JPH0878611A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH0878611A JPH0878611A JP20644794A JP20644794A JPH0878611A JP H0878611 A JPH0878611 A JP H0878611A JP 20644794 A JP20644794 A JP 20644794A JP 20644794 A JP20644794 A JP 20644794A JP H0878611 A JPH0878611 A JP H0878611A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mold resin
- semiconductor chip
- overcurrent
- thermal expansion
- semiconductor device
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- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/551—Materials of bond wires
- H10W72/552—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver
- H10W72/5522—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver comprising gold [Au]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】ボンディングワイヤに特種の材質を用いること
なく、負荷短絡などの異常時に発生する過電流により半
導体チップ等の回路および周辺の装置に悪影響を与えな
いような半導体装置を提供することにある。 【構成】第一のリードフレーム２上に搭載した半導体チ
ップ１およびこの半導体チップ１に接続したボンディン
グワイヤ５，６の一部を覆う第一のモールド樹脂部７
と、この第一のモールド樹脂部７とは熱膨張係数を異な
らせた第二のモールド樹脂部８とを有する。また、異常
時の過電流による半導体チップ１の発熱時に両樹脂部
７，８の熱膨張係数の差が最大になるように、両樹脂部
７，８の膨張係数を選定する。これにより、過電流発生
時には、これら両樹脂部７，８の境界面におけるボンデ
ィングワイヤ５，６にせん断応力が働き、ワイヤの電流
容量を低下させることにより溶断させ、過電流を遮断す
る。
なく、負荷短絡などの異常時に発生する過電流により半
導体チップ等の回路および周辺の装置に悪影響を与えな
いような半導体装置を提供することにある。 【構成】第一のリードフレーム２上に搭載した半導体チ
ップ１およびこの半導体チップ１に接続したボンディン
グワイヤ５，６の一部を覆う第一のモールド樹脂部７
と、この第一のモールド樹脂部７とは熱膨張係数を異な
らせた第二のモールド樹脂部８とを有する。また、異常
時の過電流による半導体チップ１の発熱時に両樹脂部
７，８の熱膨張係数の差が最大になるように、両樹脂部
７，８の膨張係数を選定する。これにより、過電流発生
時には、これら両樹脂部７，８の境界面におけるボンデ
ィングワイヤ５，６にせん断応力が働き、ワイヤの電流
容量を低下させることにより溶断させ、過電流を遮断す
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置に関し、特に
セミパワークラス以上の半導体パッケージ構造に関す
る。
セミパワークラス以上の半導体パッケージ構造に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、かかるセミパワークラス以上の大
電力半導体装置のパッケージにおいては、負荷が短絡し
た場合などの異常時に発煙・発熱等の恐れがあるので、
半導体素子の破壊防止のために、半導体チップと接続さ
れるボンディングワイヤや、あるいはその周辺に各種の
工夫がなされている。
電力半導体装置のパッケージにおいては、負荷が短絡し
た場合などの異常時に発煙・発熱等の恐れがあるので、
半導体素子の破壊防止のために、半導体チップと接続さ
