JPH09148370A - 半導体素子の実装構造 - Google Patents
半導体素子の実装構造Info
- Publication number
- JPH09148370A JPH09148370A JP7308660A JP30866095A JPH09148370A JP H09148370 A JPH09148370 A JP H09148370A JP 7308660 A JP7308660 A JP 7308660A JP 30866095 A JP30866095 A JP 30866095A JP H09148370 A JPH09148370 A JP H09148370A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- semiconductor element
- anisotropic conductive
- conductive adhesive
- mounting structure
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/073—Connecting or disconnecting of die-attach connectors
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＩＣの表面を異方導電性接着剤の導電性粒子
による押圧から保護し得る半導体素子の実装構造を提供
する。 【解決手段】 異方導電性接着剤を用いた半導体素子の
実装構造において、半導体素子１１に形成される電極１
２と、この電極１２の周囲にこの電極１２と電気的に分
離された保護層１３とを形成し、前記半導体素子１１の
電極１２と基板１の電極２間を異方導電性接着剤３によ
り接続する。
による押圧から保護し得る半導体素子の実装構造を提供
する。 【解決手段】 異方導電性接着剤を用いた半導体素子の
実装構造において、半導体素子１１に形成される電極１
２と、この電極１２の周囲にこの電極１２と電気的に分
離された保護層１３とを形成し、前記半導体素子１１の
電極１２と基板１の電極２間を異方導電性接着剤３によ
り接続する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、異方導電性接着剤
を用いた半導体素子の実装構造に関するものである。
を用いた半導体素子の実装構造に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、このような分野の技術としては、
参考文献 「異方導電性樹脂を用いたＣＯＧ実装」、電
子情報通信学会技術研究報告 ＣＰＭ９１−７７、ｐ
ｐ．１９〜２２、１９９１年に開示されるものがあっ
た。図３はかかる従来の半導体素子の実装構造を示す断
面図、図４はその半導体素子の実装工程断面図である。
参考文献 「異方導電性樹脂を用いたＣＯＧ実装」、電
子情報通信学会技術研究報告 ＣＰＭ９１−７７、ｐ
ｐ．１９〜２２、１９９１年に開示されるものがあっ
た。図３はかかる従来の半導体素子の実装構造を示す断
面図、図４はその半導体素子の実装工程断面図である。
【０００３】図３において、２１は基板、２２はその基
板に形成された電極である。２３は異方導電性接着剤で
あり、接着用の絶縁性樹脂２３ａ、導電性粒子２３ｂに
より構成されている。２４はＩＣであり、Ａｕバンプ形
状の電極２５が形成されている。この実装構造では異方
導電性接着剤２３の絶縁性樹脂２３ａに分散された導電
性粒子２３ｂを介して、基板２１の電極２２とＩＣ２４
の電極２５が電気的に連続され、また、異方導電性接着
剤２３の絶縁性樹脂２３ａにより、ＩＣ２４を基板２１
に接着し、電極２２，２５間の導電性粒子２３ｂに応力
を加えて先の電気的接続を得るようになっている。
板に形成された電極である。２３は異方導電性接着剤で
あり、接着用の絶縁性樹脂２３ａ、導電性粒子２３ｂに
より構成されている。２４はＩＣであり、Ａｕバンプ形
状の電極２５が形成されている。この実装構造では異方
導電性接着剤２３の絶縁性樹脂２３ａに分散された導電
性粒子２３ｂを介して、基板２１の電極２２とＩＣ２４
の電極２５が電気的に連続され、また、異方導電性接着
剤２３の絶縁性樹脂２３ａにより、ＩＣ２４を基板２１
に接着し、電極２２，２５間の導電性粒子２３ｂに応力
を加えて先の電気的接続を得るようになっている。
【０００４】以下、その半導体素子の実装工程を図４を
参照しながら説明する。 （１）まず、図４（ａ）に示すように、基板２１上に電
極２２を形成する。 （２）次に、図４（ｂ）に示すように、半導体素子とし
てのＩＣ（集積回路装置）の搭載領域に、異方導電性接
着剤２３を配置する。 （３）次に、図４（ｃ）に示すように、電極２５が形成
されたＩＣ２４を用意し、そのＩＣ２４の電極２５と基
板２１の電極２２の位置合せを行う。
参照しながら説明する。 （１）まず、図４（ａ）に示すように、基板２１上に電
極２２を形成する。 （２）次に、図４（ｂ）に示すように、半導体素子とし
