JPH0910963A - 常温接合方法 - Google Patents
常温接合方法Info
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- JPH0910963A JPH0910963A JP16060695A JP16060695A JPH0910963A JP H0910963 A JPH0910963 A JP H0910963A JP 16060695 A JP16060695 A JP 16060695A JP 16060695 A JP16060695 A JP 16060695A JP H0910963 A JPH0910963 A JP H0910963A
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Landscapes
- Pressure Welding/Diffusion-Bonding (AREA)
- Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Welding Or Cutting Using Electron Beams (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 高強度材の常温接合方法に関する。
【構成】 高強度材を接合するにあたり、接合面に軟質
材(Al、Au、Ag又はCu)をコーティングした
後、そのコーティング面に真空中でイオンビームを照射
し、そのまま真空状態で加熱することなく接合面に垂直
な方向に加圧して高強度材を常温で接合する方法。
材(Al、Au、Ag又はCu)をコーティングした
後、そのコーティング面に真空中でイオンビームを照射
し、そのまま真空状態で加熱することなく接合面に垂直
な方向に加圧して高強度材を常温で接合する方法。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は高強度材の常温接合方法
に関し、特に温度を上げずに接合することが要求される
サーベイランス試験片に有利に適用できる同方法に関す
る。
に関し、特に温度を上げずに接合することが要求される
サーベイランス試験片に有利に適用できる同方法に関す
る。
【0002】
【従来の技術】アーク溶接、レーザ溶接、電子ビーム溶
接などの溶融溶接は接合部を溶融させるので、接合材の
温度が融点まで上がり、通常の拡散接合では絶対温度で
融点の1/2程度まで材料を加熱するのでこれまた接合
材の温度が上がる。
接などの溶融溶接は接合部を溶融させるので、接合材の
温度が融点まで上がり、通常の拡散接合では絶対温度で
融点の1/2程度まで材料を加熱するのでこれまた接合
材の温度が上がる。
【0003】溶融溶接、拡散接合のように温度を上げる
と、材料が軟化する、析出物が生成して材料が脆く
なる、という欠点があった。一方、ろう付、はんだ付は
加熱温度は低いものの、接合材の接合強度が劣るという
欠点があった。本発明は上記技術水準に鑑み、従来法に
おけるような欠点のない高強度材の常温接合方法を提供
しようとするものである。
と、材料が軟化する、析出物が生成して材料が脆く
なる、という欠点があった。一方、ろう付、はんだ付は
加熱温度は低いものの、接合材の接合強度が劣るという
欠点があった。本発明は上記技術水準に鑑み、従来法に
おけるような欠点のない高強度材の常温接合方法を提供
しようとするものである。
【0004】
【課題が解決するための手段】本発明は(1)高強度材
を接合するにあたり、接合面に軟質材をコーティングし
た後、そのコーティング面の表面に真空中でイオンビー
ムを照射し、そのまま真空状態で加熱することなく接合
面に垂直な方向に加圧して接合することを特徴とする高
強度材の常温接合方法、(2)軟質材がAl、Au、A
g及びCuのいずれか1種であることを特徴とする高強
度材の常温接合方法及び(3)軟質材のコーティングを
イオンプレーティング、イオンミキシング、イオン注入
及びメッキのいずれかによって行うことを特徴とする上
記(1)または上記(2)記載の高強度材の常温接合方
法。である。
を接合するにあたり、接合面に軟質材をコーティングし
た後、そのコーティング面の表面に真空中でイオンビー
ムを照射し、そのまま真空状態で加熱することなく接合
面に垂直な方向に加圧して接合することを特徴とする高
強度材の常温接合方法、(2)軟質材がAl、Au、A
g及びCuのいずれか1種であることを特徴とする高強
度材の常温接合方法及び(3)軟質材のコーティングを
イオンプレーティング、イオンミキシング、イオン注入
及びメッキのいずれかによって行うことを特徴とする上
記(1)または上記(2)記載の高強度材の常温接合方
法。である。
【0005】
【作用】本発明は被接合材である高強度材が軟化や脆化
することがないように、高強度材を温度を上げずに常温
で接合するものである。常温接合するためには接合面が
軟らかく、加圧した時に変形する必要があるので、予め
