JPH0897392A - Ｃｃｄ固体撮像装置およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 スミアの増大をおこすことなく光感度の向上
を実現できる、ＣＣＤ固体撮像装置を提供する。 【構成】 フォトダイオード部を構成するｎ型拡散層１
３の上に、欠陥によるノイズを低減するためのノイズ低
減用ｐ型拡散層１４が形成されている。ノイズ低減用ｐ
型拡散層１４は、受光面側に形成された不純物濃度が相
対的に高い高濃度領域１４ａとフォトダイオード部側に
形成された不純物濃度が相対的に低い低濃度領域１４ｂ
とからなる。この構造により、受光時の電位分布が受光
面近傍において常に正の勾配をもち、光電効果により発
生した信号電荷がスミア成分となる確率が押さえられ
る。そのため、光感度を向上させるためにノイズ低減用
ｐ型拡散層１４の不純物濃度を下げても、スミアが増大
することがない。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、ＣＣＤ固体撮像装置お
よびその製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】以下、従来のＣＣＤ固体撮像装置につい
て説明する。

【０００３】図５は、従来のＣＣＤ固体撮像装置の断面
構造を示している。図５において、１１はｎ型半導体基
板、１２はｎ型半導体基板１１の表面部に形成された第
１のｐ型ウェル領域、１３はｎ型拡散層、１４はノイズ
低減用ｐ型拡散層、１５は第２のｐ型ウェル領域、１６
はｎ型ウェル領域、１７は分離用ｐ型拡散層、１８はゲ
ート酸化膜、１９はゲート電極、２０は遮光膜、２１は
アルミ遮光部、２２は保護膜であって、第１のｐ型ウェ
ル領域１２およびｎ型拡散層１３によって、光電変換を
行い信号電荷を生成するフォトダイオード部が構成さ
れ、第２のｐ型ウェル領域１５およびｎ型ウェル領域１
６によって、信号電荷を転送する電荷転送部が構成され
ている。

【０００４】以下、前記のように構成されたＣＣＤ固体
撮像装置の動作を説明する。ノイズ低減用ｐ型拡散層１
４の上方から光が入射すると、ノイズ低減用ｐ型拡散層
１４、ｎ型拡散層１３および第１のｐ型ウェル領域１２
において光電変換がおこなわれ、電子・ホール対が発生
する。発生した電子は、前記フォトダイオード部のｎ型
拡散層１３に集まり、信号電荷として蓄積される。次
に、ゲート電極１９にパルス信号が印加されると、信号
電荷は、前記電荷転送部のｎ型ウェル領域１６に読み出
された後、外部取り出し段まで転送され、外部に取り出
される。これにより、各ＣＣＤ固体撮像素子に入射した
光の強度を判定することができる。

【０００５】ここで、ノイズ低減用ｐ型拡散層１４は、
ＣＣＤ固体撮像装置製造の際に基板表面付近に形成され
た欠陥によるノイズを低減するためのものであり、ｎ型
拡散層１３の上にｐ型拡散層を形成することによって、
ｎ型拡散層１３の上部が空乏化することを防いでいる。
ノイズ低減用ｐ型拡散層１４は、ゲート電極１９をマス
クとしてイオン注入を行うことにより形成される。

【０００６】ノイズ低減用ｐ型拡散層１４の形成におい
て留意すべき点は２つある。

【０００７】１つは、不純物濃度をあまり高くしてはい
けないということである。ノイズ低減用ｐ型拡散層１４
の不純物濃度が高いときには、ホール濃度も高くなり、
このため、ホールと光電変換により発生した電子とが再
結合する確率が増大するので、信号電荷の消滅が起こり
やすくなる。これによって、ＣＣＤ固体撮像装置の光感
度が低下する。

【０００８】特に短波長領域においては、吸収係数が大
きいので、ほとんどすべての光子が、ｎ型拡散層１３ま
で達することなくノイズ低減用ｐ型拡散層１４内におい
て光電変換される。したがって、ノイズ低減用ｐ型拡散
層１４の不純物濃度が高いと、大部分の信号電荷が消滅
してしまうことになり、短波長領域における光感度が著
しく低下する。

【０００９】もう１つは、ノイズ低減用ｐ型拡散層１４
は基板表面に形成される欠陥の分布位置よりも十分深く
形成されていなければならないということである。も
し、ノイズ低減用ｐ型拡散層１４が十分深く形成されて
いなければ、欠陥の存在する領域は空乏化し、ノイズが
低減できない。

