JPH0896330A

JPH0896330A - 磁気抵抗効果型磁気ヘッド及び複合型磁気ヘッド

Info

Publication number: JPH0896330A
Application number: JP18284795A
Authority: JP
Inventors: Osamu Ishikawa; 理石川
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1994-07-29
Filing date: 1995-07-19
Publication date: 1996-04-12

Abstract

(57)【要約】【目的】ＭＲ素子の感磁部まで到達する磁束量の増大
を図り、再生出力の向上を実現する。【構成】ＭＲ素子５をＡＢＳ面７に対してその長手方
向が垂直となるように形成した縦型ＭＲヘッドにおい
て、ＭＲ素子５の感磁部側の先端電極３と後端電極４の
端面３ａ，４ａを、それぞれＡＢＳ面７と垂直な方向Ｘ
に対して４５度に傾斜させ、且つ、これら端面３ａ，４
ａを互いに平行とした。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、例えばハードディ
スク駆動装置等に用いて有用な磁気抵抗効果型磁気ヘッ
ド（以下、ＭＲヘッドという。）及び複合型磁気ヘッド
に関し、特に電極の形状に関する。

【０００２】

【従来の技術】ハードディスクを用いた磁気記録の分野
は、ディスクサイズの小型化の方向へ記録密度の増大を
伴いながら進んでいる。かかる分野に用いられる磁気ヘ
ッドの小型化・記録密度の増加に伴い、ヘッドの再生出
力確保のため従来より用いられてきた電磁誘導型磁気ヘ
ッドであるインダクティブ薄膜ヘッド（以下、ＩＮＤヘ
ッドという。）から磁気抵抗効果を利用して再生出力を
得るＭＲヘッドとＩＮＤヘッドを複合化した，いわゆる
記録再生一体型の複合型磁気ヘッド（ＭＲ／ＩＮＤヘッ
ド）への移行が行われつつある。

【０００３】この複合型磁気ヘッドにおいては、磁気抵
抗効果素子（以下、ＭＲ素子という。）を流れる検出電
流の向きから磁気記録媒体に対する対向面（以下、ＡＢ
Ｓ面という。）に平行に流れる横型と、垂直に流れる縦
型の２種類が主流である。横型と縦型の磁気ヘッドとし
ては、例えば、日経エレクトロニクス１９９３．７．１
９、ｎｏ．５８６、１８２ページに記載されるものが開
示されている。

【０００４】縦型は、横型と比較して、静電破壊が起こ
り難く信頼性の面で優れる、再生感度が左右対称にな
る、素子幅が再生トラック幅にほぼ等しくトラック記録
幅とほぼ等しい実効再生トラック幅が得られる、等の点
で横型に比べて有利であるという特徴を持っている。

【０００５】一方、縦型は、横型に対して再生出力が低
くなり易いという欠点がある。縦型が横型に比べて再生
出力が低くなるのは、次のことに基づく。始めに、縦型
ＭＲヘッドの構造について説明する。縦型ＭＲヘッド
は、図１３及び図１４に示すように、ＭＲ素子１０１が
その長手方向をＡＢＳ面１０２に対して垂直となるよう
に、下部シールド磁性体１０３上に絶縁膜１０４を介し
て設けられている。そして、このＭＲ素子１０１上に絶
縁膜１０５を介して該ＭＲ素子１０１を横切る形でバイ
アス導体１０６が設けられ、その上に該ＭＲ素子１０１
を下部シールド磁性体１０３とによって挟み込む形で上
部シールド磁性体（図示は省略する。）が積層された構
成とされている。

【０００６】そしてさらに、ＭＲ素子１０１の長手方向
における先端部と後端部には、先端電極（図示は省略す
る。）と後端電極１０７が設けられている。先端電極
は、ディスクからの磁束をＭＲ素子１０１の感磁部まで
引き込む磁路も兼ねるため、ＡＢＳ面１０２に一側縁を
望ませるようにして図１４に示す斜線領域Ｓに形成され
る。一方、後端電極１０７は、ＭＲ素子１０１の後端部
にその一部が積層されるようにして、ＭＲ素子１０４の
長手方向に沿ってバック側へ引き出されている。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】縦型ＭＲヘッドにおい
ては、ＭＲ素子１０１の感磁部は、先端電極と後端電極
１０７とによって挟み込まれた部分である。この縦型Ｍ
Ｒヘッドでは、その構造上、感磁部がＡＢＳ面１０２か
ら引っ込んだ所、つまり先端電極の後方にあることか
ら、同じ記録トラック上での再生において、感磁部まで
到達する磁束量（記録トラック上から発生する）が少な
い。

