JPH09110741A - α，β−ジブロモエチルベンゼン類およびα−ブロモスチレン類の製造法 - Google Patents

α，β−ジブロモエチルベンゼン類およびα−ブロモスチレン類の製造法

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JPH09110741A
JPH09110741A JP26405695A JP26405695A JPH09110741A JP H09110741 A JPH09110741 A JP H09110741A JP 26405695 A JP26405695 A JP 26405695A JP 26405695 A JP26405695 A JP 26405695A JP H09110741 A JPH09110741 A JP H09110741A
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JP
Japan
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general formula
formula
hydrogen atom
dibromoethylbenzenes
following general
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JP26405695A
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Takeshi Tanaka
健 田中
Akiyoshi Hosokawa
明美 細川
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Mitsubishi Chemical Corp
Original Assignee
Mitsubishi Chemical Corp
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Publication date
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    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C22/00—Cyclic compounds containing halogen atoms bound to an acyclic carbon atom
    • C07C22/02—Cyclic compounds containing halogen atoms bound to an acyclic carbon atom having unsaturation in the rings
    • C07C22/04—Cyclic compounds containing halogen atoms bound to an acyclic carbon atom having unsaturation in the rings containing six-membered aromatic rings
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C17/00—Preparation of halogenated hydrocarbons
    • C07C17/093—Preparation of halogenated hydrocarbons by replacement by halogens
    • C07C17/10—Preparation of halogenated hydrocarbons by replacement by halogens of hydrogen atoms
