JPH088448B2 - マイクロ波発振回路 - Google Patents
マイクロ波発振回路Info
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- JPH088448B2 JPH088448B2 JP1389888A JP1389888A JPH088448B2 JP H088448 B2 JPH088448 B2 JP H088448B2 JP 1389888 A JP1389888 A JP 1389888A JP 1389888 A JP1389888 A JP 1389888A JP H088448 B2 JPH088448 B2 JP H088448B2
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Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、衛生通信機器などのマイクロ波を使用した
機器に利用することができるマイロ波発振回路に関する
ものである。
機器に利用することができるマイロ波発振回路に関する
ものである。
従来の技術 近年、衛星通信などに代表される新しい無線通信シス
テムの研究開発が盛んに行なわれている。これらの新し
い無線通信システムの多くは、マイクロ波を使用してい
る。そして、マイクロ波機器の重要な役割を担うマイク
ロ波発振回路の研究開発も盛んに行なわれている。
テムの研究開発が盛んに行なわれている。これらの新し
い無線通信システムの多くは、マイクロ波を使用してい
る。そして、マイクロ波機器の重要な役割を担うマイク
ロ波発振回路の研究開発も盛んに行なわれている。
以下、図面を参照しながら従来のマイクロ波発振回路
の一例について説明する。
の一例について説明する。
第13図は、従来のマイクロ波発振回路の構成図を示す
ものである。第13図において、51は電界効果トランジス
タ（以下FETと略す）、52はドレイン端子、55は第１の
先端開放のストリップライン、56,58,67は低域通過フィ
ルタ、57,62はストリップライン、59,68は抵抗、60はイ
ンターディジタル型直流阻止回路、61は負荷抵抗、63は
誘電体共振器、64は終端抵抗、65は第２の先端開放のス
トリップライン、66は電源端子である。
ものである。第13図において、51は電界効果トランジス
タ（以下FETと略す）、52はドレイン端子、55は第１の
先端開放のストリップライン、56,58,67は低域通過フィ
ルタ、57,62はストリップライン、59,68は抵抗、60はイ
ンターディジタル型直流阻止回路、61は負荷抵抗、63は
誘電体共振器、64は終端抵抗、65は第２の先端開放のス
トリップライン、66は電源端子である。
以上のように構成された従来のマイクロ波発振回路に
ついて、以下その動作を説明する。
ついて、以下その動作を説明する。
まず、FET51のドレイン端子52には第１の先端開放の
ストリップライン55が接続されており、この第１の先端
開放のストリップライン55によってドレイン端子52にお
けるマイクロ波でのインピーダンスを調整する。また、
ドレイン端子52に接続されている低域通過フィルタ56は
発振されたマイクロ波が電源端子66へ漏洩するのを阻止
している。次に、FET51のソース端子53にはストリップ
ライン57が接続されており、このストリップライン57か
ら発振出力を取り出して負荷抵抗61に供給している。ま
た、ソース端子53に接続されている低域通過フィルタ58
は発振されたマイクロ波が抵抗59へ漏洩するのを阻止し
ている。抵抗59はソース端子53のバイアス用の抵抗であ
る。次に、FET51のゲート端子54にはストリップライン6
2が接続されており、このストリップライン62には誘電
体共振器63が電磁界結合されている。この誘電体共振器
63は非常にＱが高く、発振周波数の安定化を図ってい
る。また、ストリップライン62の他端には終端抵抗64を
介して第２の先端開放のストリップライン65が接続され
ている。この終端抵抗64の抵抗値はストリップライン65
の特性インピーダンスと同じに設計されており、さらに
第２の先端開放のストリップライン65は発振周波数の波
長の1/4の長さに設計されているので、発振周波数の近
傍の周波数においてストリップライン62の数端抵抗64が
接続されている側の端子での反射波は抑圧されている。
また、ストリップライン62に接続されている低域通過フ
ィルタ67は発振されたマイクロ波が抵抗68へ漏洩するの
を阻止している。抵抗68はゲート端子54のバイアス用の
抵抗であると共に発振周波数以外の周波数における寄生
発振防止用の抵抗であり、その抵抗値はストリップライ
ン65の特性インピーダンスと同じに設計されている（例
えば、特開昭56−47107号公報）。
ストリップライン55が接続されており、この第１の先端
開放のストリップライン55によってドレイン端子52にお
けるマイクロ波でのインピーダンスを調整する。また、
ドレイン端子52に接続されている低域通過フィルタ56は
発振されたマイクロ波が電源端子66へ漏洩するのを阻止
している。次に、FET51のソース端子53にはストリップ
ライン57が接続されており、このストリップライン57か
ら発振出力を取り出して負荷抵抗61に供給している。ま
た、ソース端子53に接続されている低域通過フィルタ58
は発振されたマイクロ波が抵抗59へ漏洩するのを阻止し
ている。抵抗59はソース端子53のバイアス用の抵抗であ
る。次に、FET51のゲート端子54にはストリップライン6
2が接続されており、このストリップライン62には誘電
体共振器63が電磁界結合されている。この誘電体共振器
63は非常にＱが高く、発振周波数の安定化を図ってい
る。また、ストリップライン62の他端には終端抵抗64を
介して第２の先端開放のストリップライン65が接続され
ている。この終端抵抗64の抵抗値はストリップライン65
の特性インピーダンスと同じに設計されており、さらに
第２の先端開放のストリップライン65は発振周波数の波
長の1/4の長さに設計されているので、発振周波数の近
傍の周波数においてストリップライン62の数端抵抗64が
接続されている側の端子での反射波は抑圧されている。
また、ストリップライン62に接続されている低域通過フ
