JPH087886B2 - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
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- JPH087886B2 JPH087886B2 JP12560989A JP12560989A JPH087886B2 JP H087886 B2 JPH087886 B2 JP H087886B2 JP 12560989 A JP12560989 A JP 12560989A JP 12560989 A JP12560989 A JP 12560989A JP H087886 B2 JPH087886 B2 JP H087886B2
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- 230000005415 magnetization Effects 0.000 claims description 12
- 229910000808 amorphous metal alloy Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 10
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 9
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 49
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 30
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 19
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 15
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 6
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 5
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 3
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 3
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910000531 Co alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N gadolinium atom Chemical compound [Gd] UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N terbium atom Chemical compound [Tb] GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、光磁気記録媒体、特に、磁気光学効果を利
用してレーザ光により情報の記録，再生を行なう光磁気
記録媒体に関する。
用してレーザ光により情報の記録，再生を行なう光磁気
記録媒体に関する。
従来の光磁気記録媒体は、記録特性，再生特性，記録
の安定性向上を目的として、光磁気記録層として複数の
磁性層を用いたものが提案されている。代表的な例は低
いキュリー温度を示す記録特性のよい高保磁力層（以
下、書込層という）と高いキュリー温度を示す再生特性
のよい低保磁力層（以下、読出層という）とを積層し、
少ないエネルギーで書込層に書き込んだビットを磁気光
学効果の大きい読出層に交換結合により転写し、読出層
側から読み出すものである（例えば、特開昭57-78652
号）。
の安定性向上を目的として、光磁気記録層として複数の
磁性層を用いたものが提案されている。代表的な例は低
いキュリー温度を示す記録特性のよい高保磁力層（以
下、書込層という）と高いキュリー温度を示す再生特性
のよい低保磁力層（以下、読出層という）とを積層し、
少ないエネルギーで書込層に書き込んだビットを磁気光
学効果の大きい読出層に交換結合により転写し、読出層
側から読み出すものである（例えば、特開昭57-78652
号）。
このような高保磁力層としては上例では、TbxFe100-x
の非晶質合金が用いられ、また低保磁力層としては｛Gd
z(FeyCo100-y)100-z｝が用いられている。
の非晶質合金が用いられ、また低保磁力層としては｛Gd
z(FeyCo100-y)100-z｝が用いられている。
しかしながら、従来の光磁気記録媒体は、腐食されや
すいという欠点を有しており、実用に供するには問題が
あった。
すいという欠点を有しており、実用に供するには問題が
あった。
本発明者らは、高感度で高C/Nを維持したまま高耐蝕
性を有する記録材料を見出し、本発明に至った。
