリ−ドは、非常に
小さい力で変形する。したがって、上記ＴＣＰを基板に
装着した際に上記アウタリ−ドの先端が電極パッドから
浮き上がっている場合であっても、この電極パッド上に
供給されたハンダ材（溶融ハンダ）の表面張力あるいは
濡れ力によってリ−ドの先端部が電極パッドの方向に引
っ張られ、浮き上がりが矯正されて良好なハンダ付けを
行えるという利点を有する。

【００１１】第２に、アウタリ−ドを微細化することに
伴う半導体素子の破損である。すなわち、アウタリ−ド
の微細化には上述したような利点があるが、反対に、こ
のＴＣＰを基板に実装する際に上記アウタリ−ドが変形
して、上記フィルムキャリアに搭載された半導体素子が
基板に衝突し、破損が生じるという欠点がある。これを
防止するには、装着機構の荷重制御を精度良く行う必要
があるということがある。

【００１２】第３に、アウタリ−ドの微細化に伴うアウ
タリ−ドの破損である。上記アウタリ−ドは、上述した
ように、所定の形状に折り曲げられフォ−ミングされ
る。しかし、アウタリ−ドが微細な場合には、折曲げの
際に加わる外力によってこのアウタリ−ドが破断してし
まう恐れがある。

【００１３】この発明は、このような考慮すべき事項に
鑑みて成されたもので、アウタリ−ドの微細化に伴う利
点を生かしつつ、リ−ドの破損や半導体素子の破損とい
う欠点を是正できるフィルムフィルムキャリア、半導体
装置、半導体装置の製造方法および半導体装置の実装方
法を提供することを目的とするものである。

【００１４】

【課題を解決するための手段】この発明の第１の手段
は、デバイスホ−ルとこのデバイスホ−ルの外周側に設
けられたアウタリ−ドホ−ルとを有する可撓性のベ−ス
フィルムと、このベ−スフィルム上に形成されインナ−
リ−ド部を上記デバイスホ−ルに突出させると共にアウ
タリ−ド部を上記アウタリ−ドホ−ルに架設されたリ−
ドとを有するフィルムキャリアにおいて、上記ベ−スフ
ィルムの上記デバイスホ−ルと上記アウタリ−ドホ−ル
との間には、このベ−スフィルムを補強すると共に、そ
の厚さが少なくとも上記インナ−リ−ドに接続される半
導体素子の厚さより大きく形成されてなる補強体が設け
られていることを特徴とするものである。

【００１５】第２の手段は、デバイスホ−ルとこのデバ
イスホ−ルの外周側に設けられたアウタリ−ドホ−ルと
を有する可撓性のベ−スフィルムと、このベ−スフィル
ム上に形成されインナ−リ−ド部を上記デバイスホ−ル
に突出させると共にアウタリ−ド部を上記アウタリ−ド
ホ−ルに架設されたリ−ドとを有するフィルムキャリア
において、上記アウタリ−ド部の上記インナ−リ−ド部
側の部位には、このアウタリ−ドの他の部位よりも断面
積が小さく形成されてなる微細部が設けられていること
を特徴とするものである。

【００１６】第３の手段は、フィルム部材からなるサポ
−トリングと、このサポ−トリングに設けられ、このサ
ポ−トリングの内側に突設するインナ−リ−ド部および
外側に突設するアウタリ−ド部とを有するリ−ドと、上
記インナ−リ−ド部に接続された半導体素子とを有する
半導体パッケ−ジにおいて、上記サポ−トリングには、
この半導体パッケ−ジを補強すると共に、この半導体パ
ッケ−ジを基板に装着する際に、上記半導体素子と基板
の接触を規制する補強体が突設されていることを特徴と
するものである。

【００１７】第４の手段は、半導体素子が搭載されてな
るパッケ−ジ部と、インナ−リ−ド部をこのパッケ−ジ
部内の半導体素子に接続されアウタリ−ドをこのパッケ
−ジ部の外方へ突設させた複数本のリ−ドとを具備する
半導体パッケ−ジにおいて、上記アウタリ−ド部の上記
パッケ−ジ部側の基端部には、このアウタリ−ドの他の
部位よりも断面積が小さく形成されてなる微細部が設け
られていることを特徴とするものである。