ィルタ67は発振されたマイクロ波が抵抗68へ漏洩するの
を阻止している。抵抗68はゲート端子54のバイアス用の
抵抗であると共に発振周波数以外の周波数における寄生
発振防止用の抵抗であり、その抵抗値はストリップライ
ン65の特性インピーダンスと同じに設計されている（例
えば、特開昭56−47107号公報）。
発明が解決しようとする課題 しかしながら、前記の様な構成では、抵抗68の抵抗値
を自由に設計することができず、通常は低い抵抗値にし
なければならないので、FET51のゲートに過多の電流が
流れてFET51が破壊するという課題を有していた。
を自由に設計することができず、通常は低い抵抗値にし
なければならないので、FET51のゲートに過多の電流が
流れてFET51が破壊するという課題を有していた。
本発明は、前記課題に鑑み、発振周波数以外の周波数
における寄生発振を防止して発振の安定化を図れ、さら
に能動素子の破壊を防止して信頼性を向上することので
きるマイクロ波発振回路を提供するものである。
における寄生発振を防止して発振の安定化を図れ、さら
に能動素子の破壊を防止して信頼性を向上することので
きるマイクロ波発振回路を提供するものである。
課題を解決するための手段 前記課題を解決するために、本発明のマイクロ波発振
回路は、誘電体共振器で周波数の安定化を図り、前記誘
電体共振器を電磁界結合させるストリップラインの終端
回路に第１の終端抵抗と、前記第１の終端抵抗の第１の
端子に接続される第１の先端開放のストリップラインお
よび前記第１の終端抵抗の第２の端子に接続される第１
のチョーク回路と、前記第１のチョーク回路とアースと
の間に直列に接続される第２の終端抵抗とコンデンサ
と、前記第２の終端抵抗とコンデンサとに並列に接続さ
れる第１の抵抗とを具備した回路を用いたものである。
回路は、誘電体共振器で周波数の安定化を図り、前記誘
電体共振器を電磁界結合させるストリップラインの終端
回路に第１の終端抵抗と、前記第１の終端抵抗の第１の
端子に接続される第１の先端開放のストリップラインお
よび前記第１の終端抵抗の第２の端子に接続される第１
のチョーク回路と、前記第１のチョーク回路とアースと
の間に直列に接続される第２の終端抵抗とコンデンサ
と、前記第２の終端抵抗とコンデンサとに並列に接続さ
れる第１の抵抗とを具備した回路を用いたものである。
作用 本発明は前記した構成によって、第１の終端抵抗と第
１の先端開放のストリップラインによって発振周波数の
近傍の周波数におけるストリップラインの端での反射を
抑圧し、第２の終端抵抗によって発振周波数以外の周波
数における反射波を抑圧して寄生発振を防止し、第１の
抵抗で能動素子のバイアス電流を任意の最適な値に設計
することができる。
１の先端開放のストリップラインによって発振周波数の
近傍の周波数におけるストリップラインの端での反射を
抑圧し、第２の終端抵抗によって発振周波数以外の周波
数における反射波を抑圧して寄生発振を防止し、第１の
抵抗で能動素子のバイアス電流を任意の最適な値に設計
することができる。
実 施 例 以下、本発明の一実施例のマイクロ波発振回路につい
て、図面を参照しながら説明する。
て、図面を参照しながら説明する。
第１図は、本発明の第１の実施例におけるマイクロ波
発振回路の誘電体共振器を電磁界結合させるストリップ
ラインの終端回路の構成図である。第１図において、14
は第１の終端抵抗、15は第１の先端開放のストリップラ
イン、18は第１のチョーク回路、19はコンデンサ、20は
第２の終端抵抗、21は第１の抵抗、30は端子である。端
子30は第１の終端抵抗14を介して第１の先端開放のスト
リップライン15に接続されていると共に、第１のチョー
ク回路18に接続されている。そして、チョーク回路18
は、コンデンサ19と第２の終端抵抗20とを介してアース
に接続されていると共に第１の抵抗21を介してもアース
に接続されている。そして、端子30は誘電体共振器を電
磁界結合させるストリップラインの端に接続される。
発振回路の誘電体共振器を電磁界結合させるストリップ
ラインの終端回路の構成図である。第１図において、14
は第１の終端抵抗、15は第１の先端開放のストリップラ
イン、18は第１のチョーク回路、19はコンデンサ、20は
第２の終端抵抗、21は第１の抵抗、30は端子である。端
子30は第１の終端抵抗14を介して第１の先端開放のスト
リップライン15に接続されていると共に、第１のチョー
ク回路18に接続されている。そして、チョーク回路18
は、コンデンサ19と第２の終端抵抗20とを介してアース
に接続されていると共に第１の抵抗21を介してもアース
に接続されている。そして、端子30は誘電体共振器を電
磁界結合させるストリップラインの端に接続される。
以上のように構成されたマイクロ波発振回路につい
て、以下第１図を用いてその動作を説明する。
て、以下第１図を用いてその動作を説明する。
第１図において、第１の先端開放のストリップライン
15は発振数端数Ｏの波長λｇの1/4の長さに設計され
ている。すなわち、端子30は発振周波数Ｏにおいて第
１の終端抵抗14を介して接地されていることになる。し
たがって、第１の終端抵抗14の抵抗値を誘電体共振器を
電磁界結合させるストリップラインの特性インピーダン
スと等しくしておけば、発振周波数Ｏの近傍の周波数
において誘電体共振器を電磁界結合させるストリップラ
インの端子30が接続される側の端での反射波を抑圧する
ことができる。さらに、端子30に接続されているチョー
ク回路18は発振周波数Ｏにおいて高インピーダンスと
なるように設計され、コンデンサ19の容量値は、高周波
において低インピーダンスとなるように設計されてい
る。さらに、第２の終端抵抗20の抵抗値は第１の終端抵
抗14と同じく誘電体共振器を電磁界結合させるストリッ
プラインの特性インピーダンスと等しく設計されている
ので、発振周波数Ｏ以外の周波数における寄生発振を
防止することができる。そして、第１の抵抗21は能動素
子のバイアス電流を任意の最適な値に設計して、能動素
子の破壊を防止する。
15は発振数端数Ｏの波長λｇの1/4の長さに設計され
ている。すなわち、端子30は発振周波数Ｏにおいて第
１の終端抵抗14を介して接地されていることになる。し
たがって、第１の終端抵抗14の抵抗値を誘電体共振器を
