JPH09116377A - 弾性表面波装置 - Google Patents
弾性表面波装置Info
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- JPH09116377A JPH09116377A JP7273141A JP27314195A JPH09116377A JP H09116377 A JPH09116377 A JP H09116377A JP 7273141 A JP7273141 A JP 7273141A JP 27314195 A JP27314195 A JP 27314195A JP H09116377 A JPH09116377 A JP H09116377A
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- H03H9/1071—Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices the enclosure being defined by a frame built on a substrate and a cap, the frame having no mechanical contact with the SAW device
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】本発明は高周波回路に用いて好適な弾性表面波
装置に関し、高い減衰特性を得ることができるパッケー
ジ構造を実現することを課題とする。 【解決手段】弾性表面波素子３と、多層構造のセラミッ
ク基板５〜７に内設されたダイアタッチ部１６に弾性表
面波素子３が取り付けられると共にこの弾性表面波素子
３と接続される入力側端８子及び出力側端子９とを設け
てなるセラミックパッケージ２と、このセラミックパッ
ケージ２の開口部を封止する金属キャップ４とを具備す
る弾性表面波装置において、入力側端子８を構成する入
力側グランド端子１１，１２または出力側端子９を構成
する出力側グランド端子１４，１５のいずれか一方との
み金属キャップ４を電気的に接続する。
装置に関し、高い減衰特性を得ることができるパッケー
ジ構造を実現することを課題とする。 【解決手段】弾性表面波素子３と、多層構造のセラミッ
ク基板５〜７に内設されたダイアタッチ部１６に弾性表
面波素子３が取り付けられると共にこの弾性表面波素子
３と接続される入力側端８子及び出力側端子９とを設け
てなるセラミックパッケージ２と、このセラミックパッ
ケージ２の開口部を封止する金属キャップ４とを具備す
る弾性表面波装置において、入力側端子８を構成する入
力側グランド端子１１，１２または出力側端子９を構成
する出力側グランド端子１４，１５のいずれか一方との
み金属キャップ４を電気的に接続する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は弾性表面波装置に係
り、特に高周波回路に用いて好適な弾性表面波装置に関
する。近年、自動車電話や携帯電話の小型化，軽量化に
伴い、自動車電話や携帯電話に内蔵されるフィルタとし
て小型，軽量，高性能を実現できる弾性表面波を用いた
フィルタ（弾性表面波装置）が開発されている。
り、特に高周波回路に用いて好適な弾性表面波装置に関
する。近年、自動車電話や携帯電話の小型化，軽量化に
伴い、自動車電話や携帯電話に内蔵されるフィルタとし
て小型，軽量，高性能を実現できる弾性表面波を用いた
フィルタ（弾性表面波装置）が開発されている。
【０００２】特に、自動車電話や携帯電話に搭載される
回路は高周波回路であるため、弾性表面波装置も高周波
に対応した構造とする必要がある。
回路は高周波回路であるため、弾性表面波装置も高周波
に対応した構造とする必要がある。
【０００３】
【従来の技術】図１９及び図２０は従来の弾性表面波装
置１００の一例を示している。この弾性表面波装置１０
０は、例えば自動車電話や携帯電話に内蔵される高周波
回路にフィルタとして設けられるものである。図１９は
弾性表面波装置１００の分解斜視図、図２０（Ａ）は弾
性表面波装置１００の斜視図、図２０（Ｂ）は弾性表面
波装置１００を倒立させた状態の斜視図である。
置１００の一例を示している。この弾性表面波装置１０
０は、例えば自動車電話や携帯電話に内蔵される高周波
回路にフィルタとして設けられるものである。図１９は
弾性表面波装置１００の分解斜視図、図２０（Ａ）は弾
性表面波装置１００の斜視図、図２０（Ｂ）は弾性表面
波装置１００を倒立させた状態の斜視図である。
【０００４】弾性表面波装置１００は、大略するとパッ
ケージ１０２，弾性表面波素子１０３，及び金属キャッ
プ１０４等により構成されている。パッケージ１０２
は、第１乃至第３のセラミック基板１０５〜１０７を積
層した構造を有しており、入力側端子１０８及び出力側
端子１０９（各端子を梨地で示す）を有している。
ケージ１０２，弾性表面波素子１０３，及び金属キャッ
プ１０４等により構成されている。パッケージ１０２
は、第１乃至第３のセラミック基板１０５〜１０７を積
層した構造を有しており、入力側端子１０８及び出力側
端子１０９（各端子を梨地で示す）を有している。
【０００５】入力側端子１０８は、入力側信号端子１１
０と、この入力側信号端子１１０を挟んで配設された一
対の入力側グランド端子１１１，１１２とにより構成さ
れている。また、出力側端子１０９は、出力側信号端子
１１３と、この出力側信号端子１１３を挟んで配設され
た一対の出力側グランド端子１１４，１１５とにより構
成されている。
０と、この入力側信号端子１１０を挟んで配設された一
対の入力側グランド端子１１１，１１２とにより構成さ
れている。また、出力側端子１０９は、出力側信号端子
１１３と、この出力側信号端子１１３を挟んで配設され
た一対の出力側グランド端子１１４，１１５とにより構
成されている。
【０００６】最下層に配設される第１のセラミック基板
１０５は、基板本体１０５ａの上面に導電性金属膜より
なるダイアタッチ部１１６（梨地で示す）が形成されて
いる。このダイアタッチ部１１６は弾性表面波素子１０
３が搭載される部位であり、入力側において基板本体１
０５ａ上に形成された入力側グランド接続部１１８，１
１９により入力側グランド端子１１１，１１２と電気的
に接続されると共に、出力側においても出力側グランド
接続部１２０，１２１により出力側グランド端子１１
４，１１５と電気的に接続されている。尚、入力側グラ
ンド接続部１１８，１１９及び出力側グランド接続部１
２０，１２１は、ダイアタッチ部１１６と一体的に形成
されている。
１０５は、基板本体１０５ａの上面に導電性金属膜より
なるダイアタッチ部１１６（梨地で示す）が形成されて
いる。このダイアタッチ部１１６は弾性表面波素子１０
３が搭載される部位であり、入力側において基板本体１
０５ａ上に形成された入力側グランド接続部１１８，１
１９により入力側グランド端子１１１，１１２と電気的
に接続されると共に、出力側においても出力側グランド
接続部１２０，１２１により出力側グランド端子１１
４，１１５と電気的に接続されている。尚、入力側グラ
ンド接続部１１８，１１９及び出力側グランド接続部１
２０，１２１は、ダイアタッチ部１１６と一体的に形成
されている。
【０００７】更に、入力側信号端子１１０、入力側グラ
ンド端子１１１，１１２、出力側信号端子１１３、及び
出力側グランド端子１１４，１１５は、夫々基板本体１
０５ａの底面に引き出されて外部接続端子として機能す
るフットパターン１１０ａ〜１１５ａを形成している。
ンド端子１１１，１１２、出力側信号端子１１３、及び
出力側グランド端子１１４，１１５は、夫々基板本体１
０５ａの底面に引き出されて外部接続端子として機能す
るフットパターン１１０ａ〜１１５ａを形成している。
【０００８】パッケージ１０２の中間に配設される第２
のセラミック基板１０６は、基板本体１０６ａの上面に
導電性金属膜よりなるパッド１２７〜１３２が形成され
ており、このパッド１２７〜１３２は対向配設された所
定の端子１１０〜１１５に夫々接続されている。このパ
ッド１２７〜１３２は、弾性表面波素子１０３とワイヤ
（図示せず）により電気的に接続される。また、基板本
体１０６ａの中央部には、弾性表面波素子１０３を収納
する開口部１３３が形成されている。更に、第２のセラ
ミック基板１０６においても基板本体１０６ａの四隅に
切欠部１３４ａ〜１３４ｄが形成されている。
のセラミック基板１０６は、基板本体１０６ａの上面に
導電性金属膜よりなるパッド１２７〜１３２が形成され
ており、このパッド１２７〜１３２は対向配設された所
定の端子１１０〜１１５に夫々接続されている。このパ
ッド１２７〜１３２は、弾性表面波素子１０３とワイヤ
（図示せず）により電気的に接続される。また、基板本
体１０６ａの中央部には、弾性表面波素子１０３を収納
する開口部１３３が形成されている。更に、第２のセラ
ミック基板１０６においても基板本体１０６ａの四隅に
切欠部１３４ａ〜１３４ｄが形成されている。
【０００９】パッケージ１０２の最上層に配設される第
３のセラミック基板１０７は、その中央部に第２のセラ
ミック基板１０６に形成された開口部１３３より大きな
面積を有する開口部１３６を有すると共に、上面全面に
は後述する金属キャップ１０４と電気的に接続される上
面配線膜１３７（梨地で示す）が形成されている。ま
た、基板本体１０７ａの四隅には切欠部１３８ａ〜１３
８ｄが形成されており、各切欠部１３８ａ〜１３８ｄに
はキャップ接続配線１３９ａ〜１３９ｄ（梨地で示す）
が夫々形成されている。このキャップ接続配線１３９ａ
〜１３９ｄは、上面配線膜１３７と電気的に接続された
構成とされている。
３のセラミック基板１０７は、その中央部に第２のセラ
ミック基板１０６に形成された開口部１３３より大きな
面積を有する開口部１３６を有すると共に、上面全面に
は後述する金属キャップ１０４と電気的に接続される上
面配線膜１３７（梨地で示す）が形成されている。ま
た、基板本体１０７ａの四隅には切欠部１３８ａ〜１３
８ｄが形成されており、各切欠部１３８ａ〜１３８ｄに
はキャップ接続配線１３９ａ〜１３９ｄ（梨地で示す）
が夫々形成されている。このキャップ接続配線１３９ａ
〜１３９ｄは、上面配線膜１３７と電気的に接続された
構成とされている。
【００１０】上記した第１乃至第３のセラミック基板１
０５〜１０７は、接合されることにより図２０に示され
るようにパッケージ１０２が形成される。パッケージ１
０２が形成された状態において、第１及び第２のセラミ
ック基板１０５，１０６の側壁部に形成された入力側信
号端子１１０、入力側グランド端子１１１，１１２、出
力側信号端子１１３、及び出力側グランド端子１１４，
１１５は電気的に接続され入力側端子１０８及び出力側
端子１０９を形成する。また、第２のセラミック基板１
０６の四隅位置に形成されているキャップ接続部１４０
ａ〜１４０ｄは、第３のセラミック基板１０７の切欠部
１３８ａ〜１３８ｄに形成されたキャップ接続配線１３
９ａ〜１３９ｄと電気的に接続される。
０５〜１０７は、接合されることにより図２０に示され
るようにパッケージ１０２が形成される。パッケージ１
０２が形成された状態において、第１及び第２のセラミ
ック基板１０５，１０６の側壁部に形成された入力側信
号端子１１０、入力側グランド端子１１１，１１２、出
力側信号端子１１３、及び出力側グランド端子１１４，
１１５は電気的に接続され入力側端子１０８及び出力側
端子１０９を形成する。また、第２のセラミック基板１
０６の四隅位置に形成されているキャップ接続部１４０
ａ〜１４０ｄは、第３のセラミック基板１０７の切欠部
１３８ａ〜１３８ｄに形成されたキャップ接続配線１３
９ａ〜１３９ｄと電気的に接続される。
【００１１】一方、前記した弾性表面波素子１０３は、
第１のセラミック基板１０５に形成されたダイアタッチ
部１１６上に搭載されると共に、その上面に形成された
電極部は第２のセラミック基板１０６に形成されたパッ
ド１２７〜１３２とワイヤボンディングされる。これに
より、弾性表面波素子１０３は入力側端子１０８及び出
力側端子１０９に電気的に接続された構成となる。
第１のセラミック基板１０５に形成されたダイアタッチ
部１１６上に搭載されると共に、その上面に形成された
電極部は第２のセラミック基板１０６に形成されたパッ
ド１２７〜１３２とワイヤボンディングされる。これに
より、弾性表面波素子１０３は入力側端子１０８及び出