てのＩＣ（集積回路装置）の搭載領域に、異方導電性接
着剤２３を配置する。 （３）次に、図４（ｃ）に示すように、電極２５が形成
されたＩＣ２４を用意し、そのＩＣ２４の電極２５と基
板２１の電極２２の位置合せを行う。
【０００５】（４）次に、図４（ｄ）に示すように、Ｉ
Ｃ２４に荷重を加えて、基板２１に押圧して異方導電性
接着２３を加熱もしくは光などの手段で、異方導電性接
着剤２３を構成する絶縁性樹脂を硬化させる。このよう
に簡単な方法により、ＩＣ２４を基板２１上に実装する
ことができる。
Ｃ２４に荷重を加えて、基板２１に押圧して異方導電性
接着２３を加熱もしくは光などの手段で、異方導電性接
着剤２３を構成する絶縁性樹脂を硬化させる。このよう
に簡単な方法により、ＩＣ２４を基板２１上に実装する
ことができる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た従来の半導体素子の実装工程では、（４）工程におい
て、ＩＣ２４に荷重を加えることになる。この荷重によ
り、図示していないＩＣ２４の表面部に形成されている
回路部の損傷を避けるために、ＩＣ２４の電極２５は導
電性粒子２３ｂの粒子径よりも厚いＡｕバンプ形状とし
て、導電性粒子２３ｂがＩＣ２４の表面を押圧しないよ
うにしている。
た従来の半導体素子の実装工程では、（４）工程におい
て、ＩＣ２４に荷重を加えることになる。この荷重によ
り、図示していないＩＣ２４の表面部に形成されている
回路部の損傷を避けるために、ＩＣ２４の電極２５は導
電性粒子２３ｂの粒子径よりも厚いＡｕバンプ形状とし
て、導電性粒子２３ｂがＩＣ２４の表面を押圧しないよ
うにしている。
【０００７】このように、従来の異方性接着剤による半
導体素子実装では、導電性粒子によるＩＣ表面の損傷を
避けるために、ＩＣ電極としてＡｕバンプ電極を形成し
なければならず、Ａｕバンプ電極の形成工程のために、
ＩＣの価格が高くなるなるという問題点があった。本発
明は、上記問題点を除去し、ＩＣの表面を異方導電性接
着剤の導電性粒子による押圧から保護し得る半導体素子
の実装構造を提供することを目的とするものである。
導体素子実装では、導電性粒子によるＩＣ表面の損傷を
避けるために、ＩＣ電極としてＡｕバンプ電極を形成し
なければならず、Ａｕバンプ電極の形成工程のために、
ＩＣの価格が高くなるなるという問題点があった。本発
明は、上記問題点を除去し、ＩＣの表面を異方導電性接
着剤の導電性粒子による押圧から保護し得る半導体素子
の実装構造を提供することを目的とするものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、 （１）異方導電性接着剤を用いた半導体素子の実装構造
において、半導体素子に形成される電極と、この電極の
周囲に前記電極と電気的に分離された保護層とを形成
し、前記半導体素子の電極と基板の電極間を異方導電性
接着剤により接続するようにしたものである。
成するために、 （１）異方導電性接着剤を用いた半導体素子の実装構造
において、半導体素子に形成される電極と、この電極の
周囲に前記電極と電気的に分離された保護層とを形成
し、前記半導体素子の電極と基板の電極間を異方導電性
接着剤により接続するようにしたものである。
【０００９】したがって、ＩＣの表面を異方導電性接着
剤の導電性粒子による押圧から保護することができる。 （２）上記（１）記載の半導体素子の実装構造におい
て、前記電極及び前記保護層をＡｌ導体膜となし、電気
的分離領域の幅を異方導電性接着剤に含まれる導電性粒
子の径の１．５倍以上とするようにしたものである。
剤の導電性粒子による押圧から保護することができる。 （２）上記（１）記載の半導体素子の実装構造におい
て、前記電極及び前記保護層をＡｌ導体膜となし、電気
的分離領域の幅を異方導電性接着剤に含まれる導電性粒
子の径の１．５倍以上とするようにしたものである。
【００１０】したがって、ＩＣを高騰させるＡｕバンプ
電極を用いることなく、異方導電性接着剤により基板上
にＩＣを簡易な工程で実装することが可能となり、極め
て安価な半導体素子の実装が可能となる。また、半導体
素子の保護層にＡｌを用いるようにしたので、Ａｌ自体
が導電性粒子の押圧に対して塑性変形を起こし、導電性
粒子の応力を分散させることができる。
電極を用いることなく、異方導電性接着剤により基板上
にＩＣを簡易な工程で実装することが可能となり、極め
て安価な半導体素子の実装が可能となる。また、半導体
素子の保護層にＡｌを用いるようにしたので、Ａｌ自体
が導電性粒子の押圧に対して塑性変形を起こし、導電性
粒子の応力を分散させることができる。
【００１１】更に、半導体素子の電極と保護層を同じ導
電性の材料で、同一工程で形成することができので、よ
り一層のコストの低減を図ることができる。
電性の材料で、同一工程で形成することができので、よ
り一層のコストの低減を図ることができる。
【００１２】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態について図を