【００１０】以上説明したように、ノイズ低減用ｐ型拡
散層１４が低濃度でかつ深い構造を有していることが、
高感度かつ低ノイズのＣＣＤ固体撮像装置を実現するた
めの条件となる。

【００１１】イオン注入法では、ドーズ量と注入エネル
ギーによって、形成する不純物拡散層の不純物濃度と深
さとを調整することができる。したがって、低濃度でか
つ深い構造を有する不純物拡散層を形成するためには、
低ドーズかつ高注入エネルギーのイオン注入を行えばよ
い。

【００１２】従来の技術においては、ドーズ量６×１０
¹³／ｃｍ² 程度、注入エネルギー５０ｋｅＶ程度の条件
でボロンを注入することにより、低濃度でかつ深い構造
を有するノイズ低減用ｐ型拡散層１４を形成するという
方法がとられている。

【００１３】

【発明が解決しようとする課題】ノイズ低減用ｐ型拡散
層１４が欠陥の分布位置に対して十分深く形成されてい
る場合、光感度の面から考えると、その不純物濃度はで
きるだけ低いほうがよいということになる。

【００１４】しかしながら、前記従来技術において、ノ
イズ低減用ｐ型拡散層１４の不純物濃度を下げるために
前記条件よりもドーズ量を減らしてボロンを注入する
と、スミアの増大という新たな問題が発生する。

【００１５】図６は、前記条件よりもドーズ量を減らし
てボロンを注入したときの、ノイズ低減用ｐ型拡散層１
４における基板深さ方向の内部特性を示しており、図５
のＤ−Ｅ線における状態を示している。図６において、
ａはゲート酸化膜１９とノイズ低減用ｐ型拡散層１４と
の境界、ｂはノイズ低減用ｐ型拡散層１４とｎ型拡散層
１３との境界である。以下、ａの位置を受光面と呼ぶ。

【００１６】この場合、基板深さ方向の不純物濃度分布
は、ノイズ低減用ｐ型拡散層１４内において正のピーク
をもつ。したがって、ホール濃度分布もノイズ低減用ｐ
型拡散層１４内において正のピークをもつ。この結果、
ホールの拡散電位差により、受光時の電位分布は負のピ
ークをもつことになる。すなわち、受光面近傍におい
て、受光時の電位分布は負の勾配をもつ。

【００１７】この電位分布により、受光面近傍において
光電変換により発生した電子は、基板深さ方向に移動し
にくくなり、受光面近傍に留ってしまう。受光面近傍に
留った電子は、やがて拡散によって受光面近傍を横方向
に移動し、電荷転送部のｎ型ウェル領域１６まで到達す
る。この電子は、いわゆるスミア現象の原因となるもの
であり、スミアの増大が起こる。

【００１８】以上説明したように、従来の技術では、ノ
イズ低減用ｐ型拡散層１４をさらに低濃度化しようとす
ると、スミアの増大という問題を招いてしまう。このた
め、さらなる光感度の向上が実現できないことになる。

【００１９】本発明は、前記従来技術の問題を解決する
もので、従来どおりノイズを低減させたまま、スミアの
増大をひきおこすことなく光感度のさらなる向上を実現
できるＣＣＤ固体撮像装置およびその製造方法を提供す
ることを目的とする。

【００２０】

【課題を解決するための手段】前記の目的を達成するた
め、本発明は、ＣＣＤ固体撮像装置のノイズ低減用ｐ型
拡散層を、不純物濃度が相対的に高い受光面側の領域と
不純物濃度が相対的に低いフォトダイオード部側の領域
とから構成することにより、ノイズ低減用ｐ型拡散層内
における不純物濃度分布が正のピークをもたないように
し、受光面近傍において受光時の電位分布が負の勾配を
もたないようにするものである。

【００２１】具体的に請求項１の発明が講じた手段は、
ｎ型不純物拡散層を有し光電変換により信号電荷を生成
するフォトダイオード部と、信号電荷を転送する電荷転
送部と、前記フォトダイオード部のｎ型不純物拡散層の
上に形成されノイズを低減するためのノイズ低減用ｐ型
不純物拡散層とを備えたＣＣＤ固体撮像装置を前提と
し、前記ノイズ低減用ｐ型不純物拡散層は、受光面側に
形成された不純物濃度が相対的に高い高濃度領域とフォ
トダイオード部側に形成された不純物濃度が相対的に低
い低濃度領域とからなる構成とするものである。