電磁界結合させるストリップラインの特性インピーダン
スと等しくしておけば、発振周波数Ｏの近傍の周波数
において誘電体共振器を電磁界結合させるストリップラ
インの端子30が接続される側の端での反射波を抑圧する
ことができる。さらに、端子30に接続されているチョー
ク回路18は発振周波数Ｏにおいて高インピーダンスと
なるように設計され、コンデンサ19の容量値は、高周波
において低インピーダンスとなるように設計されてい
る。さらに、第２の終端抵抗20の抵抗値は第１の終端抵
抗14と同じく誘電体共振器を電磁界結合させるストリッ
プラインの特性インピーダンスと等しく設計されている
ので、発振周波数Ｏ以外の周波数における寄生発振を
防止することができる。そして、第１の抵抗21は能動素
子のバイアス電流を任意の最適な値に設計して、能動素
子の破壊を防止する。
以上のように本実施例によれば、誘電体共振器を電磁
界結合させるストリップラインの終端回路に第１の終端
抵抗14と第１の先端開放のストリップライン15および第
１のチョーク回路18とコンデンサ19と第２の終端抵抗20
と第１の抵抗21とを具備することにより、誘電体共振器
の共振周波数による発振以外の寄生発振を防止すると共
に、能動素子に過多の電流が流れて、能動素子が破壊す
ることを防止することができる。
界結合させるストリップラインの終端回路に第１の終端
抵抗14と第１の先端開放のストリップライン15および第
１のチョーク回路18とコンデンサ19と第２の終端抵抗20
と第１の抵抗21とを具備することにより、誘電体共振器
の共振周波数による発振以外の寄生発振を防止すると共
に、能動素子に過多の電流が流れて、能動素子が破壊す
ることを防止することができる。
以下本発明の第２の実施例について図面を参照しなが
ら説明する。第２図は本発明の第２の実施例におけるマ
イクロ波発振回路の誘電体共振器を電磁界結合させるス
トリップラインの終端回路の構成図である。第２図にお
いて、22は細いストリップライン、23から26は第２から
第５の先端開放のストリップライン、27は第１の抵抗で
ある。細いストリップライン22は端子30に接続されてお
り、第１の抵抗27は細いストリップライン22とアースと
の間に接続されている。そして、第２から第５の先端開
放のストリップライン23から26はそれぞれ任意の長さに
設計され、細いストリップライン22の任意の位置に接続
されている。そして、端子30は誘電体共振器を電磁界結
合させるストリップラインの端に接続される。
ら説明する。第２図は本発明の第２の実施例におけるマ
イクロ波発振回路の誘電体共振器を電磁界結合させるス
トリップラインの終端回路の構成図である。第２図にお
いて、22は細いストリップライン、23から26は第２から
第５の先端開放のストリップライン、27は第１の抵抗で
ある。細いストリップライン22は端子30に接続されてお
り、第１の抵抗27は細いストリップライン22とアースと
の間に接続されている。そして、第２から第５の先端開
放のストリップライン23から26はそれぞれ任意の長さに
設計され、細いストリップライン22の任意の位置に接続
されている。そして、端子30は誘電体共振器を電磁界結
合させるストリップラインの端に接続される。
以上のように構成されたマイクロ波発振回路につい
て、以下第２図を用いてその動作を説明する。
て、以下第２図を用いてその動作を説明する。
第２図において、第１の終端抵抗14および第１の先端
開放のストリップライン15は第１の実施例におけるそれ
ぞれの動作と同じ動作をする。細いストリップライン22
はチョークコイルと同等の動作をしている。さらに、細
いストリップライン22の任意の位置に接続された第２か
ら第５の先端開放のストリップライン23から26はそれぞ
れのストリップラインの長さの４倍の波長を持つ周波数
の近傍の周波数における反射波を抑圧する。ここで、第
２および第３の先端開放のストリップライン23および24
は、特に反射波の抑圧を重要とする発振周波数Ｏの波
長の1/4の長さに設計し、しかも細いストリップライン2
2に共振周波数Ｏの波長の1/4の長さの間隔で接続して
も良い。そして、第１の抵抗27は能動素子のバイアス電
流を任意の最適な値に設計して、能動素子の破壊を防止
する。
開放のストリップライン15は第１の実施例におけるそれ
ぞれの動作と同じ動作をする。細いストリップライン22
はチョークコイルと同等の動作をしている。さらに、細
いストリップライン22の任意の位置に接続された第２か
ら第５の先端開放のストリップライン23から26はそれぞ
れのストリップラインの長さの４倍の波長を持つ周波数
の近傍の周波数における反射波を抑圧する。ここで、第
２および第３の先端開放のストリップライン23および24
は、特に反射波の抑圧を重要とする発振周波数Ｏの波
長の1/4の長さに設計し、しかも細いストリップライン2
2に共振周波数Ｏの波長の1/4の長さの間隔で接続して
も良い。そして、第１の抵抗27は能動素子のバイアス電
流を任意の最適な値に設計して、能動素子の破壊を防止
する。
以上のように本実施例によれば、誘電体共振器を電磁
界結合させるストリップラインの終端回路に第１の終端
抵抗14と第１の先端開放のストリップライン15および細
いストリップライン22と第２から第５の先端開放のスト
リップライン23から26と第１の抵抗27とを具備すること
により、誘電体共振器の共振周波数による発振以外の寄
生発振を防止すると共に、能動素子に過多の電流が流れ
て、能動素子が破壊することを防止することができる。
界結合させるストリップラインの終端回路に第１の終端
抵抗14と第１の先端開放のストリップライン15および細
いストリップライン22と第２から第５の先端開放のスト
リップライン23から26と第１の抵抗27とを具備すること
により、誘電体共振器の共振周波数による発振以外の寄
生発振を防止すると共に、能動素子に過多の電流が流れ
て、能動素子が破壊することを防止することができる。
以下本発明の第３の実施例について図面を参照しなが
ら説明する。第３図は本発明の第３の実施例におけるマ
イクロ波発振回路の誘電体共振器を電磁界結合させるス
トリップラインの終端回路の構成図である。第３図にお
いて、31は第３の先端開放のストリップラインであり、
第２の先端開放のストリップライン23とは異なった長さ
