JPH0878702A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH0878702A JPH0878702A JP20835394A JP20835394A JPH0878702A JP H0878702 A JPH0878702 A JP H0878702A JP 20835394 A JP20835394 A JP 20835394A JP 20835394 A JP20835394 A JP 20835394A JP H0878702 A JPH0878702 A JP H0878702A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】アノードｐ+ 層のボロンイオンドーズ量を１×
１０13ｃｍ-2以下とすることで、順電圧と逆回復特性の
トレードオフを改善する。 【構成】ｎ- 層１の一方の側にアノードｐ+ 層２がイオ
ン注入とアニールにより形成され、アノードｐ+ 層２上
にアノード電極４が金属膜で形成され、ｎ-層１の他方
の側にはカソードｎ+ 層５を介してカソード電極が設け
られ、アノードｐ+ 層２のボロンボロンイオンドーズ量
を１×１０13ｃｍ-2以下とする。
１０13ｃｍ-2以下とすることで、順電圧と逆回復特性の
トレードオフを改善する。 【構成】ｎ- 層１の一方の側にアノードｐ+ 層２がイオ
ン注入とアニールにより形成され、アノードｐ+ 層２上
にアノード電極４が金属膜で形成され、ｎ-層１の他方
の側にはカソードｎ+ 層５を介してカソード電極が設け
られ、アノードｐ+ 層２のボロンボロンイオンドーズ量
を１×１０13ｃｍ-2以下とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は逆回復特性を改善した
プレーナ型ダイオードなどの半導体装置に関する。
プレーナ型ダイオードなどの半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】ゲートターンオフサイリスタ（ＧＴ
Ｏ）、ＭＯＳＦＥＴ、絶縁ゲートトランジスタ（ＩＧＢ
Ｔ）などの電力用スイッチング素子は近年進歩が著し
く、高速スイッチング動作が可能で、低飽和電圧の素子
が得られるようになった。しかし、これらの素子と組み
合わせて使用するフリーホイーリングダイオードの特性
が必ずしも十分満足出来るものではない。
Ｏ）、ＭＯＳＦＥＴ、絶縁ゲートトランジスタ（ＩＧＢ
Ｔ）などの電力用スイッチング素子は近年進歩が著し
く、高速スイッチング動作が可能で、低飽和電圧の素子
が得られるようになった。しかし、これらの素子と組み
合わせて使用するフリーホイーリングダイオードの特性
が必ずしも十分満足出来るものではない。
【０００３】図８に従来のプレーナ型ダイオードの要部
断面図と不純物プロフィールを示す。ｎ- 層１の一方の
側にアノードｐ+ 層２と耐圧構造であるガードリング用
ｐ+層３がイオン注入とアニール（熱処理）により形成
される。アノードｐ+ 層２上にアノード電極４が金属膜
で形成されている。ｎ- 層１の他方の側にはカソードｎ
+ 層５を介してカソード電極６が設けられている。ま
た、不純物プロフィールからアノードｐ+ 層２の表面濃
度は１０20ｃｍ-3である。
断面図と不純物プロフィールを示す。ｎ- 層１の一方の
側にアノードｐ+ 層２と耐圧構造であるガードリング用
ｐ+層３がイオン注入とアニール（熱処理）により形成
される。アノードｐ+ 層２上にアノード電極４が金属膜
で形成されている。ｎ- 層１の他方の側にはカソードｎ
+ 層５を介してカソード電極６が設けられている。ま
た、不純物プロフィールからアノードｐ+ 層２の表面濃
度は１０20ｃｍ-3である。
【０００４】このダイオードの動作を内部のキャリアの
挙動も含めて説明する。アノード電極４に負電位、カソ
ード電極６に正電位を印加した場合は、アノードｐ+ 層
２とｎ- 層１とからなるｐｎ接合が逆バイアスされるた
め、逆阻止状態となり電流は流れない。逆にアノード電
極４に正電位、カソード電極６に負電位を印加した場合
は、ｐｎ接合が順バイアスされ、アノードｐ+ 層２から
