JPH0897714A - クロック信号発生回路 - Google Patents
クロック信号発生回路Info
- Publication number
- JPH0897714A JPH0897714A JP6234881A JP23488194A JPH0897714A JP H0897714 A JPH0897714 A JP H0897714A JP 6234881 A JP6234881 A JP 6234881A JP 23488194 A JP23488194 A JP 23488194A JP H0897714 A JPH0897714 A JP H0897714A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- clock signal
- circuit
- signal
- delay
- reference clock
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03L—AUTOMATIC CONTROL, STARTING, SYNCHRONISATION OR STABILISATION OF GENERATORS OF ELECTRONIC OSCILLATIONS OR PULSES
- H03L7/00—Automatic control of frequency or phase; Synchronisation
- H03L7/06—Automatic control of frequency or phase; Synchronisation using a reference signal applied to a frequency- or phase-locked loop
- H03L7/08—Details of the phase-locked loop
- H03L7/081—Details of the phase-locked loop provided with an additional controlled phase shifter
- H03L7/0812—Details of the phase-locked loop provided with an additional controlled phase shifter and where no voltage or current controlled oscillator is used
- H03L7/0816—Details of the phase-locked loop provided with an additional controlled phase shifter and where no voltage or current controlled oscillator is used the controlled phase shifter and the frequency- or phase-detection arrangement being connected to a common input
Landscapes
- Stabilization Of Oscillater, Synchronisation, Frequency Synthesizers (AREA)
- Dram (AREA)
- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
- Pulse Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 この発明は、高い周波数で動作するように最
適化されたDLL回路に対して低速動作時においても高
速動作時と同様な動作を行わしめる位相同期式のクロッ
ク信号発生回路を提供することを目的とする。 【構成】 この発明は、低速動作時には、通常動作時の
動作周波数と同等の遅延を遅延素子7により基準クロッ
ク信号に与え、遅延された基準クロック信号と内部クロ
ック信号との位相差の比較結果に基づいてDLL回路1
により基準クロック信号を遅延させて、DLL回路1が
通常動作時の動作周波数と同等の遅延分だけ基準クロッ
ク信号を遅らせるように構成される。
適化されたDLL回路に対して低速動作時においても高
速動作時と同様な動作を行わしめる位相同期式のクロッ
ク信号発生回路を提供することを目的とする。 【構成】 この発明は、低速動作時には、通常動作時の
動作周波数と同等の遅延を遅延素子7により基準クロッ
ク信号に与え、遅延された基準クロック信号と内部クロ
ック信号との位相差の比較結果に基づいてDLL回路1
により基準クロック信号を遅延させて、DLL回路1が
通常動作時の動作周波数と同等の遅延分だけ基準クロッ
ク信号を遅らせるように構成される。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、ディレイラインを使用
した位相同期(DLL,Delay Line Loop )式のクロック信
号発生回路に関し、特に、高い周波数で高速動作する半
導体装置(LSI)に用いて好適なクロック信号発生回
路に関する。
した位相同期(DLL,Delay Line Loop )式のクロック信
号発生回路に関し、特に、高い周波数で高速動作する半
導体装置(LSI)に用いて好適なクロック信号発生回
路に関する。
【0002】
【従来の技術】マイクロプロセッサや、このマイクロプ
ロセッサの周辺回路を担う半導体装置では、高い周波数
で動作することが要求され、また複数のチップを組み合
わせて使用するために各LSIのシステムクロックや、
外部から供給されるクロックに同期して動作することが
必要である。
ロセッサの周辺回路を担う半導体装置では、高い周波数
で動作することが要求され、また複数のチップを組み合
わせて使用するために各LSIのシステムクロックや、
外部から供給されるクロックに同期して動作することが
必要である。
【0003】このような高速で動作するLSIは、外部
から供給される入力クロック信号に対する内部回路の内
部クロック信号の遅延を少なくし、また、他のLSIの
クロック信号と同期をとるために位相同期(PLL,Phase
Locked Loop )回路を使ったクロック信号発生回路によ
ってLSIの内部クロック信号を制御することが行われ
ている。さらに、この位相同期回路の発振器として、デ
ィレイライン回路を用いて基準クロック信号を1サイク
ル遅らせ次の基準クロック信号の立ち上がりに同期させ
るディレイライン方式(DLL,Delay Line Loop )が用い
られている。
から供給される入力クロック信号に対する内部回路の内
部クロック信号の遅延を少なくし、また、他のLSIの
クロック信号と同期をとるために位相同期(PLL,Phase
Locked Loop )回路を使ったクロック信号発生回路によ
ってLSIの内部クロック信号を制御することが行われ
ている。さらに、この位相同期回路の発振器として、デ
ィレイライン回路を用いて基準クロック信号を1サイク
ル遅らせ次の基準クロック信号の立ち上がりに同期させ
るディレイライン方式(DLL,Delay Line Loop )が用い
られている。
【0004】図8に従来のDLL回路を用いたクロック
信号発生回路の構成を示す。この従来例では、クロック
信号発生回路はDLL回路1とセレクタ回路2を備えて
構成されている。
信号発生回路の構成を示す。この従来例では、クロック
信号発生回路はDLL回路1とセレクタ回路2を備えて
構成されている。
【0005】図8において、DLL回路1は、外部から
の基準クロック信号と内部回路3で用いられる内部クロ
ック信号との位相差を検出する位相比較器4と、位相比
較器4の位相差出力に応じて出力電圧を変化させるルー
プフィルタ5と、ループフィルタ5の出力電圧に応じて
遅延量を変化させる可変遅延のディレイライン6によっ
て構成されている。
の基準クロック信号と内部回路3で用いられる内部クロ
ック信号との位相差を検出する位相比較器4と、位相比
較器4の位相差出力に応じて出力電圧を変化させるルー