れるボンディングワイヤや、あるいはその周辺に各種の
工夫がなされている。
【０００３】図３は従来の一例を示す半導体装置の構造
図である。図３に示すように、従来の半導体パッケージ
は、半導体チップ１を第一のリードフレーム部２上に固
定するとともに、ボンディングワイヤ５，６により半導
体チップ１のパッドと第二，第三のリードフレーム部
３，４とを接続する。しかる後、半導体チップ１を含む
全体をカバーで覆うか、あるいは樹脂で覆いモールド樹
脂部８を形成するかしている。
図である。図３に示すように、従来の半導体パッケージ
は、半導体チップ１を第一のリードフレーム部２上に固
定するとともに、ボンディングワイヤ５，６により半導
体チップ１のパッドと第二，第三のリードフレーム部
３，４とを接続する。しかる後、半導体チップ１を含む
全体をカバーで覆うか、あるいは樹脂で覆いモールド樹
脂部８を形成するかしている。
【０００４】かかる構造の半導体パッケージにおいて、
半導体チップ１を保護するための過電流遮断機能を実現
するにあたっては、例えば、特開昭６４−５０４５７号
公報に記載されたように、ボンディングワイヤ５，６に
形状記憶合金を用いたり、あるいは特開平４−１９９８
６５号公報に記載されたように、ボンディングワイヤ
５，６が接続されるパッドとアルミ配線間にヒューズ材
料を用いたりするか、ボンディングワイヤ５，６そのも
のをヒューズ材で形成するかしている。
半導体チップ１を保護するための過電流遮断機能を実現
するにあたっては、例えば、特開昭６４−５０４５７号
公報に記載されたように、ボンディングワイヤ５，６に
形状記憶合金を用いたり、あるいは特開平４−１９９８
６５号公報に記載されたように、ボンディングワイヤ
５，６が接続されるパッドとアルミ配線間にヒューズ材
料を用いたりするか、ボンディングワイヤ５，６そのも
のをヒューズ材で形成するかしている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の半導体
装置において、前者の形状記憶合金を用いる場合には、
可動部を有するために、ワイヤの周囲を空間とする必要
があり、そのために半導体チップを樹脂等で封止するこ
とができないので、熱の放散性が悪化するという問題が
ある。この場合には、特に大電力を扱う半導体装置に適
用することができないという欠点がある。また、前者の
技術を用いる場合には、内部が中空であることや、ワイ
ヤの一端が固定されていない構造になるため、振動に対
して弱いという欠点もある。更に、前者の例は電流が遮
断されて半導体チップの温度が低下すると、自動的に元
の状態に復帰してしまうため、電流が遮断されている間
に根本的な対策を施さないと再び回路が遮断されること
になり、回路が不安定な状態に陥ってしまうという欠点
がある。
装置において、前者の形状記憶合金を用いる場合には、
可動部を有するために、ワイヤの周囲を空間とする必要
があり、そのために半導体チップを樹脂等で封止するこ
とができないので、熱の放散性が悪化するという問題が
ある。この場合には、特に大電力を扱う半導体装置に適
用することができないという欠点がある。また、前者の
技術を用いる場合には、内部が中空であることや、ワイ
ヤの一端が固定されていない構造になるため、振動に対
して弱いという欠点もある。更に、前者の例は電流が遮
断されて半導体チップの温度が低下すると、自動的に元
の状態に復帰してしまうため、電流が遮断されている間
に根本的な対策を施さないと再び回路が遮断されること
になり、回路が不安定な状態に陥ってしまうという欠点
がある。
【０００６】一方、後者のヒューズ材料を用いる場合に
は、半導体チップにヒューズ材を接続するためのリード
フレーム部を新設しなければならないという欠点があ
る。また、ワイヤにヒューズ材料を直接用いようとする
場合には、その加工性やボンディング方法の技術につい
て新たな問題が発生するという欠点がある。すなわち、
加工性については、直径１０〜１００μｍ程度の細線で
ループ状を形成する必要があったり、ボンディング方法
については、現在の金ワイヤであれば、電極を形成する
アルミとの金共晶を利用しているので、この点が可能か
否かといった問題がある。
は、半導体チップにヒューズ材を接続するためのリード
フレーム部を新設しなければならないという欠点があ
