JPH09102436A

JPH09102436A - 積層セラミック電子部品及びその製造方法

Info

Publication number: JPH09102436A
Application number: JP7261621A
Authority: JP
Inventors: Masayuki Yamada; 昌幸山田; Kenichi Yamada; 健一山田; Yasunobu Yoneda; 康信米田
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 1995-07-31
Filing date: 1995-10-09
Publication date: 1997-04-15
Anticipated expiration: 2015-10-09
Also published as: JP3604043B2

Abstract

(57)【要約】【課題】セラミック素体１内に複数の内部電極２，４
が対向して設けられている積層セラミック電子部品にお
いて、内部電極２，４間の実効的な素子の厚みを小さく
する。【解決手段】内部電極２，４の周囲にセラミック素体
１に金属が拡散することにより形成された金属拡散層３
ａ，３ｂ及び５ａ，５ｂが設けられていることを特徴と
している。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、積層セラミックコ
ンデンサなどのようなセラミック素体内に内部電極が設
けられている積層セラミック電子部品及びその製造方法
に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】セラミック素体内に複数の内部電極を有
する積層セラミックコンデンサなどの積層セラミック電
子部品は、従来より、セラミックグリーンシート上に印
刷して塗布したり、あるいはプラスチックフィルム上に
薄膜形成法により形成した内部電極パターンを転写した
りすることにより、セラミックグリーンシート上に内部
電極を設け、これを積層した後焼成することにより製造
されている。

【０００３】ところで、積層セラミックコンデンサ等に
対しては、近年、小型でかつ静電容量の大きなものが要
望されているが、誘電体材料自身の比誘電率の改善には
限界がある。従って、内部電極間の厚みを薄くしたり、
内部電極の面積を拡げることにより静電容量を大きくす
る方法が検討されている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、内部電
極間の厚みを薄くするためには、グリーンシートの厚み
を薄くする必要があり、グリーンシートの厚みを薄くす
ると、グリーンシート自体の欠陥が増加し、製品の不良
率が高くなるという問題を生じる。

【０００５】また内部電極の面積を拡げると、グリーン
シート間の密着性が悪くなり、デラミネーション等の問
題が生じ、このような方法にも限界があった。また積層
セラミックコンデンサ以外の積層セラミック電子部品に
おいても、内部電極間の厚みを薄くしようとする場合
に、同様の問題があった。

【０００６】また、従来、積層セラミックコンデンサな
どにおいては、チタン酸バリウム系セラミックスに代表
される焼成温度の高いセラミック材料が誘電体として用
いられていた。そのため、内部電極を構成する材料につ
いても、ＰｄやＷといった高融点の金属材料や該金属材
料を含む導電性材料が用いられていた。

【０００７】しかしながら、より低温での焼成を可能と
するために、誘電体材料として鉛系複合ペロブスカイト
系セラミックスを用いることが試みられている。その結
果、Ａｇ、Ａｇ−Ｐｄ合金のような比較的低融点の材料
が、内部電極材料として使用されてきている。

【０００８】しかしながら、Ａｇ−Ｐｄ合金などの比較
的低融点の金属材料は熱膨張係数が大きい。例えば、Ｐ
ｄが１１×１０^-6ｃｍ／℃であるのに対し、Ａｇは１
７．１×１０^-6ｃｍ／℃、Ａｇ及びＰｄを重量比で７対
３の割合で含むＡｇ−Ｐｄ合金では１５．０×１０^-6ｃ
ｍ／℃、Ａｇ及びＰｄを重量比で３対７の割合で含むＡ
ｇ−Ｐｄ合金は１２．７×１０^-6ｃｍ／℃と大きい。な
お、上記金属材料の熱膨張率に対し、例えば鉛系複合ペ
ロブスカイト材料からなるセラミックスの場合、熱膨張
係数は、２．０〜３．０×１０^-6ｃｍ／℃程度とかなり
小さい。その結果、上記のようなセラミック材料と金属
材料を用いて積層セラミックコンデンサ等のセラミック
電子部品に用いられる焼結体を調製すると、熱膨張係数
差に起因する内部応力により、セラミック層と内部電極
とが剥離することがあるという問題があった。