【００１８】第５の手段は、第２の手段あるいは第４の
手段の半導体パッケ−ジにおいて、上記アウタリ−ド部
は、上記微細部を挟持固定された状態で、折り曲げ形成
されることを特徴とするものである。

【００１９】第６の手段は、デバイスホ−ルとこのデバ
イスホ−ルの外周側に設けられたアウタリ−ドホ−ルと
を有する可撓性のベ−スフィルムと、このベ−スフィル
ム上に形成されインナ−リ−ド部を上記デバイスホ−ル
に突出させると共にアウタリ−ド部を上記アウタリ−ド
ホ−ルに架設されたリ−ドと、上記アウタリ−ド部のイ
ンナ−リ−ド部側の部位に設けられ他の部分よりも断面
積が小さく形成されてなる微細部とを有するフィルムキ
ャリアを供給する工程と、このフィルムキャリアのデバ
イスホ−ル内に半導体素子を搭載し、上記インナ−リ−
ド部をこの半導体素子にボンディングする工程と、上記
アウタリ−ドホ−ルに位置するアウタリ−ド部を、上記
細幅部を挟持固定しつつ切断し所定の形状に折曲する工
程とを有することを特徴とする半導体パッケ−ジの製造
方法である。

【００２０】

【作用】このような手段によれば、半導体パッケ−ジを
基板に装着する場合の、半導体素子と基板との衝突を防
止でき、かつ、リフロ−ハンダ付けにおけるアウタリ−
ドの変形を許容して良好なハンダ付けを行うことができ
る。

【００２１】

【実施例】以下、この発明の一実施例を図面を参照して
説明する。まず、第１の実施例について説明する。最初
に、フィルムキャリアの構成について図１（ａ）、
（ｂ）を参照して説明する。

【００２２】図中１はフィルムキャリアである。このフ
ィルムキャリア１は、幅方向両側部にスプロケットホ−
ル２ａ…が形成されてなる長尺シネフィルム状のベ−ス
フィルム２を具備する。このベ−スフィルム２は絶縁材
料により成形された薄肉の可撓性フィルムである。

【００２３】このベ−スフィルム２の幅方向中央部に
は、長手方向に沿って所定間隔で複数個のデバイスホ−
ル３…が設けられている。図１中左側の図に示すよう
に、このデバイスホ−ル３の外側には、このデバイスホ
−ル３の各辺と平行な４つのアウタリ−ドホ−ル４…が
設けられている。

【００２４】また、このフィルムキャリア１の表面に
は、図に示すように複数本のリ−ド５が形成されてい
る。このリ−ド５は、例えば上記ベ−スフィルム２上に
被着された導電箔（銅箔）をエッチング加工することで
成形されたものである。

【００２５】このリ−ド５は、インナ−リ−ド５ａ（イ
ンナ−リ−ド部）を上記デバイスホ−ル３内に突出さ
せ、アウタリ−ド５ｂ（アウタリ−ド部）を上記アウタ
リ−ドホ−ル４に架設させた状態で設けられている。

【００２６】上記インナ−リ−ド５ａは、例えば幅
μｍ、隣り合うインナ−リ−ド５ａとの間隔 μｍで
設けられている。また、上記アウタリ−ド５ｂは、例え
ば幅 μｍ、隣り合うアウタリ−ド５ｂとの間隔
μｍで設けられている。

【００２７】なお、上記アウタリ−ド５ｂの上記インナ
−リ−ド５ａ側の基端部には、図のＡで示す部分を拡大
した図 に示すように、エッチング加工によって幅方向
両側部に切欠６が形成され、他の部分より幅の狭い細幅
部７が設けられている。

【００２８】すなわち、この細幅部７は、このアウタリ
−ド５ｂの他の部分よりも変形しやすいように形成され
ている。次に、このフィルムキャリア１を用いたＴＣＰ
（Tape Carrier package）の製造について説明する。

【００２９】このフィルムキャリア１は、図示しないリ
−ルに巻回収納された状態でインナ−リ−ドボンディン
グ装置に取り付けられる。このインナ−リ−ドボンディ
ング装置は、このフィルムキャリア１に半導体素子をイ
ンナ−リ−ドボンディングする装置である。

【００３０】このインナ−リ−ドボンディング装置は、
上記リ−ルから上記フィルムキャリア１を順次繰出し、
略水平に張設して、図１に矢印（イ）で示す方向に間欠
的に送り駆動する。