プフィルタ5と、ループフィルタ5の出力電圧に応じて
遅延量を変化させる可変遅延のディレイライン6によっ
て構成されている。
【0006】通常動作時には、セレクタ回路2によって
DLL回路1の出力信号が内部クロック信号として選択
されて内部回路3に供給される。内部回路3に供給され
た内部クロック信号は内部回路3を経由して位相比較器
4に与えられ、位相比較器4おいて基準クロック信号と
比較される。
DLL回路1の出力信号が内部クロック信号として選択
されて内部回路3に供給される。内部回路3に供給され
た内部クロック信号は内部回路3を経由して位相比較器
4に与えられ、位相比較器4おいて基準クロック信号と
比較される。
【0007】このようなクロック信号発生回路におい
て、内部クロック信号はディレイライン6により遅延さ
れて基準クロック信号よりも遅れた信号になる。位相比
較器4ではこの遅れた内部クロック信号と次の基準クロ
ック信号の立ち上がりエッジの位相差を検出し、この位
相差に応じてループフィルタ5の出力電位が増減され
る。この出力電位によってディレイライン6は位相差を
相殺する方向に遅延時間を変化させる。
て、内部クロック信号はディレイライン6により遅延さ
れて基準クロック信号よりも遅れた信号になる。位相比
較器4ではこの遅れた内部クロック信号と次の基準クロ
ック信号の立ち上がりエッジの位相差を検出し、この位
相差に応じてループフィルタ5の出力電位が増減され
る。この出力電位によってディレイライン6は位相差を
相殺する方向に遅延時間を変化させる。
【0008】このような動作を繰り返し、ディレイライ
ン6によって内部クロック信号が基準クロック信号より
もちょうど1サイクル分遅れて次の基準クロック信号と
の位相差が位相比較器15によって検出されなくなる
と、ループフィルタ5はそのときの出力電圧を保持し、
DLL回路1は基準クロック信号に対して位相が同期し
た内部クロック信号を発生し続ける。
ン6によって内部クロック信号が基準クロック信号より
もちょうど1サイクル分遅れて次の基準クロック信号と
の位相差が位相比較器15によって検出されなくなる
と、ループフィルタ5はそのときの出力電圧を保持し、
DLL回路1は基準クロック信号に対して位相が同期し
た内部クロック信号を発生し続ける。
【0009】セレクタ回路2は内部クロック信号の供給
源として、外部から供給されるクロック選択信号にした
がってDLL回路1の出力信号又は基準クロック信号の
いずれか一方を選択する。これにより、DLL回路1の
出力信号と外部から供給される基準クロック信号とを切
り換えて、内部回路3で使用することができる。
源として、外部から供給されるクロック選択信号にした
がってDLL回路1の出力信号又は基準クロック信号の
いずれか一方を選択する。これにより、DLL回路1の
出力信号と外部から供給される基準クロック信号とを切
り換えて、内部回路3で使用することができる。
【0010】このように、DLL回路1を用いることに
よって、LSIの内部クロック信号は外部から供給され
る基準クロック信号と位相差がなくなり同期し、入力部
のバッファリングによるLSIの遅延が生じないという
利点がある。
よって、LSIの内部クロック信号は外部から供給され
る基準クロック信号と位相差がなくなり同期し、入力部
のバッファリングによるLSIの遅延が生じないという
利点がある。
【0011】このようなクロック信号発生回路では、D
LL回路1に遅延範囲の制限があるために、ロック可能
な周波数範囲にも制限が生じる。すなわち、ディレイラ
イン6の最大遅延時間、最小遅延時間によってDLL回
路1のロック可能な最低周波数、最大周波数がそれぞれ
決められる。
LL回路1に遅延範囲の制限があるために、ロック可能
な周波数範囲にも制限が生じる。すなわち、ディレイラ
イン6の最大遅延時間、最小遅延時間によってDLL回
路1のロック可能な最低周波数、最大周波数がそれぞれ
決められる。
【0012】このため、通常時の高速動作(例えば20
MHz 〜200MHz )に最適化されたDLL回路1
を、例えばLSI評価のためのバーンインテストの場合
のように、高速動作可能な評価装置がなく低いクロック
周波数(例えば1MHz 以下)でテストを行わなければ
ならない時には、動作させることができなかった。
MHz 〜200MHz )に最適化されたDLL回路1
を、例えばLSI評価のためのバーンインテストの場合
のように、高速動作可能な評価装置がなく低いクロック
周波数(例えば1MHz 以下)でテストを行わなければ
ならない時には、動作させることができなかった。
【0013】そこで、低速動作でのテスト時にはクロッ
ク選択信号によってセレクタ回路2で内部クロック信号
として外部から与えられる基準クロック信号を選択す
る。このような場合には、低速動作のため内部クロック
信号の遅延はLSIの動作に影響を与えることはなくな
り、DLL回路1を使用して内部クロック信号を発生さ
せる必要はなく、LSIの動作にも問題は生じない。
ク選択信号によってセレクタ回路2で内部クロック信号
として外部から与えられる基準クロック信号を選択す
る。このような場合には、低速動作のため内部クロック
信号の遅延はLSIの動作に影響を与えることはなくな
り、DLL回路1を使用して内部クロック信号を発生さ
せる必要はなく、LSIの動作にも問題は生じない。
【0014】しかしながら、このようなクロック信号発
生回路では、テスト評価時にはDLL回路1を動作させ
ないため、DLL回路1が評価の対象からはずれてい
た。このため、このようなバーンインテストにおいては
DLL回路1全体にストレスをかけることができず、L
SI全体について十分な評価を行うことができなかっ
た。
生回路では、テスト評価時にはDLL回路1を動作させ
ないため、DLL回路1が評価の対象からはずれてい
た。このため、このようなバーンインテストにおいては
DLL回路1全体にストレスをかけることができず、L
SI全体について十分な評価を行うことができなかっ
た。
【0015】一方、例えば低速動作においてもロックす
るようなDLL回路1を最適化できたとしても、通常動
作時には使用しないような低い周波数範囲まで考慮して
設計しなければならず、テストのためだけに必要となる
余分な回路や労力が生じることになる。
るようなDLL回路1を最適化できたとしても、通常動
作時には使用しないような低い周波数範囲まで考慮して
設計しなければならず、テストのためだけに必要となる
余分な回路や労力が生じることになる。
【0016】
【発明が解決しようとする課題】以上説明したように、
DLL回路を使用した従来の位相同期式クロック信号発
生回路において、DLL回路のロック可能な周波数領域
は、LSIの高速動作に合わせて高い周波数領域に設定
されていた。このため、クロック信号発生回路を低い周
波数で動作させなければならない場合、例えばバーンイ
ンテストを実施するような場合には、DLL回路では高
い周波数の信号をロックするといった通常動作と同様な
動作が行われなかった。したがって、DLL回路にスト
レスをかけることができず、十分なテスト評価を行うこ
とができないという不具合を招いていた。
DLL回路を使用した従来の位相同期式クロック信号発
生回路において、DLL回路のロック可能な周波数領域
は、LSIの高速動作に合わせて高い周波数領域に設定
されていた。このため、クロック信号発生回路を低い周
波数で動作させなければならない場合、例えばバーンイ
ンテストを実施するような場合には、DLL回路では高
い周波数の信号をロックするといった通常動作と同様な
動作が行われなかった。したがって、DLL回路にスト
レスをかけることができず、十分なテスト評価を行うこ
とができないという不具合を招いていた。
【0017】そこで、本発明は、上記に鑑みてなされた
ものであり、その目的とするところは、高い周波数で動
作するように最適化されたDLL回路に対して低速動作
時においても高速動作時と同様な動作を行わしめる位相
同期式のクロック信号発生回路を提供することにある。