【０００９】本発明の目的は、セラミック素体内に複数
の内部電極が設けられた積層セラミック電子部品におい
て、内部電極間の実効的な素子の厚みを小さくすること
ができる積層セラミック電子部品及びその製造方法を提
供することにある。

【００１０】本発明の他の目的は、セラミック素体内に
複数の内部電極が設けられた積層セラミック電子部品に
おいて、内部電極とセラミック層との熱膨張差に起因す
る層間剥離等の内部欠陥の発生を抑制し得る積層セラミ
ック電子部品及びその製造方法を提供することにある。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を達
成するために成されたものであり、それぞれ、下記の構
成を備えることを特徴とし、それによって、上記双方の
課題を達成することができる。

【００１２】本発明の積層セラミック電子部品は、セラ
ミック素体内に複数の内部電極が対向して設けられてお
り、内部電極の周囲に、内部電極からセラミック素体に
金属が拡散することにより形成された金属拡散層が設け
られていることを特徴としている。

【００１３】本発明の製造方法は、内部電極を介して積
層したセラミックグリーンシートの積層体を焼成するこ
とによりセラミック素体内に複数の内部電極が対向して
設けられている積層セラミック電子部品を製造する方法
であり、内部電極として、焼成の際にセラミック素体中
に拡散しやすい成分と拡散しにくい成分とを含有した内
部電極を形成し、焼成の際に、拡散しやすい成分を内部
電極から拡散させて、内部電極の周囲に金属拡散層を形
成することを特徴としている。

【００１４】本発明に従えば、内部電極の周囲に金属拡
散層が形成されているので、内部電極間の実効的な素子
の厚みは、内部電極間の距離ではなく、セラミック素体
を介して対向する金属拡散層間の距離となる。従って、
実効的な素子の厚みを内部電極間の距離よりも小さくす
ることができる。

【００１５】また、本発明に従えば、上記のように内部
電極の周囲に金属拡散層が形成されているため、内部電
極とセラミック層との間の接合強度が高められる。すな
わち、内部電極とセラミック層との界面からセラミック
層側の領域にかけてある濃度勾配で内部電極構成金属が
拡散しているため、熱膨張係数差に起因する上記界面に
加えられる応力が緩和され、それによって層間剥離現象
が効果的に抑制される。

【００１６】本発明は、特にグリーンシートの厚みを薄
くし、内部電極間の距離を小さくした積層セラミック電
子部品において有用であり、例えば内部電極間の距離が
１０μｍ以下であるような積層セラミック電子部品にお
いて有用である。また、セラミックグリーンシートの厚
みの制限から、内部電極間の距離は２μｍ未満とするこ
とが難しい。従って、本発明に従う好ましい局面の１つ
においては、内部電極間の距離は２μｍ以上１０μｍ以
下である。

【００１７】本発明を積層セラミックコンデンサに応用
した場合、従来はセラミックグリーンシートの厚みによ
り限界とされた素子の厚みよりもさらに実効的な素子の
厚みを薄くすることができ、静電容量を大きくすること
ができる。

【００１８】本発明における金属拡散層の実効的な厚み
は、内部電極間の距離の１０分の１以上であることが好
ましい。このような実効的な厚みは、例えば、後述する
ように、金属拡散層が設けられていない積層セラミック
電子部品と、本発明に従い金属拡散層が設けられた積層
セラミック電子部品の見かけの比誘電率を測定すること
により求めることができる。

【００１９】本発明の製造方法によれば、内部電極とし
て、焼成の際にセラミック素体中に拡散しやすい成分と
拡散しにくい成分とを含有した内部電極を形成し、焼成
の際に、拡散しやすい成分を内部電極から拡散させるこ
とにより、本発明における金属拡散層を形成している。
拡散しやすい成分としては、例えばＡｇを用いることが
できる。また拡散しにくい成分としては、Ｐｄを用いる
ことができる。従って、例えば、Ａｇを含有した金属粉
とＰｄを含有した金属粉を混合して内部電極形成用ペー
ストを調製し、これを用いて印刷塗布することにより内
部電極を形成することができる。従って、本発明の製造
方法に従う局面の１つにおいては、拡散しやすい成分を
有する金属粉と、拡散しにくい成分を含有する金属粉と
を混合したものから内部電極を形成することができる。

