JPH087890B2 - 光ディスクの製造方法 - Google Patents

光ディスクの製造方法

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JPH087890B2
JPH087890B2 JP30985587A JP30985587A JPH087890B2 JP H087890 B2 JPH087890 B2 JP H087890B2 JP 30985587 A JP30985587 A JP 30985587A JP 30985587 A JP30985587 A JP 30985587A JP H087890 B2 JPH087890 B2 JP H087890B2
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Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明はレーザー光線等の光によって情報の記録,再
生等を行うデーターファイル装置等に使われる光ディス
クの製造方法に関するものである。
従来の技術 近年光ディスクは高密度,大容量メモリーとして開発
が進められている。光ディスク基板材料には大きく分け
て二タイプある。ひとつはガラス円板上に光硬化性樹脂
(以下2Pという)を用いて溝を形成したタイプ、もうひ
とつはポリカーボネート等の樹脂を射出成形して溝を形
成したタイプのものである。本発明は前者に関するもの
である。
従来、ガラス円板を用いた製法は、第3図の工程図を
示すように、まずガラス円板を洗浄した後、プライマを
塗布、焼付けをする。次にスタンパ上に2Pを塗布し、ガ
ラス円板を重ね合わせ、ガラス上からuV光を照射して2P
を硬化させスタンパの溝をガラス面上に転写する。この
後目視検査を行い合格品に対してさらに形成された2P層
上に保護膜,磁性膜,保護膜の各薄膜層を作製し、再び
この後目視検査を行い良品のみ貼合せを行う。なお、不
良品については廃棄せざるを得ない状態にある。
発明が解決しようとする問題点 ところが、ガラス円板上に2Pで溝を転写する際、2P中
に気泡の混入する確率が高く、約3割程度が不良とな
る。ガラス円板の価格が高価なため、2P作製段階におけ
る高い不良率はトータルコストに対して非常に大きな影
響を及ぼす。又、2P層形成から各種薄膜層を形成する際
の不良も1割弱発生する。
本発明は上記問題点に鑑み、不良となったディスクか
らガラス円板の再利用を行うことができる光ディスクの
製造方法を提供するものである。
問題点を解決するための手段 上記問題点を解決するため本発明は、一旦2P層もしく
は薄膜層まで形成したディスクを熱騰水中に浸漬し、ガ
ラス円板と2P層間とを剥離した後、2P層剥離側のガラス
面にアルゴンイオン等のイオン処理を行い、ガラス円板
の再生を可能にするものである。
作用 本発明は上記の方法によって2P層剥離側のガラス面上
に強力に付着しているシランカップリング層を均一に除
去できる。このため、気泡混入等による不良の発生によ
る歩留低下の影響を大幅に改善できる利点がある。
実施例 以下に本発明の一実施例について説明する。第1図は
本発明の光ディスクの製造方法の工程図、第2図は完成
ディスクの断面図を示したものである。第2図におい
て、11はガラス円板、12はプライマ層、13は2P層、14は
第1保護層、15は磁性層、16は第2保護層である。
ガラス円板11をブラシ洗浄等でよく洗浄した後、シラ
ンカップリング剤(アミノシラン系)をスピンコート
し、これを焼付けしてプライマ層12を形成する。次にス
タンパー上の溝を2Pを用いて転写し2P層13を形成する。
この後、目視による外観検査を行い、合格品に関しては
第1保護層14、磁性層15、第2保護層16の各薄膜層を形
成し再び外観検査を行い、再び合格のもののみ貼合せ工
程に進める。
一方、外観検査での不合格品に関しては、このディス
クを熱騰水に浸漬し(約10分間)、2P層13とガラス円板
11を剥離する。次に2P層剥離側のガラス面上に付着して
いるプライマ層12の除去をイオン処理を用いて行う。本
実施例で用いるイオン処理としてはアルゴンガスによる
逆スパッター(800W,1分)および酸素プラズマによるア
ッシュ処理(500W,10分)が有効である。
このようにしてプライマ層12を除去したガラス円板11
は、ほぼ未処理のものと同じ状態にあることがわかっ
た。そのため再び基板洗浄工程から流すことができ、ガ
ラス円板の有効利用がはかれるものである。
現在薄膜作製工程までに発生する不良の投入数に対す
る割合は、気泡混入が約3割、2Pの屈折率ムラおよびゴ
ミが1割で不良の大部分を占めている。これらの不良は
目視による外観検査でチェックすることが可能なため、
本発明の製造方法では、1回の再生を行うだけで歩留を
0.6から0.84まで向上することができた。さらに2回,3
回と再生することで歩留を上げることが可能である。
なお、ガラス円板11から2P層13を剥離する方法として
は熱騰水中につける方法以外にも2PのTg以上に温度を上
げカッターのような鋭利な刃で2Pを剥離する方法も可能
である。
また薄膜を作製後においても上記方法で2P層13とガラ
ス円板11から剥離が行えるものである。
プライマ層12の除去方法としては機械的研磨法も考え
られるが、一般に光ディスク用基板は耐衝撃性を増すた
め強く強化されているため研磨時のキズによって基板の
割れる危険性が高く、機械的研磨は用いられない。逆ス
パッター法においてもあまり長時間(例えば800Wで20分
程度)行えばガラス円板11の強化層を大きく削ることに
なるので、割れ易くなる欠点を持つ。このため、プライ
マ層11を除去する最低限度の逆スパッターが望ましい。
酸素プラズマによるアッシュ処理は基板への損傷をほと
んど与えないが、プライマ層11の除去には少し時間(50
0Wで約10分程度)を要する。
発明の効果 以上のように本発明によれば、従来不良品として廃棄
せざるを得なかったディスクを有効に再利用でき、大幅
なコストダウンがはかれる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例における光ディスクの製造方
法の工程図、第2図は同完成した光ディスクの断面図、
第3図は従来における製造方法の工程図である。 11……ガラス円板、12……プライマ層、13……2P層、14
……第1保護層、15……磁性層、16……第2保護層。

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】ガラス円板上に光硬化性樹脂を用いて溝を
    形成したディスクもしくはこの上に薄膜を形成したディ
    スクを沸湯水に浸漬して前記光硬化性樹脂を前記ガラス
    円板上から分離し、この後、前記光硬化性樹脂剥離側の
    ガラス面をイオン処理し、このガラス円板を再び洗浄し
    て光ディスクを作製することを特徴とする光ディスクの
    製造方法。
  2. 【請求項2】光硬化性樹脂剥離側のガラス面をアルゴン
    ガスで逆スパッターすることを特徴とする特許請求の範
    囲第1項記載の光ディスクの製造方法。
  3. 【請求項3】光硬化性樹脂剥離側のガラス面を酸素プラ
    ズマ処理することを特徴とする特許請求の範囲第1項記
    載の光ディスクの製造方法。
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