に設計され、第２の先端開放のストリップライン23と同
じ位置で細いストリップライン22と接続されている。
ら説明する。第３図は本発明の第３の実施例におけるマ
イクロ波発振回路の誘電体共振器を電磁界結合させるス
トリップラインの終端回路の構成図である。第３図にお
いて、31は第３の先端開放のストリップラインであり、
第２の先端開放のストリップライン23とは異なった長さ
に設計され、第２の先端開放のストリップライン23と同
じ位置で細いストリップライン22と接続されている。
以下本発明の第４の実施例について図面を参照しなが
ら説明する。第４図は本発明の第４の実施例におけるマ
イクロ波発振回路の誘電体共振器を電磁界結合させるス
トリップラインの終端回路の構成図である。第４図にお
いて、細いストリップライン22は端子30に接続されてお
り、コンデンサ19と第２の終端抵抗20は細いストリップ
ライン22とアースとの間に直列に接続されている。ま
た、第１の抵抗21も細いストリップライン22とアースと
の間に接続されている。さらに、第２および第３の先端
開放のストリップライン23および31は細いストリップラ
イン22の任意の位置に接続されている。そして、端子30
は誘電体共振器を電磁界結合させるストリップラインの
端に接続される。
ら説明する。第４図は本発明の第４の実施例におけるマ
イクロ波発振回路の誘電体共振器を電磁界結合させるス
トリップラインの終端回路の構成図である。第４図にお
いて、細いストリップライン22は端子30に接続されてお
り、コンデンサ19と第２の終端抵抗20は細いストリップ
ライン22とアースとの間に直列に接続されている。ま
た、第１の抵抗21も細いストリップライン22とアースと
の間に接続されている。さらに、第２および第３の先端
開放のストリップライン23および31は細いストリップラ
イン22の任意の位置に接続されている。そして、端子30
は誘電体共振器を電磁界結合させるストリップラインの
端に接続される。
以上のように構成されたマイクロ波発振回路につい
て、以下第４図を用いてその動作を説明する。
て、以下第４図を用いてその動作を説明する。
第４図において、第１の終端抵抗14、第１の先端開放
のストリップライン15、コンデンサ19、第２の終端抵抗
20および第１の抵抗21は第１の実施例におけるそれぞれ
の動作と同じ動作をする。細いストリップライン22はチ
ョークコイルと同等の動作をしている。さらに、細いス
トリップライン22の任意の位置に接続された第２および
第３の先端開放のストリップライン23および31はそれぞ
れのストリップラインの長さの４倍の波長を持つ周波数
の近傍の周波数における反射波を抑圧する。ここで、第
２または第３の先端開放のストリップライン23または24
を、特に反射波の抑圧を重要とする発振周波数Ｏの波
長の1/4の長さに設計し、しかも細いストリップライン2
2の端子30およびコンデンサ19から共振周波数Ｏの波
長の1/4の長さだけ離れた所に接続しても良い。
のストリップライン15、コンデンサ19、第２の終端抵抗
20および第１の抵抗21は第１の実施例におけるそれぞれ
の動作と同じ動作をする。細いストリップライン22はチ
ョークコイルと同等の動作をしている。さらに、細いス
トリップライン22の任意の位置に接続された第２および
第３の先端開放のストリップライン23および31はそれぞ
れのストリップラインの長さの４倍の波長を持つ周波数
の近傍の周波数における反射波を抑圧する。ここで、第
２または第３の先端開放のストリップライン23または24
を、特に反射波の抑圧を重要とする発振周波数Ｏの波
長の1/4の長さに設計し、しかも細いストリップライン2
2の端子30およびコンデンサ19から共振周波数Ｏの波
長の1/4の長さだけ離れた所に接続しても良い。
以上のように本実施例によれば、誘電体共振器を電磁
界結合させるストリップラインの終端回路に第１の終端
抵抗14と第１の先端開放のストリップライン15および細
いストリップライン22と第２および第３の先端開放のス
トリップライン23および31とコンデンサ19と第２の終端
抵抗20と第１の抵抗21とを具備することにより、誘電体
共振器の共振周波数による発振以外の寄生発振を防止す
ると共に、能動素子に過多の電流が流れて、能動素子が
破壊することを防止することができる。
界結合させるストリップラインの終端回路に第１の終端
抵抗14と第１の先端開放のストリップライン15および細
いストリップライン22と第２および第３の先端開放のス
トリップライン23および31とコンデンサ19と第２の終端
抵抗20と第１の抵抗21とを具備することにより、誘電体
共振器の共振周波数による発振以外の寄生発振を防止す
ると共に、能動素子に過多の電流が流れて、能動素子が
破壊することを防止することができる。
以下本発明の第５の実施例について図面を参照しなが
ら説明する。第５図は本発明の第５の実施例におけるマ
イクロ波発振回路の誘電体共振器を電磁界結合させるス
トリップラインの終端回路の構成図である。第５図にお
いて、28はコンデンサ、29は第１の抵抗である。細いス
リップライン22は端子30に接続されており、コンデンサ
28と第１の抵抗29は細いストリップライン22とアースと
の間に並列に接続されている。さらに、第２の先端開放
のストリップライン23は細いストリップライン22の任意
の位置に接続されている。そして、、端子30は誘電体共
振器を電磁界結合させるストリップラインの端に接続さ
れる。
ら説明する。第５図は本発明の第５の実施例におけるマ
イクロ波発振回路の誘電体共振器を電磁界結合させるス
トリップラインの終端回路の構成図である。第５図にお
いて、28はコンデンサ、29は第１の抵抗である。細いス
リップライン22は端子30に接続されており、コンデンサ
28と第１の抵抗29は細いストリップライン22とアースと
の間に並列に接続されている。さらに、第２の先端開放
のストリップライン23は細いストリップライン22の任意
の位置に接続されている。そして、、端子30は誘電体共
振器を電磁界結合させるストリップラインの端に接続さ
れる。
以上のように構成されたマイクロ波発振回路につい
て、以下第５図を用いてその動作を説明する。
て、以下第５図を用いてその動作を説明する。
第５図において、第１の終端抵抗14および第１の先端