【００２２】請求項２の発明は、請求項１の発明に係る
固体撮像装置の製造方法であって、具体的には、ｎ型不
純物拡散層を有し光電変換により信号電荷を生成するフ
ォトダイオード部と、信号電荷を転送する電荷転送部
と、前記フォトダイオード部のｎ型不純物拡散層の上に
形成されノイズを低減するためのノイズ低減用ｐ型不純
物拡散層とを備えたＣＣＤ固体撮像装置の製造方法を対
象とし、前記フォトダイオード部のｎ型不純物拡散層
に、ドーズ量が相対的に低く注入エネルギーが相対的に
高い第１のイオン注入と、ドーズ量が相対的に高く注入
エネルギーが相対的に低い第２のイオン注入とを行うこ
とにより、前記フォトダイオード部のｎ型不純物拡散層
の上に、受光面側に位置する不純物濃度が相対的に高い
高濃度領域とフォトダイオード部側に位置する不純物濃
度が相対的に低い低濃度領域とからなるノイズ低減用ｐ
型拡散層を形成する工程を備えている構成とするもので
ある。

【００２３】請求項３の発明は、請求項２の発明の構成
に、前記第１のイオン注入は、ドーズ量が４×１０¹²／
ｃｍ² 〜２×１０¹³／ｃｍ² 、注入エネルギーが８０ｋ
ｅＶ〜１４０ｋｅＶの条件でボロンを用いて行い、前記
第２のイオン注入は、ドーズ量が３×１０¹³／ｃｍ² 〜
１０¹⁴／ｃｍ² 、注入エネルギーが３０ｋｅＶ〜５０ｋ
ｅＶの条件でボロンを用いて行う構成を付加するもので
ある。

【００２４】

【作用】請求項１の構成により、ノイズ低減用ｐ型拡散
層は、受光面側に位置する不純物濃度が相対的に高い高
濃度領域とフォトダイオード部側に位置する不純物濃度
が相対的に低い低濃度領域とから構成されるので、ノイ
ズ低減用ｐ型拡散層内の不純物濃度分布は正のピークを
もつことはない。

【００２５】このため、光感度を向上するためにノイズ
低減用ｐ型拡散層の不純物濃度をさらに低くしても、受
光時の電位分布は負のピークをもつことはない。すなわ
ち、受光面近傍において、受光時の電位分布はかならず
正の勾配をもつ。このことにより、スミアの増大が抑制
される。

【００２６】また、欠陥位置に対しては十分に深いノイ
ズ低減用ｐ型拡散層が形成されるので、従来どおりノイ
ズを低減することができる。

【００２７】請求項２の構成により、フォトダイオード
部のｎ型不純物拡散層に、ドーズ量が相対的に低く注入
エネルギーが相対的に高い第１のイオン注入と、ドーズ
量が相対的に高く注入エネルギーが相対的に低い第２の
イオン注入とを行うので、受光面側に位置する不純物濃
度が相対的に高い高濃度領域とフォトダイオード部側に
位置する不純物濃度が相対的に低い低濃度領域とからな
るノイズ低減用ｐ型拡散層が形成される。

【００２８】請求項３の構成により、ドーズ量が４×１
０¹²／ｃｍ² 〜２×１０¹³／ｃｍ²、注入エネルギーが
８０ｋｅＶ〜１４０ｋｅＶの条件でボロンを用いて第１
のイオン注入を行い、ドーズ量が３×１０¹³／ｃｍ² 〜
１０¹⁴／ｃｍ² 、注入エネルギーが３０ｋｅＶ〜５０ｋ
ｅＶの条件でボロンを用いて第２のイオン注入を行うの
で、受光面側に位置する不純物濃度が相対的に高い高濃
度領域とフォトダイオード部側に位置する不純物濃度が
相対的に低い低濃度領域とからなるノイズ低減用ｐ型拡
散層が確実に形成される。

【００２９】

【実施例】以下、本発明の一実施例について、図面を参
照しながら説明する。

【００３０】図１は、本発明の一実施例に係るＣＣＤ固
体撮像装置の断面構造を示している。図１において、１
１はｎ型半導体基板、１２はｎ型半導体基板１１の表面
部に形成された第１のｐ型ウェル領域、１３はｎ型拡散
層、１４はノイズ低減用ｐ型拡散層、１５は第２のｐ型
ウェル領域、１６はｎ型ウェル領域、１７は分離用ｐ型
拡散層、１８はゲート酸化膜、１９はゲート電極、２０
は遮光膜、２１はアルミ遮光部、２２は保護膜であっ
て、第１のｐ型ウェル領域１２およびｎ型拡散層１３に
よって、光電変換を行い信号電荷を生成するフォトダイ
オード部が構成され、第２のｐ型ウェル領域１５および
ｎ型ウェル領域１６によって、信号電荷を転送する電荷
転送部が構成されている。