ｎ- 層１に正孔が注入され、一方、ｎ- 層１からアノー
ドｐ+ 層２に電子が注入されダイオードに電流が流れ
る。この注入された正孔、電子は注入された側で少数キ
ャリアとなる。ダイオードを順方向に電流を流している
状態で外部から逆電圧を印加し急峻な電流を逆方向に流
して阻止状態に移行する過程の逆回復状態では、順方向
時に注入され、ｎ- 層１、アノードｐ+ 層２に蓄積して
いる少数キャリアが短時間に外部に掃き出され逆方向電
流として流れる。この逆方向電流が逆回復電流と呼ばれ
るものである。また、少数キャリアが外部に掃き出され
減少するとｐｎ接合が逆バイアスされ空乏層が広がり始
めダイオードは逆阻止状態になる。この逆阻止状態に移
行する間の逆回復過程では逆回復電流と逆電圧の積によ
る逆回復損失が発生し素子を破壊させることがある。素
子の逆回復耐量（以下耐量と略す）はこの逆回復損失に
耐える値で、耐量が高い素子は大きな逆回復損失に耐え
ることを意味する。
挙動も含めて説明する。アノード電極４に負電位、カソ
ード電極６に正電位を印加した場合は、アノードｐ+ 層
２とｎ- 層１とからなるｐｎ接合が逆バイアスされるた
め、逆阻止状態となり電流は流れない。逆にアノード電
極４に正電位、カソード電極６に負電位を印加した場合
は、ｐｎ接合が順バイアスされ、アノードｐ+ 層２から
ｎ- 層１に正孔が注入され、一方、ｎ- 層１からアノー
ドｐ+ 層２に電子が注入されダイオードに電流が流れ
る。この注入された正孔、電子は注入された側で少数キ
ャリアとなる。ダイオードを順方向に電流を流している
状態で外部から逆電圧を印加し急峻な電流を逆方向に流
して阻止状態に移行する過程の逆回復状態では、順方向
時に注入され、ｎ- 層１、アノードｐ+ 層２に蓄積して
いる少数キャリアが短時間に外部に掃き出され逆方向電
流として流れる。この逆方向電流が逆回復電流と呼ばれ
るものである。また、少数キャリアが外部に掃き出され
減少するとｐｎ接合が逆バイアスされ空乏層が広がり始
めダイオードは逆阻止状態になる。この逆阻止状態に移
行する間の逆回復過程では逆回復電流と逆電圧の積によ
る逆回復損失が発生し素子を破壊させることがある。素
子の逆回復耐量（以下耐量と略す）はこの逆回復損失に
耐える値で、耐量が高い素子は大きな逆回復損失に耐え
ることを意味する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ダイオードの逆回復電
流や逆回復損失などの逆回復特性は、順電圧とトレード
オフ（相反）の関係にあり、順電圧の高い素子ほど逆回
復特性はよく、低い素子ほど悪い。順方向電流通電時の
順電圧が低く、逆回復動作時の逆回復電流や逆回復損失
が小さく、かつ、耐量が高い素子が望ましい。
流や逆回復損失などの逆回復特性は、順電圧とトレード
オフ（相反）の関係にあり、順電圧の高い素子ほど逆回
復特性はよく、低い素子ほど悪い。順方向電流通電時の
順電圧が低く、逆回復動作時の逆回復電流や逆回復損失
が小さく、かつ、耐量が高い素子が望ましい。
【０００６】逆回復特性は逆回復電流や逆回復損失のほ
かに逆回復電流回復時間、逆回復電流減衰率、逆回復耐
量（耐量）等を含む。従来、逆回復電流や逆回復損失を
低減する（改善する）ために多量のライフタイムキラー
を素子に導入する方法があるが、この方法では順電圧が
高くなり、また、逆回復電流減衰率が大きくなる所謂ハ
ードリカバリーになるため耐量が低下するという欠点が
ある。
かに逆回復電流回復時間、逆回復電流減衰率、逆回復耐
量（耐量）等を含む。従来、逆回復電流や逆回復損失を
低減する（改善する）ために多量のライフタイムキラー
を素子に導入する方法があるが、この方法では順電圧が
高くなり、また、逆回復電流減衰率が大きくなる所謂ハ
ードリカバリーになるため耐量が低下するという欠点が
ある。
【０００７】この発明は上記欠点を除去し、少ないライ
フタイムキラーでも高耐圧、低順電圧、低逆回復損失お
よび高耐量を有するダイオードを提供することにある。
フタイムキラーでも高耐圧、低順電圧、低逆回復損失お