性を有する記録材料を見出し、本発明に至った。
本発明の光磁気記録媒体は、垂直磁化可能な低キュリ
ー点を有する高保磁力層と垂直磁化可能な高キュリー点
を有する低保磁力層とを有し、該高保磁力層と該低保磁
力層とは交換結合している光磁気記録媒体であって、前
記高保磁力層が(TbxFe100-x)100-aTiaの非晶質合金であ
り、前記低保磁力層が｛Gdz(FeyCo100-y)100-z｝100-bT
ibであり、x,y,z,a,bがそれぞれ ｘ＝20〜25 原子％ ｙ＝50〜90 原子％ ｚ＝20〜26 原子％ ａ＝２〜8 原子％ ｂ＝２〜8 原子％ の範囲にあるように構成される。
ー点を有する高保磁力層と垂直磁化可能な高キュリー点
を有する低保磁力層とを有し、該高保磁力層と該低保磁
力層とは交換結合している光磁気記録媒体であって、前
記高保磁力層が(TbxFe100-x)100-aTiaの非晶質合金であ
り、前記低保磁力層が｛Gdz(FeyCo100-y)100-z｝100-bT
ibであり、x,y,z,a,bがそれぞれ ｘ＝20〜25 原子％ ｙ＝50〜90 原子％ ｚ＝20〜26 原子％ ａ＝２〜8 原子％ ｂ＝２〜8 原子％ の範囲にあるように構成される。
さらに、本発明の光磁気記録媒体は、垂直磁化可能な
低キュリー点を有する高保磁力膜と垂直磁化可能な高キ
ュリー点を有する低保磁力膜とを有し、該高保磁力膜と
該低保磁力膜とは交換結合している光磁気記録媒体であ
って、前記高保磁力膜はTbFe合金の層とTiの層とが原子
オーダーの厚さで交互に積層された膜であり、その平均
的な組成は(TbxFe100-x)100-aTiaの非晶質合金であり、
前記低保磁力層はGdFeCo合金の層とTiの層とが原子オー
ダーの厚さで交互に積層された膜であり、その平均的な
組成は｛Gdz(FeyCo100-y)100-z｝100-bTibの非晶質合金
であり、x,y,z,a,bがそれぞれ ｘ＝20〜25 原子％ ｙ＝50〜90 原子％ ｚ＝20〜26 原子％ ａ＝２〜8 原子％ ｂ＝２〜8 原子％ の範囲にあるように構成される。
低キュリー点を有する高保磁力膜と垂直磁化可能な高キ
ュリー点を有する低保磁力膜とを有し、該高保磁力膜と
該低保磁力膜とは交換結合している光磁気記録媒体であ
って、前記高保磁力膜はTbFe合金の層とTiの層とが原子
オーダーの厚さで交互に積層された膜であり、その平均
的な組成は(TbxFe100-x)100-aTiaの非晶質合金であり、
前記低保磁力層はGdFeCo合金の層とTiの層とが原子オー
ダーの厚さで交互に積層された膜であり、その平均的な
組成は｛Gdz(FeyCo100-y)100-z｝100-bTibの非晶質合金
であり、x,y,z,a,bがそれぞれ ｘ＝20〜25 原子％ ｙ＝50〜90 原子％ ｚ＝20〜26 原子％ ａ＝２〜8 原子％ ｂ＝２〜8 原子％ の範囲にあるように構成される。
次に、本発明の実施例について図面を用いて説明す
る。
る。
第１図は本発明の一実施例を示す概略断面図である。
第１図に示す光磁気記録媒体は、基板１と、保護層2,
5と、垂直磁化可能な高キュリー点を有する低保磁力層
３と、垂直磁化可能な低キュリー点を有する高保磁力層
４とを含んで構成される。
5と、垂直磁化可能な高キュリー点を有する低保磁力層
３と、垂直磁化可能な低キュリー点を有する高保磁力層
４とを含んで構成される。
低保磁力層３と高保磁力層４とは交換結合している。
基板１としてはエポキシ樹脂，ポリカーボネイト樹
脂，アクリル樹脂等の合成樹脂やガラスを用いることが
できる。垂直磁化可能な高キュリー点を有する低保磁力
層３はガドリニウム（Gd）と鉄（Fe）とコバルト（Co）
とチタン（Ti）の非晶質合金であり、第２図に一具体例
を示すように膜が被着される基板１の上にTi層12とGdFe
Co合金層11とが原子オーダーの厚さで交互に何十層にも
積層され全体として低保磁力膜３となっている。
脂，アクリル樹脂等の合成樹脂やガラスを用いることが
できる。垂直磁化可能な高キュリー点を有する低保磁力
層３はガドリニウム（Gd）と鉄（Fe）とコバルト（Co）
とチタン（Ti）の非晶質合金であり、第２図に一具体例
を示すように膜が被着される基板１の上にTi層12とGdFe
Co合金層11とが原子オーダーの厚さで交互に何十層にも
積層され全体として低保磁力膜３となっている。
垂直磁化可能な低キュリー点を有する高保磁力膜４
は、テルビウム（Tb）と鉄（Fe）とチタン（Ti）の非晶
質合金であり、低保磁力膜３と同様に第２図の具体例で
示すようにTi層12とTbFe合金層13とが原子オーダーの厚
さで交互に何十層にも積層され全体として磁性膜となっ
ている。
は、テルビウム（Tb）と鉄（Fe）とチタン（Ti）の非晶
質合金であり、低保磁力膜３と同様に第２図の具体例で
示すようにTi層12とTbFe合金層13とが原子オーダーの厚
さで交互に何十層にも積層され全体として磁性膜となっ
ている。