参照しながら説明する。図１は本発明の実施を示す異方
導電性接着剤を用いた半導体素子の実装構造を示す断面
図、図２はその半導体素子の実装工程断面図である。図
１において、１は基板、２はその基板の電極、３は異方
導電性接着剤で、接着用の絶縁性樹脂３ａ、導電性粒子
３ｂにより構成されており、これらは、図３に示した従
来のものと同様である。また、ここで用いるＩＣ１１に
はＡｌ電極１２が形成されており、また、このＡｌ電極
１２の周囲には電気的に分離されたＡｌ電極と同一の導
体膜で形成された保護層１３が形成されており、さらに
この上にはパッシベーション膜１４が形成されている。
参照しながら説明する。図１は本発明の実施を示す異方
導電性接着剤を用いた半導体素子の実装構造を示す断面
図、図２はその半導体素子の実装工程断面図である。図
１において、１は基板、２はその基板の電極、３は異方
導電性接着剤で、接着用の絶縁性樹脂３ａ、導電性粒子
３ｂにより構成されており、これらは、図３に示した従
来のものと同様である。また、ここで用いるＩＣ１１に
はＡｌ電極１２が形成されており、また、このＡｌ電極
１２の周囲には電気的に分離されたＡｌ電極と同一の導
体膜で形成された保護層１３が形成されており、さらに
この上にはパッシベーション膜１４が形成されている。
【００１３】保護層１３にＡｌを用いたのは、Ａｌ自体
が導電性粒子３ｂの押圧に対して塑性変形を起こし、導
電性粒子３ｂの応力を分散させる効果を持たせるためで
ある。保護層の材料としては、前述の効果を有するもの
であれば、Ａｌに限定されるものではない。また、導電
性粒子３ｂの押圧に対して、変形を生じない膜構造であ
れば、保護層１３として使用が可能であり、さらに前述
の要件を満たしていれば、導体もしくは絶縁体の区別は
ない。導体であれば、保護層１３を接地電極、シールド
等として利用することも可能であり、絶縁体であれば、
前述のＡｌ電極１２との電気的分離が不要になり、それ
ぞれの特徴を生かすことができる。ただし、導電性粒子
３ｂがＡｌ電極１２を十分押圧できるように、保護層１
３の面の位置は、ＩＣ１１の電極１２の面と同程度もし
くは突出しないようにすることが望ましい。
が導電性粒子３ｂの押圧に対して塑性変形を起こし、導
電性粒子３ｂの応力を分散させる効果を持たせるためで
ある。保護層の材料としては、前述の効果を有するもの
であれば、Ａｌに限定されるものではない。また、導電
性粒子３ｂの押圧に対して、変形を生じない膜構造であ
れば、保護層１３として使用が可能であり、さらに前述
の要件を満たしていれば、導体もしくは絶縁体の区別は
ない。導体であれば、保護層１３を接地電極、シールド
等として利用することも可能であり、絶縁体であれば、
前述のＡｌ電極１２との電気的分離が不要になり、それ
ぞれの特徴を生かすことができる。ただし、導電性粒子
３ｂがＡｌ電極１２を十分押圧できるように、保護層１
３の面の位置は、ＩＣ１１の電極１２の面と同程度もし
くは突出しないようにすることが望ましい。
【００１４】また、前記の導体膜を保護層１３に使用し
た場合、電気的に分離するための分離領域１５の幅は、
異方導電性接着剤３を構成する導電性粒子３ｂの粒子径
よりも広く形成し、導電性粒子３ｂによる電気的短絡を
防止する必要がある。しかし、この分離領域１５には導
電性粒子３ｂにより押圧される可能性があるために、こ
の分離領域１５にＩＣの回路を構成する素子を配置する
ことは避けることが望ましい。このためＩＣ１１の集積
度の観点から、分離領域１５の幅を広くすることは得策
ではない。
た場合、電気的に分離するための分離領域１５の幅は、
異方導電性接着剤３を構成する導電性粒子３ｂの粒子径
よりも広く形成し、導電性粒子３ｂによる電気的短絡を
防止する必要がある。しかし、この分離領域１５には導
電性粒子３ｂにより押圧される可能性があるために、こ
の分離領域１５にＩＣの回路を構成する素子を配置する
ことは避けることが望ましい。このためＩＣ１１の集積
度の観点から、分離領域１５の幅を広くすることは得策
ではない。
【００１５】この結果、分離領域１５の幅は導電性粒子
３ｂの径にもよるが粒子径の約１．５倍以上が望まし
い。このように構成したので、ＩＣ１１の表面に形成さ
れた回路領域を保護層１３で保護できるために、Ａｕバ
ンプ電極を用いずにＡｌ電極の状態でも、異方導電性接
着剤３により、基板１上にＩＣ１１を簡易な工程で実装
することが可能となる。
３ｂの径にもよるが粒子径の約１．５倍以上が望まし
い。このように構成したので、ＩＣ１１の表面に形成さ
れた回路領域を保護層１３で保護できるために、Ａｕバ
ンプ電極を用いずにＡｌ電極の状態でも、異方導電性接
着剤３により、基板１上にＩＣ１１を簡易な工程で実装
することが可能となる。
【００１６】以下、本発明の半導体素子の実装工程を図
２を参照しながら説明する。 （１）まず、図２（ａ）に示すように、基板１上に電極
２を形成する。 （２）次に、図２（ｂ）に示すように、半導体素子とし
てのＩＣ（集積回路装置）の搭載領域に、異方導電性接
着剤３を配置する。 （３）次に、図２（ｃ）に示すように、電極１２、保護