ものであり、その目的とするところは、高い周波数で動
作するように最適化されたDLL回路に対して低速動作
時においても高速動作時と同様な動作を行わしめる位相
同期式のクロック信号発生回路を提供することにある。
【0018】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項1記載の発明は、外部から供給される基準ク
ロック信号を受けて遅延させる遅延手段と、外部から供
給される選択信号にしたがって基準クロック信号又は遅
延手段の出力のいずれか一方を選択して出力するセレク
タ回路と、セレクタ回路の信号通過遅延時間と同等の遅
延時間だけ内部クロック信号を遅延させて出力するバッ
ファ回路と、セレクタ回路の出力信号とバッファ回路の
出力信号を受けて、両信号の位相差がなくなるように基
準クロック信号を遅延させて内部クロック信号を生成す
るディレイライン式位相同期(DLL)回路とから構成
される。
に、請求項1記載の発明は、外部から供給される基準ク
ロック信号を受けて遅延させる遅延手段と、外部から供
給される選択信号にしたがって基準クロック信号又は遅
延手段の出力のいずれか一方を選択して出力するセレク
タ回路と、セレクタ回路の信号通過遅延時間と同等の遅
延時間だけ内部クロック信号を遅延させて出力するバッ
ファ回路と、セレクタ回路の出力信号とバッファ回路の
出力信号を受けて、両信号の位相差がなくなるように基
準クロック信号を遅延させて内部クロック信号を生成す
るディレイライン式位相同期(DLL)回路とから構成
される。
【0019】請求項2記載の発明は、請求項1記載のク
ロック信号発生回路において、前記DLL回路は、前記
セレクタ回路の出力信号と前記バッファ回路の出力信号
を受けて、両信号の位相差を検出する位相比較器と、位
相比較器により検出された位相差を受けて、位相差に応
じて遅延量を設定する信号を出力するループフィルタ
と、ループフィルタの出力信号にしたがって基準クロッ
ク信号を遅延させるディレイラインとからなる。
ロック信号発生回路において、前記DLL回路は、前記
セレクタ回路の出力信号と前記バッファ回路の出力信号
を受けて、両信号の位相差を検出する位相比較器と、位
相比較器により検出された位相差を受けて、位相差に応
じて遅延量を設定する信号を出力するループフィルタ
と、ループフィルタの出力信号にしたがって基準クロッ
ク信号を遅延させるディレイラインとからなる。
【0020】請求項3記載の発明は、請求項2記載のク
ロック信号発生回路において、前記遅延手段は、前記D
LL回路を構成するディレイラインと同等に構成され
て、外部から与えられる遅延量を設定する信号にしたが
って基準クロック信号を遅延させてなる。
ロック信号発生回路において、前記遅延手段は、前記D
LL回路を構成するディレイラインと同等に構成され
て、外部から与えられる遅延量を設定する信号にしたが
って基準クロック信号を遅延させてなる。
【0021】請求項4記載の発明は、請求項1,2又は
3記載のクロック信号発生回路において、前記遅延手段
は、内部クロック信号が供給されて動作する半導体装置
における通常動作時の動作周波数と同等の遅延を基準ク
ロック信号に与えてなる。
3記載のクロック信号発生回路において、前記遅延手段
は、内部クロック信号が供給されて動作する半導体装置
における通常動作時の動作周波数と同等の遅延を基準ク
ロック信号に与えてなる。
【0022】
【作用】上記構成において、低速動作時には、通常動作
時の動作周波数と同等の遅延を基準クロック信号に与
え、この遅延された基準クロック信号と内部クロック信
号との位相差の比較結果に基づいて基準クロック信号を
遅延させて、DLL回路が通常動作時の動作周波数と同
等の遅延分だけ基準クロック信号を遅らせるように動作
させるようにしている。
時の動作周波数と同等の遅延を基準クロック信号に与
え、この遅延された基準クロック信号と内部クロック信
号との位相差の比較結果に基づいて基準クロック信号を
遅延させて、DLL回路が通常動作時の動作周波数と同
等の遅延分だけ基準クロック信号を遅らせるように動作
させるようにしている。
【0023】
【実施例】以下、図面を用いてこの発明の実施例を説明
する。
する。
【0024】図1は請求項1記載の発明の一実施例に係
わるクロック信号発生回路の構成を示す図である。
わるクロック信号発生回路の構成を示す図である。
【0025】図1において、この実施例のクロック信号
発生回路は、図8に示すと同様なDLL回路1に加え
て、基準クロック信号を受けて遅延させる遅延素子7
と、この遅延素子7の出力信号又は基準クロック信号の
いずれか一方の信号をテストイネーブル信号にしたがっ
て選択するセレクタ回路8と、DLL回路1から出力さ
れて内部回路3を経由し出力される内部クロック信号を
受けて、セレクタ回路8を信号が通過した際に生じる信
号遅延と同等の遅延を内部クロック信号に与えるバッフ
ァ回路9とを有して構成されている。
発生回路は、図8に示すと同様なDLL回路1に加え
て、基準クロック信号を受けて遅延させる遅延素子7
と、この遅延素子7の出力信号又は基準クロック信号の
いずれか一方の信号をテストイネーブル信号にしたがっ
て選択するセレクタ回路8と、DLL回路1から出力さ
れて内部回路3を経由し出力される内部クロック信号を
受けて、セレクタ回路8を信号が通過した際に生じる信
号遅延と同等の遅延を内部クロック信号に与えるバッフ
ァ回路9とを有して構成されている。
【0026】DLL回路1は、セレクタ回路8の出力信
号とバッファ回路9の出力信号との位相差を比較して位
相差に応じた信号を出力する位相比較器4と、位相比較
器4の位相差出力に応じて出力電位を変化させるループ
フィルタ5と、ループフィルタ5の出力電位に応じて基
準クロック信号に遅延を与えるディレイライン6からな
り、セレクタ回路8の出力信号とバッファ回路9の出力
信号の位相差がなくなるように内部クロック信号を生成
する。遅延素子7は、内部回路3の通常動作時の動作周
波数と同程度の遅延時間(例えば100MHz の動作周
波数のLSIなら10nsの遅延時間)が予め設定され
ている。
号とバッファ回路9の出力信号との位相差を比較して位
相差に応じた信号を出力する位相比較器4と、位相比較
器4の位相差出力に応じて出力電位を変化させるループ
フィルタ5と、ループフィルタ5の出力電位に応じて基
準クロック信号に遅延を与えるディレイライン6からな
り、セレクタ回路8の出力信号とバッファ回路9の出力
信号の位相差がなくなるように内部クロック信号を生成
する。遅延素子7は、内部回路3の通常動作時の動作周
波数と同程度の遅延時間(例えば100MHz の動作周
波数のLSIなら10nsの遅延時間)が予め設定され
ている。
【0027】図2に上記実施例の位相比較器4の一構成
例を示す。
例を示す。
【0028】図2において、位相比較器4は同図に示す
ように複数の論理ゲート(NANDゲート)で構成さ
れ、2つの入力端子IN1,IN2と、2つの出力端子
/UP,DOWNを有している。位相比較器4は入力端
子IN1にセレクタ回路8の出力信号が入力され、入力
端子IN2にはバッファ回路9の出力信号が入力され、
バッファ回路9の出力信号の位相がセレクタ回路8の出
力信号よりも進んでいる場合、すなわち内部クロック信
号の位相が基準クロック信号よりも進んでいる場合に
は、出力端子DOWNから出力されるDOWN信号を活
性化させ、逆にセレクタ回路8の出力信号の位相が進ん
でいる場合、すなわち内部クロック信号の位相が基準ク
ロック信号よりも遅れている場合には、出力端子/UP
から出力される/UP信号を活性化させる。これらの出
力信号は、それぞれの位相差に応じた時間だけ出力され
る。
ように複数の論理ゲート(NANDゲート)で構成さ
れ、2つの入力端子IN1,IN2と、2つの出力端子
/UP,DOWNを有している。位相比較器4は入力端
子IN1にセレクタ回路8の出力信号が入力され、入力
端子IN2にはバッファ回路9の出力信号が入力され、
バッファ回路9の出力信号の位相がセレクタ回路8の出