よび高耐量を有するダイオードを提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、第１導電形半導体層の一主面側に高濃度第２導電形
半導体領域がイオン注入法で選択的に形成され、該高濃
度第２導電形半導体領域の表面にアノード電極が形成さ
れ、第１導電形半導体層の他主面側に高濃度第１導電形
半導体層が形成され、該高濃度第１導電形半導体層の表
面にカソード電極が形成されているものにおいて、該高
濃度第２導電形半導体領域形成時の不純物ドーズ量を１
×１０13ｃｍ-2以下にすることである。また、高濃度第
２導電形半導体領域と高濃度第１導電形半導体層に挟ま
れた第１導電形半導体領域の厚さを２５０μｍ以下、比
抵抗を１５０ないし２５０Ω・ｃｍにすることが効果的
である。また、高濃度第２導電形半導体領域をイオン注
入と熱処理で形成することが有効である。さらに、第１
導電形半導体層がエピタキシャル成長層からなることが
望ましい。また、高濃度第１導電形半導体層が拡散層か
らなることがよい。
に、第１導電形半導体層の一主面側に高濃度第２導電形
半導体領域がイオン注入法で選択的に形成され、該高濃
度第２導電形半導体領域の表面にアノード電極が形成さ
れ、第１導電形半導体層の他主面側に高濃度第１導電形
半導体層が形成され、該高濃度第１導電形半導体層の表
面にカソード電極が形成されているものにおいて、該高
濃度第２導電形半導体領域形成時の不純物ドーズ量を１
×１０13ｃｍ-2以下にすることである。また、高濃度第
２導電形半導体領域と高濃度第１導電形半導体層に挟ま
れた第１導電形半導体領域の厚さを２５０μｍ以下、比
抵抗を１５０ないし２５０Ω・ｃｍにすることが効果的
である。また、高濃度第２導電形半導体領域をイオン注
入と熱処理で形成することが有効である。さらに、第１
導電形半導体層がエピタキシャル成長層からなることが
望ましい。また、高濃度第１導電形半導体層が拡散層か
らなることがよい。
【０００９】
【作用】アノードｐ+ 層（ｐ+ 層）の不純物濃度を変化
させると、同じ順方向の電圧を印加した場合、不純物濃
度の高い素子の方がより多くの正孔がｎ- 層に注入され
蓄積する。その蓄積した正孔を減少させるために不純物
濃度の高い素子は低い素子に比べ、より多くのライフタ
イムキラーを必要とする。また、ｎ- 層内部での注入さ
れた正孔の深さ方向の密度分布は同じ順電圧の素子でみ
ると、ｐ+ 層濃度の高い素子はｐｎ接合付近で正孔の密
度が高く、ｐｎ接合から離れるとライフタイムキラーの
効果により急激に減少する。これに対して、ｐ+ 層濃度
の低い素子はｐｎ接合付近で正孔の密度が高いが、ｐ+
層濃度の高い素子と比べると低く、そのため、同じ電流
量を維持するための正孔の密度はｐｎ接合から離れても
ｐ+層濃度の高い素子ほどには急激な減少をみせない。
このｎ- 層内での正孔の密度分布の差が逆回復特性に影
響を与える。
させると、同じ順方向の電圧を印加した場合、不純物濃
度の高い素子の方がより多くの正孔がｎ- 層に注入され
蓄積する。その蓄積した正孔を減少させるために不純物
濃度の高い素子は低い素子に比べ、より多くのライフタ
イムキラーを必要とする。また、ｎ- 層内部での注入さ
れた正孔の深さ方向の密度分布は同じ順電圧の素子でみ
ると、ｐ+ 層濃度の高い素子はｐｎ接合付近で正孔の密
度が高く、ｐｎ接合から離れるとライフタイムキラーの
効果により急激に減少する。これに対して、ｐ+ 層濃度
の低い素子はｐｎ接合付近で正孔の密度が高いが、ｐ+
層濃度の高い素子と比べると低く、そのため、同じ電流
量を維持するための正孔の密度はｐｎ接合から離れても
ｐ+層濃度の高い素子ほどには急激な減少をみせない。
このｎ- 層内での正孔の密度分布の差が逆回復特性に影
響を与える。
【００１０】逆回復時に正孔がｎ- 層から掃き出される
際に、ｐｎ接合付近の高い密度の正孔は逆回復電流のピ
ーク値に影響し、ｐ+ 層濃度の高い素子の方がピーク値
は大きくなる。また、深さ方向の正孔の密度分布から、
ｐ+ 層濃度の低い素子の方がピーク値が減少する割合に
くらべ、正孔が掃きだされる時間の減少する割合の方が
小さいため、逆回復電流減少率は小さくなり、ソフトリ
