JPH09127678A - 半導体集積回路デバイスにおける金属マスクの製造方法 - Google Patents
半導体集積回路デバイスにおける金属マスクの製造方法Info
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- JPH09127678A JPH09127678A JP23647896A JP23647896A JPH09127678A JP H09127678 A JPH09127678 A JP H09127678A JP 23647896 A JP23647896 A JP 23647896A JP 23647896 A JP23647896 A JP 23647896A JP H09127678 A JPH09127678 A JP H09127678A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 スピンオンガラス層をドライエッチングのマ
スクとして、二段プロセスによる金属マスクの製造方法
を提供する。 【解決手段】 金属マスクは初期の均一な厚さの金属に
パターン化スピンオンガラス層を用いることによって製
造される。スピンオンガラス層のパターンは、既に直接
書き電子線の照射及びその後のウェット現像により形成
されたパターン化レジストを用いて、異方性ドライエッ
チングにより形成される。このスピンオンガラス層は、
その後の金属層のドライエッチングパターニングにおい
て金属層のドライエッチングパターン化の保護層として
使用される。金属層がパターン化された後、スピンオン
ガラス層は希フッ酸により除去される。
スクとして、二段プロセスによる金属マスクの製造方法
を提供する。 【解決手段】 金属マスクは初期の均一な厚さの金属に
パターン化スピンオンガラス層を用いることによって製
造される。スピンオンガラス層のパターンは、既に直接
書き電子線の照射及びその後のウェット現像により形成
されたパターン化レジストを用いて、異方性ドライエッ
チングにより形成される。このスピンオンガラス層は、
その後の金属層のドライエッチングパターニングにおい
て金属層のドライエッチングパターン化の保護層として
使用される。金属層がパターン化された後、スピンオン
ガラス層は希フッ酸により除去される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はマスクの製造方法に
関し、特に、半導体集積回路のようなデバイスに使用さ
れるホトリソグラフィマスクの製造方法に関する。この
マスクは等倍率以外のホトリソグラフィシステムに使用
される場合には特に「レチクル」(reticles)とも称され
る。
関し、特に、半導体集積回路のようなデバイスに使用さ
れるホトリソグラフィマスクの製造方法に関する。この
マスクは等倍率以外のホトリソグラフィシステムに使用
される場合には特に「レチクル」(reticles)とも称され
る。
【０００２】
【従来の技術】周知のように、半導体集積回路デバイス
は、半導体ウェーハに対して様々なパターン化処理プロ
セスを施すことにより製造される。ここで、「パターン
化処理工程」とはウェーハの全主表面ではなく主表面の
選択された部分にのみ処理を与える工程である。この工
程は層のパターン化堆積、不純物のパターン化ドーピン
グ、及びパターン化エッチングなどの工程を含む。この
方法により、特徴物がウェーハの主表面に形成される。
ここで、「半導体ウェーハ」は既に処理工程で処理され
た半導体ウェーハのような半導体ワークピースを含む。
は、半導体ウェーハに対して様々なパターン化処理プロ
セスを施すことにより製造される。ここで、「パターン
化処理工程」とはウェーハの全主表面ではなく主表面の
選択された部分にのみ処理を与える工程である。この工
程は層のパターン化堆積、不純物のパターン化ドーピン
グ、及びパターン化エッチングなどの工程を含む。この
方法により、特徴物がウェーハの主表面に形成される。
ここで、「半導体ウェーハ」は既に処理工程で処理され
た半導体ウェーハのような半導体ワークピースを含む。
【０００３】ウェーハをパターン化処理する典型的な工
程は、様々なパターン化ホトレジスト層の使用に関連す
る。このレジスト層は、ウェーハの主表面に接触してウ
ェーハの選択された部分のみをその処理工程から保護す