低保磁力膜３の組成 ｛Gdz(FeyCo100-y)100-z｝100-bTibおよび高保磁力
膜４の組成(TbxFe100-x)100-aTiaとしては、x,y,zは ｘ＝20〜25 原子％ ｙ＝50〜90 原子％ ｚ＝20〜26 原子％ の範囲が、記録再生特性の観点で望ましい。
膜４の組成(TbxFe100-x)100-aTiaとしては、x,y,zは ｘ＝20〜25 原子％ ｙ＝50〜90 原子％ ｚ＝20〜26 原子％ の範囲が、記録再生特性の観点で望ましい。
a,bは ａ＝２〜８ 原子％ ｂ＝２〜８ 原子％ の範囲が、記録再生特性の耐蝕性の観点で望ましい。
以上述べたような原子オーダーの厚さで交互に何十層
にも積層された低保磁力膜３および高保磁力膜４の磁性
膜は第３図に示すようなスパッタ装置で作成することが
できる。
にも積層された低保磁力膜３および高保磁力膜４の磁性
膜は第３図に示すようなスパッタ装置で作成することが
できる。
第３図に示すスパッタ装置は、基板ホルダー31と、ス
パッタ源32,33と、スパッタターゲット34,35と、マスク
36とを含んで構成される。
パッタ源32,33と、スパッタターゲット34,35と、マスク
36とを含んで構成される。
基板ホルダー31には回転軸（O-O′）から離れて基板
１が同心円状に数枚取付けられている。
１が同心円状に数枚取付けられている。
基板ホルダー31の対向位置にはスパッタ源32とスパッ
タ源33が設けてあり、それぞれにスパッタターゲット3
4,スパッタターゲット35がついている。スパッタ源32,3
3と基板ホルダー31との間には、スパッタ源32,33の真上
にしか成膜されないようにマスク36が設けられている。
タ源33が設けてあり、それぞれにスパッタターゲット3
4,スパッタターゲット35がついている。スパッタ源32,3
3と基板ホルダー31との間には、スパッタ源32,33の真上
にしか成膜されないようにマスク36が設けられている。
第３図に示すスパッタ装置で、スパッタ源32のスパッ
タターゲット34をGdFeCo、スパッタ源33のスパッタター
ゲット35をTiとし、各スパッタ源32,33へ投入するパワ
ーを調整し、各スパッタ源32,33の成膜速度を適度にし
て基板ホルダー31を回転しながら基板１に成膜すること
により、第２図に示すような原子オーダーの厚さで交互
に何十層にも積層された低保磁力膜３が作成できる。ス
パッタターゲット34をTbFe,スパッタターゲット35をTi
として同様に成膜することにより第２図に示すような原
子オーダーの厚さで交互に何十層にも積層された高保磁
力膜４が作製できる。このようにスパッタターゲット3
4,35をGdFeCoとTiとにわけていること、TbFeとTiとにわ
けていることのため、スパッタターゲット34,35を長期
間使用しても同じ特性の記録媒体が得られる。スパッタ
ターゲット34,35がGdFeCoTiあるいはTbFeTiで使用する
と長期間使用後には成膜速度が低下し、膜中の組成が初
期の値と変化してきてしまうため、記録媒体の特性が変
化してしまう。
タターゲット34をGdFeCo、スパッタ源33のスパッタター
ゲット35をTiとし、各スパッタ源32,33へ投入するパワ
ーを調整し、各スパッタ源32,33の成膜速度を適度にし
て基板ホルダー31を回転しながら基板１に成膜すること
により、第２図に示すような原子オーダーの厚さで交互
に何十層にも積層された低保磁力膜３が作成できる。ス
パッタターゲット34をTbFe,スパッタターゲット35をTi
として同様に成膜することにより第２図に示すような原
子オーダーの厚さで交互に何十層にも積層された高保磁
力膜４が作製できる。このようにスパッタターゲット3
4,35をGdFeCoとTiとにわけていること、TbFeとTiとにわ
けていることのため、スパッタターゲット34,35を長期
間使用しても同じ特性の記録媒体が得られる。スパッタ
ターゲット34,35がGdFeCoTiあるいはTbFeTiで使用する
と長期間使用後には成膜速度が低下し、膜中の組成が初
期の値と変化してきてしまうため、記録媒体の特性が変
化してしまう。
次に、第１図に示す実施例の具体例について説明す
る。
る。
まず、直径200mm,厚さ1.2mmの案内溝付エポキシディ
スクの基板１の上に保護膜２として窒化シリコン膜を80
0Å厚で成膜した。
スクの基板１の上に保護膜２として窒化シリコン膜を80
0Å厚で成膜した。
次に、第３図に示すスパッタ装置でGdFeCoターゲット
とTiターゲットとを共スパッタすることによりGdFeCo合
金層11とTi層12とを原子オーダーの厚さで交互に何十層
にも積層し平均組成が原子％で23.0対58.4対14.6対4.0
対のGdFeCoTiの200Å厚の読出膜を形成した。（なお、
このときのTi層12は完全な層状にはなっていない）。
とTiターゲットとを共スパッタすることによりGdFeCo合
金層11とTi層12とを原子オーダーの厚さで交互に何十層
