JPH0883494A - 不揮発性メモリにおけるデータ・ローディング・ノイズ抑制の方法及び回路 - Google Patents
不揮発性メモリにおけるデータ・ローディング・ノイズ抑制の方法及び回路Info
- Publication number
- JPH0883494A JPH0883494A JP5377795A JP5377795A JPH0883494A JP H0883494 A JPH0883494 A JP H0883494A JP 5377795 A JP5377795 A JP 5377795A JP 5377795 A JP5377795 A JP 5377795A JP H0883494 A JPH0883494 A JP H0883494A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- signal
- data
- output
- loading
- circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000015654 memory Effects 0.000 title claims abstract description 25
- 230000001629 suppression Effects 0.000 title claims abstract 19
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 10
- 238000004088 simulation Methods 0.000 claims description 13
- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims description 12
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims description 12
- 230000004913 activation Effects 0.000 claims description 8
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 claims 6
- 230000007274 generation of a signal involved in cell-cell signaling Effects 0.000 claims 4
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims 2
- 230000009849 deactivation Effects 0.000 claims 2
- 230000005764 inhibitory process Effects 0.000 claims 2
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 abstract description 3
- 230000002045 lasting effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000000872 buffer Substances 0.000 description 18
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 230000008014 freezing Effects 0.000 description 2
- 238000007710 freezing Methods 0.000 description 2
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 230000036039 immunity Effects 0.000 description 1
- 230000000977 initiatory effect Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C7/02—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store with means for avoiding parasitic signals
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
- G11C16/32—Timing circuits
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C7/10—Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
- G11C7/1006—Data managing, e.g. manipulating data before writing or reading out, data bus switches or control circuits therefor
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C7/22—Read-write [R-W] timing or clocking circuits; Read-write [R-W] control signal generators or management
Landscapes
- Read Only Memory (AREA)
- Static Random-Access Memory (AREA)
- Logic Circuits (AREA)
- Dram (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ノイズ特性に優れ、遅い素子で構成可能なタ
イマーを提供することを目的とする。 【構成】 接続ライン(107)によって相互に接続さ
れているデータ増幅装置(106)と出力要素(10
8)から成る不揮発性メモリ(100)において、ノイ
ズ抑制回路(1)が、増幅装置(106)から出力装置
(108)へのデータ・ローディングを制御する信号
(L)と完全に同期させられているノイズ抑制信号
(N)を発生させるネットワーク(8,18)から成
り、出力装置(108)の切替え時間と同じ非常に短い
持続時間を与え、出力装置の切替え時に増幅装置を凍結
し、メモリ(100)の増幅装置又は内部回路に格納さ
れているデータを変更できないようにしている。同じ信
号によってアドレス・バス(101,103)上のアド
レス増幅装置(102)が閉塞される。
イマーを提供することを目的とする。 【構成】 接続ライン(107)によって相互に接続さ
れているデータ増幅装置(106)と出力要素(10
8)から成る不揮発性メモリ(100)において、ノイ
ズ抑制回路(1)が、増幅装置(106)から出力装置
(108)へのデータ・ローディングを制御する信号
(L)と完全に同期させられているノイズ抑制信号
(N)を発生させるネットワーク(8,18)から成
り、出力装置(108)の切替え時間と同じ非常に短い
持続時間を与え、出力装置の切替え時に増幅装置を凍結
し、メモリ(100)の増幅装置又は内部回路に格納さ
れているデータを変更できないようにしている。同じ信
号によってアドレス・バス(101,103)上のアド