カバリーとなる。またｎ- 層の厚さが薄い素子ほど正孔
の掃き出しが良くなり、逆回復特性が改善される。
際に、ｐｎ接合付近の高い密度の正孔は逆回復電流のピ
ーク値に影響し、ｐ+ 層濃度の高い素子の方がピーク値
は大きくなる。また、深さ方向の正孔の密度分布から、
ｐ+ 層濃度の低い素子の方がピーク値が減少する割合に
くらべ、正孔が掃きだされる時間の減少する割合の方が
小さいため、逆回復電流減少率は小さくなり、ソフトリ
カバリーとなる。またｎ- 層の厚さが薄い素子ほど正孔
の掃き出しが良くなり、逆回復特性が改善される。
【００１１】以上のことから、ｐ+ 層の不純物濃度が低
い素子の方が少ないライフタイムキラーでも逆回復特性
が良好である。そのため、ｐ+ 層を形成する際のボロン
イオン注入量を低く抑える。また、耐圧を確保しなが
ら、ｎ- 層の厚さを薄くすることが重要である。
い素子の方が少ないライフタイムキラーでも逆回復特性
が良好である。そのため、ｐ+ 層を形成する際のボロン
イオン注入量を低く抑える。また、耐圧を確保しなが
ら、ｎ- 層の厚さを薄くすることが重要である。
【００１２】
【実施例】図１はこの発明の一実施例の要部断面図と不
純物プロフィールを示す。断面構造は図８と同じため各
部の説明は省略する。一方、不純物プロフィールについ
ては、図８と比べるとアノードｐ+ 層２の表面濃度は低
いことが特徴的である。ｎ - 基板として、ＦＺ（Ｆｌｏ
ａｔ Ｚｏｎｅ）／ＭＣＺ（Ｍａｇｎｅｔｉｃ Ｃｚｃ
ｈｒａｌｓｋｉ）ウエハ又はカソードｎ+ 層５上にｎ-
層をエピタキシャル成長させたウエハを用いる。ＦＺ／
ＭＣＺウエハの場合はカソードｎ+ 層５をリンのイオン
注入（１×１０15ｃｍ-2）とアニールにより形成し、そ
の深さは５μｍ程度である。また、アノードｐ+ 層２の
イオン注入後のアニール条件は１１５０°Ｃ、５時間で
その深さは５μｍ程度である。また、ライフタイムキラ
ーを導入するため、電子線照射を８〜１０Ｍｒａｄ行
い、３００°Ｃ程度で１時間程度のアニール（熱処理）
をする。
純物プロフィールを示す。断面構造は図８と同じため各
部の説明は省略する。一方、不純物プロフィールについ
ては、図８と比べるとアノードｐ+ 層２の表面濃度は低
いことが特徴的である。ｎ - 基板として、ＦＺ（Ｆｌｏ
ａｔ Ｚｏｎｅ）／ＭＣＺ（Ｍａｇｎｅｔｉｃ Ｃｚｃ
ｈｒａｌｓｋｉ）ウエハ又はカソードｎ+ 層５上にｎ-
層をエピタキシャル成長させたウエハを用いる。ＦＺ／
ＭＣＺウエハの場合はカソードｎ+ 層５をリンのイオン
注入（１×１０15ｃｍ-2）とアニールにより形成し、そ
の深さは５μｍ程度である。また、アノードｐ+ 層２の
イオン注入後のアニール条件は１１５０°Ｃ、５時間で
その深さは５μｍ程度である。また、ライフタイムキラ
ーを導入するため、電子線照射を８〜１０Ｍｒａｄ行
い、３００°Ｃ程度で１時間程度のアニール（熱処理）
をする。
【００１３】試作した素子の実験結果について説明す
る。図３、図４にｐ+ 層２形成時のボロンイオン注入ド
ーズ量（以下ドーズ量と略す）を変えた場合の逆回復特
性と順電圧の関係を示す。両図から逆回復電流のピーク
値、逆回復損失共に、ドーズ量が少ない方が特性は良
い。また、図２に逆回復過程での電流、電圧波形を示
す。同図（ａ）はドーズ量が１×１０15ｃｍ-2、表面濃
度は１０19ｃｍ-2程度、同図（ｂ）はドーズ量が１×１
０13ｃｍ-2、表面濃度は１０17ｃｍ-2程度である。ドー
ズ量が少ない素子の方が逆回復電流減少率が小さく逆電
圧の跳ね上がりも小さいソフトリカバリー波形となって
いる。しかし、ドーズ量が少なすぎると金属電極とのコ
ンタクト性（オーミック性）が悪化したり、次に述べる
ように耐圧が低下する。図５に２５００Ｖ以上の高耐圧
素子の耐圧とドーズ量の関係を示す。５×１０12ｃｍ-2
まではドーズ量を減らすと耐圧は上昇するが、それ以下
になると急激に低下する。耐圧を確保するためには５×
１０12ｃｍ-2以上のドーズ量が必要である。しかし、ガ
ードリングｐ+ 層３の設計をさらに最適化すればドーズ
量をさらに低下させても耐圧の低下を防ぐことが期待で
きる。尚、ｎ- 層１の比抵抗が１５０〜２５０Ω・ｃｍ