【０００８】この磁束量を減少させる要因は、前述の素
子配置の問題と重なるが、ＩＥＥＴＲＡＮＳＡＣＴＩＯ
ＮＭＡＧＮＥＴＩＣＳ、ＶＯＬ．２９、ＮＯ．６、
Ｐ．３８２０〜３８２２に示されるＰｏ−Ｋａｎｇ−Ｗ
ａｎｇの論文にも記してあるように、センス電流をＭＲ
素子に流すことによって生ずるセルフバイアス効果によ
る励磁界Ｈｚが異方性磁界Ｈｋに付加されるためＭＲ素
子を流れる信号磁界の減衰がセンス電流の増加と共に増
加することにある。

【０００９】また、同論文に開示してある式（３）及び
Ｐ．３８２２からも容易に推察できるように信号磁界に
対する線型性を確保するために印加するバイアス磁界に
よるＭＲ素子内の磁化の向きのオフセット角がπ／４
（４５°）あることが減衰を早める大きな原因の１つと
なっている。参考に、上記式（３）を示す。

【００１０】

【数１】

【００１１】そこで本発明は、上述の従来の有する技術
的な課題に鑑みて提案されたものであって、ＭＲ素子の
感磁部まで到達する磁束量の増大を図り、再生出力の向
上を実現するＭＲヘッド及び複合型磁気ヘッドを提供す
ることを目的とする。

【００１２】

【課題を解決するための手段】本発明に係るＭＲヘッド
は、ＡＢＳ面に対して長手方向が垂直に配されたＭＲ素
子を有した，いわゆる縦型ＭＲヘッドである。縦型ＭＲ
ヘッドは、ＡＢＳ面に対して長手方向が垂直となるよう
に配されるＭＲ素子と、このＭＲ素子の先端側に積層さ
れ、その先端側の一側縁がＡＢＳ面に臨む先端電極と、
上記ＭＲ素子の後端側に積層される後端電極と、ＭＲ素
子を含む電気回路と直列に接続されると共に、電流の通
電により発生するバイアス磁界をＭＲ素子の異方性磁界
方向と同一方向に該ＭＲ素子に印加するバイアス導体
と、これら先端電極と後端電極が積層されたＭＲ素子及
びバイアス導体を膜厚方向より挟み込む一対のシールド
磁性体とを有した構成である。この構成に加え、バイア
ス導体をＡＢＳ面に垂直な方向に形成する。また、再生
トラック幅は１μｍ未満とする。

【００１３】そして、上記構成のＭＲヘッドにおいて、
信号磁束の感磁部への引き込み効率を高めるべく、先端
電極と後端電極で挟まれるＭＲ素子の感磁部側における
先端電極と後端電極の端面を共にＡＢＳ面と垂直な方向
に対して傾斜（例えば４５度）とし、且つこれら両電極
の端面を互いに平行とする。また、媒体対向面と垂直な
方向における先端電極の長さに対して、感磁部の長さを
長くする。

【００１４】さらに、上記構成のＭＲヘッドの上に記録
ヘッドであるインダクティブヘッドを積層した複合型磁
気ヘッドにも適用する。

【００１５】本発明においては、ＭＲ素子の感磁部側に
おける先端電極の端面形状をＡＢＳ面と垂直な方向に対
して４５度としているため、傾斜させた分、先端電極の
ＡＢＳ面と垂直な方向での長さが短くなり、その分感磁
部がＡＢＳ面に近づくことなる。そのため、媒体からの
信号磁束が感磁部に効率良く引き込まれ、再生出力の向
上が図られる。

【００１６】また、先端電極のみならず後端電極の端面
形状がＡＢＳ面と垂直な方向に対して４５度とされ、且
つ、これら電極の端面形状が平行とされていることか
ら、感磁部に流れるセンス電流はＭＲ素子の異方性磁界
方向と同一方向に印加されるバイアス磁界に対して４５
度となる。したがって、信号磁界に対する線型性が確保
されたうえ、バイア磁界によるオフセット量が零とな
り、感磁部に到達する信号磁束量の増加が図れ、再生出
力の向上が実現される。

