JPH09110524A - 非還元性誘電体磁器組成物 - Google Patents
非還元性誘電体磁器組成物Info
- Publication number
- JPH09110524A JPH09110524A JP8026652A JP2665296A JPH09110524A JP H09110524 A JPH09110524 A JP H09110524A JP 8026652 A JP8026652 A JP 8026652A JP 2665296 A JP2665296 A JP 2665296A JP H09110524 A JPH09110524 A JP H09110524A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- weight
- parts
- ceramic composition
- dielectric ceramic
- reducing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 誘電率温度特性の良い非還元性誘電体磁器組
成物を提供する。 【解決手段】 （ＢａK-X-Y ＣａX ＭｇY ）ＯK ＴｉＯ
2 （１．００＜Ｋ≦１．０４，０．００３≦Ｘ≦０．０
２，０．００３≦Ｙ≦０．０３）で表される主成分１０
０重量部；Ｃｏ3 Ｏ4 ０．３〜１．０重量部，ＺｎＯ
０．３〜１．０重量部及びＮｉＯ ０．４〜１．２重量
部の１種以上；ＭｎＣＯ3 ０．１〜０．５重量部；並び
にＳｉＯ2 ０．０５〜０．３重量部を混合焼成してなる
非還元性誘電体磁器組成物。 【効果】 内部電極としてニッケル等の安価な卑金属を
用いて、安価で、誘電率の温度特性に優れた高特性積層
型磁器コンデンサを製造できる。
成物を提供する。 【解決手段】 （ＢａK-X-Y ＣａX ＭｇY ）ＯK ＴｉＯ
2 （１．００＜Ｋ≦１．０４，０．００３≦Ｘ≦０．０
２，０．００３≦Ｙ≦０．０３）で表される主成分１０
０重量部；Ｃｏ3 Ｏ4 ０．３〜１．０重量部，ＺｎＯ
０．３〜１．０重量部及びＮｉＯ ０．４〜１．２重量
部の１種以上；ＭｎＣＯ3 ０．１〜０．５重量部；並び
にＳｉＯ2 ０．０５〜０．３重量部を混合焼成してなる
非還元性誘電体磁器組成物。 【効果】 内部電極としてニッケル等の安価な卑金属を
用いて、安価で、誘電率の温度特性に優れた高特性積層
型磁器コンデンサを製造できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁器コンデンサ、
特にニッケル等の卑金属からなる内部電極を有する積層
型磁器コンデンサに好適な、誘電率温度特性の良い非還
元性誘電体磁器組成物に関するものである。
特にニッケル等の卑金属からなる内部電極を有する積層
型磁器コンデンサに好適な、誘電率温度特性の良い非還
元性誘電体磁器組成物に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、積層型磁器コンデンサに用いられ
る誘電体磁器組成物としては、ＢａＴｉＯ3 −Ｃｏ2 Ｏ
3 −Ｎｂ2 Ｏ5 系や、ＢａＴｉＯ3 −ＣａＴｉＯ3 −Ｍ
ｇＴｉＯ3 系組成物が知られている。
る誘電体磁器組成物としては、ＢａＴｉＯ3 −Ｃｏ2 Ｏ
3 −Ｎｂ2 Ｏ5 系や、ＢａＴｉＯ3 −ＣａＴｉＯ3 −Ｍ
ｇＴｉＯ3 系組成物が知られている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記従来の誘電体磁器
組成物は、積層型磁器コンデンサとする場合、内部電極
としてパラジウム等の貴金属を用いる必要があり、積層
セラミックコンデンサに占める内部電極材料のコストが
高くつくという難点があった。
組成物は、積層型磁器コンデンサとする場合、内部電極
としてパラジウム等の貴金属を用いる必要があり、積層
セラミックコンデンサに占める内部電極材料のコストが
高くつくという難点があった。
【０００４】即ち、従来の誘電体磁器組成物では、内部
電極として安価なニッケル等の卑金属を用いた場合、積
層型磁器コンデンサの製造工程で、大気中で焼成する
