JPH0888239A - ダイボンディングコレット、それを用いた半導体装置の吸着方法、ダイボンディング方法及びダイボンディング装置 - Google Patents
ダイボンディングコレット、それを用いた半導体装置の吸着方法、ダイボンディング方法及びダイボンディング装置Info
- Publication number
- JPH0888239A JPH0888239A JP6222311A JP22231194A JPH0888239A JP H0888239 A JPH0888239 A JP H0888239A JP 6222311 A JP6222311 A JP 6222311A JP 22231194 A JP22231194 A JP 22231194A JP H0888239 A JPH0888239 A JP H0888239A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor device
- die bonding
- protrusion
- chip
- inner bottom
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/0711—Apparatus therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/0711—Apparatus therefor
- H10W72/07141—Means for applying energy, e.g. ovens or lasers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/073—Connecting or disconnecting of die-attach connectors
Landscapes
- Die Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 異なる矩形ＩＣチップを組み合わせた形状の
ＩＣチップモジュールや、矩形ＩＣチップに突起形状を
有する半導体装置を的確に吸着することができるダイボ
ンディングコレット、それを用いた半導体装置の吸着方
法、ダイボンディング方法及びダイボンディング装置を
提供する。 【構成】 ＩＣチップモジュール１０の第２のＩＣチッ
プ１２に対応し、谷２５が形成される第１の内壁傾斜面
２１，２２と、ＩＣチップモジュール１０の第１のＩＣ
チップ１１の平坦部に対応し、平面が形成される内底面
２３と、この内底面２３の外側に連設される第２の内壁
傾斜面２４と、前記谷２５に形成される第１の吸着穴２
６と、前記内底面２３に形成される第２の吸着穴２７と
を設け、前記第１の内壁傾斜面２１，２２は、ＩＣチッ
プモジュール１０の第２のＩＣチップ１２の各辺と接
し、前記第２の内壁傾斜面２４は、ＩＣチップモジュー
ル１０の第１のＩＣチップ１１の平坦部の最外辺と接す
るようにしたものである。
ＩＣチップモジュールや、矩形ＩＣチップに突起形状を
有する半導体装置を的確に吸着することができるダイボ
ンディングコレット、それを用いた半導体装置の吸着方
法、ダイボンディング方法及びダイボンディング装置を
提供する。 【構成】 ＩＣチップモジュール１０の第２のＩＣチッ
プ１２に対応し、谷２５が形成される第１の内壁傾斜面
２１，２２と、ＩＣチップモジュール１０の第１のＩＣ
チップ１１の平坦部に対応し、平面が形成される内底面
２３と、この内底面２３の外側に連設される第２の内壁
傾斜面２４と、前記谷２５に形成される第１の吸着穴２
６と、前記内底面２３に形成される第２の吸着穴２７と
を設け、前記第１の内壁傾斜面２１，２２は、ＩＣチッ
プモジュール１０の第２のＩＣチップ１２の各辺と接
し、前記第２の内壁傾斜面２４は、ＩＣチップモジュー
ル１０の第１のＩＣチップ１１の平坦部の最外辺と接す
るようにしたものである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、突起形状部を有する半
導体装置のダイボンディングコレット、それを用いた半
導体装置の吸着方法、ダイボンディング方法及びダイボ
ンディング装置に関するものである。
導体装置のダイボンディングコレット、それを用いた半
導体装置の吸着方法、ダイボンディング方法及びダイボ
ンディング装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、このような分野の技術としては、
例えば、特開平３−２５７８３５号に開示されるような
ものがあった。すなわち、従来、ＩＣのダイボンディン
グに用いるコレットは、ＩＣチップの相対する二つの辺
の稜線と、この二つの辺に直交する一方の辺の稜線に当
接する内壁面を有し、かつ、このＩＣチップの他方の辺
側が外方に突出する開口部を有するものであった。
例えば、特開平３−２５７８３５号に開示されるような
ものがあった。すなわち、従来、ＩＣのダイボンディン