にも積層し平均組成が原子％で23.0対58.4対14.6対4.0
対のGdFeCoTiの200Å厚の読出膜を形成した。（なお、
このときのTi層12は完全な層状にはなっていない）。
ひきつづきその上に、第３図に示すスパッタ装置でTb
FeターゲットとTiターゲットとを共スパッタすることに
よりTbFe合金層13とTi層12とを原子オーダーの厚さで交
互に何十層にも積層し平均組成が原子％で20.2対75.8対
4.0のTbFeTiの1000Å厚の書込膜を形成した。（なお、
このときのTi層12も完全な層状にはなっていない）。
FeターゲットとTiターゲットとを共スパッタすることに
よりTbFe合金層13とTi層12とを原子オーダーの厚さで交
互に何十層にも積層し平均組成が原子％で20.2対75.8対
4.0のTbFeTiの1000Å厚の書込膜を形成した。（なお、
このときのTi層12も完全な層状にはなっていない）。
最後に、その上に、窒化シリコン膜を800Å厚の保護
膜５として形成し、光磁気記録媒体を作製した。
膜５として形成し、光磁気記録媒体を作製した。
この光磁気記録媒体を3600rpmで回転し、波長830nmの
半導体レーザを基板１を通して、照射し、記録周波数10
MHzの信号を11.6mWの記録パワーで記録し、3.9mWの再生
パワーで再生したところ、60dBのC/Nが得られ、高感度
で高C/Nの光磁気記録媒体であることが確認された。
半導体レーザを基板１を通して、照射し、記録周波数10
MHzの信号を11.6mWの記録パワーで記録し、3.9mWの再生
パワーで再生したところ、60dBのC/Nが得られ、高感度
で高C/Nの光磁気記録媒体であることが確認された。
このときのGdFeCoターゲットの表面状態のときからス
パッタを多数回行ない1mm程度けずられたときに上記と
同じスパッタ条件で成膜して作製し、記録再生特性を同
様に測定して比較したところ、同じ結果が得られた。
パッタを多数回行ない1mm程度けずられたときに上記と
同じスパッタ条件で成膜して作製し、記録再生特性を同
様に測定して比較したところ、同じ結果が得られた。
比較のため、GdFeCoTiターゲットを用いて共スパッタ
せずに読出膜を形成し、TbFeTiターゲットを用いて共ス
パッタせずに書込膜を形成し、他は同様にして光磁気記
録媒体を作製し、記録再生特性を測定したところ60dBの
C/Nが得られ同じように良好であった。
せずに読出膜を形成し、TbFeTiターゲットを用いて共ス
パッタせずに書込膜を形成し、他は同様にして光磁気記
録媒体を作製し、記録再生特性を測定したところ60dBの
C/Nが得られ同じように良好であった。
しかしながら、GdFeCoTiターゲットが当初より1mm程
度けずられるほど使用した後に作製した光磁気記録媒体
はC/Nが低く、良好な記録再生特性が得られなかった。
度けずられるほど使用した後に作製した光磁気記録媒体
はC/Nが低く、良好な記録再生特性が得られなかった。
この原因は、ターゲット上のTi量が多くなり、そのよ
うなターゲットを用いてスパッタしたため、得られた膜
の組成が当初の値から変化したためである。
うなターゲットを用いてスパッタしたため、得られた膜
の組成が当初の値から変化したためである。
次に、上述のように作成された光磁気記録媒体を60℃
80％の高温高湿度雰囲気に500時間保存した後に、ビッ
トエラーレイト（BER）を測定したところ、BERの増加は
みられず、耐蝕性にすぐれていることが確認された。
80％の高温高湿度雰囲気に500時間保存した後に、ビッ
トエラーレイト（BER）を測定したところ、BERの増加は
みられず、耐蝕性にすぐれていることが確認された。
GdFeCoあるいはTbFeの磁性層の繰り返し単位膜厚は、
成膜速度からの換算値で約２〜６Å程度の範囲が記録再
生特性の観点から望ましい。
成膜速度からの換算値で約２〜６Å程度の範囲が記録再
生特性の観点から望ましい。
Tbの含有量を少なくすると記録感度が低下し記録ノイ
ズがやや増大しC/Nが低下するので、TbxFe100-xのｘと
しては20〜25原子％がよい。
ズがやや増大しC/Nが低下するので、TbxFe100-xのｘと
しては20〜25原子％がよい。
Gdz(FeyCo100-y)100-zにおいては、Coを少なくすると磁
気光学効果が低下し、Coを多くすると記録感度が低下す
るので、ｙとしては50〜90原子％がよく、Gdを少なくす
ると記録感度は上昇するが記録ノイズが増大してC/Nが
低下するので、ｚとしては20〜26原子％がよい。
気光学効果が低下し、Coを多くすると記録感度が低下す
るので、ｙとしては50〜90原子％がよく、Gdを少なくす
ると記録感度は上昇するが記録ノイズが増大してC/Nが
低下するので、ｚとしては20〜26原子％がよい。
Tiの含有量は少ないと耐蝕性に問題が生じ、多いとC/
Nが低下するので、(TbxFe100-x)100-aTia及び｛Gdz(Fey
Co100-y)100-z｝100-bTibのa,bとしては２〜８原子％が
