JPH0897004A - チップ抵抗器 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】製造工程が容易で、特に２次オーバーガラス層
のカケやクラックを有効に抑え、さらに、マウント装置
での吸着信頼性が維持できるチップ抵抗器を提案する。 【構成】本発明のチップ抵抗器１０は、矩形状のセラミ
ック基板１の長手方向の両端辺に端子電極２ａ、２ｂ
を、セラミック基板１の表面に該端子電極２ａ、２ｂと
接続するように厚膜抵抗体膜３を、該厚膜抵抗体膜３上
に端子電極２ａ、２ｂを露出するように１次オーバーガ
ラス被覆層４、２次オーバーガラス層５を夫々配置して
成るチップ抵抗器１０において、前記２次オーバーガラ
ス層５は、セラミック基板１の端子電極２ａ、２ｂを形
成した端辺と直交する端辺にまで延出するとともに、そ
の厚みが、厚膜抵抗体膜３部分では厚く、前記基板１端
辺部分では薄くなっている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、オーバーガラスのカケ
などが少なく、且つ吸引保持に優れたチップ抵抗器に関
するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来より、チップ抵抗器は、図５、図
６、図７示すように、矩形状のセラミック基板１の相対
向する一対の端辺（以下、短辺側端辺という）に端子電
極２ａ、２ｂが形成されており、そのセラミック基板１
の表面に、厚膜抵抗体膜３、１次オーバーガラス４、２
次オーバーガラス５０が夫々形成されていた。尚、厚膜
抵抗体膜３は、両端子電極の表面側導体に接続してお
り、１次オーバーガラス４は、厚膜抵抗体膜３のレーザ
ートリミング時の衝撃を緩和するために厚膜抵抗体膜３
を被覆するように、また、２次オーバーガラス５０は、
少なくとも厚膜抵抗体膜３に形成したトリミング溝３ａ
を完全に覆うために形成されていた。

【０００３】その製造方法の一例は、まず、複数のセラ
ミック基板１が抽出できるように分割溝を縦横に形成し
た大型セラミック基板を用意し、分割溝に区画された各
素子領域に各種厚膜技法を用いて、端子電極２ａ、２
ｂ、厚膜抵抗体膜３、オーバーガラス層４、５０を形成
する。

【０００４】具体的には、各領域の短辺側端辺部分の表
面及び裏面に、端子電極２ａ、２ｂとなる導体膜をＡｇ
系導電性ペーストの印刷焼きつけにより形成する。

【０００５】次に、端子電極２ａ、２ｂとなる表面側導
体膜に跨がるように、厚膜抵抗体膜３を、酸化ルテニウ
ムを主成分とする抵抗ペーストを用いて印刷・焼きつけ
により形成する。

【０００６】次に、厚膜抵抗体膜３上にホウ珪酸鉛系の
ガラスペーストで、１次オーバーガラス層４を印刷・焼
きつけにより形成する。

【０００７】次に、表面側の導体膜に抵抗値測定用プロ
ーブを当てて、厚膜抵抗体膜３の抵抗値をモニタリング
しながら、レーザー光線などを照射して、厚膜抵抗体膜
３の一部にトリミング溝３ａを形成して、厚膜抵抗体膜
３の抵抗値を所定値に調整する。

【０００８】その後、１次オーバーガラス層４上に、ホ
ウ珪酸鉛系のガラスペーストで、２次オーバーガラス層
５０を印刷・焼きつけにより形成する。

【０００９】次に、端子電極２ａ、２ｂを形成した短辺
側端面が露出するように、大型セラミック基板を短冊状
に１次分割を行う。

【００１０】次に、分割されて露出する端面に、端子電
極２ａ、２ｂの表面側の導体膜と裏面側の導体膜とが接
続するように、端面の導体膜をＡｇ系導電性ペーストの
印刷焼きつけにより形成する。