レス増幅装置(102)が閉塞される。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、不揮発性メモリにおけ
るデータ・ローディング・ノイズを抑制するための方法
及び回路に関するものである。
るデータ・ローディング・ノイズを抑制するための方法
及び回路に関するものである。
【0002】
【従来の技術】周知の通り、融通性、低消費、ノイズ抵
抗(immunity)を特徴とするメモリの需要が高
まっているが、このような特性を同時に達成することは
非常に困難である。一方を達成しようとすると、他方を
犠牲にしなければならないからである。従って、技術的
生産面での効果と、すべての用途に適した全面的な解決
を果すことは不可能であるということに留意すると、相
殺は避けられない。
抗(immunity)を特徴とするメモリの需要が高
まっているが、このような特性を同時に達成することは
非常に困難である。一方を達成しようとすると、他方を
犠牲にしなければならないからである。従って、技術的
生産面での効果と、すべての用途に適した全面的な解決
を果すことは不可能であるということに留意すると、相
殺は避けられない。
【0003】例えば、タイマーは、消費の低減には有用
であるが、いつも融通性がないため、静的アーキテクチ
ュアによってまかなう方が好都合な幾つかの不可欠な技
術的変更にはうまく対応できない。
であるが、いつも融通性がないため、静的アーキテクチ
ュアによってまかなう方が好都合な幾つかの不可欠な技
術的変更にはうまく対応できない。
【0004】さらに、時限アーキテクチュアの場合、あ
る種のノイズ、浪費、速度の問題解決にはなるが、ライ
ンが定常状態に至るまで時間をかけてよい状況に限られ
ている。
る種のノイズ、浪費、速度の問題解決にはなるが、ライ
ンが定常状態に至るまで時間をかけてよい状況に限られ
ている。
【0005】こうした要因と、その他数多くの要因(遅
い位置指定、コンポーネント特性シフト、局所的な均一
ではない動き等)に留意して、メモリの特性に従ってロ
ード・パルスの持続時間を調整するタイマーが提案され
ており、これらは、“不揮発性メモリのためのロード信
号発生方法及び回路”と題する同時出願特許に説明され
ている。このアーキテクチュアは時限方式(低消費、低
速)の利点を活用するものであるが、同時に低速装置、
又は非定型的なパラメータを持つ装置を回復したり、正
しい定常レベルに到達するのが遅いラインを頻繁にリセ
ットするのに用いられる。
い位置指定、コンポーネント特性シフト、局所的な均一
ではない動き等)に留意して、メモリの特性に従ってロ
ード・パルスの持続時間を調整するタイマーが提案され
ており、これらは、“不揮発性メモリのためのロード信
号発生方法及び回路”と題する同時出願特許に説明され
ている。このアーキテクチュアは時限方式(低消費、低
速)の利点を活用するものであるが、同時に低速装置、
又は非定型的なパラメータを持つ装置を回復したり、正
しい定常レベルに到達するのが遅いラインを頻繁にリセ
ットするのに用いられる。
【0006】他方、データを出力回路にロードするとき
の良好なノイズ抵抗には、持続時間ができるだけ短いロ
ード・パルスを発生させる必要がある。例えば、通常
は、出力回路を内部メモリ回路に対し切断した状態に
し、実際にデータをロードするときに、極く短時間の接
続に限定している(この件は、“不揮発性メモリ出力デ
ータ・ローディングのタイミング方法及び回路”と題す
る同時出願特許に説明されている。しかし、上記のノイ
ズ抵抗は、ロード・パルスが非常に短いことに専ら依存
しており、ロード・パルスの持続時間が速度の遅い装置
や状況を回復するために延長されると、失われたり、少
くともかなり弱くなる。
の良好なノイズ抵抗には、持続時間ができるだけ短いロ
ード・パルスを発生させる必要がある。例えば、通常
は、出力回路を内部メモリ回路に対し切断した状態に
し、実際にデータをロードするときに、極く短時間の接
続に限定している(この件は、“不揮発性メモリ出力デ
ータ・ローディングのタイミング方法及び回路”と題す
る同時出願特許に説明されている。しかし、上記のノイ
ズ抵抗は、ロード・パルスが非常に短いことに専ら依存
しており、ロード・パルスの持続時間が速度の遅い装置
や状況を回復するために延長されると、失われたり、少
くともかなり弱くなる。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、一方
では、良好なノイズ抵抗を達成し、他方では、本質的に
遅いかまたは、少なくとも特定の動作状態においては遅
い装置を使用できるタイマーを提供することである。
では、良好なノイズ抵抗を達成し、他方では、本質的に
遅いかまたは、少なくとも特定の動作状態においては遅
い装置を使用できるタイマーを提供することである。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、不揮発
性メモリにおけるデータ・ローディング・ノイズを抑制
する方法と回路が提供されることになり、これについて
は、それぞれ請求項1と5に請求されている通りであ
る。
性メモリにおけるデータ・ローディング・ノイズを抑制
する方法と回路が提供されることになり、これについて
は、それぞれ請求項1と5に請求されている通りであ
る。
【0009】実際には、本発明によれば、ロード・パル
スの持続時間は、メモリの必要に応じて変調され、出力
バッファとアドレスバッファの出力はロード・パルスに
よって完全な時間で使用可能なパルスを介して瞬間的に
凍結される。その結果、大半の出力回路とアドレスは、
バッファに格納されているデータを変えることなく切り
替わり、遅い位置指定や状況と関係のあるデータ(極く
わずかな要素しか切り替えないときは、目立ったノイズ
は発生しない)が送信され、収集される。
スの持続時間は、メモリの必要に応じて変調され、出力
バッファとアドレスバッファの出力はロード・パルスに
よって完全な時間で使用可能なパルスを介して瞬間的に
凍結される。その結果、大半の出力回路とアドレスは、
バッファに格納されているデータを変えることなく切り
替わり、遅い位置指定や状況と関係のあるデータ(極く
わずかな要素しか切り替えないときは、目立ったノイズ
は発生しない)が送信され、収集される。
【0010】
【実施例】図1のNo.1は、概略が示されている不揮
発性の、ブラッシュ型メモリ100のタイミング回路形
成部分であり、その中の回路1によって計時されている
ほんの一部を示している。より具体的に言えば、メモリ
100のうち図1が示している内容は、外部アドレス・
バス101、アドレス増幅装置102、内部アドレス・
バス103、メモリ・セル・アレイ104、増幅装置1
05、データ増幅装置106、データ・バス107、ラ
ッチ型出力装置108である。
発性の、ブラッシュ型メモリ100のタイミング回路形
成部分であり、その中の回路1によって計時されている
ほんの一部を示している。より具体的に言えば、メモリ
100のうち図1が示している内容は、外部アドレス・
バス101、アドレス増幅装置102、内部アドレス・
バス103、メモリ・セル・アレイ104、増幅装置1
05、データ増幅装置106、データ・バス107、ラ
ッチ型出力装置108である。
【0011】アドレス増幅装置102は、多数のバッフ
ァから成っており、外部アドレス・バス101と入力接
続されており、内部アドレス・バス103と出力接続さ
れている。装置102はアドレス・フィードバック・バ
ス109によってフィードバック制御されている。10