力信号よりも進んでいる場合、すなわち内部クロック信
号の位相が基準クロック信号よりも進んでいる場合に
は、出力端子DOWNから出力されるDOWN信号を活
性化させ、逆にセレクタ回路8の出力信号の位相が進ん
でいる場合、すなわち内部クロック信号の位相が基準ク
ロック信号よりも遅れている場合には、出力端子/UP
から出力される/UP信号を活性化させる。これらの出
力信号は、それぞれの位相差に応じた時間だけ出力され
る。
【0029】図3に上記実施例のループフィルタ5の一
構成例を示す。
構成例を示す。
【0030】図3において、ループフィルタ5は同図に
示すように、PチャネルのMOS型FET(電界効果ト
ランジスタ)10及びNチャネルのMOS型FET11
から構成されるチャージポンプ部12と、抵抗及び容量
13から構成されるローパスフィルタ部14とからな
る。
示すように、PチャネルのMOS型FET(電界効果ト
ランジスタ)10及びNチャネルのMOS型FET11
から構成されるチャージポンプ部12と、抵抗及び容量
13から構成されるローパスフィルタ部14とからな
る。
【0031】このような構成において、位相比較器4に
よって/UP信号が活性化されてループフィルタ5に与
えられると、チャージポンプ部12のPMOSFET1
0がオンし、ローパスフィルタ部14の容量13が充電
され、ループフィルタ5の出力電位が上昇する。一方、
位相比較器4によってDOWN信号が活性化されてルー
プフィルタ5に与えられると、チャージポンプ部12の
NMOSFET11がオンし、容量13が放電されて出
力電位は下降する。このように、チャージポンプ部12
は位相比較器4から供給されるデジタル信号(/UP信
号,DOWN信号)をアナログ量に変換し、ローパスフ
ィルタ部14は雑音などの高周波数成分を取り除くとと
もに出力電位を保持するように機能する。
よって/UP信号が活性化されてループフィルタ5に与
えられると、チャージポンプ部12のPMOSFET1
0がオンし、ローパスフィルタ部14の容量13が充電
され、ループフィルタ5の出力電位が上昇する。一方、
位相比較器4によってDOWN信号が活性化されてルー
プフィルタ5に与えられると、チャージポンプ部12の
NMOSFET11がオンし、容量13が放電されて出
力電位は下降する。このように、チャージポンプ部12
は位相比較器4から供給されるデジタル信号(/UP信
号,DOWN信号)をアナログ量に変換し、ローパスフ
ィルタ部14は雑音などの高周波数成分を取り除くとと
もに出力電位を保持するように機能する。
【0032】図4に上記実施例のディレイライン6の一
構成例を示す。
構成例を示す。
【0033】図4において、ディレイライン6は同図に
示すように、ループフィルタ5の出力信号を逆相に変換
するためのPMOSFET15及びNMOSFET16
で構成されたバッファ部17と、それぞれ複数のインバ
ータ回路18及びNMOSFET19ならびに容量20
で構成されたディレイライン部21からなる。
示すように、ループフィルタ5の出力信号を逆相に変換
するためのPMOSFET15及びNMOSFET16
で構成されたバッファ部17と、それぞれ複数のインバ
ータ回路18及びNMOSFET19ならびに容量20
で構成されたディレイライン部21からなる。
【0034】このような構成において、ループフィルタ
5の出力電位が高い場合にはディレイライン部21のN
MOSFET19のゲート電位が低くなり、FET19
のソース・ドレイン間に流れる電流が少なくなるため、
ディレイライン部21のインバータ回路18に対して容
量20の値が見かけ上小さくなりインバータ回路18の
ゲート遅延が少なくなる。これにより、ディレイライン
6の信号遅延時間も小さくなる。
5の出力電位が高い場合にはディレイライン部21のN
MOSFET19のゲート電位が低くなり、FET19
のソース・ドレイン間に流れる電流が少なくなるため、
ディレイライン部21のインバータ回路18に対して容
量20の値が見かけ上小さくなりインバータ回路18の
ゲート遅延が少なくなる。これにより、ディレイライン
6の信号遅延時間も小さくなる。
【0035】一方、ループフィルタ5の出力電位が低い
場合にはNMOSFET16のゲート電位が高くなるた
め、FET16のソース・ドレイン間に流れる電流は増
え、ディレイライン部21のインバータ回路18に対し
て容量20の値が見かけ上大きくなりゲート遅延が増加
する。これにより、ディレイライン6の信号遅延時間は
大きくなる。このように、ループフィルタ5の出力電位
によってディレイライン6の遅延時間を変化させること
ができる。
場合にはNMOSFET16のゲート電位が高くなるた
め、FET16のソース・ドレイン間に流れる電流は増
え、ディレイライン部21のインバータ回路18に対し
て容量20の値が見かけ上大きくなりゲート遅延が増加
する。これにより、ディレイライン6の信号遅延時間は
大きくなる。このように、ループフィルタ5の出力電位
によってディレイライン6の遅延時間を変化させること
ができる。
【0036】次に、この実施例の動作を図5に示す高速
(通常)動作時のタイミングチャートならびに図6に示
す低速(テスト)動作時のタイミングチャートを参照し
て説明する。
(通常)動作時のタイミングチャートならびに図6に示
す低速(テスト)動作時のタイミングチャートを参照し
て説明する。
【0037】まず、LSIの通常動作時すなわち高速動
作時には、テストイネーブル信号が非活性化されてセレ
クタ回路8で基準クロック信号が選択される。この場合
には、図5に示すようにDLL回路1は基準クロック信
号と内部クロック信号の位相差がなくなるようにディレ
イライン6によって基準クロック信号をちょうど基準ク
ロック信号の1サイクル分遅らせて内部クロック信号を
生成する。
作時には、テストイネーブル信号が非活性化されてセレ
クタ回路8で基準クロック信号が選択される。この場合
には、図5に示すようにDLL回路1は基準クロック信
号と内部クロック信号の位相差がなくなるようにディレ
イライン6によって基準クロック信号をちょうど基準ク
ロック信号の1サイクル分遅らせて内部クロック信号を
生成する。
【0038】基準クロック信号と内部クロック信号はそ
れぞれセレクタ回路8とバッファ回路9によって同等の
遅延が生じて位相比較器4に入力されるため、位相比較
器4は基準クロック信号と内部クロック信号の位相差を
検出していることになり、DLL回路1がロックするこ
とによってこれらの信号の位相差がなくなることにな
る。この時に、DLL回路1はちょうど動作サイクル時
間に等しい時間(例えば100MHz の時には10n
s)だけ基準クロック信号を遅らせるように動作してい
る。
れぞれセレクタ回路8とバッファ回路9によって同等の
遅延が生じて位相比較器4に入力されるため、位相比較
器4は基準クロック信号と内部クロック信号の位相差を
検出していることになり、DLL回路1がロックするこ
とによってこれらの信号の位相差がなくなることにな
る。この時に、DLL回路1はちょうど動作サイクル時
間に等しい時間(例えば100MHz の時には10n
s)だけ基準クロック信号を遅らせるように動作してい
る。
【0039】次に、LSIのテスト時すなわち低速動作
時には、テストイネーブル信号が活性化されて、セレク
タ回路8により遅延素子7の出力信号が選択される。こ
の時には、図6に示すように内部クロック信号はセレク
タ回路8の出力信号に位相を合わせ、DLL回路1はち
ょうど遅延素子7の遅延時間だけ基準クロック信号を遅
らせるように動作する。この遅延素子7は通常動作時の
動作サイクル時間と同等の時間(先の例で言えば10n
s)の遅延時間を有しているため、DLL回路1は通常
動作時の動作サイクル時間分だけ基準クロック信号を遅
らせることになる。すなわち、基準クロック信号は低速
であるにもかかわらず、DLL回路1は高速動作時とほ
ぼ同じ動作を行うことになる。
時には、テストイネーブル信号が活性化されて、セレク
タ回路8により遅延素子7の出力信号が選択される。こ