層１３、パッシベーション膜１４が形成されたＩＣ１１
を用意し、そのＩＣ１１の電極１２と、基板１の電極２
の位置合せを行う。
２を参照しながら説明する。 （１）まず、図２（ａ）に示すように、基板１上に電極
２を形成する。 （２）次に、図２（ｂ）に示すように、半導体素子とし
てのＩＣ（集積回路装置）の搭載領域に、異方導電性接
着剤３を配置する。 （３）次に、図２（ｃ）に示すように、電極１２、保護
層１３、パッシベーション膜１４が形成されたＩＣ１１
を用意し、そのＩＣ１１の電極１２と、基板１の電極２
の位置合せを行う。
【００１７】（４）次に、図２（ｄ）に示すように、Ｉ
Ｃ１１に荷重を加えて、基板１に押圧して、加熱もしく
は光などの手段で、異方導電性接着剤３を構成する絶縁
性樹脂を硬化させる。 （５）他の実装工程は従来と同一の方法で行うことが可
能である。なお、本発明は上記実施例に限定されるもの
ではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能で
あり、これらを本発明の範囲から排除するものではな
い。
Ｃ１１に荷重を加えて、基板１に押圧して、加熱もしく
は光などの手段で、異方導電性接着剤３を構成する絶縁
性樹脂を硬化させる。 （５）他の実装工程は従来と同一の方法で行うことが可
能である。なお、本発明は上記実施例に限定されるもの
ではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能で
あり、これらを本発明の範囲から排除するものではな
い。
【００１８】
【発明の効果】以上のように、詳細に説明したように、
本発明によれば、次のような効果を奏することができ
る。 （１）請求項１記載の発明によれば、ＩＣの表面を異方
導電性接着剤の導電性粒子による押圧から保護すること
ができる。
本発明によれば、次のような効果を奏することができ
る。 （１）請求項１記載の発明によれば、ＩＣの表面を異方
導電性接着剤の導電性粒子による押圧から保護すること
ができる。
【００１９】（２）請求項２記載の発明によれば、ＩＣ
を高騰させるＡｕバンプ電極を用いることなく、異方導
電性接着剤により基板上にＩＣを簡易な工程で実装する
ことが可能となり、極めて安価な半導体素子の実装が可
能となる。また、半導体素子の保護層にＡｌを用いるよ
うにしたので、Ａｌ自体が導電性粒子の押圧に対して塑
性変形を起こし、導電性粒子の応力を分散させることが
できる。
を高騰させるＡｕバンプ電極を用いることなく、異方導
電性接着剤により基板上にＩＣを簡易な工程で実装する
ことが可能となり、極めて安価な半導体素子の実装が可
能となる。また、半導体素子の保護層にＡｌを用いるよ
うにしたので、Ａｌ自体が導電性粒子の押圧に対して塑
性変形を起こし、導電性粒子の応力を分散させることが
できる。
【００２０】更に、半導体素子の電極と保護層を同じ導
電性の材料で、同一工程で形成することができるので、
より一層のコストの低減を図ることができる。
電性の材料で、同一工程で形成することができるので、
より一層のコストの低減を図ることができる。
【図１】本発明の実施例の異方導電性接着剤を用いた半
導体素子の実装構造を示す断面図である。
導体素子の実装構造を示す断面図である。
【図２】本発明の実施例を示す半導体素子の実装工程断
面図である。
面図である。
【図３】従来の異方導電性接着剤を用いた半導体素子の
実装構造を示す断面図である。
実装構造を示す断面図である。
【図４】従来の半導体素子の実装工程断面図である。
１ 基板 ２ 基板の電極 ３ 異方導電性接着剤 ３ａ 接着用の絶縁性樹脂 ３ｂ 導電性粒子 １１ ＩＣ（集積回路装置：半導体素子） １２ Ａｌ電極 １３ 保護層 １４ パッシベーション膜 １５ 分離領域
フロントページの続き (72)発明者 北山 憂子 東京都港区虎ノ門１丁目７番12号 沖電気 工業株式会社内
Claims (2)
- 【請求項１】 異方導電性接着剤を用いた半導体素子の
実装構造において、（ａ）半導体素子に形成される電極
と、（ｂ）該電極の周囲に前記電極と電気的に分離され
た保護層とを形成し、（ｃ）前記半導体素子の電極と基
板の電極間を異方導電性接着剤により接続することを特
徴とする半導体素子の実装構造。 - 【請求項２】 請求項１記載の半導体素子の実装構造に
おいて、前記電極及び前記保護層をＡｌ導体膜となし、
電気的分離領域の幅を異方導電性接着剤に含まれる導電
性粒子の径の１．５倍以上とすることを特徴とする半導
体素子の実装構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7308660A JPH09148370A (ja) | 1995-11-28 | 1995-11-28 | 半導体素子の実装構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7308660A JPH09148370A (ja) | 1995-11-28 | 1995-11-28 | 半導体素子の実装構造 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09148370A true JPH09148370A (ja) | 1997-06-06 |
