JPH09143178A - 4−ブタノリド誘導体の製造法 - Google Patents
4−ブタノリド誘導体の製造法Info
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- JPH09143178A JPH09143178A JP7310437A JP31043795A JPH09143178A JP H09143178 A JPH09143178 A JP H09143178A JP 7310437 A JP7310437 A JP 7310437A JP 31043795 A JP31043795 A JP 31043795A JP H09143178 A JPH09143178 A JP H09143178A
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Landscapes
- Furan Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 4−ブタノリド誘導体を容易に製造する方法
を提供する。 【解決手段】 一般式(A)で表されるマロン酸エステ
ルを強塩基と反応させることを特徴とする一般式(B)
で表される4−ブタノリドの製造法(式中、R1は炭素
数6以下のアルキル基、R2は炭素数13以下のアルキ
ル基、または芳香族炭化水素基を表す。) 【化1】
を提供する。 【解決手段】 一般式(A)で表されるマロン酸エステ
ルを強塩基と反応させることを特徴とする一般式(B)
で表される4−ブタノリドの製造法(式中、R1は炭素
数6以下のアルキル基、R2は炭素数13以下のアルキ
ル基、または芳香族炭化水素基を表す。) 【化1】
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は写真用カプラー中間
体として有用な2−(2−アルコキシカルボニルアセチ
ル)−4−ブタノリド誘導体の新規な製造法に関する。
体として有用な2−(2−アルコキシカルボニルアセチ
ル)−4−ブタノリド誘導体の新規な製造法に関する。
【0002】
【従来の技術】写真用カプラーとして3−シクロプロピ
ル−3−オキソプロピオン酸アニリドが知られている
(特開平4−218,042号公報)。しかし、その製
造法は環縮小法で三員環を形成する際、高温が必要であ
り製造適性に不満なものであった。該カプラーの製造法
として、2−(2−アニリノカルボニルアセチル)−4
−ブタノリドの環縮小法(特開平7−70,100号公
報)は、より低温で反応が進行する点で好ましいもの
の、その中間体の2−(2−アルコキシカルボニルアセ
チル)−4−ブタノリドの製造には多段階を要し、簡便
とは言えなかった。
ル−3−オキソプロピオン酸アニリドが知られている
(特開平4−218,042号公報)。しかし、その製
造法は環縮小法で三員環を形成する際、高温が必要であ
り製造適性に不満なものであった。該カプラーの製造法
として、2−(2−アニリノカルボニルアセチル)−4
−ブタノリドの環縮小法(特開平7−70,100号公
報)は、より低温で反応が進行する点で好ましいもの
の、その中間体の2−(2−アルコキシカルボニルアセ
チル)−4−ブタノリドの製造には多段階を要し、簡便
とは言えなかった。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】従って本発明の目的
は、写真用カプラー中間体として有用な2−(2−アル
コキシカルボニルアセチル)−4−ブタノリド類の新規
な製造法を提供することである。
は、写真用カプラー中間体として有用な2−(2−アル
コキシカルボニルアセチル)−4−ブタノリド類の新規
な製造法を提供することである。
【0004】
【課題を解決するための手段】本発明の目的は、下記一
般式(A)で表される2−(2−アセトキシエチル)マ
ロン酸エステル類を強塩基と反応させることを特徴とす
る下記一般式(B)で表される2−(2−アルコキシカ