高強度材の接合面に軟らかく変形しやすい金属(Al、
Au、Ag又はCu)をコーティング(イオンプレーテ
ィング、イオンミキシング、イオン注入、メッキなどに
よる)しておくのである。しかしながら、常温接合する
にはコーティングした金属の接合面には酸化膜がなく、
清浄な状態でないと接合しにくいので、その接合面を真
空中でイオンビーム照射し、接合面の酸化膜などを除去
する。このイオンビームの照射によりコーティング金属
の表面の原子は活性化され、接合しやすくなる。この清
浄化、活性化した面を大気にさらすと直ちに酸化膜が生
成するので、真空を維持したまま接合面に垂直な方向に
加圧して接合する。
することがないように、高強度材を温度を上げずに常温
で接合するものである。常温接合するためには接合面が
軟らかく、加圧した時に変形する必要があるので、予め
高強度材の接合面に軟らかく変形しやすい金属(Al、
Au、Ag又はCu)をコーティング(イオンプレーテ
ィング、イオンミキシング、イオン注入、メッキなどに
よる)しておくのである。しかしながら、常温接合する
にはコーティングした金属の接合面には酸化膜がなく、
清浄な状態でないと接合しにくいので、その接合面を真
空中でイオンビーム照射し、接合面の酸化膜などを除去
する。このイオンビームの照射によりコーティング金属
の表面の原子は活性化され、接合しやすくなる。この清
浄化、活性化した面を大気にさらすと直ちに酸化膜が生
成するので、真空を維持したまま接合面に垂直な方向に
加圧して接合する。
【0006】高強度の接合面にコーティングする軟質材
(Al、Au、Ag及びCuのいずれか1種)の厚さは
1μm以上あれば良好な接合が可能である。その軟質材
のコーティング面のイオンビーム照射可能な真空度とし
ては1×10-3Torr以下であればよく、イオンビー
ムはArイオンが一般的であるが、不活性ガスイオンで
あればいずれのものも使用できる。最終の接合面に垂直
な方向への加圧力としては0.5kg/mm2 以上であ
れば十分である。
(Al、Au、Ag及びCuのいずれか1種)の厚さは
1μm以上あれば良好な接合が可能である。その軟質材
のコーティング面のイオンビーム照射可能な真空度とし
ては1×10-3Torr以下であればよく、イオンビー
ムはArイオンが一般的であるが、不活性ガスイオンで
あればいずれのものも使用できる。最終の接合面に垂直
な方向への加圧力としては0.5kg/mm2 以上であ
れば十分である。
【0007】
【実施例】本発明の常温接合方法の具体的な構成を図1
に、その接合手順を図2に示す。図2には、(a)→
(b)→(c)→(d)→(e)→(f)の工程と
(a)→(b)→(c)→(d)→(e′)→(f′)
の工程の2通りの手順を示している。前者の手順は回転
治具に保持した軟質材コーティング高強度材をイオンビ
ーム発振器の方に向けてイオンビーム照射してから接合
する場合、後者はイオンビーム発振器を加圧装置に保持
した軟質材コーティング高強度材面に傾斜させてイオン
ビーム照射を行う場合を示す。なお、図中、7は真空排
気装置を示す。
に、その接合手順を図2に示す。図2には、(a)→
(b)→(c)→(d)→(e)→(f)の工程と
(a)→(b)→(c)→(d)→(e′)→(f′)
の工程の2通りの手順を示している。前者の手順は回転
治具に保持した軟質材コーティング高強度材をイオンビ
ーム発振器の方に向けてイオンビーム照射してから接合
する場合、後者はイオンビーム発振器を加圧装置に保持
した軟質材コーティング高強度材面に傾斜させてイオン
ビーム照射を行う場合を示す。なお、図中、7は真空排
気装置を示す。
【0008】(実施例1)高強度材1に低合金鋼を用い
(a)、接合面を研磨した後(b)、軟質材コーティン
グ2としてAgメッキを100μ施し(c)、さらに平
面に研磨した(d)。このような材料を2つ向き合せ
て、真空チャンバ6中の回転治具8にセットし、Agメ
ッキ面にイオンビーム発振器3からArイオンビームを
300Vで1分間発振し、接合面を清浄化した後
(e)、接合面を向かい合わせて加圧装置4及び加圧受
台5により5kg/mm2 の加圧を1分間加えて接合し
た(f)。この継手を引張試験した結果、40kg/m
m2 の強度が得られた。
(a)、接合面を研磨した後(b)、軟質材コーティン
グ2としてAgメッキを100μ施し(c)、さらに平
面に研磨した(d)。このような材料を2つ向き合せ
て、真空チャンバ6中の回転治具8にセットし、Agメ
ッキ面にイオンビーム発振器3からArイオンビームを
300Vで1分間発振し、接合面を清浄化した後
(e)、接合面を向かい合わせて加圧装置4及び加圧受
台5により5kg/mm2 の加圧を1分間加えて接合し
た(f)。この継手を引張試験した結果、40kg/m
m2 の強度が得られた。
【0009】(実施例2)高強度材1に高炭素鋼を用い
(a)、接合面を研磨した後(b)、軟質材コーティン
グ2としてAlをイオンプレーティングで10μの厚さ
