JPH0883735A - コンデンサの製造方法 - Google Patents
コンデンサの製造方法Info
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- JPH0883735A JPH0883735A JP6215960A JP21596094A JPH0883735A JP H0883735 A JPH0883735 A JP H0883735A JP 6215960 A JP6215960 A JP 6215960A JP 21596094 A JP21596094 A JP 21596094A JP H0883735 A JPH0883735 A JP H0883735A
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- Polyoxymethylene Polymers And Polymers With Carbon-To-Carbon Bonds (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は化学酸化重合で得られる導電性高分
子層を弁作用金属に形成し、漏れ電流の小さなコンデン
サを実現することを目的とする。 【構成】 直方体または立方体または円筒形に成型した
陽極弁金属の角部分を面取りまたは丸みを持たせ陽極酸
化により誘電体皮膜を形成し、その上に化学酸化重合法
により導電性高分子を形成してなるコンデンサである。
このようにして作製したコンデンサは、表面全体に同時
に均一に導電性高分子を積層する事ができ、漏れ電流が
小さく、損失が良好なコンデンサを得ることができ、な
おかつ化学酸化重合の処理回数が少なくてすむ。さら
に、溶液中で重合することで細孔の奥まで充填する事が
でき、蒸気中で重合することで表面に均一に積層する事
ができ、漏れ電流が小さく、損失が良好なコンデンサを
得ることができ、化学酸化重合の処理回数が少なくてす
む。
子層を弁作用金属に形成し、漏れ電流の小さなコンデン
サを実現することを目的とする。 【構成】 直方体または立方体または円筒形に成型した
陽極弁金属の角部分を面取りまたは丸みを持たせ陽極酸
化により誘電体皮膜を形成し、その上に化学酸化重合法
により導電性高分子を形成してなるコンデンサである。
このようにして作製したコンデンサは、表面全体に同時
に均一に導電性高分子を積層する事ができ、漏れ電流が
小さく、損失が良好なコンデンサを得ることができ、な
おかつ化学酸化重合の処理回数が少なくてすむ。さら
に、溶液中で重合することで細孔の奥まで充填する事が
でき、蒸気中で重合することで表面に均一に積層する事
ができ、漏れ電流が小さく、損失が良好なコンデンサを
得ることができ、化学酸化重合の処理回数が少なくてす
む。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は導電性高分子膜を固体電
解質として用いたコンデンサの製造方法に関するもので
あり、特に高周波特性、漏れ電流特性の優れた固体電解
コンデンサを提供するものである。
解質として用いたコンデンサの製造方法に関するもので
あり、特に高周波特性、漏れ電流特性の優れた固体電解
コンデンサを提供するものである。
【0002】
【従来の技術】最近、電気機器のディジタル化にともな
って、そこに使用されるコンデンサも高周波領域におい
てインピーダンスが低く、小型大容量化への要求が高ま
っている。従来、高周波用のコンデンサとしてはプラス
チックフィルムコンデンサ、マイカコンデンサ、積層セ
ラミックコンデンサなどが用いられている。またその他
にアルミニウム乾式電解コンデンサやアルミニウムまた
はタンタル固体電解コンデンサなどがある。アルミニウ
ム乾式電解コンデンサでは、エッチングを施した陽、陰
極アルミニウム箔を紙のセパレータを介して巻取り、液
状の電解質を用いている。又、アルミニウムやタンタル
固体電解コンデンサでは前記アルミニウム乾式電解コン
デンサの特性改良のため電解質の固体化がなされてい
る。この固体電解質形成には硝酸マンガン液に陽極箔を
浸漬し、350℃前後の高温炉中にて熱分解し、二酸化
マンガン層を作る。このコンデンサの場合、電解質が固
体のために高温における電解液の揮散、低温域での凝固
から生ずる機能低下などの欠点がなく、液状電解質と比
べて良好な周波数特性、温度特性を示す。又、アルミ電
解コンデンサはタンタル電解コンデンサと同様誘電体と
なる酸化皮膜を非常に薄くできるために大容量を実現で
きる。 又、近年では7,7,8,8−テトラシアノキ
ノジメタン(TCNQ)塩等の有機半導体を固体電解質
として用いた固体電解コンデンサが開発されている。
(特開昭58−17609号公報)さらにピロール、フ
ランなどの重合性モノマーを電解重合させて導電性高分
子とし、これを固体電解質とする方法もある。(特開昭
60−244017号公報)
って、そこに使用されるコンデンサも高周波領域におい
てインピーダンスが低く、小型大容量化への要求が高ま
っている。従来、高周波用のコンデンサとしてはプラス
チックフィルムコンデンサ、マイカコンデンサ、積層セ
ラミックコンデンサなどが用いられている。またその他
にアルミニウム乾式電解コンデンサやアルミニウムまた
はタンタル固体電解コンデンサなどがある。アルミニウ
ム乾式電解コンデンサでは、エッチングを施した陽、陰