【００１７】また、媒体対向面と垂直な方向における先
端電極の長さに対して、感磁部の長さが長いので、セン
ス電流はＭＲ素子に対して斜行して流れることなく、当
該ＭＲ素子の非線型性が保たれる。

【００１８】

【発明の実施の形態】以下、本発明を適用した具体的な
実施の形態について、図面を参照しながら詳細に説明す
る。

【００１９】ＭＲヘッドは、図１に示すように、図示し
ないスライダーの一側面上に形成される一対のシールド
磁性体１，２と、これらシールド磁性体１，２間に先端
電極３と後端電極４が積層されてなるＭＲ素子５と、こ
のＭＲ素子５にバイアス磁界を印加するバイアス導体６
とを有して構成されている。

【００２０】なお以下、下層に形成されるシールド磁性
体１を下部シールド磁性体１、上層に形成されるシール
ド磁性体２を上部シールド磁性体２という。

【００２１】ＭＲ素子５は、上部シールド磁性体２を省
略して示す図２のように、例えば平面形状が略長方形パ
ターンとして形成され、その長手方向がＡＢＳ面７に対
して垂直となるように設けられている。そして、このＭ
Ｒ素子５は、例えばパーマロイ等の強磁性体薄膜からな
り、下部シールド磁性体１上に下層ギャップ膜として機
能する絶縁膜８を介して蒸着やスパッタリング等の真空
薄膜形成手段によって形成されている。

【００２２】上記ＭＲ素子５は、パーマロイよりなる薄
膜素子の単層膜であってもよいが、例えばＳｉＯ₂等よ
りなる非磁性の絶縁層を介して静磁的に結合する一対の
薄膜素子を積層した積層膜構造であってもよい。積層膜
構造とすれば、バルクハウゼンノイズの発生を回避する
ことができる。

【００２３】先端電極３は、その一側縁がＡＢＳ面７に
臨むようにしてＭＲ素子５の先端部に直接積層され、こ
のＭＲ素子６と電気的に接続されるようになっている。
かかる先端電極３は、ＭＲ素子５にセンス電流を通電す
る電極としての機能を有する他、再生用磁気ギャップの
上層ギャップ膜としても機能するようになっている。一
方、後端電極４は、ＭＲ素子５の後端部の一部に重なる
ようにして積層され、ＭＲ素子５の長手方向に対して斜
め後方へと引き出されている。

【００２４】これら先端電極３と後端電極４は、いずれ
も先端電極３と後端電極４で挟まれるＭＲ素子５の感磁
部側における先端電極３と後端電極４の端面３ａ，４ａ
における形状が、ＡＢＳ面７と垂直な方向Ｘに対して４
５度をなす傾斜面とされ、且つこれら両電極３，４の端
面３ａ，４ａが互いに平行とされている。これら電極
３，４の端面３ａ，４ａをＡＢＳ面７と垂直な方向Ｘに
対して４５度とするのは、以下の理由に述べる。

【００２５】バイアス導体６は、電流の通電により発生
するバイアス磁界をＭＲ素子５の異方性磁界方向Ｈｋと
同一方向に、このＭＲ素子５に印加するためのものであ
る。異方性磁界方向Ｈｋは、ＡＢＳ面７と平行な方向，
言い換えるとＭＲ素子５の短辺方向である。このため、
バイアス導体６は、ＡＢＳ面７に対して垂直な方向であ
ってＭＲ素子５の真上に、該ＡＢＳ面７よりバック側へ
と引き出されている。また、バイアス導体６の先端部
は、先端電極３の上に積層され、該先端電極３と電気的
に接続されている。その結果、ＭＲ素子５を含む電気回
路とバイアス導体６とは直列に接続された形とされる。
なお、バイアス導体６は、ＭＲ素子５上に絶縁膜９を介
して積層されている。

【００２６】そして、上記ＭＲ素子５を上下方向から挟
み込む形で設けられる一対のシールド磁性体１，２は、
ＭＲ素子５から離れた位置の媒体からの磁界の影響を受
けないようにするシールドとして機能するもので、例え
ばパーマロイやセンダスト等によって形成されている。