と、内部電極のニッケル等の卑金属が酸化され、内部電
極としての機能を果たさなくなる。また、ニッケルが酸
化されない中性又は還元性雰囲気で焼成した場合には、
誘電体磁器組成物自体が還元され、半導体化してしま
う。このため、従来においては、パラジウム等の貴金属
よりなる内部電極を形成する必要があった。
電極として安価なニッケル等の卑金属を用いた場合、積
層型磁器コンデンサの製造工程で、大気中で焼成する
と、内部電極のニッケル等の卑金属が酸化され、内部電
極としての機能を果たさなくなる。また、ニッケルが酸
化されない中性又は還元性雰囲気で焼成した場合には、
誘電体磁器組成物自体が還元され、半導体化してしま
う。このため、従来においては、パラジウム等の貴金属
よりなる内部電極を形成する必要があった。
【０００５】本発明は上記従来の問題点を解決し、ニッ
ケル等の卑金属が酸化されない中性又は還元性雰囲気で
焼成した場合でも、組織が半導体化しない非還元性誘電
体磁器組成物であって、かつ、誘電率の温度特性が２５
℃を基準としたときに、−５５℃〜＋１２５℃の温度範
囲において誘電率の温度変化が良い、非還元性誘電体磁
器組成物を提供することを目的とする。
ケル等の卑金属が酸化されない中性又は還元性雰囲気で
焼成した場合でも、組織が半導体化しない非還元性誘電
体磁器組成物であって、かつ、誘電率の温度特性が２５
℃を基準としたときに、−５５℃〜＋１２５℃の温度範
囲において誘電率の温度変化が良い、非還元性誘電体磁
器組成物を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の非還元性誘電体
磁器組成物は、下記組成式［Ｉ］で表される主成分と、
該主成分１００重量部に対して、０．３〜１．０重量部
のＣｏ3 Ｏ4 、０．３〜１．０重量部のＺｎＯ及び０．
４〜１．２重量部のＮｉＯよりなる群から選ばれる１種
又は２種以上と、０．１〜０．５重量部のＭｎＣＯ3
と、０．０５〜０．３重量部のＳｉＯ2 とを混合し、混
合物を焼成して得られたことを特徴とするものである。
磁器組成物は、下記組成式［Ｉ］で表される主成分と、
該主成分１００重量部に対して、０．３〜１．０重量部
のＣｏ3 Ｏ4 、０．３〜１．０重量部のＺｎＯ及び０．
４〜１．２重量部のＮｉＯよりなる群から選ばれる１種
又は２種以上と、０．１〜０．５重量部のＭｎＣＯ3
と、０．０５〜０．３重量部のＳｉＯ2 とを混合し、混
合物を焼成して得られたことを特徴とするものである。
【０００７】この非還元性誘電体磁器組成物は、下記組
成式［Ｉ］で表される主成分と、該主成分１００重量部
に対して、０．３〜１．０重量部のＣｏ3 Ｏ4 ，０．３
〜１．０重量部のＺｎＯ及び０．４〜１．２重量部のＮ
ｉＯよりなる群から選ばれる１種又は２種以上と、０．
０６１〜０．３０７重量部のＭｎＯと、０．０５〜０．
３重量部のＳｉＯ2 とを含むことを特徴とする。
成式［Ｉ］で表される主成分と、該主成分１００重量部
に対して、０．３〜１．０重量部のＣｏ3 Ｏ4 ，０．３
〜１．０重量部のＺｎＯ及び０．４〜１．２重量部のＮ
ｉＯよりなる群から選ばれる１種又は２種以上と、０．
０６１〜０．３０７重量部のＭｎＯと、０．０５〜０．
３重量部のＳｉＯ2 とを含むことを特徴とする。
【０００８】 （ＢａK-X-Y ＣａX ＭｇY ）ＯK ＴｉＯ2 …［Ｉ］ （ただし、上記［Ｉ］式中、Ｋ、Ｘ、Ｙは １．００＜Ｋ≦１．０４ ０．００３≦Ｘ≦０．０２ ０．００３≦Ｙ≦０．０３ である。） 本発明組成であれば、ニッケル等の卑金属が酸化されな
い、中性又は還元性雰囲気で焼成した場合であっても還
元されず、従って、半導体化することなく、しかも、誘
電率の温度特性が、２５℃を基準としたときに−５５〜
＋１２５℃の温度範囲において良好な特性を示す非還元
性誘電体磁器組成物が得られる。
い、中性又は還元性雰囲気で焼成した場合であっても還
元されず、従って、半導体化することなく、しかも、誘
電率の温度特性が、２５℃を基準としたときに−５５〜
＋１２５℃の温度範囲において良好な特性を示す非還元
性誘電体磁器組成物が得られる。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下に本発明を詳細に説明する。