力側端子１０９に電気的に接続された構成となる。
【００１２】また、金属キャップ１０４は、第３のセラ
ミック基板１０７に形成された開口部１３６を覆うよう
に上面配線膜１３７に金（Ａｕ）−錫（Ｓｎ）や錫（Ｓ
ｎ）−鉛Ｐｂ）等の半田により電気的導通を図った状態
で溶接される。従って、この金属キャップ１０４は入力
側及び出力側グランド端子１１１，１１２，１１４，１
１５と電気的に接続される。
ミック基板１０７に形成された開口部１３６を覆うよう
に上面配線膜１３７に金（Ａｕ）−錫（Ｓｎ）や錫（Ｓ
ｎ）−鉛Ｐｂ）等の半田により電気的導通を図った状態
で溶接される。従って、この金属キャップ１０４は入力
側及び出力側グランド端子１１１，１１２，１１４，１
１５と電気的に接続される。
【００１３】具体的には、金属キャップ１０４は、上面
配線膜１３７、キャップ接続配線１３９ａ〜１３９ｄ、
キャップ接続部１４０ａ〜１４０ｄ、グランドパッド１
２８，１２９，１３１，１３２を介して入力側及び出力
側グランド端子１１１，１１２，１１４，１１５の夫々
と電気的に接続される。よって、金属キャップ１０４は
グランド電位となり、弾性表面波素子１０３に対してシ
ールド機能を奏することとなる。
配線膜１３７、キャップ接続配線１３９ａ〜１３９ｄ、
キャップ接続部１４０ａ〜１４０ｄ、グランドパッド１
２８，１２９，１３１，１３２を介して入力側及び出力
側グランド端子１１１，１１２，１１４，１１５の夫々
と電気的に接続される。よって、金属キャップ１０４は
グランド電位となり、弾性表面波素子１０３に対してシ
ールド機能を奏することとなる。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】図２１は、上記した従
来構成の弾性表面波装置１００におけるパッケージ２の
簡易的な等価回路図を示している。高周波を使用する弾
性表面波装置１００では、パッケージ１０２の内部で信
号端子１１０，１１３とグランド端子１１１，１１２，
１１４，１１５との間で電気的な結合が生じる。また、
グランド端子１１１，１１２，１１４，１１５も実際に
はインピーダンスを有するため理想的なグランド電位と
はならない。これは、シールド効果を奏する金属キャッ
プ１０４及びダイアタッチ部１１６でも同様である。
来構成の弾性表面波装置１００におけるパッケージ２の
簡易的な等価回路図を示している。高周波を使用する弾
性表面波装置１００では、パッケージ１０２の内部で信
号端子１１０，１１３とグランド端子１１１，１１２，
１１４，１１５との間で電気的な結合が生じる。また、
グランド端子１１１，１１２，１１４，１１５も実際に
はインピーダンスを有するため理想的なグランド電位と
はならない。これは、シールド効果を奏する金属キャッ
プ１０４及びダイアタッチ部１１６でも同様である。
【００１５】図２１に示されるＺ１〜Ｚ１４は、パッケ
ージ１０２内の各所で発生するインピーダンスを示して
いる。同図に示すインピーダンスＺ１〜Ｚ１４の発生箇
所をまとめて以下に示す。 Ｚ１ ：入力側信号端子１１０が有するインピーダンス Ｚ２ ：入力側の信号用パッド１２７とグランド用パッ
ド１２８，１２９との間の静電容量により発生するイン
ピーダンス Ｚ３ ：入力側グランド端子１１１，１１２が有するイ
ンピーダンス Ｚ４ ：入力側の信号用フットパターン１１０ａとグラ
ンド用フットパターン１１１ａ，１１２ａとの間の静電
容量により発生するインピーダンス Ｚ５ ：出力側信号端子１１３が有するインピーダンス Ｚ６ ；出力側の信号用フットパターン１１３ａとグラ
ンド用フットパターン１１４ａ，１１５ａとの間の静電
容量により発生するインピーダンス Ｚ７ ：出力側グランド端子１１４，１１５が有するイ
ンピーダンス Ｚ８ ：出力側の信号用パッド１３０とグランド用パッ
ド１３１，１３２との間の静電容量により発生するイン
ピーダンス Ｚ９ ：入力側のキャップ接続部１３９ａ，１３９ｂ，
及び上面配線膜１３７の総合インピーダンス Ｚ１０：金属キャップ１０４が有するインピーダンス Ｚ１１：出力側のキャップ接続部１３９ｃ，１３９ｄ，
及び上面配線膜１３７の総合インピーダンス Ｚ１２：入力側グランド接続部１１８，１１９が有する
インピーダンス Ｚ１３：ダイアタッチ部１１６が有するインピーダンス Ｚ１４：出力側グランド接続部１２０，１２１が有する
インピーダンス ここで、入力側グランド端子１１１，１１２と出力側グ
ランド端子１１４，１１５に注目すると、従来構成の弾
性表面波装置１００では、入力側グランド端子１１１，
１１２と出力側グランド端子１１４，１１５がＺ９〜Ｚ
１４により電気的に結合した構成となっている。即ち、
入力側グランド端子１１１，１１２と出力側グランド端
子１１４，１１５は金属キャップ１１４及びダイアタッ
チ部１１６を介して電気的に結合された状態となってい
た。
ージ１０２内の各所で発生するインピーダンスを示して
いる。同図に示すインピーダンスＺ１〜Ｚ１４の発生箇
所をまとめて以下に示す。 Ｚ１ ：入力側信号端子１１０が有するインピーダンス Ｚ２ ：入力側の信号用パッド１２７とグランド用パッ
ド１２８，１２９との間の静電容量により発生するイン
ピーダンス Ｚ３ ：入力側グランド端子１１１，１１２が有するイ
ンピーダンス Ｚ４ ：入力側の信号用フットパターン１１０ａとグラ
ンド用フットパターン１１１ａ，１１２ａとの間の静電
容量により発生するインピーダンス Ｚ５ ：出力側信号端子１１３が有するインピーダンス Ｚ６ ；出力側の信号用フットパターン１１３ａとグラ
ンド用フットパターン１１４ａ，１１５ａとの間の静電
容量により発生するインピーダンス Ｚ７ ：出力側グランド端子１１４，１１５が有するイ
ンピーダンス Ｚ８ ：出力側の信号用パッド１３０とグランド用パッ
ド１３１，１３２との間の静電容量により発生するイン
ピーダンス Ｚ９ ：入力側のキャップ接続部１３９ａ，１３９ｂ，
及び上面配線膜１３７の総合インピーダンス Ｚ１０：金属キャップ１０４が有するインピーダンス Ｚ１１：出力側のキャップ接続部１３９ｃ，１３９ｄ，
及び上面配線膜１３７の総合インピーダンス Ｚ１２：入力側グランド接続部１１８，１１９が有する
インピーダンス Ｚ１３：ダイアタッチ部１１６が有するインピーダンス Ｚ１４：出力側グランド接続部１２０，１２１が有する
インピーダンス ここで、入力側グランド端子１１１，１１２と出力側グ
ランド端子１１４，１１５に注目すると、従来構成の弾
性表面波装置１００では、入力側グランド端子１１１，
１１２と出力側グランド端子１１４，１１５がＺ９〜Ｚ
１４により電気的に結合した構成となっている。即ち、
入力側グランド端子１１１，１１２と出力側グランド端
子１１４，１１５は金属キャップ１１４及びダイアタッ
チ部１１６を介して電気的に結合された状態となってい
た。
【００１６】このように、入力側グランド端子１１１，
１１２と出力側グランド端子１１４，１１５とが電気的
に結合された構成では、弾性表面波装置１００の減衰特
性がパッケージ１０２により大きく劣化する現象が発生
するという問題点がある。特にこの現象は高周波を用い
た場合に顕著となる。
１１２と出力側グランド端子１１４，１１５とが電気的
に結合された構成では、弾性表面波装置１００の減衰特
性がパッケージ１０２により大きく劣化する現象が発生
するという問題点がある。特にこの現象は高周波を用い
た場合に顕著となる。
【００１７】本発明は上記の点に鑑みてなされたもので
あり、高い減衰特性を得ることができるパッケージ構造
を有した弾性表面波装置を提供することを目的とする。
あり、高い減衰特性を得ることができるパッケージ構造
を有した弾性表面波装置を提供することを目的とする。
【００１８】
【課題を解決するための手段】上記の課題は、下記の手
段を講じることにより解決することができる。請求項１
記載の発明では、弾性表面波素子と、多層構造のセラミ
ック基板に内設されたダイアタッチ部に前記弾性表面波
素子が取り付けられると共に、前記弾性表面波素子と接
続される入力側端子及び出力側端子とを設けてなるセラ
ミックパッケージと、前記セラミックパッケージの開口
部を封止する金属キャップとを具備する弾性表面波装置
において、前記金属キャップを、前記入力側端子を構成
するグランド端子または前記出力側端子を構成するグラ
ンド端子のいずれか一方にのみ電気的に接続した構成と
したことを特徴とするものである。
段を講じることにより解決することができる。請求項１
記載の発明では、弾性表面波素子と、多層構造のセラミ
ック基板に内設されたダイアタッチ部に前記弾性表面波
素子が取り付けられると共に、前記弾性表面波素子と接
続される入力側端子及び出力側端子とを設けてなるセラ
ミックパッケージと、前記セラミックパッケージの開口
部を封止する金属キャップとを具備する弾性表面波装置
において、前記金属キャップを、前記入力側端子を構成
するグランド端子または前記出力側端子を構成するグラ
ンド端子のいずれか一方にのみ電気的に接続した構成と
したことを特徴とするものである。
【００１９】また、請求項２記載の発明では、弾性表面
波素子と、多層構造のセラミック基板に内設されたダイ
アタッチ部に前記弾性表面波素子が取り付けられると共
に、前記弾性表面波素子と接続される入力側端子及び出
力側端子とを設けてなるセラミックパッケージと、前記
セラミックパッケージの開口部を封止する金属キャップ
とを具備する弾性表面波装置において、前記ダイアタッ
チ部を、前記入力側端子を構成するグランド端子または
前記出力側端子を構成するグランド端子のいずれか一方
にのみ電気的に接続した構成としたことを特徴とするも
のである。
波素子と、多層構造のセラミック基板に内設されたダイ
アタッチ部に前記弾性表面波素子が取り付けられると共
に、前記弾性表面波素子と接続される入力側端子及び出
力側端子とを設けてなるセラミックパッケージと、前記
セラミックパッケージの開口部を封止する金属キャップ
とを具備する弾性表面波装置において、前記ダイアタッ
チ部を、前記入力側端子を構成するグランド端子または
前記出力側端子を構成するグランド端子のいずれか一方
にのみ電気的に接続した構成としたことを特徴とするも
のである。
【００２０】また、請求項３記載の発明では、弾性表面
波素子と、多層構造のセラミック基板に内設されたダイ
アタッチ部に前記弾性表面波素子が取り付けられると共
に、前記弾性表面波素子と接続される入力側端子及び出
力側端子とを設けてなるセラミックパッケージと、前記
セラミックパッケージの開口部を封止する金属キャップ
とを具備する弾性表面波装置において、前記金属キャッ
プを、前記入力側端子を構成するグランド端子または前
記出力側端子を構成するグランド端子のいずれか一方に
のみ電気的に接続すると共に、前記ダイアタッチ部を、
前記入力側端子を構成するグランド端子、または前記出
力側端子を構成するグランド端子のいずれか一方にのみ
電気的に接続した構成としたことを特徴とするものであ
る。
波素子と、多層構造のセラミック基板に内設されたダイ
アタッチ部に前記弾性表面波素子が取り付けられると共
に、前記弾性表面波素子と接続される入力側端子及び出
力側端子とを設けてなるセラミックパッケージと、前記
セラミックパッケージの開口部を封止する金属キャップ
とを具備する弾性表面波装置において、前記金属キャッ
プを、前記入力側端子を構成するグランド端子または前
記出力側端子を構成するグランド端子のいずれか一方に
のみ電気的に接続すると共に、前記ダイアタッチ部を、
前記入力側端子を構成するグランド端子、または前記出
力側端子を構成するグランド端子のいずれか一方にのみ
電気的に接続した構成としたことを特徴とするものであ
る。
【００２１】また、請求項４記載の発明では、前記請求
項１または３記載の弾性表面波装置において、前記入力
側端子及び出力端子が、前記弾性表面波素子が接続され
るパッドと外部出力端子として機能するフットパターン
部とを具備する構成とし、前記金属キャップを、前記入
力側端子を構成するグランド端子のパッド、または前記
出力側端子を構成するグランド端子のパッドのいずれか
一方にのみ電気的に接続したことを特徴とするものであ
る。
項１または３記載の弾性表面波装置において、前記入力
側端子及び出力端子が、前記弾性表面波素子が接続され
るパッドと外部出力端子として機能するフットパターン
部とを具備する構成とし、前記金属キャップを、前記入
力側端子を構成するグランド端子のパッド、または前記
出力側端子を構成するグランド端子のパッドのいずれか