    • C07C17/14—Preparation of halogenated hydrocarbons by replacement by halogens of hydrogen atoms in the side-chain of aromatic compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C17/00—Preparation of halogenated hydrocarbons
    • C07C17/25—Preparation of halogenated hydrocarbons by splitting-off hydrogen halides from halogenated hydrocarbons

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 医薬および農薬の中間体であるα，β−ジブ
ロモエチルベンゼン類の製造法の提供。 【解決手段】 α−ブロモエチルベンゼン類またはエチ
ルベンゼン類に、ラジカル開始剤存在下、臭素を作用さ
せる下記一般式（II） 【化１】 （Ｒ1、Ｒ2は独立してＨまたは基内にＨを含まない電子
吸引性基を示す。）で表されるα，β−ジブロモエチル
ベンゼン類の製造法。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は医薬および農薬の中
間体であるα，β−ジブロモエチルベンゼン類およびα
−ブロモスチレン類の製造法に関する。
【０００２】
【従来の技術および発明が解決しようとする課題】α，
β−ジブロモエチルベンゼン類およびα−ブロモスチレ
ン類は、除草剤の中間体（特開平２−３０４０４３号公
報）として有用であり、α，β−ジブロモエチルベンゼ
ン類の製造法としては、スチレン類に臭素を付加させる
製造法（Ａｎｎａｌｅｎ，１５４，１５４（１８７
０））等が知られている。
【０００３】しかしながら、上記製造法は工業的に入手
容易なスチレン類が限られているため、工業的に有用な
新規な製造法の開発が望まれていた。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明者らは上記課題を
解決するために鋭意検討した結果、エチルベンゼン類ま
たはα−ブロモエチルベンゼン類に、ラジカル開始剤存
在下、臭素を作用させ、α，β−ジブロモエチルベンゼ
ン類を得て、これよりα−ブロモスチレン類を製造でき
ることを見出し、本発明に到達した。
【０００５】即ち、本発明の要旨は、下記一般式（Ｉ）
【０００６】
【化１１】
【０００７】（式中、Ｒ1、Ｒ2はそれぞれ独立して水素
原子または基内に水素原子を含まない電子吸引性基を示
す。）で表されるα−ブロモエチルベンゼン類に、ラジ
カル開始剤存在下、臭素を作用させて下記一般式（II）
【０００８】
【化１２】
【０００９】（式中、Ｒ1、Ｒ2は一般式（Ｉ）で定義し
たとおり。）で表されるα，β−ジブロモエチルベンゼ
ン類を製造し、次いで脱臭化水素反応させる下記一般式
（IV）
【００１０】
【化１３】
【００１１】（式中、Ｒ1、Ｒ2は一般式（Ｉ）で定義し
たとおり。）で表されるα−ブロモスチレン類の製造
法。および下記一般式（III）
【００１２】
【化１４】
【００１３】（式中、Ｒ1、Ｒ2はそれぞれ独立して水素
原子または基内に水素原子を含まない電子吸引性基を示
す。）で表されるエチルベンゼン類に、ラジカル開始剤
下、臭素を作用させて下記一般式（II）
【００１４】
【化１５】
【００１５】（式中、Ｒ1、Ｒ2は一般式（III）で定義
したとおり。）で表されるα，β−ジブロモエチルベン
ゼン類の製造し、次いで脱臭化水素反応させる下記一般
式（IV）
【００１６】
【化１６】
【００１７】（式中、Ｒ1、Ｒ2は一般式（III）で定義
したとおり。）で表されるα−ブロモスチレン類の製造
法に存する。
【００１８】
【発明の実施形態】以下、本発明の好ましい具体的実施
態様について説明する。上記一般式（II）のα，β−ジ
ブロモエチルベンゼン類は、上記一般式（Ｉ）のα−ブ
ロモエチルベンゼン類に、ラジカル開始剤存在下、臭素
を作用させて製造できる。
【００１９】上記一般式（Ｉ）のＲ1、Ｒ2としては水素
原子または基内に水素原子を含まない電子吸引性基が挙