【００１０】本発明の非還元性誘電体磁器組成物におい
て、主成分組成は、組成式（ＢａK-X-Y ＣａX ＭｇY ）
ＯK ＴｉＯ2 において、Ｋ、Ｘ、Ｙが１．００＜Ｋ≦
１．０４，０．００３≦Ｘ≦０．０２，０．００３≦Ｙ
≦０．０３である。この主成分組成において、Ｋ≦１で
あると、得られる誘電体磁器組成物が半導体化するか、
又は、温度特性が悪くなる。Ｋ＞１．０４では焼結が著
しく困難となる。また、Ｘ＜０．００３では誘電体磁器
組成物の比誘電率が著しく低下し、Ｘ＞０．０２では焼
結が困難となる。また、Ｙ＜０．００３では誘電体磁器
組成物が半導体化するか、又は、温度特性が悪くなり、
Ｙ＞０．０３では焼結が困難となる。従って、１．００
＜Ｋ≦１．０４，０．００３≦Ｘ≦０．０２，０．００
３≦Ｙ≦０．０３の範囲とする。
て、主成分組成は、組成式（ＢａK-X-Y ＣａX ＭｇY ）
ＯK ＴｉＯ2 において、Ｋ、Ｘ、Ｙが１．００＜Ｋ≦
１．０４，０．００３≦Ｘ≦０．０２，０．００３≦Ｙ
≦０．０３である。この主成分組成において、Ｋ≦１で
あると、得られる誘電体磁器組成物が半導体化するか、
又は、温度特性が悪くなる。Ｋ＞１．０４では焼結が著
しく困難となる。また、Ｘ＜０．００３では誘電体磁器
組成物の比誘電率が著しく低下し、Ｘ＞０．０２では焼
結が困難となる。また、Ｙ＜０．００３では誘電体磁器
組成物が半導体化するか、又は、温度特性が悪くなり、
Ｙ＞０．０３では焼結が困難となる。従って、１．００
＜Ｋ≦１．０４，０．００３≦Ｘ≦０．０２，０．００
３≦Ｙ≦０．０３の範囲とする。
【００１１】また、このような主成分１００重量部に対
して副成分として添加するＣｏ3 Ｏ4 ，ＺｎＯ，ＮｉＯ
が上記範囲より多くても少なくても、得られる誘電体磁
器組成物の温度特性が悪くなる。また、同時に副成分と
して添加するＭｎＣＯ3 が０．１重量部未満では、得ら
れる誘電体磁器組成物の比抵抗が著しく小さく、また、
誘電損失は大きくなってしまう。ＭｎＣＯ3 が０．５重
量部を超えると比誘電率が低下する。
して副成分として添加するＣｏ3 Ｏ4 ，ＺｎＯ，ＮｉＯ
が上記範囲より多くても少なくても、得られる誘電体磁
器組成物の温度特性が悪くなる。また、同時に副成分と
して添加するＭｎＣＯ3 が０．１重量部未満では、得ら
れる誘電体磁器組成物の比抵抗が著しく小さく、また、
誘電損失は大きくなってしまう。ＭｎＣＯ3 が０．５重
量部を超えると比誘電率が低下する。
【００１２】また、添加物のＳｉＯ2 が、上記主成分１
００重量部に対して０．０５重量部未満では、焼結が困
難となり、０．３重量部を超えると、得られる誘電体磁
器組成物の比抵抗が劣化するか、温度特性が悪くなる場
合がある。
００重量部に対して０．０５重量部未満では、焼結が困
難となり、０．３重量部を超えると、得られる誘電体磁
器組成物の比抵抗が劣化するか、温度特性が悪くなる場
合がある。
【００１３】このため、上記主成分１００重量部に対し
て、Ｃｏ3 Ｏ4 ０．３〜１．０重量部，ＺｎＯ ０．３
〜１．０重量部及びＮｉＯ ０．４〜１．２重量部の１
種又は２種以上、ＭｎＣＯ3 ０．１〜０．５重量部（Ｍ
ｎＯ ０．０６１〜０．３０７重量部）、ＳｉＯ2 ０．
０５〜０．３重量部とする。
て、Ｃｏ3 Ｏ4 ０．３〜１．０重量部，ＺｎＯ ０．３
〜１．０重量部及びＮｉＯ ０．４〜１．２重量部の１
種又は２種以上、ＭｎＣＯ3 ０．１〜０．５重量部（Ｍ
ｎＯ ０．０６１〜０．３０７重量部）、ＳｉＯ2 ０．
０５〜０．３重量部とする。
【００１４】なお、Ｃｏ3 Ｏ4 ，ＺｎＯ及びＮｉＯより
なる群から選ばれる２種又は３種を併用添加する場合、
その合計の添加量は、前記主成分１００重量部に対して
０．３〜１．２重量部とするのが好ましい。
なる群から選ばれる２種又は３種を併用添加する場合、
その合計の添加量は、前記主成分１００重量部に対して
０．３〜１．２重量部とするのが好ましい。
【００１５】このような本発明の非還元性誘電体磁器組
成物を製造するには、例えば、チタン酸バリウム（Ｂａ
