JPH0878595A - 改善された熱放散を備えたｉｃパッケージ - Google Patents
改善された熱放散を備えたｉｃパッケージInfo
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- JPH0878595A JPH0878595A JP7151674A JP15167495A JPH0878595A JP H0878595 A JPH0878595 A JP H0878595A JP 7151674 A JP7151674 A JP 7151674A JP 15167495 A JP15167495 A JP 15167495A JP H0878595 A JPH0878595 A JP H0878595A
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- integrated circuit
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- leads
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- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Die Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】改善された熱放散を呈し、かつ標準的な集積回
路パッケージに組込むことができるリード・フレーム
が、外部リード部分に対して内部リード部分を幅広くす
ることにより、これら部分をＩＣの主要面に沿って延在
させるＩＣパッケージを提供する。 【構成】幅の広い内部リード部分がＩＣ表面の少なくと
も８０％を覆いかつＩＣを担持して、リード・フレーム
・パドルの必要を排除する。広い内部リード部分は、こ
のリード部分とＩＣとの間の増加した熱的接触領域の故
に、従来の「標準的な」幅の内部リード部分よりも効率
的に熱をＩＣから取り去る。ＩＣからの熱は、リードを
介してパッケージの外部へ伝達され、かつＩＣパッケー
ジが載置される回路版へ伝達される。接地リードの内部
部分を他のリードの内部部分よりも広くすることによ
り、増加した熱放散が達成される。更に、現在のリード
・フレーム構造がＩＣの大きさを制限するリード・フレ
ーム・パドルを持たない故に、現在のリード・フレーム
構造を用いる現在のＩＣパッケージ設計が、以前よりも
大きなＩＣを収容できる。
路パッケージに組込むことができるリード・フレーム
が、外部リード部分に対して内部リード部分を幅広くす
ることにより、これら部分をＩＣの主要面に沿って延在
させるＩＣパッケージを提供する。 【構成】幅の広い内部リード部分がＩＣ表面の少なくと
も８０％を覆いかつＩＣを担持して、リード・フレーム
・パドルの必要を排除する。広い内部リード部分は、こ
のリード部分とＩＣとの間の増加した熱的接触領域の故
に、従来の「標準的な」幅の内部リード部分よりも効率
的に熱をＩＣから取り去る。ＩＣからの熱は、リードを
介してパッケージの外部へ伝達され、かつＩＣパッケー
ジが載置される回路版へ伝達される。接地リードの内部
部分を他のリードの内部部分よりも広くすることによ
り、増加した熱放散が達成される。更に、現在のリード
・フレーム構造がＩＣの大きさを制限するリード・フレ
ーム・パドルを持たない故に、現在のリード・フレーム
構造を用いる現在のＩＣパッケージ設計が、以前よりも
大きなＩＣを収容できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、集積回路チップのハウ
ジングと保護に関する。特に、本発明は、集積回路チッ
プに対する強化された熱的放散を提供するリード・フレ
ーム構造に関する。
ジングと保護に関する。特に、本発明は、集積回路チッ
プに対する強化された熱的放散を提供するリード・フレ
ーム構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】近ごろの集積回路（ＩＣ）は、信頼し得
るように動作するため自己発熱効果からの保護を必要と
する。ＩＣが冷却される方法の１つは、リード・フレー
ムを介する熱伝導である。リード・フレームは、典型的
に、ＩＣが載置される金属パドルと、ＩＣのボンディン
グ・パッドから回路板の如き外部素子に至る導電経路を
提供するリード・フィンガとからなっている。
るように動作するため自己発熱効果からの保護を必要と
する。ＩＣが冷却される方法の１つは、リード・フレー
ムを介する熱伝導である。リード・フレームは、典型的