ルボニルアセチル)−4−ブタノリド誘導体の製造方法
によって達成された。
般式(A)で表される2−(2−アセトキシエチル)マ
ロン酸エステル類を強塩基と反応させることを特徴とす
る下記一般式(B)で表される2−(2−アルコキシカ
ルボニルアセチル)−4−ブタノリド誘導体の製造方法
によって達成された。
【0005】
【化3】
【0006】(式中、R1は炭素数6以下のアルキル
基、R2は炭素数13以下のアルキル基、または芳香族
炭化水素基を表す。)
基、R2は炭素数13以下のアルキル基、または芳香族
炭化水素基を表す。)
【0007】
【化4】
【0008】(式中、R1は炭素数6以下のアルキル
基、R2は炭素数13以下のアルキル基、または芳香族
炭化水素基を表す。)
基、R2は炭素数13以下のアルキル基、または芳香族
炭化水素基を表す。)
【0009】
【発明の実施の形態】次に本発明について詳細に説明す
る。本発明に用いられる一般式(A)で表される化合物
について説明する。R1で表されるアルキル基は炭素数
6以下のアルキル基であるが、メチル基、エチル基、プ
ロピル基など炭素数3以下のアルキル基が好ましく、中
でもメチル基、エチル基が特に好ましい。R2で表され
るアルキル基は炭素数13以下のアルキル基で、アリル
基やベンジル基など、不飽和炭化水素基で置換されてい
てもよい。そのようなアルキル基として、メチル基、エ
チル基、プロピル基、アリル基、ベンジル基など炭素数
7以下のアルキル基が好ましく、特にエチル基が好まし
い。
る。本発明に用いられる一般式(A)で表される化合物
について説明する。R1で表されるアルキル基は炭素数
6以下のアルキル基であるが、メチル基、エチル基、プ
ロピル基など炭素数3以下のアルキル基が好ましく、中
でもメチル基、エチル基が特に好ましい。R2で表され
るアルキル基は炭素数13以下のアルキル基で、アリル
基やベンジル基など、不飽和炭化水素基で置換されてい
てもよい。そのようなアルキル基として、メチル基、エ
チル基、プロピル基、アリル基、ベンジル基など炭素数
7以下のアルキル基が好ましく、特にエチル基が好まし
い。
【0010】R2で表される芳香族炭化水素基は炭素数
13以下の芳香族炭化水素基であるが、フェニル基、ま
たはナフチル基が好ましく、フェニル基が最も好まし
い。これらの芳香族炭化水素基はさらに置換されていて
もよい。そのような置換基としては、メトキシ基、エト
キシ基などの炭素数3以下のアルコキシ基、ハロゲン原
子、ニトロ基が好ましい。R2で表される置換基のう
ち、エチル基が最も好ましい。
13以下の芳香族炭化水素基であるが、フェニル基、ま
たはナフチル基が好ましく、フェニル基が最も好まし
い。これらの芳香族炭化水素基はさらに置換されていて
もよい。そのような置換基としては、メトキシ基、エト
キシ基などの炭素数3以下のアルコキシ基、ハロゲン原
子、ニトロ基が好ましい。R2で表される置換基のう
ち、エチル基が最も好ましい。
【0011】本発明に用いられる一般式(B)で表され
る化合物の置換基、R1,R2は一般式(A)で表される
化合物と同義である。本発明に用いられる一般式(A)
の化合物は、次の式(1)、または式(2)によって合
成できる。
る化合物の置換基、R1,R2は一般式(A)で表される
化合物と同義である。本発明に用いられる一般式(A)
の化合物は、次の式(1)、または式(2)によって合
成できる。
【0012】
【化5】
【0013】
【化6】
【0014】X1、X2は共役酸のpKaが4以下の脱離
基を表し、なかでも、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原
子、または、アルキルスルホン酸基、アリールスルホン
酸基が好ましい。これらのうち、臭素原子、ヨウ素原
子、メタンスルホン酸基、ベンゼンスルホン酸基、トル
エンスルホン酸基が特に好ましい。
基を表し、なかでも、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原