一方にのみ電気的に接続したことを特徴とするものであ
る。
【００２２】また、請求項５記載の発明では、前記請求
項１または３記載の弾性表面波装置において、前記ダイ
アタッチ部を、前記入力側端子を構成するグランド端子
または前記出力側端子を構成するグランド端子の少なく
とも一方に電気的に接続すると共に、前記金属キャップ
を、前記ダイアタッチ部の前記入力側端子または前記出
力側端子のグランド端子が接続された部位に電気的に接
続したことを特徴とするものである。
項１または３記載の弾性表面波装置において、前記ダイ
アタッチ部を、前記入力側端子を構成するグランド端子
または前記出力側端子を構成するグランド端子の少なく
とも一方に電気的に接続すると共に、前記金属キャップ
を、前記ダイアタッチ部の前記入力側端子または前記出
力側端子のグランド端子が接続された部位に電気的に接
続したことを特徴とするものである。
【００２３】また、請求項６記載の発明では、弾性表面
波素子と、多層構造のセラミック基板に内設されたダイ
アタッチ部に前記弾性表面波素子が取り付けられると共
に、前記弾性表面波素子と接続される入力側端子及び出
力側端子とを設けてなるセラミックパッケージと、前記
セラミックパッケージの開口部を封止する金属キャップ
とを具備する弾性表面波装置において、前記金属キャッ
プを前記入力側端子を構成するグランド端子または前記
出力側端子を構成するグランド端子の内いずれか一方に
高インピーダンス接続すると共に、他方のグランド端子
と低インピーダンス接続する構成としたことを特徴とす
るものである。
波素子と、多層構造のセラミック基板に内設されたダイ
アタッチ部に前記弾性表面波素子が取り付けられると共
に、前記弾性表面波素子と接続される入力側端子及び出
力側端子とを設けてなるセラミックパッケージと、前記
セラミックパッケージの開口部を封止する金属キャップ
とを具備する弾性表面波装置において、前記金属キャッ
プを前記入力側端子を構成するグランド端子または前記
出力側端子を構成するグランド端子の内いずれか一方に
高インピーダンス接続すると共に、他方のグランド端子
と低インピーダンス接続する構成としたことを特徴とす
るものである。
【００２４】また、請求項７記載の発明では、弾性表面
波素子と、多層構造のセラミック基板に内設されたダイ
アタッチ部に前記弾性表面波素子が取り付けられると共
に、前記弾性表面波素子と接続される入力側端子及び出
力側端子とを設けてなるセラミックパッケージと、前記
セラミックパッケージの開口部を封止する金属キャップ
とを具備する弾性表面波装置において、前記ダイアタッ
チ部を前記入力側端子を構成するグランド端子または前
記出力側端子を構成するグランド端子の内いずれか一方
に高インピーダンス接続すると共に、他方のグランド端
子と低インピーダンス接続する構成としたことを特徴と
するものである。
波素子と、多層構造のセラミック基板に内設されたダイ
アタッチ部に前記弾性表面波素子が取り付けられると共
に、前記弾性表面波素子と接続される入力側端子及び出
力側端子とを設けてなるセラミックパッケージと、前記
セラミックパッケージの開口部を封止する金属キャップ
とを具備する弾性表面波装置において、前記ダイアタッ
チ部を前記入力側端子を構成するグランド端子または前
記出力側端子を構成するグランド端子の内いずれか一方
に高インピーダンス接続すると共に、他方のグランド端
子と低インピーダンス接続する構成としたことを特徴と
するものである。
【００２５】更に、請求項８記載の発明では、弾性表面
波素子と、多層構造のセラミック基板に内設されたダイ
アタッチ部に前記弾性表面波素子が取り付けられると共
に、前記弾性表面波素子と接続される入力側端子及び出
力側端子とを設けてなるセラミックパッケージと、前記
セラミックパッケージの開口部を封止する金属キャップ
とを具備する弾性表面波装置において、前記金属キャッ
プを前記入力側端子を構成するグランド端子または前記
出力側端子を構成するグランド端子の内いずれか一方に
高インピーダンス接続すると共に、他方のグランド端子
と低インピーダンス接続する構成とし、かつ、前記ダイ
アタッチ部を前記入力側端子を構成するグランド端子ま
たは前記出力側端子を構成するグランド端子の内いずれ
か一方に高インピーダンス接続すると共に、他方のグラ
ンド端子と低インピーダンス接続する構成としたことを
特徴とするものである。
波素子と、多層構造のセラミック基板に内設されたダイ
アタッチ部に前記弾性表面波素子が取り付けられると共
に、前記弾性表面波素子と接続される入力側端子及び出
力側端子とを設けてなるセラミックパッケージと、前記
セラミックパッケージの開口部を封止する金属キャップ
とを具備する弾性表面波装置において、前記金属キャッ
プを前記入力側端子を構成するグランド端子または前記
出力側端子を構成するグランド端子の内いずれか一方に
高インピーダンス接続すると共に、他方のグランド端子
と低インピーダンス接続する構成とし、かつ、前記ダイ
アタッチ部を前記入力側端子を構成するグランド端子ま
たは前記出力側端子を構成するグランド端子の内いずれ
か一方に高インピーダンス接続すると共に、他方のグラ
ンド端子と低インピーダンス接続する構成としたことを
特徴とするものである。
【００２６】上記の各手段は、次のように作用する。請
求項１，請求項４，及び請求項５記載の発明によれば、
入力側端子を構成するグランド端子または出力側端子を
構成するグランド端子のいずれか一方にのみ金属キャッ
プを電気的に接続した構成とすることにより、入力側端
子と出力側端子との金属キャップを介した電気的連結を
遮断することができる。これにより、弾性表面波素子の
減衰特性がパッケージに影響され劣化することを防止す
ることができる。
求項１，請求項４，及び請求項５記載の発明によれば、
入力側端子を構成するグランド端子または出力側端子を
構成するグランド端子のいずれか一方にのみ金属キャッ
プを電気的に接続した構成とすることにより、入力側端
子と出力側端子との金属キャップを介した電気的連結を
遮断することができる。これにより、弾性表面波素子の
減衰特性がパッケージに影響され劣化することを防止す
ることができる。
【００２７】また、請求項２記載の発明によれば、入力
側端子を構成するグランド端子または出力側端子を構成
するグランド端子のいずれか一方にのみダイアタッチ部
を電気的に接続した構成とすることにより、入力側端子
と出力側端子とのダイアタッチ部を介した電気的連結を
遮断することができる。よって本請求項に係る構成によ
っても、弾性表面波素子の減衰特性がパッケージに影響
され劣化することを防止することができる。
側端子を構成するグランド端子または出力側端子を構成
するグランド端子のいずれか一方にのみダイアタッチ部
を電気的に接続した構成とすることにより、入力側端子
と出力側端子とのダイアタッチ部を介した電気的連結を
遮断することができる。よって本請求項に係る構成によ
っても、弾性表面波素子の減衰特性がパッケージに影響
され劣化することを防止することができる。
【００２８】また、請求項３乃至請求項５記載の発明に
よれば、入力側端子と出力側端子との金属キャップを介
した電気的連結と、入力側端子と出力側端子とのダイア
タッチ部を介した電気的連結との双方を遮断することが
できるため、請求項１或いは請求項２の構成に比べて弾
性表面波素子の減衰特性がパッケージに影響され劣化す
ることを更に確実に防止することができる。
よれば、入力側端子と出力側端子との金属キャップを介
した電気的連結と、入力側端子と出力側端子とのダイア
タッチ部を介した電気的連結との双方を遮断することが
できるため、請求項１或いは請求項２の構成に比べて弾
性表面波素子の減衰特性がパッケージに影響され劣化す
ることを更に確実に防止することができる。
【００２９】また、請求項６記載の発明によれば、金属
キャップを入力側端子を構成するグランド端子または出
力側端子を構成するグランド端子の内いずれか一方に高
インピーダンス接続すると共に、他方のグランド端子と
低インピーダンス接続する構成としたことにより、入力
側端子と出力側端子との金属キャップを介した電気的連
結を弱めることができる。よって、本請求項の構成によ
っても弾性表面波素子の減衰特性がパッケージに影響さ
れ劣化することを防止することができる。
キャップを入力側端子を構成するグランド端子または出
力側端子を構成するグランド端子の内いずれか一方に高
インピーダンス接続すると共に、他方のグランド端子と
低インピーダンス接続する構成としたことにより、入力
側端子と出力側端子との金属キャップを介した電気的連
結を弱めることができる。よって、本請求項の構成によ
っても弾性表面波素子の減衰特性がパッケージに影響さ
れ劣化することを防止することができる。
【００３０】また、請求項７記載の発明によれば、ダイ
アタッチ部を入力側端子を構成するグランド端子または
出力側端子を構成するグランド端子の内いずれか一方に
高インピーダンス接続すると共に、他方のグランド端子
と低インピーダンス接続する構成としたことにより、入
力側端子と出力側端子とのダイアタッチ部を介した電気
的連結を弱めることができる。よって、本請求項の構成
によっても弾性表面波素子の減衰特性がパッケージに影
響され劣化することを防止することができる。
アタッチ部を入力側端子を構成するグランド端子または
出力側端子を構成するグランド端子の内いずれか一方に
高インピーダンス接続すると共に、他方のグランド端子
と低インピーダンス接続する構成としたことにより、入
力側端子と出力側端子とのダイアタッチ部を介した電気
的連結を弱めることができる。よって、本請求項の構成
によっても弾性表面波素子の減衰特性がパッケージに影
響され劣化することを防止することができる。
【００３１】更に、請求項８記載の発明によれば、入力
側端子と出力側端子との金属キャップを介した電気的連
結と、入力側端子と出力側端子とのダイアタッチ部を介
した電気的連結との双方を弱めることができるため、請
求項６或いは請求項７の構成に比べて弾性表面波素子の
減衰特性がパッケージに影響され劣化することを更に防
止することができる。
側端子と出力側端子との金属キャップを介した電気的連
結と、入力側端子と出力側端子とのダイアタッチ部を介
した電気的連結との双方を弱めることができるため、請
求項６或いは請求項７の構成に比べて弾性表面波素子の
減衰特性がパッケージに影響され劣化することを更に防
止することができる。
【００３２】
【発明の実施の形態】次に発明の実施の形態について図
面と共に説明する。図１乃至図３は本発明の第１実施例
である弾性表面波装置１を示している。この弾性表面波
装置１は、例えば自動車電話や携帯電話に内蔵される高
周波回路にフィルタとして設けられるものである。図１
は弾性表面波装置１００の分解斜視図、図２（Ａ）は弾
性表面波装置１の斜視図、図２（Ｂ）は弾性表面波装置
１を倒立させた状態の斜視図、図３は弾性表面波装置１
の断面図である。
面と共に説明する。図１乃至図３は本発明の第１実施例
である弾性表面波装置１を示している。この弾性表面波
装置１は、例えば自動車電話や携帯電話に内蔵される高
周波回路にフィルタとして設けられるものである。図１
は弾性表面波装置１００の分解斜視図、図２（Ａ）は弾
性表面波装置１の斜視図、図２（Ｂ）は弾性表面波装置
１を倒立させた状態の斜視図、図３は弾性表面波装置１
の断面図である。
【００３３】弾性表面波装置１は、大略するとパッケー
ジ２，弾性表面波素子３，及び金属キャップ４等により
構成されている。パッケージ２は、第１乃至第３のセラ
ミック基板５〜７を積層した構造を有しており、入力側
端子８及び出力側端子９（各端子を梨地で示す）を有し
ている。
ジ２，弾性表面波素子３，及び金属キャップ４等により
構成されている。パッケージ２は、第１乃至第３のセラ
ミック基板５〜７を積層した構造を有しており、入力側
端子８及び出力側端子９（各端子を梨地で示す）を有し
ている。
【００３４】入力側端子８は、入力側信号端子１０と、
この入力側信号端子１０を挟んで配設された一対の入力
側グランド端子１１，１２とにより構成されている。ま
た、出力側端子９は、出力側信号端子１３と、この出力
側信号端子１３を挟んで配設された一対の出力側グラン
ド端子１４，１５とにより構成されている。
この入力側信号端子１０を挟んで配設された一対の入力
側グランド端子１１，１２とにより構成されている。ま
た、出力側端子９は、出力側信号端子１３と、この出力