【００３１】ノイズ低減用ｐ型拡散層１４は、ＣＣＤ固
体撮像装置の製造時に基板表面付近に形成される欠陥に
よるノイズを低減するためのものであって、本実施例の
特徴として、受光面側に位置する不純物濃度が相対的に
高い高濃度領域１４ａとｎ型拡散層１３側に位置する不
純物濃度が相対的に低い低濃度領域１４ｂとからなる。

【００３２】図２は、図１のＡ−Ｂ−Ｃ線における不純
物濃度分布を示している。図２において、３０はノイズ
低減用ｐ型拡散層１４の高濃度領域１４ａに、３１はノ
イズ低減用ｐ型拡散層１４の低濃度領域１４ｂに、３２
はｎ型拡散層１３に、３３は第１のｐ型ウェル領域１２
に、それぞれ対応している。

【００３３】また、図３は、図１のＡ−Ｂ線における、
不純物濃度、ホール濃度および受光時の電位の分布を示
している。図２および図３において、ａはゲート酸化膜
１９とノイズ低減用ｐ型拡散層１４との境界すなわち受
光面を示し、ｂはノイズ低減用ｐ型拡散層１４とｎ型拡
散層１３との境界を示している。

【００３４】本実施例において、ノイズ低減用ｐ型拡散
層１４における基板深さ方向の不純物濃度は、図２およ
び図３に示すように、受光面付近で最も高く、内部に向
かうにしたがって次第に低くなる。受光面側に高濃度領
域１４ａを形成したことにより、不純物濃度はノイズ低
減用ｐ型拡散層１４内において正のピークをもつことは
なく、あくまでも受光面直近で最大となる。

【００３５】このため、ホール濃度分布も受光面直近で
最大となり、ノイズ低減用ｐ型拡散層１４内において正
のピークをもたない。この結果、受光時の電位分布は、
ホールの拡散電位差のために、受光面直近で最小となり
受光面近傍において常に正の勾配をもつ。

【００３６】したがって、受光面近傍で光電変換により
発生した電子は、フォトダイオード部へ容易に移動する
ことができ、受光面近傍にとどまる確率は大幅に減少す
る。すなわち、スミア現象を抑制することができる。

【００３７】光感度を向上させるためにノイズ低減用ｐ
型拡散層１４の不純物濃度をさらに下げる場合でも、高
濃度領域１４ａと低濃度領域１４ｂとの、それぞれの濃
度と深さとを調整して、図２および図３に示すような、
正のピークを持たない不純物濃度分布を保っておけば、
スミアの増大をひきおこすことはない。また、欠陥の分
布位置に対してノイズ低減用ｐ型拡散層１４を充分深く
形成できるので、従来どおりノイズも低減できる。

【００３８】したがって、本実施例により、スミアの増
大をひきおこすことなく、また従来どおりノイズも低減
したまま、ＣＣＤ固体撮像装置の光感度をさらに向上さ
せることが可能になる。

【００３９】以下、前記構造の固体撮像装置の製造方法
におけるノイズ低減用ｐ型拡散層１４の形成工程につい
て説明する。

【００４０】図４（ａ）は、ノイズ低減用ｐ型拡散層１
４を形成するためボロン注入を行う直前のＣＣＤ固体撮
像装置の断面構造を示している。ｎ型半導体基板１１の
上に、第１のｐ型ウェル領域１２、ｎ型拡散層１３、第
２のｐ型ウェル領域１５、ｎ型ウェル領域１６、分離用
ｐ型拡散層１７、ゲート酸化膜１８およびゲート電極１
９が、すでに形成されている。

【００４１】ノイズ低減用ｐ型拡散層１４の形成工程と
しては、ゲート電極１９をマスクとしてボロンを用いた
イオン注入を２回行った後、９００℃〜１１００℃の熱
処理を行うことにより、ノイズ低減用ｐ型拡散層１４を
形成する。図４（ｂ）は、この工程直後のＣＣＤ固体撮
像装置の断面構造を示している。受光面側に高濃度領域
１４ａが、フォトダイオード部側に低濃度領域１４ｂが
形成される。