子、または、アルキルスルホン酸基、アリールスルホン
酸基が好ましい。これらのうち、臭素原子、ヨウ素原
子、メタンスルホン酸基、ベンゼンスルホン酸基、トル
エンスルホン酸基が特に好ましい。
【0015】塩基1、塩基2、塩基3、塩基4は、共役酸の
pKaが12以上の塩基を表し、なかでも、ナトリウム
メチラート、ナトリウムエチラート、テトラメチルアン
モニウムメチラートなどのアルコラート類、水素化ナト
リウムなどの金属水素化物、水酸化カリウムなどの金属
水酸化物が好ましい。
pKaが12以上の塩基を表し、なかでも、ナトリウム
メチラート、ナトリウムエチラート、テトラメチルアン
モニウムメチラートなどのアルコラート類、水素化ナト
リウムなどの金属水素化物、水酸化カリウムなどの金属
水酸化物が好ましい。
【0016】反応溶媒は極性溶媒も非極性溶媒も用いる
ことが出来るが、メタノールやエタノールなどのアルコ
ール類や、ジメチルホルムアミド(DMF)、ジメチル
スルホキシド(DMSO)、ジメチルイミダゾール(D
MI)などの、非プロトン性極性溶媒、テトラヒドロフ
ラン(THF)などのエーテル類が好ましく、DMFや
DMSOやDMIなどの非プロトン性極性溶媒が特に好
ましい。反応において、触媒としてヨウ化物塩を用いる
ことが出来る。その量は基質に対し、1mol%から1
00mol%が好ましく、5mol%から100mol
%が特に好ましい。ヨウ化物塩としてヨウ化カリウム、
ヨウ化ナトリウムが最も好ましい。反応温度は、通常、
室温から120℃であり、70℃から110℃が好まし
い。
ことが出来るが、メタノールやエタノールなどのアルコ
ール類や、ジメチルホルムアミド(DMF)、ジメチル
スルホキシド(DMSO)、ジメチルイミダゾール(D
MI)などの、非プロトン性極性溶媒、テトラヒドロフ
ラン(THF)などのエーテル類が好ましく、DMFや
DMSOやDMIなどの非プロトン性極性溶媒が特に好
ましい。反応において、触媒としてヨウ化物塩を用いる
ことが出来る。その量は基質に対し、1mol%から1
00mol%が好ましく、5mol%から100mol
%が特に好ましい。ヨウ化物塩としてヨウ化カリウム、
ヨウ化ナトリウムが最も好ましい。反応温度は、通常、
室温から120℃であり、70℃から110℃が好まし
い。
【0017】一般式(A)で表される化合物から一般式
(B)で表される化合物へは、式(3)に示したよう
に、一段階で誘導できる。反応機構は、式(4)に示し
たように分子内Claisen縮合で生成した7員環ラ
クトンがより安定な5員環ラクトンに異性化するものと
考えられる。
(B)で表される化合物へは、式(3)に示したよう
に、一段階で誘導できる。反応機構は、式(4)に示し
たように分子内Claisen縮合で生成した7員環ラ
クトンがより安定な5員環ラクトンに異性化するものと
考えられる。
【0018】
【化7】
【0019】
【化8】
【0020】塩基5としてはアセチル基のプロトンを解
離できるような強塩基であれば、特に制限はされない
が、それらの強塩基のうち、水素化ナトリウムが特に好
ましい。溶媒はTHFなどのエーテル類、またはDMF
やDMSOなどの非プロトン性極性溶媒が好ましい。反
応温度は室温から100℃が好ましく、室温から60℃
が特に好ましい。次に本発明の一般式(A)、一般式
(B)で表される化合物の具体例を示す。
離できるような強塩基であれば、特に制限はされない
が、それらの強塩基のうち、水素化ナトリウムが特に好
ましい。溶媒はTHFなどのエーテル類、またはDMF
やDMSOなどの非プロトン性極性溶媒が好ましい。反
応温度は室温から100℃が好ましく、室温から60℃
が特に好ましい。次に本発明の一般式(A)、一般式
(B)で表される化合物の具体例を示す。
【0021】
【化9】
【0022】
【化10】
【0023】
【実施例】次に実施例によって本発明をさらに詳細に説
明する。 〔2−アセトキシエチル−2−エチルマロン酸ジエチル
(化合物A−2)の合成〕60%水素化ナトリウム8.