側信号端子１３を挟んで配設された一対の出力側グラン
ド端子１４，１５とにより構成されている。
【００３５】続いて、パッケージ２を構成する各セラミ
ック基板５〜７の構成について説明する。第１のセラミ
ック基板５はパッケージ２の最下層に配設されるもので
あり、基板本体５ａの上面に導電性金属膜（例えば銅
膜）よりなるダイアタッチ部１６（梨地で示す）が形成
されている。ダイアタッチ部１６は弾性表面波素子３が
搭載される部位であり、弾性表面波素子３をシールドす
る機能を奏する。
ック基板５〜７の構成について説明する。第１のセラミ
ック基板５はパッケージ２の最下層に配設されるもので
あり、基板本体５ａの上面に導電性金属膜（例えば銅
膜）よりなるダイアタッチ部１６（梨地で示す）が形成
されている。ダイアタッチ部１６は弾性表面波素子３が
搭載される部位であり、弾性表面波素子３をシールドす
る機能を奏する。
【００３６】本実施例においては、ダイアタッチ部１６
は入力側において基板本体５ａ上に形成された入力側グ
ランド接続部１８，１９により入力側グランド端子１
１，１２と電気的に接続されると共に、出力側において
も出力側グランド接続部２０，２１により出力側グラン
ド端子１４，１５と電気的に接続されている。この各グ
ランド接続部１８〜２１は、ダイアタッチ部１６と一体
的に形成されている。
は入力側において基板本体５ａ上に形成された入力側グ
ランド接続部１８，１９により入力側グランド端子１
１，１２と電気的に接続されると共に、出力側において
も出力側グランド接続部２０，２１により出力側グラン
ド端子１４，１５と電気的に接続されている。この各グ
ランド接続部１８〜２１は、ダイアタッチ部１６と一体
的に形成されている。
【００３７】また、入力側信号端子１０、入力側グラン
ド端子１１，１２、出力側信号端子１３、及び出力側グ
ランド端子１４，１５は、夫々基板本体５ａの底面に引
き出されており、外部接続端子として機能する入力側信
号用フットパターン１０ａ、入力側グランド用フットパ
ターン１１ａ，１２ａ、出力側信号用フットパターン１
３ａ、及び出力側グランド用フットパターン１４ａ，１
５ａを形成している（図２（Ｂ）参照）。
ド端子１１，１２、出力側信号端子１３、及び出力側グ
ランド端子１４，１５は、夫々基板本体５ａの底面に引
き出されており、外部接続端子として機能する入力側信
号用フットパターン１０ａ、入力側グランド用フットパ
ターン１１ａ，１２ａ、出力側信号用フットパターン１
３ａ、及び出力側グランド用フットパターン１４ａ，１
５ａを形成している（図２（Ｂ）参照）。
【００３８】更に、基板本体５ａの四隅には切欠部２２
ａ〜２２ｄが形成されている。本実施例に係る弾性表面
波装置１は、図１９に示した従来構成の弾性表面波装置
１００と異なり、キャップ接続部１２３ａ〜１２３ｄは
形成されておらず、よってダイアタッチ部１６が切欠部
２２ａ〜２２ｄまで引き出されていない構成となってい
る。
ａ〜２２ｄが形成されている。本実施例に係る弾性表面
波装置１は、図１９に示した従来構成の弾性表面波装置
１００と異なり、キャップ接続部１２３ａ〜１２３ｄは
形成されておらず、よってダイアタッチ部１６が切欠部
２２ａ〜２２ｄまで引き出されていない構成となってい
る。
【００３９】第２のセラミック基板６はパッケージ２の
中間に配設されるものであり、基板本体６ａの上面に導
電性金属膜よりなる複数のパッド２７〜３２が形成され
ている。この内、入力側信号用パッド２７は入力側信号
端子１０と、入力側グランド用パッド２８，２９は入力
側グランド端子１１，１２と、出力側信号用パッド３０
は出力側信号端子１３と、出力側グランド用パッド３
１，３２は出力側グランド端子１４，１５と夫々接続さ
れている。
中間に配設されるものであり、基板本体６ａの上面に導
電性金属膜よりなる複数のパッド２７〜３２が形成され
ている。この内、入力側信号用パッド２７は入力側信号
端子１０と、入力側グランド用パッド２８，２９は入力
側グランド端子１１，１２と、出力側信号用パッド３０
は出力側信号端子１３と、出力側グランド用パッド３
１，３２は出力側グランド端子１４，１５と夫々接続さ
れている。
【００４０】この各パッド２７〜３２は、図３に示され
るように、弾性表面波素子３とワイヤ１７を用いて電気
的に接続される。また、基板本体６ａの中央部には弾性
表面波素子３を収納するための開口部３３が形成される
と共に、四隅には切欠部３４ａ〜３４ｄが形成されてい
る。
るように、弾性表面波素子３とワイヤ１７を用いて電気
的に接続される。また、基板本体６ａの中央部には弾性
表面波素子３を収納するための開口部３３が形成される
と共に、四隅には切欠部３４ａ〜３４ｄが形成されてい
る。
【００４１】また、本実施例に係る弾性表面波装置１で
は、出力側グランド用パッド３１に一体的にキャップ接
続パターン４０を形成し、このキャップ接続パターン４
０を切欠部３４ｃまで引き出したことを特徴とするもの
である。このキャップ接続パターン４０は、出力側グラ
ンド用パッド３１にのみ形成されている。
は、出力側グランド用パッド３１に一体的にキャップ接
続パターン４０を形成し、このキャップ接続パターン４
０を切欠部３４ｃまで引き出したことを特徴とするもの
である。このキャップ接続パターン４０は、出力側グラ
ンド用パッド３１にのみ形成されている。
【００４２】第３のセラミック基板７はパッケージ２の
最上層に配設されるものであり、その中央部には第２の
セラミック基板６に形成された開口部３３より大きな面
積を有する開口部３６を有すると共に、上面全面には金
属キャップ４と電気的に接続される上面配線膜３７（梨
地で示す）が形成されている。また、基板本体７ａの四
隅には切欠部３８ａ〜３８ｄが形成されており、各切欠
部３８ａ〜３８ｄにはキャップ接続配線３９ａ〜１３９
ｄ（梨地で示す）が夫々形成されている。このキャップ
接続配線３９ａ〜３９ｄは、上面配線膜３７と電気的に
接続された構成とされている。
最上層に配設されるものであり、その中央部には第２の
セラミック基板６に形成された開口部３３より大きな面
積を有する開口部３６を有すると共に、上面全面には金
属キャップ４と電気的に接続される上面配線膜３７（梨
地で示す）が形成されている。また、基板本体７ａの四
隅には切欠部３８ａ〜３８ｄが形成されており、各切欠
部３８ａ〜３８ｄにはキャップ接続配線３９ａ〜１３９
ｄ（梨地で示す）が夫々形成されている。このキャップ
接続配線３９ａ〜３９ｄは、上面配線膜３７と電気的に
接続された構成とされている。
【００４３】上記した第１乃至第３のセラミック基板５
〜７は、接合されることにより図２に示されるパッケー
ジ２が形成される。パッケージ２が形成された状態にお
いて、第１及び第２のセラミック基板５，６の側壁部に
形成された入力側信号端子１０及び入力側グランド端子
１１，１２は電気的に接続されて入力側端子１０８を形
成する。同様に、出力側信号端子１３及び出力側グラン
ド端子１４，１５は電気的に接続され入力側端子１０８
及び出力側端子１０９を形成する。
〜７は、接合されることにより図２に示されるパッケー
ジ２が形成される。パッケージ２が形成された状態にお
いて、第１及び第２のセラミック基板５，６の側壁部に
形成された入力側信号端子１０及び入力側グランド端子
１１，１２は電気的に接続されて入力側端子１０８を形
成する。同様に、出力側信号端子１３及び出力側グラン
ド端子１４，１５は電気的に接続され入力側端子１０８
及び出力側端子１０９を形成する。
【００４４】これにより、第１のセラミック基板５に形
成された各フットパターン１０ａ〜１５ａは、各端子１
０〜１５により第２のセラミック基板６に形成された各
パッド２７〜３１に電気的に接続された構成となる。ま
た、第１のセラミック基板５に形成されているダイアタ
ッチ部１６は、各グランド接続部１８〜２１を介して入
力側及び出力側の各グランド端子１１，１２，１４，１
５に夫々接続された構成となる。
成された各フットパターン１０ａ〜１５ａは、各端子１
０〜１５により第２のセラミック基板６に形成された各
パッド２７〜３１に電気的に接続された構成となる。ま
た、第１のセラミック基板５に形成されているダイアタ
ッチ部１６は、各グランド接続部１８〜２１を介して入
力側及び出力側の各グランド端子１１，１２，１４，１
５に夫々接続された構成となる。
【００４５】また、前記したように第３のセラミック基
板７の四隅位置には夫々キャップ接続配線３９ａ〜３９
ｄが形成されているが、第２のセラミック基板６には出
力側グランド用パッド３１と接続されたキャップ接続パ
ターン４０のみが切欠部３４ｃに引き出された構成とさ
れている。従って、第２のセラミック基板６と第３のセ
ラミック基板７とを積層した状態で、出力側グランド用
パッド３１のみがキャップ接続配線３９ｃを介して第３
のセラミック基板７に形成された上面配線膜３７と電気
的に接続される。
板７の四隅位置には夫々キャップ接続配線３９ａ〜３９
ｄが形成されているが、第２のセラミック基板６には出
力側グランド用パッド３１と接続されたキャップ接続パ
ターン４０のみが切欠部３４ｃに引き出された構成とさ
れている。従って、第２のセラミック基板６と第３のセ
ラミック基板７とを積層した状態で、出力側グランド用
パッド３１のみがキャップ接続配線３９ｃを介して第３
のセラミック基板７に形成された上面配線膜３７と電気
的に接続される。
【００４６】一方、弾性表面波素子３は、前述したよう
に第１のセラミック基板５に形成されたダイアタッチ部
１６上に搭載されると共に、その上面に形成された電極
部は第２のセラミック基板６に形成されたパッド２７〜
３２とワイヤ１７により接続される。これにより、弾性
表面波素子３は入力側端子８及び出力側端子９に電気的
に接続された構成となる。
に第１のセラミック基板５に形成されたダイアタッチ部
１６上に搭載されると共に、その上面に形成された電極
部は第２のセラミック基板６に形成されたパッド２７〜
３２とワイヤ１７により接続される。これにより、弾性
表面波素子３は入力側端子８及び出力側端子９に電気的
に接続された構成となる。
【００４７】また、金属キャップ４は、第３のセラミッ
ク基板７に形成された開口部３６を覆うように上面配線
膜３７に接合される。金属キャップ４を上面配線膜３７
に接合する方法としては、金（Ａｕ）−錫（Ｓｎ）や錫
（Ｓｎ）−鉛Ｐｂ）等の半田４１（図３に示す）を用い
て溶接する方法等の適用が考えられる。
ク基板７に形成された開口部３６を覆うように上面配線
膜３７に接合される。金属キャップ４を上面配線膜３７
に接合する方法としては、金（Ａｕ）−錫（Ｓｎ）や錫
（Ｓｎ）−鉛Ｐｂ）等の半田４１（図３に示す）を用い
て溶接する方法等の適用が考えられる。
【００４８】上記構成とすることにより、金属キャップ
４は出力側グランド端子１４とのみ電気的に接続され
る。具体的には、金属キャップ４は、上面配線膜３７，
キャップ接続配線３９ｃ，キャップ接続パターン４０，
出力側グランド用パッド３１を介して出力側グランド端
子１４と電気的に接続される。よって、金属キャップ４
はグランド電位となり、弾性表面波素子３に対してシー
ルド機能を奏することとなる。
４は出力側グランド端子１４とのみ電気的に接続され
る。具体的には、金属キャップ４は、上面配線膜３７，
キャップ接続配線３９ｃ，キャップ接続パターン４０，
出力側グランド用パッド３１を介して出力側グランド端
子１４と電気的に接続される。よって、金属キャップ４
はグランド電位となり、弾性表面波素子３に対してシー
ルド機能を奏することとなる。
【００４９】また、図４及び図５は本実施例に用いる弾
性表面波素子３を示している。図４は、弾性表面波素子
３に用いる弾性表面波共振器４２を示している。同図に
示されるように、弾性表面波共振器４２は圧電基板（図
示せず）上に配設された１つの駆動電極４３と、これを
挟んで形成された一対の反射器４４とにより構成されて
いる。
性表面波素子３を示している。図４は、弾性表面波素子
３に用いる弾性表面波共振器４２を示している。同図に
示されるように、弾性表面波共振器４２は圧電基板（図
示せず）上に配設された１つの駆動電極４３と、これを
挟んで形成された一対の反射器４４とにより構成されて
いる。
【００５０】駆動電極４３は第１の櫛形電極４３ａと第
２の櫛形電極４３ｂとにより構成されている。第１の櫛
形電極４３ａは、信号を入力する入力電極４３ａ-1と、
得ようとするフィルタ特性に応じて予め設定されたピッ
チ及び櫛歯数に設定された櫛歯部４３ａ-2とにより構成