極アルミニウム箔を紙のセパレータを介して巻取り、液
状の電解質を用いている。又、アルミニウムやタンタル
固体電解コンデンサでは前記アルミニウム乾式電解コン
デンサの特性改良のため電解質の固体化がなされてい
る。この固体電解質形成には硝酸マンガン液に陽極箔を
浸漬し、350℃前後の高温炉中にて熱分解し、二酸化
マンガン層を作る。このコンデンサの場合、電解質が固
体のために高温における電解液の揮散、低温域での凝固
から生ずる機能低下などの欠点がなく、液状電解質と比
べて良好な周波数特性、温度特性を示す。又、アルミ電
解コンデンサはタンタル電解コンデンサと同様誘電体と
なる酸化皮膜を非常に薄くできるために大容量を実現で
きる。 又、近年では7,7,8,8−テトラシアノキ
ノジメタン(TCNQ)塩等の有機半導体を固体電解質
として用いた固体電解コンデンサが開発されている。
(特開昭58−17609号公報)さらにピロール、フ
ランなどの重合性モノマーを電解重合させて導電性高分
子とし、これを固体電解質とする方法もある。(特開昭
60−244017号公報)
【0003】
【発明が解決しようとする課題】このように種々のコン
デンサが使用されているが、フィルムコンデンサおよび
マイカコンデンサでは形状が大きくなってしまうために
大容量化が難しく、また積層セラミックコンデンサは小
型大容量の要望から生まれたものであるが価格が非常に
高くなるということと、温度特性が悪いことなどの欠点
を有している。また、アルミ電解コンデンサは酸化皮膜
の損傷が起き易いために酸化皮膜と陰極の間に電解質を
施し随時損傷を修復する必要がある。この電解質として
液体を使用しているものは、電解質の液漏れやイオン伝
導性などの理由から経時的に静電容量の減少や損失の増
大をもたらす事と高周波域、低温領域での損失が大きい
などの欠点を有している。次に固体電解質は、高温で数
回熱分解することによる酸化皮膜の損傷、及び二酸化マ
ンガンの比抵抗が高いことなどの理由から高周波域での
損失は小さいとは言えない。又、TCNQ塩などの有機
半導体を用いた固体電解コンデンサは、二酸化マンガン
を用いたものに比して優れた高周波特性を示すが、有機
半導体を塗布する際の比抵抗の上昇、陽極箔への接着性
が弱いことなどが原因で理想的な特性を示すとは言えな
い。さらに導電性高分子薄膜を固体電解質とする場合、
周波数特性,温度特性,寿命特性などは優れているが、
固体電解質とする導電性高分子薄膜を陽極弁金属上に形
成させるために、重合性モノマ−溶液と酸化剤溶液に陽
極弁金属を交互に浸漬して化学酸化重合を行うため、電
極形状の平面部に比べ鋭角な角部で含浸した溶液の拡散
が起きやすい。このことから、平面部に十分に固体電解
質が形成されていても角部付近はまだ未形成のままとな
るので繰り返し処理数が多くなり、そのため平面部の膜
が厚くなりすぎて損失の大きな固体電解コンデンサがで
きやすいという課題を有している。さらに酸化剤溶液の
pHは強酸性域であるので誘電体皮膜が劣化するという
課題がある。
デンサが使用されているが、フィルムコンデンサおよび
マイカコンデンサでは形状が大きくなってしまうために
大容量化が難しく、また積層セラミックコンデンサは小
型大容量の要望から生まれたものであるが価格が非常に
高くなるということと、温度特性が悪いことなどの欠点
を有している。また、アルミ電解コンデンサは酸化皮膜
の損傷が起き易いために酸化皮膜と陰極の間に電解質を
施し随時損傷を修復する必要がある。この電解質として
液体を使用しているものは、電解質の液漏れやイオン伝
導性などの理由から経時的に静電容量の減少や損失の増
大をもたらす事と高周波域、低温領域での損失が大きい
などの欠点を有している。次に固体電解質は、高温で数
回熱分解することによる酸化皮膜の損傷、及び二酸化マ
ンガンの比抵抗が高いことなどの理由から高周波域での
損失は小さいとは言えない。又、TCNQ塩などの有機
半導体を用いた固体電解コンデンサは、二酸化マンガン
を用いたものに比して優れた高周波特性を示すが、有機
半導体を塗布する際の比抵抗の上昇、陽極箔への接着性
が弱いことなどが原因で理想的な特性を示すとは言えな
い。さらに導電性高分子薄膜を固体電解質とする場合、
周波数特性,温度特性,寿命特性などは優れているが、
固体電解質とする導電性高分子薄膜を陽極弁金属上に形
成させるために、重合性モノマ−溶液と酸化剤溶液に陽
極弁金属を交互に浸漬して化学酸化重合を行うため、電
極形状の平面部に比べ鋭角な角部で含浸した溶液の拡散
が起きやすい。このことから、平面部に十分に固体電解
質が形成されていても角部付近はまだ未形成のままとな
るので繰り返し処理数が多くなり、そのため平面部の膜
が厚くなりすぎて損失の大きな固体電解コンデンサがで
きやすいという課題を有している。さらに酸化剤溶液の
pHは強酸性域であるので誘電体皮膜が劣化するという
課題がある。
【0004】
【課題を解決するための手段】本発明によるコンデンサ
の製造方法は、第1に少なくとも一つの角部を有する立
体である陽極弁金属の角部を面取りし、次に前記陽極弁
金属の表面に陽極酸化により誘電体皮膜を形成し、さら
に複素五員環化合物溶液と酸化剤溶液を用いて化学酸化
重合を行うことにより前記誘電体皮膜上に化学酸化重合
導電性高分子層を積層するものである。
の製造方法は、第1に少なくとも一つの角部を有する立