でｎ- 層１の厚みが２００〜２５０μｍの範囲でほぼ同
様の結果を得た。図６、図７はｎ- 層の厚みをパラメー
タとした逆回復特性と順電圧の関係を示す。ここではド
ーズ量が１×１０13ｃｍ-2、ｎ- 層の厚みが２５０μ
ｍ、３００μｍの場合である。ｎ- 層の厚みが薄い方が
逆回復特性がよい。
る。図３、図４にｐ+ 層２形成時のボロンイオン注入ド
ーズ量（以下ドーズ量と略す）を変えた場合の逆回復特
性と順電圧の関係を示す。両図から逆回復電流のピーク
値、逆回復損失共に、ドーズ量が少ない方が特性は良
い。また、図２に逆回復過程での電流、電圧波形を示
す。同図（ａ）はドーズ量が１×１０15ｃｍ-2、表面濃
度は１０19ｃｍ-2程度、同図（ｂ）はドーズ量が１×１
０13ｃｍ-2、表面濃度は１０17ｃｍ-2程度である。ドー
ズ量が少ない素子の方が逆回復電流減少率が小さく逆電
圧の跳ね上がりも小さいソフトリカバリー波形となって
いる。しかし、ドーズ量が少なすぎると金属電極とのコ
ンタクト性（オーミック性）が悪化したり、次に述べる
ように耐圧が低下する。図５に２５００Ｖ以上の高耐圧
素子の耐圧とドーズ量の関係を示す。５×１０12ｃｍ-2
まではドーズ量を減らすと耐圧は上昇するが、それ以下
になると急激に低下する。耐圧を確保するためには５×
１０12ｃｍ-2以上のドーズ量が必要である。しかし、ガ
ードリングｐ+ 層３の設計をさらに最適化すればドーズ
量をさらに低下させても耐圧の低下を防ぐことが期待で
きる。尚、ｎ- 層１の比抵抗が１５０〜２５０Ω・ｃｍ
でｎ- 層１の厚みが２００〜２５０μｍの範囲でほぼ同
様の結果を得た。図６、図７はｎ- 層の厚みをパラメー
タとした逆回復特性と順電圧の関係を示す。ここではド
ーズ量が１×１０13ｃｍ-2、ｎ- 層の厚みが２５０μ
ｍ、３００μｍの場合である。ｎ- 層の厚みが薄い方が
逆回復特性がよい。
【００１４】ｎ- 層の厚みは素子耐圧と密接な関係があ
り、シリコンの比抵抗と兼ね合わせて決める必要があ
る。また、ｎ- 層を含むシリコンの厚さが約２００μｍ
以下と薄くなると割れやすくなるため、ハンドリングを
考慮に入れてシリコン厚みを決める必要がある。２５０
０Ｖ以上の高耐圧素子では、耐圧を得るために、ｎ- 層
の厚みが２００〜２５０μｍ、比抵抗が１５０〜２５０
Ω・ｃｍ必要であり、特に、３０００Ｖクラスの素子で
は製造の容易さと特性面からｎ- 層の厚みが２２０〜２
５０μｍ、比抵抗が１８０〜２１０Ω・ｃｍが最適であ
る。
り、シリコンの比抵抗と兼ね合わせて決める必要があ
る。また、ｎ- 層を含むシリコンの厚さが約２００μｍ
以下と薄くなると割れやすくなるため、ハンドリングを
考慮に入れてシリコン厚みを決める必要がある。２５０
０Ｖ以上の高耐圧素子では、耐圧を得るために、ｎ- 層
の厚みが２００〜２５０μｍ、比抵抗が１５０〜２５０
Ω・ｃｍ必要であり、特に、３０００Ｖクラスの素子で
は製造の容易さと特性面からｎ- 層の厚みが２２０〜２
５０μｍ、比抵抗が１８０〜２１０Ω・ｃｍが最適であ
る。
【００１５】
【発明の効果】この発明によれば、２５００Ｖ以上の高
耐圧素子で、ｎ- 層の厚みを２００〜２５０μｍ、比抵
抗を１５０〜２５０Ω・ｃｍでアノードｐ+ 層２を形成
するためのボロンイオン注入ドーズ量を１×１０13ｃｍ
-2以下にすることで低順電圧を維持し、逆回復電流およ
び逆回復損失などの逆回復特性を大幅に改善できる。
耐圧素子で、ｎ- 層の厚みを２００〜２５０μｍ、比抵
抗を１５０〜２５０Ω・ｃｍでアノードｐ+ 層２を形成
するためのボロンイオン注入ドーズ量を１×１０13ｃｍ
-2以下にすることで低順電圧を維持し、逆回復電流およ
び逆回復損失などの逆回復特性を大幅に改善できる。
【図１】一実施例の素子要部断面図と不純物プロフィー
ル図
ル図
【図２】逆回復波形線図で同図（ａ）はボロンイオンド
ーズ量が１×１０15ｃｍ-2の場合の電圧電流波形線図、
同図（ｂ）はボロンイオンドーズ量が１×１０13ｃｍ-2
の場合の電圧電流波形線図
ーズ量が１×１０15ｃｍ-2の場合の電圧電流波形線図、
同図（ｂ）はボロンイオンドーズ量が１×１０13ｃｍ-2
の場合の電圧電流波形線図