グに用いるコレットは、ＩＣチップの相対する二つの辺
の稜線と、この二つの辺に直交する一方の辺の稜線に当
接する内壁面を有し、かつ、このＩＣチップの他方の辺
側が外方に突出する開口部を有するものであった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記形
状のダイボンディングコレットでは、矩形のＩＣチップ
の吸着は可能であっても、異なる矩形ＩＣチップを組み
合わせた形状のＩＣチップモジュール（以下、ＩＣモジ
ュールという）や、矩形ＩＣチップに突起形状を有する
半導体装置を吸着することは不可能であった。
状のダイボンディングコレットでは、矩形のＩＣチップ
の吸着は可能であっても、異なる矩形ＩＣチップを組み
合わせた形状のＩＣチップモジュール（以下、ＩＣモジ
ュールという）や、矩形ＩＣチップに突起形状を有する
半導体装置を吸着することは不可能であった。
【０００４】本発明は、上記問題点を解決するために、
異なる矩形ＩＣチップを組み合わせた形状のＩＣモジュ
ールや、矩形ＩＣチップに突起形状を有する半導体装置
を的確に吸着することができるダイボンディングコレッ
ト、それを用いた半導体装置の吸着方法、ダイボンディ
ング方法及びダイボンディング装置を提供することを目
的とする。
異なる矩形ＩＣチップを組み合わせた形状のＩＣモジュ
ールや、矩形ＩＣチップに突起形状を有する半導体装置
を的確に吸着することができるダイボンディングコレッ
ト、それを用いた半導体装置の吸着方法、ダイボンディ
ング方法及びダイボンディング装置を提供することを目
的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、異なる矩形ＩＣチップを組み合わせた形
状のＩＣモジュールや突起形状を有する矩形ＩＣチップ
などの突起形状部を有する半導体装置を吸着する底面を
有するダイボンディングコレットにおいて、 （１）前記半導体装置（１０）の突起形状部（１２）に
対応し、谷（２５）が形成される第１の内壁傾斜面（２
１，２２）と、前記半導体装置（１０）の平坦部に対応
し、平面が形成される内底面（２３）と、この内底面
（２３）の外側に連設される第２の内壁傾斜面（２４）
と、前記谷（２５）に形成される第１の吸着穴（２６）
と、前記内底面（２３）に形成される第２の吸着穴（２
７）とを設け、前記第１の内壁傾斜面（２１，２２）
は、前記半導体装置（１０）の突起形状部（１２）の各
辺と接し、前記第２の内壁傾斜面（２４）は、前記半導
体装置（１０）の平坦部の最外辺と接するようにしたも
のである。
成するために、異なる矩形ＩＣチップを組み合わせた形
状のＩＣモジュールや突起形状を有する矩形ＩＣチップ
などの突起形状部を有する半導体装置を吸着する底面を
有するダイボンディングコレットにおいて、 （１）前記半導体装置（１０）の突起形状部（１２）に
対応し、谷（２５）が形成される第１の内壁傾斜面（２
１，２２）と、前記半導体装置（１０）の平坦部に対応
し、平面が形成される内底面（２３）と、この内底面
（２３）の外側に連設される第２の内壁傾斜面（２４）
と、前記谷（２５）に形成される第１の吸着穴（２６）
と、前記内底面（２３）に形成される第２の吸着穴（２
７）とを設け、前記第１の内壁傾斜面（２１，２２）
は、前記半導体装置（１０）の突起形状部（１２）の各
辺と接し、前記第２の内壁傾斜面（２４）は、前記半導
体装置（１０）の平坦部の最外辺と接するようにしたも
のである。
【０００６】（２）前記半導体装置（１０）の突起形状
部（１２）に対応し、平面が形成される第１の内底面
（５１）と、前記半導体装置（１０）の平坦部に対応
し、平面が形成される第２の内底面（５３）と、この第
２の内底面（５３）の外側に連設される内壁傾斜面（５
４）と、前記第１の内底面（５１）に形成される第１の
吸着穴（５６）と、前記第２の内底面（５３）に形成さ
れる第２の吸着穴（５７）とを設け、前記第１の内底面
（５１）は、前記半導体装置（１０）の突起形状部（１
２）の上面と接し、前記内壁傾斜面（５４）は、前記半
導体装置（１０）の平坦部の最外辺と接するようにした
ものである。
部（１２）に対応し、平面が形成される第１の内底面
（５１）と、前記半導体装置（１０）の平坦部に対応
し、平面が形成される第２の内底面（５３）と、この第
２の内底面（５３）の外側に連設される内壁傾斜面（５
４）と、前記第１の内底面（５１）に形成される第１の
吸着穴（５６）と、前記第２の内底面（５３）に形成さ
れる第２の吸着穴（５７）とを設け、前記第１の内底面
（５１）は、前記半導体装置（１０）の突起形状部（１
２）の上面と接し、前記内壁傾斜面（５４）は、前記半
導体装置（１０）の平坦部の最外辺と接するようにした
ものである。
【０００７】（３）前記半導体装置（１０）の突起形状
部（１２）に対応し、谷（７４）が形成される内壁傾斜
面（７１，７２）と、前記半導体装置（１０）の平坦部
に対応し、隆起した部分に平面が形成される内底面（７
３）と、前記谷（７４）に形成される第１の吸着穴（７