9は多数のラインから成っており、ラインに沿って単一
の制御信号によって制御されるスイッチが設けられてい
るが、その中の1つだけがNチャネルトランジスタ11
0の形で図示されており、そのゲート端子は信号Nを与
えるライン111に接続されている。ライン109によ
るフィードバックにより、装置102のバッファに格納
されているデータは、ノイズがある場合、出力バス10
3又はバス101では交換されず、以前の値に“凍結”
されたままとなる。内部アドレス・バス103はアドレ
ス解読セクション112に接続されている。
ァから成っており、外部アドレス・バス101と入力接
続されており、内部アドレス・バス103と出力接続さ
れている。装置102はアドレス・フィードバック・バ
ス109によってフィードバック制御されている。10
9は多数のラインから成っており、ラインに沿って単一
の制御信号によって制御されるスイッチが設けられてい
るが、その中の1つだけがNチャネルトランジスタ11
0の形で図示されており、そのゲート端子は信号Nを与
えるライン111に接続されている。ライン109によ
るフィードバックにより、装置102のバッファに格納
されているデータは、ノイズがある場合、出力バス10
3又はバス101では交換されず、以前の値に“凍結”
されたままとなる。内部アドレス・バス103はアドレ
ス解読セクション112に接続されている。
【0012】アレイ104と増幅器105はバス115
によって接続されている。装置105(多数のセンス増
幅器から成っている)とデータ増幅器106はバス11
6によって接続されている。増幅装置106(多数のバ
スから成る)はデータ・フィードバック・バス117に
よってフィードバック制御されている。117は多数の
ラインから成っており、ラインに沿って単一の制御信号
によって制御されるスイッチが設けられているが、その
中の1つの118だけが図示されており、制御入力はラ
イン111に接続されている。ライン109の場合のよ
うに、フィードバック・ライン117は、スイッチ11
8が閉じられている限り、装置106の出力バッファに
格納されているデータを閉塞する。この場合、出力装置
108の切替えによってデータ・バス107によって発
生するバスとは関係がない。その理由は、装置106の
バッファ出力が装置105のセンス増幅器出力に関して
非常に大きなインピーダンスを示すからである。
によって接続されている。装置105(多数のセンス増
幅器から成っている)とデータ増幅器106はバス11
6によって接続されている。増幅装置106(多数のバ
スから成る)はデータ・フィードバック・バス117に
よってフィードバック制御されている。117は多数の
ラインから成っており、ラインに沿って単一の制御信号
によって制御されるスイッチが設けられているが、その
中の1つの118だけが図示されており、制御入力はラ
イン111に接続されている。ライン109の場合のよ
うに、フィードバック・ライン117は、スイッチ11
8が閉じられている限り、装置106の出力バッファに
格納されているデータを閉塞する。この場合、出力装置
108の切替えによってデータ・バス107によって発
生するバスとは関係がない。その理由は、装置106の
バッファ出力が装置105のセンス増幅器出力に関して
非常に大きなインピーダンスを示すからである。
【0013】データ・バス107も多数のラインから成
っており、単独の信号によって制御される多数のスイッ
チが設けられているが、その中の1つである112だけ
が図示されている。スイッチ120の制御端子は、デー
タをロードするのに要する時間を除き、データ・バス1
07を正常に中断するため、ロード信号Lを与えるライ
ン122に接続されている。
っており、単独の信号によって制御される多数のスイッ
チが設けられているが、その中の1つである112だけ
が図示されている。スイッチ120の制御端子は、デー
タをロードするのに要する時間を除き、データ・バス1
07を正常に中断するため、ロード信号Lを与えるライ
ン122に接続されている。
【0014】出力装置108は多数の出力回路から成っ
ており、各回路は2つの入力123,124を設けてい
る。入力123はデータ・バス107の関連ラインに接
続されており、入力124は共通起動信号OEを与える
起動ラインに接続されている。各出力回路の場合、出力
装置108も2つの出力125,126を設けており、
2つのトランジスタ127,128の関連ゲート端子に
接続されている。Pチャネル・トランジスタ127の場
合、ソース端子は電源(VDD)に、ドレイン端子は出力
ノード129に接続されている。Nチャネル・トランジ
スタ128のドレイン端子もノード129に接続されて
おり、ソース端子は接地されている。
ており、各回路は2つの入力123,124を設けてい
る。入力123はデータ・バス107の関連ラインに接
続されており、入力124は共通起動信号OEを与える
起動ラインに接続されている。各出力回路の場合、出力
装置108も2つの出力125,126を設けており、
2つのトランジスタ127,128の関連ゲート端子に
接続されている。Pチャネル・トランジスタ127の場
合、ソース端子は電源(VDD)に、ドレイン端子は出力
ノード129に接続されている。Nチャネル・トランジ
スタ128のドレイン端子もノード129に接続されて
おり、ソース端子は接地されている。
【0015】回路1は、入力3がライン122に接続さ
れているシングルショット(単安定素子)回路から成
る。シングルショット回路2は信号Lのトレーリング・
エッジによって起動されるが、出力側でパルス信号EN
Dを発生させる。ENDは、実質的には非対称遅延フリ
ップ・フロップによって形成されている周期非対称遅延
ブロック4のリセット入力Rに送られる。ブロック4
は、メモリ100の他のセクションが発生し、データ・
リード・フェーズを起動する同期信号SYNCと共に与
えられる第2のセット入力Sを設けている。
れているシングルショット(単安定素子)回路から成
る。シングルショット回路2は信号Lのトレーリング・
エッジによって起動されるが、出力側でパルス信号EN
Dを発生させる。ENDは、実質的には非対称遅延フリ
ップ・フロップによって形成されている周期非対称遅延
ブロック4のリセット入力Rに送られる。ブロック4
は、メモリ100の他のセクションが発生し、データ・
リード・フェーズを起動する同期信号SYNCと共に与
えられる第2のセット入力Sを設けている。
【0016】ブロック4は各リセット要求に迅速に応答
するが、各起動要求には事前に決められた遅延に従って
応答する。その目的は、SYNCパルスのリーディング
・エッジを受信すると、直ぐにリセット状態に切り替わ
り、同一パルスのトレーリング・エッジを受信したとき
には、遅延要素チェーンを制御することである。遅延要
素チェーンによって決定された遅延の終りに、ブロック
4の出力は“高”に切り替わり、信号Rを受信したと
き、またはリセット信号Rを受信する前に第2のSYN
Cパルスを受信すると、“低”にリセットされる。
するが、各起動要求には事前に決められた遅延に従って
応答する。その目的は、SYNCパルスのリーディング
・エッジを受信すると、直ぐにリセット状態に切り替わ
り、同一パルスのトレーリング・エッジを受信したとき
には、遅延要素チェーンを制御することである。遅延要
素チェーンによって決定された遅延の終りに、ブロック
4の出力は“高”に切り替わり、信号Rを受信したと
き、またはリセット信号Rを受信する前に第2のSYN