げられる。臭素化反応は、ベンゼン核の置換基が、基内
に水素原子を含まない電子吸引性基であれば、非置換の
ベンゼン核と同様に進行する。この基内に水素原子を含
まない電子吸引性基としては、フッ素原子、塩素原子、
臭素原子、沃素原子等のハロゲン原子，トリフルオロメ
チル基，ニトロ基，シアノ基等が挙げられ、ハロゲン原
子であるものは、得られる化合物が除草剤の中間体とし
て特に有用であり好ましい。
【００２０】α，β−ジブロモエチルベンゼン類を製造
する反応において、臭素の使用量はは、反応収率の点か
ら上記一般式（Ｉ）のα−ブロモエチルベンゼン類に対
して、０．５〜４当量、好ましくは０．８〜３当量であ
る。本反応は無溶媒での実施が好ましいが、適宜有機溶
媒で希釈し実施できる。使用する溶媒としては、四塩化
炭素、クロロホルム等のハロゲン系溶媒，ベンゼン、シ
クロヘキサン、ヘキサン、ヘプタン等の炭化水素系溶
媒，ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、テト
ラヒドロフラン、ジブチルエーテル等のエーテル系溶媒
等が好適である。溶媒の使用量は、特に制限されが、上
記一般式（Ｉ）のα−ブロモエチルベンゼン類に対して
０〜１０００重量倍量、好ましくは０〜２００重量倍量
である。
【００２１】使用するラジカル開始剤としては、金属水
素化物、無機または有機過酸化物、アゾ化合物、光等が
挙げられ、好ましくは有機過酸化物またはアゾ化合物が
用いられる。有機過酸化物としては、ｔ−ブチルヒドロ
ペルオキシド、クメンヒドロペルオキシド、過酸化ベン
ゾイル等が挙げられ、アゾ化合物としては、アゾビスイ
ソブチロニトリル、アゾビスシクロヘキサンカルボニト
リル、アゾビス−Ｎ、Ｎ−ジメチルホルムアミド等が挙
げられる。
【００２２】ラジカル開始剤の使用量は、特に制限され
ないが、上記一般式（Ｉ）のα−ブロモエチルベンゼン
類に対して０．００００１〜１当量、好ましくは０．０
０１〜０．３当量である。ラジカル開始剤は、臭素を滴
下しながら、または臭素を滴下後に加えることにより反
応を進行させるが、いずれの場合も数回に分けて加える
ことが反応収率の点から好ましい。
【００２３】反応温度は−５０〜２００℃、好ましくは
−２０〜１５０℃、更に好ましくは０〜１００℃の範囲
であり、３０分〜６時間程度かけて臭素を滴下し、滴下
終了後そのまま１〜３時間反応させて反応を完結させ
る。反応終了後は、アルカリ水溶液で洗浄後、有機溶媒
で抽出し濃縮することにより上記一般式（II）のα，β
−ジブロモエチルベンゼン類を単離できる。更に必要に
応じ、再結晶、蒸留等の操作を行うことにより精製でき
る。
【００２４】なお、上記一般式（Ｉ）のα−ブロモエチ
ルベンゼン類は、上記一般式（III）のエチルベンゼン
類に臭素を反応させ、容易に製造できる。また、上記一
般式（II）のα，β−ジブロモエチルベンゼン類は、上
記一般式（III）のエチルベンゼン類に、ラジカル開始
剤存在下、臭素を作用させても製造できる。
【００２５】上記一般式（III）のＲ1、Ｒ2としては水
素原子または基内に水素原子を含まない電子吸引性基が
挙げられる。臭素化反応は、ベンゼン核の置換基が、基
内に水素原子を含まない電子吸引性基であれば、非置換
のベンゼン核と同様に進行する。この基内に水素原子を
含まない電子吸引性基としては、フッ素原子、塩素原
子、臭素原子、沃素原子等のハロゲン原子，トリフルオ
ロメチル基，ニトロ基，シアノ基等が挙げられ、ハロゲ
ン原子であるものは、得られる化合物が除草剤の中間体
として特に有用であり好ましい。
【００２６】上記一般式（III）のエチルベンゼン類か
ら上記一般式（II）のα，β−ジブロモエチルベンゼン
類を製造する反応において、臭素の使用量は、反応収率
の点から、上記一般式（III）のエチルベンゼン類に対
して１．５〜５当量、好ましくは２〜４当量である。本
反応は無溶媒での実施が好ましいが、適宜有機溶媒で希
釈し実施できる。使用する溶媒としては、四塩化炭素、
クロロホルム等のハロゲン系溶媒，ベンゼン、シクロヘ
キサン、ヘキサン、ヘプタン等の炭化水素系溶媒，ジエ