ＴｉＯ3 ）、炭酸バリウム（ＢａＣＯ3 ）、酸化チタン
（ＴｉＯ2 ）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、炭酸カル
シウム（ＣａＣＯ3 ）及び炭酸マンガン（ＭｎＣＯ3 ）
と、酸化コバルト（Ｃｏ3 Ｏ4 ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）
及び酸化ニッケル（ＮｉＯ）よりなる群から選ばれる１
種又は２種以上と、二酸化珪素（ＳｉＯ2 ）の各粉末を
所定の割合となるように秤量し、湿式ボールミル等を用
いて十分混合する。次に、この混合物を乾燥した後、Ｐ
ＶＢ（ポリビニルブチラール）バインダー等の有機バイ
ンダーを加え、所定の形状に加圧成形した後、焼成を行
う。この焼成は１２５０〜１３５０℃の温度範囲で１〜
４時間程度行う。
成物を製造するには、例えば、チタン酸バリウム（Ｂａ
ＴｉＯ3 ）、炭酸バリウム（ＢａＣＯ3 ）、酸化チタン
（ＴｉＯ2 ）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、炭酸カル
シウム（ＣａＣＯ3 ）及び炭酸マンガン（ＭｎＣＯ3 ）
と、酸化コバルト（Ｃｏ3 Ｏ4 ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）
及び酸化ニッケル（ＮｉＯ）よりなる群から選ばれる１
種又は２種以上と、二酸化珪素（ＳｉＯ2 ）の各粉末を
所定の割合となるように秤量し、湿式ボールミル等を用
いて十分混合する。次に、この混合物を乾燥した後、Ｐ
ＶＢ（ポリビニルブチラール）バインダー等の有機バイ
ンダーを加え、所定の形状に加圧成形した後、焼成を行
う。この焼成は１２５０〜１３５０℃の温度範囲で１〜
４時間程度行う。
【００１６】
【実施例】以下に実施例及び比較例を挙げて本発明をよ
り具体的に説明するが、本発明はその要旨を超えない限
り、以下の実施例に限定されるものではない。
り具体的に説明するが、本発明はその要旨を超えない限
り、以下の実施例に限定されるものではない。
【００１７】実施例１〜２８，比較例１〜３３ チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ3 ）、炭酸バリウム（Ｂ
ａＣＯ3 ）、酸化チタン（ＴｉＯ2 ）、酸化マグネシウ
ム（ＭｇＯ）及び炭酸カルシウム（ＣａＣＯ3）の各粉
末を用意し、表１〜７に示す主成分組成となるように調
合した。この調合原料を２４時間湿式混合した後乾燥し
た。その後、１１００℃で２時間の仮焼成を行い、更
に、２４時間粉砕した。次に、炭酸マンガン（ＭｎＣＯ
3 ）と、酸化コバルト（Ｃｏ3 Ｏ4 ）、酸化亜鉛（Ｚｎ
Ｏ）及び酸化ニッケル（ＮｉＯ）よりなる群から選ばれ
る１種又は２種以上と、二酸化珪素（ＳｉＯ2 ）の各粉
末を用意し、この主成分に対して、表１〜７の割合とな
るように調合した。この調合原料を２４時間湿式混合し
た後乾燥した。この粉末にＰＶＢバインダーを加え、１
２０℃で１時間乾燥した後、２ｔ／ｃｍ2 の圧力で加圧
成形した。得られた成形体を大気中１００℃／時間の割
合で昇温し、６００℃で２時間保持してバインダーを燃
焼させた。その後、２００℃／時間の割合で昇温し、表
１〜７に示す焼成温度で２時間保持して焼成した。な
お、焼成雰囲気はＮ2 ガスとＨ2 ガスの混合ガス（体積
比：Ｈ2 ／Ｎ2 ＝１％）の中性又は還元性雰囲気とし
た。
ａＣＯ3 ）、酸化チタン（ＴｉＯ2 ）、酸化マグネシウ
ム（ＭｇＯ）及び炭酸カルシウム（ＣａＣＯ3）の各粉
末を用意し、表１〜７に示す主成分組成となるように調
合した。この調合原料を２４時間湿式混合した後乾燥し
た。その後、１１００℃で２時間の仮焼成を行い、更
に、２４時間粉砕した。次に、炭酸マンガン（ＭｎＣＯ
3 ）と、酸化コバルト（Ｃｏ3 Ｏ4 ）、酸化亜鉛（Ｚｎ
Ｏ）及び酸化ニッケル（ＮｉＯ）よりなる群から選ばれ
る１種又は２種以上と、二酸化珪素（ＳｉＯ2 ）の各粉
末を用意し、この主成分に対して、表１〜７の割合とな
るように調合した。この調合原料を２４時間湿式混合し
た後乾燥した。この粉末にＰＶＢバインダーを加え、１