６）と、前記内底面（７３）に形成される第２の吸着穴
（７７）とを設け、前記内壁傾斜面（７１，７２）は、
前記半導体装置（１０）の突起形状部（１２）の各辺と
接し、前記内底面（７３）は、前記半導体装置（１０）
の平坦部に接するようにしたものである。
部（１２）に対応し、谷（７４）が形成される内壁傾斜
面（７１，７２）と、前記半導体装置（１０）の平坦部
に対応し、隆起した部分に平面が形成される内底面（７
３）と、前記谷（７４）に形成される第１の吸着穴（７
６）と、前記内底面（７３）に形成される第２の吸着穴
（７７）とを設け、前記内壁傾斜面（７１，７２）は、
前記半導体装置（１０）の突起形状部（１２）の各辺と
接し、前記内底面（７３）は、前記半導体装置（１０）
の平坦部に接するようにしたものである。
【０００８】（４）異なる矩形ＩＣチップを組み合わせ
た形状のＩＣモジュールや突起形状を有する矩形ＩＣチ
ップなどの突起形状部を有する半導体装置を吸着する方
法において、請求項１、２又は３記載のダイボンディン
グコレット（３０，４０，６０）を用意し、前記第１の
吸着穴（２６，５６，７６）から前記半導体装置（１
０）の突起形状部（１２）を吸着し、その後、前記第２
の吸着穴（２７，５７，７７）から前記半導体装置（１
０）の平坦部を吸着し、その半導体装置（１０）の全体
を保持するようにしたものである。
た形状のＩＣモジュールや突起形状を有する矩形ＩＣチ
ップなどの突起形状部を有する半導体装置を吸着する方
法において、請求項１、２又は３記載のダイボンディン
グコレット（３０，４０，６０）を用意し、前記第１の
吸着穴（２６，５６，７６）から前記半導体装置（１
０）の突起形状部（１２）を吸着し、その後、前記第２
の吸着穴（２７，５７，７７）から前記半導体装置（１
０）の平坦部を吸着し、その半導体装置（１０）の全体
を保持するようにしたものである。
【０００９】（５）異なる矩形ＩＣチップを組み合わせ
た形状のＩＣモジュールや突起形状を有する矩形ＩＣチ
ップなどの突起形状部を有する半導体装置をダイボンデ
ィングする方法であって、請求項１、２又は３記載のダ
イボンディングコレット（３０，４０，６０）を用意
し、前記半導体装置（１０）をマウント部（９１）にダ
イボンディングするようにしたものである。
た形状のＩＣモジュールや突起形状を有する矩形ＩＣチ
ップなどの突起形状部を有する半導体装置をダイボンデ
ィングする方法であって、請求項１、２又は３記載のダ
イボンディングコレット（３０，４０，６０）を用意
し、前記半導体装置（１０）をマウント部（９１）にダ
イボンディングするようにしたものである。
【００１０】（６）異なる矩形ＩＣチップを組み合わせ
た形状のＩＣモジュールや突起形状を有する矩形ＩＣチ
ップなどの突起形状部を有する半導体装置をダイボンデ
ィングする装置であって、請求項１、２又は３記載のダ
イボンディングコレット（３０，４０，６０）と、この
ダイボンディングコレット（３０，４０，６０）により
前記半導体装置（１０）をトレイ（８０）から搬送する
手段と、この搬送された前記半導体装置（１０）をマウ
ント部（９１）にダイボンディングする手段とを設ける
ようにしたものである。
た形状のＩＣモジュールや突起形状を有する矩形ＩＣチ
ップなどの突起形状部を有する半導体装置をダイボンデ
ィングする装置であって、請求項１、２又は３記載のダ
イボンディングコレット（３０，４０，６０）と、この
ダイボンディングコレット（３０，４０，６０）により
前記半導体装置（１０）をトレイ（８０）から搬送する
手段と、この搬送された前記半導体装置（１０）をマウ
ント部（９１）にダイボンディングする手段とを設ける
ようにしたものである。
【００１１】
【作用】本発明によれば、上記（１）〜（３）のよう
に、ダイボンディングコレットの吸着部の形状を、吸着
物であるＩＣモジュールの凸側辺にそれぞれ接する面を
設け、この部分にて吸着するようにしたので、突起形状
部を有する半導体装置を的確に吸着することができる。
に、ダイボンディングコレットの吸着部の形状を、吸着
物であるＩＣモジュールの凸側辺にそれぞれ接する面を
設け、この部分にて吸着するようにしたので、突起形状
部を有する半導体装置を的確に吸着することができる。
【００１２】また、上記（４）のように、まず、半導体
装置の突起形状部が吸着され、次に半導体装置の平坦部
を吸着し、その半導体装置の全体を保持するようにした
ので、半導体装置の吸着に無理がなく、確実に吸着する
ことができる。更に、上記（５）のように、上記（１）
及び（２）により、半導体装置をマウント部に確実にダ
イボンディングすることができる。
装置の突起形状部が吸着され、次に半導体装置の平坦部
を吸着し、その半導体装置の全体を保持するようにした
ので、半導体装置の吸着に無理がなく、確実に吸着する
ことができる。更に、上記（５）のように、上記（１）
及び（２）により、半導体装置をマウント部に確実にダ
イボンディングすることができる。