チルエーテル、ジイソプロピルエーテル、テトラヒドロ
フラン、ジブチルエーテル等のエーテル系溶媒等が好適
である。
【００２７】溶媒の使用量は、特に制限されないが、上
記一般式（III）のエチルベンゼン類に対して０〜１０
００重量倍量、好ましくは０〜２００重量である。使用
するラジカル開始剤としては、金属水素化物、無機また
は有機過酸化物、アゾ化合物、光等が挙げられ、好まし
くは有機過酸化物またはアゾ化合物が用いられる。この
有機過酸化物としては、ｔ−ブチルヒドロペルオキシ
ド、クメンヒドロペルオキシド、過酸化ベンゾイル等が
挙げられ、アゾ化合物としては、アゾビスイソブチロニ
トリル、アゾビスシクロヘキサンカルボニトリル、アゾ
ビス−Ｎ、Ｎ−ジメチルホルムアミド等が挙げられる。
【００２８】ラジカル開始剤の使用量は、特に制限され
ないが、上記一般式（Ｉ）のα−ブロモエチルベンゼン
類に対して０．００００１〜１当量、好ましくは０．０
０１〜０．３当量である。ラジカル開始剤は、臭素を滴
下しながら、または臭素を滴下後に加えることにより反
応を進行させるが、いずれの場合も数回に分けて加える
ことが反応収率の点から好ましい。
【００２９】反応温度は−５０〜２００℃、好ましくは
−２０〜１５０℃、更に好ましくは０〜１００℃の範囲
であり、３０分〜６時間程度かけて臭素を滴下し、滴下
終了後そのまま１〜３時間反応させて反応を完結させ
る。反応終了後は、アルカリ水溶液で洗浄後、有機溶媒
で抽出し濃縮することにより上記一般式（II）のα，β
−ジブロモエチルベンゼン類を単離できる。更に必要に
応じ、再結晶、蒸留等の操作を行うことにより精製でき
る。
【００３０】なお、上記一般式（III）のエチルベンゼ
ン類は、市販のエチルベンゼンをハロゲン化、ニトロ化
等をすることにより容易に製造できる。また、ハロゲン
基等の置換基を有するベンゼン類にフリーデルクラフツ
反応により、エチル基を導入することによっても製造で
きる。上記一般式（II）のα，β−ジブロモエチルベン
ゼン類の内、Ｒ1が水素原子であり、Ｒ2がハロゲン原子
である３−ハロ−α，β−ジブロモエチルベンゼンは新
規な化合物であり、ハロゲン原子としては、フッ素原
子、塩素原子、臭素原子、沃素原子等が挙げられる。
【００３１】次いで、上記一般式（IV）のα−ブロモス
チレン類は、上記一般式（Ｉ）のα−ブロモエチルベン
ゼン類または上記一般式（III）のエチルベンゼン類を
原料として得られた上記一般式（II）のα，β−ジブロ
モエチルベンゼン類を脱臭化水素反応させ製造できる。
この脱臭化水素反応は、上記一般式（II）のα，β−ジ
ブロモエチルベンゼン類に塩基を作用させ実施できる。
【００３２】使用する塩基としては、水酸化ナトリウ
ム、水酸化カリウム、炭酸カリウム、炭酸カルシウム等
の無機塩基，トリエチルアミン、ジアザビシクロウンデ
ンセン（ＤＢＵ）、ピリジン等の有機塩基等が挙げられ
る。塩基の使用量は、上記一般式（II）のα，β−ジブ
ロモエチルベンゼン類に対し当量以上であれば特に制限
されない。
【００３３】本反応は無溶媒または適宜溶媒で希釈する
ことによって実施できる。反応に使用する溶媒には特に
制限はなく、ヘキサン、ヘプタン、ベンゼン、トルエ
ン、キシレン等の炭化水素系溶媒，メタノール、エタノ
ール、ｎ−プロパノール、ｎ−ブタノール等のアルコー
ル溶媒，ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、
テトラヒドロフラン、ジブチルエーテル等のエーテル系
溶媒等が挙げられる。
【００３４】溶媒の使用量は、特に制限されないが、上
記一般式（II）のα，β−ジブロモエチルベンゼン類に
対して０〜１０００重量倍量、好ましくは０〜２００重
量倍量である。反応温度は−２０〜２００℃、好ましく
は０〜１００℃の範囲で、反応時間は５分間〜３時間で
ある。
【００３５】また、この脱臭化水素反応は、上記一般式
（II）のα，β−ジブロモエチルベンゼン類に、相関移
動触媒の存在下、水溶媒単独または水および有機溶媒の
２層系溶媒で、塩基を作用させても実施できる。相関移