【００３１】そして、このインナ−リ−ドボンディング
装置は、図１中左側に示す未だ半導体素子が搭載されて
いないデバイスホ−ル３を所定のボンディング位置に停
止させる。

【００３２】このボンディング位置の下方には図示しな
いボンディングステ−ジが設けられている。このボンデ
ィングステ−ジは、上記フィルムキャリア１の下側で図
１中右側に９で示す半導体素子を保持し、この半導体素
子９に設けられた図示しない各電極パッドを上記デバイ
スホ−ル３内に突出したインナ−リ−ド５ａの下面に対
向させる。

【００３３】また、このボンディングステ−ジ（図示し
ない）の上記フィルムキャリア１を挟む上方には、同じ
く図示しないボンディング機構が設けられている。この
ボンディング機構は、上記インナ−リ−ド５ａを上記半
導体素子９に対して加熱し加圧することで、両者を接合
（インナ−リ−ドボンディング）する。このことで、上
記半導体素子９は、図１中右側に示すように上記フィル
ムキャリア１に搭載される。

【００３４】インナ−リ−ドボンディングが終了したな
らば、上記フィルムキャリア１はさらに送り駆動され、
上記半導体素子９が搭載された部位を図示しない樹脂封
止装置に対向させる。

【００３５】この樹脂封止装置は、図１（ｂ）中左側に
示すように、上記半導体素子７の上面および上記インナ
−リ−ド５ａの全体を覆うように封止用樹脂１０を塗布
する。

【００３６】塗布された封止用樹脂は、このフィルムキ
ャリア１を図示しない硬化炉内に通過させることで、硬
化せられる。このことで、樹脂封止工程が終了する。次
に、上記フィルムキャリア１上には、図１（ａ）に１１
で示す金属板（補強板）が接着される。この金属板１１
は、矩形状の外形を有し、上記アウタリ−ドホ−ル４の
内側に接着される。

【００３７】そして、この金属板１１の中央部には上記
半導体素子９およびインナ−リ−ド５ａを位置させるた
めの同じく矩形状の貫通孔１１ａが設けられている。な
お、この金属板１１は、絶縁性接着剤（図示しない）を
介して上記フィルムキャリア１に接着されている。した
がって、上記フィルムキャリア１上に設けられたリ−ド
５どうしがショ−トすることはない。

【００３８】また、この金属板１１の厚さは、同図
（ｂ）および図２に示すように、上記半導体素子９の厚
さよりも厚く形成されている。したがって、上記金属板
１１の下面は、上記半導体素子９の下面よりも下方に突
出するようになっている。

【００３９】ついで、このフィルムキャリア１は、図１
（ａ）中左側に示す一点鎖線に沿って切断され打ち抜か
れると共に、上記アウタリ−ド５ｂをガルウイング状に
折曲される。

【００４０】このフィルムキャリア１の打ち抜きおよび
成形は、図３に示す金型装置で行う。同図中１２で示す
のはこの金型装置の下型であり、１３は上型である。ま
た、図に１４で示すのは、上記アウタリ−ド５ａを切断
・折曲するためのポンチである。

【００４１】上記下型１２および上型１３は、互いに接
離する方向に移動自在に設けられ、開閉自在となってい
る。また、上記ポンチ１４は、上記上型１３から下型１
２の方向へ突没自在に設けられている。

【００４２】この金型装置で打ち抜きアウタリ−ド５ｂ
のフォ−ミングを行う場合には、まず、開かれた上型１
３と下型１２との間に上記フィルムキャリア１の打ち抜
き部位を停止させ、ついで、上記上型１３と下型１２と
を閉じる。

【００４３】このとき、上記アウタリ−ド５の細幅部７
は、上記下型１２および上型１３に突設された下側保持
部１２ａおよび上側保持部１３ａとによって移動不能に
挟持される。このことで、アウタリ−ド５の成形中にこ
の細幅部７が変形あるいは破断することを防止する。

【００４４】ついで、上記ポンチ１４が下降駆動され、
図３（ｂ）に示すように、上記アウタリ−ド５ｂの外端
部をフィルムキャリア１から切り離すと共に、このアウ
タリ−ド５ｂを折曲する。このことによって、上記アウ
タリ−ド５ｂは、上記細幅部７と、下方向に折曲されて
なるリフト部１６と、再び水平に折曲されてなる水平部
１７とからなるガルウイング状に成形される。

