JPH09152486A

JPH09152486A - 撮像装置

Info

Publication number: JPH09152486A
Application number: JP8241562A
Authority: JP
Inventors: Chiori Mochizuki; 千織望月; Shinichi Hayashi; 眞一林; Shinichi Takeda; 慎市竹田; Eiichi Takami; 栄一高見; Akira Tonagoshi; 章冨名腰; Tadao Endo; 忠夫遠藤; Masakazu Morishita; 正和森下; Akira Tago; 晃多胡; Toshikazu Tamura; 敏和田村
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1995-09-28
Filing date: 1996-09-12
Publication date: 1997-06-10
Also published as: US5777335A

Abstract

(57)【要約】【課題】放射線の不用意な照射による誤動作や素子の
劣化がなく、また、不要な部位への放射線の散乱や装置
外部への外部散乱の問題及びそれに基づくノイズの発生
がなく、また、部品点数の減少、及び作製工程数の減少
をはかれ、コストダウン、小型化及び信頼性の向上がで
きる撮像装置を提供する。【解決手段】光電変換素子１の基板２や基台３を透過
したＸ線やγ線のような放射線１０によって光電変換素
子１を駆動するためなどに設けられたＩＣ６などの半導
体素子を誤動作させたり劣化させたりしないように、
又、放射線の散乱を防ぐために、基板２や基台３を放射
線を吸収又は遮蔽する部材とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、撮像装置に関し、
更に詳しくは、Ｘ線やγ線などを含む放射線を可視光な
どの感度の高い又は実用的な感度のある波長域の光に変
換し、この変換された光を受光して電気信号に変換する
ことが可能な撮像装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】像情報などの情報を担っているＸ線やγ
線などを含む放射線を読取る撮像装置は一般に光電変換
素子と蛍光体のような波長変換体とを組み合わせて構成
される。すなわち、放射線を蛍光体のような波長変換体
に照射して光電変換素子に感度のある波長域に変換し、
これを光電変換することで情報を読取る。

【０００３】光電変換素子は波長変換体によって変換さ
れた波長に応じて適宜選択されるが、アレー状やマトリ
クス状に光電変換素子を配置しやすいばかりでなく、長
尺化、大面積化が容易であるので非単結晶半導体材料、
なかでも非単結晶シリコン、特に非晶質シリコン（ａ−
Ｓｉ）を光電変換半導体材料として用いることが知られ
ている。

【０００４】非単結晶半導体材料は光電変換材料として
だけではなく、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）の半導体材
料としても用いることができる。

【０００５】非単結晶半導体材料は光電変換素子の半導
体層と駆動回路を構成するＴＦＴの半導体層とを同時に
形成することも可能であるので、撮像装置の半導体材料
として広く利用されている。

【０００６】また、撮像装置は上記したような非単結晶
半導体材料以外にも、駆動回路などを構成する単結晶半
導体材料を有する集積回路素子をしばしば有している。

【０００７】放射線に含まれる情報を読み取るために
は、当然のことながら放射線の照射が行なわれる。この
時、蛍光体のような波長変換体によって全ての放射線が
可視光などの所望の波長の光に変換されることが望まし
い。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、実際に
は波長変換体によって変換しきれなかった放射線が直接
光電変換素子やその周辺回路に照射されることが起こ
る。

【０００９】周辺回路には上述のごとく集積回路素子な
どがあるが、ここに放射線が照射されると素子内のトラ
ンジスタやＴＦＴ素子などにも放射線が入力され、時に
よっては誤動作を生じたり、素子の特性の劣化が生じた
りする場合があった。

【００１０】また、不要な部位に入射した放射線の外部
散乱やそれに基づくノイズの発生が生じたりする場合が
あった。

【００１１】［発明の目的］本発明は、放射線の不用意
な照射による誤動作や素子の劣化の問題を解決する撮像
装置を提供することを目的とする。

【００１２】また本発明は、不要な部位への放射線の散
乱や装置外部への外部散乱の問題及びそれに基づくノイ
ズの発生の問題を解決する撮像装置を提供することを目
的とする。

【００１３】更に本発明は、部品点数の減少をはかれ、
作製工程数の減少をはかれ、コストダウン、小型化及び
信頼性の向上を達成することができる構成の撮像装置を
提供することを目的とする。

【００１４】

【課題を解決するための手段】本発明は、上述した課題
を解決するための手段として、基板と該基板上に設けら
れた放射線の担う情報を光電変換する光電変換素子の複
数を有するセンサーアレー、該光電変換素子のために設
けられる半導体回路を有し、前記基板は放射線を吸収又
は遮蔽する部材を有する撮像装置を提供する。