体である陽極弁金属の角部を面取りし、次に前記陽極弁
金属の表面に陽極酸化により誘電体皮膜を形成し、さら
に複素五員環化合物溶液と酸化剤溶液を用いて化学酸化
重合を行うことにより前記誘電体皮膜上に化学酸化重合
導電性高分子層を積層するものである。
【0005】第2に、陽極弁金属の表面に陽極酸化によ
り誘電体皮膜を形成し、次に複素五員環化合物の溶液及
び蒸気と酸化剤溶液を用いて化学酸化重合を行うことに
より前記誘電体皮膜上に化学酸化重合導電性高分子層を
積層するものである。
り誘電体皮膜を形成し、次に複素五員環化合物の溶液及
び蒸気と酸化剤溶液を用いて化学酸化重合を行うことに
より前記誘電体皮膜上に化学酸化重合導電性高分子層を
積層するものである。
【0006】第3に、陽極弁金属の表面に陽極酸化によ
り誘電体皮膜を形成し、次に前記陽極弁金属を複素五員
環化合物溶液に浸漬し、その後に前記陽極弁金属と導電
性材料からなる対極を酸化剤溶液に浸漬して前記陽極弁
材料を陽極として前記陽極弁金属と前記対極の間に電圧
を加えることにより前記誘電体皮膜の修復を行うととも
に前記誘電体皮膜上に化学酸化重合導電性高分子層を積
層するものである。
り誘電体皮膜を形成し、次に前記陽極弁金属を複素五員
環化合物溶液に浸漬し、その後に前記陽極弁金属と導電
性材料からなる対極を酸化剤溶液に浸漬して前記陽極弁
材料を陽極として前記陽極弁金属と前記対極の間に電圧
を加えることにより前記誘電体皮膜の修復を行うととも
に前記誘電体皮膜上に化学酸化重合導電性高分子層を積
層するものである。
【0007】
【作用】この製造方法によって、第1にコンデンサの電
極形状は鋭角な部分を持たないので表面全体に同時に均
一な導電性高分子を積層することができ、化学酸化重合
の処理回数が少なく損失の小さなコンデンサを得ること
ができる。第2に、化学酸化重合をモノマ−の溶液中と
蒸気中の組み合わせで行うので、溶液中で重合すること
で細孔の奥まで充填することができ、蒸気中で重合する
ことで表面に均一に積層することができるので化学酸化
重合の処理回数が少なく損失の小さなコンデンサを得る
ことができる。第3に、さらに酸化剤溶液浸漬中に所定
の電圧を印加することで化成反応が起こり誘電体皮膜の
修復と同時に導電性高分子を積層することができ、化学
酸化重合の処理回数が少なく損失の小さなコンデンサを
得ることができる。
極形状は鋭角な部分を持たないので表面全体に同時に均
一な導電性高分子を積層することができ、化学酸化重合
の処理回数が少なく損失の小さなコンデンサを得ること
ができる。第2に、化学酸化重合をモノマ−の溶液中と
蒸気中の組み合わせで行うので、溶液中で重合すること
で細孔の奥まで充填することができ、蒸気中で重合する
ことで表面に均一に積層することができるので化学酸化
重合の処理回数が少なく損失の小さなコンデンサを得る
ことができる。第3に、さらに酸化剤溶液浸漬中に所定
の電圧を印加することで化成反応が起こり誘電体皮膜の
修復と同時に導電性高分子を積層することができ、化学
酸化重合の処理回数が少なく損失の小さなコンデンサを
得ることができる。
【0008】
(実施例1)以下本発明の第1の実施例について、図1
を参照しながら説明する。図1は本発明の第1の実施例
で製造したコンデンサの断面図である。図1において、
1は陽極リードであり、2はコンデンサの陽極となる陽
極弁金属であり、3は陽極弁金属3の角部を面取りした
部分の斜度であり、4は陽極弁金属3の角部を面取りし
た部分の面取長であり、5はコンデンサの誘電体層とな
る誘電体皮膜であり、6は誘電体皮膜の劣化を修正する
電解質層となる導電性高分子層であり、7は導電性高分
子層5と銀ペイント膜との密着性を高めるカーボンペイ
ント膜であり、8はコンデンサの陰極となる銀ペイント
膜であり、9は陰極リードである。
を参照しながら説明する。図1は本発明の第1の実施例
で製造したコンデンサの断面図である。図1において、
1は陽極リードであり、2はコンデンサの陽極となる陽
極弁金属であり、3は陽極弁金属3の角部を面取りした
部分の斜度であり、4は陽極弁金属3の角部を面取りし
た部分の面取長であり、5はコンデンサの誘電体層とな
る誘電体皮膜であり、6は誘電体皮膜の劣化を修正する
電解質層となる導電性高分子層であり、7は導電性高分
子層5と銀ペイント膜との密着性を高めるカーボンペイ
ント膜であり、8はコンデンサの陰極となる銀ペイント
膜であり、9は陰極リードである。
【0009】まず、陽極リード1を付けた直方体のタン
タル焼結体である陽極弁金属2(サイズ(mm):長さ2,
高さ1.5,幅1)の各角部を斜度3が50°、面取長
4が0.2mmとなるように面取りして、その陽極弁金属
2を0.05%燐酸水溶液で約85℃、60分間、印加
電圧33.9Vの条件で陽極酸化して誘電体皮膜5を形
成した。この素子をピロールが0.75mol/l溶け
た水溶液に2分間浸漬し、続いて硫酸第2鉄0.1mo
l/lが溶けた酸化剤水溶液に10分間浸漬した。この
操作を数回繰り返し、素子全体が化学酸化重合による導
電性高分子層6(ポリピロール)で覆われたと目視で判
断した時に、この操作を終了した。次にカーボンペイン
ト膜7、続いて銀ペイント膜8を通常の方法で形成し、
銀ペイント膜8上に陰極リード9を設け、エージングを
印加電圧12.5Vで行い、樹脂で外装して固体電解コ
ンデンサを得た。
タル焼結体である陽極弁金属2(サイズ(mm):長さ2,