【００４５】このことで図４に示すＴＣＰ（Tape carri
er package）１８が完成する。なお、同図に１（２）で
示すフィルムキャリアはこのＴＣＰ１８においては、サ
ポ−トリングと称される。そして、上記封止用樹脂１０
により封止された部位はパッケ−ジ部と称される。

【００４６】したがって、完成したＴＣＰ１８は、同図
に示すように、上記サポ−トリング１（２）に、上記ア
ウタリ−ド５ｂの折り曲げられた方向と同方向に突出す
る上記金属板１１が接着された構造となる。

【００４７】なお、金属板１１の突出量（厚さ）は、上
記アウタリ−ド５ｂのリフト高さｈよりも若干小さくな
るように設定されている。次に、このＴＣＰ１８を基板
に実装する工程について説明する。なお、この工程は、
アウタリ−ドボンディングと呼ばれ、アウタリ−ドボン
ディング装置によって行われる。また、基板としては、
例えばセラミックパッケ−ジに用いる多層セラミック基
板等が対象となる。

【００４８】このアウタリ−ドボンディング装置は、図
５に示すように、このＴＣＰ１８の上面を吸着ノズル１
９で保持し、図に２０で示す基板に対向させる。この基
板２０上には、上記ＴＣＰ１８の各アウタリ−ド５ｂに
対応する電極パッド２１が設けられ、この電極パッド２
１上には、あらかじめハンダ材２２が供給されている。

【００４９】ついで、上記吸着ノズル１９を下降駆動す
ることで、同図に示すように、上記アウタリ−ド１５ｂ
の水平部１７を上記電極パッド２１（ハンダ材２２）に
当接させ、このＴＡＢ部品１８を上記基板２０上に載置
する。

【００５０】このとき、同図に示すように、アウタリ−
ド５ｂが変形することがあるが、上記金属板１１が上記
基板２０の表面に当接することで、上記アウタリ−ド５
ｂのそれ以上の変形は防止され、上記半導体素子９が上
記基板に衝突することはない。

【００５１】このことで、上記アウタリ−ド５ｂの塑性
変形が防止され、また、上記半導体素子９の破損も防止
できる。このＴＣＰ１８が基板２０に装着されたなら
ば、この基板２０は、リフロ−炉内に挿入される。

【００５２】このことで、上記電極パッド２１上に供給
されたハンダ材２２が再溶融し、上記アウタリ−ド５ｂ
の水平部１７は図６（ａ）、（ｂ）に示すように、上記
電極パッド２１にハンダ付けされる。

【００５３】なお、このとき、上記アウタリ−ド５ｂの
水平部が図５に示すように浮き上がっていることがあ
る。この場合であっても、上記溶融したハンダ材２１の
表面張力、濡れ力あるいは硬化時の凝縮力により上記ア
ウタリ−ド５ｂの水平部１７が下方向に引っ張られ、こ
のことにより上記アウタリ−ド５ｂの細幅部７が変形
し、上記水平部１７の浮き上がりが矯正される。

【００５４】また、水平部１７が浮き上がっていないア
ウタリ−ドであっても、図５にＢで示す位置に溜まった
ハンダ材２２の表面張力、濡れ力あるいは凝縮力によっ
て上記半導体素子９の方向（図に矢印で示す方向）に引
っ張られるということがある。

【００５５】この場合にも、上記細幅部７が変形するこ
とで、上記アウタリ−ド５ｂの同方向への移動を許容さ
れるから、このＴＣＰ１８全体の浮き上がりやこのアウ
タリ−ド５ｂの破損が有効に防止される。

【００５６】このような構成によれば、以下に説明する
効果がある。第１に、ＴＣＰ１８を基板２０に装着する
際の半導体素子９の破損を有効に防止できる効果があ
る。

【００５７】すなわち、サポ−トリング１（２）（フィ
ルムキャリア）の基板２０側の面に、上記半導体素子９
の裏面よりも上記基板２０側に突出する補強材としての
金属板１１を接着するようにした。