Cパルスを受信すると、“低”にリセットされる。
【0017】ブロック4の出力(信号SPをシミュレー
トしたデータを与える)はノード5に接続されており、
被制御スイッチ6を介して、出力類似回路8の1つの入
力7に接続されている。回路8の場合、第2の入力9が
インバータ11を介してノードに接続されており、その
出力は信号SSを与えるノード10を定義している。出
力類似回路8は、全く同じ伝搬遅延を再生するために、
装置108から成る出力回路と同じ構造をしており、装
置108の出力回路のように、2つの出力を設けてい
る。この出力はNANDゲート15と関連トランジスタ
16,17に接続されている。Pチャンネル・トランジ
スタ16の場合、短絡ドレインとソース端子は電源ライ
ンVDDに接続されているが、トランジスタ17の場合、
短絡、接地ドレイン及びソース端子はトランジスタ12
7,128と同じ形状をしており、そのキャパシタンス
をシミュレートしている。
トしたデータを与える)はノード5に接続されており、
被制御スイッチ6を介して、出力類似回路8の1つの入
力7に接続されている。回路8の場合、第2の入力9が
インバータ11を介してノードに接続されており、その
出力は信号SSを与えるノード10を定義している。出
力類似回路8は、全く同じ伝搬遅延を再生するために、
装置108から成る出力回路と同じ構造をしており、装
置108の出力回路のように、2つの出力を設けてい
る。この出力はNANDゲート15と関連トランジスタ
16,17に接続されている。Pチャンネル・トランジ
スタ16の場合、短絡ドレインとソース端子は電源ライ
ンVDDに接続されているが、トランジスタ17の場合、
短絡、接地ドレイン及びソース端子はトランジスタ12
7,128と同じ形状をしており、そのキャパシタンス
をシミュレートしている。
【0018】NANDゲート15の出力(信号EPを与
える)は、ANDゲート18の1つの入力とパルス持続
時間変調ブロック20の1つの入力19に接続されてい
る。AND回路18は、ノード5に接続されている第2
の入力と、信号Nが与えられるライン111に接続され
ている出力とを設けている。ブロック20はノード10
に接続されている第2の入力21を設けている。入力2
2〜25は信号SB,VIN,SC,CNTと共に与えら
れる。
える)は、ANDゲート18の1つの入力とパルス持続
時間変調ブロック20の1つの入力19に接続されてい
る。AND回路18は、ノード5に接続されている第2
の入力と、信号Nが与えられるライン111に接続され
ている出力とを設けている。ブロック20はノード10
に接続されている第2の入力21を設けている。入力2
2〜25は信号SB,VIN,SC,CNTと共に与えら
れる。
【0019】上記で引用した“不揮発性メモリのための
ロード信号発生方法及び回路”と題する同時出願特許に
詳しく説明されている通り、ブロック20は、信号S
B,SC,CNTの論理値及び供給電圧と関係がある電
圧VINの値を基に、ライン122に接続されている出力
29側で信号Lを発生する。信号Lは信号Nのリーディ
ング・エッジと完全に同期しているリーディング・エッ
ジを設けており、持続時間は回路の状態によって決ま
る。より具体的に言えば、ロード・パルスの延長が不可
であり(CNTが“低”である)、電圧VINが定格値で
あり、回路が低電力動作モード(待機、信号SBが
“低”である)であり、かつ、静的動作モードが要求さ
れていないならば(SCが“低”である)、信号Lのト
レーリング・エッジが信号Nと同時に生じる。逆に、ロ
ード・パルスの延長が可(CNTが“高”である)であ
るか、臨界動作モードの終りであれば、図2を参照して
以下に述べるように、信号Lのトレーリング・エッジは
Nに関して遅延する。他方、静的動作モードが要求され
るか(SCが“高”である)、回路が待機モードにある
か(SBが“高”である)、又は電圧VINが事前に決め
られたしきい値以下であるならば、信号Lは、システム
が上記の状態にある限り、“高”のままであるが、関連
信号SC,SB、またはVINのリターンが受入れ可能な
しきい値レベルに切り替えられた場合、遅延して“低”
に戻る。
ロード信号発生方法及び回路”と題する同時出願特許に
詳しく説明されている通り、ブロック20は、信号S
B,SC,CNTの論理値及び供給電圧と関係がある電
圧VINの値を基に、ライン122に接続されている出力
29側で信号Lを発生する。信号Lは信号Nのリーディ
ング・エッジと完全に同期しているリーディング・エッ
ジを設けており、持続時間は回路の状態によって決ま
る。より具体的に言えば、ロード・パルスの延長が不可
であり(CNTが“低”である)、電圧VINが定格値で
あり、回路が低電力動作モード(待機、信号SBが
“低”である)であり、かつ、静的動作モードが要求さ
れていないならば(SCが“低”である)、信号Lのト
レーリング・エッジが信号Nと同時に生じる。逆に、ロ
ード・パルスの延長が可(CNTが“高”である)であ
るか、臨界動作モードの終りであれば、図2を参照して
以下に述べるように、信号Lのトレーリング・エッジは
Nに関して遅延する。他方、静的動作モードが要求され
るか(SCが“高”である)、回路が待機モードにある
か(SBが“高”である)、又は電圧VINが事前に決め
られたしきい値以下であるならば、信号Lは、システム
が上記の状態にある限り、“高”のままであるが、関連
信号SC,SB、またはVINのリターンが受入れ可能な
しきい値レベルに切り替えられた場合、遅延して“低”
に戻る。
【0020】図2を参照して回路動作をここで説明す
る。最初は、パルス持続時間の延長が不可の場合である
(CNTが“低”である)ことを想定する。使用されな
い状態のときは、信号SYNC,SP,N,L,END
は“低”であり、信号SS,EPは“高”である。瞬間
t0 でメモリ100はSYNC信号を与え、ブロック4
(及びアレイ100の事前充電と評価の時間)によって
決められた遅延を行い、信号SPが切り替わる(瞬間t
1 )。その結果、AND回路18が切り替わり、その出
力信号Nは“高”に、信号SSは“低”に、ロード信号
Lは“高”に切り替わり、スイッチ6,110,11
8,120は“閉”となる。スイッチ6が“閉”となる
と、信号シミュレーション信号SPが出力類似回路8の
入力7に送出される。スイッチ118が“閉”になる
と、装置106の出力バッファの望ましくない交換が凍
結されて実施されなくなる。同時に、装置106の出力
バッファ内で凍結されているデータが出力回路(装置1
08)に送信が始まる。従って、108は切り替わる。
すでに述べたように、この段階では、出力バッファは交
換が行われないため、交換(出力回路の容量性要素の充
電と放電による高電流と関連があり、増幅器105にお
ける電圧レベルを変えることもある)によって発生する
ノイズがデータに損傷を与えることはない。同様に、装
置102で増幅されたアドレスも凍結され、読取り中に
アドレス指定されたメモリ位置の交換は行われない。
る。最初は、パルス持続時間の延長が不可の場合である
(CNTが“低”である)ことを想定する。使用されな
い状態のときは、信号SYNC,SP,N,L,END
は“低”であり、信号SS,EPは“高”である。瞬間
t0 でメモリ100はSYNC信号を与え、ブロック4
(及びアレイ100の事前充電と評価の時間)によって
決められた遅延を行い、信号SPが切り替わる(瞬間t
1 )。その結果、AND回路18が切り替わり、その出