２０℃で１時間乾燥した後、２ｔ／ｃｍ2 の圧力で加圧
成形した。得られた成形体を大気中１００℃／時間の割
合で昇温し、６００℃で２時間保持してバインダーを燃
焼させた。その後、２００℃／時間の割合で昇温し、表
１〜７に示す焼成温度で２時間保持して焼成した。な
お、焼成雰囲気はＮ2 ガスとＨ2 ガスの混合ガス（体積
比：Ｈ2 ／Ｎ2 ＝１％）の中性又は還元性雰囲気とし
た。
【００１８】このようにして得られた磁器素体の両面に
ＩｎＧａを塗布して電極とした。
ＩｎＧａを塗布して電極とした。
【００１９】得られた試料の電気特性を調べ、結果を表
１〜７に示した。なお、誘電率、誘電損失、温度特性は
１ＫＨｚ、１Ｖｒｍｓで測定した。比抵抗は、１００Ｖ
DCにおいて３０秒後の値を測定した。
１〜７に示した。なお、誘電率、誘電損失、温度特性は
１ＫＨｚ、１Ｖｒｍｓで測定した。比抵抗は、１００Ｖ
DCにおいて３０秒後の値を測定した。
【００２０】表１〜７より、本発明によれば、誘電率及
びその温度特性に優れた非還元性誘電体磁器組成物が得
られることが明らかである。
びその温度特性に優れた非還元性誘電体磁器組成物が得
られることが明らかである。
【００２１】
【表１】
【００２２】
【表２】
【００２３】
【表３】
【００２４】
【表４】
【００２５】
【表５】
【００２６】
【表６】
【００２７】
【表７】
【００２８】
【発明の効果】以上詳述した通り、本発明の非還元性誘
電体磁器組成物は、中性又は還元性雰囲気における焼成
でも還元されず、半導体化しないため、本発明によれ
ば、内部電極としてニッケル等の安価な卑金属を用いる
ことができ、従って、安価で、誘電率の温度特性に優れ
た高特性積層型磁器コンデンサを製造することができ
る。
電体磁器組成物は、中性又は還元性雰囲気における焼成
でも還元されず、半導体化しないため、本発明によれ
ば、内部電極としてニッケル等の安価な卑金属を用いる
ことができ、従って、安価で、誘電率の温度特性に優れ
た高特性積層型磁器コンデンサを製造することができ
る。
Claims (2)
- 【請求項１】 下記組成式［Ｉ］で表される主成分と、
該主成分１００重量部に対して、０．３〜１．０重量部
のＣｏ3 Ｏ4 、０．３〜１．０重量部のＺｎＯ及び０．
４〜１．２重量部のＮｉＯよりなる群から選ばれる１種
又は２種以上と、０．１〜０．５重量部のＭｎＣＯ3
と、０．０５〜０．３重量部のＳｉＯ2とを混合し、混
合物を焼成して得られることを特徴とする非還元性誘電
体磁器組成物。 （ＢａK-X-Y ＣａX ＭｇY ）ＯK ＴｉＯ2 …［Ｉ］ （ただし、上記［Ｉ］式中、Ｋ、Ｘ、Ｙは １．００＜Ｋ≦１．０４ ０．００３≦Ｘ≦０．０２ ０．００３≦Ｙ≦０．０３ である。） - 【請求項２】 下記組成式［Ｉ］で表される主成分と、
該主成分１００重量部に対して、０．３〜１．０重量部
のＣｏ3 Ｏ4 、０．３〜１．０重量部のＺｎＯ及び０．
４〜１．２重量部のＮｉＯよりなる群から選ばれる１種
又は２種以上と、０．０６１〜０．３０７重量部のＭｎ
Ｏと、０．０５〜０．３重量部のＳｉＯ2 とを含むこと
を特徴とする非還元性誘電体磁器組成物。 （ＢａK-X-Y ＣａX ＭｇY ）ＯK ＴｉＯ2 …［Ｉ］ （ただし、上記［Ｉ］式中、Ｋ、Ｘ、Ｙは １．００＜Ｋ≦１．０４ ０．００３≦Ｘ≦０．０２ ０．００３≦Ｙ≦０．０３ である。）
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8026652A JPH09110524A (ja) | 1995-08-08 | 1996-02-14 | 非還元性誘電体磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7-202190 | 1995-08-08 | ||
| JP20219095 | 1995-08-08 | ||
| JP8026652A JPH09110524A (ja) | 1995-08-08 | 1996-02-14 | 非還元性誘電体磁器組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09110524A true JPH09110524A (ja) | 1997-04-28 |