開放のストリップライン15は第１の実施例におけるそれ
ぞれの動作と同じ動作をする。細いストリップライン22
はチョークコイルと同等の動作をしている。さらに、細
いストリップライン22の任意の位置に接続された第２の
先端開放のストリップライン23はストリップラインの長
さの４倍を波長を持つ周波数の近傍の周波数における反
射波を抑圧する。さらに、コンデンサ28はその容量値と
周波数特性に応じた周波数における反射波を抑圧する。
そして、第１の抵抗29は能動素子のバイアス電流を任意
の最適な値に設計して、能動素子の破壊を防止する。こ
こで、第２の先端開放のストリップライン23を、特に反
射波の抑圧を重要とする発振周波数Ｏの波長の1/4の
長さに設計し、しかも細いストリップライン22の端子30
およびコンデンサ19から共振周波数Ｏの波長の1/4の
長さだけ離れた所に接続しても良い。
開放のストリップライン15は第１の実施例におけるそれ
ぞれの動作と同じ動作をする。細いストリップライン22
はチョークコイルと同等の動作をしている。さらに、細
いストリップライン22の任意の位置に接続された第２の
先端開放のストリップライン23はストリップラインの長
さの４倍を波長を持つ周波数の近傍の周波数における反
射波を抑圧する。さらに、コンデンサ28はその容量値と
周波数特性に応じた周波数における反射波を抑圧する。
そして、第１の抵抗29は能動素子のバイアス電流を任意
の最適な値に設計して、能動素子の破壊を防止する。こ
こで、第２の先端開放のストリップライン23を、特に反
射波の抑圧を重要とする発振周波数Ｏの波長の1/4の
長さに設計し、しかも細いストリップライン22の端子30
およびコンデンサ19から共振周波数Ｏの波長の1/4の
長さだけ離れた所に接続しても良い。
以上のように本実施例によれば、誘電体共振器を電磁
界結合させるストリップライン終端回路に第１の終端抵
抗14と第１の先端開放のストリップライン15および細い
ストリップライン22と第２の先端開放のストリップライ
ン23とコンデンサ28と第１の抵抗29とを具備することに
より、誘電体共振器の共振周波数による発振以外の寄生
発振を防止すると共に、能動素子に過多の電流が流れ
て、能動素子が破壊するとを防止することができる。
界結合させるストリップライン終端回路に第１の終端抵
抗14と第１の先端開放のストリップライン15および細い
ストリップライン22と第２の先端開放のストリップライ
ン23とコンデンサ28と第１の抵抗29とを具備することに
より、誘電体共振器の共振周波数による発振以外の寄生
発振を防止すると共に、能動素子に過多の電流が流れ
て、能動素子が破壊するとを防止することができる。
以下本発明の第６の実施例について図面を参照しなが
ら説明する。第６図は本発明の第６の実施例におけるマ
イクロ波発振回路の誘電体共振器を電磁界結合させるス
トリップラインの終端回路の構成図である。第６図にお
いて、21は第３の先端開放のストプラインであり、細い
ストリップライン22の任意の位置に接続されており、そ
の長さは第２の先端開放のストリップライン23の長さと
異なっている。そして、端子30は誘電体共振器を電磁界
結合させるストリップラインの端に接続される。
ら説明する。第６図は本発明の第６の実施例におけるマ
イクロ波発振回路の誘電体共振器を電磁界結合させるス
トリップラインの終端回路の構成図である。第６図にお
いて、21は第３の先端開放のストプラインであり、細い
ストリップライン22の任意の位置に接続されており、そ
の長さは第２の先端開放のストリップライン23の長さと
異なっている。そして、端子30は誘電体共振器を電磁界
結合させるストリップラインの端に接続される。
以上のように構成されたマイクロ波発振回路につい
て、以下第６図を用いてその動作を説明する。
て、以下第６図を用いてその動作を説明する。
第６図において、第１の終端抵抗14、第１の先端開放
のストリップライン15、細いストリップライン22,第２
の先端開放のストリップライン23,コンデンサ28および
第１の抵抗29は第５の実施例におけるそれぞれの動作と
同じ動作をする。さらに、細いストリップライン22の任
意の位置に接続された第３の先端開放のストリップライ
ン31はストリップラインの長さの４倍の波長を持つ周波
数の近傍の周波数における反射波を抑圧する。
のストリップライン15、細いストリップライン22,第２
の先端開放のストリップライン23,コンデンサ28および
第１の抵抗29は第５の実施例におけるそれぞれの動作と
同じ動作をする。さらに、細いストリップライン22の任
意の位置に接続された第３の先端開放のストリップライ
ン31はストリップラインの長さの４倍の波長を持つ周波
数の近傍の周波数における反射波を抑圧する。
以上のように本実施例によれば、誘電体共振器を電磁
界結合させるストリップライン終端回路に第１の終端抵
抗14と第１の先端開放のストリップライン15および細い
ストリップライン22と第２および第３の先端開放のスト
リップライン23および31とコンデンサ28と第１の抵抗29
とを具備することにより、第５の実施例の効果に加えて
第３の先端開放のストリップライン31の長さの４倍の波
長を持つ周波数の近傍の周波数における反射波をも同時
に抑圧することができ、誘電体共振器の共振周波数によ
る発振以外の寄生発信を防止すると共に、能動素子に過
多の電流が流れて、能動素子が破壊することを防止する
ことができる。
界結合させるストリップライン終端回路に第１の終端抵
抗14と第１の先端開放のストリップライン15および細い
ストリップライン22と第２および第３の先端開放のスト
リップライン23および31とコンデンサ28と第１の抵抗29
とを具備することにより、第５の実施例の効果に加えて
第３の先端開放のストリップライン31の長さの４倍の波
長を持つ周波数の近傍の周波数における反射波をも同時
に抑圧することができ、誘電体共振器の共振周波数によ
る発振以外の寄生発信を防止すると共に、能動素子に過
多の電流が流れて、能動素子が破壊することを防止する
ことができる。
以下本発明の第７から第12の実施例について図面を参
照しながら説明する。第７図から第12図は本発明の第７
から第12の実施例におけるマイクロ波発振回路の構成図
である。第７図から第12図において、１は能動三端子素
子、２から４は能動三端子素子１の第１から第３の端