の時には、図6に示すように内部クロック信号はセレク
タ回路8の出力信号に位相を合わせ、DLL回路1はち
ょうど遅延素子7の遅延時間だけ基準クロック信号を遅
らせるように動作する。この遅延素子7は通常動作時の
動作サイクル時間と同等の時間(先の例で言えば10n
s)の遅延時間を有しているため、DLL回路1は通常
動作時の動作サイクル時間分だけ基準クロック信号を遅
らせることになる。すなわち、基準クロック信号は低速
であるにもかかわらず、DLL回路1は高速動作時とほ
ぼ同じ動作を行うことになる。
【0040】したがって、低速動作でのLSIのテスト
においても、DLL回路1は通常動作時と同様の条件の
下でテスト評価することが可能となる。ゆえに、LSI
のバーンインテストにおいてもDLL回路1を通常動作
時とほぼ同じ動作を行わしめることができるので、DL
L回路1に適正なストレスをかけることができ、評価を
十分に実施してLSIの故障発見率を向上させることが
できるようになる。
においても、DLL回路1は通常動作時と同様の条件の
下でテスト評価することが可能となる。ゆえに、LSI
のバーンインテストにおいてもDLL回路1を通常動作
時とほぼ同じ動作を行わしめることができるので、DL
L回路1に適正なストレスをかけることができ、評価を
十分に実施してLSIの故障発見率を向上させることが
できるようになる。
【0041】図7は請求項2記載の発明の一実施例に係
わるクロック信号発生回路の構成を示す図である。
わるクロック信号発生回路の構成を示す図である。
【0042】この実施例の特徴とするところは、図1に
示す遅延素子7として図1に示すDLL回路1のディレ
イライン6と同様な構成のディレイライン22を用いた
ことにあり、他の構成ならびに動作は図1に示すものと
同様である。
示す遅延素子7として図1に示すDLL回路1のディレ
イライン6と同様な構成のディレイライン22を用いた
ことにあり、他の構成ならびに動作は図1に示すものと
同様である。
【0043】このような実施例においては、ディレイラ
イン22の遅延時間を設定する遅延設定信号を外部から
与えることにより、ディレイライン22が可能な遅延量
の範囲内で基準クロック信号を任意に遅延させることが
でき、LSIの低速動作時におけるDLL回路1の動作
周波数を任意に設定することが可能となる。したがっ
て、LSIの評価時には極めて有効となる。
イン22の遅延時間を設定する遅延設定信号を外部から
与えることにより、ディレイライン22が可能な遅延量
の範囲内で基準クロック信号を任意に遅延させることが
でき、LSIの低速動作時におけるDLL回路1の動作
周波数を任意に設定することが可能となる。したがっ
て、LSIの評価時には極めて有効となる。
【0044】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の位相同期
式のクロック発生回路によれば、DLL回路を工夫する
必要なく単純な回路を追加するだけで、LSIの低速動
作時においてもDLL回路を通常の高速動作時と同様に
動作させることができる。
式のクロック発生回路によれば、DLL回路を工夫する
必要なく単純な回路を追加するだけで、LSIの低速動
作時においてもDLL回路を通常の高速動作時と同様に
動作させることができる。
【0045】このため、高速なテスト装置がなく低いク
ロック周波数でLSIのテストを行わなければならない
時でもDLL回路のテストが可能となる。特にバーンイ
ン試験の場合にはDLL回路にも適正なストレスをかけ
ることができ、故障発見率を向上させることができる。
ロック周波数でLSIのテストを行わなければならない
時でもDLL回路のテストが可能となる。特にバーンイ
ン試験の場合にはDLL回路にも適正なストレスをかけ
ることができ、故障発見率を向上させることができる。
【図1】請求項1記載の発明の一実施例に係わるクロッ
ク信号発生回路の構成を示す図である。
ク信号発生回路の構成を示す図である。
【図2】図1に示す回路の位相比較器の一実施例を示す
図である。
図である。
【図3】図1に示す回路のループフィルタの一実施例を
示す図である。
示す図である。
【図4】図1に示す回路のディレイラインの一実施例を
示す図である。
示す図である。
【図5】図1に示す回路の通常動作時のタイミングチャ
ートを示す図である。
ートを示す図である。
【図6】図1に示す回路の低速動作時のタイミングチャ
ートを示す図である。
ートを示す図である。
【図7】請求項2記載の発明の一実施例に係わるクロッ
ク信号発生回路の構成を示す図である。
ク信号発生回路の構成を示す図である。
【図8】従来の位相同期式のクロック信号発生回路の一
構成例を示す図である。
構成例を示す図である。
1 DLL回路 2,8 セレクタ回路 4 位相比較器 5 ループフィルタ 6,22 ディレイライン 7 遅延素子 9 バッファ回路 12 チャージポンプ部 14 ローパスフィルタ部 17 バッファ部 21 ディレイライン部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H03K 5/13 G06F 1/04 312 A
Claims (4)
- 【請求項1】 外部から供給される基準クロック信号を
受けて遅延させる遅延手段と、 外部から供給される選択信号にしたがって基準クロック
信号又は遅延手段の出力のいずれか一方を選択して出力
するセレクタ回路と、 セレクタ回路の信号通過遅延時間と同等の遅延時間だけ
内部クロック信号を遅延させて出力するバッファ回路
と、 セレクタ回路の出力信号とバッファ回路の出力信号を受
けて、両信号の位相差がなくなるように基準クロック信
号を遅延させて内部クロック信号を生成するディレイラ
イン式位相同期(DLL)回路とを有することを特徴と
るすクロック信号発生回路。 - 【請求項2】 前記DLL回路は、前記セレクタ回路の
出力信号と前記バッファ回路の出力信号を受けて、両信
号の位相差を検出する位相比較器と、 位相比較器により検出された位相差を受けて、位相差に
応じて遅延量を設定する信号を出力するループフィルタ
と、 ループフィルタの出力信号にしたがって基準クロック信
号を遅延させるディレイラインとからなることを特徴と
する請求項1記載のクロック信号発生回路。 - 【請求項3】 前記遅延手段は、 前記DLL回路を構成するディレイラインと同等に構成
されて、外部から与えられる遅延量を設定する信号にし
たがって基準クロック信号を遅延させてなることを特徴
とする請求項2記載のクロック信号発生回路。 - 【請求項4】 前記遅延手段は、 内部クロック信号が供給されて動作する半導体装置にお
ける通常動作時の動作周波数と同等の遅延を基準クロッ
ク信号に与えてなることを特徴とする請求項1,2又は
3記載のクロック信号発生回路。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6234881A JPH0897714A (ja) | 1994-09-29 | 1994-09-29 | クロック信号発生回路 |
| US08/534,388 US5717353A (en) | 1994-09-29 | 1995-09-27 | Clock signal generating circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6234881A JPH0897714A (ja) | 1994-09-29 | 1994-09-29 | クロック信号発生回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0897714A true JPH0897714A (ja) | 1996-04-12 |
Family
ID=16977791
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6234881A Pending JPH0897714A (ja) | 1994-09-29 | 1994-09-29 | クロック信号発生回路 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5717353A (ja) |