る。このパターン化ホトレジスト層を得るために、ホト
レジスト材料がまずウェーハの主表面の全面にホトレジ
スト層として堆積される。そして、光照射が、ネガホト
レジストまたはポジホトレジストの種類によって選択さ
れたまたは選択されないホトレジスト層の部分のみに与
えられる。次に、ホトレジスト層は現像されて、ホトレ
ジスト層は所望の選択された部分のみに残される（すな
わち、ホトレジストがネガタイプかポジタイプかによっ
て、露光部分または未露光部分が残される）。ホトレジ
スト層の選択された部分のみへの光照射は、一般的にホ
トリソグラフィ法により得られる。このホトリソグラフ
ィ工程においては、多量の光ビームは一般的に金属マス
クであるパターン化マスクに照射される。光照射で得ら
れたパターン化ビームは、ウェーハに接触するホトレジ
スト層に集光される。このように 、ウェーハの主表面
にあるパターン化ホトレジスト層は、ウェーハに施され
る処理工程に対して、パターン化保護層の機能を果た
す。
程は、様々なパターン化ホトレジスト層の使用に関連す
る。このレジスト層は、ウェーハの主表面に接触してウ
ェーハの選択された部分のみをその処理工程から保護す
る。このパターン化ホトレジスト層を得るために、ホト
レジスト材料がまずウェーハの主表面の全面にホトレジ
スト層として堆積される。そして、光照射が、ネガホト
レジストまたはポジホトレジストの種類によって選択さ
れたまたは選択されないホトレジスト層の部分のみに与
えられる。次に、ホトレジスト層は現像されて、ホトレ
ジスト層は所望の選択された部分のみに残される（すな
わち、ホトレジストがネガタイプかポジタイプかによっ
て、露光部分または未露光部分が残される）。ホトレジ
スト層の選択された部分のみへの光照射は、一般的にホ
トリソグラフィ法により得られる。このホトリソグラフ
ィ工程においては、多量の光ビームは一般的に金属マス
クであるパターン化マスクに照射される。光照射で得ら
れたパターン化ビームは、ウェーハに接触するホトレジ
スト層に集光される。このように 、ウェーハの主表面
にあるパターン化ホトレジスト層は、ウェーハに施され
る処理工程に対して、パターン化保護層の機能を果た
す。
【０００４】パターン化金属マスク自身は、一般的には
ガラスまたは石英のような光透過性スラブの主表面にあ
るパターン化クロム層のようなパターン金属層である。
従来の技術においては、このパターン化金属マスクは、
一般的にマスク基板の主表面の全面に塗布される適切な
レジスト層により得られる。このマスク基板は、最初
に、一般的に、例えば、クロムのような金属層でもっ
て、透明なスラブの主表面の全面に均一の厚さで被覆さ
れている。このレジスト層は、一般的に電子線または他
の光効果照射にも反応するホトレジスト層である。光効
果照射は一般的に直接書きの電子線であり、このレジス
ト層の選択される部分のみに当てられる。そして、この
レジスト層はウェット現像（ウェットエッチング）され
る。しかし、残されたパターン化レジスト層の側壁は垂
直にはなっていない（すなわち、異方性ではない）。何
れにせよ、得られたパターン化レジスト層は金属層の主
表面に前述の選択された部分のみで残される。すなわ
ち、影響されずに残されたレジスト層のこれらの部分
（この部分のみ）は、使用したレジストがネガタイプ
か、ポジタイプかにより、光効果照射のビームに露光さ
れる部分または露光されない部分である。そして、クロ
ム層は、金属層の主表面にあるパターン化レジスト層を
エッチングに対する保護マスクとして、ウェットエッチ
ングまたはドライエッチングによってパターン化され
る。一般的には、このパターン化レジストはその後除去
される。
ガラスまたは石英のような光透過性スラブの主表面にあ
るパターン化クロム層のようなパターン金属層である。
従来の技術においては、このパターン化金属マスクは、
一般的にマスク基板の主表面の全面に塗布される適切な
レジスト層により得られる。このマスク基板は、最初
に、一般的に、例えば、クロムのような金属層でもっ
て、透明なスラブの主表面の全面に均一の厚さで被覆さ
れている。このレジスト層は、一般的に電子線または他
の光効果照射にも反応するホトレジスト層である。光効
果照射は一般的に直接書きの電子線であり、このレジス
ト層の選択される部分のみに当てられる。そして、この
レジスト層はウェット現像（ウェットエッチング）され