【００１３】また、上記（６）のように、上記（１）及
び（２）により、前記半導体装置をトレイから搬送し、
その搬送された前記半導体装置をマウント部にダイボン
ディングすることができるダイボンディング装置を得る
ことができる。
び（２）により、前記半導体装置をトレイから搬送し、
その搬送された前記半導体装置をマウント部にダイボン
ディングすることができるダイボンディング装置を得る
ことができる。
【００１４】
【実施例】以下、本発明の実施例について図を参照しな
がら説明する。図１は本発明の第１実施例を示すダイボ
ンディングコレットの断面図、図２はそのダイボンディ
ングコレットの底面の斜視図である。図１において、１
１は第１のＩＣチップ、１２はその第１のＩＣチップ１
１に組み合わせられた第２のＩＣチップであり、その第
１のＩＣチップ１１と第２のＩＣチップ１２とを組み合
わせて、一体化したＩＣモジュール（突起形状を有する
半導体装置）１０となっている。なお、第１のＩＣチッ
プ１１と第２のＩＣチップ１２との一体化の方法は、周
知の種々の方法を用いればよい。
がら説明する。図１は本発明の第１実施例を示すダイボ
ンディングコレットの断面図、図２はそのダイボンディ
ングコレットの底面の斜視図である。図１において、１
１は第１のＩＣチップ、１２はその第１のＩＣチップ１
１に組み合わせられた第２のＩＣチップであり、その第
１のＩＣチップ１１と第２のＩＣチップ１２とを組み合
わせて、一体化したＩＣモジュール（突起形状を有する
半導体装置）１０となっている。なお、第１のＩＣチッ
プ１１と第２のＩＣチップ１２との一体化の方法は、周
知の種々の方法を用いればよい。
【００１５】一方、３０は本発明の実施例を示すダイボ
ンディングコレットであり、このダイボンディングコレ
ット３０の底面には、図１及び図２に示すように、吸着
部２０を有している。つまり、吸着部２０には、第２の
ＩＣチップ１２の二辺に接する谷２５が形成される第１
の内壁傾斜面２１，２２が形成され、更に、第１のＩＣ
チップ１１の第２のＩＣチップ１２と反対側の辺に接す
る第２の内壁傾斜面２４と、第１のＩＣチップ１１上面
と平行に形成された内底面２３により構成されている。
ンディングコレットであり、このダイボンディングコレ
ット３０の底面には、図１及び図２に示すように、吸着
部２０を有している。つまり、吸着部２０には、第２の
ＩＣチップ１２の二辺に接する谷２５が形成される第１
の内壁傾斜面２１，２２が形成され、更に、第１のＩＣ
チップ１１の第２のＩＣチップ１２と反対側の辺に接す
る第２の内壁傾斜面２４と、第１のＩＣチップ１１上面
と平行に形成された内底面２３により構成されている。
【００１６】また、吸着部２０には、主にＩＣモジュー
ル１０の第２のＩＣチップ１２を吸着するための第１の
内壁傾斜面２１と２２の谷２５に設けられる第１の吸着
穴２６と、ＩＣモジュール１０全体を吸着する内底面２
３に形成される第２の吸着穴２７を有している。以下、
本発明のダイボンディングコレットの動作について説明
する。
ル１０の第２のＩＣチップ１２を吸着するための第１の
内壁傾斜面２１と２２の谷２５に設けられる第１の吸着
穴２６と、ＩＣモジュール１０全体を吸着する内底面２
３に形成される第２の吸着穴２７を有している。以下、
本発明のダイボンディングコレットの動作について説明
する。
【００１７】図３は本発明の第１実施例を示すダイボン
ディングコレットによる吸着工程断面図である。 （１）まず、図３（ａ）に示すように、ＩＣモジュール
１０を吸着するための吸着ステージ３１上に、ＩＣモジ
ュール１０を配置する。この時の配置の方法は特に規定
するものではないが、吸着を確実に実施するためにも、
位置決め機構を有するものが望ましい。
ディングコレットによる吸着工程断面図である。 （１）まず、図３（ａ）に示すように、ＩＣモジュール
１０を吸着するための吸着ステージ３１上に、ＩＣモジ
ュール１０を配置する。この時の配置の方法は特に規定
するものではないが、吸着を確実に実施するためにも、
位置決め機構を有するものが望ましい。
【００１８】次に、ＩＣモジュール１０上に、ダイボン
ディングコレット３０が下降し、ＩＣモジュール１０の
わずか上方にて停止する。 （２）次に、図３（ｂ）に示すように、ダイボンディン
グコレット３０に形成された第１の吸着穴２６により、
ＩＣモジュール１０の第２のＩＣチップ１２側を吸着す
る。
ディングコレット３０が下降し、ＩＣモジュール１０の
わずか上方にて停止する。 （２）次に、図３（ｂ）に示すように、ダイボンディン
グコレット３０に形成された第１の吸着穴２６により、
ＩＣモジュール１０の第２のＩＣチップ１２側を吸着す
る。
【００１９】（３）次に、図３（ｃ）に示すように、ダ
イボンディングコレット３０の第２の吸着穴２７による
吸着を開始する。この時の吸着力は、第１の吸着穴２６
による吸着力よりも強い方が望ましい。第２の吸着穴２
７による吸着が開始すると、ＩＣモジュール１０には、
第１のＩＣチップ１１上の第２のＩＣチップ１２側のａ