| JP (1) | JPH0897714A (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11316620A (ja) * | 1997-11-21 | 1999-11-16 | Hyundai Electronics Ind Co Ltd | 半導体素子のクロック補償装置 |
| US6175258B1 (en) | 1998-04-20 | 2001-01-16 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Methods and circuits for compensating clock signals having different loads in packaged integrated circuits using phase adjustments |
| US6218877B1 (en) | 1998-12-16 | 2001-04-17 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Semiconductor device with delay locked loop |
| US6285225B1 (en) | 1998-08-08 | 2001-09-04 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Delay locked loop circuits and methods of operation thereof |
| JP2001351380A (ja) * | 2000-06-08 | 2001-12-21 | Fujitsu Ltd | 半導体装置、半導体装置を含むモジュール、及びモジュールを含むシステム |
| EP0924861A3 (en) * | 1997-12-16 | 2002-08-07 | Texas Instruments Inc. | Recirculating delay-locked loop and method of operation |
| KR100400318B1 (ko) * | 2001-06-25 | 2003-10-01 | 주식회사 하이닉스반도체 | 클럭 동기화 장치 |
| KR100474982B1 (ko) * | 1997-05-07 | 2005-06-23 | 삼성전자주식회사 | 싱크로너스반도체장치의내부신호발생회로 |
| JP2007124196A (ja) * | 2005-10-27 | 2007-05-17 | Nec Electronics Corp | Dll回路及びその試験方法 |
| JP2008139903A (ja) * | 2006-11-29 | 2008-06-19 | Fujitsu Ltd | 情報処理装置および位相制御方法 |
| JP2011524149A (ja) * | 2008-06-10 | 2011-08-25 | クゥアルコム・インコーポレイテッド | フェーズロックループにおけるデジタル制御された発振器の出力のディザリング |
Families Citing this family (36)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5910740A (en) * | 1997-06-18 | 1999-06-08 | Raytheon Company | Phase locked loop having memory |
| JPH11110065A (ja) * | 1997-10-03 | 1999-04-23 | Mitsubishi Electric Corp | 内部クロック信号発生回路 |
| JPH11205293A (ja) * | 1998-01-19 | 1999-07-30 | Mitsubishi Electric Corp | 内部クロック同期化方法および内部クロック同期化回路 |
| US6137334A (en) | 1998-07-06 | 2000-10-24 | Micron Technology, Inc. | Logic circuit delay stage and delay line utilizing same |
| SG83684A1 (en) * | 1998-07-07 | 2001-10-16 | Compaq Computer Corp | Computer system performing machine specific tasks before going to a low power state |
| JP3973308B2 (ja) * | 1998-11-27 | 2007-09-12 | 富士通株式会社 | セルフタイミング制御回路を内蔵する集積回路装置 |
| JP2000269423A (ja) | 1999-03-16 | 2000-09-29 | Toshiba Microelectronics Corp | 半導体集積回路 |
| US6252443B1 (en) * | 1999-04-20 | 2001-06-26 | Infineon Technologies North America, Corp. | Delay element using a delay locked loop |
| US6150856A (en) * | 1999-04-30 | 2000-11-21 | Micron Technology, Inc. | Delay lock loops, signal locking methods and methods of implementing delay lock loops |
| US6421801B1 (en) | 1999-06-08 | 2002-07-16 | Intel Corporation | Testing IO timing in a delay locked system using separate transmit and receive loops |
| US6381722B1 (en) * | 1999-06-08 | 2002-04-30 | Intel Corporation | Method and apparatus for testing high speed input paths |
| US6275072B1 (en) * | 1999-10-07 | 2001-08-14 | Velio Communications, Inc. | Combined phase comparator and charge pump circuit |
| US6952431B1 (en) * | 1999-10-28 | 2005-10-04 | Rambus Inc. | Clock multiplying delay-locked loop for data communications |
| US6674772B1 (en) * | 1999-10-28 | 2004-01-06 | Velio Communicaitons, Inc. | Data communications circuit with multi-stage multiplexing |
| US6789224B2 (en) * | 2000-01-18 | 2004-09-07 | Advantest Corporation | Method and apparatus for testing semiconductor devices |
| JP2001291388A (ja) * | 2000-04-05 | 2001-10-19 | Nec Corp | Dll回路、それを使用する半導体装置及びタイミング生成方法 |