に、ＩＣが載置される金属パドルと、ＩＣのボンディン
グ・パッドから回路板の如き外部素子に至る導電経路を
提供するリード・フィンガとからなっている。
【０００３】従来技術のリード・フレームの一例が図１
に示される。ＩＣ１０は典型的にリード・フレームのパ
ドル１２に取付けられる。導電性リード・フィンガ１４
は、ワイヤ・ボンド１６によりＩＣ１０に電気的に接続
されて、ＩＣ１０から外部素子（図示せず）に至る導電
性経路を提供するように働く。リード・フレームは、典
型的には、封止樹脂（ｍｏｕｌｄｉｎｇ ｃｏｍｐｏｕ
ｎｄ）１８中に封止される。リード・フィンガ１４の外
側の幅は、典型的にはパッケージの種類に従って標準化
されている。例えば、８リードのデュアル・インライン
・プラスチック（ＤＩＰ）および８リードのスモール・
アウトライン集積回路（ＳＯＩＣ）パッケージは、約
０．３３乃至０．５１ｍｍ幅である外部リード・フィン
ガ部分を有する。
に示される。ＩＣ１０は典型的にリード・フレームのパ
ドル１２に取付けられる。導電性リード・フィンガ１４
は、ワイヤ・ボンド１６によりＩＣ１０に電気的に接続
されて、ＩＣ１０から外部素子（図示せず）に至る導電
性経路を提供するように働く。リード・フレームは、典
型的には、封止樹脂（ｍｏｕｌｄｉｎｇ ｃｏｍｐｏｕ
ｎｄ）１８中に封止される。リード・フィンガ１４の外
側の幅は、典型的にはパッケージの種類に従って標準化
されている。例えば、８リードのデュアル・インライン
・プラスチック（ＤＩＰ）および８リードのスモール・
アウトライン集積回路（ＳＯＩＣ）パッケージは、約
０．３３乃至０．５１ｍｍ幅である外部リード・フィン
ガ部分を有する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】熱伝導経路は、封止樹
脂１８を横切るリード・フレームのパドル１２の長手方
向延長部２０であり、この封止樹脂はリード・フィンガ
（典型的には、銅から作られる）と比較して導電性が劣
っている。リード・フィンガ１４は一般に優れた熱伝導
体であるが、これらフィンガは、それらの間の距離と封
止樹脂が熱伝導性を低下させるので、熱の放散にはほと
んど寄与しない。
脂１８を横切るリード・フレームのパドル１２の長手方
向延長部２０であり、この封止樹脂はリード・フィンガ
（典型的には、銅から作られる）と比較して導電性が劣
っている。リード・フィンガ１４は一般に優れた熱伝導
体であるが、これらフィンガは、それらの間の距離と封
止樹脂が熱伝導性を低下させるので、熱の放散にはほと
んど寄与しない。
【０００５】熱放散の制限に加えて、この種のリード・
フレームが許容し得るＩＣ１０の大きさは、リード・フ
レーム・パドル１２の大きさにより制限される。
フレームが許容し得るＩＣ１０の大きさは、リード・フ
レーム・パドル１２の大きさにより制限される。
【０００６】ＩＣの製造技術が進歩するに伴い、より大
きな電力生成素子が単一ＩＣに組込まれて、熱放散特性
の増大したマウント・パッケージに対する必要を生じ
る。Ｂａｙａｎ等の米国特許第５，１４６，３１０号に
記載される１つの先行リード・フレーム設計は、パドル
を４つの熱伝導性ピンに接続することにより、またリー
ド・フレーム・パドルの表面積を増すことによって熱放
散を改善する。パドル・ピンは、パドルを回路板上の接
地面の如き外部ヒート・シンクに接続させる。Ｂａｙａ
ｎのリード・フレーム設計は標準的なリード・フレーム
よりも熱放散を増加するが、ピン数が標準的パッケージ
に比して４本まで増加する。Ｂａｙａｎ設計を８リード
ＤＩＰまたは８リードＳＯＩＣパッケージの如き標準的
パッケージ設計に組込むためには、パッケージ寸法は増
加するパドル・ピンを収容するため５０％まで増大され
ねばならない。その結果、これらのパッケージは、Ｂａ
ｙａｎのリード・フレーム構造を収容するように設計し
直さねばならない。
きな電力生成素子が単一ＩＣに組込まれて、熱放散特性
の増大したマウント・パッケージに対する必要を生じ
る。Ｂａｙａｎ等の米国特許第５，１４６，３１０号に
記載される１つの先行リード・フレーム設計は、パドル
を４つの熱伝導性ピンに接続することにより、またリー
ド・フレーム・パドルの表面積を増すことによって熱放
散を改善する。パドル・ピンは、パドルを回路板上の接
地面の如き外部ヒート・シンクに接続させる。Ｂａｙａ
ｎのリード・フレーム設計は標準的なリード・フレーム
よりも熱放散を増加するが、ピン数が標準的パッケージ
に比して４本まで増加する。Ｂａｙａｎ設計を８リード
ＤＩＰまたは８リードＳＯＩＣパッケージの如き標準的
パッケージ設計に組込むためには、パッケージ寸法は増
加するパドル・ピンを収容するため５０％まで増大され