力信号Nは“高”に、信号SSは“低”に、ロード信号
Lは“高”に切り替わり、スイッチ6,110,11
8,120は“閉”となる。スイッチ6が“閉”となる
と、信号シミュレーション信号SPが出力類似回路8の
入力7に送出される。スイッチ118が“閉”になる
と、装置106の出力バッファの望ましくない交換が凍
結されて実施されなくなる。同時に、装置106の出力
バッファ内で凍結されているデータが出力回路(装置1
08)に送信が始まる。従って、108は切り替わる。
すでに述べたように、この段階では、出力バッファは交
換が行われないため、交換(出力回路の容量性要素の充
電と放電による高電流と関連があり、増幅器105にお
ける電圧レベルを変えることもある)によって発生する
ノイズがデータに損傷を与えることはない。同様に、装
置102で増幅されたアドレスも凍結され、読取り中に
アドレス指定されたメモリ位置の交換は行われない。
【0021】信号SPは、同じように、出力回路108
のデータと同時に出力類似回路8で伝搬し、伝搬の終り
に、出力類似回路8の出力が“高”に切り替わり、NA
ND回路15(瞬間t2 )を切り替え、信号EPが
“低”に切り替わり、AND回路18を切り替え、信号
Nが“低”に戻り、スイッチ6,110,118を
“開”にする。信号EPの切替えはブロック20によっ
て検出される。パルス持続時間延長機能が作動していな
いため、ロード信号Lが“低”に切り替わり、スイッチ
120が“開”となり、データ・ローディング段階が終
了する。従って、これは、出力回路108におけるデー
タの伝搬に必要な限り、正確に続く。出力回路108
は、格納データが変更されずに、記憶された状態のまま
であり、ノイズによって影響を受けることはない。
のデータと同時に出力類似回路8で伝搬し、伝搬の終り
に、出力類似回路8の出力が“高”に切り替わり、NA
ND回路15(瞬間t2 )を切り替え、信号EPが
“低”に切り替わり、AND回路18を切り替え、信号
Nが“低”に戻り、スイッチ6,110,118を
“開”にする。信号EPの切替えはブロック20によっ
て検出される。パルス持続時間延長機能が作動していな
いため、ロード信号Lが“低”に切り替わり、スイッチ
120が“開”となり、データ・ローディング段階が終
了する。従って、これは、出力回路108におけるデー
タの伝搬に必要な限り、正確に続く。出力回路108
は、格納データが変更されずに、記憶された状態のまま
であり、ノイズによって影響を受けることはない。
【0022】信号Lのトレーリング・エッジを受信する
と、シングル・ショット回路2はブロック4をリセット
するため、出力側でパルス(END信号)を発生させ
る。所定の遅延により、瞬間t3 において信号SPが
“低”に戻るため、信号SSが“高”に切り替わり、出
力類似回路8がリセットされる。所定の遅延後に、回路
8の出力が“低”に切り替わり、回路15が切り替えら
れるため、信号EPは“高”に切り替って初期状態を復
元する(瞬間t4 )。
と、シングル・ショット回路2はブロック4をリセット
するため、出力側でパルス(END信号)を発生させ
る。所定の遅延により、瞬間t3 において信号SPが
“低”に戻るため、信号SSが“高”に切り替わり、出
力類似回路8がリセットされる。所定の遅延後に、回路
8の出力が“低”に切り替わり、回路15が切り替えら
れるため、信号EPは“高”に切り替って初期状態を復
元する(瞬間t4 )。
【0023】他方、初期状態が復元される(瞬間t4 )
前に、SYNC信号パルスを受信すると、ブロック4は
即刻リセット状態に切り替わり、読取りフェーズを開始
し、各SYNC信号パルスが一定の遅延を伴って読取り
サイクルを開始することを保証する。
前に、SYNC信号パルスを受信すると、ブロック4は
即刻リセット状態に切り替わり、読取りフェーズを開始
し、各SYNC信号パルスが一定の遅延を伴って読取り
サイクルを開始することを保証する。
【0024】SYNCパルスを受信し、信号CNTが
“低”であり、静的、待機、もしくは低電力動作状態が
存在しなければ、必ず上記の動作が繰り返される。
“低”であり、静的、待機、もしくは低電力動作状態が
存在しなければ、必ず上記の動作が繰り返される。
【0025】ロード信号の延長が可であれば、以下に述
べるように、信号Nパルスの終了後であっても、出力回
路装置108へのデータ・ローディングは続く。
べるように、信号Nパルスの終了後であっても、出力回
路装置108へのデータ・ローディングは続く。
【0026】信号CNTが瞬間t5 で“高”に切り替っ
たとする。前記の通り、この場合は、SYNCパルス
(瞬間t6 )を受信すると、信号SPは所定の遅延(瞬
間t7)を伴って“高”に、SSは“低”に、信号Nと
Lは“高”に切り替わり、スイッチ6,110,11
8,120は“閉”になる。出力類似回路8におけるデ
ータ・シミュレーション信号と出力装置108における
データの送信が始まる。同時に、アドレス・バッファ1
02と出力バッファ106のデータは凍結されてノイズ
抵抗力を備える。
たとする。前記の通り、この場合は、SYNCパルス
(瞬間t6 )を受信すると、信号SPは所定の遅延(瞬
間t7)を伴って“高”に、SSは“低”に、信号Nと
Lは“高”に切り替わり、スイッチ6,110,11
8,120は“閉”になる。出力類似回路8におけるデ
ータ・シミュレーション信号と出力装置108における
データの送信が始まる。同時に、アドレス・バッファ1
02と出力バッファ106のデータは凍結されてノイズ
抵抗力を備える。
【0027】前記の通り、回路8とNANDゲート15
の出力が切り替わると、信号EPは“低”(瞬間t8 )
に切り替わり、信号Nパルスは終了し、スイッチ6,1
10,118は“開”となる。しかし、この場合は、ロ
ード信号Lは“高”、スイッチ120は“閉”の状態で
あるため、センス増幅器がその他大半の後に切り替わる
ことによって提供されるデータは、装置106の出力バ
ッファによって装置108の対応する出力回路にロード
できる。この件は、バス107(D107 )と出力装置1
08(DOUT )の出力側におけるデータのプロットを示
している図3を参照して説明されている。実線で示され
ている通り、バス107のデータD107は大半がセンス
増幅器105による評価フェーズの終りで切り替わる
が、この切替りは、一般には、瞬間t12で終了すると想
定されている。ブロック4が標準評価時間を基に決定す
る瞬間t7 では、信号NとLのパルスは出力装置108
へのデータ・ローディングと同時に始まり、その出力が
切替え(データDOUT )を開始する。すでに述べた通
り、多くの回路の切替えにはバッファ106に格納され
ているデータに損傷を与える可能性がある高電流と関連
があるが、この可能性はバッファ106のデータを凍結
することによって防止されている。出力回路108の出
力が完全に切り替ると(出力類似回路8の出力が完全に
切り替わることに対応している)、パルスNは終了す
る。その途中又はその後に、増幅器105が切り替わる
と、これは、図3の瞬間t13において点線で示されてい
る通り、出力バッファに伝搬されることになる。関連す
る電流が少量であることから、関連出力回路(瞬間
t14)の切替えが引き続き生じても、損傷は発生しな
い。
の出力が切り替わると、信号EPは“低”(瞬間t8 )
に切り替わり、信号Nパルスは終了し、スイッチ6,1
10,118は“開”となる。しかし、この場合は、ロ
ード信号Lは“高”、スイッチ120は“閉”の状態で