【００２０】また、本発明に従う製造方法においては、
焼成前における内部電極中の拡散しやすい成分の含有量
を１０％以上とすることが好ましい。拡散しやすい成分
の含有量が１０％未満であると、金属拡散層を十分に形
成することができない場合がある。なお本願明細書にお
いて％は重量％を意味している。

【００２１】

【発明の実施の形態】図１は、本発明に従う実施形態の
１つを示す拡大断面図である。図１を参照して、セラミ
ック素体１の内部には複数の内部電極２，４が設けられ
ている。図３は、積層セラミック電子部品の全体を示す
断面図である。図３に示すように、セラミック素体１内
の内部電極２，４は、複数対向するように所定の間隔で
設けられている。積層される内部電極２，４は、セラミ
ック素体１の一方端部及び他方端部にそれぞれ交互に延
びるように形成されており、一方端部に延びる内部電極
２の端部は一方端部の側面に形成された外部電極４と電
気的に接続されており、他方端部に延びる内部電極４の
端部は他方端部の側面に形成された外部電極５と電気的
に接続されている。

【００２２】図１に戻り、それぞれの内部電極２，４の
周囲には、金属拡散層３ａ、３ｂ及び５ａ，５ｂが形成
されている。この金属拡散層３ａ，３ｂ及び５ａ，５ｂ
は、内部電極２，４からセラミック素体１内に金属が拡
散することにより形成されている。金属拡散層３ａ，３
ｂ及び５ａ，５ｂは、それぞれ内部電極２，４と電気的
に接続した状態である。従って、内部電極２と内部電極
４の間に電圧が印加されると、セラミック素体１を挟み
対向する金属拡散層３ａと金属拡散層５ｂとの間で電圧
が印加されることとなる。従って、実効的な素子の厚み
は、金属拡散層３ａと金属拡散層５ｂの間の距離Ｔ₂ と
なり、内部電極２と内部電極４との間の距離Ｔ₁ より小
さくなる。従って、本発明に従い、金属拡散層３ａ，３
ｂ及び５ａ，５ｂを設けることにより、実効的な素子の
厚みを薄くすることができる。よって積層セラミックコ
ンデンサ等においては、静電容量を大きくすることがで
きる。

【００２３】図１に示すように、金属拡散層３ａ，３ｂ
及び５ａ，５ｂは、実効的な厚みとしてＴ₃ で示される
厚みを有している。従って、内部電極２及び４の間の実
効的な素子の厚みは、上述のように内部電極２，４間の
距離Ｔ₁ よりも２Ｔ₃ 小さなＴ₂ の厚みとなる。ところ
で、金属拡散層は、図２に模式的に示すように、内部電
極２から拡散しやすい金属成分がセラミック素体１中に
拡散することにより形成されるものである。従って、内
部電極２の近傍においては、高い濃度であるが、内部電
極２から離れるに従って徐々に濃度が低下する。従っ
て、金属拡散層３ａ，３ｂの外側の境界は実際には明確
なものではない。本発明において、金属拡散層の実効的
な厚みは、図１に示すＴ₃ の値とし、内部電極間の距離
Ｔ₁ から素子の実効的な厚みＴ₂ を差引き、これを２分
の１にすることによって求められる値であるとする。従
って、金属拡散層の実効的な厚みは各内部電極の片側で
の厚みである。

【００２４】金属拡散層を実質的に有しない積層セラミ
ック電子部品における、みかけ比誘電率は、内部電極間
の距離Ｔ₁ に対応しており、本発明に従う積層セラミッ
ク電子部品のみかけ比誘電率は図１に示すＴ₂ の厚みに
対応している。素子の厚みとみかけ比誘電率は逆比例す
るので、金属拡散層を実質的に有しない積層セラミック
電子部品のみかけ比誘電率と、本発明に従う金属拡散層
を有する積層セラミック電子部品のみかけ比誘電率を測
定することにより、金属拡散層の厚みＴ₃ を求めること
ができる。本発明においては、このようにして求められ
る金属拡散層の実効的な厚みＴ₃ が内部電極間の距離Ｔ
₁ の１０分の１以上であることが好ましい。