望ましい。
Nが低下するので、(TbxFe100-x)100-aTia及び｛Gdz(Fey
Co100-y)100-z｝100-bTibのa,bとしては２〜８原子％が
望ましい。
本発明の光磁気記録媒体は、チタン（Ti）を混入する
ことにより、高感度で高C/Nを維持したまま、高耐蝕性
を有せしめることができるという効果がある。
ことにより、高感度で高C/Nを維持したまま、高耐蝕性
を有せしめることができるという効果がある。
第１図は本発明の一実施例を示す概略断面図、第２図は
第１図に示す実施例の一具体例を示す模式図、第３図は
第２図に示す高保磁力膜および低保磁力膜を作製するた
めのスパッタ装置の概略断面図である。 １……基板、2,5……保護膜、３……低保磁力膜、４…
…高保磁力膜、11……GdFeCo合金膜、12……Ti層、13…
…TbFe合金層、31……基板ホルダー、32,33……スパッ
タ源、34,35……スパッタターゲット、36……マスク。
第１図に示す実施例の一具体例を示す模式図、第３図は
第２図に示す高保磁力膜および低保磁力膜を作製するた
めのスパッタ装置の概略断面図である。 １……基板、2,5……保護膜、３……低保磁力膜、４…
…高保磁力膜、11……GdFeCo合金膜、12……Ti層、13…
…TbFe合金層、31……基板ホルダー、32,33……スパッ
タ源、34,35……スパッタターゲット、36……マスク。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭63−71960（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−117747（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−200551（ＪＰ，Ａ)
Claims (2)
- 【請求項１】垂直磁化可能な低キュリー点を有し(TbxFe
100-x)100-aTiaの非晶質合金からなる高保磁力層と垂直
磁化可能な高キュリー点を有し前記高保磁力層と交換結
合している｛Gdz(FeyCo100-y)100-z｝100-bTibの非晶質
合金からなる低保磁力層とを含み、x,y,z,a,bがそれぞ
れ ｘ＝20〜25 原子％ ｙ＝50〜90 原子％ ｚ＝20〜26 原子％ ａ＝２〜8 原子％ ｂ＝２〜8 原子％ の範囲にあるように構成されたことを特徴とする光磁気
記録媒体。 - 【請求項２】垂直磁化可能な低キュリー点を有しTbFe合
金層とTi層とが原子オーダーの厚さで交互に積層されそ
の平均的な組成が(TbxFe100-x)100-aTiaの非晶質合金で
ある高保磁力膜と、前記高保磁力膜と交換結合をなし垂
直磁化可能な高キュリー点を有しGdFeCo合金層とTi層と
が原子オーダーの厚さで交互に積層され、その平均的な
組成は｛Gdz(FeyCo100-y)100-z｝100-bTibの非晶質合金
である低保磁力膜とを含み、前記x,y,z,a,bがそれぞれ ｘ＝20〜25 原子％ ｙ＝50〜90 原子％ ｚ＝20〜26 原子％ ａ＝２〜8 原子％ ｂ＝２〜8 原子％ の範囲にあるように構成されたことを特徴とする光磁気
記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12560989A JPH087886B2 (ja) | 1989-05-18 | 1989-05-18 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12560989A JPH087886B2 (ja) | 1989-05-18 | 1989-05-18 | 光磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02304755A JPH02304755A (ja) | 1990-12-18 |
| JPH087886B2 true JPH087886B2 (ja) | 1996-01-29 |
Family
ID=14914340
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12560989A Expired - Lifetime JPH087886B2 (ja) | 1989-05-18 | 1989-05-18 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH087886B2 (ja) |
-
1989
- 1989-05-18 JP JP12560989A patent/JPH087886B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02304755A (ja) | 1990-12-18 |
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