ねばならない。その結果、これらのパッケージは、Ｂａ
ｙａｎのリード・フレーム構造を収容するように設計し
直さねばならない。
【０００７】ささはらいさをの日本国特許出願第２−３
１０９５４号に記載される別のリード・フレーム構造
は、リード・フィンガの内端部をリード・フレーム・パ
ドルに非常に接近した位置に配置することにより、また
各リード・フィンガの一部がＩＣパッケージの頂部に置
かれた熱伝導シートに取付けられるように各リード・フ
ィンガの外端部を分岐することによって、熱放散を増加
する。Ｓａｓａｈａｒａの構造は標準的なリード・フレ
ーム構造よりも熱放散を改善するが、リード・フレーム
が封止樹脂中に封止された後にリード・フィンガをトリ
ミングして形成するため付加的な工具だてが必要とな
り、ＩＣパッケージの頂部に熱伝導シートを添付するた
め付加的な製造ステップが必要となる。
１０９５４号に記載される別のリード・フレーム構造
は、リード・フィンガの内端部をリード・フレーム・パ
ドルに非常に接近した位置に配置することにより、また
各リード・フィンガの一部がＩＣパッケージの頂部に置
かれた熱伝導シートに取付けられるように各リード・フ
ィンガの外端部を分岐することによって、熱放散を増加
する。Ｓａｓａｈａｒａの構造は標準的なリード・フレ
ーム構造よりも熱放散を改善するが、リード・フレーム
が封止樹脂中に封止された後にリード・フィンガをトリ
ミングして形成するため付加的な工具だてが必要とな
り、ＩＣパッケージの頂部に熱伝導シートを添付するた
め付加的な製造ステップが必要となる。
【０００８】Ｏｋｉｎａｇａ等の米国特許第４，９４
３，８４３号に記載される第３のリード・フレーム構造
は、ＩＣの下側でリード・フィンガの一部を延長し、そ
の結果このフィンガがリード・フレームとＩＣを典型的
に封止する封止樹脂に対して更に良好に係止される。こ
の設計の副次的利点は、ＩＣの下側に延在するリード・
フィンガを介して熱放散が増加することである。しか
し、更に高いレベルの熱移動が望ましい。
３，８４３号に記載される第３のリード・フレーム構造
は、ＩＣの下側でリード・フィンガの一部を延長し、そ
の結果このフィンガがリード・フレームとＩＣを典型的
に封止する封止樹脂に対して更に良好に係止される。こ
の設計の副次的利点は、ＩＣの下側に延在するリード・
フィンガを介して熱放散が増加することである。しか
し、更に高いレベルの熱移動が望ましい。
【０００９】
【課題を解決するための手段】従来技術のリード・フレ
ーム構造の制約に関して、本発明は、高い熱放散を呈し
かつ標準的ＩＣパッケージ設計に組込むことができるリ
ード・フレームを提供する。
ーム構造の制約に関して、本発明は、高い熱放散を呈し
かつ標準的ＩＣパッケージ設計に組込むことができるリ
ード・フレームを提供する。
【００１０】高い熱放散は、外部リード部分に対して内
部リード部分を幅広くし、かつこれらの部分をＩＣの主
要面に沿って延長することにより達成される。望ましい
実施例においては、広い内部リード部分がＩＣ表面の少
なくとも８０％を覆いかつＩＣを担持して、リード・フ
レーム・パドルの必要を無くす。この広い内部リード部
分は、これら部分とＩＣとの間の熱的接触面積が増加し
た故に、従来技術の「標準的な」幅の内部リード部分よ
りも熱をＩＣから取り去る上で更に有効である。内部リ
ード部分に伝導された熱は、リードを介してパッケージ
の外側へ、そしてＩＣパッケージが載置される回路板へ
伝導される。
部リード部分を幅広くし、かつこれらの部分をＩＣの主
要面に沿って延長することにより達成される。望ましい
実施例においては、広い内部リード部分がＩＣ表面の少
なくとも８０％を覆いかつＩＣを担持して、リード・フ
レーム・パドルの必要を無くす。この広い内部リード部
分は、これら部分とＩＣとの間の熱的接触面積が増加し
た故に、従来技術の「標準的な」幅の内部リード部分よ
りも熱をＩＣから取り去る上で更に有効である。内部リ
ード部分に伝導された熱は、リードを介してパッケージ
の外側へ、そしてＩＣパッケージが載置される回路板へ
伝導される。
【００１１】第２の実施例では、接地リードの内部部分
が他の内部リード部分よりも幅広く作られる。接地リー
ドは、典型的には回路版上の接地面に接続され、これも
またヒート・シンクとして働き得る。その結果、接地リ
ードは、他の非接地リードよりも更に有効な熱放散部で
ある。この第２の実施例は、更に多くの熱が接地リード
へ伝えられるように、内部接地リード部分の表面積を他
の内部リード部分より少なくとも２倍にすることにより
このことを利用する。
が他の内部リード部分よりも幅広く作られる。接地リー