高さ1.5,幅1)の各角部を斜度3が50°、面取長
4が0.2mmとなるように面取りして、その陽極弁金属
2を0.05%燐酸水溶液で約85℃、60分間、印加
電圧33.9Vの条件で陽極酸化して誘電体皮膜5を形
成した。この素子をピロールが0.75mol/l溶け
た水溶液に2分間浸漬し、続いて硫酸第2鉄0.1mo
l/lが溶けた酸化剤水溶液に10分間浸漬した。この
操作を数回繰り返し、素子全体が化学酸化重合による導
電性高分子層6(ポリピロール)で覆われたと目視で判
断した時に、この操作を終了した。次にカーボンペイン
ト膜7、続いて銀ペイント膜8を通常の方法で形成し、
銀ペイント膜8上に陰極リード9を設け、エージングを
印加電圧12.5Vで行い、樹脂で外装して固体電解コ
ンデンサを得た。
【0010】以下本発明の第1の実施例で製造したコン
デンサの動作について、図2を参照しながら説明する。
図2は本発明の第1の実施例で製造したコンデンサの完
成図である。図2において、21は陽極リードであり、
22は陰極リードである。陽極リード21にプラス、陰
極リード22にマイナスの電圧を印加することにより、
コンデンサとして動作する。
デンサの動作について、図2を参照しながら説明する。
図2は本発明の第1の実施例で製造したコンデンサの完
成図である。図2において、21は陽極リードであり、
22は陰極リードである。陽極リード21にプラス、陰
極リード22にマイナスの電圧を印加することにより、
コンデンサとして動作する。
【0011】本実施例のコンデンサの製造方法で製造し
た固体電解コンデンサの特性を(表1)の実施例1−1
に示す。また、比較例1として直方体で面取りをしない
陽極弁金属(タンタル焼結体、長さ2,高さ1.5,幅
1(mm))を用いた固体電解コンデンサの特性を(表1)
に示す。
た固体電解コンデンサの特性を(表1)の実施例1−1
に示す。また、比較例1として直方体で面取りをしない
陽極弁金属(タンタル焼結体、長さ2,高さ1.5,幅
1(mm))を用いた固体電解コンデンサの特性を(表1)
に示す。
【0012】これら(表1)から明らかなように、本実
施例による固体電解コンデンサにおいて、ショート不良
率が低く、漏れ電流が小さく、さらに化学酸化重合の繰
り返し数が少なくて済むという点で優れた効果が得られ
た。
施例による固体電解コンデンサにおいて、ショート不良
率が低く、漏れ電流が小さく、さらに化学酸化重合の繰
り返し数が少なくて済むという点で優れた効果が得られ
た。
【0013】次に、直方体の各角部を斜度3が50°、
面取長4が1.5mmとなるように面取りした陽極弁金属
2(タンタル焼結体、長さ4,高さ3,幅2.5(mm))
を用いた場合、及び各角部を斜度3が40°面取長4が
0.2mmとなるように面取りした陽極弁金属2(タンタ
ル焼結体、長さ2,高さ1.5,幅1(mm))を用いた場
合の固体電解コンデンサの特性を、それぞれ(表1)の
実施例1−2及び実施例1−3に示す。また、比較例2
として各角部を斜度50°面取長0.1mmで面取りした
陽極弁金属(タンタル焼結体、長さ2,高さ1.5,幅
1(mm))を用いたもの、比較例3として各角部を斜度5
5°面取長0.2mmで面取りした陽極弁金属(タンタル
焼結体、長さ2,高さ1.5,幅1(mm))を用いたも
の、比較例4として角部分を斜度50°面取長1.6mm
で面取りした陽極弁金属を用いたもの、及び比較例5と
して角部分を斜度35°長さ0.2mmで面取りした陽極
弁金属を用いた固体電解コンデンサの特性を(表1)に
示す。
面取長4が1.5mmとなるように面取りした陽極弁金属
2(タンタル焼結体、長さ4,高さ3,幅2.5(mm))
を用いた場合、及び各角部を斜度3が40°面取長4が
0.2mmとなるように面取りした陽極弁金属2(タンタ
ル焼結体、長さ2,高さ1.5,幅1(mm))を用いた場
合の固体電解コンデンサの特性を、それぞれ(表1)の
実施例1−2及び実施例1−3に示す。また、比較例2
として各角部を斜度50°面取長0.1mmで面取りした
陽極弁金属(タンタル焼結体、長さ2,高さ1.5,幅
1(mm))を用いたもの、比較例3として各角部を斜度5
5°面取長0.2mmで面取りした陽極弁金属(タンタル
焼結体、長さ2,高さ1.5,幅1(mm))を用いたも
の、比較例4として角部分を斜度50°面取長1.6mm
で面取りした陽極弁金属を用いたもの、及び比較例5と
して角部分を斜度35°長さ0.2mmで面取りした陽極
弁金属を用いた固体電解コンデンサの特性を(表1)に
示す。
【0014】これら(表1)から明らかなように、実施
例1−2及び実施例1−3の固体電解コンデンサにおい
て、ショート不良率が低く、漏れ電流が小さく、さらに
化学酸化重合の繰り返し数が少なくて済むという点で優
れた効果が得られた。
例1−2及び実施例1−3の固体電解コンデンサにおい
て、ショート不良率が低く、漏れ電流が小さく、さらに
化学酸化重合の繰り返し数が少なくて済むという点で優
れた効果が得られた。
【0015】次に、直方体の陽極弁金属2(タンタル焼
結体、長さ2,高さ1.5,幅1(mm))の角部分を曲率
半径R0.05mmの曲面で面取りした場合、及び直方体
の陽極弁金属2(タンタル焼結体、長さ4,高さ3,幅
2.5(mm))の各角部を曲率半径R1mmの曲面で面取り
した場合の固体電解コンデンサの特性をそれぞれ(表