【００１１】次に、端子電極２ａ、２ｂを形成した短辺
側端辺と直交する相対向するもう一対の端辺（以下、長
辺側端辺という）の分割溝を２次分割処理して、短冊状
基板を個々のチップ抵抗器に分割する。

【００１２】最後に、端子電極の表面に、Ｎｉメッキや
半田メッキなどの表面メッキ層を形成する。

【００１３】このようなチップ抵抗器において、１次オ
ーバーガラス層４、２次オーバーガラス層５０は、端子
電極２ａ、２ｂを露出し、且つ厚膜抵抗体膜３を完全に
覆うように形成され、その端部は、二次分割される長辺
側端辺にまで延出していた。

【００１４】即ち、大型セラミック基板上で、１次オー
バーガラス層４、２次オーバーガラス層５０を形成する
場合には、ガラスペーストを分割溝を越えて隣接する素
子領域に跨がるようにして形成していた。

【００１５】しかし、このような構造であると１次オー
バーガラス層４、２次オーバーガラス層５０は、２次分
割時にセラミック基板１と一緒に分割処理されることに
なり、分割時の機械的な衝撃により、特に、ガラス層５
０にクラックやカケなどが発生することがあった。この
ようなクラック、カケなどが発生してしまうと、チップ
抵抗器の製造工程においては、端子電極２ａ、２ｂ表面
に表面メッキ層を形成する際のメッキ液が含浸したり、
使用中においては湿気などが含浸してしまい、種々の悪
影響を与える。

【００１６】例えば、メッキ液が含浸した場合、プリン
ト配線基板にチップ抵抗器を半田接合する際に、半田の
溶融熱によりメッキ液が膨張・爆発してしまったり、ま
た、湿気が含浸した場合、トリミングによる抵抗値調整
後の抵抗値が変動してしまうことがある。

【００１７】また、別の従来のチップ抵抗器は、１次オ
ーバーガラス層に比較して膜厚が厚い２次オーバーガラ
ス層を、セラミック基板の長辺側端辺にまで達しないパ
ターンに形成していた。即ち、大型セラミック基板上
に、２次オーバーガラス層を形成する際には、基板の長
辺側端辺（分割溝）に到達しないように、その素子領域
内で独立させるようにして形成していた。

【００１８】このような構造では、２次オーバーガラス
層のカケやクラックの発生を防止できるものであった。

【００１９】

【発明が解決しようとする課題】しかし、このように２
次オーバーガラス層を分割溝にまで達しないように形成
することは、印刷ずれなどを考慮すると困難であり、し
かも、０．５ｍｍ×１．０ｍｍのチップ抵抗器の超小型
化されている近年では非常に困難である。

【００２０】また、２次オーバーガラス層を分割溝にま
で達しないように形成すると、その表面の平坦部分の面
積は大きく減少してしまい、チップ抵抗器のマウント装
置で、プリント配線基板の所定位置に吸着して配置する
場合、吸着信頼性が減少してしまうことになる。

【００２１】本発明は上述の問題点に鑑みて案出された
ものであり、その目的は、製造工程が容易で、特に２次
オーバーガラス層のカケやクラックを有効に抑え、さら
に、マウント装置での吸着信頼性が維持できるチップ抵
抗器を提案するこことにある。

【００２２】

【課題を解決するための手段】本発明のチップ抵抗器
は、矩形状セラミック基板の相対向する１対の両端辺に
端子電極を、セラミック基板の表面に該端子電極と接続
するように厚膜抵抗体膜を、該厚膜抵抗体膜上に前記端
子電極を露出するようにして１次オーバーガラス被覆
層、２次オーバーガラス層を夫々配置して成るチップ抵
抗器において、前記２次オーバーガラス層は、セラミッ
ク基板の相対向するもう一対の端辺にまで延出してお
り、且つその厚みが、厚膜抵抗体膜部分に比較して、前
記延出した端辺部分で薄くなっている。