【００２５】また、本発明において、上記のように内部
電極とセラミック層との層間剥離現象を金属拡散層を設
けることにより抑制するには、好ましくは、内部電極を
構成する金属材料が合金化していないことが望ましい。
すなわち、例えばＡｇ及びＰｄを含む導電ペーストを用
いて内部電極を構成する場合、Ａｇ−Ｐｄ合金とはなら
ず、内部電極が未合金の状態でＡｇ及びＰｄを含んでい
ることが望ましい。例えば、Ｘ線回折により分析した場
合に、Ａｇ及びＰｄが独立して確認される状態で内部電
極を構成していることが望ましい。内部電極が合金化し
ている場合には、後述の実施例から明らかなように、層
間剥離現象のような内部欠陥が生じがちとなる。

【００２６】本発明における金属拡散層は、内部電極か
らセラミック素体に金属が拡散することにより形成され
るものであり、焼成の際の加熱により、内部電極から、
拡散しやすい成分がセラミック素体中に拡散することに
より形成することができる。従って、焼成前の内部電極
中に拡散しやすい成分を含有させておくことにより、内
部電極からこの成分を拡散させて金属拡散層を形成する
ことができる。焼成の際の焼成温度及び保持時間を調整
することにより、内部電極から拡散成分を拡散させ、金
属拡散層を形成する。従って、焼成温度及びその保持時
間は、拡散成分の種類及びセラミック素体の密度や内部
電極間の距離などに応じて決定されるものである。

【００２７】また、上記金属拡散層を設けることによ
り、熱膨張係数差に起因する層間剥離現象などの内部欠
陥を抑制するには、好ましくは、焼成雰囲気を炭素雰囲
気などのような酸化性雰囲気とし、焼成に際しての最高
温度で３時間以上保持することが望ましい。窒素雰囲気
のような還元性雰囲気化で焼成を行った場合には、後述
の実施例から明らかなように、層間剥離現象などの内部
欠陥発生率が高くなり、かつ最高温度に維持する時間が
３時間未満の場合においても、内部欠陥発生率が高くな
る。

【００２８】本発明の製造方法は、上記本発明の積層セ
ラミック電子部品を製造することができる方法であり、
焼成前の内部電極に、焼成の際にセラミック素体中に拡
散しやすい成分と拡散しにくい成分とを含有させてお
き、焼成の際に、拡散しやすい成分を内部電極から拡散
させて金属拡散層を形成する。従って、図１に示す内部
電極２，４から拡散した金属により金属拡散層３ａ，３
ｂ及び５ａ，５ｂが形成される。従って、一般的には、
焼成後においては、内部電極２，４に拡散しにくい成分
が多く存在し、金属拡散層３ａ，３ｂ及び５ａ，５ｂに
拡散しやすい成分が多く存在する。

【００２９】本発明の製造方法に従う好ましい実施形態
の１つにおいては、拡散しやすい成分からなる金属粉と
拡散しにくい成分からなる金属粉とを混合し、この混合
粉を原料として内部電極形成用ペーストを調製し、この
内部電極形成用ペーストをグリーンシートに塗布するこ
とにより内部電極を形成する。例えば、拡散しやすい成
分の金属粉としてＡｇ粉末を用い、拡散しにくい成分の
金属粉としてＰｄ粉末を用い、これらの混合粉を原料と
する内部電極形成用ペーストをグリーンシートに塗布し
て内部電極を形成する。このようにして内部電極を形成
したセラミックグリーンシートの積層体を、例えば９０
０℃〜１０００℃の温度で焼成することにより、拡散し
やすいＡｇ成分をセラミック素体中に拡散させ、金属拡
散層を形成することができる。拡散しにくい成分として
は、相対的に融点の高い金属または合金を用いることが
でき、Ｐｄのほか、Ｎｉ、Ｗ、Ａｕ、Ｐｔが挙げられ
る。また拡散しやすい成分としては、相対的に融点の低
い金属または合金を用いることができ、Ａｇの他、Ａｇ
−Ｐｄ合金などが挙げられる。なお、本発明における金
属拡散層は、広義の金属が拡散される層を意味してお
り、合金成分が拡散して形成される層も含まれる。