る。また、ワイヤにヒューズ材料を直接用いようとする
場合には、その加工性やボンディング方法の技術につい
て新たな問題が発生するという欠点がある。すなわち、
加工性については、直径１０〜１００μｍ程度の細線で
ループ状を形成する必要があったり、ボンディング方法
については、現在の金ワイヤであれば、電極を形成する
アルミとの金共晶を利用しているので、この点が可能か
否かといった問題がある。
【０００７】本発明の目的は、かかるボンディングワイ
ヤに特種の材質を用いることなく、しかも負荷短絡など
の異常時に発生する過電流により半導体チップ等の回路
および周辺の装置に悪影響を与えないような半導体装置
を提供することにある。
ヤに特種の材質を用いることなく、しかも負荷短絡など
の異常時に発生する過電流により半導体チップ等の回路
および周辺の装置に悪影響を与えないような半導体装置
を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置は、
リードフレーム上に搭載した半導体チップと、前記半導
体チップおよび前記半導体チップに接続したボンディン
グワイヤの一部を覆う第一のモールド樹脂部と、前記第
一のモールド樹脂部を含んで外周を覆い且つ前記第一の
モールド樹脂部とは熱膨張係数を異ならせた第二のモー
ルド樹脂部とを有し、過電流発生時には前記第一および
第二のモールド樹脂部の境界面における前記ボンディン
グワイヤを切断するようにして構成される。
リードフレーム上に搭載した半導体チップと、前記半導
体チップおよび前記半導体チップに接続したボンディン
グワイヤの一部を覆う第一のモールド樹脂部と、前記第
一のモールド樹脂部を含んで外周を覆い且つ前記第一の
モールド樹脂部とは熱膨張係数を異ならせた第二のモー
ルド樹脂部とを有し、過電流発生時には前記第一および
第二のモールド樹脂部の境界面における前記ボンディン
グワイヤを切断するようにして構成される。
【０００９】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。図１は本発明の一実施例を示す半導体装置
の構造図である。図１に示すように、本実施例は表面実
装タイプの半導体パッケージであり、半導体チップ１を
アイランドとなる第一のリードフレーム部２上に搭載固
定する。また、半導体チップ１上のボンディングパッド
からはボンディングワイヤ５，６を介してそれぞれ第
二，第三のリードフレーム部３，４と接続する。ここ
で、本実施例は第一のモールド樹脂で半導体チップ１の
周囲のみを封止し、第一のモールド樹脂部７を形成す
る。ついで、第一のモールド樹脂部７や第二，第三のリ
ードフレーム部３，４等を含む外周を第一のモールド樹
脂とは熱膨張係数の異なる第二のモールド樹脂で封止し
第二のモールド樹脂部８を形成する。
て説明する。図１は本発明の一実施例を示す半導体装置
の構造図である。図１に示すように、本実施例は表面実
装タイプの半導体パッケージであり、半導体チップ１を
アイランドとなる第一のリードフレーム部２上に搭載固
定する。また、半導体チップ１上のボンディングパッド
からはボンディングワイヤ５，６を介してそれぞれ第
二，第三のリードフレーム部３，４と接続する。ここ
で、本実施例は第一のモールド樹脂で半導体チップ１の
周囲のみを封止し、第一のモールド樹脂部７を形成す
る。ついで、第一のモールド樹脂部７や第二，第三のリ
ードフレーム部３，４等を含む外周を第一のモールド樹
脂とは熱膨張係数の異なる第二のモールド樹脂で封止し
第二のモールド樹脂部８を形成する。
【００１０】特に、第一のモールド樹脂部７と第二のモ
ールド樹脂部８の熱膨張係数は、通常の使用条件ではそ
の差が最小となり、異常時の過電流異常時の過電流によ
る半導体チップ１の発熱時には、その差が最大になるよ
うに選定される。このため、負荷短絡などによる過電流
発生時には、半導体自体の発熱で樹脂間に歪を発生させ
る。従って、これら両樹脂部７，８の境界面において、
ボンディングワイヤ５，６にせん断応力が働き、ワイヤ
の電流容量を低下させることにより溶断させるので、過
電流を遮断することができる。
ールド樹脂部８の熱膨張係数は、通常の使用条件ではそ
の差が最小となり、異常時の過電流異常時の過電流によ