| JP2002328277A (ja) | 2001-04-26 | 2002-11-15 | Fujikura Ltd | 光ケーブル |
| US6476594B1 (en) * | 2001-05-31 | 2002-11-05 | Lsi Logic Corporation | Method and apparatus for testing high frequency delay locked loops |
| US6876239B2 (en) * | 2001-07-11 | 2005-04-05 | Micron Technology, Inc. | Delay locked loop “ACTIVE command” reactor |
| WO2003009300A1 (en) * | 2001-07-16 | 2003-01-30 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Integrated circuit and battery powered device |
| US6850107B2 (en) | 2001-08-29 | 2005-02-01 | Micron Technology, Inc. | Variable delay circuit and method, and delay locked loop, memory device and computer system using same |
| US6791380B2 (en) * | 2001-11-27 | 2004-09-14 | Winbond Electronics Corporation | Universal clock generator |
| US6774687B2 (en) * | 2002-03-11 | 2004-08-10 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for characterizing a delay locked loop |
| US7319728B2 (en) * | 2002-05-16 | 2008-01-15 | Micron Technology, Inc. | Delay locked loop with frequency control |
| US6900685B2 (en) * | 2002-05-16 | 2005-05-31 | Micron Technology | Tunable delay circuit |
| US6801070B2 (en) | 2002-05-16 | 2004-10-05 | Micron Technology, Inc. | Measure-controlled circuit with frequency control |
| US6861885B2 (en) * | 2002-07-19 | 2005-03-01 | Sun Microsystems, Inc. | Phase locked loop design with diode for loop filter capacitance leakage current control |
| US6727737B2 (en) * | 2002-07-19 | 2004-04-27 | Sun Microsystems, Inc. | Delay locked loop design with diode for loop filter capacitance leakage current control |
| US6865135B2 (en) * | 2003-03-12 | 2005-03-08 | Micron Technology, Inc. | Multi-frequency synchronizing clock signal generator |
| US6995554B2 (en) * | 2004-06-16 | 2006-02-07 | Agilent Technologies, Inc. | Delay-locked loop and a method of testing a delay-locked loop |
| US9809278B2 (en) * | 2004-09-28 | 2017-11-07 | Shimano, Inc. | Apparatus for reducing an engaging force of an engaging member |
| KR100808591B1 (ko) * | 2006-06-30 | 2008-02-29 | 주식회사 하이닉스반도체 | 클럭 트리 회로 및 그를 이용한 듀티 보정 테스트 방법과그를 포함하는 반도체 메모리 장치 |
| JP2008217947A (ja) * | 2007-03-07 | 2008-09-18 | Elpida Memory Inc | 半導体記憶装置 |
| JP5317356B2 (ja) * | 2010-02-26 | 2013-10-16 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | クロック制御信号生成回路、クロックセレクタ、及び情報処理装置 |
| US9225322B2 (en) | 2013-12-17 | 2015-12-29 | Micron Technology, Inc. | Apparatuses and methods for providing clock signals |
| CN107526023A (zh) * | 2017-08-17 | 2017-12-29 | 上海华岭集成电路技术股份有限公司 | 一种ate多时域测试装置 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4495468A (en) * | 1981-01-02 | 1985-01-22 | Tau-Tron, Inc. | Controlled phase off-set digital test system |
| US4603298A (en) * | 1984-12-24 | 1986-07-29 | Allied Corporation | Reference signal generator |
| US4922141A (en) * | 1986-10-07 | 1990-05-01 | Western Digital Corporation | Phase-locked loop delay line |
| US5126693A (en) * | 1991-09-09 | 1992-06-30 | Motorola, Inc. | Circuit and method of reducing phase jitter in a phase lock loop |
| US5399995A (en) * | 1994-04-08 | 1995-03-21 | Raytheon Company | CMOS circuit providing 90 degree phase delay |
| US5486783A (en) * | 1994-10-31 | 1996-01-23 | At&T Corp. | Method and apparatus for providing clock de-skewing on an integrated circuit board |
-
1994
- 1994-09-29 JP JP6234881A patent/JPH0897714A/ja active Pending
-
1995
- 1995-09-27 US US08/534,388 patent/US5717353A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100474982B1 (ko) * | 1997-05-07 | 2005-06-23 | 삼성전자주식회사 | 싱크로너스반도체장치의내부신호발생회로 |