【００４２】２回のイオン注入は、ドーズ量：４×１０
¹²／ｃｍ² 〜２×１０¹³／ｃｍ² 、注入エネルギー：８
０ｋｅＶ〜１４０ｋｅＶの条件による第１のイオン注入
と、ドーズ量：３×１０¹³／ｃｍ² 〜１０¹⁴／ｃｍ² 、
注入エネルギー：３０ｋｅＶ〜５０ｋｅＶの条件による
第２のイオン注入とからなる。なお、このイオン注入の
条件範囲は、ゲート酸化膜１８の膜厚が３０ｎｍ〜１０
０ｎｍの範囲内で、ノイズ低減用ｐ型拡散層１４の高濃
度領域１４ａが基板表面から内部側へ０．１μｍ〜０．
３μｍ程度の深さまで到達し、ノイズ低減用ｐ型拡散層
１４の低濃度領域１４ｂが基板表面から内部側へ０．４
μｍ〜０．７μｍ程度の深さまで到達するように、シミ
ュレーションおよび実験により最適化したものである。

【００４３】ノイズ低減用ｐ型拡散層１４を形成した
後、遮光膜２０、アルミ遮光部２１および保護膜２２を
形成し、ＣＣＤ固体撮像装置を完成する。図４（ｃ）
は、完成したＣＣＤ固体撮像装置の断面構造を示してい
る。

【００４４】

【発明の効果】請求項１の発明に係るＣＣＤ固体撮像装
置によると、装置製造時にできる欠陥によるノイズを低
減するためのノイズ低減用ｐ型拡散層を、受光面側に位
置する不純物濃度の相対的に高い高濃度領域とフォトダ
イオード部側に位置する不純物濃度の相対的に低い低濃
度領域とから構成したため、受光面直近の不純物濃度が
必ず最大になり、受光時の電位分布は受光面近傍におい
て常に正の勾配をもつため、光電変換により発生した電
子がフォトダイオードｎ型拡散層へ移動しやすくなり、
拡散によりスミア成分となる確率は小さくなる。

【００４５】したがって、光感度を向上させるためノイ
ズ低減用ｐ型拡散層の不純物濃度をさらに下げても、ス
ミアの増大をひきおこさない。つまり、ノイズ、スミア
を従来技術の水準に維持しつつ、光感度を向上させるこ
とができる。特に、短波長領域での光感度を飛躍的に向
上させることができる。

【００４６】実際には、従来技術のノイズレベル、スミ
アレベルを維持しつつ、青色で２０％程度、緑色で１０
％程度、光感度を向上させることができた。この結果、
青色光の感度を緑色光の感度と同程度にすることが可能
となり、高感度、広帯域分光特性を有するＣＣＤ固体撮
像装置が提供できようになった。

【００４７】請求項２の発明に係るＣＣＤ固体撮像装置
の製造方法によると、ドーズ量が相対的に低く注入エネ
ルギーが相対的に高い第１のイオン注入と、ドーズ量が
相対的に高く注入エネルギーが相対的に低い第２のイオ
ン注入とを行うことにより、受光面側に位置する不純物
濃度が相対的に高い高濃度領域とフォトダイオード部側
に位置する不純物濃度が相対的に低い低濃度領域とから
なるノイズ低減用ｐ型拡散層を形成できるので、請求項
１の発明に係るＣＣＤ固体撮像装置を簡易かつ確実に製
造することができる。

【００４８】請求項３の発明に係るＣＣＤ固体撮像装置
の製造方法によると、ドーズ量：４×１０¹²／ｃｍ² 〜
２×１０¹³／ｃｍ² 、注入エネルギー：８０ｋｅＶ〜１
４０ｋｅＶの条件でボロンを用いて第１のイオン注入を
行い、ドーズ量：３×１０¹³／ｃｍ² 〜１０¹⁴／ｃ
ｍ² 、注入エネルギー：３０ｋｅＶ〜５０ｋｅＶの条件
でボロンを用いて第２のイオン注入を行うことにより、
受光面側に位置する不純物濃度が相対的に高い高濃度領
域とフォトダイオード部側に位置する不純物濃度が相対
的に低い低濃度領域とからなるノイズ低減用ｐ型拡散層
を確実に形成できるので、請求項１の発明に係るＣＣＤ
固体撮像装置を簡易かつより確実に製造することができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例に係るＣＣＤ固体撮像装置の
断面図である。