動触媒の存在下で、脱臭化水素反応を実施すると、水媒
体中で反応が進行し、反応後の後処理が容易である。使
用する塩基としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウ
ム、炭酸カリウム、炭酸カルシウム等の無機塩基が挙げ
られる。
【００３６】塩基の使用量は、上記一般式（III）の
α，β−ジブロモエチルベンゼン類に対し当量以上であ
れば特に制限されない。使用する相間移動触媒として
は、４級ホスホニウム塩類、４級アンモニウム塩類等が
挙げらる。この４級ホスホニウム塩類としては、塩化テ
トラエチルホスホニウム、臭化テトラエチルホスホニウ
ム、沃化テトラエチルホスホニウム、臭化テトラブチル
ホスホニウム、臭化トリフェニルベンジルホスホニウ
ム、臭化テトラフェニルホスホニウム等が挙げられる。
【００３７】４級アンモニウム塩類としては、水酸化テ
トラメチルアンモニウム、水酸化テトラエチルアンモニ
ウム、水酸化トリメチルベンジルアンモニウム、臭化テ
トラメチルアンモニウム、臭化テトラエチルアンモニウ
ム、臭化テトラブチルアンモニウム、臭化トリエチルベ
ンジルアンモニウム、臭化トリメチルフェニルアンモニ
ウム、塩化トリエチルベンジルアンモニウム、塩化テト
ラメチルアンモニウム、塩化トリオクチルメチルアンモ
ニウム、塩化トリブチルベンジルアンモニウム、塩化ト
リメチルベンジルアンモニウム、塩化Ｎ−ラウリルピリ
ジニウム、塩化Ｎ−ベンジルピコリニウム、塩化Ｎ−ラ
ウリル４−ピコリニウム、塩化Ｎ−ラウリルピコリニウ
ム、トリカプリルメチルアンモニウムクロライド、沃化
テトラメチルアンモニウム、沃化テトラ−ｎ−ブチルア
ンモニウム、テトラブチルアンモニウムハイドロゲンサ
ルフェート等が挙げられる。
【００３８】相間移動触媒としては、４級アンモニウム
塩が好ましく、水酸化トリメチルベンジルアンモニウ
ム、臭化トリエチルベンジルアンモニウム、塩化トリエ
チルベンジルアンモニウム、塩化トリブチルベンジルア
ンモニウム、塩化トリメチルベンジルアンモニウム、塩
化Ｎ−ベンジルピコリニウム、ａｌｉｑｕａｔ３３６
（トリカプリルメチルアンモニウムクロライド）等のベ
ンジルアンモニウム塩が特に好適である。
【００３９】相間移動触媒の使用量は、特に制限され、
α−ブロモエチルベンゼン類に対して０．００１〜１当
量、好ましくは０．００５〜０．３当量用いるのが良
い。使用する溶媒は、特に制限されないが、水溶媒単独
または水およびヘキサン、ヘプタン、ベンゼン、トルエ
ン、キシレン等の炭化水素系溶媒，ジエチルエーテル、
ジイソプロピルエーテル、テトラヒドロフラン、ジブチ
ルエーテル等のエーテル系溶媒等との２層系溶媒が挙げ
られる。
【００４０】溶媒の使用量は、特に制限されないが、上
記一般式（II）のα，β−ジブロモエチルベンゼン類に
対して０〜１０００重量倍量、好ましくは０〜２００重
量倍量である。反応温度は−２０〜２００℃、好ましく
は０〜１５０℃の範囲で、更に好ましくは３０〜１２０
℃の範囲である。反応時間は、１時間〜１０時間であ
る。
【００４１】反応終了後は、水溶媒で反応を行った場合
には、適宜有機溶媒で抽出し濃縮することにより、上記
一般式（IV）のα−ブロモスチレン類を単離できる。水
および有機溶媒の２層系溶媒で反応を行った場合には、
有機層を分取し濃縮することにより上記一般式（IV）の
α−ブロモスチレン類を単離できる。更に必要に応じ、
再結晶、蒸留等の操作を行うことにより精製できる。
【００４２】さらに塩基および相関移動触媒を作用させ
る脱臭化水素反応は、加熱減圧下で実施できる。使用す
る塩基および相間移動触媒の種類ならびにこれらの使用
量は、前述と同様な条件で実施される。本反応では、上
記一般式（II）のα，β−ジブロモエチルベンゼン類、
塩基および相関移動触媒を−２０〜３００℃、好ましく
は０〜２５００℃、更に好ましくは５０〜２００℃の範
囲で加熱し脱臭化水素反応を行い、得られた上記一般式
（IV）のα−ブロモスチレン類をそのまま蒸留単離す
る。減圧度は、２０〜２００℃、好ましくは５０〜１５