子、５は先端開放のストリップライン、６および８はチ
ョーク回路、7,11および12はストリップライン、９は抵
抗、10は直流阻止回路、13は誘電体共振器、16は電源端
子、17は出力端子である。能動三端子素子１の第１の端
子２には先端開放のストリップライン５およびチョーク
回路６が接続されている。能動三端子素子１の第２の端
子３にはストリップライン７およびチョーク回路８が接
続されている。また、チョーク回路８とアースとの間に
は抵抗９が接続されており、ストリップライン７には直
流阻止回路10を介してストリップライン11が接続されて
いる。能動三端子素子１の第３の端子４にはストリップ
ライン12が接続されており、誘電体共振器13はこのスト
リップライン12と電磁界結合している。
照しながら説明する。第７図から第12図は本発明の第７
から第12の実施例におけるマイクロ波発振回路の構成図
である。第７図から第12図において、１は能動三端子素
子、２から４は能動三端子素子１の第１から第３の端
子、５は先端開放のストリップライン、６および８はチ
ョーク回路、7,11および12はストリップライン、９は抵
抗、10は直流阻止回路、13は誘電体共振器、16は電源端
子、17は出力端子である。能動三端子素子１の第１の端
子２には先端開放のストリップライン５およびチョーク
回路６が接続されている。能動三端子素子１の第２の端
子３にはストリップライン７およびチョーク回路８が接
続されている。また、チョーク回路８とアースとの間に
は抵抗９が接続されており、ストリップライン７には直
流阻止回路10を介してストリップライン11が接続されて
いる。能動三端子素子１の第３の端子４にはストリップ
ライン12が接続されており、誘電体共振器13はこのスト
リップライン12と電磁界結合している。
以上のように構成されたマイクロ波発振回路につい
て、以下第７図から第12図を用いてその動作を説明す
る。
て、以下第７図から第12図を用いてその動作を説明す
る。
第７図から第12図において、先端開放のストリップラ
イン５は能動三端子素子１第１の端子２におけるマイク
ロ波でのインピーダンスを調整する。また、第１の端子
２に接続されているチョーク回路６は発振されたマイク
ロ波が電源端子16へ漏洩するのを阻止している。次に、
能動三端子素子の第１の第２の端子３にはストリップラ
イン７が接続されており、このストリップランイン７か
ら直流阻止回路10およびストリップライン11を介して出
力端子17に発振出力を取り出している。また、第２の端
子３に接続されているチョーク回路は発振されたマイク
ロ波が抵抗９へ漏洩するのを阻止している。抵抗９は第
２の端子３のバイアス用の抵抗である。次に、能動三端
子素子１の第３の端子４にはストリップライン12が接続
されており、このストリップライン12には誘電体共振器
13が電磁界結合されている。この誘電体共振器13は非常
にＱが高く、発振周波数の安定化を図っている。そし
て、ストリップライン12の端子30には第１から第６の実
施例で示した構成の終端回路が接続されて、誘電体共振
器の共振周波数による発振以外の寄生発振を防止すると
共に、能動素子に過多の電流が流れて、能動素子が破壊
することを防止している。
イン５は能動三端子素子１第１の端子２におけるマイク
ロ波でのインピーダンスを調整する。また、第１の端子
２に接続されているチョーク回路６は発振されたマイク
ロ波が電源端子16へ漏洩するのを阻止している。次に、
能動三端子素子の第１の第２の端子３にはストリップラ
イン７が接続されており、このストリップランイン７か
ら直流阻止回路10およびストリップライン11を介して出
力端子17に発振出力を取り出している。また、第２の端
子３に接続されているチョーク回路は発振されたマイク
ロ波が抵抗９へ漏洩するのを阻止している。抵抗９は第
２の端子３のバイアス用の抵抗である。次に、能動三端
子素子１の第３の端子４にはストリップライン12が接続
されており、このストリップライン12には誘電体共振器
13が電磁界結合されている。この誘電体共振器13は非常
にＱが高く、発振周波数の安定化を図っている。そし
て、ストリップライン12の端子30には第１から第６の実
施例で示した構成の終端回路が接続されて、誘電体共振
器の共振周波数による発振以外の寄生発振を防止すると
共に、能動素子に過多の電流が流れて、能動素子が破壊
することを防止している。
以上のように第７から第12の実施例によれば、非常に
簡単な構成で安定で信頼性の高いマイクロ波発振回路を
実現することができる。
簡単な構成で安定で信頼性の高いマイクロ波発振回路を
実現することができる。
なお、第１から第12の実施例において、第１の先端開
放のストリップライン15は発振周波数Ｏの波長λｇの
1/4の長さの長方形としたが、先端開放のストリップラ
イン15は第１の終端抵抗14の実装状態などに応じて任意
の長さおよび形状にしてもよい。
放のストリップライン15は発振周波数Ｏの波長λｇの
1/4の長さの長方形としたが、先端開放のストリップラ
イン15は第１の終端抵抗14の実装状態などに応じて任意
の長さおよび形状にしてもよい。
また、第１から第12の実施例において、第１および第
２の終端抵抗14および20の抵抗値はストリップライン15
の特性インピーダンスと等しい抵抗値としたが、第１お
よび第２の終端抵抗14および20の抵抗値は正確にストリ
ップライン15の特性インピーダンスに一致させる必要は
ない。
２の終端抵抗14および20の抵抗値はストリップライン15
の特性インピーダンスと等しい抵抗値としたが、第１お
よび第２の終端抵抗14および20の抵抗値は正確にストリ
ップライン15の特性インピーダンスに一致させる必要は
ない。
また、第1,第4,第７および第10の実施例において、コ
ンデンサ19と第２の終端抵抗20とはその接続順序を逆に
してもよい。
ンデンサ19と第２の終端抵抗20とはその接続順序を逆に
してもよい。
また、第1,第4,第７および第10の実施例において、コ
ンデンサ19の容量値は発振周波数Ｏに応じて任意に設
計することができる。
ンデンサ19の容量値は発振周波数Ｏに応じて任意に設
計することができる。
また、第２から第６および第８から第12の実施例にお
いて、細いストリップライン22に接続される先端開放の