部を支点としたモーメントｆが発生する。
イボンディングコレット３０の第２の吸着穴２７による
吸着を開始する。この時の吸着力は、第１の吸着穴２６
による吸着力よりも強い方が望ましい。第２の吸着穴２
７による吸着が開始すると、ＩＣモジュール１０には、
第１のＩＣチップ１１上の第２のＩＣチップ１２側のａ
部を支点としたモーメントｆが発生する。
【００２０】（４）次に、図３（ｄ）に示すように、第
１の吸着穴２６による吸着を終了させると、ＩＣモジュ
ール１０の第２のＩＣチップ１２の相対する二辺と、第
１のＩＣチップ１１側の一辺が、ダイボンディングコレ
ット３０に形成された第１の内壁傾斜面２１，２２と、
第２の内壁傾斜面２４に接し、ＩＣモジュール１０が適
正に保持されることになる。
１の吸着穴２６による吸着を終了させると、ＩＣモジュ
ール１０の第２のＩＣチップ１２の相対する二辺と、第
１のＩＣチップ１１側の一辺が、ダイボンディングコレ
ット３０に形成された第１の内壁傾斜面２１，２２と、
第２の内壁傾斜面２４に接し、ＩＣモジュール１０が適
正に保持されることになる。
【００２１】図４は本発明の第２実施例を示すダイボン
ディングコレットの断面図、図５はそのダイボンディン
グコレットの底面の斜視図である。これらの図に示すよ
うに、この実施例では、ダイボンディングコレット４０
の底面の吸着部５０には、ＩＣモジュール１０の第２の
ＩＣチップ１２に対応し、平面が形成される第１の内底
面５１と、ＩＣモジュール１０の第１のＩＣチップ１１
の平坦部に対応し、平面が形成される第２の内底面５３
と、これらを繋ぐ傾斜面５２と、前記第２の内底面５３
の外側に連設される内壁傾斜面５４と、前記第１の内底
面５１に形成される第１の吸着穴５６と、前記第２の内
底面５３に形成される第２の吸着穴５７とを設け、前記
第１の内底面５１は、前記ＩＣモジュール１０の第２の
ＩＣチップ１２の上面と接し、前記内壁傾斜面５４は前
記ＩＣモジュール１０の第１のＩＣチップ１１の最外辺
と接する。なお、５５は前記第１の内底面５１と傾斜面
５２により形成される稜線である。
ディングコレットの断面図、図５はそのダイボンディン
グコレットの底面の斜視図である。これらの図に示すよ
うに、この実施例では、ダイボンディングコレット４０
の底面の吸着部５０には、ＩＣモジュール１０の第２の
ＩＣチップ１２に対応し、平面が形成される第１の内底
面５１と、ＩＣモジュール１０の第１のＩＣチップ１１
の平坦部に対応し、平面が形成される第２の内底面５３
と、これらを繋ぐ傾斜面５２と、前記第２の内底面５３
の外側に連設される内壁傾斜面５４と、前記第１の内底
面５１に形成される第１の吸着穴５６と、前記第２の内
底面５３に形成される第２の吸着穴５７とを設け、前記
第１の内底面５１は、前記ＩＣモジュール１０の第２の
ＩＣチップ１２の上面と接し、前記内壁傾斜面５４は前
記ＩＣモジュール１０の第１のＩＣチップ１１の最外辺
と接する。なお、５５は前記第１の内底面５１と傾斜面
５２により形成される稜線である。
【００２２】このようなダイボンディングコレットによ
っても、ＩＣモジュール１０が適正に保持されることに
なる。図６は本発明の第３実施例を示すダイボンディン
グコレットの断面図、図７はそのダイボンディングコレ
ットの底面の斜視図である。これらの図に示すように、
この実施例では、ダイボンディングコレット６０の底面
の吸着部７０には、前記ＩＣモジュール１０の第２のＩ
Ｃチップ１２に対応し、谷７４が形成される内壁傾斜面
７１，７２と、前記ＩＣモジュール１０の第１のＩＣチ
ップ１１の平坦部に対応し、隆起した部分に平面が形成
される内底面７３と、前記谷７４に形成される第１の吸
着穴７６と、前記内底面７３に形成される第２の吸着穴
７７とを設け、前記内壁傾斜面７１，７２は、前記ＩＣ
モジュール１０の第２のＩＣチップ１２の各辺と、前記
内底面７３は前記ＩＣモジュール１０の第１のＩＣチッ
プ１１の平坦部に接する。
っても、ＩＣモジュール１０が適正に保持されることに
なる。図６は本発明の第３実施例を示すダイボンディン
グコレットの断面図、図７はそのダイボンディングコレ
ットの底面の斜視図である。これらの図に示すように、
この実施例では、ダイボンディングコレット６０の底面
の吸着部７０には、前記ＩＣモジュール１０の第２のＩ
Ｃチップ１２に対応し、谷７４が形成される内壁傾斜面
７１，７２と、前記ＩＣモジュール１０の第１のＩＣチ
ップ１１の平坦部に対応し、隆起した部分に平面が形成
される内底面７３と、前記谷７４に形成される第１の吸
着穴７６と、前記内底面７３に形成される第２の吸着穴
７７とを設け、前記内壁傾斜面７１，７２は、前記ＩＣ
モジュール１０の第２のＩＣチップ１２の各辺と、前記
内底面７３は前記ＩＣモジュール１０の第１のＩＣチッ
プ１１の平坦部に接する。
【００２３】このようなダイボンディングコレットによ
っても、ＩＣモジュール１０が適正に保持されることに
なる。図８は本発明のダイボンディングコレットを用い