【００２３】

【作用】本発明によれば、２次オーバーガラス層が、端
子電極を形成した基板の相対向する一対の端辺と直交す
るもう一対の端辺にまで達して形成されることになるた
め、例えば、大型セラミック基板上に２次オーバーガラ
ス層を形成する際に、隣接する素子領域を区画する分割
溝に跨がって形成することができ、その製造工程が容易
となる。しかも、２次オーバーガラス層の表面の平坦部
分の面積が減少することがないため、マウント装置での
吸着信頼性が維持できる。

【００２４】また、２次オーバーガラス層が到達する基
板の端辺側においては、その厚みが薄くなっているた
め、分割処理に２次オーバーガラス層に発生するクラッ
クやカケなどを有効に抑えることができる。

【００２５】このため、ガラス層にメッキ液が含浸した
り、湿気が含浸したりすることがなく、特性の変動の少
ない取扱が安全なチップ抵抗器となる。

【００２６】

【実施例】以下、本発明のチップ抵抗器を図面に基づい
て詳説する。

【００２７】図１は、本発明のチップ抵抗器の平面図で
あり、図２は図１中のＡ−Ａ線断面を示す図であり、図
３は図１中のＢ−Ｂ線断面図である。尚、図５〜図７に
示すした従来のチップ抵抗器と同一部分は同一符号を付
して説明する。

【００２８】本発明のチップ抵抗器は、矩形状セラミッ
ク基板１、基板１の相対向する一対の端辺部分に形成さ
れた端子電極２ａ、２ｂ、該端子電極２ａ、２ｂに跨が
るように配置された厚膜抵抗体膜３、該厚膜抵抗体膜３
を被覆する１次オーバーガラス層４、該１次オーバーガ
ラス層４を被覆する２次オーバーガラス層５とから構成
されている。尚、図に示すチップ抵抗器は、端子電極２
ａ、２ｂを形成した基板１の相対向する端辺は、もう一
対の端辺よりも短いため、説明上、「短辺側端辺」とい
い、端子電極２ａ、２ｂが形成されていない端辺を「長
辺側端辺」という。

【００２９】セラミック基板１は、基板厚み０．３ｍｍ
のアルミナなどのセラミックからなる。

【００３０】端子電極２ａ、２ｂは、セラミック基板１
の短辺側端辺部分の表面、端面、裏面に渡り形成されて
いる。具体的には、Ａｇ系導電性ペーストの印刷焼きつ
けにより形成される。尚、端子電極２ａ、２ｂの表面に
は、端子電極２ａ、２ｂの半田食われを防止し、半田濡
れ性を向上させるための表面メッキ層が形成されてい
る。

【００３１】厚膜抵抗体膜３は、セラミック基板１の表
面に、前記端子電極２ａ、２ｂの表面側の導体膜に重畳
するように、例えば、酸化ルテニウムなどを主成分とす
る抵抗体ペーストの印刷・焼きつけにより形成される。

【００３２】１次オーバーガラス層４は、厚膜抵抗体膜
３上に、少なくともレーザートリミングされる位置を含
むように被覆されている。この膜厚は５〜１０μｍ程度
であり、ホウ珪酸鉛系などの低融点ガラスを主成分とす
るガラスペーストを印刷・焼きつけすることにより形成
される。その形状は、好ましくは１次オーバーガラス層
４の長手方向の寸法は、厚膜抵抗体膜３の長手方向の寸
法よりも、少なくとも５０μｍ程度短くなっている。こ
れは、１次オーバーガラス層４の印刷時、印刷ずれが生
じても、この１次オーバーガラス層４によって、端子電
極２ａ、２ｂの露出面積を狭くしないためである。ま
た、長手方向と直交する幅に関しては、基板１の全幅に
わたり形成されている。