1)の実施例1−4及び実施例1−5に示す。また、比
較例6として角部分をR0.04mmの丸みを持たせた陽
極弁金属を用いたもの、及び比較例7として角部分をR
1.1mmの丸みを持たせた陽極弁金属を用いて作製した
固体電解コンデンサの特性を(表1)に示している。
結体、長さ2,高さ1.5,幅1(mm))の角部分を曲率
半径R0.05mmの曲面で面取りした場合、及び直方体
の陽極弁金属2(タンタル焼結体、長さ4,高さ3,幅
2.5(mm))の各角部を曲率半径R1mmの曲面で面取り
した場合の固体電解コンデンサの特性をそれぞれ(表
1)の実施例1−4及び実施例1−5に示す。また、比
較例6として角部分をR0.04mmの丸みを持たせた陽
極弁金属を用いたもの、及び比較例7として角部分をR
1.1mmの丸みを持たせた陽極弁金属を用いて作製した
固体電解コンデンサの特性を(表1)に示している。
【0016】これら(表1)から明らかなように実施例
1−4及び実施例1−5の固体電解コンデンサにおい
て、ショート不良率が低く、漏れ電流が小さく、さらに
化学酸化重合の繰り返し数が少なくて済むという点で優
れた効果が得られた。
1−4及び実施例1−5の固体電解コンデンサにおい
て、ショート不良率が低く、漏れ電流が小さく、さらに
化学酸化重合の繰り返し数が少なくて済むという点で優
れた効果が得られた。
【0017】さらに、円筒形に成型した陽極弁金属2
(タンタル焼結体、1φ1H)の角部分を斜度3が45
°面取長4が0.2mmとなるように面取りをした場合、
及び曲率半径R0.05mmの曲面で面取りした場合の固
体電解コンデンサの特性をそれぞれ(表1)の実施例1
−6及び実施例1−7に示す。また、比較例8として円
筒形陽極弁金属(タンタル焼結体、1φ1H)を用いて
面取りしない場合の特性を(表1)に示す。
(タンタル焼結体、1φ1H)の角部分を斜度3が45
°面取長4が0.2mmとなるように面取りをした場合、
及び曲率半径R0.05mmの曲面で面取りした場合の固
体電解コンデンサの特性をそれぞれ(表1)の実施例1
−6及び実施例1−7に示す。また、比較例8として円
筒形陽極弁金属(タンタル焼結体、1φ1H)を用いて
面取りしない場合の特性を(表1)に示す。
【0018】これら(表1)から明らかなように実施例
1−6及び実施例1−7の固体電解コンデンサにおい
て、ショート不良率が低く、漏れ電流が小さく、さらに
化学酸化重合の繰り返し数が少なくて済むという点で優
れた効果が得られた。
1−6及び実施例1−7の固体電解コンデンサにおい
て、ショート不良率が低く、漏れ電流が小さく、さらに
化学酸化重合の繰り返し数が少なくて済むという点で優
れた効果が得られた。
【0019】なお、陽極弁金属の例としてタンタルを示
したが、これ以外にアルミニウムなどの金属を使用して
もよい。
したが、これ以外にアルミニウムなどの金属を使用して
もよい。
【0020】また、モノマ−の例としてピロ−ルを示し
たが、これ以外にチオフェン、又はフランなどの複素五
員環化合物を使用してもよい。
たが、これ以外にチオフェン、又はフランなどの複素五
員環化合物を使用してもよい。
【0021】また、酸化剤の例として、硫酸第2鉄から
なる水溶液を示したが、重合性モノマ−を酸化させるも
のであれば、例えば過酸化水素水、過硫酸アンモニウ
ム、あるいはベンゼンスルホン酸鉄のような酸化剤であ
ってもよい。
なる水溶液を示したが、重合性モノマ−を酸化させるも
のであれば、例えば過酸化水素水、過硫酸アンモニウ
ム、あるいはベンゼンスルホン酸鉄のような酸化剤であ
ってもよい。
【0022】また、カーボンペイント膜6は導電性高分
子層5と銀ペイント膜7との密着性を高めるものであ
り、導電性高分子層5と銀ペイント膜7との密着性が高
い場合は無くてもよい。
子層5と銀ペイント膜7との密着性を高めるものであ
り、導電性高分子層5と銀ペイント膜7との密着性が高
い場合は無くてもよい。
【0023】(実施例2)以下本発明の第2の実施例に
ついて、図3を参照しながら説明する。図3は本発明の
第2の実施例で製造したコンデンサの断面図である。図
3において、31は陽極リードであり、32はコンデン
サの陽極となる陽極弁金属であり、33はコンデンサの
誘電体層となる誘電体皮膜であり、34は誘電体皮膜の
劣化を修復する電解質層となる導電性高分子層であり、
35は導電性高分子層4と銀ペイント膜との密着性を高
めるカーボンペイント膜であり、36はコンデンサの陰
極となる銀ペイント膜であり、37は陰極リードであ
る。
ついて、図3を参照しながら説明する。図3は本発明の
第2の実施例で製造したコンデンサの断面図である。図
3において、31は陽極リードであり、32はコンデン
サの陽極となる陽極弁金属であり、33はコンデンサの
誘電体層となる誘電体皮膜であり、34は誘電体皮膜の
劣化を修復する電解質層となる導電性高分子層であり、
35は導電性高分子層4と銀ペイント膜との密着性を高
めるカーボンペイント膜であり、36はコンデンサの陰
極となる銀ペイント膜であり、37は陰極リードであ
る。
【0024】まず、陽極リード31を付けた直方体のタ
ンタル焼結体である陽極弁金属32(サイズ(mm):長さ
2,高さ1.5,幅1(mm))を0.05%燐酸水溶液で
約85℃、60分間、印加電圧33.9Vの条件で陽極
酸化して誘電体皮膜33を形成した。この素子をピロー