ドは、典型的には回路版上の接地面に接続され、これも
またヒート・シンクとして働き得る。その結果、接地リ
ードは、他の非接地リードよりも更に有効な熱放散部で
ある。この第２の実施例は、更に多くの熱が接地リード
へ伝えられるように、内部接地リード部分の表面積を他
の内部リード部分より少なくとも２倍にすることにより
このことを利用する。
【００１２】従来の熱的に強化されたリード・フレーム
構造のあるものとは対照的に、当該リード・フレーム構
造はリード・フレームの現在あるリードを利用して、Ｉ
Ｃから熱を取り去る。リード数は増えないため、この熱
的に有効なリード・フレーム構造はＩＣパッケージの大
きさを増すことなく、現在のＩＣパッケージ設計に盛込
むことができる。更に、このリード・フレーム構造を利
用する現在のＩＣパッケージ設計は、当該リード・フレ
ーム構造がＩＣサイズを制限するリード・フレーム・パ
ドルを持たない故に、以前よりも大きなＩＣを収容する
ことができる。
構造のあるものとは対照的に、当該リード・フレーム構
造はリード・フレームの現在あるリードを利用して、Ｉ
Ｃから熱を取り去る。リード数は増えないため、この熱
的に有効なリード・フレーム構造はＩＣパッケージの大
きさを増すことなく、現在のＩＣパッケージ設計に盛込
むことができる。更に、このリード・フレーム構造を利
用する現在のＩＣパッケージ設計は、当該リード・フレ
ーム構造がＩＣサイズを制限するリード・フレーム・パ
ドルを持たない故に、以前よりも大きなＩＣを収容する
ことができる。
【００１３】熱的に強化されたあるリード・フレームと
は異なり、当該リード・フレーム構造は、熱伝導シート
の如き付加的な熱伝導要素を必要としない。その結果、
付加的な製造ステップおよび工具が要求されない。
は異なり、当該リード・フレーム構造は、熱伝導シート
の如き付加的な熱伝導要素を必要としない。その結果、
付加的な製造ステップおよび工具が要求されない。
【００１４】本発明の上記および他の特徴および利点
は、当業者には、以降の望ましい実施例の詳細な記述を
添付図面と共に読めば明らかであろう。
は、当業者には、以降の望ましい実施例の詳細な記述を
添付図面と共に読めば明らかであろう。
【００１５】
【実施例】図２は、本発明の熱的に強化されたリード・
フレーム構造を示す。このリード・フレームは、一般
に、結合バー（ｔｉｅ−ｂａｒ）２３により所定位置に
保持されるリード２２からなっている。このリード・フ
レームは、銅の如き電気的にかつ熱的に伝導性を有する
材料から作られることが望ましい。
フレーム構造を示す。このリード・フレームは、一般
に、結合バー（ｔｉｅ−ｂａｒ）２３により所定位置に
保持されるリード２２からなっている。このリード・フ
レームは、銅の如き電気的にかつ熱的に伝導性を有する
材料から作られることが望ましい。
【００１６】外部リード部分２４の幅は、典型的には
０．３３乃至０．５１ｍｍの範囲内にあり、１．２７ｍ
ｍの中心間距離を有する。これらは、標準的な外部幅で
ありリード・フレームにおいて一般に用いられる間隔で
ある。ＩＣを担持するためリードを用いる従来のリード
・フレームは、典型的に均一幅のリードを有する。
０．３３乃至０．５１ｍｍの範囲内にあり、１．２７ｍ
ｍの中心間距離を有する。これらは、標準的な外部幅で
ありリード・フレームにおいて一般に用いられる間隔で
ある。ＩＣを担持するためリードを用いる従来のリード
・フレームは、典型的に均一幅のリードを有する。
【００１７】対照的に、当該リード・フレーム構造の内
部リード部分２６の少なくとも一部は、その各々の外部
リード部分２４よりも幅が広い。望ましい実施例におい
ては、広い内部リード部分２６の幅は、約１．０７乃至
１．１４ｍｍの範囲内にある。全ての内部リード部分の
中心間距離は、外部リード部分２４のそれと同じである
ことが望ましいが、必ずしもそうでなくともよい。
部リード部分２６の少なくとも一部は、その各々の外部
リード部分２４よりも幅が広い。望ましい実施例におい
ては、広い内部リード部分２６の幅は、約１．０７乃至
１．１４ｍｍの範囲内にある。全ての内部リード部分の
中心間距離は、外部リード部分２４のそれと同じである
ことが望ましいが、必ずしもそうでなくともよい。
【００１８】内部リード部分２６の幅は、電気的な分離
を維持しながら、前記間隔を製造プロセスが許すだけ小
さな範囲内にすることによって管理される。リード・フ
レームが標準的な化学的エッチング法で製造されるなら
ば、この間隔は一般にリード・フレームの厚さと同じに
小さくすることができ、典型的には０．１２７乃至０．
２０３ｍｍの間である。
を維持しながら、前記間隔を製造プロセスが許すだけ小