【００３３】この１次オーバーガラス層４が形成された
後、厚膜抵抗体膜３の抵抗値を調整するためのトリミン
グ処理が行われ、その結果、１次オーバーガラス層４及
び厚膜抵抗体膜３の一部にトリミング溝３ａが形成され
る。具体的には、端子電極２ａ、２ｂの表面側の導体膜
に抵抗値測定用のプーロブが当てて、厚膜抵抗体膜３の
抵抗値を測定しながら、所定抵抗値になるようにレーザ
ー光線を照射して、１次オーバーガラス層４及び厚膜抵
抗体膜３の一部を除去することによって行われる。

【００３４】２次オーバーガラス層５は、１次オーバー
ガラス層４及び厚膜抵抗体膜３に形成されたトリミング
溝を被覆するために、１次オーバーガラス層４及び厚膜
抵抗体膜３を完全に覆うように形成される。具体的には
ホウ珪酸鉛系などの低融点ガラスを主成分とするガラス
ペーストを印刷・焼きつけすることにより形成される。
その形状は、基板１の短辺側端辺においては、１次オー
バーガラス層４及び厚膜抵抗体膜層３を完全に被覆する
ように形成され、さらに、基板の長辺側端辺に関して
は、その端辺に到達するように形成されている。

【００３５】ここで、２次オーバーガラス層５の膜厚
は、実質的に厚膜抵抗体膜３を被覆する基板１の中央部
分と、長辺側端辺にまで延出する部分では、その膜厚が
異なり、基板１の中央部分の厚膜は１０〜２０μｍであ
り、長辺側端辺部分では１０μｍ以下となっている。

【００３６】次に、上述の構造のチップ抵抗器の製造方
法を説明する。

【００３７】まず、上述の所定形状のセラミック基板１
が複数抽出できる大型セラミック基板を用意する。ここ
で、所定形状のセラミック基板１は、大型セラミック基
板の表面及び又は裏面に形成された縦横に延びる分割溝
に複数の素子領域に区画されている。

【００３８】次に、各素子領域の短辺側端辺部の表面側
及び裏面側に、端子電極２ａ、２ｂとなる導体膜を形成
する。具体的には、Ａｇ系（Ａｇ単体、Ａｇ−Ｐｄなど
のＡｇ合金）を主成分とする導電性ペーストの印刷・８
５０℃程度の焼きつけにより形成される。

【００３９】次に、各素子領域の表面に、端子電極２
ａ、２ｂとなる表面側の導体膜に端部が重畳するよう
に、厚膜抵抗体膜３を形成する。具体的には、酸化ルテ
ニウムを主成分とする抵抗体ペーストの印刷・８５０℃
程度の焼きつけにより形成される。

【００４０】次に、各素子領域の幅方向の分割溝を介し
て隣接する各領域に連続して、厚膜抵抗体膜３の少なく
ともトリミング部分を覆うように１次オーバーガラス層
４を、ホウ珪酸鉛系の低融点ガラスペーストを印刷・８
５０℃の焼きつけにより形成する。

【００４１】次に、各素子領域において、端子電極２
ａ、２ｂの表面側の導体膜に抵抗値測定用のプーロブを
当てて、厚膜抵抗体膜３の抵抗値を測定しながら、１次
オーバーガラス層４を介してレーザー照射して、厚膜抵
抗体膜３の一部を除去し、トリミング溝３ａを形成し
て、所定抵抗値にまで調整を行う。

【００４２】次に、各素子領域の幅方向の分割溝を介し
て隣接する各領域に連続して、各領域の１次オーバーガ
ラス層４、厚膜抵抗体膜３を完全に覆うすよに、２次オ
ーバーガラス層５をホウ珪酸鉛系の低融点ガラスペース
トを印刷・８５０℃の焼きつけにより形成する。