る。しかし、残されたパターン化レジスト層の側壁は垂
直にはなっていない（すなわち、異方性ではない）。何
れにせよ、得られたパターン化レジスト層は金属層の主
表面に前述の選択された部分のみで残される。すなわ
ち、影響されずに残されたレジスト層のこれらの部分
（この部分のみ）は、使用したレジストがネガタイプ
か、ポジタイプかにより、光効果照射のビームに露光さ
れる部分または露光されない部分である。そして、クロ
ム層は、金属層の主表面にあるパターン化レジスト層を
エッチングに対する保護マスクとして、ウェットエッチ
ングまたはドライエッチングによってパターン化され
る。一般的には、このパターン化レジストはその後除去
される。
【０００５】この方法により形成されたパターン化金属
層には、パターン化レジストの下に得られたパターン化
金属化層の側壁（エッジ）は垂直にならない問題点があ
る。すなわち、垂直にならない側壁は異方性にならず、
その横方向の位置精度が所望の通りに制御されない。さ
らに具体的には、クロム層のパターン化はドライエッチ
ング法により形成される場合においては、得られたレジ
スト層の側壁（最初から異方性ではない）にドライエッ
チングによる横方向の精度が得られず、その後、パター
ン化レジスト層の下のクロム層をエッチングするとき
に、異方性効果が得らず、得られたパターン化クロム層
の側壁の位置精度は所望の通りに制御されない。この位
置精度の制御性の欠如（パターンの忠実性の欠如）は市
販されたレジストのドライエッチングに対する抵抗力に
起因する。クロム層のパターン化は、ウェットエッチン
グ法により形成される場合においては、レジスト層の下
部削り（クロム層の横方向のエッチング）が線幅の不必
要なロス、及び同様な異方性の欠如と、得られた下部の
クロム層の側壁の位置精度の欠如を引き起こす。それ故
に、クロム層をパターンするには、ウェット及びドライ
エッチングの何れを用いても、得られたパターン化クロ
ム層の側壁が更なる異方性及び精度の制御性に欠けてい
る。何れの場合においても、それにより得られたマスク
はパターン化されない透明基板にあるパターン化クロム
層からなる。しかし、パターン化クロム層の側壁はそれ
により、異方性及び精度の予測性に欠けている。それ故
に、その後、このように得られたマスクを使用するとき
には（ホトリソグラフィのため）、ウェーハの上にある
ホトレジスト層に光ビームを集光させるマスクの特徴物
のエッジに所望の精度が得られない。その結果、ウェー
ハ上に定義された特徴物のエッジは、特に、ウェーハ上
に約0.35μｍ及びそれ以下の特徴物の幅を採用する場
合、所望の効果を果たさないこともある。
層には、パターン化レジストの下に得られたパターン化
金属化層の側壁（エッジ）は垂直にならない問題点があ
る。すなわち、垂直にならない側壁は異方性にならず、
その横方向の位置精度が所望の通りに制御されない。さ
らに具体的には、クロム層のパターン化はドライエッチ
ング法により形成される場合においては、得られたレジ
スト層の側壁（最初から異方性ではない）にドライエッ
チングによる横方向の精度が得られず、その後、パター
ン化レジスト層の下のクロム層をエッチングするとき
に、異方性効果が得らず、得られたパターン化クロム層
の側壁の位置精度は所望の通りに制御されない。この位
置精度の制御性の欠如（パターンの忠実性の欠如）は市
販されたレジストのドライエッチングに対する抵抗力に
起因する。クロム層のパターン化は、ウェットエッチン
グ法により形成される場合においては、レジスト層の下
部削り（クロム層の横方向のエッチング）が線幅の不必
要なロス、及び同様な異方性の欠如と、得られた下部の
クロム層の側壁の位置精度の欠如を引き起こす。それ故
に、クロム層をパターンするには、ウェット及びドライ
エッチングの何れを用いても、得られたパターン化クロ
ム層の側壁が更なる異方性及び精度の制御性に欠けてい
る。何れの場合においても、それにより得られたマスク
はパターン化されない透明基板にあるパターン化クロム
層からなる。しかし、パターン化クロム層の側壁はそれ
により、異方性及び精度の予測性に欠けている。それ故
に、その後、このように得られたマスクを使用するとき
には（ホトリソグラフィのため）、ウェーハの上にある
ホトレジスト層に光ビームを集光させるマスクの特徴物
のエッジに所望の精度が得られない。その結果、ウェー