さな範囲内にすることによって管理される。リード・フ
レームが標準的な化学的エッチング法で製造されるなら
ば、この間隔は一般にリード・フレームの厚さと同じに
小さくすることができ、典型的には０．１２７乃至０．
２０３ｍｍの間である。
【００１９】図３は、図２の熱的に強化されたリード・
フレーム構造を持つＩＣパッケージを示している。リー
ド２２は、ＩＣ２８の下側で延長してこれを担持し、Ｉ
Ｃ２８上のボンディング・パッド３０に対してワイヤ・
ボンド３２で電気的に接続される。ＩＣ２８および内部
リード部分２６は、ＳｕｍｉｔｏｍｏのＥＭＥ６３００
Ｈ封止樹脂の如き封止樹脂３４中に封止される。
フレーム構造を持つＩＣパッケージを示している。リー
ド２２は、ＩＣ２８の下側で延長してこれを担持し、Ｉ
Ｃ２８上のボンディング・パッド３０に対してワイヤ・
ボンド３２で電気的に接続される。ＩＣ２８および内部
リード部分２６は、ＳｕｍｉｔｏｍｏのＥＭＥ６３００
Ｈ封止樹脂の如き封止樹脂３４中に封止される。
【００２０】広い内部リード部分２６は、自らとＩＣ２
８との間により大きな熱的接触面積を結果として生じ、
これがＩＣ２８から取り去られる熱量を増加させる。
８との間により大きな熱的接触面積を結果として生じ、
これがＩＣ２８から取り去られる熱量を増加させる。
【００２１】望ましい実施例において、内部リード部分
２６は、パーフォレーション３６と凹部３８とを含む。
封止樹脂３４は、パーフォレーション３６を介して凹部
３８へ流れ込み、これによりリード２２を封止樹脂３４
中に固定的に係止する。
２６は、パーフォレーション３６と凹部３８とを含む。
封止樹脂３４は、パーフォレーション３６を介して凹部
３８へ流れ込み、これによりリード２２を封止樹脂３４
中に固定的に係止する。
【００２２】リード・フレームとＩＣ２８が封止樹脂３
４中に封止された後、リード２２が相互に電気的に分離
されるように結合バー（図２における要素２３）が裁断
される。リード２２が封止樹脂３４中に固定的に係止さ
れるため、その相対的位置は結合バーが裁断された後に
維持される。
４中に封止された後、リード２２が相互に電気的に分離
されるように結合バー（図２における要素２３）が裁断
される。リード２２が封止樹脂３４中に固定的に係止さ
れるため、その相対的位置は結合バーが裁断された後に
維持される。
【００２３】図４は、図３の実施例の断面線４−４に関
する断面図である。ＩＣ２８は、Ａｌｐｈ Ｍｅｔａｌ
ｓ Ｓｔａｙ Ｓｔｉｋ（商標）なるテープ接着剤の如
き電気的に絶縁性かつ熱的に伝導性を有する接着剤４０
により内部リード部分２６に取付けられる。ＩＣ２８を
内部リード部分２６で担持することの別の利点は、可能
な以上に広いＩＣを標準的なリード・フレームで収容で
きることである。標準的なリード・フレームにおいて
は、ＩＣはリード・フレーム・パドルにより担持され、
ＩＣ幅はパドルの幅より広くはあり得ない。パドルの幅
は、パドルが内部リード部分と電気的に接触できない故
に制限される（内部リード部分とリード・フレーム・パ
ドルとの間には約２０３乃至２５４ミクロンメートルの
スペースがなければならない）。このリード・フレーム
はリード・フレーム・パドルを用いないので、このよう
な幅の制限は存在しない。その結果、このリード・フレ
ームは、標準的なリード・フレームにより収容されるも
のより約４０５乃至５０８ミクロンメートル広いＩＣを
収容することができる。
する断面図である。ＩＣ２８は、Ａｌｐｈ Ｍｅｔａｌ
ｓ Ｓｔａｙ Ｓｔｉｋ（商標）なるテープ接着剤の如
き電気的に絶縁性かつ熱的に伝導性を有する接着剤４０
により内部リード部分２６に取付けられる。ＩＣ２８を
内部リード部分２６で担持することの別の利点は、可能
な以上に広いＩＣを標準的なリード・フレームで収容で
きることである。標準的なリード・フレームにおいて
は、ＩＣはリード・フレーム・パドルにより担持され、
ＩＣ幅はパドルの幅より広くはあり得ない。パドルの幅
は、パドルが内部リード部分と電気的に接触できない故
に制限される（内部リード部分とリード・フレーム・パ
ドルとの間には約２０３乃至２５４ミクロンメートルの
スペースがなければならない）。このリード・フレーム
はリード・フレーム・パドルを用いないので、このよう
な幅の制限は存在しない。その結果、このリード・フレ
ームは、標準的なリード・フレームにより収容されるも
のより約４０５乃至５０８ミクロンメートル広いＩＣを
収容することができる。
【００２４】動作において、ＩＣ２８により生成される
熱は内部リード部分２６へ伝達される。ＩＣ２８と内部
リード部分２６との間の大きな熱的接触面積が、それら