【００４３】この時、２次オーバーガラス層５は、厚膜
抵抗体膜３上部分の膜厚が１０〜２０μｍ、各領域の長
辺側端辺部分で１０μｍ以下と膜厚を変える必要があ
る。この膜厚を達成する方法としては、図４に示すよう
に、２次オーバーガラス層５となるガラス塗布膜５１を
形成した際のパターンを制御することによって達成され
る。図４では、分割溝１１・・・、１２・・・によって
区画された各素子領域を有する大型セラミック基板１０
上に、２次オーバーガラス層５となるガラス塗布膜５１
は、基板の幅方向に隣接する各素子領域に連続して形成
される。ここで、ガラス塗布膜５１は、基板の幅方向に
隣接する各素子領域を区画する２次分割される分割溝１
２上に、所定形状の開口部５１ａ・・・が形成されてい
る。具体的には、開口部５１ａ・・・の形状は、分割溝
１２・・・が延びる方向が長辺となる長円形、菱形状、
矩形状、楔状三角形状などとなるように形成される。

【００４４】これにより、低融点ガラスペーストのダレ
により、開口部５１の周囲では、この開口部５１ａを埋
めるようになり、その結果、２次オーバーガラス層５に
おいて、分割溝１２上の部分では膜厚を薄くすることが
できる。これは、開口部５１ａの面積と、この開口部５
１ａに流れ込む領域の面積を考慮して全体の膜厚を制御
することにより、分割溝１２上の部分において１０μｍ
以下の薄い膜厚の２次オーバーガラス層５を達成するこ
とができる。

【００４５】即ち、２次オーバーガラス層５となるガラ
ス塗布膜５１を印刷した後、開口部５１ａにガラスペー
ストのダレが流れ込むまで暫く放置して、乾燥処理し、
焼きつけ処理することにより形成する。

【００４６】次に、図４に示す端電極２ａ、２ｂとなる
短辺側端辺の分割溝１１に沿って、大型セラミック基板
１０を１次分割処理して、大型セラミック基板を短冊状
基板となる。

【００４７】次に、短冊状基板の分割端面が露出するよ
うに整列させて、この分割端面に、端子電極２ａ、２ｂ
となる表面側の導体膜、と裏面側の導体膜とが接続する
ように端面導体膜を、Ａｇ形導電性ペーストの印刷によ
り形成する。これにより、一応、表面、端面、裏面の３
面に渡る端子電極２ａ、２ｂが達成される。

【００４８】次に、２次オーバーガラス層５が被覆され
ている分割溝（図４では「１２」）に沿って２次分割処
理を行う。この時、セラミック基板１、１次及び２次オ
ーバーガラス層４、５も同時に分割されることになる
が、特に２次オーバーガラス層５は、従来の２次オーバ
ーガラス層５０に比較して膜厚が非常に薄くなっている
ので、機械的な応力により、分割処理したとしても、２
次オーバーガラス層５の分割部分に発生するカケやクラ
ックを有効に抑えることができる。

【００４９】最後に、上述のように２次分割により、個
々に分割されたチップ抵抗器をメッキ処理を行い、２次
オーバーガラス層５から露出している端子電極２ａ、２
ｂの表面に、Ｎｉメッキ層やハンダメッキ層の表面メッ
キ層を形成する。

【００５０】以上のように、本発明によれば、基板の長
辺側端辺にまで２次オーバーガラス層５が延出してい
る。このため、製造工程においては、基板の長辺側端辺
を規制する分割溝１２に隣接する素子領域にわたり、一
連に２次オーバーガラス層５を形成することができるた
め、従来の後者の技術に比較して製造工程が容易とな
る。

【００５１】また、従来の後者の技術のように、セラミ
ック基板の何れの端辺にも延出することのない２次オー
バーガラス層を形成した場合、ガラスペーストの表面張
力により、その表面の曲率が非常に小さくなり、チップ
抵抗器のマウント装置における吸着信頼が低くなってし
まっていたのに対して、本発明では、厚膜抵抗体膜３の
表面の２次オーバーガラス層５の表面が比較的平坦面が
増大し、マウント装置における吸着信頼性が大きく向上
する。