| JPH11316620A (ja) * | 1997-11-21 | 1999-11-16 | Hyundai Electronics Ind Co Ltd | 半導体素子のクロック補償装置 |
| EP0924861A3 (en) * | 1997-12-16 | 2002-08-07 | Texas Instruments Inc. | Recirculating delay-locked loop and method of operation |
| US6349070B1 (en) | 1998-04-20 | 2002-02-19 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Packaged integrated circuit synchronous memory device with circuits for compensating clock signals having different loads using phase adjustments |
| US6175258B1 (en) | 1998-04-20 | 2001-01-16 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Methods and circuits for compensating clock signals having different loads in packaged integrated circuits using phase adjustments |
| KR100301043B1 (ko) * | 1998-08-08 | 2001-09-06 | 윤종용 | 지연동기루프의위상비교기및지연동기방법 |
| US6285225B1 (en) | 1998-08-08 | 2001-09-04 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Delay locked loop circuits and methods of operation thereof |
| US6218877B1 (en) | 1998-12-16 | 2001-04-17 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Semiconductor device with delay locked loop |
| JP2001351380A (ja) * | 2000-06-08 | 2001-12-21 | Fujitsu Ltd | 半導体装置、半導体装置を含むモジュール、及びモジュールを含むシステム |
| KR100400318B1 (ko) * | 2001-06-25 | 2003-10-01 | 주식회사 하이닉스반도체 | 클럭 동기화 장치 |
| JP2007124196A (ja) * | 2005-10-27 | 2007-05-17 | Nec Electronics Corp | Dll回路及びその試験方法 |
| JP2008139903A (ja) * | 2006-11-29 | 2008-06-19 | Fujitsu Ltd | 情報処理装置および位相制御方法 |
| JP2011524149A (ja) * | 2008-06-10 | 2011-08-25 | クゥアルコム・インコーポレイテッド | フェーズロックループにおけるデジタル制御された発振器の出力のディザリング |
| US8269563B2 (en) | 2008-06-10 | 2012-09-18 | Qualcomm Incorporated | Dithering a digitally-controlled oscillator output in a phase-locked loop |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5717353A (en) | 1998-02-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0897714A (ja) | クロック信号発生回路 | |
| JP3260048B2 (ja) | クロック信号発生回路及び半導体装置 | |
| US6373913B1 (en) | Internal clock signal generator including circuit for accurately synchronizing internal clock signal with external clock signal | |
| US5101117A (en) | Variable delay line phase-locked loop circuit synchronization system | |
| KR100486266B1 (ko) | 멀티 위상을 갖는 지연 동기 루프 | |
| JP4446070B2 (ja) | Dll回路、それを使用する半導体装置及び遅延制御方法 | |
| JP4741705B2 (ja) | 遅延ロックループのための初期化回路 | |
| KR0139136B1 (ko) | 클록 신호 발생 회로 | |
| US6259290B1 (en) | Delay locked loop having a mis-lock detecting circuit | |
| US6275555B1 (en) | Digital delay locked loop for adaptive de-skew clock generation | |
| US20080061851A1 (en) | Delay locked loop circuit capable of reducing bang-bang jitter | |
| US20080103719A1 (en) | Method of generating test clock signal and test clock signal generator for testing semiconductor devices | |
| US20090122936A1 (en) | Method and circuit for dynamically changing the frequency of clock signals | |
| US20010054922A1 (en) | Delay locked loop circuit capable of adjusting phase of clock with high precision | |
| US7411429B2 (en) | System and method for clock switching | |
| US20020005741A1 (en) | DLL circuit that can prevent erroneous operation | |
| JP4079733B2 (ja) | 位相同期ループ回路 | |
| US7168020B2 (en) | Circuit and method for testing embedded phase-locked loop circuit | |
| JPH11145799A (ja) | 集積回路 | |
| US8055969B2 (en) | Multi-strobe circuit | |
| US6037806A (en) | High speed phase/frequency detector | |
| US7902893B1 (en) | Clock-signal generator | |
| KR19990042341A (ko) | 클럭 동기 지연 회로와 결합된 지연 동기 루프(dll) | |
| US6529057B2 (en) | Stretching, shortening, and/or removing a clock cycle | |
| EP2124338B1 (en) | Clock-signal generator |