の間に充分な熱伝達を生じる結果となる。熱は、リード
２２によって最終的には回路版（図示せず）へ伝達され
る。
熱は内部リード部分２６へ伝達される。ＩＣ２８と内部
リード部分２６との間の大きな熱的接触面積が、それら
の間に充分な熱伝達を生じる結果となる。熱は、リード
２２によって最終的には回路版（図示せず）へ伝達され
る。
【００２５】本発明はリード２２を熱放散のために用い
るが、他の熱伝達経路もまた存在する。例えば、封止樹
脂３４に放射された熱の一部は、パッケージの表面へ伝
達され、ここでこの熱は空気中に放出される。
るが、他の熱伝達経路もまた存在する。例えば、封止樹
脂３４に放射された熱の一部は、パッケージの表面へ伝
達され、ここでこの熱は空気中に放出される。
【００２６】典型的なＩＣパッケージにおいては、リー
ド２２の少なくとも１つが接地リードとして示され、回
路版（図示せず）上の金属接地面に接続される。回路版
上のこの金属接地面はまた、その熱伝達特性と、回路版
上で典型的に占有する比較的大きな面積との故に、有効
なヒート・シンクとしても働く。その結果、接地面は、
回路版の他の部分よりも有効な熱伝導体である。
ド２２の少なくとも１つが接地リードとして示され、回
路版（図示せず）上の金属接地面に接続される。回路版
上のこの金属接地面はまた、その熱伝達特性と、回路版
上で典型的に占有する比較的大きな面積との故に、有効
なヒート・シンクとしても働く。その結果、接地面は、
回路版の他の部分よりも有効な熱伝導体である。
【００２７】図５は、接地面の更に高い熱伝達特性を利
用するリード・フレーム構造を示している。この実施例
においては、接地リード４２は、その内部部分４４が他
の個々の内部リード部分２６よりも実質的に大きな領
域、望ましくは少なくとも２倍の大きさのＩＣ２８の領
域下に延在するように設計される。この更に大きな内部
リード部分４４は、ＩＣ２８と（回路版（図示せず）上
の接地面ｅ／ヒート・シンクに接続される）接地リード
４２との間により大きな熱的接触領域を生じる結果とな
る。このため、この実施例は、熱伝達のためのパッケー
ジの他のリード２２を依然として利用しながら、接地リ
ードと接地面との組合わせにより提供される更に効率的
な熱伝達経路を利用する。
用するリード・フレーム構造を示している。この実施例
においては、接地リード４２は、その内部部分４４が他
の個々の内部リード部分２６よりも実質的に大きな領
域、望ましくは少なくとも２倍の大きさのＩＣ２８の領
域下に延在するように設計される。この更に大きな内部
リード部分４４は、ＩＣ２８と（回路版（図示せず）上
の接地面ｅ／ヒート・シンクに接続される）接地リード
４２との間により大きな熱的接触領域を生じる結果とな
る。このため、この実施例は、熱伝達のためのパッケー
ジの他のリード２２を依然として利用しながら、接地リ
ードと接地面との組合わせにより提供される更に効率的
な熱伝達経路を利用する。
【００２８】本発明の趣旨および範囲から逸脱すること
なく、当業者には他の多くの変更例および代替例が着想
されよう。例えば、図面においては特定例の内部リード
部分の形状が用いられたが、ＩＣの主要面の実質的部分
を累積的に覆う他の形状も用いることができる。更に、
本発明を示すため２４リード・パッケージが用いられる
が、如何なるＩＣパッケージにおいても熱的に強化され
たリード・フレーム構造を実現することができる。従っ
て、本発明は頭書の特許請求の範囲に照らしてのみ限定
されるべきものである。
なく、当業者には他の多くの変更例および代替例が着想
されよう。例えば、図面においては特定例の内部リード
部分の形状が用いられたが、ＩＣの主要面の実質的部分
を累積的に覆う他の形状も用いることができる。更に、
本発明を示すため２４リード・パッケージが用いられる
が、如何なるＩＣパッケージにおいても熱的に強化され
たリード・フレーム構造を実現することができる。従っ
て、本発明は頭書の特許請求の範囲に照らしてのみ限定
されるべきものである。
【図１】従来のリード・フレーム構造を組込んだＩＣパ
ッケージの断面図である。
ッケージの断面図である。
【図２】本発明の熱的に強化されたリード・フレーム構
造の平面図である。
造の平面図である。
【図３】本発明を組込んだＩＣパッケージの平面図であ
る。
る。
【図４】図３の線４−４に関する図３の実施例の断面図
である。
である。
【図５】内部接地リード部分が拡大された本発明の別の
実施例を組込んだＩＣパッケージの平面図である。
実施例を組込んだＩＣパッケージの平面図である。