8g(0.22mol)を20mlのヘキサンで2度洗
浄し鉱油を除去した。DMF150mlを加え、氷冷
下、マロン酸ジエチル32.0g(0.20mol)を
滴下した。水素ガスの発生が収まった後、ヨウ化エチル
31.2g(0.20mol)を加え、50℃で6時間
撹拌した。60%水素化ナトリウム8.8g(0.22
mol)を20mlのヘキサンで2度洗浄し鉱油を除去
した。これに、先の反応液を加え、水素ガスの発生が収
まった後、酢酸クロロエチル27.0g(0.22mo
l)を加え、90℃で5時間撹拌した。反応終了後、室
温に戻し、氷冷した0.2N塩酸500mlに注いだ。
酢酸エチル200mlで2度抽出し、有機層を、0.5
N水酸化ナトリウム水、0.5N塩酸、飽和重曹水、飽
和食塩水で順次洗浄した。有機層を無水硫酸ナトリウム
で乾燥した後、溶媒を追い出し、さらに減圧蒸留で精製
した。bp(0.35mmHg)100℃〜105℃。
収量31.4g(57%)。
明する。 〔2−アセトキシエチル−2−エチルマロン酸ジエチル
(化合物A−2)の合成〕60%水素化ナトリウム8.
8g(0.22mol)を20mlのヘキサンで2度洗
浄し鉱油を除去した。DMF150mlを加え、氷冷
下、マロン酸ジエチル32.0g(0.20mol)を
滴下した。水素ガスの発生が収まった後、ヨウ化エチル
31.2g(0.20mol)を加え、50℃で6時間
撹拌した。60%水素化ナトリウム8.8g(0.22
mol)を20mlのヘキサンで2度洗浄し鉱油を除去
した。これに、先の反応液を加え、水素ガスの発生が収
まった後、酢酸クロロエチル27.0g(0.22mo
l)を加え、90℃で5時間撹拌した。反応終了後、室
温に戻し、氷冷した0.2N塩酸500mlに注いだ。
酢酸エチル200mlで2度抽出し、有機層を、0.5
N水酸化ナトリウム水、0.5N塩酸、飽和重曹水、飽
和食塩水で順次洗浄した。有機層を無水硫酸ナトリウム
で乾燥した後、溶媒を追い出し、さらに減圧蒸留で精製
した。bp(0.35mmHg)100℃〜105℃。
収量31.4g(57%)。
【0024】1HNMR(300MHz,δppm,in
CDCl3) 4.21(2H,q,J=7.2Hz),4.19(2
H,q,J=7.2Hz),4.10(2H,t,J=
6.6Hz),2.26(2H,t,J=6.6H
z),2.01(3H,s),1.97(2H,q,J
=7.5Hz),1.26(6H,t,J=7.2H
z),0.85(3H,t,J=7.5Hz)
CDCl3) 4.21(2H,q,J=7.2Hz),4.19(2
H,q,J=7.2Hz),4.10(2H,t,J=
6.6Hz),2.26(2H,t,J=6.6H
z),2.01(3H,s),1.97(2H,q,J
=7.5Hz),1.26(6H,t,J=7.2H
z),0.85(3H,t,J=7.5Hz)
【0025】〔2−アセトキシエチル−2−エチルマロ
ン酸ジメチル(化合物A−3)の合成〕60%水素化ナ
トリウム33.6g(0.84mol)を40mlのヘ
キサンで2度洗浄し鉱油を除去した。DMF600ml
を加え、氷冷下、マロン酸ジメチル106g(0.80
mol)を滴下した。水素ガスの発生が収まった後、ヨ
ウ化ナトリウム119.9g(0.80mol)と酢酸
クロロエチル98g(0.80mol)を加え、80℃
で5時間撹拌した。 60%水素化ナトリウム33.6
g(0.84mol)を40mlのヘキサンで2度洗浄
し鉱油を除去した。これに、先の反応液を加え、水素ガ
スの発生が収まった後、ヨウ化エチル131g(0.8
4mol)を加え、90℃で5時間撹拌還流した。反応
終了後、室温に戻し、氷冷した0.2N塩酸1500m
lに注いだ。酢酸エチル500mlで3度抽出し、有機
層を、0.5N水酸化ナトリウム水、0.5N塩酸、飽
和重曹水、飽和食塩水で順次洗浄した。有機層を無水硫