【図２】前記一実施例に係るＣＣＤ固体撮像装置におけ
る、ノイズ低減用ｐ型拡散層、ｎ型拡散層および第１の
ｐ型ウェル領域の半導体基板深さ方向の不純物濃度分布
を示す図であって、図１のＡ−Ｂ−Ｃ線における状態を
示している。

【図３】前記一実施例に係るＣＣＤ固体撮像装置におけ
る、ノイズ低減用ｐ型拡散層の基板深さ方向の不純物濃
度、ホール濃度および受光時の電位の分布を示す図であ
って、図１のＡ−Ｂ線における状態を示している。

【図４】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の一実施例に係るＣ
ＣＤ固体撮像装置の製造方法の各工程を示す断面図であ
る。

【図５】従来のＣＣＤ固体撮像装置の断面図である。

【図６】前記従来のＣＣＤ固体撮像装置における、ノイ
ズ低減用ｐ型拡散層の基板深さ方向の不純物濃度、ホー
ル濃度および受光時の電位の分布を示す図であって、図
５のＤ−Ｅ線における状態を示している。

【符号の説明】

１１ ｎ型半導体基板 １２ 第１のｐ型ウェル領域 １３ ｎ型拡散層 １４ ノイズ低減用ｐ型拡散層 １４ａ 高濃度領域 １４ｂ 低濃度領域 １５ 第２のｐ型ウェル領域 １６ ｎ型ウェル領域 １７ 分離用ｐ型拡散層 １８ ゲート酸化膜 １９ ゲート電極 ２０ 遮光膜 ２１ アルミ遮光部 ２２ 保護膜 ３０ ノイズ低減用ｐ型拡散層１４の高濃度領域１４ａ
の基板深さ方向の不純物濃度分布 ３１ ノイズ低減用ｐ型拡散層１４の低濃度領域１４ｂ
の基板深さ方向の不純物濃度分布 ３２ ｎ型拡散層１３の基板深さ方向の不純物濃度分布 ３３ 第１のｐ型ウェル領域１２の基板深さ方向の不純
物濃度分布

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ｎ型不純物拡散層を有し光電変換により
   信号電荷を生成するフォトダイオード部と、信号電荷を
   転送する電荷転送部と、前記フォトダイオード部のｎ型
   不純物拡散層の上に形成されノイズを低減するためのノ
   イズ低減用ｐ型不純物拡散層とを備えたＣＣＤ固体撮像
   装置において、 前記ノイズ低減用ｐ型不純物拡散層は、受光面側に形成
   された不純物濃度が相対的に高い高濃度領域とフォトダ
   イオード部側に形成された不純物濃度が相対的に低い低
   濃度領域とからなることを特徴とするＣＣＤ固体撮像装
   置。
2. 【請求項２】 ｎ型不純物拡散層を有し光電変換により
   信号電荷を生成するフォトダイオード部と、信号電荷を
   転送する電荷転送部と、前記フォトダイオード部のｎ型
   不純物拡散層の上に形成されノイズを低減するためのノ
   イズ低減用ｐ型不純物拡散層とを備えたＣＣＤ固体撮像
   装置の製造方法であって、 前記ノイズ低減用ｐ型不純物拡散層の形成工程は、 前記フォトダイオード部のｎ型不純物拡散層に、ドーズ
   量が相対的に低く注入エネルギーが相対的に高い第１の
   イオン注入と、ドーズ量が相対的に高く注入エネルギー
   が相対的に低い第２のイオン注入とを行うことにより、 前記フォトダイオード部のｎ型不純物拡散層の上に、受
   光面側に位置する不純物濃度が相対的に高い高濃度領域
   とフォトダイオード部側に位置する不純物濃度が相対的
   に低い低濃度領域とからなるノイズ低減用ｐ型拡散層を
   形成する工程であることを特徴とするＣＣＤ固体撮像装
   置の製造方法。
3. 【請求項３】 前記第１のイオン注入は、ドーズ量が４
   ×１０¹²／ｃｍ² 〜２×１０¹³／ｃｍ² 、注入エネルギ
   ーが８０ｋｅＶ〜１４０ｋｅＶの条件でボロンを用いて
   行い、前記第２のイオン注入は、ドーズ量が３×１０¹³
   ／ｃｍ² 〜１０¹⁴／ｃｍ² 、注入エネルギーが３０ｋｅ
   Ｖ〜５０ｋｅＶの条件でボロンを用いて行うことを特徴
   とする請求項２に記載のＣＣＤ固体撮像装置の製造方
   法。