【００３０】本発明の製造方法に従えば、拡散しやすい
成分と拡散しにくい成分とを内部電極に含有させること
により、焼成の際に、拡散しやすい成分を拡散させて金
属拡散層を形成する。このため、拡散しやすい成分によ
って金属拡散層が形成されるとともに、拡散しにくい成
分が内部電極内に残るため、内部電極切れの発生を少な
くすることができる。従って、本発明の製造方法に従え
ば、内部電極切れの発生を抑えながら、金属拡散層を形
成することができる。

【００３１】本発明の積層セラミック電子部品は、上記
本発明の製造方法により製造される積層セラミック電子
部品に限定されるものではない。すなわち、上記本発明
の製造方法においては、内部電極に、焼成の際に拡散し
やすい成分と拡散しにくい成分とが含有されているが、
本発明の積層セラミック電子部品においては、内部電極
に、拡散しやすい成分のみを含有させてもよい。例え
ば、拡散しやすい成分としてＡｇ成分を用いる場合、Ａ
ｇのみから内部電極を形成し、焼成条件をコントロール
することにより内部電極切れを生じることなく、内部電
極からＡｇ成分を拡散させ金属拡散層を形成させること
も可能である。

【００３２】本発明の積層セラミック電子部品は、鉛複
合型ペロブスカイト材料などの誘電体セラミック電子部
品のみならず、半導体セラミック電子部品、圧電体セラ
ミック電子部品、及び磁性体セラミック電子部品などに
も適用することができるものである。従って、積層セラ
ミックコンデンサのみならず、内部電極を有したサーミ
スタ、バリスタ、圧電素子、フィルタなど幅広い分野に
応用することが可能なものである。

【００３３】

【実施例】ここでは、本発明を積層セラミックコンデン
サに応用した実施例について説明する。セラミック素体
の材料としては、鉛複合ペロブスカイト材料を用い、内
部電極形成材料としては、表１に示すようなＡｇ含有量
（残りＰｄ）の材料を用い、表１に示す内部電極間距離
となるような厚みにセラミックグリーンシートを形成
し、これに内部電極を印刷して形成し、この積層体を表
１に示す焼成温度で焼成し、積層セラミックコンデンサ
を作製した。

【００３４】表１に示す実験例No. １は、内部電極を有
しないものであり、電子部品素子の外側に電極を形成
し、この電極間の距離を０．８ｍｍとしたものである。
また実験例No. ２〜９においては、表１に示すようなＡ
ｇ粉末の含有量で、残りがＰｄ粉末の含有量である内部
電極形成用ペーストを作製し、このペーストを塗布する
ことにより内部電極を形成した。

【００３５】また、実験例No. １０においては、Ｐｄ粉
末のみの内部電極形成用ペーストを用いた。

【００３６】

【表１】

【００３７】表１において、金属拡散層の実効的な厚み
は、実験例No. １のみかけ比誘電率と、各実験例におい
て測定したみかけ比誘電率から算出した値である。表１
から明らかなように、金属拡散層の実効的な厚みが内部
電極間距離の１０分の１以上である実験例No. ４、No.
５及びNo. ９は、みかけ比誘電率が著しく大きくなって
いる。従って、金属拡散層の実効的な厚みとしては内部
電極間距離の１０分の１以上が好ましいことがわかる。

【００３８】また拡散しやすい成分であるＡｇを含有し
ていない実験例No. １０においては、実質的な金属拡散
層が形成されておらず、みかけ比誘電率の向上が認めら
れないことがわかる。