ストリップラインの数，形状および先端開放のストリッ
プラインを細いストリップライン22に接続する位置につ
いては任意に設計することができる。
いて、細いストリップライン22に接続される先端開放の
ストリップラインの数，形状および先端開放のストリッ
プラインを細いストリップライン22に接続する位置につ
いては任意に設計することができる。
また、第5,第6,第11および第12の実施例において、コ
ンデンサ28の容量値は抑圧する反射波の周波数に応じて
任意に設計することができる。
ンデンサ28の容量値は抑圧する反射波の周波数に応じて
任意に設計することができる。
また、第１および第７から第12の実施例におけるチョ
ーク回路6,8および18としては、任意の周波数Ｏの波
長λｇの1/4の長さの細いストリップラインとスタブと
の繰り返しで構成されたものやチョークコイルとコンデ
ンサとで構成されたものなどを使用すればよい。
ーク回路6,8および18としては、任意の周波数Ｏの波
長λｇの1/4の長さの細いストリップラインとスタブと
の繰り返しで構成されたものやチョークコイルとコンデ
ンサとで構成されたものなどを使用すればよい。
また、第2,第3,第5,第6,第8,第9,第11および第12の実
施例において、能動三端子素子のバイアス電流が問題と
ならない場合には抵抗27または29の抵抗値をストリップ
ライン15の特性インピーダンスと同じ値にしてもよい。
施例において、能動三端子素子のバイアス電流が問題と
ならない場合には抵抗27または29の抵抗値をストリップ
ライン15の特性インピーダンスと同じ値にしてもよい。
また、第７から第12の実施例において。直流阻止回路
10としては、発振周波数Ｏの波長の1/4の長さの細い
ストリップラインをインターディジタル型に構成したの
やコンデンサを使用することができる。
10としては、発振周波数Ｏの波長の1/4の長さの細い
ストリップラインをインターディジタル型に構成したの
やコンデンサを使用することができる。
また、第７から第12の実施例において、能動三端子素
子としてはFETやトランジスタなどを使用することがで
き、能動三端子素子としてFETを使用した場合には第１
の端子をドレイン，第２の端子をソース，第３の端子を
ゲートとして使用することができる。
子としてはFETやトランジスタなどを使用することがで
き、能動三端子素子としてFETを使用した場合には第１
の端子をドレイン，第２の端子をソース，第３の端子を
ゲートとして使用することができる。
また、発振源となる能動素子としては三端子素子以外
にダイオードなどの二端子素子を使用することもでき
る。
にダイオードなどの二端子素子を使用することもでき
る。
発明の効果 以上のように本発明は、誘電体共振器で周波数の安定
化を図り、前記の誘電体共振器を電磁界結合させるスト
リップラインの終端回路に第１の終端抵抗と、前記の第
１の終端抵抗の第１の端子に接続される第１の先端開放
のストリップラインおよび前記の第１の終端抵抗の第２
の端子に接続される第１のチョーク回路と、前記の第１
のチョーク回路とアースとの間に直列に接続される第２
の終端抵抗とコンデンサと、前記の第２の終端抵抗とコ
ンデンサとに並列に接続される第１の抵抗とを設けるこ
とにより、誘電体共振器の共振周波数による発振以外の
寄生発振を防止すると共に、能動素子に過多の電流が流
れて、能動素子が破壊することを防止することができ
る。
化を図り、前記の誘電体共振器を電磁界結合させるスト
リップラインの終端回路に第１の終端抵抗と、前記の第
１の終端抵抗の第１の端子に接続される第１の先端開放
のストリップラインおよび前記の第１の終端抵抗の第２
の端子に接続される第１のチョーク回路と、前記の第１
のチョーク回路とアースとの間に直列に接続される第２
の終端抵抗とコンデンサと、前記の第２の終端抵抗とコ
ンデンサとに並列に接続される第１の抵抗とを設けるこ
とにより、誘電体共振器の共振周波数による発振以外の
寄生発振を防止すると共に、能動素子に過多の電流が流
れて、能動素子が破壊することを防止することができ
る。
第１図から第６図はそれぞれ本発明の第１から第６の実
施例におけるマイクロ波発振回路の誘電体共振器を電磁
界結合させるストリップラインの終端回路の構成図、第
７図から第12図はそれぞれ本発明の第７から第12の実施
例におけるマイクロ波発振回路の構成図、第13図は従来
のマイクロ波発振回路の構成図である。 １……能動三端子素子、２……能動三端子素子の第１の
端子、３……能動三端子素子の第２の端子、４……能動
三端子素子の第３の端子、5,15,23,24,25,26,31……先
端開放のストリップライン、6,8,18……チョーク回路、
7,11,12……ストリップライン、9,21,27,29……抵抗、1
0……直流阻止回路、13……誘電体共振器、14,20……終
端抵抗、16……電源端子、17……出力端子、19,28……
コンデンサ、22……細いストリップライン、30……端
子、51……電解効果トランジスタ、52……ドレイン端
子、53……ソース端子、54……ゲート端子、55,65……
先端開放のストリップライン、56,58,67……低域通過フ
ィルタ、57,62……ストリップライン、59,68……抵抗、
60……インターディジタル型直流阻止回路、61……負荷
抵抗、63……誘電体共振器、64……終端抵抗、66……電
源端子。
施例におけるマイクロ波発振回路の誘電体共振器を電磁
界結合させるストリップラインの終端回路の構成図、第
７図から第12図はそれぞれ本発明の第７から第12の実施
例におけるマイクロ波発振回路の構成図、第13図は従来
のマイクロ波発振回路の構成図である。 １……能動三端子素子、２……能動三端子素子の第１の
端子、３……能動三端子素子の第２の端子、４……能動
三端子素子の第３の端子、5,15,23,24,25,26,31……先
端開放のストリップライン、6,8,18……チョーク回路、
7,11,12……ストリップライン、9,21,27,29……抵抗、1
0……直流阻止回路、13……誘電体共振器、14,20……終
端抵抗、16……電源端子、17……出力端子、19,28……
コンデンサ、22……細いストリップライン、30……端
子、51……電解効果トランジスタ、52……ドレイン端
子、53……ソース端子、54……ゲート端子、55,65……