る半導体チップ１の発熱時には、その差が最大になるよ
うに選定される。このため、負荷短絡などによる過電流
発生時には、半導体自体の発熱で樹脂間に歪を発生させ
る。従って、これら両樹脂部７，８の境界面において、
ボンディングワイヤ５，６にせん断応力が働き、ワイヤ
の電流容量を低下させることにより溶断させるので、過
電流を遮断することができる。
【００１１】図２は図１に示すモールド樹脂部のガラス
転移点温度の差異による熱膨張係数特性図である。図２
に示すように、第一のモールド樹脂部７の定常時の熱膨
張係数をα1A、ガラス転移点での熱膨張係数をα1Bと
し、同様に第二のモールド樹脂部８の定常時の熱膨張係
数をα2A、ガラス転移点での熱膨張係数をα2Bと表わす
と、α1A〈α2Aで且つα1B〈α2Bとなる任意の組合わせ
を選定すれば、相対的に半導体パッケージの内側は膨張
しにくく、外側は膨張しやすいように設定することがで
きる。
転移点温度の差異による熱膨張係数特性図である。図２
に示すように、第一のモールド樹脂部７の定常時の熱膨
張係数をα1A、ガラス転移点での熱膨張係数をα1Bと
し、同様に第二のモールド樹脂部８の定常時の熱膨張係
数をα2A、ガラス転移点での熱膨張係数をα2Bと表わす
と、α1A〈α2Aで且つα1B〈α2Bとなる任意の組合わせ
を選定すれば、相対的に半導体パッケージの内側は膨張
しにくく、外側は膨張しやすいように設定することがで
きる。
【００１２】例えば、第一のモールド樹脂７として、α
1A＝２．３×１０-5／℃、α1B＝６．５×１０-5／℃
（ガラス転移点：１４５〜１７０℃）を用い、また第二
のモールド樹脂８として、α2A＝２．８×１０-5／℃、
α2B＝７．５×１０-5／℃（ガラス転移点：１５０〜１
７０℃）を用いると、この組合わせの例の場合、定常時
の熱膨張係数の差は、α2A−α1A＝０．５×１０-5／℃
となり、また、異常時での熱膨張係数の差は、α2B−α
1B＝１．０×１０-5／℃となる。すなわち、異常時では
定常時の２倍の歪を発生させることができる。これによ
り、通常の使用状態ではボンディングワイヤ５，６への
ストレスを最小に抑えつつ、異常時には効果を最大に発
揮することが可能になる。
1A＝２．３×１０-5／℃、α1B＝６．５×１０-5／℃
（ガラス転移点：１４５〜１７０℃）を用い、また第二
のモールド樹脂８として、α2A＝２．８×１０-5／℃、
α2B＝７．５×１０-5／℃（ガラス転移点：１５０〜１
７０℃）を用いると、この組合わせの例の場合、定常時
の熱膨張係数の差は、α2A−α1A＝０．５×１０-5／℃
となり、また、異常時での熱膨張係数の差は、α2B−α
1B＝１．０×１０-5／℃となる。すなわち、異常時では
定常時の２倍の歪を発生させることができる。これによ
り、通常の使用状態ではボンディングワイヤ５，６への
ストレスを最小に抑えつつ、異常時には効果を最大に発
揮することが可能になる。
【００１３】次に、具体的な温度を設定し、モールド樹
脂のずれ（ΔＬ）を説明する。通常使用状態での半導体
チップ１の温度（Ｔ）をＴ＝６０℃、異常時の温度
（Ｔ’）をＴ’＝２００℃と仮定し、パッケージ寸法１
ｍｍ（Ｌ）あたりのモールド樹脂のずれを計算すると、
ΔＬ＝Δα×Ｌ×ΔＴより、通常使用状態では、 ΔＬ＝０．５×１０-5×１×１０-3×（６０−２５）＝
０．１７５μｍ であるのに対し、異常時では、 ΔＬ＝１．０×１０-5×１×１０-3×（２００−２５）
＝１．７５μｍ となる。
脂のずれ（ΔＬ）を説明する。通常使用状態での半導体
チップ１の温度（Ｔ）をＴ＝６０℃、異常時の温度
（Ｔ’）をＴ’＝２００℃と仮定し、パッケージ寸法１
ｍｍ（Ｌ）あたりのモールド樹脂のずれを計算すると、
ΔＬ＝Δα×Ｌ×ΔＴより、通常使用状態では、 ΔＬ＝０．５×１０-5×１×１０-3×（６０−２５）＝
０．１７５μｍ であるのに対し、異常時では、 ΔＬ＝１．０×１０-5×１×１０-3×（２００−２５）
＝１．７５μｍ となる。
【００１４】しかるに、本実施例の主な利用分野である
セミパワークラス以上の半導体装置のパッケージ寸法
は、最小でも５ｍｍ程度であるので、この場合の総合的
なずれは約９μｍ強になる。これに対し、上述したクラ
スの半導体装置に用いられるボンディングワイヤの直径
は一般的に３０〜５０μｍ程度であるので、モールド樹