【００３９】次に、表２に示すように電極間距離を８μ
ｍまたは５μｍとし、焼成温度及び焼成の最高温度保持
時間を変化させて焼成し、得られた積層セラミックコン
デンサのみかけ比誘電率を測定した。内部電極としては
Ａｇの含有率が３０％のものを形成した。

【００４０】

【表２】

【００４１】表２から明らかなように、実験例No. １
１、No. １４〜No. １６、及びNo. １８〜No. １９で
は、金属拡散層の実効的な厚みが内部電極間距離の１０
分の１以上になっており、みかけ比誘電率が大きくなっ
ている。

【００４２】また実験例No. １１〜１３の比較から明ら
かなように、焼成温度としては９５０℃よりも、より高
い温度である１０００℃の方がみかけ比誘電率が高くな
っていることがわかる。しかしながら、焼成温度が１０
５０℃になると、急激にみかけ比誘電率が低下してい
る。これは、おそらく焼成温度が高すぎることにより、
内部電極切れが発生したものと考えられる。

【００４３】実験例No. １４及びNo. １５の比較、並び
に実験例No. １６、No. １８及びNo. １９の比較から明
らかなように、最高温度保持時間を長くする程、みかけ
比誘電率が高められることがわかる。また実験例No. １
４〜No. １９から、最高温度保持時間が同じであれば、
焼成温度が高い方がみかけ比誘電率が高くなることがわ
かる。

【００４４】以上のことから明らかなように、適切な焼
成条件で焼成することにより、内部電極の周囲に金属拡
散層を形成することができ、内部電極間の実効的な素子
の厚みを小さくすることができる。従って、積層セラミ
ックコンデンサに応用した場合、大きな静電容量を得る
ことができることがわかる。

【００４５】次に、本発明を積層セラミックコンデンサ
に応用した他の具体的な実施例につき説明する。セラミ
ック素体の材料としては、鉛複合ペロブスカイト材料と
してＰｂ（Ｍｇ_1/3Ｎｂ_2/3）Ｏ₃系セラミックスを用
い、内部電極形成材料としては、下記の表３に示す割合
（重量比）でＡｇ及びＰｄを含む材料を用いた。また、
セラミックグリーンシートとしては、５．０μｍの厚み
のものを形成し、該セラミックグリーンシートに上記内
部電極形成材料をスクリーン印刷して内部電極を形成
し、得られた内部電極が印刷されたセラミックグリーン
シートを積層して積層体を得、表３に示す条件で焼成
し、焼結体を得た。得られた焼結体の両端面に外部電極
を形成し積層セラミックコンデンサを作製した。

【００４６】上記のようにして得た積層セラミックコン
デンサにおける焼結体の内部欠陥発生率を、下記の要領
で測定し、評価した。結果を下記の表３に併せて示す。
内部欠陥発生率は、超音波画像解析装置により、非破壊
で内部欠陥を検出することで算出した。

【００４７】

【表３】

【００４８】なお、表３における内部電極状態は、内部
電極が最終的にＡｇ−Ｐｄ合金となっている状態か、あ
るいは未合金の状態であるかをＸ線回折により測定した
結果に基づくものである。

【００４９】表３から明らかなように、Ａｇ−Ｐｄ合金
からなる内部電極が形成されている実験例２２〜２５で
は、Ａｇ含有割合が高くなるにつれて、内部欠陥発生率
が著しく高くなっていくことがわかる。従って、Ａｇ含
有割合を高めた場合には、コストを低減し得るものの、
内部欠陥発生率が高くなり、望ましくないことがわか
る。

【００５０】これに対して、Ａｇ及びＰｄを未合金の状
態で含む内部電極が形成されている実験例２６〜２８で
は、Ａｇの含有割合の如何に係わらず、内部欠陥発生率
が５ｐｐｍ以下と低いことがわかる。従って、Ａｇ及び
Ｐｄを未合金の状態で含むように構成することにより、
Ａｇ含有割合を高めてコストを低減した場合であっても
内部欠陥発生率を低減し得ることがわかる。