ハ上に定義された特徴物のエッジは、特に、ウェーハ上
に約0.35μｍ及びそれ以下の特徴物の幅を採用する場
合、所望の効果を果たさないこともある。
【０００６】米国特許出願第４７７４１６４号は、クロ
ムマスクの製造方法を開示している。この特許出願にお
いて、クロム層はガラスや石英のような基板の主表面の
全面に塗布される。既に電子線によりパターン化された
パターン化ホトレジスト層はその後クロム層の上部表面
に形成される。次に、パターン化されないガラス層、例
えばスピンオンガラス層は、形成された構造物の上部表
面の全面に被覆される。このガラス層はその後平坦化さ
れる。さらに具体的には、このガラス層はパターン化ホ
トレジスト層の上部表面が全部露出されるまで十分の厚
さでドライエッチングされる。このようにして、このパ
ターン化ホトレジスト層のパターンが露出される。パタ
ーン化ホトレジスト層はその後除去されて、クロム層の
上部表面はパターン化ガラス層により被覆された領域の
外に露出されるようになる。この方法において、もとも
と存在したパターン化ホトレジスト層の領域は無くなる
ので、ガラス層はパターン化ガラス層となり、その側壁
は下部の金属層の上に広がる。これにより得られたパタ
ーン化ガラス層はその後金属層のエッチングにドライエ
ッチングのマスクとして機能する。この方法により、パ
ターン化金属層が形成される。
ムマスクの製造方法を開示している。この特許出願にお
いて、クロム層はガラスや石英のような基板の主表面の
全面に塗布される。既に電子線によりパターン化された
パターン化ホトレジスト層はその後クロム層の上部表面
に形成される。次に、パターン化されないガラス層、例
えばスピンオンガラス層は、形成された構造物の上部表
面の全面に被覆される。このガラス層はその後平坦化さ
れる。さらに具体的には、このガラス層はパターン化ホ
トレジスト層の上部表面が全部露出されるまで十分の厚
さでドライエッチングされる。このようにして、このパ
ターン化ホトレジスト層のパターンが露出される。パタ
ーン化ホトレジスト層はその後除去されて、クロム層の
上部表面はパターン化ガラス層により被覆された領域の
外に露出されるようになる。この方法において、もとも
と存在したパターン化ホトレジスト層の領域は無くなる
ので、ガラス層はパターン化ガラス層となり、その側壁
は下部の金属層の上に広がる。これにより得られたパタ
ーン化ガラス層はその後金属層のエッチングにドライエ
ッチングのマスクとして機能する。この方法により、パ
ターン化金属層が形成される。
【０００７】前述した方法には、高価なガラスの平坦化
処理を必要とする問題点がある。さらに、平坦化処理を
スピンガラスを過大または過少にエッチングすることな
く制御することが困難である。また、スピンガラス層が
平坦ではないため、下敷きの凹凸に従い、スピンガラス
層の厚さが変動して、平坦化処理工程は均一に進行しに
くい。従って、平坦化処理は特徴物の寸法及び特徴物の
間隔が小さい場合においては特に難しくなる。
処理を必要とする問題点がある。さらに、平坦化処理を
スピンガラスを過大または過少にエッチングすることな
く制御することが困難である。また、スピンガラス層が
平坦ではないため、下敷きの凹凸に従い、スピンガラス
層の厚さが変動して、平坦化処理工程は均一に進行しに
くい。従って、平坦化処理は特徴物の寸法及び特徴物の
間隔が小さい場合においては特に難しくなる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の目的
は、従来技術の問題を軽減するパターン化金属マスクの
製造方法を提供することである。
は、従来技術の問題を軽減するパターン化金属マスクの
製造方法を提供することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に、本発明のマスク製造方法は次のステップを含む。 （ａ）透明性のスラブ、好ましくは石英からなる基板を
準備し、そのスラブの上部主表面に、金属層、好ましく
はクロムからなり、均一な厚さを有する金属層を準備
し、金属層の上部主表面にスピンオン（または他の低温
被覆）ガラス層、好ましくは均一な厚さを有するガラス
層を準備し、スピンオンガラス層の上部主表面にパター
ン化ホトレジスト層を準備する。 （ｂ）パターン化ホトレジスト層をエッチングに抵抗す
る保護層として、金属層をエッチングせずに、スピンオ