されている。また、第２の櫛形電極４３ｂは、信号を出
力する出力電極４３ｂ-1と、第１の櫛歯電極４３ａの櫛
歯部４３ａ-2と同じピッチ及び櫛歯数に設定された櫛歯
部４３ｂ−２とにより構成されている。
２の櫛形電極４３ｂとにより構成されている。第１の櫛
形電極４３ａは、信号を入力する入力電極４３ａ-1と、
得ようとするフィルタ特性に応じて予め設定されたピッ
チ及び櫛歯数に設定された櫛歯部４３ａ-2とにより構成
されている。また、第２の櫛形電極４３ｂは、信号を出
力する出力電極４３ｂ-1と、第１の櫛歯電極４３ａの櫛
歯部４３ａ-2と同じピッチ及び櫛歯数に設定された櫛歯
部４３ｂ−２とにより構成されている。
【００５１】反射器４４は縞状のパターンを有し、縞状
のパターンが第１の櫛形電極４３ａ及び第２の櫛形電極
４３ｂの櫛歯部４３ａ-2及び櫛歯部４３ｂ-2と平行とな
るよう構成されている。この反射器４４は短絡されてお
り、圧電基板上に生じる弾性表面波を反射する機能をそ
うするものである。上記構成とされた反射器４４は、所
定の減衰特性が実現されるように、図５に示されるよう
に複数個接続され、これにより弾性表面波素子３を構成
している。
のパターンが第１の櫛形電極４３ａ及び第２の櫛形電極
４３ｂの櫛歯部４３ａ-2及び櫛歯部４３ｂ-2と平行とな
るよう構成されている。この反射器４４は短絡されてお
り、圧電基板上に生じる弾性表面波を反射する機能をそ
うするものである。上記構成とされた反射器４４は、所
定の減衰特性が実現されるように、図５に示されるよう
に複数個接続され、これにより弾性表面波素子３を構成
している。
【００５２】続いて、上記構成とされた弾性表面波装置
１の機能について説明する。前記したように、本実施例
に係る弾性表面波装置１は、金属キャップ４が出力側グ
ランド端子１４とのみ電気的に接続される構成とされて
いる。この構成は、図２１で示した等価回路でみるとイ
ンピーダンスＺ９の配設位置が遮断された構成である。
これにより、入力側グランド端子１１，１２と出力側グ
ランド端子１４，１５の金属キャップ４を介した電気的
連結は遮断され、よって弾性表面波素子３の減衰特性が
パッケージ４に影響されて劣化することを防止すること
ができる。
１の機能について説明する。前記したように、本実施例
に係る弾性表面波装置１は、金属キャップ４が出力側グ
ランド端子１４とのみ電気的に接続される構成とされて
いる。この構成は、図２１で示した等価回路でみるとイ
ンピーダンスＺ９の配設位置が遮断された構成である。
これにより、入力側グランド端子１１，１２と出力側グ
ランド端子１４，１５の金属キャップ４を介した電気的
連結は遮断され、よって弾性表面波素子３の減衰特性が
パッケージ４に影響されて劣化することを防止すること
ができる。
【００５３】また、上記構成としても金属キャップ４は
出力側グランド端子１４，１５と電気的に接続された状
態を維持した構成となっているため、金属キャップ４は
グランド電位となる。よって、上記構成としても金属キ
ャップ４は依然としてシールド作用を奏するため、耐ノ
イズ特性を良好な状態に維持することができる。
出力側グランド端子１４，１５と電気的に接続された状
態を維持した構成となっているため、金属キャップ４は
グランド電位となる。よって、上記構成としても金属キ
ャップ４は依然としてシールド作用を奏するため、耐ノ
イズ特性を良好な状態に維持することができる。
【００５４】図６は本実施例に係る弾性表面波装置１の
減衰特性（実線で示す）を示している。同図では、比較
のために図１９及び図２０に示した従来構成の弾性表面
波装置１００の減衰特性（一点鎖線で示す）も合わせて
示してる。同図に示されるように、本実施例に刈る弾性
表面波装置１の減衰特性は、従来構成の弾性表面波装置
１００の減衰特性に対し、帯域外減衰が１０〜２０ｄＢ
程度（図中、矢印で示す）改善されていることが判る。
よって図６により、本実施例に係る弾性表面波装置１に
よれば、従来構成の弾性表面波装置１００に比べて減衰
特性を改善できることが実証された。
減衰特性（実線で示す）を示している。同図では、比較
のために図１９及び図２０に示した従来構成の弾性表面
波装置１００の減衰特性（一点鎖線で示す）も合わせて
示してる。同図に示されるように、本実施例に刈る弾性
表面波装置１の減衰特性は、従来構成の弾性表面波装置
１００の減衰特性に対し、帯域外減衰が１０〜２０ｄＢ
程度（図中、矢印で示す）改善されていることが判る。
よって図６により、本実施例に係る弾性表面波装置１に
よれば、従来構成の弾性表面波装置１００に比べて減衰
特性を改善できることが実証された。
【００５５】図７は、上記した第１実施例に係る弾性表
面波装置１の第１変形例である弾性表面波装置１Ａを示
している。尚、図７に示す弾性表面波装置１Ａおいて、
図１乃至図３を用いて説明した第１実施例に係る弾性表
面波装置１と同一構成については同一符号を附してその
説明を省略する。尚、以下説明する各実施例及び変形例
においても同様とする。
面波装置１の第１変形例である弾性表面波装置１Ａを示
している。尚、図７に示す弾性表面波装置１Ａおいて、
図１乃至図３を用いて説明した第１実施例に係る弾性表
面波装置１と同一構成については同一符号を附してその
説明を省略する。尚、以下説明する各実施例及び変形例
においても同様とする。
【００５６】第１実施例に係る弾性表面波装置１は、キ
ャップ接続パターン４０を一方の出力側グランド用パッ
ド３１にのみ配設した構成とされていた。これに対し、
本変形例に係る弾性表面波装置１Ａは、第１実施例と同
様に出力側グランド用パッド３１にキャップ接続パター
ン４０を形成すると共に、他方の出力側グランド用パッ
ド３２にもキャップ接続パターン４５を形成したことを
特徴とするものである。
ャップ接続パターン４０を一方の出力側グランド用パッ
ド３１にのみ配設した構成とされていた。これに対し、
本変形例に係る弾性表面波装置１Ａは、第１実施例と同
様に出力側グランド用パッド３１にキャップ接続パター
ン４０を形成すると共に、他方の出力側グランド用パッ
ド３２にもキャップ接続パターン４５を形成したことを
特徴とするものである。
【００５７】この構成とすることにより、金属キャップ
４は、上面配線膜３７，キャップ接続配線３９ｃ，キャ
ップ接続パターン４０，出力側グランド用パッド３１を
介して出力側グランド端子１４と電気的に接続されると
共に、上面配線膜３７，キャップ接続配線３９ｄ，キャ
ップ接続パターン４５，出力側グランド用パッド３１を
介しても出力側グランド端子１５と電気的に接続される
構成となる。
４は、上面配線膜３７，キャップ接続配線３９ｃ，キャ
ップ接続パターン４０，出力側グランド用パッド３１を
介して出力側グランド端子１４と電気的に接続されると
共に、上面配線膜３７，キャップ接続配線３９ｄ，キャ
ップ接続パターン４５，出力側グランド用パッド３１を
介しても出力側グランド端子１５と電気的に接続される
構成となる。
【００５８】よって、本変形例に係る弾性表面波装置１
Ａでも金属キャップ４は出力側端子９（具体的には出力
側グランド端子１４，１５）とのみ接続された構成とな
り、減衰特性の向上を図ることができる。更に、本変形
例では、金属キャップ４が一対の出力側グランド端子１
４，１５の双方に接続されるため、弾性表面波素子３に
対するシールド特性を向上させることができる。
Ａでも金属キャップ４は出力側端子９（具体的には出力
側グランド端子１４，１５）とのみ接続された構成とな
り、減衰特性の向上を図ることができる。更に、本変形
例では、金属キャップ４が一対の出力側グランド端子１
４，１５の双方に接続されるため、弾性表面波素子３に
対するシールド特性を向上させることができる。
【００５９】図８及び図９は、第１実施例に係る弾性表
面波装置１の第２変形例である弾性表面波装置１Ｂを示
している。第１実施例に係る弾性表面波装置１は、キャ
ップ接続パターン４０を出力側グランド用パッド３１に
配設した構成とされていた。これに対し、本変形例に係
る弾性表面波装置１Ｂは、入力側グランド用パッド２８
にキャップ接続パターン４０を形成したことを特徴とす
るものである。
面波装置１の第２変形例である弾性表面波装置１Ｂを示
している。第１実施例に係る弾性表面波装置１は、キャ
ップ接続パターン４０を出力側グランド用パッド３１に
配設した構成とされていた。これに対し、本変形例に係
る弾性表面波装置１Ｂは、入力側グランド用パッド２８
にキャップ接続パターン４０を形成したことを特徴とす
るものである。
【００６０】このように、キャップ接続パターンの配設
位置は出力側に限定されるものではなく、入力側端子８
或いは出力側端子９の何れか一方にのみ接続される構成
であればよい。よって、入力側端子８を構成する入力側
グランド用パッド２８にキャップ接続パターン４０を形
成した構成としても、第１実施例と同様の効果を実現す
ることができる。また、第１変形例で説明した同様の理
由により、入力側グランド用パッド２８，２９の双方に
キャップ接続パターンを形成する構成としてもよい。
位置は出力側に限定されるものではなく、入力側端子８
或いは出力側端子９の何れか一方にのみ接続される構成
であればよい。よって、入力側端子８を構成する入力側
グランド用パッド２８にキャップ接続パターン４０を形
成した構成としても、第１実施例と同様の効果を実現す
ることができる。また、第１変形例で説明した同様の理
由により、入力側グランド用パッド２８，２９の双方に
キャップ接続パターンを形成する構成としてもよい。
【００６１】図１０及び図１１は、本発明の第２実施例
である弾性表面波装置５０を示している。第１実施例に
係る弾性表面波装置１は、キャップ接続パターン４０を
出力側グランド用パッド３１に配設した構成とされてい
た。これに対し、本実施例に係る弾性表面波装置５０
は、第１のセラミック基板５にキャップ接続パターン５
１を形成したことを特徴とするものである。
である弾性表面波装置５０を示している。第１実施例に
係る弾性表面波装置１は、キャップ接続パターン４０を
出力側グランド用パッド３１に配設した構成とされてい
た。これに対し、本実施例に係る弾性表面波装置５０
は、第１のセラミック基板５にキャップ接続パターン５
１を形成したことを特徴とするものである。
【００６２】キャップ接続パターン５１は、第１のセラ
ミック基板５に形成されたダイアタッチ部１６と一体的
に形成されており、切欠部２２ｃまで引き出された構成
とされている。また、本実施例に係る弾性表面波装置５
０では、第２のセラミック基板６の四隅に形成された切
欠部３４ａ〜３４ｃにキャップ接続配線５２ａ〜５２ｄ
が形成されている。尚、本実施例では、前記した各実施
例に係る弾性表面波装置１，１Ａ，１Ｂと異なり、第２
のセラミック基板６にはキャップ接続パターンは形成さ
れていない。
ミック基板５に形成されたダイアタッチ部１６と一体的
に形成されており、切欠部２２ｃまで引き出された構成
とされている。また、本実施例に係る弾性表面波装置５
０では、第２のセラミック基板６の四隅に形成された切
欠部３４ａ〜３４ｃにキャップ接続配線５２ａ〜５２ｄ
が形成されている。尚、本実施例では、前記した各実施
例に係る弾性表面波装置１，１Ａ，１Ｂと異なり、第２
のセラミック基板６にはキャップ接続パターンは形成さ
れていない。
【００６３】上記構成とすることにより、金属キャップ
４は、上面配線膜３７，キャップ接続配線３９ｃ，キャ
ップ接続配線５２ｃ，キャップ接続パターン５１，ダイ
アタッチ部１６，出力側グランド接続部２０を介して出
力側グランド端子１４と電気的に接続される。即ち、本
実施例によっても金属キャップ４は出力側グランド端子
１４とのみ電気的に接続されることとなり、シールド性
を維持しつつ減衰特性の向上を図ることができる。
４は、上面配線膜３７，キャップ接続配線３９ｃ，キャ
ップ接続配線５２ｃ，キャップ接続パターン５１，ダイ
アタッチ部１６，出力側グランド接続部２０を介して出
力側グランド端子１４と電気的に接続される。即ち、本
実施例によっても金属キャップ４は出力側グランド端子
１４とのみ電気的に接続されることとなり、シールド性
を維持しつつ減衰特性の向上を図ることができる。
【００６４】尚、上記した実施例ではキャップ接続パタ
ーン５１を出力側グランド端子１４と接続される出力側
グランド端子部２０の近傍位置にのみ形成した構成とし
たが、キャップ接続パターン５１に加えて出力側グラン
ド端子部２１の近傍位置に切欠部２２ｄまで引き出され
るようキャップ接続パターンを形成し、金属キャップ４