【００５１】また、実験例３１，３３，３４，３６，３
８、３９と、実験例３２，３５，３７，４０との比較か
ら明らかなように、同じＡｇ含有割合で、かつ内部電極
が未合金の状態であっても、還元性雰囲気下で焼成した
場合には、内部欠陥発生率がかなり高くなることがわか
る。これに対して、Ａｇ及びＰｄが合金の場合で含まれ
る内部電極を形成し、かつ焼成に際しての雰囲気を酸化
性雰囲気、すなわち酸素雰囲気下や空気中で６００℃以
上の温度にて焼成した場合には、内部欠陥発生率を、Ａ
ｇ含有割合の如何に係わらず、５０ｐｐｍ以下と非常に
低くし得ることがわかる。

【００５２】従って、実験例３１〜４０の結果から、好
ましくは、酸化性雰囲気で焼成することにより、内部欠
陥発生率を低め得ることがわかる。また、最高温度保持
時間が長くなる程、内部欠陥発生率が低くなることもわ
かる。なお、本願発明者の実験によれば、最高温度保持
時間が３時間未満の場合には、酸化性雰囲気下で焼成し
たとしても、内部欠陥発生率が高くなり本発明の効果を
得られないことが確かめられている。

【００５３】

【発明の効果】本発明に従い、内部電極の周囲に金属拡
散層を形成することにより、内部電極間の実効的な素子
の厚みを小さくすることができる。従って、グリーンシ
ートの厚みを薄くすることなく、実効的な素子の厚みを
薄くすることが可能になる。

【００５４】従って、本発明を積層セラミックコンデン
サに適用することにより、大きな静電容量を確保するこ
とができる。また、本発明に従って、内部電極の周囲に
金属拡散層を形成した場合には、内部電極とセラミック
層との界面における熱膨張係数差に起因する内部応力を
効果的に緩和することができるため、セラミック層と内
部電極との界面における層間剥離のような内部欠陥の発
生率を効果的に低めることができる。従って、積層セラ
ミックコンデンサの良品率を高めることができる。特
に、鉛系複合ペロブスカイト系セラミックスのような低
温焼成可能なセラミックスを用い、比較的低い温度で焼
付け得る金属材料を用いて内部電極を構成した場合に、
上記のように熱膨張係数差に起因する内部応力を効果的
に緩和し得るため、本発明を好適に適用することができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施形態の１つを示す拡大断面図。

【図２】本発明における金属拡散層の拡散状態を模式的
に示す断面図。

【図３】本発明に従う実施形態の１つである積層セラミ
ック電子部品を示す断面図。

【符号の説明】

１…セラミック素体２，４…内部電極３ａ，３ｂ，５ａ，５ｂ…金属拡散層４，５…外部電極Ｔ₁ …内部電極間の距離Ｔ₂ …実効的な素子の厚みＴ₃ …金属拡散層の実効的な厚み

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】セラミック素体内に複数の内部電極が対
向して設けられている積層セラミック電子部品におい
て、前記内部電極の周囲に、前記内部電極からセラミック素
体に金属が拡散することにより形成された金属拡散層が
設けられていることを特徴とする積層セラミック電子部
品。
【請求項２】前記金属拡散層の実効的な厚みが前記内
部電極間の距離の１０分の１以上である請求項１に記載
の積層セラミック電子部品。
【請求項３】前記内部電極間の距離が１０μｍ以下で
ある請求項１または２に記載の積層セラミック電子部
品。
【請求項４】内部電極を介して積層したセラミックグ
リーンシートの積層体を焼成することによりセラミック
素体内に複数の内部電極が対向して設けられている積層
セラミック電子部品を製造する方法において、前記内部電極として、焼成の際にセラミック素体中に拡
散しやすい成分と拡散しにくい成分とを含有した内部電
極を形成し、焼成の際に、前記拡散しやすい成分を前記
内部電極から拡散させて、前記内部電極の周囲に金属拡
散層を形成することを特徴とする積層セラミック電子部
品の製造方法。
【請求項５】焼成前における前記内部電極中の前記拡
散しやすい成分の含有量が１０％以上である請求項４に
記載の積層セラミック電子部品の製造方法。