脂のずれによりボンディングワイヤを切断したり、ある
いはボンディングワイヤを切断するまでは至らなくても
ボンディングワイヤにせん断応力を加え、その直径を部
分的に細くして電流容量を低下させ溶断に至らしめるこ
とができる。
セミパワークラス以上の半導体装置のパッケージ寸法
は、最小でも５ｍｍ程度であるので、この場合の総合的
なずれは約９μｍ強になる。これに対し、上述したクラ
スの半導体装置に用いられるボンディングワイヤの直径
は一般的に３０〜５０μｍ程度であるので、モールド樹
脂のずれによりボンディングワイヤを切断したり、ある
いはボンディングワイヤを切断するまでは至らなくても
ボンディングワイヤにせん断応力を加え、その直径を部
分的に細くして電流容量を低下させ溶断に至らしめるこ
とができる。
【００１５】上述した一実施例においては、通常使用状
態のモールド樹脂のずれに対し異常時のずれを約１０倍
にしているが、更にもっと大きなずれを発生すれように
設定することもできる。すなわち、第一のモールド樹脂
７と第二のモールド樹脂８との組合わせを、樹脂の熱膨
張係数がガラス転移点を境に急激に上昇することに着目
して選定すればよい。
態のモールド樹脂のずれに対し異常時のずれを約１０倍
にしているが、更にもっと大きなずれを発生すれように
設定することもできる。すなわち、第一のモールド樹脂
７と第二のモールド樹脂８との組合わせを、樹脂の熱膨
張係数がガラス転移点を境に急激に上昇することに着目
して選定すればよい。
【００１６】例えば、内側にある第一のモールド樹脂７
のガラス転移点をＴ＝２００℃、外側にある第二のモー
ルド樹脂８のガラス転移点をＴ’＝１７０℃であるとす
ると、半導体チップ１の温度が２００℃に達するまでの
間、二種類のモールド樹脂の熱膨張係数の差は、α2B−
α1A＝５．２×１０-5／℃となる。従って、パッケージ
寸法を５ｍｍとし、前述した一実施例と同様に計算した
ときの異常時での樹脂のずれ（ΔＬ）を計算すると、Δ
Ｌは ΔＬ＝５．２×１０-5×５×１０-3×（１７０−２５）
＝３７．７μｍ となる。このため、ボンディングワイヤの直径程度のず
れを樹脂に発生させるので、かなり大きなストレスをボ
ンディングワイヤに加えることができ、ワイヤの切断も
可能になる。
のガラス転移点をＴ＝２００℃、外側にある第二のモー
ルド樹脂８のガラス転移点をＴ’＝１７０℃であるとす
ると、半導体チップ１の温度が２００℃に達するまでの
間、二種類のモールド樹脂の熱膨張係数の差は、α2B−
α1A＝５．２×１０-5／℃となる。従って、パッケージ
寸法を５ｍｍとし、前述した一実施例と同様に計算した
ときの異常時での樹脂のずれ（ΔＬ）を計算すると、Δ
Ｌは ΔＬ＝５．２×１０-5×５×１０-3×（１７０−２５）
＝３７．７μｍ となる。このため、ボンディングワイヤの直径程度のず
れを樹脂に発生させるので、かなり大きなストレスをボ
ンディングワイヤに加えることができ、ワイヤの切断も
可能になる。
【００１７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の半導体装
置は、半導体チップを覆う樹脂を二層構造とし且つこれ
らの樹脂の熱膨張係数が通常の使用時と異常時とで大き
な差を生ずるように形成することにより、過電流防止機
能を実現でき、回路の異常範囲の拡大を防止できるの
で、負荷短絡などの異常時に発生する過電流により半導
体チップ等の回路および周辺の装置に悪影響を与えない
ようすることができるという効果がある。
置は、半導体チップを覆う樹脂を二層構造とし且つこれ
らの樹脂の熱膨張係数が通常の使用時と異常時とで大き
な差を生ずるように形成することにより、過電流防止機
能を実現でき、回路の異常範囲の拡大を防止できるの
で、負荷短絡などの異常時に発生する過電流により半導
体チップ等の回路および周辺の装置に悪影響を与えない
ようすることができるという効果がある。
【００１８】また、本発明の半導体装置は、ボンディン
グワイヤに形状記憶合金等の特種な材質を用いることな
く実現できるという効果がある。
グワイヤに形状記憶合金等の特種な材質を用いることな
く実現できるという効果がある。
【図１】本発明の一実施例を示す半導体装置の構造図で
ある。
ある。
【図２】図１に示すモールド樹脂部のガラス転移点温度