ルが0.75mol/l溶けた水溶液に2分間浸漬し、
続いて硫酸第2鉄0.1mol/lが溶けた酸化剤水溶
液に10分間浸漬した。この操作を5回繰り返した後、
水洗及び乾燥した。次に前記酸化剤溶液に再度浸漬し、
続いてピロール蒸気に曝し素子全体に化学酸化重合によ
る導電性高分子層34を形成した。次にカーボンペイン
ト膜35、続いて銀ペイント膜36を通常の方法で形成
し、銀ペイント膜36上に陰極リード37を設け、エー
ジングを印加電圧12.5Vで行い、樹脂で外装して固
体電解コンデンサを得た。
ンタル焼結体である陽極弁金属32(サイズ(mm):長さ
2,高さ1.5,幅1(mm))を0.05%燐酸水溶液で
約85℃、60分間、印加電圧33.9Vの条件で陽極
酸化して誘電体皮膜33を形成した。この素子をピロー
ルが0.75mol/l溶けた水溶液に2分間浸漬し、
続いて硫酸第2鉄0.1mol/lが溶けた酸化剤水溶
液に10分間浸漬した。この操作を5回繰り返した後、
水洗及び乾燥した。次に前記酸化剤溶液に再度浸漬し、
続いてピロール蒸気に曝し素子全体に化学酸化重合によ
る導電性高分子層34を形成した。次にカーボンペイン
ト膜35、続いて銀ペイント膜36を通常の方法で形成
し、銀ペイント膜36上に陰極リード37を設け、エー
ジングを印加電圧12.5Vで行い、樹脂で外装して固
体電解コンデンサを得た。
【0025】本実施例のコンデンサの製造方法で製造し
た固体電解コンデンサの特性を実施例2として(表1)
に示す。これら(表1)から明らかなように、本実施例
による固体電解コンデンサは、ショート不良率が低く漏
れ電流が小さく、化学酸化重合の繰り返し数が極めて少
なくて済むという点で優れた効果が得られた。
た固体電解コンデンサの特性を実施例2として(表1)
に示す。これら(表1)から明らかなように、本実施例
による固体電解コンデンサは、ショート不良率が低く漏
れ電流が小さく、化学酸化重合の繰り返し数が極めて少
なくて済むという点で優れた効果が得られた。
【0026】なお、陽極弁金属の例としてタンタルを示
したが、これ以外にアルミニウムなどの金属を使用して
もよい。
したが、これ以外にアルミニウムなどの金属を使用して
もよい。
【0027】また、モノマ−の例としてピロ−ルを示し
たが、これ以外にチオフェン、又はフランなどの複素五
員環化合物を使用してもよい。
たが、これ以外にチオフェン、又はフランなどの複素五
員環化合物を使用してもよい。
【0028】また、酸化剤の例として、硫酸第2鉄から
なる水溶液を示したが、重合性モノマ−を酸化させるも
のであれば、例えば過酸化水素水、過硫酸アンモニウ
ム、あるいはベンゼンスルホン酸鉄のような酸化剤であ
ってもよい。
なる水溶液を示したが、重合性モノマ−を酸化させるも
のであれば、例えば過酸化水素水、過硫酸アンモニウ
ム、あるいはベンゼンスルホン酸鉄のような酸化剤であ
ってもよい。
【0029】また、カーボンペイント膜6は導電性高分
子層5と銀ペイント膜7との密着性を高めるものであ
り、導電性高分子層5と銀ペイント膜7との密着性が高
い場合は無くてもよい。
子層5と銀ペイント膜7との密着性を高めるものであ
り、導電性高分子層5と銀ペイント膜7との密着性が高
い場合は無くてもよい。
【0030】また、本実施例は第1の実施例と組合わせ
ても、効果があることはいうまでもない。
ても、効果があることはいうまでもない。
【0031】(実施例3)以下本発明の第3の実施例に
ついて図3を参照しながら説明する。図3の説明は実施
例2と同様なので省略する。まず、陽極リード31を付
けた直方体のタンタル焼結体である陽極弁金属32(サ
イズ(mm):長さ2,高さ1.5,幅1(mm))を0.05
%燐酸水溶液で約85℃、60分間、印加電圧33.9
Vの条件で陽極酸化して誘電体皮膜33を形成した。こ
の素子をピロールが0.75mol/l溶けた水溶液に
2分間浸漬し、続いて硫酸第2鉄0.1mol/lが溶
けた酸化剤水溶液に10分間浸漬した。前記酸化剤水溶
液に浸漬している間、陽極弁金属32とは別に対極を設
けて陽極弁金属32を陽極として電圧27.1V(化成
電圧×0.8)を印加して、陽極酸化による誘電体皮膜
33の修復と化学酸化重合を同時に行った。この操作を
数回繰り返し、素子全体が化学酸化重合による導電性高
分子層34(ポリピロール)で覆われたと目視で判断し
た時に、この操作を終了した。次にカーボンペイント膜
35、続いて銀ペイント膜36を通常の方法で形成し、
銀ペイント膜36上に陰極リード37を設け、エージン
グを印加電圧12.5Vで行い、樹脂で外装して固体電
解コンデンサを得た。
ついて図3を参照しながら説明する。図3の説明は実施
例2と同様なので省略する。まず、陽極リード31を付
けた直方体のタンタル焼結体である陽極弁金属32(サ
イズ(mm):長さ2,高さ1.5,幅1(mm))を0.05
%燐酸水溶液で約85℃、60分間、印加電圧33.9
Vの条件で陽極酸化して誘電体皮膜33を形成した。こ
の素子をピロールが0.75mol/l溶けた水溶液に
2分間浸漬し、続いて硫酸第2鉄0.1mol/lが溶
けた酸化剤水溶液に10分間浸漬した。前記酸化剤水溶
液に浸漬している間、陽極弁金属32とは別に対極を設
けて陽極弁金属32を陽極として電圧27.1V(化成
電圧×0.8)を印加して、陽極酸化による誘電体皮膜
33の修復と化学酸化重合を同時に行った。この操作を