ンガラス（または他の低温被覆）層をドライエッチング
する。これにより、パターン化スピンオン（または他の
低温被覆）ガラス層が形成される。 （ｃ）パターン化スピンオンガラス（または他の低温被
覆）層をエッチングに抵抗する保護マスクとして、スラ
ブをエッチングせずに、金属層をエッチングする。好ま
しくは、スピンオンガラス（または他の低温被覆）層
を、その後、希フッ酸溶液でウェットエッチングにより
除去する。
に、本発明のマスク製造方法は次のステップを含む。 （ａ）透明性のスラブ、好ましくは石英からなる基板を
準備し、そのスラブの上部主表面に、金属層、好ましく
はクロムからなり、均一な厚さを有する金属層を準備
し、金属層の上部主表面にスピンオン（または他の低温
被覆）ガラス層、好ましくは均一な厚さを有するガラス
層を準備し、スピンオンガラス層の上部主表面にパター
ン化ホトレジスト層を準備する。 （ｂ）パターン化ホトレジスト層をエッチングに抵抗す
る保護層として、金属層をエッチングせずに、スピンオ
ンガラス（または他の低温被覆）層をドライエッチング
する。これにより、パターン化スピンオン（または他の
低温被覆）ガラス層が形成される。 （ｃ）パターン化スピンオンガラス（または他の低温被
覆）層をエッチングに抵抗する保護マスクとして、スラ
ブをエッチングせずに、金属層をエッチングする。好ま
しくは、スピンオンガラス（または他の低温被覆）層
を、その後、希フッ酸溶液でウェットエッチングにより
除去する。
【００１０】
【発明の実施の形態】図１に示すように、一般的に石英
ガラスから形成される透明な基板１０は、約１５０ｍｍ
×１５０ｍｍの面積の上部主表面を有する。金属層１１
は、基板１０の上部主表面に被覆される。一般的には、
この金属層は、約１００ｎｍまたそれ以上の厚さを有す
るクロムからなる。そして、スピンオンガラス層１２
は、金属層１１の上部主表面の全面に形成される。一般
的に、このスピンオンガラス層１２は、約２００℃の温
度で形成される。また、スピンオンガラス層１２は、均
一の厚さを有することが望ましく、この厚さは約１００
〜２００ｎｍで、一般的に１２０ｎｍである。次に、レ
ジスト層１３は、スピンオンガラス層１２の上部表面の
全面に塗布される。レジスト層１３の厚さは、均一にな
るのが有利である。一般的には、このレジスト層には、
Hoechst Celanese社（Electronics ProductsDivision,3
070 Highway 22 West,Somerville,New Jersey 08876.）
から市販されているAZ5206を使用する。一般的には、こ
のレジスト層１３は、約６００ｎｍの厚さで塗布され
る。
ガラスから形成される透明な基板１０は、約１５０ｍｍ
×１５０ｍｍの面積の上部主表面を有する。金属層１１
は、基板１０の上部主表面に被覆される。一般的には、
この金属層は、約１００ｎｍまたそれ以上の厚さを有す
るクロムからなる。そして、スピンオンガラス層１２
は、金属層１１の上部主表面の全面に形成される。一般
的に、このスピンオンガラス層１２は、約２００℃の温
度で形成される。また、スピンオンガラス層１２は、均
一の厚さを有することが望ましく、この厚さは約１００
〜２００ｎｍで、一般的に１２０ｎｍである。次に、レ
ジスト層１３は、スピンオンガラス層１２の上部表面の
全面に塗布される。レジスト層１３の厚さは、均一にな
るのが有利である。一般的には、このレジスト層には、
Hoechst Celanese社（Electronics ProductsDivision,3
070 Highway 22 West,Somerville,New Jersey 08876.）
から市販されているAZ5206を使用する。一般的には、こ
のレジスト層１３は、約６００ｎｍの厚さで塗布され
る。
【００１１】そして、レジスト層１３（図１）は、例え
ば、周知の直接書き電子ビームの照射及びその後ウェッ
ト現像の方法により、パターン化されて、パターン化レ
ジスト層２３（図２）を形成する。次に、このように得
られた構造（図２）の上部表面は、ドライエッチングに
より処理される。このドライエッチングは、金属層１１
をエッチングせずに、スピンオンガラス層１２をエッチ
ングする。このようにして、ドライエッチング工程は、
パターン化スピンオンガラス層２２（図３）を形成す