たダイボンディング方法の説明図である。図８（ａ）に
示すように、トレイ８０上に置かれていた図３に示すよ
うな突起形状を有する半導体装置としてのＩＣモジュー
ル１０は、ダイボンディングコレット３０によって吸着
される。
っても、ＩＣモジュール１０が適正に保持されることに
なる。図８は本発明のダイボンディングコレットを用い
たダイボンディング方法の説明図である。図８（ａ）に
示すように、トレイ８０上に置かれていた図３に示すよ
うな突起形状を有する半導体装置としてのＩＣモジュー
ル１０は、ダイボンディングコレット３０によって吸着
される。
【００２４】次に、図８（ｂ）に示すように、搬送され
て、基板９０のマウント部９１にダイボンディングされ
る。なお、ここで、９２は配線導体である。このよう
に、突起形状を有する半導体装置を確実にマウント部に
ダイボンディングすることができる。なお、本発明は、
上記実施例に限定されるものではなく、本発明の趣旨に
基づき種々の変形が可能であり、それらを本発明の範囲
から排除するものではない。
て、基板９０のマウント部９１にダイボンディングされ
る。なお、ここで、９２は配線導体である。このよう
に、突起形状を有する半導体装置を確実にマウント部に
ダイボンディングすることができる。なお、本発明は、
上記実施例に限定されるものではなく、本発明の趣旨に
基づき種々の変形が可能であり、それらを本発明の範囲
から排除するものではない。
【００２５】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よれば、以下のような効果を奏することができる。 （１）請求項１〜３記載の発明によれば、ダイボンディ
ングコレットの吸着部の形状を、吸着物であるＩＣモジ
ュールの凸側辺にそれぞれ接する面を設け、この部分に
て吸着するようにしたので、突起形状部を有する半導体
装置を的確に吸着することができる。
よれば、以下のような効果を奏することができる。 （１）請求項１〜３記載の発明によれば、ダイボンディ
ングコレットの吸着部の形状を、吸着物であるＩＣモジ
ュールの凸側辺にそれぞれ接する面を設け、この部分に
て吸着するようにしたので、突起形状部を有する半導体
装置を的確に吸着することができる。
【００２６】（２）請求項４記載の発明によれば、ま
ず、半導体装置の突起形状部が吸着され、次に半導体装
置の平坦部を吸着し、その半導体装置の全体を保持する
ようにしたので、半導体装置の吸着に無理がなく、確実
に吸着することができる。 （３）請求項５記載の発明によれば、上記（１）及び
（２）により、半導体装置をマウント部に確実にダイボ
ンディングすることができる。
ず、半導体装置の突起形状部が吸着され、次に半導体装
置の平坦部を吸着し、その半導体装置の全体を保持する
ようにしたので、半導体装置の吸着に無理がなく、確実
に吸着することができる。 （３）請求項５記載の発明によれば、上記（１）及び
（２）により、半導体装置をマウント部に確実にダイボ
ンディングすることができる。
【００２７】（４）請求項６記載の発明によれば、上記
（１）及び（２）により、前記半導体装置をトレイから
搬送し、その搬送された前記半導体装置をマウント部に
ダイボンディングすることができるダイボンディング装
置を得ることができる。
（１）及び（２）により、前記半導体装置をトレイから
搬送し、その搬送された前記半導体装置をマウント部に
ダイボンディングすることができるダイボンディング装
置を得ることができる。
【図１】本発明の第１実施例を示すダイボンディングコ
レットの断面図である。
レットの断面図である。
【図２】本発明の第１実施例を示すダイボンディングコ
レットの底面斜視図である。
レットの底面斜視図である。
【図３】本発明の第１実施例のダイボンディングコレッ
トによる吸着工程断面図である。
トによる吸着工程断面図である。
【図４】本発明の第２実施例を示すダイボンディングコ
レットの断面図である。
レットの断面図である。
【図５】本発明の第２実施例を示すダイボンディングコ
レットの底面斜視図である。
レットの底面斜視図である。
【図６】本発明の第３実施例を示すダイボンディングコ
レットの断面図である。
レットの断面図である。
【図７】本発明の第３実施例を示すダイボンディングコ
レットの底面斜視図である。
レットの底面斜視図である。
【図８】本発明の実施例を示すダイボンディング方法の
説明図である。
説明図である。
【符号の説明】 １０ ＩＣモジュール（突起形状を有する半導体装
置） １１ 第１のＩＣチップ １２ 第２のＩＣチップ ２０，５０，７０ 吸着部 ２１，２２ 第１の内壁傾斜面 ２３，７３ 内底面 ２４ 第２の内壁傾斜面 ２５，７４ 谷 ２６，５６，７６ 第１の吸着穴 ２７，５７，７７ 第２の吸着穴 ３０，４０，６０ ダイボンディングコレット ３１ 吸着ステージ ５１ 第１の内底面 ５２ 傾斜面 ５３ 第２の内底面 ５４，７１，７２ 内壁傾斜面 ５５ 稜線 ８０ トレイ ９０ 基板 ９１ マウント部 ９２ 配線導体