が出力側グランド端子１５とも接続される構成としても
よい。
ーン５１を出力側グランド端子１４と接続される出力側
グランド端子部２０の近傍位置にのみ形成した構成とし
たが、キャップ接続パターン５１に加えて出力側グラン
ド端子部２１の近傍位置に切欠部２２ｄまで引き出され
るようキャップ接続パターンを形成し、金属キャップ４
が出力側グランド端子１５とも接続される構成としても
よい。
【００６５】図１２は、第２実施例に係る弾性表面波装
置５０の変形例である弾性表面波装置５０Ａを示してい
る。前記した第２実施例に係る弾性表面波装置５０は、
キャップ接続パターン５１をダイアタッチ部１６の出力
側に配設することにより出力側グランド端子１４と接続
されるよう構成していた。これに対し、本変形例に係る
弾性表面波装置５０Ａは、ダイアタッチ部１６の入力側
にキャップ接続パターン５３を形成したことを特徴とす
るものである。
置５０の変形例である弾性表面波装置５０Ａを示してい
る。前記した第２実施例に係る弾性表面波装置５０は、
キャップ接続パターン５１をダイアタッチ部１６の出力
側に配設することにより出力側グランド端子１４と接続
されるよう構成していた。これに対し、本変形例に係る
弾性表面波装置５０Ａは、ダイアタッチ部１６の入力側
にキャップ接続パターン５３を形成したことを特徴とす
るものである。
【００６６】このように、第１のセラミック基板５にキ
ャップ接続パターンを形成する構成においても、キャッ
プ接続パターンの配設位置は出力側に限定されるもので
はなく、入力側端子８或いは出力側端子９の何れか一方
にのみ接続される構成であればよい。
ャップ接続パターンを形成する構成においても、キャッ
プ接続パターンの配設位置は出力側に限定されるもので
はなく、入力側端子８或いは出力側端子９の何れか一方
にのみ接続される構成であればよい。
【００６７】よって、入力側端子８を構成する入力側グ
ランド用パッド２８に電気的に接続されるよう、ダイア
タッチ部１６の入力側にキャップ接続パターン５３を形
成した構成としても、シールド性を維持しつつ減衰特性
の向上を図ることができる。また、前記したと同様の理
由により、切欠部３４ａ，３４ｂの双方に引き出される
ようキャップ接続パターンを形成する構成としてもよ
い。
ランド用パッド２８に電気的に接続されるよう、ダイア
タッチ部１６の入力側にキャップ接続パターン５３を形
成した構成としても、シールド性を維持しつつ減衰特性
の向上を図ることができる。また、前記したと同様の理
由により、切欠部３４ａ，３４ｂの双方に引き出される
ようキャップ接続パターンを形成する構成としてもよ
い。
【００６８】図１３は、本発明の第３実施例である弾性
表面波装置６０を示している。前記した各実施例に係る
弾性表面波装置１，１Ａ，１Ｂ，５０，５０Ａは、ダイ
アタッチ部１６を入力側グランド端子１１，１２と出力
側グランド端子１４，１５の双方に電気的に接続する構
成とされていた。ダイアタッチ部１６は、比較的高周波
成分が低い場合にはダイアタッチ部１６によりフィルタ
としての減衰特性が劣化することはなく、上記した各実
施例に係る弾性表面波装置１，１Ａ，１Ｂ，５０，５０
Ａで従来構成の弾性表面波装置１００に対し十分な減衰
特性の向上を図ることができる。
表面波装置６０を示している。前記した各実施例に係る
弾性表面波装置１，１Ａ，１Ｂ，５０，５０Ａは、ダイ
アタッチ部１６を入力側グランド端子１１，１２と出力
側グランド端子１４，１５の双方に電気的に接続する構
成とされていた。ダイアタッチ部１６は、比較的高周波
成分が低い場合にはダイアタッチ部１６によりフィルタ
としての減衰特性が劣化することはなく、上記した各実
施例に係る弾性表面波装置１，１Ａ，１Ｂ，５０，５０
Ａで従来構成の弾性表面波装置１００に対し十分な減衰
特性の向上を図ることができる。
【００６９】しかるに、非常の高い高周波を使用する高
周波回路では、ダイアタッチ部１６の影響が無視できな
くなる。このため、本実施例においては、ダイアタッチ
部１６が出力側端子９を構成する出力側グランド端子１
４，１５とのみ電気的に接続される構成としたことを特
徴とするものである。
周波回路では、ダイアタッチ部１６の影響が無視できな
くなる。このため、本実施例においては、ダイアタッチ
部１６が出力側端子９を構成する出力側グランド端子１
４，１５とのみ電気的に接続される構成としたことを特
徴とするものである。
【００７０】具体的には、本実施例に係る弾性表面波装
置６０は、図７に示される弾性表面波装置１Ａの構成に
おいて、入力側グランド接続部１８，１９を除去した構
成とされている。この構成とすることにより、金属キャ
ップ４は出力側グランド端子１４とのみ電気的に接続さ
れる構成となり、かつダイアタッチ部１６も出力側グラ
ンド端子１４，１５とのみ接続され構成となる。
置６０は、図７に示される弾性表面波装置１Ａの構成に
おいて、入力側グランド接続部１８，１９を除去した構
成とされている。この構成とすることにより、金属キャ
ップ４は出力側グランド端子１４とのみ電気的に接続さ
れる構成となり、かつダイアタッチ部１６も出力側グラ
ンド端子１４，１５とのみ接続され構成となる。
【００７１】この構成は、図２１で示した等価回路でみ
るとインピーダンスＺ９，Ｚ１２の各配設位置が共に遮
断された構成である。これにより、入力側グランド端子
１１，１２と出力側グランド端子１４，１５の金属キャ
ップ４を介した電気的連結及びダイアタッチ部１６を介
した電気的連結は共に遮断されることとなり、弾性表面
波素子３の減衰特性がパッケージ４に影響され劣化する
ことを確実に防止することができる。
るとインピーダンスＺ９，Ｚ１２の各配設位置が共に遮
断された構成である。これにより、入力側グランド端子
１１，１２と出力側グランド端子１４，１５の金属キャ
ップ４を介した電気的連結及びダイアタッチ部１６を介
した電気的連結は共に遮断されることとなり、弾性表面
波素子３の減衰特性がパッケージ４に影響され劣化する
ことを確実に防止することができる。
【００７２】また、上記構成としても金属キャップ４及
びダイアタッチ部１６は少なくとも出力側グランド端子
１４，１５の何れか一方と電気的に接続された状態を維
持した構成となっているため、金属キャップ４及びダイ
アタッチ部１６はグランド電位となる。よって、上記構
成としても金属キャップ４及びダイアタッチ部１６は依
然としてシールド作用を奏するため、耐ノイズ特性を良
好な状態に維持することができる。
びダイアタッチ部１６は少なくとも出力側グランド端子
１４，１５の何れか一方と電気的に接続された状態を維
持した構成となっているため、金属キャップ４及びダイ
アタッチ部１６はグランド電位となる。よって、上記構
成としても金属キャップ４及びダイアタッチ部１６は依
然としてシールド作用を奏するため、耐ノイズ特性を良
好な状態に維持することができる。
【００７３】図１４は本実施例に係る弾性表面波装置６
０の減衰特性（実線で示す）を示している。同図では、
比較のために図１９及び図２０に示した従来構成の弾性
表面波装置１００の減衰特性（一点鎖線で示す）も合わ
せて示してる。同図に示されるように、本実施例に刈る
弾性表面波装置１の減衰特性は、従来構成の弾性表面波
装置１００の減衰特性に対し、帯域外減衰が改善されて
いることが判る。よって図１４により、本実施例に係る
弾性表面波装置６０によれば、従来構成の弾性表面波装
置１００に比べて減衰特性が改善できることが実証され
た。
０の減衰特性（実線で示す）を示している。同図では、
比較のために図１９及び図２０に示した従来構成の弾性
表面波装置１００の減衰特性（一点鎖線で示す）も合わ
せて示してる。同図に示されるように、本実施例に刈る
弾性表面波装置１の減衰特性は、従来構成の弾性表面波
装置１００の減衰特性に対し、帯域外減衰が改善されて
いることが判る。よって図１４により、本実施例に係る
弾性表面波装置６０によれば、従来構成の弾性表面波装
置１００に比べて減衰特性が改善できることが実証され
た。
【００７４】図１５乃至図１８は、第３実施例に係る弾
性表面波装置６０の変形例を示している。図１５及び図
１６に示される第１変形例に係る弾性表面波装置６０Ａ
は、図１０を用いて説明した第２実施例に係る弾性表面
波装置５０において、入力側グランド接続部１８，１９
を除去した構成とされている。
性表面波装置６０の変形例を示している。図１５及び図
１６に示される第１変形例に係る弾性表面波装置６０Ａ
は、図１０を用いて説明した第２実施例に係る弾性表面
波装置５０において、入力側グランド接続部１８，１９
を除去した構成とされている。
【００７５】また、図１７に示される第２変形例に係る
弾性表面波装置６０Ｂは、図８を用いて説明した第１実
施例の第２変形例に係る弾性表面波装置１Ｂにおいて、
出力側グランド接続部２０，２１を除去した構成とされ
ている。前記した説明から明らかなように、ダイアタッ
チ部１６は入力側グランド端子１１，１２或いは出力側
グランド端子１４，１５の何れか一方とのみ接続する構
成であれば上記の効果を実現できる。よって、本変形例
に係る弾性表面波装置６０Ｂのように出力側グランド接
続部２０，２１を除去し、これによりダイアタッチ部１
６が入力側グランド端子１１，１２とのみ電気的に接続
する構成とすることによっても、シールド性を維持しつ
つ減衰特性の向上を図ることができる。
弾性表面波装置６０Ｂは、図８を用いて説明した第１実
施例の第２変形例に係る弾性表面波装置１Ｂにおいて、
出力側グランド接続部２０，２１を除去した構成とされ
ている。前記した説明から明らかなように、ダイアタッ
チ部１６は入力側グランド端子１１，１２或いは出力側
グランド端子１４，１５の何れか一方とのみ接続する構
成であれば上記の効果を実現できる。よって、本変形例
に係る弾性表面波装置６０Ｂのように出力側グランド接
続部２０，２１を除去し、これによりダイアタッチ部１
６が入力側グランド端子１１，１２とのみ電気的に接続
する構成とすることによっても、シールド性を維持しつ
つ減衰特性の向上を図ることができる。
【００７６】更に、図１８に示される第２変形例に係る
弾性表面波装置６０Ｃは、図１２を用いて説明した第２
実施例の変形例に係る弾性表面波装置５０Ａにおいて、
出力側グランド接続部２０，２１を除去した構成とされ
ている。上記した各変形例に係る弾性表面波装置６０Ａ
〜６０Ｃの構成としても、入力側グランド端子１１，１
２と出力側グランド端子１４，１５との金属キャップ４
を介した電気的連結及びダイアタッチ部１６を介した電
気的連結は共に遮断されることとなり、減衰特性がパッ
ケージ４に影響され劣化することを確実に防止すること
ができる。
弾性表面波装置６０Ｃは、図１２を用いて説明した第２
実施例の変形例に係る弾性表面波装置５０Ａにおいて、
出力側グランド接続部２０，２１を除去した構成とされ
ている。上記した各変形例に係る弾性表面波装置６０Ａ
〜６０Ｃの構成としても、入力側グランド端子１１，１
２と出力側グランド端子１４，１５との金属キャップ４
を介した電気的連結及びダイアタッチ部１６を介した電
気的連結は共に遮断されることとなり、減衰特性がパッ
ケージ４に影響され劣化することを確実に防止すること
ができる。
【００７７】一方、上記した各実施例に係る弾性表面波
装置１，１Ａ，１Ｂ，５０，５０Ａ，６０，６０Ａ〜６
０Ｃにおいては、入力側端子８と出力側端子９との金属
キャップ４を介した電気的連結及びダイアタッチ部１６
を介した電気的連結を完全に遮断する構成とされてい
た。即ち、上記した各実施例では金属キャップ４及びダ
イアタッチ部１６の入力側或いは出力側の何れか一方
を、各端子８．９に対し断線させる構成とされていた。
装置１，１Ａ，１Ｂ，５０，５０Ａ，６０，６０Ａ〜６
０Ｃにおいては、入力側端子８と出力側端子９との金属
キャップ４を介した電気的連結及びダイアタッチ部１６
を介した電気的連結を完全に遮断する構成とされてい
た。即ち、上記した各実施例では金属キャップ４及びダ
イアタッチ部１６の入力側或いは出力側の何れか一方
を、各端子８．９に対し断線させる構成とされていた。
【００７８】しかるに、金属キャップ４及びダイアタッ
チ部１６を入力側端子８及び出力側端子９の双方に電気
的に接続しつつ、上記した各実施例と同等の効果を実現
させることも可能である。具体的には、金属キャップ４
を入力側端子８を構成する入力側グランド端子１１，１
２または出力側端子９を構成する出力側グランド端子１
４，１５の内いずれか一方に高インピーダンス接続する