【００２７】下部シールド磁性体１は、上記ＡＢＳ面７
にその一側縁を臨ませるようにして、このＡＢＳ面７に
対して垂直方向に延在して設けられている。一方、これ
に対向して設けられる上部シールド磁性体２は、先の下
部シールド磁性体１と同様に上記ＡＢＳ面７にその一側
縁を臨ませるようにして、このＡＢＳ面７に対して垂直
にバック側へ延在して設けられている。この上部シール
ド磁性体２は、ＡＢＳ面７側で先端電極３に対して上層
再生ギャップ膜として機能する絶縁膜１０を介して積層
され、バック側で下部シールド磁性体１に対して直接接
続されている。上記構成のＭＲヘッドを製造するには、
先ず図３に示すように、下部シールド磁性体１の上に絶
縁膜８を成膜する。そして、下部シールド磁性体１が上
部シールド磁性体２と接続する部分に成膜される絶縁膜
８をエッチング等によって図４に示すように平面矩形状
に取り除く。

【００２８】次に、上記絶縁膜８の上に長手方向がＡＢ
Ｓ面７に対して垂直となるようにＭＲ素子５を形成す
る。このとき、再生トラック幅を１μｍ未満とすること
から、ＭＲ素子５のパターン幅Ｗを１μｍ未満とする。

【００２９】次いで、図５に示すように、ＭＲ素子５の
長手方向における先端部と後端部にそれぞれ先端電極３
と後端電極４を形成する。先端電極３と後端電極４を形
成するに際しては、図６に示すように、ＭＲ素子５の感
磁部側における先端電極３と後端電極４の端面３ａ，４
ａにおける形状を、ＡＢＳ面７と垂直な方向Ｘに対して
４５度をなすように傾斜させると共に、且つ、これら端
面３ａ，４ａを互いに平行となるようにする。

【００３０】次に、図７に示すように、ＭＲ素子５を覆
って絶縁膜９を成膜する。そして、ＡＢＳ面７側の先端
電極３の一部と後述するバイアス導体６を接続させるた
めに、絶縁膜９の一部をエッチングによって除去する。

【００３１】そして、図１に示すように、バイアス導体
６をＡＢＳ面７に対して垂直にＭＲ素子５の真上に積層
し、ＡＢＳ面７側において先端電極３に直接積層する。
最後に、絶縁膜１０を介して上部シールド磁性体２を積
層することでＭＲヘッドが完成する。

【００３２】ＭＲ／ＩＮＤヘッドである複合型磁気ヘッ
ドを製造するには、この上部シールド磁性体２の上に絶
縁膜を介してスパイラル状の導体コイルを形成した後、
記録用コアを積層する。その結果、上部シールド磁性体
２と記録用コアとによって閉磁路を構成する記録ヘッド
が完成する。この複合型磁気ヘッドは、一対のシールド
磁性体１，２と記録用コアを有することから、いわゆる
３ポール構造のＭＲ／ＩＮＤヘッドと称される。

【００３３】ここで、先端電極３と後端電極４の端面３
ａ，４ａをＡＢＳ面７と垂直な方向Ｘに対して４５度と
する理由は、以下の通りである。縦型ＭＲヘッドでの出
力アップには、媒体からの信号磁束をＭＲ素子の感磁部
まで効率良く到達させることが必要不可欠である。その
ため、（ａ）ＭＲ素子そのものの透磁率が充分に高いこ
と、（ｂ）ＭＲ素子をできるだけＡＢＳ面に近づけるこ
と、（ｃ）バイアス磁界によるオフセット量θ₀を零に
することが要求される。

【００３４】このうち、（ａ）は特に縦型ＭＲヘッドに
限ったことではないが、縦型ＭＲヘッドで問題となるの
は、（ｂ）と（ｃ）に関連した事項である。ＭＲ素子が
磁場による電気抵抗の変化により、媒体からの信号を読
み取る以上、同素子に何らの形で電流（センス電流）を
流す必要がある。このことは、特にセンス電流が直流で
ある限り導体と素子を電気的にコンタクトさせるリード
電極を必要とする。このリード電極のうち（ｂ）に関し
て問題となるのは、従来の縦型ＭＲヘッドでは必然的に
ＡＢＳ面に１つのリード電極（先端電極）を持ってこざ
るを得ない。