る。例えば、このドライエッチングは、ＣＨＦ3ガスに
より行われて、エッチングの結果はほぼ完全に異方性で
ある。すなわち、このエッチングは、パターン化スピン
オンガラス層２２でほぼ完全に垂直な側壁を形成する。
そして、レジスト層２３は一般的に完全に除去されて、
その後の金属層１１のドライエッチングの制御性を上げ
る。
ば、周知の直接書き電子ビームの照射及びその後ウェッ
ト現像の方法により、パターン化されて、パターン化レ
ジスト層２３（図２）を形成する。次に、このように得
られた構造（図２）の上部表面は、ドライエッチングに
より処理される。このドライエッチングは、金属層１１
をエッチングせずに、スピンオンガラス層１２をエッチ
ングする。このようにして、ドライエッチング工程は、
パターン化スピンオンガラス層２２（図３）を形成す
る。例えば、このドライエッチングは、ＣＨＦ3ガスに
より行われて、エッチングの結果はほぼ完全に異方性で
ある。すなわち、このエッチングは、パターン化スピン
オンガラス層２２でほぼ完全に垂直な側壁を形成する。
そして、レジスト層２３は一般的に完全に除去されて、
その後の金属層１１のドライエッチングの制御性を上げ
る。
【００１２】次に、パターン化スピンオンガラス層によ
り被覆されていない金属層１１の上部表面の部分（図
３）は、パターン化スピンオンガラス層２２をエッチン
グに対する保護マスクとして、異方性エッチング工程に
より除去される。例えば、金属層１１がクロムである場
合には、塩素と酸素の混合ガスによりプラズマエッチン
グでクロムをエッチングする方法が有効である。図４に
示す構造は、減衰位相シフトレチクル以外のレチクルと
してよく利用される。減衰位相シフトレチクルの場合に
は、パターン化スピンオンガラス層２２は、希ＨＦ水溶
液によるウェットエッチング法により除去される（図
５）。この場合、ＨＦの水溶液の濃度比（Ｈ2Ｏ：Ｈ
Ｆ）は５０：１〜２００：１の体積比であり、一般的に
はこの比は約１００：１である。一般的には、この希釈
ＨＦ水溶液によるウェットエッチングは２０℃の温度で
行われる。この温度におけるエッチング溶液は、１０：
１以上の高い選択性を有する。すなわち、基板１０が石
英で造られた場合、基板１０よりもパターン化スピンオ
ンガラス層２２に対するエッチング速度は十倍以上にな
る。図５に示す構造はレチクルとしても使用されるし、
また周知の処理工程による更なる処理によって減衰位相
シフトマスクとしても使用される。前述したＨＦ溶液の
高い選択性は、図５の構造が減衰位相シフトマスクの中
間製品として使用される場合には特に重要である。
り被覆されていない金属層１１の上部表面の部分（図
３）は、パターン化スピンオンガラス層２２をエッチン
グに対する保護マスクとして、異方性エッチング工程に
より除去される。例えば、金属層１１がクロムである場
合には、塩素と酸素の混合ガスによりプラズマエッチン
グでクロムをエッチングする方法が有効である。図４に
示す構造は、減衰位相シフトレチクル以外のレチクルと
してよく利用される。減衰位相シフトレチクルの場合に
は、パターン化スピンオンガラス層２２は、希ＨＦ水溶
液によるウェットエッチング法により除去される（図
５）。この場合、ＨＦの水溶液の濃度比（Ｈ2Ｏ：Ｈ
Ｆ）は５０：１〜２００：１の体積比であり、一般的に
はこの比は約１００：１である。一般的には、この希釈
ＨＦ水溶液によるウェットエッチングは２０℃の温度で
行われる。この温度におけるエッチング溶液は、１０：
１以上の高い選択性を有する。すなわち、基板１０が石
英で造られた場合、基板１０よりもパターン化スピンオ
ンガラス層２２に対するエッチング速度は十倍以上にな
る。図５に示す構造はレチクルとしても使用されるし、
また周知の処理工程による更なる処理によって減衰位相
シフトマスクとしても使用される。前述したＨＦ溶液の
高い選択性は、図５の構造が減衰位相シフトマスクの中
間製品として使用される場合には特に重要である。
【００１３】ここでは、本発明の特別の実施例について
述べたが、様々な変形例が考案され得る。例えば、低温
被覆ガラスのエッチング（例えば、希ＨＦで）は、石英
または高温被覆ガラスの何れよりも速いため、スピンオ
ンガラスの代わりに、ガラス層１２は、例えば、約２０
〜３００℃の温度範囲で被覆されるものでもよい。この
ガラス層は、一般的に約２００℃の温度で形成される。