Family
ID=17983758
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7308660A Withdrawn JPH09148370A (ja) | 1995-11-28 | 1995-11-28 | 半導体素子の実装構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09148370A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2013125695A1 (ja) * | 2012-02-23 | 2013-08-29 | シャープ株式会社 | 電子部品およびその製造方法 |
-
1995
- 1995-11-28 JP JP7308660A patent/JPH09148370A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2013125695A1 (ja) * | 2012-02-23 | 2013-08-29 | シャープ株式会社 | 電子部品およびその製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6461890B1 (en) | Structure of semiconductor chip suitable for chip-on-board system and methods of fabricating and mounting the same | |
| US5749997A (en) | Composite bump tape automated bonding method and bonded structure | |
| US6489879B1 (en) | PTC fuse including external heat source | |
| US5850677A (en) | Method of mounting a piezoelectric element | |
| US5861661A (en) | Composite bump tape automated bonded structure | |
| JPH05267511A (ja) | 電子装置パッケージおよびその作製方法 | |
| JP2000306951A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| US5891760A (en) | Lead frame with electrostatic discharge protection | |
| KR20010029800A (ko) | 반도체 장치 및 그의 제조 방법 | |
| US6734092B2 (en) | Semiconductor device and manufacturing method thereof | |
| JPH0727924B2 (ja) | 実装体の製造方法 | |
| JPH1197616A (ja) | マルチチップモジュールおよびその製造方法 | |
| US6008072A (en) | Tape automated bonding method | |
| US6194780B1 (en) | Tape automated bonding method and bonded structure | |
| JP2817821B2 (ja) | 半導体装置 | |
| US5767569A (en) | Tab tape and semiconductor chip mounted on tab tape | |
| JP3319269B2 (ja) | 電子部品接合方法 | |
| JP3347059B2 (ja) | 複合半導体装置 | |
| JP3974212B2 (ja) | 異方性導電膜を有する半導体チップ、その実装方法ならびに実装構造 | |
| JP2755148B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP3609540B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPH1116946A (ja) | 半導体装置の実装方法 | |
| JPH06333977A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| US6057177A (en) | Reinforced leadframe to substrate attachment | |
| JP3609542B2 (ja) | 半導体装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20030204 |