【００３５】そこで問題となるのは、この先端電極のＡ
ＢＳ面と垂直な方向の長さである。この長さは、理論的
には、ＭＲ素子の厚みと同等の大きさまで低減可能であ
るが、実際問題として先端電極形成時のＭＲ素子上の絶
縁膜のドライエッチング等による穴開け工程時に生ずる
先端電極のばらつき及びＡＢＳ面の加工時のばらつき等
により、先端電極のＡＢＳ面と垂直な方向の長さが０．
７μｍ±０．２５μｍ程の幅を必要とする。

【００３６】この先端電極の長さを短くするためには、
図２又は図６に示すように、先端電極３の感磁部側の端
面３ａの形状を、ＡＢＳ面７と垂直な方向Ｘに対して４
５度をなす傾斜面とする。このように先端電極３を形成
することにより、ＡＢＳ面７からＭＲ素子５の感磁部ま
での磁路上に配置する長さ（つまり、先端電極３の長
さ）を従来と比べて約１／１．４（１／√２）まで小さ
くできる。その結果、先端電極３の端面３ａをＡＢＳ面
７に対して平行な従来構造のものに比べ、傾斜させた
分、感磁部がＡＢＳ面７に近づくことになる。

【００３７】また、後端電極４の感磁部側の端面４ａの
形状は、先端電極３と同じくＡＢＳ面７と垂直な方向Ｘ
に対して４５度をなす傾斜面とする。そしてさらに、こ
れら先端電極３と後端電極４の感磁部側の端面３ａ，４
ａを互いに平行となるようにする。

【００３８】このように、先端電極３と後端電極４の端
面３ａ，４ａを斜めにすると共に、これら端面３ａ，４
ａを互いに平行にすると、センス電流Ｉｓが図２に示す
ように、ＭＲ素子５の異方性磁界Ｈｋに対して４５度を
なす方向に流れることになる。このとき、ＭＲ素子５に
印加するバイアス磁界の方向が該ＭＲ素子５の異方性磁
界Ｈｋと同一方向であるから、信号磁界に対する線型性
が確保されたうえ、オフセット量θ₀を零にすることが
できる。したがって、前述した（３）式における励磁界
Ｈｚの寄与を小さくでき、媒体からの感磁部への信号磁
束の引き込みを効率良く行うことができる。

【００３９】また、このＭＲヘッドにおいて、ＭＲ素子
の線型性を担保するために、ＡＢＳ面７と垂直な方向Ｘ
における先端電極３の長さをＬ、ＭＲ素子５の感磁部の
長さをＳとしたときに、Ｌ＜Ｓとする。より好ましく
は、２Ｌ≦Ｓとする。このような関係とするのは、例え
ば図９に示すようにＬ＞Ｓとした場合、実線に示すよう
にセンス電流ＩｓがＭＲ素子５に対して斜行して流れ、
該ＭＲ素子５の非線型性の減少を招くためである。本
来、縦型のＭＲヘッドでは、図９中破線で示した方向に
センス電流Ｉｓが流れるのが望ましい。このような方向
にセンス電流Ｉｓを流すためには、図１０に示すよう
に、ＡＢＳ面７と垂直な方向Ｘにおける先端電極３の長
さＬに対して、ＭＲ素子５の感磁部の長さＳを長くす
る。

【００４０】なお、上述した例では、先端電極３及び後
端電極４の感磁部側における端面３ａ，４ａを単に斜め
としたが、図１１及び図１２に示すように、尖頭状とし
てもよい。かかる場合においても、ＭＲ素子の線型性を
担保するために、ＡＢＳ面７と垂直な方向Ｘにおける先
端電極３の長さＬに対して、ＭＲ素子５の感磁部の長さ
Ｓを長くする。

【００４１】

【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明によれば、ＭＲ素子の感磁部側における先端電極と後
端電極の端面形状をいずれもＡＢＳ面と垂直な方向に対
して４５度とし、且つこれら電極の端面を互いに平行と
しているため、傾斜させた分先端電極のＡＢＳ面と垂直
な方向での長さが短くなり、その分感磁部をＡＢＳ面に
近づけることができる。また、バイアス磁界によるオフ
セット量を零とすることができることから、媒体からの
信号磁束を感磁部へと効率良く引き込むことが可能とな
り、再生出力の向上を実現できる。