石英の代わりに、基板１０は、マスク用の他の光学材料
からも形成される。この材料はスピンオンガラス、また
は、他の低温被覆酸化物よりも低いエッチング速度を有
する必要がある。
述べたが、様々な変形例が考案され得る。例えば、低温
被覆ガラスのエッチング（例えば、希ＨＦで）は、石英
または高温被覆ガラスの何れよりも速いため、スピンオ
ンガラスの代わりに、ガラス層１２は、例えば、約２０
〜３００℃の温度範囲で被覆されるものでもよい。この
ガラス層は、一般的に約２００℃の温度で形成される。
石英の代わりに、基板１０は、マスク用の他の光学材料
からも形成される。この材料はスピンオンガラス、また
は、他の低温被覆酸化物よりも低いエッチング速度を有
する必要がある。
【００１４】
【発明の効果】以上述べたように、本発明により、金属
マスクの線幅及び位置の精度を上げることができた。
マスクの線幅及び位置の精度を上げることができた。
【図１】本発明による金属マスクの初期段階を表す断面
図。
図。
【図２】本発明による金属マスクのパターン化レジスト
層が形成された状態を表す断面図。
層が形成された状態を表す断面図。
【図３】本発明による金属マスクのパターン化スピンオ
ンガラス層が形成された状態を表す断面図。
ンガラス層が形成された状態を表す断面図。
【図４】本発明による金属マスクの金属層がエッチング
された状態を表す断面図。
された状態を表す断面図。
【図５】本発明による金属マスクのパターン化金属層が
形成された状態を表す断面図。
形成された状態を表す断面図。
１０ 基板 １１ 金属層 １２ スピンオンガラス層 １３ レジスト層 ２１ パターン化金属層 ２２ パターン化スピンオンガラス層 ２３ パターン化レジスト層
Claims (7)
- 【請求項１】 基板上にパターン化マスクを製造する方
法において、 （ａ）透明性のスラブからなる基板を準備し、前記スラ
ブの上部主表面に、 第１厚さを有する均一な金属層と、 前記金属層の上部主表面に第２厚さを有する均一なガラ
ス層と、 前記ガラス層の上部主表面にパターン化ホトレジスト層
を準備するステップと、 （ｂ）前記パターン化ホトレジスト層をエッチングに対
する保護層として、金属層をエッチングせずに、ガラス
層をドライエッチングして、これにより、パターン化ガ
ラス層を形成するステップと、 （ｃ）前記パターン化ガラス層をエッチングに対する保
護マスクとして、スラブをエッチングせずに、前記金属
層をエッチングするステップとを含むことを特徴とする
半導体集積回路デバイスにおけるマスク製造方法。 - 【請求項２】 前記（ａ）〜（ｃ）のステップの後、ウ
ェットエッチング工程によりパターン化ガラス層を除去
するステップを含むことを特徴とする請求項１の方法。 - 【請求項３】 前記透明スラブはガラスからなり、この
透明スラブは第１温度で形成され、この第１温度よりも
低い第２温度でガラス層を被覆するステップをさらに含
むことを特徴とする請求項１の方法。 - 【請求項４】 前記パターン化ガラス層をウェットエッ
チング処理により除去するステップをさらに含むことを
特徴とする請求項１の方法。 - 【請求項５】 前記金属層は、クロムからなることを特
徴とする請求項５の方法。 - 【請求項６】 前記スラブは、石英からなることを特徴
とする請求項１の方法。 - 【請求項７】 前記ガラス層は、金属層の上部主表面に
スピンにより形成されることを特徴とする請求項１の方
法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US53441995A | 1995-09-27 | 1995-09-27 | |
| US534419 | 1995-09-27 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09127678A true JPH09127678A (ja) | 1997-05-16 |
Family
ID=24129943
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23647896A Pending JPH09127678A (ja) | 1995-09-27 | 1996-09-06 | 半導体集積回路デバイスにおける金属マスクの製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0766138A3 (ja) |