と共に、他方のグランド端子と低インピーダンス接続す
る構成とすればよい。
チ部１６を入力側端子８及び出力側端子９の双方に電気
的に接続しつつ、上記した各実施例と同等の効果を実現
させることも可能である。具体的には、金属キャップ４
を入力側端子８を構成する入力側グランド端子１１，１
２または出力側端子９を構成する出力側グランド端子１
４，１５の内いずれか一方に高インピーダンス接続する
と共に、他方のグランド端子と低インピーダンス接続す
る構成とすればよい。
【００７９】また、ダイアタッチ部１６についても同様
であり、ダイアタッチ部１６を入力側端子８を構成する
入力側グランド端子１１，１２または出力側端子９を構
成する出力側グランド端子１４，１５の内いずれか一方
に高インピーダンス接続すると共に、他方のグランド端
子と低インピーダンス接続する構成とすればよい。更
に、金属キャップ４及びダイアタッチ部１６の双方にお
いて上記のように入力側と出力側で接続するインピーダ
ンスに差を設ける構成としてもよい。
であり、ダイアタッチ部１６を入力側端子８を構成する
入力側グランド端子１１，１２または出力側端子９を構
成する出力側グランド端子１４，１５の内いずれか一方
に高インピーダンス接続すると共に、他方のグランド端
子と低インピーダンス接続する構成とすればよい。更
に、金属キャップ４及びダイアタッチ部１６の双方にお
いて上記のように入力側と出力側で接続するインピーダ
ンスに差を設ける構成としてもよい。
【００８０】上記構成とすることにより、高インピーダ
ンス接続した方における金属キャップ４，ダイアタッチ
部１６と各端子との電気的連結を弱めることができる。
よって、前記した各実施例に比べて精度は低くなるもの
の、従来構成の弾性表面波装置１００に比べ減衰特性を
向上させることができる。
ンス接続した方における金属キャップ４，ダイアタッチ
部１６と各端子との電気的連結を弱めることができる。
よって、前記した各実施例に比べて精度は低くなるもの
の、従来構成の弾性表面波装置１００に比べ減衰特性を
向上させることができる。
【００８１】
【発明の効果】上述の如く本発明によれば下記の効果を
実現することができる。請求項１，請求項４，及び請求
項５記載の発明によれば、入力側端子と出力側端子との
金属キャップを介した電気的連結を遮断することができ
るため、弾性表面波素子の減衰特性がパッケージに影響
され劣化することを防止することができる。
実現することができる。請求項１，請求項４，及び請求
項５記載の発明によれば、入力側端子と出力側端子との
金属キャップを介した電気的連結を遮断することができ
るため、弾性表面波素子の減衰特性がパッケージに影響
され劣化することを防止することができる。
【００８２】また、請求項２記載の発明によれば、入力
側端子と出力側端子とのダイアタッチ部を介した電気的
連結を遮断することができるため、弾性表面波素子の減
衰特性がパッケージに影響され劣化することを防止する
ことができる。また、請求項３乃至請求項５記載の発明
によれば、入力側端子と出力側端子との金属キャップを
介した電気的連結と、入力側端子と出力側端子とのダイ
アタッチ部を介した電気的連結との双方を遮断すること
ができるため、請求項１或いは請求項２の構成に比べて
弾性表面波素子の減衰特性がパッケージに影響され劣化
することを更に確実に防止することができる。
側端子と出力側端子とのダイアタッチ部を介した電気的
連結を遮断することができるため、弾性表面波素子の減
衰特性がパッケージに影響され劣化することを防止する
ことができる。また、請求項３乃至請求項５記載の発明
によれば、入力側端子と出力側端子との金属キャップを
介した電気的連結と、入力側端子と出力側端子とのダイ
アタッチ部を介した電気的連結との双方を遮断すること
ができるため、請求項１或いは請求項２の構成に比べて
弾性表面波素子の減衰特性がパッケージに影響され劣化
することを更に確実に防止することができる。
【００８３】また、請求項６記載の発明によれば、入力
側端子と出力側端子との金属キャップを介した電気的連
結を弱めることができるため、弾性表面波素子の減衰特
性がパッケージに影響され劣化することを防止すること
ができる。また、請求項７記載の発明によれば、入力側
端子と出力側端子とのダイアタッチ部を介した電気的連
結を弱めることができるため、弾性表面波素子の減衰特
性がパッケージに影響され劣化することを防止すること
ができる。
側端子と出力側端子との金属キャップを介した電気的連
結を弱めることができるため、弾性表面波素子の減衰特
性がパッケージに影響され劣化することを防止すること
ができる。また、請求項７記載の発明によれば、入力側
端子と出力側端子とのダイアタッチ部を介した電気的連
結を弱めることができるため、弾性表面波素子の減衰特
性がパッケージに影響され劣化することを防止すること
ができる。
【００８４】更に、請求項８記載の発明によれば、入力
側端子と出力側端子との金属キャップを介した電気的連
結と、入力側端子と出力側端子とのダイアタッチ部を介
した電気的連結との双方を弱めることができるため、請
求項６或いは請求項７の構成に比べて弾性表面波素子の
減衰特性がパッケージに影響され劣化することを更に防
止することができる。
側端子と出力側端子との金属キャップを介した電気的連
結と、入力側端子と出力側端子とのダイアタッチ部を介
した電気的連結との双方を弱めることができるため、請
求項６或いは請求項７の構成に比べて弾性表面波素子の
減衰特性がパッケージに影響され劣化することを更に防
止することができる。
【図１】本発明の第１実施例である弾性表面波装置の分
解斜視図である。
解斜視図である。
【図２】本発明の第１実施例である弾性表面波装置の斜
視図である。
視図である。
【図３】本発明の第１実施例である弾性表面波装置の断
面図である。
面図である。
【図４】弾性表面波共振器を説明するための図である。
【図５】弾性表面波素子の回路構成の一例を示す図であ
る。
る。
【図６】本発明の第１実施例である弾性表面波装置の減
衰特性を従来の弾性表面波装置の減衰特性と比較して示
す図である。
衰特性を従来の弾性表面波装置の減衰特性と比較して示
す図である。
【図７】本発明の第１実施例の第１変形例である弾性表
面波装置の分解斜視図である。
面波装置の分解斜視図である。
【図８】本発明の第１実施例の第２変形例である弾性表
面波装置の分解斜視図である。
面波装置の分解斜視図である。
【図９】本発明の第１実施例の第２変形例である弾性表
面波装置の斜視図である。
面波装置の斜視図である。
【図１０】本発明の第２実施例である弾性表面波装置の
分解斜視図である。
分解斜視図である。
【図１１】本発明の第２実施例である弾性表面波装置の
斜視図である。
斜視図である。
【図１２】本発明の第２実施例の変形例である弾性表面
波装置の分解斜視図である。
波装置の分解斜視図である。
【図１３】本発明の第２実施例である弾性表面波装置の
分解斜視図である。
分解斜視図である。
【図１４】本発明の第３実施例である弾性表面波装置の
減衰特性を従来の弾性表面波装置の減衰特性と比較して
示す図である。
減衰特性を従来の弾性表面波装置の減衰特性と比較して
示す図である。
【図１５】本発明の第３実施例の第１変形例である弾性
表面波装置の分解斜視図である。
表面波装置の分解斜視図である。
【図１６】本発明の第３実施例の第１変形例である弾性
表面波装置の斜視図である。
表面波装置の斜視図である。
【図１７】本発明の第３実施例の第２変形例である弾性
表面波装置の分解斜視図である。
表面波装置の分解斜視図である。
【図１８】本発明の第３実施例の第３変形例である弾性
表面波装置の分解斜視図である。
表面波装置の分解斜視図である。
【図１９】従来の弾性表面波装置の一例を示す分解斜視
図である。
図である。
【図２０】従来の弾性表面波装置の一例を示す斜視図で
ある。
ある。
【図２１】従来の弾性表面波装置のパッケージの回路構
成を示す等価回路図である。
成を示す等価回路図である。
１，１Ａ，１Ｂ，５０，５０Ａ，６０，６０Ａ，６０
Ｂ，６０Ｃ 弾性表面波装置 ２ パッケージ ３ 弾性表面波素子 ４ 金属キャップ ５ 第１のセラミック基板 ６ 第２のセラミック基板 ７ 第３のセラミック基板 ８ 入力側端子 ９ 出力側端子 １０ 入力側信号端子 １０ａ 入力信号用フットパターン １１，１２ 出力側グランド端子 １１ａ，１２ａ 入力側グランド用フットパターン １３ 出力側信号端子 １３ａ 出力信号用フットパターン １４，１５ 出力側グランド端子 １４ａ，１５ａ 出力側グランド用フットパターン １６ ダイアタッチ部 １８，１９ 入力側グランド接続部 ２０，２１ 出力側グランド接続部 ２７ 入力側信号用パッド ２８，２９ 入力側グランド用パッド ３０ 出力側信号用パッド ３１，３２ 出力側グランド用パッド ３７ 上面配線膜 ３９ａ〜３９ｄ，５２ａ〜５２ｄ キャップ接続配線 ４０，４５，４６，５１ キャップ接続パターン ４２ 弾性表面波共振器
Ｂ，６０Ｃ 弾性表面波装置 ２ パッケージ ３ 弾性表面波素子 ４ 金属キャップ ５ 第１のセラミック基板 ６ 第２のセラミック基板 ７ 第３のセラミック基板 ８ 入力側端子 ９ 出力側端子 １０ 入力側信号端子 １０ａ 入力信号用フットパターン １１，１２ 出力側グランド端子 １１ａ，１２ａ 入力側グランド用フットパターン １３ 出力側信号端子 １３ａ 出力信号用フットパターン １４，１５ 出力側グランド端子 １４ａ，１５ａ 出力側グランド用フットパターン １６ ダイアタッチ部 １８，１９ 入力側グランド接続部 ２０，２１ 出力側グランド接続部 ２７ 入力側信号用パッド ２８，２９ 入力側グランド用パッド ３０ 出力側信号用パッド ３１，３２ 出力側グランド用パッド ３７ 上面配線膜 ３９ａ〜３９ｄ，５２ａ〜５２ｄ キャップ接続配線 ４０，４５，４６，５１ キャップ接続パターン ４２ 弾性表面波共振器
Claims (8)
- 【請求項１】 弾性表面波素子と、 多層構造のセラミック基板に内設されたダイアタッチ部
に前記弾性表面波素子が取り付けられると共に、前記弾
性表面波素子と接続される入力側端子及び出力側端子と
を設けてなるセラミックパッケージと、 前記セラミックパッケージの開口部を封止する金属キャ
ップとを具備する弾性表面波装置において、 前記金属キャップを、前記入力側端子を構成するグラン
ド端子または前記出力側端子を構成するグランド端子の
いずれか一方にのみ電気的に接続した構成としたことを
特徴とする弾性表面波装置。 - 【請求項２】 弾性表面波素子と、 多層構造のセラミック基板に内設されたダイアタッチ部
に前記弾性表面波素子が取り付けられると共に、前記弾
性表面波素子と接続される入力側端子及び出力側端子と
を設けてなるセラミックパッケージと、 前記セラミックパッケージの開口部を封止する金属キャ
ップとを具備する弾性表面波装置において、 前記ダイアタッチ部を、前記入力側端子を構成するグラ
ンド端子または前記出力側端子を構成するグランド端子
のいずれか一方にのみ電気的に接続した構成としたこと
を特徴とする弾性表面波装置。 - 【請求項３】 弾性表面波素子と、 多層構造のセラミック基板に内設されたダイアタッチ部
に前記弾性表面波素子が取り付けられると共に、前記弾
性表面波素子と接続される入力側端子及び出力側端子と
を設けてなるセラミックパッケージと、 前記セラミックパッケージの開口部を封止する金属キャ
ップとを具備する弾性表面波装置において、 前記金属キャップを、前記入力側端子を構成するグラン
ド端子または前記出力側端子を構成するグランド端子の
いずれか一方にのみ電気的に接続すると共に、 前記ダイアタッチ部を、前記入力側端子を構成するグラ
ンド端子、または前記出力側端子を構成するグランド端
子のいずれか一方にのみ電気的に接続した構成としたこ
とを特徴とする弾性表面波装置。 - 【請求項４】 請求項１または３記載の弾性表面波装置
において、 前記入力側端子及び出力端子が、前記弾性表面波素子が
接続されるパッドと外部出力端子として機能するフット
パターン部とを具備する構成とし、 前記金属キャップを、前記入力側端子を構成するグラン
ド端子のパッド、または前記出力側端子を構成するグラ
ンド端子のパッドのいずれか一方にのみ電気的に接続し
たことを特徴とする弾性表面波装置。 - 【請求項５】 請求項１または３記載の弾性表面波装置
において、 前記ダイアタッチ部を、前記入力側端子を構成するグラ
ンド端子または前記出力側端子を構成するグランド端子