数回繰り返し、素子全体が化学酸化重合による導電性高
分子層34(ポリピロール)で覆われたと目視で判断し
た時に、この操作を終了した。次にカーボンペイント膜
35、続いて銀ペイント膜36を通常の方法で形成し、
銀ペイント膜36上に陰極リード37を設け、エージン
グを印加電圧12.5Vで行い、樹脂で外装して固体電
解コンデンサを得た。
【0032】本実施例のコンデンサの製造方法で製造し
た固体電解コンデンサの特性を実施例3として(表1)
に示す。これら(表1)から明らかなように、本実施例
による固体電解コンデンサは、ショート不良率が低く漏
れ電流が小さく、化学酸化重合の繰り返し数が少なくて
済むという点で優れた効果が得られた。
た固体電解コンデンサの特性を実施例3として(表1)
に示す。これら(表1)から明らかなように、本実施例
による固体電解コンデンサは、ショート不良率が低く漏
れ電流が小さく、化学酸化重合の繰り返し数が少なくて
済むという点で優れた効果が得られた。
【0033】なお、陽極弁金属の例としてタンタルを示
したが、これ以外にアルミニウムなどの金属を使用して
もよい。
したが、これ以外にアルミニウムなどの金属を使用して
もよい。
【0034】また、モノマ−の例としてピロ−ルを示し
たが、これ以外にチオフェン、又はフランなどの複素五
員環化合物を使用してもよい。
たが、これ以外にチオフェン、又はフランなどの複素五
員環化合物を使用してもよい。
【0035】また、酸化剤の例として、硫酸第2鉄から
なる水溶液を示したが、重合性モノマ−を酸化させるも
のであれば、例えば過酸化水素水、過硫酸アンモニウ
ム、あるいはベンゼンスルホン酸鉄のような酸化剤であ
ってもよい。
なる水溶液を示したが、重合性モノマ−を酸化させるも
のであれば、例えば過酸化水素水、過硫酸アンモニウ
ム、あるいはベンゼンスルホン酸鉄のような酸化剤であ
ってもよい。
【0036】また、カーボンペイント膜6は導電性高分
子層5と銀ペイント膜7との密着性を高めるものであ
り、導電性高分子層5と銀ペイント膜7との密着性が高
い場合は無くてもよい。
子層5と銀ペイント膜7との密着性を高めるものであ
り、導電性高分子層5と銀ペイント膜7との密着性が高
い場合は無くてもよい。
【0037】また、本実施例では化学酸化重合中の電圧
の例として化成電圧の80%を示したが、それ以外に化
成電圧の100%から40%の範囲の電圧印加も可能で
あり、また電流印加も可能である。
の例として化成電圧の80%を示したが、それ以外に化
成電圧の100%から40%の範囲の電圧印加も可能で
あり、また電流印加も可能である。
【0038】また、本実施例は第1あるいは第2の実施
例と組合わせても、効果があることはいうまでもない。
例と組合わせても、効果があることはいうまでもない。
【0039】
【表1】
【0040】
【発明の効果】以上のように本発明は、第1に少なくと
も一つの角部を有する立体の陽極弁金属の角部を面取り
して用いるので、モノマ−溶液と酸化剤溶液に交互に浸
漬しても溶液中での角部におけるモノマ−あるいは酸化
剤の拡散を抑制することができ、ショート不良率が低く
漏れ電流が小さいコンデンサを、少ない化学酸化重合処
理回数で製造できるコンデンサの製造方法を実現できる
ものである。
も一つの角部を有する立体の陽極弁金属の角部を面取り
して用いるので、モノマ−溶液と酸化剤溶液に交互に浸
漬しても溶液中での角部におけるモノマ−あるいは酸化
剤の拡散を抑制することができ、ショート不良率が低く
漏れ電流が小さいコンデンサを、少ない化学酸化重合処
理回数で製造できるコンデンサの製造方法を実現できる
ものである。
【0041】第2に、化学酸化重合を溶液中と蒸気中の
組み合わせで行うので、溶液中で重合することで導電性
高分子層を細孔の奥まで充填し、蒸気中で重合すること
で導電性高分子層を表面に均一に積層することができ、
ショート不良率が低く漏れ電流が小さいコンデンサを、
少ない化学酸化重合処理回数で製造できるコンデンサの
製造方法を実現できるものである。
組み合わせで行うので、溶液中で重合することで導電性
高分子層を細孔の奥まで充填し、蒸気中で重合すること
で導電性高分子層を表面に均一に積層することができ、
ショート不良率が低く漏れ電流が小さいコンデンサを、
少ない化学酸化重合処理回数で製造できるコンデンサの
製造方法を実現できるものである。
【0042】第3に、化学酸化重合中に陽極弁金属とは
別に対極を設けて陽極弁金属を陽極として電圧又は電流
を印加するので誘電体皮膜の修復と化学酸化重合を同時
に行うことができ、ショート不良率が低く漏れ電流が小
さいコンデンサを少ない化学酸化重合処理回数で製造で
きる、コンデンサの製造方法を実現できるものである。
別に対極を設けて陽極弁金属を陽極として電圧又は電流
を印加するので誘電体皮膜の修復と化学酸化重合を同時
に行うことができ、ショート不良率が低く漏れ電流が小
さいコンデンサを少ない化学酸化重合処理回数で製造で
きる、コンデンサの製造方法を実現できるものである。
【図1】本発明の第1の実施例における製造方法で製造
したコンデンサの構造断面図
したコンデンサの構造断面図
【図2】本発明の第1の実施例における製造方法で製造
したコンデンサの完成図
したコンデンサの完成図
【図3】本発明の第2及び3の実施例における製造方法
で製造したコンデンサの構造断面図
で製造したコンデンサの構造断面図