Family
ID=26364457
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8026652A Withdrawn JPH09110524A (ja) | 1995-08-08 | 1996-02-14 | 非還元性誘電体磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09110524A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104851613A (zh) * | 2015-05-20 | 2015-08-19 | 华南师范大学 | 超高比容量介孔Co3O4纳米片电极材料及其制备方法 |
-
1996
- 1996-02-14 JP JP8026652A patent/JPH09110524A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104851613A (zh) * | 2015-05-20 | 2015-08-19 | 华南师范大学 | 超高比容量介孔Co3O4纳米片电极材料及其制备方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR0161348B1 (ko) | 비환원성 유전체 세라믹 조성물 | |
| US5264402A (en) | Non-reducible dielectric ceramic composition | |
| JP4201242B2 (ja) | 高誘電率誘電体磁器組成物 | |
| JP3450903B2 (ja) | 非還元性誘電体磁器組成物 | |
| JPH0283256A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JP3087657B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JP3095941B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPH09110524A (ja) | 非還元性誘電体磁器組成物 | |
| JPS6256361A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JP3389947B2 (ja) | 誘電体磁器組成物及びそれを用いた厚膜コンデンサ | |
| JP3250932B2 (ja) | 非還元性誘電体磁器組成物 | |
| JP2958822B2 (ja) | 非還元性誘電体磁器組成物 | |
| JPH0571538B2 (ja) | ||
| JP2619675B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JP2958820B2 (ja) | 非還元性誘電体磁器組成物 | |
| JP2837516B2 (ja) | 誘電体磁器コンデンサ | |
| JP3185333B2 (ja) | 非還元性誘電体磁器組成物 | |
| JPH04169003A (ja) | 非還元性誘電体磁器組成物 | |
| JPH09255421A (ja) | 誘電損失の少ない高誘電率磁器組成物 | |
| JP3389830B2 (ja) | 高誘電率磁器組成物 | |
| CN116598045A (zh) | 电介质陶瓷组合物 | |
| JPH0715855B2 (ja) | セラミックコンデンサ | |
| JPH04237902A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPH0521265A (ja) | コンデンサの製造方法 | |
| JPH05279106A (ja) | 誘電体磁器組成物 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20030506 |