酸ナトリウムで乾燥した後、溶媒を追い出し、さらに減
圧蒸留で精製した。bp(0.35mmHg)105℃
〜110℃。収量134g(61%)。
ン酸ジメチル(化合物A−3)の合成〕60%水素化ナ
トリウム33.6g(0.84mol)を40mlのヘ
キサンで2度洗浄し鉱油を除去した。DMF600ml
を加え、氷冷下、マロン酸ジメチル106g(0.80
mol)を滴下した。水素ガスの発生が収まった後、ヨ
ウ化ナトリウム119.9g(0.80mol)と酢酸
クロロエチル98g(0.80mol)を加え、80℃
で5時間撹拌した。 60%水素化ナトリウム33.6
g(0.84mol)を40mlのヘキサンで2度洗浄
し鉱油を除去した。これに、先の反応液を加え、水素ガ
スの発生が収まった後、ヨウ化エチル131g(0.8
4mol)を加え、90℃で5時間撹拌還流した。反応
終了後、室温に戻し、氷冷した0.2N塩酸1500m
lに注いだ。酢酸エチル500mlで3度抽出し、有機
層を、0.5N水酸化ナトリウム水、0.5N塩酸、飽
和重曹水、飽和食塩水で順次洗浄した。有機層を無水硫
酸ナトリウムで乾燥した後、溶媒を追い出し、さらに減
圧蒸留で精製した。bp(0.35mmHg)105℃
〜110℃。収量134g(61%)。
【0026】1HNMR(300MHz,δppm,in
CDCl3) 4.10(2H,t,J=6.6Hz),3.74(6
H,s),2.26(2H,t,J=6.6Hz),
2.01(3H,s),1.97(2H,q,J=7.
5Hz),0.85(3H,t,J=7.5Hz)
CDCl3) 4.10(2H,t,J=6.6Hz),3.74(6
H,s),2.26(2H,t,J=6.6Hz),
2.01(3H,s),1.97(2H,q,J=7.
5Hz),0.85(3H,t,J=7.5Hz)
【0027】実施例1 〔2−エチル−2−エトキシカルボニルアセチル−4−
ブタノリド(化合物B−2)の合成〕60%水素化ナト
リウム0.88g(22mmol)を4mlのヘキサン
で2度洗浄し鉱油を除去した。DMF25mlを加え、
2−アセトキシエチル−2−エチルマロン酸ジエチル
5.5g(20mmol)とDMF5mlの溶液を滴下
した。滴下終了後、55℃に加熱し、3時間撹拌した。
水素ガスの発生がなくなった後室温に戻し、氷冷した水
100mlに注いだ。20mlの酢酸エチルで洗った
後、6N塩酸でpHを2にし、30mlの酢酸エチルで
2度抽出した。有機層を飽和重曹水と飽和食塩水で順次
洗浄した後、無水硫酸ナトリウムで乾燥後溶媒を溜去し
た。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィで精製
し、目的とするラクトン2.77g(61%)を得た。
このものの各種スペクトルは標品と完全に一致した。
ブタノリド(化合物B−2)の合成〕60%水素化ナト
リウム0.88g(22mmol)を4mlのヘキサン
で2度洗浄し鉱油を除去した。DMF25mlを加え、
2−アセトキシエチル−2−エチルマロン酸ジエチル
5.5g(20mmol)とDMF5mlの溶液を滴下
した。滴下終了後、55℃に加熱し、3時間撹拌した。
水素ガスの発生がなくなった後室温に戻し、氷冷した水
100mlに注いだ。20mlの酢酸エチルで洗った
後、6N塩酸でpHを2にし、30mlの酢酸エチルで
2度抽出した。有機層を飽和重曹水と飽和食塩水で順次
洗浄した後、無水硫酸ナトリウムで乾燥後溶媒を溜去し
た。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィで精製
し、目的とするラクトン2.77g(61%)を得た。
このものの各種スペクトルは標品と完全に一致した。
【0028】実施例2 〔2−メトキシカルボニルアセチル−2−ベンジル−4
−ブタノリド(化合物B−5)の合成〕60%水素化ナ
トリウム0.88g(22mmol)を4mlのヘキサ