置） １１ 第１のＩＣチップ １２ 第２のＩＣチップ ２０，５０，７０ 吸着部 ２１，２２ 第１の内壁傾斜面 ２３，７３ 内底面 ２４ 第２の内壁傾斜面 ２５，７４ 谷 ２６，５６，７６ 第１の吸着穴 ２７，５７，７７ 第２の吸着穴 ３０，４０，６０ ダイボンディングコレット ３１ 吸着ステージ ５１ 第１の内底面 ５２ 傾斜面 ５３ 第２の内底面 ５４，７１，７２ 内壁傾斜面 ５５ 稜線 ８０ トレイ ９０ 基板 ９１ マウント部 ９２ 配線導体
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 北山 憂子 東京都港区虎ノ門１丁目７番12号 沖電気 工業株式会社内
Claims (6)
- 【請求項１】 異なる矩形ＩＣチップを組み合わせた形
状のＩＣモジュールや突起形状を有する矩形ＩＣチップ
などの突起形状部を有する半導体装置を吸着する底面を
有するダイボンディングコレットにおいて、（ａ）前記
半導体装置の突起形状部に対応し、谷が形成される第１
の内壁傾斜面と、（ｂ）前記半導体装置の平坦部に対応
し、平面が形成される内底面と、（ｃ）該内底面の外側
に連設される第２の内壁傾斜面と、（ｄ）前記谷に形成
される第１の吸着穴と、（ｅ）前記内底面に形成される
第２の吸着穴とを設け、（ｆ）前記第１の内壁傾斜面
は、前記半導体装置の突起形状部の各辺と接し、前記第
２の内壁傾斜面は、前記半導体装置の平坦部の最外辺と
接するようにしたことを特徴とするダイボンディングコ
レット。 - 【請求項２】 異なる矩形ＩＣチップを組み合わせた形
状のＩＣモジュールや突起形状を有する矩形ＩＣチップ
などの突起形状部を有する半導体装置を吸着する底面を
有するダイボンディングコレットにおいて、（ａ）前記
半導体装置の突起形状部に対応し、平面が形成される第
１の内底面と、（ｂ）前記半導体装置の平坦部に対応
し、平面が形成される第２の内底面と、（ｃ）該第２の
内底面の外側に連設される内壁傾斜面と、（ｄ）前記第
１の内底面に形成される第１の吸着穴と、（ｅ）前記第
２の内底面に形成される第２の吸着穴とを設け、（ｆ）
前記第１の内底面は、前記半導体装置の突起形状部の上
面と接し、前記内壁傾斜面は、前記半導体装置の平坦部
の最外辺と接するようにしたことを特徴とするダイボン
ディングコレット。 - 【請求項３】 異なる矩形ＩＣチップを組み合わせた形
状のＩＣモジュールや突起形状を有する矩形ＩＣチップ
などの突起形状部を有する半導体装置を吸着する底面を
有するダイボンディングコレットにおいて、（ａ）前記
半導体装置の突起形状部に対応し、谷が形成される内壁
傾斜面と、（ｂ）前記半導体装置の平坦部に対応し、隆
起した部分に平面が形成される内底面と、（ｃ）前記谷
に形成される第１の吸着穴と、（ｄ）前記内底面に形成
される第２の吸着穴とを設け、（ｅ）前記内壁傾斜面
は、前記半導体装置の突起形状部の各辺と接し、前記内
底面は、前記半導体装置の平坦部に接するようにしたこ
とを特徴とするダイボンディングコレット。 - 【請求項４】 異なる矩形ＩＣチップを組み合わせた形
状のＩＣモジュールや突起形状を有する矩形ＩＣチップ
などの突起形状部を有する半導体装置を吸着する方法に
おいて、（ａ）請求項１、２又は３記載のダイボンディ
ングコレットを用意し、（ｂ）前記第１の吸着穴から前
記半導体装置の突起形状部を吸着し、（ｃ）その後、前
記第２の吸着穴から前記半導体装置の平坦部を吸着し、
該半導体装置の全体を保持するようにしたことを特徴と
する半導体装置の吸着方法。 - 【請求項５】 異なる矩形ＩＣチップを組み合わせた形
状のＩＣモジュールや突起形状を有する矩形ＩＣチップ
などの突起形状部を有する半導体装置をダイボンディン
グする方法であって、（ａ）請求項１、２又は３記載の
ダイボンディングコレットを用意し、（ｂ）前記半導体
装置をマウント部にダイボンディングすることを特徴と
するダイボンディング方法。 - 【請求項６】 異なる矩形ＩＣチップを組み合わせた形
状のＩＣモジュールや突起形状を有する矩形ＩＣチップ
などの突起形状部を有する半導体装置をダイボンディン
グする装置であって、（ａ）請求項１、２又は３記載の
ダイボンディングコレットと、（ｂ）該ダイボンディン
グコレットにより前記半導体装置をトレイから搬送する
手段と、（ｃ）該搬送された前記半導体装置をマウント
部にダイボンディングする手段とを備えるダイボンディ
ング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6222311A JPH0888239A (ja) | 1994-09-19 | 1994-09-19 | ダイボンディングコレット、それを用いた半導体装置の吸着方法、ダイボンディング方法及びダイボンディング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6222311A JPH0888239A (ja) | 1994-09-19 | 1994-09-19 | ダイボンディングコレット、それを用いた半導体装置の吸着方法、ダイボンディング方法及びダイボンディング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0888239A true JPH0888239A (ja) | 1996-04-02 |