【００４２】さらに、本発明によれば、媒体対向面と垂
直な方向における先端電極の長さに対して、感磁部の長
さが長いので、センス電流はＭＲ素子に対して斜行して
流れることなく、本来縦型ＭＲヘッドで望ましい方向に
流れ、当該ＭＲ素子の非線型性を保つことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】ＭＲヘッドの断面図である。

【図２】上部シールド磁性体を取り除いた状態のＭＲヘ
ッドの概略平面図である。

【図３】ＭＲヘッドを製造する工程を順次示すもので、
ＭＲ素子形成工程を示す断面図である。

【図４】ＭＲヘッドを製造する工程を順次示すもので、
ＭＲ素子形成工程を示す平面図である。

【図５】ＭＲヘッドを製造する工程を順次示すもので、
電極形成工程を示す断面図である。

【図６】ＭＲヘッドを製造する工程を順次示すもので、
電極形成工程を示す概略平面図である。

【図７】ＭＲヘッドを製造する工程を順次示すもので、
絶縁膜形成工程を示す断面図である。

【図８】ＭＲヘッドを製造する工程を順次示すもので、
絶縁膜形成工程を示す概略平面図である。

【図９】先端電極の長さＬに対して感磁部の長さＳを短
くしたときのセンス電流の流れる様子を示す模式図であ
る。

【図１０】先端電極の長さＬに対して感磁部の長さＳを
長くしたときのセンス電流の流れる様子を示す模式図で
ある。

【図１１】先端電極を尖頭状とし、その先端電極の長さ
Ｌに対して感磁部の長さＳを長くしたときのセンス電流
の流れる様子を示す模式図である。

【図１２】先端電極を図１１とは逆向きの尖頭状とし、
その先端電極の長さＬに対して感磁部の長さＳを長くし
たときのセンス電流の流れる様子を示す模式図である。

【図１３】従来のＭＲヘッドの断面図である。

【図１４】従来のＭＲヘッドの平面図である。

【符号の説明】

１下部シールド磁性体２上部シールド磁性体３先端電極４後端電極５ＭＲ素子６バイアス導体７ＡＢＳ面

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】磁気記録媒体との対向面に対して長手方
向が垂直となるように配される磁気抵抗効果素子と、磁気抵抗効果素子の先端側に積層され、その先端側の一
側縁が媒体対向面に臨む先端電極と、磁気抵抗効果素子の後端側に積層される後端電極と、磁気抵抗効果素子を含む電気回路と直列に接続されると
共に、電流の通電により発生するバイアス磁界を磁気抵
抗効果素子の異方性磁界方向と同一方向に該磁気抵抗効
果素子に印加するバイアス導体と、先端電極と後端電極が積層された磁気抵抗効果素子及び
バイアス導体を膜厚方向より挟み込む一対のシールド磁
性体とを備えてなり、先端電極と後端電極で挟まれる磁気抵抗効果素子の感磁
部側における電極の端面が共に媒体対向面と垂直な方向
に対して傾斜されると共に、これら両電極の端面が互い
に平行であることを特徴とする磁気抵抗効果型磁気ヘッ
ド。
【請求項２】傾斜された両電極の端面が媒体対向面と
垂直な方向に対して４５度とされていることを特徴とす
る請求項１記載の磁気抵抗効果型磁気ヘッド。
【請求項３】バイアス導体が媒体対向面に垂直な方向
に形成されていることを特徴とする請求項１記載の磁気
抵抗効果型磁気ヘッド。
【請求項４】再生トラック幅が１μｍ未満であること
を特徴とする請求項１記載の磁気抵抗効果型磁気ヘッ
ド。
【請求項５】媒体対向面と垂直な方向における先端電
極の長さをＬ、感磁部の長さをＳとしたときに、Ｌ＜Ｓ
であることを特徴とする請求項１記載の磁気抵抗効果型
磁気ヘッド。
【請求項６】請求項１ないし５のうち少なくともいず
れか１記載の磁気抵抗効果型磁気ヘッドの上に薄膜磁気
ヘッドよりなる記録ヘッドが積層されたことを特徴とす
る複合型磁気ヘッド。