ンで2度洗浄し鉱油を除去した。DMSO25mlを加
え、2−アセトキシエチル−2−ベンジルマロン酸ジメ
チル6.2g(20mmol)とDMSO5mlの溶液
を反応液の温度を30℃に保ったまま滴下した。滴下終
了後、30℃でさらに2時間撹拌した。水素ガスの発生
がなくなった後、氷冷した水100mlに注いだ。20
mlの酢酸エチルで洗った後、6N塩酸でpHを2に
し、30mlの酢酸エチルで2度抽出した。有機層を飽
和重曹水と飽和食塩水で順次洗浄した後、無水硫酸ナト
リウムで乾燥後溶媒を溜去した。残渣をシリカゲルカラ
ムクロマトグラフィで精製し、目的とするラクトン3.
1g(56%)を得た。このものの各種スペクトルは標
品と完全に一致した。
−ブタノリド(化合物B−5)の合成〕60%水素化ナ
トリウム0.88g(22mmol)を4mlのヘキサ
ンで2度洗浄し鉱油を除去した。DMSO25mlを加
え、2−アセトキシエチル−2−ベンジルマロン酸ジメ
チル6.2g(20mmol)とDMSO5mlの溶液
を反応液の温度を30℃に保ったまま滴下した。滴下終
了後、30℃でさらに2時間撹拌した。水素ガスの発生
がなくなった後、氷冷した水100mlに注いだ。20
mlの酢酸エチルで洗った後、6N塩酸でpHを2に
し、30mlの酢酸エチルで2度抽出した。有機層を飽
和重曹水と飽和食塩水で順次洗浄した後、無水硫酸ナト
リウムで乾燥後溶媒を溜去した。残渣をシリカゲルカラ
ムクロマトグラフィで精製し、目的とするラクトン3.
1g(56%)を得た。このものの各種スペクトルは標
品と完全に一致した。
【0029】
【発明の効果】マロン酸エステル化合物と強塩基の反応
によって、容易に4−ブタノリド誘導体が製造できる。
によって、容易に4−ブタノリド誘導体が製造できる。
Claims (1)
- 【請求項1】 下記一般式(A)で表される2−(2−
アセトキシエチル)マロン酸エステル類を強塩基と反応
させることを特徴とする下記一般式(B)で表される2
−(2−アルコキシカルボニルアセチル)−4−ブタノ
リド誘導体の製造法。 【化1】 (式中、R1は炭素数6以下のアルキル基、R2は炭素数
13以下のアルキル基、または芳香族炭化水素基を表
す。) 【化2】 (式中、R1は炭素数6以下のアルキル基、R2は炭素数
13以下のアルキル基、または芳香族炭化水素基を表
す。)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7310437A JPH09143178A (ja) | 1995-11-29 | 1995-11-29 | 4−ブタノリド誘導体の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7310437A JPH09143178A (ja) | 1995-11-29 | 1995-11-29 | 4−ブタノリド誘導体の製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09143178A true JPH09143178A (ja) | 1997-06-03 |
Family
ID=18005241
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7310437A Pending JPH09143178A (ja) | 1995-11-29 | 1995-11-29 | 4−ブタノリド誘導体の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09143178A (ja) |
-
1995
- 1995-11-29 JP JP7310437A patent/JPH09143178A/ja active Pending
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