１０ 集積回路（ＩＣ） １２ リード・フレーム・パドル １４ 導電性リード・フィンガ １６ ワイヤ・ボンド １８ 封止樹脂 ２０ 長手方向延長部 ２２ リード ２３ 結合バー ２４ 外部リード部分 ２６ 内部リード部分 ２８ ＩＣ ３０ ボンディング・パッド ３２ ワイヤ・ボンド ３４ 封止樹脂 ３６ パーフォレーション ３８ 凹部 ４０ 接着剤 ４２ 接地リード ４４ 内部リード部分
Claims (5)
- 【請求項１】 集積回路（ＩＣ）を担持する熱的に強化
されたリード・フレーム構造において、 前記集積回路がリード・フレーム構造上に配置される時
該集積回路の主要面に沿って延在して、該集積回路表面
の実質的部分を覆い、前記集積回路表面と熱的に流通状
態にある内部部分を持つ複数の電気的かつ熱的な伝導性
のリードと、 前記リードを保持してその相対的位置を維持する少なく
とも１つの結合バーと、を備えた熱的に強化されたリー
ド・フレーム構造。 - 【請求項２】 熱的に強化された集積回路（ＩＣ）パッ
ケージにおいて、 集積回路（ＩＣ）と、 前記集積回路の主要面に沿って延在し、前記集積回路表
面の実質的部分を覆い、かつ該集積回路表面と熱的に流
通状態にある内部部分を持つ複数の電気的かつ熱的な伝
導性のリードであって、該リードが前記集積回路上のボ
ンディング・パッドに電気的に流通状態であることと、 前記集積回路と前記内部リード部分とを封止する封止樹
脂とを備えた熱的に強化された集積回路パッケージ。 - 【請求項３】 前記内部リード部分２６が、前記集積回
路表面の少なくとも８０％を覆う請求項２記載のパッケ
ージ。 - 【請求項４】 前記集積回路を前記内部リード部分に対
して固定的に保持する熱的な伝導性および電気的な絶縁
性の接着剤を更に備えた請求項２記載のパッケージ。 - 【請求項５】 前記リードの少なくとも１つが、他の個
々の内部リード部分より実質的に大きな前記集積回路表
面積に沿って延在する内部リード部分を持つ接地リード
である請求項２記載のパッケージ。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US29748994A | 1994-08-29 | 1994-08-29 | |
| US297489 | 1994-08-29 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0878595A true JPH0878595A (ja) | 1996-03-22 |
| JP2735509B2 JP2735509B2 (ja) | 1998-04-02 |
Family
ID=23146533
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7151674A Expired - Lifetime JP2735509B2 (ja) | 1994-08-29 | 1995-06-19 | 改善された熱放散を備えたｉｃパッケージ |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5541446A (ja) |
| EP (1) | EP0700086A3 (ja) |
| JP (1) | JP2735509B2 (ja) |
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| US5783868A (en) * | 1996-09-20 | 1998-07-21 | Integrated Device Technology, Inc. | Extended bond pads with a plurality of perforations |
| US5907769A (en) | 1996-12-30 | 1999-05-25 | Micron Technology, Inc. | Leads under chip in conventional IC package |
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| US6144089A (en) * | 1997-11-26 | 2000-11-07 | Micron Technology, Inc. | Inner-digitized bond fingers on bus bars of semiconductor device package |
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| US7233056B1 (en) * | 1998-02-23 | 2007-06-19 | Micron Technology, Inc. | Chip scale package with heat spreader |