を蒸着し(c)、さらに平面に研磨した(d)。このよ
うな材料を2つ向き合せて、真空チャンバ6中の回転治
具8にセットし、Al蒸着面にイオンビーム発振器3か
らArイオンビームを500Vで1分間照射し、接合面
を清浄化した後(e)、接合面を向かい合わせて加圧装
置4及び加圧受台5により4kg/mm2 の加圧を1分
間加えて接合した(f)。この継手を引張試験した結
果、40kg/mm2 の強度が得られた。
(a)、接合面を研磨した後(b)、軟質材コーティン
グ2としてAlをイオンプレーティングで10μの厚さ
を蒸着し(c)、さらに平面に研磨した(d)。このよ
うな材料を2つ向き合せて、真空チャンバ6中の回転治
具8にセットし、Al蒸着面にイオンビーム発振器3か
らArイオンビームを500Vで1分間照射し、接合面
を清浄化した後(e)、接合面を向かい合わせて加圧装
置4及び加圧受台5により4kg/mm2 の加圧を1分
間加えて接合した(f)。この継手を引張試験した結
果、40kg/mm2 の強度が得られた。
【0010】(実施例3)高強度材1に低合金鋼を用い
(a)、接合面を研磨した後(b)、軟質材コーティン
グ2としてAuメッキを20μ施し(c)、さらに平面
に研磨した(d)。これを2つ向き合わせて真空チャン
バ6の中の回転治具8にセットし、Auメッキ面にイオ
ンビーム発振器3からArイオンビームを750Vで3
0秒間照射し、接合面を清浄化した後(e)、接合面を
向かい合わせて加圧装置4及び加圧受台5により2kg
/mm2 の加圧を2分間加えて接合した(f)。この継
手を引張試験した結果、50kg/mm2 の強度が得ら
れた。
(a)、接合面を研磨した後(b)、軟質材コーティン
グ2としてAuメッキを20μ施し(c)、さらに平面
に研磨した(d)。これを2つ向き合わせて真空チャン
バ6の中の回転治具8にセットし、Auメッキ面にイオ
ンビーム発振器3からArイオンビームを750Vで3
0秒間照射し、接合面を清浄化した後(e)、接合面を
向かい合わせて加圧装置4及び加圧受台5により2kg
/mm2 の加圧を2分間加えて接合した(f)。この継
手を引張試験した結果、50kg/mm2 の強度が得ら
れた。
【0011】(実施例4)高強度材1にNi基耐熱合金
を用い(a)、接合面を研磨した後(b)、軟質材コー
ティング2としてCuメッキを50μの厚さに施し
(c)、さらに平面を研磨した(d)。これを2つ向き
合わせて真空チャンバ6の加圧装置4及び加圧受台5の
端部にセットし、Cuメッキ面に回転自在のイオンビー
ム発振器3′からArイオンビームを500Vで2分間
照射し、接合面を清浄化した後(e′)、加圧装置4及
び加圧受台5により5kg/mm2 の加圧を1分間加え
て接合した(f′)。この継手を引張試験した結果、6
0kg/mm2 の接合強度が得られた。
を用い(a)、接合面を研磨した後(b)、軟質材コー
ティング2としてCuメッキを50μの厚さに施し
(c)、さらに平面を研磨した(d)。これを2つ向き
合わせて真空チャンバ6の加圧装置4及び加圧受台5の
端部にセットし、Cuメッキ面に回転自在のイオンビー
ム発振器3′からArイオンビームを500Vで2分間
照射し、接合面を清浄化した後(e′)、加圧装置4及
び加圧受台5により5kg/mm2 の加圧を1分間加え
て接合した(f′)。この継手を引張試験した結果、6
0kg/mm2 の接合強度が得られた。
【0012】(実施例5)高強度材1に低合金鋼を用い
(a)、接合面を研磨した後(b)、Agをイオンミキ
シングで約10μmの厚さにコーティングし(c)、さ
らに平面に研磨した(d)。このような材料を2つ向き
合わせて真空チャンバ6中の回転治具8にセットし、A
gコーティング面にイオンビーム発振器3からArイオ
ンビームを750Vで1分間照射し、接合面を清浄化し
た後(e)、接合面を向かい合わせ加圧装置4及び加圧
受台5により5kg/mm2 の加圧を1分間加えて接合
した(f)。この継手を引張試験した結果、40kg/
mm2 の強度が得られた。
(a)、接合面を研磨した後(b)、Agをイオンミキ
シングで約10μmの厚さにコーティングし(c)、さ
らに平面に研磨した(d)。このような材料を2つ向き
合わせて真空チャンバ6中の回転治具8にセットし、A
gコーティング面にイオンビーム発振器3からArイオ
ンビームを750Vで1分間照射し、接合面を清浄化し
た後(e)、接合面を向かい合わせ加圧装置4及び加圧
受台5により5kg/mm2 の加圧を1分間加えて接合
した(f)。この継手を引張試験した結果、40kg/
mm2 の強度が得られた。
【0013】(実施例6)高強度材1にNi基耐熱合金
を用い(a)、接合面を研磨した後(b)、Cuを接合
面にイオン注入し(c)、さらに平面を研磨した
(d)、これを2つ向かい合わせて真空チャンバ6中の
回転治具8にセットし、Cu注入面にイオンビーム発振
器3からのArイオンビームを500Vで1分間照射