の少なくとも一方に電気的に接続すると共に、 前記金属キャップを、前記ダイアタッチ部の前記入力側
端子または前記出力側端子のグランド端子が接続された
部位に電気的に接続したことを特徴とする弾性表面波装
置。 - 【請求項６】 弾性表面波素子と、 多層構造のセラミック基板に内設されたダイアタッチ部
に前記弾性表面波素子が取り付けられると共に、前記弾
性表面波素子と接続される入力側端子及び出力側端子と
を設けてなるセラミックパッケージと、 前記セラミックパッケージの開口部を封止する金属キャ
ップとを具備する弾性表面波装置において、 前記金属キャップを前記入力側端子を構成するグランド
端子または前記出力側端子を構成するグランド端子の内
いずれか一方に高インピーダンス接続すると共に、他方
のグランド端子と低インピーダンス接続する構成とした
ことを特徴とする弾性表面波装置。 - 【請求項７】 弾性表面波素子と、 多層構造のセラミック基板に内設されたダイアタッチ部
に前記弾性表面波素子が取り付けられると共に、前記弾
性表面波素子と接続される入力側端子及び出力側端子と
を設けてなるセラミックパッケージと、 前記セラミックパッケージの開口部を封止する金属キャ
ップとを具備する弾性表面波装置において、 前記ダイアタッチ部を前記入力側端子を構成するグラン
ド端子または前記出力側端子を構成するグランド端子の
内いずれか一方に高インピーダンス接続すると共に、他
方のグランド端子と低インピーダンス接続する構成とし
たことを特徴とする弾性表面波装置。 - 【請求項８】 弾性表面波素子と、 多層構造のセラミック基板に内設されたダイアタッチ部
に前記弾性表面波素子が取り付けられると共に、前記弾
性表面波素子と接続される入力側端子及び出力側端子と
を設けてなるセラミックパッケージと、 前記セラミックパッケージの開口部を封止する金属キャ
ップとを具備する弾性表面波装置において、 前記金属キャップを前記入力側端子を構成するグランド
端子または前記出力側端子を構成するグランド端子の内
いずれか一方に高インピーダンス接続すると共に、他方
のグランド端子と低インピーダンス接続する構成とし、
かつ、前記ダイアタッチ部を前記入力側端子を構成する
グランド端子または前記出力側端子を構成するグランド
端子の内いずれか一方に高インピーダンス接続すると共
に、他方のグランド端子と低インピーダンス接続する構
成としたことを特徴とする弾性表面波装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27314195A JP3306272B2 (ja) | 1995-10-20 | 1995-10-20 | 弾性表面波装置 |
| US08/615,144 US6037698A (en) | 1995-10-20 | 1996-03-14 | Acoustic surface wave device |
| KR1019960010237A KR100210507B1 (ko) | 1995-10-20 | 1996-04-04 | 탄성 표면파 장치 |
| CN96104568A CN1131590C (zh) | 1995-10-20 | 1996-04-05 | 声表面波器件 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27314195A JP3306272B2 (ja) | 1995-10-20 | 1995-10-20 | 弾性表面波装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09116377A true JPH09116377A (ja) | 1997-05-02 |
| JP3306272B2 JP3306272B2 (ja) | 2002-07-24 |
Family
ID=17523697
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27314195A Ceased JP3306272B2 (ja) | 1995-10-20 | 1995-10-20 | 弾性表面波装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6037698A (ja) |
| JP (1) | JP3306272B2 (ja) |
| KR (1) | KR100210507B1 (ja) |
| CN (1) | CN1131590C (ja) |
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| EP0961404A3 (en) * | 1998-05-29 | 2000-08-09 | Fujitsu Limited | Surface-acoustic-wave filter having an improved suppression outside a pass-band |
| JP2003078385A (ja) * | 2001-08-31 | 2003-03-14 | Kyocera Corp | 弾性表面波装置 |
| US7233219B2 (en) | 2004-04-28 | 2007-06-19 | Fujitsu Media Devices Limited | Balanced output filter having specified package input and output ground metal patterns |
| CN102420582A (zh) * | 2011-11-29 | 2012-04-18 | 浙江大学 | 基于柔性衬底的声表面波器件的结构及其制造方法 |
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| JP2001102486A (ja) * | 1999-07-28 | 2001-04-13 | Seiko Epson Corp | 半導体装置用基板、半導体チップ搭載基板、半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器 |
| US6566981B2 (en) * | 2000-07-28 | 2003-05-20 | Kyocera Corporation | Surface acoustic wave device having plural ground conductor films in the housing cavity |
| JP3386043B2 (ja) * | 2000-08-09 | 2003-03-10 | 株式会社村田製作所 | 弾性表面波デバイス |
| US20020085362A1 (en) * | 2000-12-29 | 2002-07-04 | Malone Joshua J. | Low cost feature to indicate package orientation |
| DE102005032058B4 (de) * | 2005-07-08 | 2016-12-29 | Epcos Ag | HF-Filter mit verbesserter Gegenbandunterdrückung |
| CN101542900B (zh) * | 2007-03-16 | 2012-05-23 | 松下电器产业株式会社 | 声表面波器件 |
| US11671072B2 (en) | 2018-12-26 | 2023-06-06 | Skyworks Solutions, Inc. | Multi-layer piezoelectric substrate with conductive layer |
Family Cites Families (10)
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|---|---|---|---|---|
| JPS60180317A (ja) * | 1984-02-28 | 1985-09-14 | Toyo Commun Equip Co Ltd | Ｓａｗデバイス等のパツケ−シ |
| JPH0721574B2 (ja) * | 1985-07-17 | 1995-03-08 | 日本電信電話株式会社 | 防水形光フアイバケ−ブル |
| JPS63131712A (ja) * | 1986-11-21 | 1988-06-03 | Nec Corp | 弾性表面波装置 |
| US5162822A (en) * | 1988-10-31 | 1992-11-10 | Hitachi, Ltd. | Saw filter chip mounted on a substrate with shielded conductors on opposite surfaces |
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| JPH04170811A (ja) * | 1990-11-05 | 1992-06-18 | Fujitsu Ltd | 弾性表面波デバイス |
| DE69206165T2 (de) * | 1991-02-04 | 1996-06-05 | Motorola Inc | Hermetische Verpackung für frequenzselektive Mikroelektronikteile. |
| JP3089851B2 (ja) * | 1992-09-16 | 2000-09-18 | 株式会社村田製作所 | チップ型圧電共振子の製造方法 |
| JP3222220B2 (ja) * | 1992-10-19 | 2001-10-22 | 株式会社村田製作所 | チップ型圧電共振子の製造方法 |
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-
1995
- 1995-10-20 JP JP27314195A patent/JP3306272B2/ja not_active Ceased
-
1996
- 1996-03-14 US US08/615,144 patent/US6037698A/en not_active Expired - Lifetime
- 1996-04-04 KR KR1019960010237A patent/KR100210507B1/ko not_active Expired - Fee Related
- 1996-04-05 CN CN96104568A patent/CN1131590C/zh not_active Expired - Fee Related
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|---|---|---|---|---|
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| US6388545B1 (en) | 1998-05-29 | 2002-05-14 | Fujitsu Limited | Surface-acoustic-wave filter having an improved suppression outside a pass-band |
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| CN102420582A (zh) * | 2011-11-29 | 2012-04-18 | 浙江大学 | 基于柔性衬底的声表面波器件的结构及其制造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN1131590C (zh) | 2003-12-17 |
| KR100210507B1 (ko) | 1999-07-15 |
| CN1149215A (zh) | 1997-05-07 |
| JP3306272B2 (ja) | 2002-07-24 |
| KR970024540A (ko) | 1997-05-30 |
| US6037698A (en) | 2000-03-14 |
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| Date | Code | Title | Description |
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