| JP (1) | JPH09127678A (ja) |
| KR (1) | KR970016779A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100851092B1 (ko) * | 2000-09-18 | 2008-08-08 | 마이크로닉 레이저 시스템즈 에이비 | 이중층 레티클 블랭크 및 이것의 제조방법 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1857876A1 (en) * | 2006-05-15 | 2007-11-21 | Advanced Mask Technology Center GmbH & Co. KG | Method of forming a phase shift mask |
| CN109557761B (zh) * | 2018-12-07 | 2022-03-08 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 掩膜板制作方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6385553A (ja) * | 1986-09-30 | 1988-04-16 | Toshiba Corp | マスク基板およびマスクパタ−ンの形成方法 |
| JPH0683026A (ja) * | 1992-08-31 | 1994-03-25 | Mitsubishi Electric Corp | 光転写用マスクおよびその製造方法 |
| JPH0695359A (ja) * | 1992-04-23 | 1994-04-08 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 位相シフトマスクとその製造方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63312643A (ja) * | 1987-06-16 | 1988-12-21 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
-
1996
- 1996-09-06 JP JP23647896A patent/JPH09127678A/ja active Pending
- 1996-09-17 EP EP96306755A patent/EP0766138A3/en not_active Withdrawn
- 1996-09-20 KR KR1019960041015A patent/KR970016779A/ko not_active Withdrawn
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6385553A (ja) * | 1986-09-30 | 1988-04-16 | Toshiba Corp | マスク基板およびマスクパタ−ンの形成方法 |
| JPH0695359A (ja) * | 1992-04-23 | 1994-04-08 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 位相シフトマスクとその製造方法 |
| JPH0683026A (ja) * | 1992-08-31 | 1994-03-25 | Mitsubishi Electric Corp | 光転写用マスクおよびその製造方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100851092B1 (ko) * | 2000-09-18 | 2008-08-08 | 마이크로닉 레이저 시스템즈 에이비 | 이중층 레티클 블랭크 및 이것의 제조방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0766138A2 (en) | 1997-04-02 |
| KR970016779A (ko) | 1997-04-28 |
| EP0766138A3 (en) | 1998-11-04 |
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