【図３】逆回復電流のピーク値と順電圧の関係図
【図４】逆回復損失と順電圧の関係図
【図５】ボロンイオンドーズ量と素子耐圧の関係図
【図６】逆回復電流のピーク値と順電圧の関係図
【図７】逆回復損失と順電圧の関係図
【図８】従来ダイオードの要部断面図と不純物プロフィ
ール図
ール図
１ ｎ- 層 ２ アノードｐ+ 層 ３ ガードリングｐ+ 層 ４ アノード電極 ５ カソードｎ+ 層 ６ カソード電極
Claims (5)
- 【請求項１】第１導電形半導体層の一主面側に高濃度第
２導電形半導体領域が選択的に形成され、該高濃度第２
導電形半導体領域の表面にアノード電極が形成され、第
１導電形半導体層の他主面側に高濃度第１導電形半導体
層が形成され、該高濃度第１導電形半導体層の表面にカ
ソード電極が形成されているものにおいて、該高濃度第
２導電形半導体領域形成時の不純物ドーズ量が１×１０
13ｃｍ -2以下であることを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】高濃度第２導電形半導体領域と高濃度第１
導電形半導体層に挟まれた第１導電形半導体領域の厚さ
が２５０μｍ以下、比抵抗が１５０ないし２５０Ω・ｃ
ｍであることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。 - 【請求項３】高濃度第２導電形半導体領域がイオン注入
と熱処理で形成されることを特徴とする請求項１記載の
半導体装置。 - 【請求項４】第１導電形半導体層がエピタキシャル成長
層からなることを特徴とする請求項１記載の半導体装
置。 - 【請求項５】高濃度第１導電形半導体層が拡散層からな
ることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20835394A JPH0878702A (ja) | 1994-09-01 | 1994-09-01 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20835394A JPH0878702A (ja) | 1994-09-01 | 1994-09-01 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0878702A true JPH0878702A (ja) | 1996-03-22 |
Family
ID=16554886
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20835394A Pending JPH0878702A (ja) | 1994-09-01 | 1994-09-01 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0878702A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54122173A (en) * | 1978-03-15 | 1979-09-21 | Kubota Ltd | Proceeding speed detector for moving agricutural machine |
| JP2001177114A (ja) * | 1999-12-17 | 2001-06-29 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体装置 |
| JP2016197753A (ja) * | 2010-10-21 | 2016-11-24 | ヴィシェイ ジェネラル セミコンダクター，エルエルシーＶｉｓｈａｙ Ｇｅｎｅｒａｌ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ，Ｌｌｃ | 改良されたショットキー整流器 |
-
1994
- 1994-09-01 JP JP20835394A patent/JPH0878702A/ja active Pending
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