あるため、センス増幅器がその他大半の後に切り替わる
ことによって提供されるデータは、装置106の出力バ
ッファによって装置108の対応する出力回路にロード
できる。この件は、バス107(D107 )と出力装置1
08(DOUT )の出力側におけるデータのプロットを示
している図3を参照して説明されている。実線で示され
ている通り、バス107のデータD107は大半がセンス
増幅器105による評価フェーズの終りで切り替わる
が、この切替りは、一般には、瞬間t12で終了すると想
定されている。ブロック4が標準評価時間を基に決定す
る瞬間t7 では、信号NとLのパルスは出力装置108
へのデータ・ローディングと同時に始まり、その出力が
切替え(データDOUT )を開始する。すでに述べた通
り、多くの回路の切替えにはバッファ106に格納され
ているデータに損傷を与える可能性がある高電流と関連
があるが、この可能性はバッファ106のデータを凍結
することによって防止されている。出力回路108の出
力が完全に切り替ると(出力類似回路8の出力が完全に
切り替わることに対応している)、パルスNは終了す
る。その途中又はその後に、増幅器105が切り替わる
と、これは、図3の瞬間t13において点線で示されてい
る通り、出力バッファに伝搬されることになる。関連す
る電流が少量であることから、関連出力回路(瞬間
t14)の切替えが引き続き生じても、損傷は発生しな
い。
【0028】瞬間t9 においては、信号Lが“低”に切
り替わるため、スイッチ120は“開”となり、出力回
路がバッファ装置106から分離される。先に上述した
場合のように、信号Lのトレーリング・エッジによって
シングル・ショット回路2が作動してEND信号パルス
を発生させ、ブロック4をリセットする。所定の時間
(瞬間t10)が経過すると、SPとSSが切り替わり、
出力類似回路8をリセットする。瞬間t11において、信
号EPも“高”に切り替わり、回路1をアイドル状態に
復元する。
り替わるため、スイッチ120は“開”となり、出力回
路がバッファ装置106から分離される。先に上述した
場合のように、信号Lのトレーリング・エッジによって
シングル・ショット回路2が作動してEND信号パルス
を発生させ、ブロック4をリセットする。所定の時間
(瞬間t10)が経過すると、SPとSSが切り替わり、
出力類似回路8をリセットする。瞬間t11において、信
号EPも“高”に切り替わり、回路1をアイドル状態に
復元する。
【0029】説明した回路の利点は次の通りである。第
一に、融通性とノイズ抵抗があるタイミングが設けられ
ており、これは、現存データが出力回路の切替えによっ
て損傷を受けるおそれがあるとき、ブロック状態にされ
る最も重大な個所に作用する。また、同時に、低速要素
のデータをロードする必要がある限り、ローディング・
フェーズを保持する。さらに、出力装置108と増幅装
置106の接続がローディング・フェーズの終りで中断
され、データに影響を与えるライン上のノイズを防止す
る。
一に、融通性とノイズ抵抗があるタイミングが設けられ
ており、これは、現存データが出力回路の切替えによっ
て損傷を受けるおそれがあるとき、ブロック状態にされ
る最も重大な個所に作用する。また、同時に、低速要素
のデータをロードする必要がある限り、ローディング・
フェーズを保持する。さらに、出力装置108と増幅装
置106の接続がローディング・フェーズの終りで中断
され、データに影響を与えるライン上のノイズを防止す
る。
【0030】データ(及びアドレス)バッファを凍結す
るための信号はロード信号と完全に同期が取られてお
り、データがそのローディング時に凍結されることを保
証している。さらに、ロード信号(装置105の大半の
センス増幅器のデータが読み取られたときに限り、同期
回路4を介して起動される)は、メモリの特性が許容す
る出力切替えを保証する最小接続時間を設定する。これ
は、出力類似回路8のおかげであり、必要なときに限り
延長される(例えば、既存の臨界状況などあり、この場
合、メモリは定常値に到達したり、低速要素が存在すれ
ば、必ず遅延することになる)。
るための信号はロード信号と完全に同期が取られてお
り、データがそのローディング時に凍結されることを保
証している。さらに、ロード信号(装置105の大半の
センス増幅器のデータが読み取られたときに限り、同期
回路4を介して起動される)は、メモリの特性が許容す
る出力切替えを保証する最小接続時間を設定する。これ
は、出力類似回路8のおかげであり、必要なときに限り
延長される(例えば、既存の臨界状況などあり、この場
合、メモリは定常値に到達したり、低速要素が存在すれ
ば、必ず遅延することになる)。
【図1】本発明によるタイミング回路の実施例である。
【図2】図1の回路における各種信号の作図である。
【図3】各種信号対データ交換の作図である。
フロントページの続き (72)発明者 カーラ マリア ゴラ イタリー国, サン ジョバンニ セスト 20099 ビア ベッカーリア, 5番地 (72)発明者 マルコ マッカローネ イタリー国, パレストロ 27030 ビア フォルネース, 8番地 (72)発明者 マルコ オリヴォ イタリー国, ベルガーモ 24100 ビア トレマナ, 13−デー番地
Claims (12)
- 【請求項1】 データ増幅装置(106)から出力要素
(108)へデータをロードするためのデータ・ローデ
ィング信号(L)を起動するステップを構成し、該ステ
ップと同時にノイズ抑制信号を起動し、該出力要素とほ
ぼ同じ抑制時間だけ該データ増幅装置(106)の切替
えを阻止するステップを構成することを特徴とする不揮
発性メモリのデータ・ローディング・ノイズ抑制方法。 - 【請求項2】 アドレス増幅装置(102)からアドレ
ス処理装置(112)へのアドレス・ローディングを起
動し、該抑制時間だけ該アドレス増幅装置の切替えを同
時に阻止するステップを構成することを特徴とする請求
項1の方法。 - 【請求項3】 該抑制時間の終りに、該データ増幅装置
(106)の切替え阻止を解除するために、該ノイズ抑
制信号の作動を停止し、作動している該ローディング信
号を保持するステップを構成していることを特徴とする
請求項1又は2の方法。 - 【請求項4】 データシミュレーション信号(SP)を
発生し、該出力要素(108)と同等の出力類似回路
(8)への該データ・シミュレーション信号のローディ
ングを、該出力要素へのデータ・ローディングを起動す
る該ステップと同時に起動し、該出力類似回路における
該データシミュレーション信号の伝搬後に該データ増幅
装置(106)の切替え阻止を解除するステップを構成
していることを特徴とする請求項3の方法。 - 【請求項5】 接続ライン(107)によって相互に接
続されているデータ増幅装置(106)と出力要素(1
08)を構成している不揮発性メモリ(100)におい
て、起動信号(SP)を発生させる起動手段(4)、起
動入力を該起動手段に接続させ、ローディング信号
(L)を発生させるローディング発生手段(20)、該
ローディング信号を検出したときに、該データ増幅装置
(106)から該出力要素(108)へのデータ・ロー
ディングを起動する出力起動手段(120)を構成して
おり、起動入力を該起動手段(4)に接続し、該ローデ
ィング信号(L)と同時に起動されるノイズ抑制信号
(N)を発生させる抑制信号発生手段(18)、該ノイ
ズ抑制信号によって制御されており、該データ増幅装置