【００５８】このことで、フィルムキャリア１の補強が
なされ、他の電子部品と共にリフロ−ハンダ付けを行え
る。そして、リフロ−ハンダ付けを行う際には、このＴ
ＣＰ１８を基板２０上へまず装着する必要があるが、こ
の際に上記ＴＣＰ１８のアウタリ−ド５ｂが変形したと
しても、上記金属板１１によって上記半導体素子９の基
板２０への衝突が規制されるから、この半導体素子９の
破損を有効に防止することができる。

【００５９】さらに、上記金属板１１が存在することに
より、このＴＣＰ１８を基板２０に搭載する際の上記ア
ウタリ−ド５ｂの変形を最小量で押さえることができ、
このアウタリ−ド５ｂが完全に塑性変形してしまうとい
うことが防止される。

【００６０】なお、従来の構成であると、上記半導体素
子９の基板２０への衝突や上記アウタリ−ド５ｂの塑性
変形を防止するには、上記ＴＣＰ１８を保持する吸着ノ
ズルなどの装着機構に高精度の荷重調整手段を設ける必
要があった。このため、装置が大形化し、かつ高価にな
るという問題や、装着速度が低下するという問題があっ
た。

【００６１】しかし、この発明では、そのような装置が
不要になるから、装置を小形化することができると共
に、装着を高速で行うことができる効果がある。なお、
上記アウタリ−ド５ｂのリフト高さｈを上記金属板１１
の厚さよりも大きく設定することで、上記アウタリ−ド
５ｂの水平部１７と上記基板２０に設けられた電極パッ
ド２１上のハンダ材２２との接触を確実に確保すること
ができる。

【００６２】第２に、アウタリ−ド５ｂの破損を防止し
つつハンダ付けを良好に行える効果がある。すなわち、
この発明では、アウタリ−ド５ｂの一部に細幅部７を設
け、この部分を他の部分と比較して特に変形しやすいよ
うに形成した。

【００６３】このことで、ハンダ付け時の溶融ハンダ材
２２の表面張力、濡れ力あるいは凝縮力によるアウタリ
−ド５ｂの変形を許容し、このアウタリ−ド５ｂの水平
部１７の浮きを矯正することができると共に、このアウ
タリ−ド５ｂの内部応力の増加をこの細幅部７で有効に
吸収するすることができる。

【００６４】したがって、リフロ−ハンダ付けを確実に
行え、導電不良の発生を防止することができると共に、
アウタリ−ド５ｂの破損やＴＣＰ１８全体の浮き上がり
を有効に防止することができる。

【００６５】また、上記細幅部７のみを特に変形しやす
くすると共に、上記アウタリ−ド５ｂの成形時には、こ
の細幅部７を上型１３および下型１２とによって移動不
能、変形不能に挟持するようにした。

【００６６】このことで、アウタリ−ド５ｂ全体を微細
化する場合と異なり、成形時におけるアウタリ−ド５ｂ
の変形や破損を有効に防止することができる。一方、成
形後は上記細幅部７によって上記アウタリ−ド５ｂの変
形性を確保することができる。

【００６７】したがって、アウタリ−ド５ｂの破損を有
効に防止しつつ前述したようにハンダ付けを良好に行う
ことができる効果がある。なお、この発明は、上記一実
施例に限定されるものではなく、発明の要旨を変更しな
い範囲で種々変形可能である。

【００６８】例えば、上記一実施例においては、リフロ
−ハンダ付けによってハンダ付けを行ったが、ボンディ
ングツ−ルを用いた従来のハンダ付け方法であっても、
相応の効果を得ることができる。

【００６９】すなわち、リフロ−ハンダ付けの場合と同
様に、このＴＣＰ１８を基板２０に対向させる際におけ
る半導体素子９と基板２０との衝突を防止できると共
に、ハンダ付け時には、ボンディングツ−ルの押圧面と
基板２０との平行度が正確でない場合であっても、溶融
したハンダ材２２の表面張力、濡れ力あるいは凝縮力に
よって上記アウタリ−ド５ｂの水平部１７が上記電極パ
ッド２１に引き付けられ良好なハンダ付けを行うことが
できる効果がある。

【００７０】また、上記一実施例では、半導体パッケ−
ジとしてＴＣＰ１８を上げたが、これに限定されるもの
ではなく、ＱＦＰやＳＯＰなどのプラスチック半導体パ
ッケ−ジであっても良い。