０℃の沸点でα−ブロモスチレン類が蒸留されてくるよ
うに調節する。
【００４３】
【実施例】以下、本発明を実施例についてさらに詳細に
説明するが、本発明はその要旨を越えない限り、以下の
実施例に限定されるものではない。 〈実施例１〉 α，β−ジブロモエチルベンゼンの合成 α−ブロモエチルベンゼン６．１ｇに室温で臭素１０．
５ｇを１時間かけて滴下した。滴下終了後、室温でアゾ
ビスイソブチロニトリル５．０ｍｇを１０分間毎に３回
加え、さらに室温で１時間反応させ、反応を完結させ
た。反応終了後、エーテルで希釈し１０％水酸化ナトリ
ウム水溶液および飽和食塩水で洗浄し、エーテル層を無
水硫酸ナトリウムで乾燥させ濃縮したところ、α，β−
ジブロモエチルベンゼンの結晶８．５ｇ（純度８４％）
を得た。 〈実施例２〉 α，β−ジブロモエチルベンゼンの合成 エチルベンゼン３．５ｇに室温で臭素１５．８ｇを２時
間かけて滴下した。滴下終了後、室温でアゾビスイソブ
チロニトリル５．０ｍｇを１０分間毎に３回加え、さら
に室温で１時間反応させ、反応を完結させた。反応終了
後、エーテルで希釈し１０％水酸化ナトリウム水溶液お
よび飽和食塩水で洗浄し、エーテル層を無水硫酸ナトリ
ウムで乾燥させ濃縮したところ、α，β−ジブロモエチ
ルベンゼンの結晶８．５ｇ（純度８４％）を得た。 〈実施例３〉 α−ブロモスチレンの合成 α，β−ジブロモエチルベンゼン５．０ｇをエタノール
２０ｍｌに懸濁させ、該懸濁液に水酸化カリウム５．０
ｇのエタノール溶液３０ｍｌを室温で加え、そのまま室
温で１時間撹拌した。反応終了後、反応液を氷冷水１５
０ｍｌに注ぎ、エーテル１００ｍｌで抽出を行い、抽出
液を無水硫酸ナトリウムで乾燥し濃縮後、ガスクロマト
グラフィーにて分析したところ、α−ブロモスチレンが
収率８１％で生成していた。 〈実施例４〉 α−ブロモスチレンの合成 α，β−ジブロモエチルベンゼン５．０ｇにトリエチル
ベンジルアンモニウムブロミド３００ｍｇおよび５０％
水酸化ナトリウム水溶液２０ｍｌを加え８０℃に昇温し
た。８０℃で３時間反応させた後、室温まで冷却し、ト
ルエン２０ｍｌで抽出を行い、抽出液を無水硫酸ナトリ
ウムで乾燥し濃縮後、ガスクロマトグラフィーにて分析
したところ、α−ブロモスチレンが収率８０％で生成し
ていた。 〈実施例５〉 ３−クロロ−α，β−ジブロモエチルベ
ンゼンの合成 ３−クロロ−エチルベンゼン５．０ｇに室温で臭素１
７．１ｇを１時間かけて滴下した。滴下終了後、室温で
アゾビスイソブチロニトリル５．０ｍｇを１０分間毎に
３回加え、さらに室温で１時間反応させ、反応を完結さ
せた。反応終了後、エーテルで希釈し１０％水酸化ナト
リウム水溶液および飽和食塩水で洗浄し、エーテル層を
無水硫酸ナトリウムで乾燥させ濃縮したところ、３−ク
ロロ−α，β−ジブロモエチルベンゼンの結晶１０．６
ｇ（純度９０％）を得た。
【００４４】３−クロロ−α，β−ジブロモエチルベン
ゼンの1ＨＮＭＲのデータは次の通りであった。1 ＨＮＭＲ（δ，ＣＤＣｌ3）：３．９６（１Ｈ，ｔ），
４．０６（１Ｈ，ｑ），５．０７（１Ｈ，ｄｄ），７．
２６−７．４０（４Ｈ，ｍ） 〈実施例６〉 ３−クロロ−α−ブロモスチレンの合成 ３−クロロ−α，β−ジブロモエチルベンゼン２０．８
ｇをエタノール５０ｍｌに懸濁させ、該懸濁液に水酸化
カリウム５．８ｇのエタノール溶液１００ｍｌを室温で
加え、そのまま室温で１時間撹拌した。反応終了後、反
応液を氷冷水１５０ｍｌに注ぎ、エーテル３００ｍｌで
抽出を行い、抽出液を無水硫酸ナトリウムで乾燥し濃縮
したところ、３−クロロ−α−ブロモスチレン１５．０
ｇ（純度９９％）を得た。
【００４５】３−クロロ−α−ブロモスチレンの1ＨＮ
ＭＲのデータは次の通りであった。1 ＨＮＭＲ（δ，ＣＤＣｌ3）：５．８２（１Ｈ，ｄ），
６．１４（１Ｈ，ｄ），７．２６−７．３３（２Ｈ，
ｍ），７．４５−７．４９（１Ｈ，ｍ），７．５７−
７．５８（１Ｈ，ｍ）
【００４６】
【発明の効果】本発明は、医薬および農薬の中間体であ
るα，β−ジブロモエチルベンゼン類およびα−ブロモ