(106)に接続されて、該ノイズ抑制信号(N)が存
在すれば、該データ増幅装置の切替えを不能にするデー
タ阻止手段(117,118)、該出力要素(108)
の切替え遅延の終りで該抑制信号発生手段(18)の作
動停止信号(EP)を発生させる作動停止手段(8)を
含むノイズ抑制手段(8,18,117,118)から
成ることを特徴とするデータ・ローディング・ノイズ抑
制回路(1)。 - 【請求項6】 アドレスライン(103)によって接続
されているアドレス増幅装置(102)とアドレス処理
装置(112)とから成る不揮発性メモリ(100)に
おいて、該アドレス増幅装置(102)に接続されて、
該ノイズ抑制信号(N)が存在すれば、該アドレス増幅
装置(102)の切替えを不能にするアドレス阻止手段
(109,110)から成ることを特徴とする請求項5
の回路。 - 【請求項7】 該起動手段がデータ・シミュレーション
信号(SP)を発生させるシミュレーション信号発生手
段(4)から成り、該作動停止手段が該出力要素(10
8)と同等であり、入力(7)を、該ノイズ抑制信号
(N)によって制御される切替え手段(6)を介して、
該シミュレーション信号発生手段(4)に接続させてい
る出力類似回路(8)から成ることを特徴とする請求項
5又は6の回路。 - 【請求項8】 該ローディング発生手段が第一の入力
(21)を該シミュレーション信号発生手段(4)に、
第二の入力(19)を該作動停止手段(8)に接続さ
せ、第三の入力(25)を延長制御信号(CNT)と共
に提供させ、出力(29)を該出力起動手段(120)
に接続させ、該ローディング信号を該ノイズ抑制信号
(N)と同時に作動させ、該延長制御信号(CNT)が
存在しなければ、該ノイズ抑制信号と同じ持続時間を与
え、該延長制御信号が存在すれば、より長い持続時間を
与えるローディング延長手段から成ることを特徴とする
請求項7の回路。 - 【請求項9】 該ローディング延長手段(20)の該出
力(29)が該シミュレーション信号発生手段(4)の
リセット入力に接続され、該ローディング信号(L)が
不能になると、制御回路(1)をリセットすることを特
徴とする請求項8の回路。 - 【請求項10】 該出力起動手段が該データ増幅装置
(106)と該出力要素(108)を接続し、制御入力
を該ローディング延長手段(20)の該出力(29)に
接続させているデータライン(107)に沿って配置さ
れている該制御スイッチ(120)から成ることを特徴
とする請求項8又は9の回路。 - 【請求項11】 該データ阻止手段が該データ増幅装置
(106)の入出力を接続しているフィードバック・ラ
イン(117)と該フィードバック・ラインに沿って配
置されており、制御入力を該ノイズ抑制信号(N)と共
に提供させている被制御スイッチ手段(118)から成
ることを特徴とする上記請求項5から10までのいずれ
か1つの請求項の回路。 - 【請求項12】 該シミュレーション信号発生手段
(4)が非対称遅延メモリ要素から成り、外部制御信号
(SYNC)を受信した後、事前に決めた遅延を伴って
該データシミュレーション信号(SP)を発生させて、
迅速にリセット状態に切り替わることを特徴とする上記
請求項7から11までのいずれか1つの請求項の回路。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| IT94830073.6 | 1994-02-18 | ||
| EP94830073A EP0678870B1 (en) | 1994-02-18 | 1994-02-18 | Method and circuit for suppressing data loading noise in non-volatile memories |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0883494A true JPH0883494A (ja) | 1996-03-26 |
| JP2737686B2 JP2737686B2 (ja) | 1998-04-08 |
Family
ID=8218385
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5377795A Expired - Fee Related JP2737686B2 (ja) | 1994-02-18 | 1995-02-20 | 不揮発性メモリにおけるデータ・ローディング・ノイズ抑制の方法及び回路 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5541884A (ja) |
| EP (1) | EP0678870B1 (ja) |
| JP (1) | JP2737686B2 (ja) |
| DE (1) | DE69419723T2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5717642A (en) * | 1994-02-18 | 1998-02-10 | Sgs-Thomson Microelectronics S.R.L. | Load signal generating method and circuit for nonvolatile memories |
| US6594284B1 (en) * | 1998-09-16 | 2003-07-15 | Cirrus Logic, Inc. | Network synchronization |
| CN104422804B (zh) * | 2013-08-21 | 2018-07-13 | 苏州普源精电科技有限公司 | 一种具有噪声抑制功能的混合示波器 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62177790A (ja) * | 1986-01-30 | 1987-08-04 | Seiko Epson Corp | 半導体記憶装置 |
| JPH05114290A (ja) * | 1990-11-29 | 1993-05-07 | Seiko Instr Inc | 半導体集積回路装置 |
| JPH05298897A (ja) * | 1992-04-22 | 1993-11-12 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4339809A (en) * | 1980-09-19 | 1982-07-13 | Rca Corporation | Noise protection circuits |
| JPS61126690A (ja) * | 1984-11-26 | 1986-06-14 | Hitachi Ltd | 半導体メモリ |
| JPS6381551A (ja) * | 1986-09-25 | 1988-04-12 | Sony Corp | メモリ装置 |
| US4959816A (en) * | 1987-12-28 | 1990-09-25 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor integrated circuit |
| JP2915625B2 (ja) * | 1991-06-26 | 1999-07-05 | 株式会社沖マイクロデザイン宮崎 | データ出力回路 |
| DE69327125T2 (de) * | 1992-03-12 | 2000-04-20 | Sharp K.K. | Halbleiterspeicher |