し、接合面を清浄化した後(e)、接合面を向かい合わ
せ、加圧装置4及び加圧受台5により10kg/mm2
の加圧を3分間加えて接合した(f)。この継手を引張
試験したところ、50kg/mm2 の接合強度が得られ
た。
を用い(a)、接合面を研磨した後(b)、Cuを接合
面にイオン注入し(c)、さらに平面を研磨した
(d)、これを2つ向かい合わせて真空チャンバ6中の
回転治具8にセットし、Cu注入面にイオンビーム発振
器3からのArイオンビームを500Vで1分間照射
し、接合面を清浄化した後(e)、接合面を向かい合わ
せ、加圧装置4及び加圧受台5により10kg/mm2
の加圧を3分間加えて接合した(f)。この継手を引張
試験したところ、50kg/mm2 の接合強度が得られ
た。
【0014】
【発明の効果】本発明によれば、接合のときに、温度を
上げることなく高強度材が接合できるので、優れた接合
強度が得られる。
上げることなく高強度材が接合できるので、優れた接合
強度が得られる。
【図1】本発明の常温接合方法の基本的な構成の説明
図。
図。
【図2】本発明の実施例の常温接合方法の手順の説明
図。
図。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 C23C 30/00 C23C 30/00 A B C23F 4/00 C23F 4/00 C
Claims (3)
- 【請求項1】 高強度材を接合するにあたり、接合面に
軟質材をコーティングした後、そのコーティング面の表
面に真空中でイオンビームを照射し、そのまま真空状態
で加熱することなく接合面に垂直な方向に加圧して接合
することを特徴とする高強度材の常温接合方法。 - 【請求項2】 軟質材がAl、Au、Ag及びCuのい
ずれか1種であることを特徴とする高強度材の常温接合
方法。 - 【請求項3】 軟質材のコーティングをイオンプレーテ
ィング、イオンミキシング、イオン注入及びメッキのい
ずれかによって行うことを特徴とする請求項1または請
求項2記載の高強度材の常温接合方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16060695A JPH0910963A (ja) | 1995-06-27 | 1995-06-27 | 常温接合方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16060695A JPH0910963A (ja) | 1995-06-27 | 1995-06-27 | 常温接合方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0910963A true JPH0910963A (ja) | 1997-01-14 |
Family
ID=15718584
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16060695A Withdrawn JPH0910963A (ja) | 1995-06-27 | 1995-06-27 | 常温接合方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0910963A (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008029885A1 (en) * | 2006-09-06 | 2008-03-13 | Mitsubishi Heavy Industries, Ltd. | Normal temperature joining method and normal temperature joining device |
| JP2008207221A (ja) * | 2007-02-27 | 2008-09-11 | Takehito Shimazu | 常温接合方法 |
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| US8471377B2 (en) | 2010-08-09 | 2013-06-25 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor device and semiconductor circuit substrate |
| JP2013165253A (ja) * | 2012-01-13 | 2013-08-22 | Bondtech Inc | 接合装置、接合方法、半導体デバイスおよびmemsデバイス |
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-
1995
- 1995-06-27 JP JP16060695A patent/JPH0910963A/ja not_active Withdrawn
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