先端開放のストリップライン、56,58,67……低域通過フ
ィルタ、57,62……ストリップライン、59,68……抵抗、
60……インターディジタル型直流阻止回路、61……負荷
抵抗、63……誘電体共振器、64……終端抵抗、66……電
源端子。
Claims (8)
- 【請求項１】誘電体共振器で周波数の安定化を図り、前
記誘電体共振器を電磁界結合させるストリップラインの
終端回路に第１の終端抵抗と、前記第１の終端抵抗の第
１の端子に接続される第１の先端開放のストリップライ
ンおよび前記第１の終端抵抗の第２の端子に接続される
第１チョーク回路と前記第１チョーク回路とアースとの
間に直列に接続される第２の終端抵抗とコンデンサと、
前記第２の終端抵抗とコンデンサとに並列に接続される
第１の抵抗とを具備した回路を用いたことを特徴とする
マイクロ波発振回路。 - 【請求項２】誘電体共振器で周波数の安定化を図り、前
記誘電体共振器を電磁界結合させるストリップラインの
終端回路に第１の終端抵抗と、前記第１の終端抵抗の第
１の端子に接続される第１の先端開放のストリップライ
ンおよび前記第１の終端抵抗の第２の端子に接続される
細いストリップランインと、前記細いストリップライン
の任意の位置に接続される少なくとも２つ以上の長さの
異なる先端開放のストリップラインと、前記細いストリ
ップラインとアースとの間に接続される第１の抵抗とを
具備した回路を用いたことを特徴とするマイクロ波発振
回路。 - 【請求項３】誘電体共振器で周波数の安定化を図り、前
記誘電体共振器を電磁界結合させるストリップラインの
終端回路に第１の終端抵抗と、前記第１の終端抵抗の第
１の端子に接続される第１の先端開放のストリップライ
ンおよび前記第１の終端抵抗の第２の端子に接続される
細いストリップラインと、前記細いストリップラインと
アースとの間に直列に接続されるコンデンサと第２の終
端抵抗と、前記のコンデンサと第２の終端抵抗とに並列
に接続される第１の抵抗と、前記細いストリップライン
の任意の位置に接続される少なくとも２つ以上の長さの
異なる先端開放のストリップラインとを具備した回路を
用いたことを特徴とするマイクロ波発振回路。 - 【請求項４】誘電体共振器で周波数の安定化を図り、前
記誘電体共振器を電磁界結合させるストリップラインの
終端回路に第１の終端抵抗と、前記第１の終端抵抗の第
１の端子に接続される第１の先端開放のストリップライ
ンおよび前記第１の終端抵抗の第２の端子に接続される
細いスリップラインと、前記細いストリップラインとア
ースとの間に並列に接続される抵抗とコンデンサおよび
前記細いスリップラインの任意の位置に接続される第２
の先端開放のストリップラインとを具備した回路を用い
たことを特徴とするマイクロ波発振回路。 - 【請求項５】細いストリップラインの任意の位置に少な
くとも２つ以上の長さの異なる先端開放のストリップラ
インを接続した終端回路を用いたことを特徴とする請求
項４記載のマイクロ波発振回路。 - 【請求項６】細いストリップラインの任意の同じ位置に
２つの長さの異なる先端開放のストリップラインを接続
した終端回路を用いたことを特徴とする請求項２、３ま
たは５記載のマイクロ波発振回路。 - 【請求項７】能動三端子素子と、前記能動三端子素子の
第１の端子に接続される他の先端開放のストリップライ
ンと第２のチョーク回路と、前記能動三端子素子の第２
の端子に接続される第１のストリップラインと第３のチ
ョーク回路と、前記第１のストリップラインに接続され
る直流阻止回路と、前記直流阻止回路に接続される第２
のストリップラインと、前記第３のチョーク回路とアー
スとの間に接続される第２の抵抗とを具備し、かつ前記
能動三端子素子の第３の端子に誘電体共振器と電磁界結
合しているストリップラインを接続したことを特徴とす
る請求項１、２、３、４、５または６記載のマイクロ波
発振回路。 - 【請求項８】能動三端子素子に電解効果トランジスタを
用い、第１の端子としてドレイン、第２の端子としてソ
ース、第３の端子としてゲートを用いたことを特徴とす
る請求項７記載のマイクロ波発振回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1389888A JPH088448B2 (ja) | 1988-01-25 | 1988-01-25 | マイクロ波発振回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1389888A JPH088448B2 (ja) | 1988-01-25 | 1988-01-25 | マイクロ波発振回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01190010A JPH01190010A (ja) | 1989-07-31 |
| JPH088448B2 true JPH088448B2 (ja) | 1996-01-29 |
Family
ID=11845988
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1389888A Expired - Fee Related JPH088448B2 (ja) | 1988-01-25 | 1988-01-25 | マイクロ波発振回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH088448B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH088449B2 (ja) * | 1989-08-04 | 1996-01-29 | 三菱電機株式会社 | マイクロ波発振器 |
| JP3939726B2 (ja) * | 2005-02-10 | 2007-07-04 | 株式会社神戸製鋼所 | 負性抵抗入力増幅回路及び発振回路 |
-
1988
- 1988-01-25 JP JP1389888A patent/JPH088448B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01190010A (ja) | 1989-07-31 |
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