の差異による熱膨張係数特性図である。
の差異による熱膨張係数特性図である。
【図３】従来の一例を示す半導体装置の構造図である。
１ 半導体チップ ２〜４ リードフレーム部 ５，６ ボンディングワイヤ ７ 第一のモールド樹脂部 ８ 第二のモールド樹脂部
Claims (3)
- 【請求項１】 リードフレーム上に搭載した半導体チッ
プと、前記半導体チップおよび前記半導体チップに接続
したボンディングワイヤの一部を覆う第一のモールド樹
脂部と、前記第一のモールド樹脂部を含んで外周を覆い
且つ前記第一のモールド樹脂部とは熱膨張係数を異なら
せた第二のモールド樹脂部とを有し、過電流発生時には
前記第一および第二のモールド樹脂部の境界面における
前記ボンディングワイヤを切断しうるようにしたことを
特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】 前記第一および第二のモールド樹脂部の
熱膨張係数は、通常の使用条件ではその差が最小とな
り、異常時の過電流による前記半導体チップの発熱時に
はその差が最大になるように選定した請求項１記載の半
導体装置。 - 【請求項３】 前記半導体チップの過電流発生時には、
前記第一および第二のモールド樹脂部の境界面における
前記ボンディングワイヤにせん断応力を加えることによ
り、電流容量を低下させて溶断させる請求項２記載の半
導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20644794A JPH0878611A (ja) | 1994-08-31 | 1994-08-31 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20644794A JPH0878611A (ja) | 1994-08-31 | 1994-08-31 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0878611A true JPH0878611A (ja) | 1996-03-22 |
Family
ID=16523532
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20644794A Pending JPH0878611A (ja) | 1994-08-31 | 1994-08-31 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0878611A (ja) |
Cited By (5)
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|---|---|---|---|---|
| EP1075010A3 (de) * | 1999-07-31 | 2002-08-28 | Siemens Aktiengesellschaft | Halbleiterschalter |
| WO2003100855A1 (de) * | 2002-05-24 | 2003-12-04 | Robert Bosch Gmbh | Elektrisches bauelement |
| EP1906448A1 (de) * | 2006-09-29 | 2008-04-02 | Delphi Technologies, Inc. | Abgesichertes Feldeffekttransistorbauelement |
| JP2020096471A (ja) * | 2018-12-14 | 2020-06-18 | 三菱電機株式会社 | 電力変換装置 |
| WO2023015456A1 (zh) * | 2021-08-10 | 2023-02-16 | 华为技术有限公司 | 封装结构及电子装置 |
Citations (7)
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| JPS62205652A (ja) * | 1986-03-05 | 1987-09-10 | Hitachi Cable Ltd | Ｉｃパツケ−ジ |
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