【００５２】また、本発明の２次オーバーガラス層５で
は、厚膜抵抗体膜３の上部においては、トリミング溝３
ａを修復し、メッキ液の浸入を防ぐに必要な膜厚とな
り、しかも、基板の長辺側端辺では２次分割処理時にお
ける安定した分割が可能な薄い膜厚とすることができる
ため、２次分割時の２次オーバーガラス層５のカケ、ク
ラックなどを有効に抑えることができ、安定した抵抗値
特性が得られ、取扱が安全なチップ抵抗器となる。

【００５３】尚、上述の実施例では、２つの端子電極間
に１つの厚膜抵抗体膜を形成したチップ抵抗器で説明し
たが、セラミック基板上に、複数対の端子電極を形成
し、その対どうし間に複数の厚膜抵抗体膜を形成した多
連チップ抵抗器や、１つの端子電極と対を成す複数の端
子電極を形成し、その複数の端子電極と１つの端子電極
間に複数の厚膜抵抗体膜を形成したチップ状ネットワー
ク抵抗器などにも広く用いることができる。また、実施
例では、チップ抵抗器で説明したため、一般に基板の短
辺側端辺に端子電極が形成されるが、上述の多連チップ
抵抗器、ネットワーク抵抗器は長辺側端辺に端子電極膜
が形成されることがある。本発明でいう相対向するもう
一対の端辺とは、端子電極が形成されていない端辺をい
うものである。

【００５４】

【発明の効果】以上のように、本発明のチップ抵抗器に
よれば、厚膜抵抗体膜を被覆する２次オーバーガラス層
が、基板の相対向するもう一対の端辺（実施例では、長
辺側端辺）にまで達しており、その製造にあたっては、
隣接する領域のチップ抵抗器と連続して形成することが
できるため、製造工程が簡略化する。

【００５５】しかも、２次オーバーガラス層の膜厚は、
厚膜抵抗体膜の上部では厚く、基板の幅方向の端辺部分
では薄くなっている。このため、厚膜抵抗体膜に形成さ
れたトリミング溝を完全に修復し、安定して保護するこ
とができ、しかもその表面を平坦面とすることができ、
同時に、基板の相対向するもう一対の端辺では、分割時
の機械的な応力により、カケやクラックを有効に抑える
ことができる。

【００５６】さらに、厚膜抵抗体膜の上部の２次オーバ
ーガラス層の表面が平坦な面として、比較的広くなるた
め、チップ抵抗器のマウント装置における吸着信頼性が
向上する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のチップ抵抗器の平面図である。

【図２】図１中Ａ−Ａ線断面を示す図である。

【図３】図１中Ｂ−Ｂ線断面を示す図である。

【図４】本発明のチップ抵抗器の主要製造工程における
平面図である。

【図５】従来のチップ抵抗器の平面図である。

【図６】図５中Ｘ−Ｘ線断面を示す図である。

【図７】図５中Ｙ−Ｙ線断面を示す図である。

【符号の説明】

１・・・セラミック基板 ２ａ、２ｂ・・・・端子電極 ３・・・厚膜抵抗体膜 ４・・・１次オーバーガラス層 ５・・・２次オーバーガラス層

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 矩形状セラミック基板の相対向する１対
   の両端辺に端子電極を、セラミック基板の表面に該端子
   電極と接続するように厚膜抵抗体膜を、該厚膜抵抗体膜
   上に前記端子電極を露出するようにして１次オーバーガ
   ラス被覆層、２次オーバーガラス層を夫々配置して成る
   チップ抵抗器において、 前記２次オーバーガラス層は、セラミック基板の相対向
   するもう一対の端辺にまで延出しており、且つその厚み
   が、厚膜抵抗体膜の上部に比較して前記延出した端辺部
   分で薄くなっていることを特徴とするチップ抵抗器。