Family
ID=16780378
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6222311A Withdrawn JPH0888239A (ja) | 1994-09-19 | 1994-09-19 | ダイボンディングコレット、それを用いた半導体装置の吸着方法、ダイボンディング方法及びダイボンディング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0888239A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006100800A (ja) * | 2004-09-06 | 2006-04-13 | Shibaura Mechatronics Corp | チップ部品のピックアップ装置及び実装装置 |
| CN103491717A (zh) * | 2012-06-13 | 2014-01-01 | 信泰光学(深圳)有限公司 | 芯片组装治具 |
-
1994
- 1994-09-19 JP JP6222311A patent/JPH0888239A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006100800A (ja) * | 2004-09-06 | 2006-04-13 | Shibaura Mechatronics Corp | チップ部品のピックアップ装置及び実装装置 |
| CN103491717A (zh) * | 2012-06-13 | 2014-01-01 | 信泰光学(深圳)有限公司 | 芯片组装治具 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0888239A (ja) | ダイボンディングコレット、それを用いた半導体装置の吸着方法、ダイボンディング方法及びダイボンディング装置 | |
| JPH03278554A (ja) | チップトレーの構造 | |
| TWI292482B (en) | Flexible packaging substrate, method of cutting precision test, method of fabricating flexible packaging unit, liquid crystal display module, and method of fabricating of liquid crystal display module | |
| JPH04370957A (ja) | マルチチップパッケージ | |
| JPH0689912A (ja) | 半導体チップ剥離治具及び半導体チップの剥離方法 | |
| JPH088293B2 (ja) | チップ実装装置 | |
| JP2003203736A (ja) | 電気コネクタ | |
| JPH07277388A (ja) | 半導体装置用収納トレー | |
| JPS62263667A (ja) | 電子装置 | |
| JPS6117742U (ja) | 半導体製造装置 | |
| JP2000243761A (ja) | 位置決め用治具 | |
| JPH11307618A (ja) | ベアチップ固定台 | |
| JPH0214238Y2 (ja) | ||
| JPH0717592A (ja) | 搬送用トレイ | |
| JP3015594B2 (ja) | 半導体モジュールチップの実装方法および実装用のコレット | |
| JPS587730U (ja) | 微小パ−ツ整列装置 | |
| JP3273243B2 (ja) | コネクタ実装用のアタッチメント部材 | |
| JP3157871B2 (ja) | 集積回路用ソケット | |
| US20020063370A1 (en) | Chuck for microscopic contacts | |
| JPH06349965A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0922938A (ja) | 半導体チップ用トレー | |
| JPH1167824A (ja) | テープキャリアと半導体素子の組立方法 | |
| JPH0213772U (ja) | ||
| JPS5948039U (ja) | 半導体チツプ用トレイ | |
| JPH05206216A (ja) | テープキャリア、半導体装置実装体及び実装方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20011120 |