| US5272674A (en) * | 1992-09-21 | 1993-12-21 | Atmel Corporation | High speed memory sense amplifier with noise reduction |
-
1994
- 1994-02-18 DE DE69419723T patent/DE69419723T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1994-02-18 EP EP94830073A patent/EP0678870B1/en not_active Expired - Lifetime
-
1995
- 1995-02-20 JP JP5377795A patent/JP2737686B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1995-02-21 US US08/391,147 patent/US5541884A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62177790A (ja) * | 1986-01-30 | 1987-08-04 | Seiko Epson Corp | 半導体記憶装置 |
| JPH05114290A (ja) * | 1990-11-29 | 1993-05-07 | Seiko Instr Inc | 半導体集積回路装置 |
| JPH05298897A (ja) * | 1992-04-22 | 1993-11-12 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0678870A1 (en) | 1995-10-25 |
| DE69419723D1 (de) | 1999-09-02 |
| JP2737686B2 (ja) | 1998-04-08 |
| US5541884A (en) | 1996-07-30 |
| EP0678870B1 (en) | 1999-07-28 |
| DE69419723T2 (de) | 1999-12-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3011042B2 (ja) | 再書き込み可能なメモリに対する内部タイミング法およびその回路 | |
| US20010033245A1 (en) | Interleaved memory device for burst type access in synchronous read mode with the two semi-arrays independently readable in random access asynchronous mode | |
| US5440250A (en) | Clock-generating circuit for clock-controlled logic circuits | |
| JP3181009B2 (ja) | 半導体の不揮発性メモリ、特にフラッシュeprom用プログラマブル・ロジック・アレイ構造物 | |
| US5959900A (en) | Synchronous semiconductor memory having a reduced number of registers | |
| US6343040B2 (en) | Auto precharge control signal generating circuits for semiconductor memory devices and auto precharge control methods | |
| JPH0883494A (ja) | 不揮発性メモリにおけるデータ・ローディング・ノイズ抑制の方法及び回路 | |
| US5355036A (en) | Timed make-before-break circuit for analog switch control | |
| JP2674550B2 (ja) | 不揮発性メモリの読出しタイミング方法及び回路 | |
| KR100314414B1 (ko) | 반도체메모리장치 | |
| KR20030003702A (ko) | 로직 구조물 및 도미노 로직 구조물 및 로직 스테이지사전충전 제어 방법 | |
| US5917768A (en) | Memory architecture for flexible reading management, particularly for non-volatile memories, having noise-immunity features, matching device performance, and having optimized throughout | |
| US6411553B1 (en) | Single ended data bus equilibration scheme | |
| JP2682502B2 (ja) | 不揮発性メモリの出力データのローディングタイミング方法及び回路 | |
| US5905678A (en) | Control circuit of an output buffer | |
| JP2001160738A (ja) | スパイクによってトリガされる非同期有限状態機械 | |
| US5859810A (en) | Pulse generation circuit and method for synchronized data loading in an output pre-buffer | |
| EP0805453B1 (en) | Memory architecture for flexible reading management, particularly for non-volatile memories, having noise-immunity features, matching device performance, and having optimized throughput | |
| JPH04104608A (ja) | アナログスイッチ回路 | |
| US20010036121A1 (en) | Internal regeneration of the address latch enable (ALE) signal of a protocol of management of a burst interleaved memory and related circuit | |
| JP3354493B2 (ja) | シリアルデータ転送装置 | |
| JPS63163548A (ja) | メモリアクセス回路 | |
| JP2967640B2 (ja) | マイクロコンピュータ | |
| JPS6348008A (ja) | パルス遅延回路 | |
| JPS5826051B2 (ja) | クロツク信号制御方式 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19970617 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19971209 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |