JPH09148517A - 薄型半導体装置 - Google Patents
薄型半導体装置Info
- Publication number
- JPH09148517A JPH09148517A JP7307330A JP30733095A JPH09148517A JP H09148517 A JPH09148517 A JP H09148517A JP 7307330 A JP7307330 A JP 7307330A JP 30733095 A JP30733095 A JP 30733095A JP H09148517 A JPH09148517 A JP H09148517A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor chip
- die pad
- semiconductor device
- step portion
- bonded
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/851—Dispositions of multiple connectors or interconnections
- H10W72/874—On different surfaces
- H10W72/884—Die-attach connectors and bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/90—Bond pads, in general
- H10W72/931—Shapes of bond pads
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/731—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors
- H10W90/736—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 樹脂封止後の装置本体の反りを抑制すること
ができ、さらにダイパット４に反りが生じていても半導
体チップ２をうまくダイパット４に接合することができ
る薄型半導体装置を提供する。 【解決手段】 リードフレームの吊りリードに支持され
たダイパットに半導体チップが接合され、この半導体チ
ップが樹脂で封止されて成る薄型半導体装置において、
前記ダイパットには、吊りリードの高さから半導体チッ
プの裏面方向に下がる段差部が形成されており、半導体
チップはこの段差部に接合されているものである。
ができ、さらにダイパット４に反りが生じていても半導
体チップ２をうまくダイパット４に接合することができ
る薄型半導体装置を提供する。 【解決手段】 リードフレームの吊りリードに支持され
たダイパットに半導体チップが接合され、この半導体チ
ップが樹脂で封止されて成る薄型半導体装置において、
前記ダイパットには、吊りリードの高さから半導体チッ
プの裏面方向に下がる段差部が形成されており、半導体
チップはこの段差部に接合されているものである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、特にトランスフ
ァーモールド法によって製造される樹脂封止型の薄型半
導体装置に関するものである。
ァーモールド法によって製造される樹脂封止型の薄型半
導体装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図４は従来の薄型半導体装置を示す平面
図、図５はそのＢ−Ｂ’線断面図である。図において、
１はリード、２は半導体チップ、３は吊りリード、４は
ダイパットである。また３ａは吊りリードの段差部で、
この段差部３ａは、吊りリードの途中に形成されてお
り、ダイパット４を半導体装置本体の厚さ方向（図５の
上下方向）の半導体チップ２の裏面側の方向（図５の下
方向）に位置させて、半導体チップ２をなるべく装置本
体の厚さ方向のほぼ中央の位置に保持させるためのもの
である。
図、図５はそのＢ−Ｂ’線断面図である。図において、
１はリード、２は半導体チップ、３は吊りリード、４は
ダイパットである。また３ａは吊りリードの段差部で、
この段差部３ａは、吊りリードの途中に形成されてお
り、ダイパット４を半導体装置本体の厚さ方向（図５の
上下方向）の半導体チップ２の裏面側の方向（図５の下
方向）に位置させて、半導体チップ２をなるべく装置本
体の厚さ方向のほぼ中央の位置に保持させるためのもの
である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、このような
従来の薄型半導体装置では、薄型化のため、例えば、封
止樹脂を含む半導体装置本体の厚みを１ｍｍ未満に形成
している。このような薄型半導体装置を製造する場合、
トランスファーモールド法により、半導体チップ２を包
み込むように樹脂封止を行うが、その過程において、半
導体チップ２が半導体装置本体の厚み方向（図５の上下
方向）に変位することがある。樹脂封止の過程で半導体
チップ２が半導体装置本体の厚み方向に変位すると、半
導体チップ２の表面側の封止樹脂と半導体チップ２の裏
面側の封止樹脂の厚みが変動し、半導体装置本体に反り
が生じてしまうという問題があった。
従来の薄型半導体装置では、薄型化のため、例えば、封
止樹脂を含む半導体装置本体の厚みを１ｍｍ未満に形成
している。このような薄型半導体装置を製造する場合、
トランスファーモールド法により、半導体チップ２を包
み込むように樹脂封止を行うが、その過程において、半
導体チップ２が半導体装置本体の厚み方向（図５の上下
方向）に変位することがある。樹脂封止の過程で半導体
チップ２が半導体装置本体の厚み方向に変位すると、半
導体チップ２の表面側の封止樹脂と半導体チップ２の裏
面側の封止樹脂の厚みが変動し、半導体装置本体に反り
が生じてしまうという問題があった。
【０００４】また、半導体チップ２をダイパット４に搭
載する際にダイパット４自体に反りが生じていることが
あり、その場合は、半導体チップ２を接着剤によってう
まくダイパット４に接合することができない、という問
題があった。
載する際にダイパット４自体に反りが生じていることが
あり、その場合は、半導体チップ２を接着剤によってう
まくダイパット４に接合することができない、という問
題があった。
【０００５】この発明は、上記のような従来の薄型半導
体装置の問題点を解決するためになされたものであり、
樹脂封止後の装置本体の反りを抑制することができる薄
型半導体装置を得ることを目的とする。
体装置の問題点を解決するためになされたものであり、
樹脂封止後の装置本体の反りを抑制することができる薄
型半導体装置を得ることを目的とする。
【０００６】また、この発明は、ダイパット４に反りが
生じていても、半導体チップ２をうまくダイパット４に
接合することができる薄型半導体装置を得ることを目的
とする。
生じていても、半導体チップ２をうまくダイパット４に
接合することができる薄型半導体装置を得ることを目的
とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】このような課題を解決す
るための本発明による薄型半導体装置は、リードフレー
ムの吊りリードに支持されたダイパットに半導体チップ
が接合され、この半導体チップが樹脂で封止されて成る
薄型半導体装置において、前記ダイパットには、吊りリ
ードの高さから半導体チップの裏面方向に下がる段差部
が形成されており、半導体チップはこの段差部に接合さ
れているものである。
るための本発明による薄型半導体装置は、リードフレー
ムの吊りリードに支持されたダイパットに半導体チップ
が接合され、この半導体チップが樹脂で封止されて成る
薄型半導体装置において、前記ダイパットには、吊りリ
ードの高さから半導体チップの裏面方向に下がる段差部
が形成されており、半導体チップはこの段差部に接合さ
れているものである。
【０００８】
【発明の実施の形態】本発明による薄型半導体装置で
は、前記ダイパットに、吊りリードの高さから半導体チ
ップの裏面方向に下がる段差部が形成され、この段差部
に半導体チップが接合されるので、半導体チップは、樹
脂封止を行う過程で、半導体装置本体の厚み方向に変位
することがなくなり、半導体装置本体の厚み方向のほぼ
中央に位置することになるので、半導体装置本体の反り
が抑制されるようになる。
は、前記ダイパットに、吊りリードの高さから半導体チ
ップの裏面方向に下がる段差部が形成され、この段差部
に半導体チップが接合されるので、半導体チップは、樹
脂封止を行う過程で、半導体装置本体の厚み方向に変位
することがなくなり、半導体装置本体の厚み方向のほぼ
中央に位置することになるので、半導体装置本体の反り
が抑制されるようになる。
【０００９】また、本発明では、半導体チップはダイパ
ットの段差部に接合されるので、従来のようにダイパッ
トに反りが生じているために半導体チップがダイパット
に接合できないという問題がなくなり、容易に半導体チ
ップをダイパットの段差部に接合できるようになる。
ットの段差部に接合されるので、従来のようにダイパッ
トに反りが生じているために半導体チップがダイパット
に接合できないという問題がなくなり、容易に半導体チ
ップをダイパットの段差部に接合できるようになる。
【００１０】
実施例１．図１は、この発明の実施例１による薄型半導
体装置のダイパットを示す平面図、図２はこの実施例１
による薄型半導体装置を示す平面図、図３は、図２のＡ
−Ａ’線断面図である。図１〜３において、１はリー
ド、２は半導体チップ、３は吊りリード、４はダイパッ
ト、５はダイパット段差部、６はワイヤ、７は接着剤を
示している。
体装置のダイパットを示す平面図、図２はこの実施例１
による薄型半導体装置を示す平面図、図３は、図２のＡ
−Ａ’線断面図である。図１〜３において、１はリー
ド、２は半導体チップ、３は吊りリード、４はダイパッ
ト、５はダイパット段差部、６はワイヤ、７は接着剤を
示している。
【００１１】この実施例１では、半導体装置本体の厚み
は約１ｍｍである。また、半導体チップ２の封止樹脂部
（図示せず）内での半導体装置本体の厚み方向（図３の
上下方向）の位置は、樹脂封止後の半導体装置本体の反
りの発生を抑制するために、また、組み立て工程等での
半導体チップ２の割れ不良を低減するために、半導体装
置本体の厚み方向のほぼ中央に位置するようにしてい
る。したがって、この実施例１では、半導体チップ２が
約０．４ｍｍの厚みを有するとして、半導体チップ２の
表面側の封止樹脂と半導体チップ２の裏面側の封止樹脂
の厚みは、それぞれ約０．３ｍｍの厚みを有することと
なる。
は約１ｍｍである。また、半導体チップ２の封止樹脂部
（図示せず）内での半導体装置本体の厚み方向（図３の
上下方向）の位置は、樹脂封止後の半導体装置本体の反
りの発生を抑制するために、また、組み立て工程等での
半導体チップ２の割れ不良を低減するために、半導体装
置本体の厚み方向のほぼ中央に位置するようにしてい
る。したがって、この実施例１では、半導体チップ２が
約０．４ｍｍの厚みを有するとして、半導体チップ２の
表面側の封止樹脂と半導体チップ２の裏面側の封止樹脂
の厚みは、それぞれ約０．３ｍｍの厚みを有することと
なる。
【００１２】図３に示すように、ダイパット４の段差部
５は、ダイパット４から、半導体装置の厚さ方向（図３
の上下方向）の半導体チップ２の裏面側の方向（図３の
下方向）に延び、さらにダイパット４の中心部の方向に
折り曲げられて、形成されている。半導体チップ２は、
その裏面の一部がダイパット４の段差部５に接着剤７で
接合される。半導体チップ２がこの段差部５に接合され
ることにより、半導体チップ２は半導体装置本体の厚み
方向のほぼ中央に位置するように、保持されることにな
る。
５は、ダイパット４から、半導体装置の厚さ方向（図３
の上下方向）の半導体チップ２の裏面側の方向（図３の
下方向）に延び、さらにダイパット４の中心部の方向に
折り曲げられて、形成されている。半導体チップ２は、
その裏面の一部がダイパット４の段差部５に接着剤７で
接合される。半導体チップ２がこの段差部５に接合され
ることにより、半導体チップ２は半導体装置本体の厚み
方向のほぼ中央に位置するように、保持されることにな
る。
【００１３】以上のように、この実施例１によれば、半
導体チップ２は、樹脂封止を行う過程でも、半導体装置
本体の厚み方向のほぼ中央の位置に安定的に保持される
ことになるので、半導体装置本体の反りが抑制されるよ
うになる。また、この実施例１では、半導体チップ２が
ダイパット４の段差部５に接合されるので、ダイパット
４に反りがあっても半導体チップ２は段差部５に接合す
ることが可能である。よって、従来のようにダイパット
４の反りがある場合、その反りにより半導体チップ２の
ダイパット４への接着剤による接合できないという問題
は、なくなる。
導体チップ２は、樹脂封止を行う過程でも、半導体装置
本体の厚み方向のほぼ中央の位置に安定的に保持される
ことになるので、半導体装置本体の反りが抑制されるよ
うになる。また、この実施例１では、半導体チップ２が
ダイパット４の段差部５に接合されるので、ダイパット
４に反りがあっても半導体チップ２は段差部５に接合す
ることが可能である。よって、従来のようにダイパット
４の反りがある場合、その反りにより半導体チップ２の
ダイパット４への接着剤による接合できないという問題
は、なくなる。
【００１４】
【発明の効果】以上のように、本発明による薄型半導体
装置では、前記ダイパットに、吊りリードの高さから半
導体チップの裏面側の方向に延びる段差部が形成され、
この段差部に半導体チップが接合されるので、半導体チ
ップは、半導体装置本体の厚み方向のほぼ中央に位置し
たまま安定的に保持される。よって、従来のように、半
導体チップが樹脂封止の過程で半導体装置本体の厚み方
向に変位することがなくなり、半導体チップは半導体装
置本体の厚み方向のほぼ中央の位置に安定的に保持され
ることになり、半導体装置本体の反りが抑制されるよう
になる。
装置では、前記ダイパットに、吊りリードの高さから半
導体チップの裏面側の方向に延びる段差部が形成され、
この段差部に半導体チップが接合されるので、半導体チ
ップは、半導体装置本体の厚み方向のほぼ中央に位置し
たまま安定的に保持される。よって、従来のように、半
導体チップが樹脂封止の過程で半導体装置本体の厚み方
向に変位することがなくなり、半導体チップは半導体装
置本体の厚み方向のほぼ中央の位置に安定的に保持され
ることになり、半導体装置本体の反りが抑制されるよう
になる。
【００１５】また、本発明では、半導体チップはダイパ
ットの段差部の上に接合されるので、従来のようにダイ
パットに反りが生じているために半導体チップがダイパ
ットに接合できないという問題がなくなり、容易に半導
体チップをダイパットの段差部に接合できるようにな
る。
ットの段差部の上に接合されるので、従来のようにダイ
パットに反りが生じているために半導体チップがダイパ
ットに接合できないという問題がなくなり、容易に半導
体チップをダイパットの段差部に接合できるようにな
る。
【図１】 この発明の実施例１による薄型半導体装置の
ダイパットを説明するための平面図である。
ダイパットを説明するための平面図である。
【図２】 実施例１による薄型半導体装置を示す平面図
である。
である。
【図３】 図２のＡ−Ａ’線断面図である。
【図４】 従来の薄型半導体装置を示す平面図である。
【図５】 図４のＢ−Ｂ’線断面図である。
１ リード． ２ 半導体チップ． ３ 吊りリード．
４ ダイパット．５ ダイパット段差部． ６ ワイ
ヤ． ７ 接着剤
４ ダイパット．５ ダイパット段差部． ６ ワイ
ヤ． ７ 接着剤
Claims (1)
- 【請求項１】 リードフレームの吊りリードに支持され
たダイパットに半導体チップが接合され、この半導体チ
ップが樹脂で封止されて成る薄型半導体装置において、 前記ダイパットには、吊りリードの高さから半導体チッ
プの裏面側の方向に下がる段差部が形成されており、半
導体チップはこの段差部に接合されている、薄型半導体
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7307330A JPH09148517A (ja) | 1995-11-27 | 1995-11-27 | 薄型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7307330A JPH09148517A (ja) | 1995-11-27 | 1995-11-27 | 薄型半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09148517A true JPH09148517A (ja) | 1997-06-06 |
Family
ID=17967845
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7307330A Pending JPH09148517A (ja) | 1995-11-27 | 1995-11-27 | 薄型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09148517A (ja) |
-
1995
- 1995-11-27 JP JP7307330A patent/JPH09148517A/ja active Pending
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