スチレン類を入手容易な原料より高収率で製造できる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ０７Ｃ 25/28 Ｃ０７Ｃ 25/28 201/12 201/12 205/11 205/11 253/30 253/30 255/50 255/50 // Ｃ０７Ｂ 61/00 ３００ Ｃ０７Ｂ 61/00 ３００

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 下記一般式（Ｉ） 【化１】 （式中、Ｒ1、Ｒ2はそれぞれ独立して水素原子または基
    内に水素原子を含まない電子吸引性基を示す。）で表さ
    れるα−ブロモエチルベンゼン類に、ラジカル開始剤存
    在下、臭素を作用させることを特徴とする下記一般式
    （II） 【化２】 （式中、Ｒ1、Ｒ2は一般式（Ｉ）で定義したとおり。）
    で表されるα，β−ジブロモエチルベンゼン類の製造
    法。
  2. 【請求項２】 下記一般式（III） 【化３】 （式中、Ｒ1、Ｒ2はそれぞれ独立して水素原子または基
    内に水素原子を含まない電子吸引性基を示す。）で表さ
    れるエチルベンゼン類に、ラジカル開始剤下、臭素を作
    用させることを特徴とする下記一般式（II） 【化４】 （式中、Ｒ1、Ｒ2は一般式（III）で定義したとお
    り。）で表されるα，β−ジブロモエチルベンゼン類の
    製造法。
  3. 【請求項３】 下記一般式（Ｉ） 【化５】 （式中、Ｒ1、Ｒ2はそれぞれ独立して水素原子または基
    内に水素原子を含まない電子吸引性基を示す。）で表さ
    れるα−ブロモエチルベンゼン類に、ラジカル開始剤存
    在下、臭素を作用させて下記一般式（II） 【化６】 （式中、Ｒ1、Ｒ2は一般式（Ｉ）で定義したとおり。）
    で表されるα，β−ジブロモエチルベンゼン類を製造
    し、次いで脱臭化水素反応させることを特徴とする下記
    一般式（IV） 【化７】 （式中、Ｒ1、Ｒ2は一般式（Ｉ）で定義したとおり。）
    で表されるα−ブロモスチレン類の製造法。
  4. 【請求項４】 下記一般式（III） 【化８】 （式中、Ｒ1、Ｒ2はそれぞれ独立して水素原子または基
    内に水素原子を含まない電子吸引性基を示す。）で表さ
    れるエチルベンゼン類に、ラジカル開始剤下、臭素を作
    用させて下記一般式（II） 【化９】 （式中、Ｒ1、Ｒ2は一般式（III）で定義したとお
    り。）で表されるα，β−ジブロモエチルベンゼン類の
    製造し、次いで脱臭化水素反応させることを特徴とする
    下記一般式（IV） 【化１０】 （式中、Ｒ1、Ｒ2は一般式（III）で定義したとお
    り。）で表されるα−ブロモスチレン類の製造法。
  5. 【請求項５】 脱臭化水素反応を、相関移動触媒および
    塩基の存在下、水溶媒単独または水および有機溶媒の２
    層系溶媒で行うことを特徴とする請求項３または４のい
    ずれかに記載の製造法。
  6. 【請求項６】 脱臭化水素反応を、相関移動触媒および
    塩基の存在下、加熱減圧下で行い、一般式（IV）のα−
    ブロモスチレン類を蒸留単離することを特徴とする請求
    項３または４のいずれかに記載の製造法。
  7. 【請求項７】 相関移動触媒が、４級アンモニウム塩で
    あることを特徴とする請求項５または６のいずれかに記
    載の製造法。
  8. 【請求項８】ラジカル開始剤が、有機過酸化物またはア
    ゾ化合物であることを特徴とする請求項１〜７のいずれ
    かに記載の製造法。
  9. 【請求項９】 Ｒ1、Ｒ2の基内に水素原子を含まない電
    子吸引性基が、ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、
    ニトロ基またはシアノ基であることを特徴とする請求項
    １〜８のいずれかに記載の製造法。
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