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| US6326687B1 (en) | 1998-09-01 | 2001-12-04 | Micron Technology, Inc. | IC package with dual heat spreaders |
| US6117797A (en) | 1998-09-03 | 2000-09-12 | Micron Technology, Inc. | Attachment method for heat sinks and devices involving removal of misplaced encapsulant |
| US6711812B1 (en) | 1999-04-13 | 2004-03-30 | Unicap Electronics Industrial Corporation | Method of making metal core substrate printed circuit wiring board enabling thermally enhanced ball grid array (BGA) packages |
| US6265761B1 (en) | 1999-05-07 | 2001-07-24 | Maxim Integrated Products, Inc. | Semiconductor devices with improved lead frame structures |
| US6225683B1 (en) | 1999-05-14 | 2001-05-01 | Analog Devices, Inc. | Die size-increasing integrated circuit leads and thermally enhanced leadframe |
| US6359334B1 (en) | 1999-06-08 | 2002-03-19 | Micron Technology, Inc. | Thermally conductive adhesive tape for semiconductor devices and method using the same |
| US7042071B2 (en) * | 2002-10-24 | 2006-05-09 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Leadframe, plastic-encapsulated semiconductor device, and method for fabricating the same |
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| US7449369B2 (en) * | 2006-01-23 | 2008-11-11 | Stats Chippac Ltd. | Integrated circuit package system with multiple molding |
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| AU4663293A (en) * | 1992-07-07 | 1994-01-31 | Rtb Technology, Inc. | High density memory and method of forming the same |
-
1995
- 1995-06-19 JP JP7151674A patent/JP2735509B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1995-08-11 EP EP95305611A patent/EP0700086A3/en not_active Withdrawn
- 1995-09-26 US US08/534,095 patent/US5541446A/en not_active Expired - Lifetime
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0700086A3 (en) | 1997-08-20 |
| US5541446A (en) | 1996-07-30 |
| JP2735509B2 (ja) | 1998-04-02 |
| EP0700086A2 (en) | 1996-03-06 |
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