1、21、31 陽極リード 2、32 陽極弁金属 3 斜度 4 面取長 5、33 誘電体皮膜 6、34 導電性高分子層 7、35 カーボンペイント膜 8、36 銀ペイント膜 9、22、37 陰極リード
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 村上 睦明 神奈川県川崎市多摩区東三田3丁目10番1 号 松下技研株式会社内
Claims (7)
- 【請求項1】 少なくとも一つの角部を有する立体であ
る陽極弁金属の角部を面取りし、次に前記陽極弁金属の
表面に陽極酸化により誘電体皮膜を形成し、さらに複素
五員環化合物溶液と酸化剤溶液を用いて化学酸化重合を
行うことにより前記誘電体皮膜上に化学酸化重合導電性
高分子層を積層することを特徴とするコンデンサの製造
方法。 - 【請求項2】 面取りした面が、斜度が40°〜50°
で長さが0.2mm〜1.5mmの平面である請求項1記載
のコンデンサの製造方法。 - 【請求項3】 面取りした面が、曲率半径Rが0.05
mm〜1mmの曲面である請求項1記載のコンデンサの製造
方法。 - 【請求項4】 陽極弁金属の表面に陽極酸化により誘電
体皮膜を形成し、次に複素五員環化合物の溶液及び蒸気
と酸化剤溶液を用いて化学酸化重合を行うことにより前
記誘電体皮膜上に化学酸化重合導電性高分子層を積層す
ることを特徴とするコンデンサの製造方法。 - 【請求項5】 陽極弁金属の表面に陽極酸化により誘電
体皮膜を形成し、次に前記陽極弁金属を複素五員環化合
物溶液に浸漬し、その後に前記陽極弁金属と導電性材料
からなる対極を酸化剤溶液に浸漬して前記陽極弁材料を
陽極として前記陽極弁金属と前記対極の間に電圧を加え
ることにより前記誘電体皮膜の修復を行うとともに前記
誘電体皮膜上に化学酸化重合導電性高分子層を積層する
ことを特徴とするコンデンサの製造方法。 - 【請求項6】 複素五員環化合物がピロ−ル、チオフェ
ン、又はフランから選ばれる少なくとも一種である請求
項1〜5記載のコンデンサの製造方法。 - 【請求項7】 陽極弁金属がアルミニウム又はタンタル
である請求項1〜6記載のコンデンサの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6215960A JPH0883735A (ja) | 1994-09-09 | 1994-09-09 | コンデンサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6215960A JPH0883735A (ja) | 1994-09-09 | 1994-09-09 | コンデンサの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0883735A true JPH0883735A (ja) | 1996-03-26 |
Family
ID=16681100
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6215960A Pending JPH0883735A (ja) | 1994-09-09 | 1994-09-09 | コンデンサの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0883735A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6310765B1 (en) | 1997-06-20 | 2001-10-30 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Electrolytic capacitor and method for manufacturing the same |
| CN112992548A (zh) * | 2021-02-24 | 2021-06-18 | 中国振华(集团)新云电子元器件有限责任公司(国营第四三二六厂) | 提高片式固体电解质电容器耐应力的方法 |
-
1994
- 1994-09-09 JP JP6215960A patent/JPH0883735A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6310765B1 (en) | 1997-06-20 | 2001-10-30 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Electrolytic capacitor and method for manufacturing the same |
| US6413282B1 (en) | 1997-06-20 | 2002-07-02 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Electrolytic capacitor and method for manufacturing the same |
| CN112992548A (zh) * | 2021-02-24 | 2021-06-18 | 中国振华(集团)新云电子元器件有限责任公司(国营第四三二六厂) | 提高片式固体电解质电容器耐应力的方法 |
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