【００７１】プラスチック半導体パッケ−ジにおいて
は、上記金属板１１は不要であるが、パッケ−ジ部から
外方に突出するアウタリ−ドの基端側に同様に細幅部を
設けておくことで、このアウタリ−ドを曲り易くして上
記一実施例と同様の効果を得ることができる。

【００７２】また、上記一実施例では、アウタリ−ドの
幅を細くすることで、このアウタリ−ドの他の部位より
も断面積が小さく形成されてなる微細部（細幅部７）を
設けたが、上記アウタリ−ドの厚さを小さくすること
で、微細部を設けるようにしても良い。

【００７３】

【発明の効果】以上述べたように、この発明は、第１
に、フィルムキャリアのデバイスホ−ルとアウタリ−ド
ホ−ルの間のベ−スフィルム上に、このベ−スフィルム
を補強すると共に、その厚さが少なくとも上記インナ−
リ−ドに接続される半導体素子の厚さより大きく形成さ
れてなる補強体を設けるようにしたので、このフィルム
キャリアにより形成される半導体パッケ−ジを基板上に
装着する際に、この半導体パッケ−ジと基板との衝突を
規制でき、上記半導体パッケ−ジの破損を有効に防止す
ることができる効果がある。

【００７４】第２に、フィルムキャリアに形成されたア
ウタリ−ド部のインナ−リ−ド部側の部位には、このア
ウタリ−ドの他の部位よりも断面積が小さく形成されて
なる微細部が設けられているから、このフィルムキャリ
アにより成形される半導体パッケ−ジのアウタリ−ドを
基板上にハンダ付けする際に、溶融したハンダ材の表面
張力あるいは濡れ力による上記微細部の変形を許容して
上記アウタリ−ドを良好にハンダ付けすることができる
効果がある。

【００７５】第３に、半導体パッケ−ジのサポ−トリン
グに、この半導体パッケ−ジを補強すると共に、この半
導体パッケ−ジを基板に装着する際に、上記半導体素子
と基板の接触を規制する補強体を突設することにより、
この半導体パッケ−ジを基板上に装着する際に、この半
導体パッケ−ジと基板との衝突を規制でき、上記半導体
パッケ−ジの破損を有効に防止することができる効果が
ある。

【００７６】第４に、半導体パッケ−ジのパッケ−ジ部
から突出するアウタリ−ド部の既端部に、このアウタリ
−ドの他の部位よりも断面積が小さく形成されてなる微
細部を設けたから、この半導体パッケ−ジのアウタリ−
ドを基板上にハンダ付けする際に、溶融したハンダ材の
表面張力あるいは濡れ力による上記微細部の変形を許容
して上記アウタリ−ドを良好にハンダ付けすることがで
きる効果がある。

【００７７】第５に、フィルムキャリアのアウタリ−ド
ホ−ルに位置するアウタリ−ド部を、このアウタリ−ド
部の基端側に設けられた細幅部を挟持固定しつつ切断し
所定の形状に折曲するようにしたから、このアウタリ−
ドの折曲時における変形や破損を防止でき、かつ基板上
にハンダ付けする際に溶融したハンダ材の表面張力ある
いは濡れ力による上記微細部の変形を許容して上記アウ
タリ−ドを良好にハンダ付けすることができる半導体パ
ッケ−ジを得ることができる効果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の一実施例を示すフィルムキャリアの
平面図および縦断面図。

【図２】同じく、アウタリ−ドを拡大して示す縦断面図
および平面図。

【図３】同じく、半導体パッケ−ジの製造工程における
アウタリ−ドの切断、折曲工程を示す縦断面図。

【図４】同じく、半導体パッケ−ジの一部を拡大して示
す縦断面図および斜視図。

【図５】同じく、半導体パッケ−ジの基板への装着工程
を示す縦断面図。

【図６】同じく、半導体パッケ−ジのハンダ付け工程を
示す縦断面図および斜視図。

【符号の説明】

１…フィルムキャリア、２…ベ−スフィルム、３…デバ
イスホ−ル、４…アウタリ−ドホ−ル、５…リ−ド、５
ａ…インナ−リ−ド（インナ−リ−ド部）、５ｂ…アウ
タリ−ド（アウタリ−ド部）、７…細幅部（微細部）、
９…半導体素子、１１…金属板（補強材）、２０…基
板、２１…電極パッド、２２…ハンダ材。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 井澤 勲 東京都府中市東芝町１番地 株式会社東芝 府中工場内 (72)発明者 中嶋 宣行 神奈川県川崎市川崎区日進町７番地１ 東 芝電子エンジニアリング株式会社内

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 デバイスホ−ルとこのデバイスホ−ルの
   外周側に設けられたアウタリ−ドホ−ルとを有する可撓
   性のベ−スフィルムと、このベ−スフィルム上に形成さ
   れインナ−リ−ド部を上記デバイスホ−ルに突出させる
   と共にアウタリ−ド部を上記アウタリ−ドホ−ルに架設
   されたリ−ドとを有するフィルムキャリアにおいて、 上記ベ−スフィルムの上記デバイスホ−ルと上記アウタ
   リ−ドホ−ルとの間には、このベ−スフィルムを補強す
   ると共に、その厚さが少なくとも上記インナ−リ−ドに
   接続される半導体素子の厚さより大きく形成されてなる
   補強体が設けられていることを特徴とするフィルムキャ
   リア。
2. 【請求項２】 デバイスホ−ルとこのデバイスホ−ルの
   外周側に設けられたアウタリ−ドホ−ルとを有する可撓
   性のベ−スフィルムと、このベ−スフィルム上に形成さ
   れインナ−リ−ド部を上記デバイスホ−ルに突出させる
   と共にアウタリ−ド部を上記アウタリ−ドホ−ルに架設
   されたリ−ドとを有するフィルムキャリアにおいて、 上記アウタリ−ド部の上記インナ−リ−ド部側の部位に
   は、このアウタリ−ドの他の部位よりも断面積が小さく
   形成されてなる微細部が設けられていることを特徴とす
   るフィルムキャリア。
3. 【請求項３】 フィルム部材からなるサポ−トリング
   と、このサポ−トリングに設けられ、このサポ−トリン
   グの内側に突設するインナ−リ−ド部および外側に突設
   するアウタリ−ド部とを有するリ−ドと、上記インナ−
   リ−ド部に接続された半導体素子とを有する半導体パッ
   ケ−ジにおいて、 上記サポ−トリングには、この半導体パッケ−ジを補強
   すると共に、この半導体パッケ−ジを基板に装着する際
   に、上記半導体素子と基板の接触を規制する補強体が突
   設されていることを特徴とする半導体パッケ−ジ。
4. 【請求項４】 半導体素子が搭載されてなるパッケ−ジ
   部と、インナ−リ−ド部をこのパッケ−ジ部内の半導体
   素子に接続されアウタリ−ドをこのパッケ−ジ部の外方
   へ突設させた複数本のリ−ドとを具備する半導体パッケ
   −ジにおいて、 上記アウタリ−ド部の上記パッケ−ジ部側の基端部に
   は、このアウタリ−ドの他の部位よりも断面積が小さく
   形成されてなる微細部が設けられていることを特徴とす
   る半導体パッケ−ジ。
5. 【請求項５】 請求項２あるいは請求項４記載の半導体
   パッケ−ジにおいて、 上記アウタリ−ド部は、上記微細部を挟持固定された状
   態で、折り曲げ形成されることを特徴とする半導体パッ
   ケ−ジ。
6. 【請求項６】 デバイスホ−ルとこのデバイスホ−ルの
   外周側に設けられたアウタリ−ドホ−ルとを有する可撓
   性のベ−スフィルムと、このベ−スフィルム上に形成さ
   れインナ−リ−ド部を上記デバイスホ−ルに突出させる
   と共にアウタリ−ド部を上記アウタリ−ドホ−ルに架設
   されたリ−ドと、上記アウタリ−ド部のインナ−リ−ド
   部側の部位に設けられ他の部分よりも断面積が小さく形
   成されてなる微細部とを有するフィルムキャリアを供給
   する工程と、 このフィルムキャリアのデバイスホ−ル内に半導体素子
   を搭載し、上記インナ−リ−ド部をこの半導体素子にボ
   ンディングする工程と、 上記アウタリ−ドホ−ルに位置するアウタリ−ド部を、
   上記細幅部を挟持固定しつつ切断し所定の形状に折曲す
   る工程とを有することを特徴とする半導体パッケ−ジの
   製造方法。