【００１５】また、本発明は、基板と、該基板上に設け
られた光電変換素子の複数を有するセンサーアレー、該
センサーアレーを配置するための基台及び前記光電変換
素子のための半導体回路とを有し、該基台は放射線を吸
収又は遮蔽する部材を有する撮像装置を提供する。

【００１６】すなわち、本発明は、光電変換素子基板及
び／又は基台を放射線を遮蔽する部材とするものであ
る。

【００１７】なお、前記放射線を吸収又は遮蔽する部材
はＰｂ、Ｂａ、Ｔａ、Ｗからなる群から少なくとも選択
された金属を有することは好ましく、その放射線を吸収
又は遮蔽する部材はガラスとすることは好ましい。又、
前記金属は酸化物として該部材中に有することは好まし
い。加えて、前記半導体回路はＩＣを有していてよい。
また、前記センサーアレー基台及び前記半導体回路を収
容するフレームを有していてよく、該フレームは放射線
を透過するものであることが好ましい。また、前記セン
サーアレー、前記半導体回路及び必要に応じて設けられ
ている基台は前記フレームに固定されていてよい。ま
た、センサーアレー（特に、前記光電変換素子、前記基
板の順が好ましい）、必要に応じて設けられる基台、前
記半導体回路は放射線の照射側からこの順で設けられる
ようにするのがよい。

【００１８】更に蛍光体のような波長変換体を有してい
ることが望ましく、これによって微弱な放射線でも充分
な感度を得ることができる。

【００１９】

【発明の実施の形態】以下、本発明を必要に応じて図面
を参照しながら説明する。

【００２０】図１は上述したような放射線を検知するた
めの撮像装置内部にある光電変換ユニットの好適な一例
を示す模式的切断面図である。

【００２１】図１において、１は光電変換素子、２は光
電変換素子を形成する基体となる所の光電変換素子基
板、３は基板２を光電変換素子の位置関係を必要に応じ
て考慮し位置決め固定する為の基台、４は放射線を可視
光に波長変換する蛍光体、５は放射線を吸収又はその通
過を妨げる鉛などの遮蔽材、６は光電変換素子より得た
信号を駆動、転送、処理する為のＩＣ、７はＩＣの保
持、信号の伝達をする電気回路基板、８は各部品を収納
し、光電変換ユニットの外枠になる放射線を透過するフ
レーム、９は基板２と基台３又は基台３と遮蔽材５とを
接着する接着剤、１０は放射線、１１はフレキシブル配
線、Ｔは光電変換ユニットの厚み寸法である。

【００２２】同図に示す様に、光電変換素子基板２は、
機械的強度を得る為、金属もしくはガラス等を材料とす
る基台３に、単数もしくは複数固定されている。又、前
記基台３の裏面には、放射線の外部散乱、ＩＣの破壊を
防ぐ為、放射線を吸収する鉛板が遮蔽材５として接着さ
れている。

【００２３】図２には、光電変換素子基板２が単数の場
合であって、基台３０は遮蔽材５が兼用している場合の
一例で示してある。

【００２４】尚、図２中Ａは感光領域、Ｓは非感光領域
である。

【００２５】図１及び図２に示されるように、光電変換
素子基板２に対応して遮蔽材５を設けることで、光電変
換素子基板２又はその周辺から透過してきたＸ線のよう
な放射線は、遮蔽材５によって吸収又は遮蔽され、光電
変換素子１のアレーやマトリクスを駆動するためなどに
設けられる集積回路（ＩＣ）６への照射の問題が解決さ
れる。

【００２６】しかしながら、上記したような遮蔽材５を
設けるにしても、それの実用化にあたっては更に予期せ
ぬ問題が発生する場合がある。

【００２７】すなわち、前記基台と前記鉛板との接着技
術は難しいため、つまり前記基台と前記鉛板の線膨張係
数が異なる為、温度変化による環境の変化で、それぞれ
の延び量が異なり、このため、接着剤が剥がれてしまう
という問題がある。特に、基板の面積が大きくなるにし
たがってズレ量は増加し、また、光電変換素子の位置決
め精度の問題を考慮するとこの接着技術は大変に技術を
有する。

【００２８】特に、熱衝撃、高温高湿動作時において、
センサーガラス基板と鉛板の熱膨張率の差異から、ガラ
ス基板から鉛板とが剥離、脱落し、その結果、フレキシ
ブル配線を損傷し、更には、ＩＣへの放射線照射によ
り、誤動作するなどの問題が発生することがある。

【００２９】勿論、鉛板をガラス基板に機械的に接続す
ることが考えられるが、フレーム厚みＴ、縁幅Ｓを大き
くせざるを得なく、更に、複雑な設計と複雑な組み立て
が必要となる。

【００３０】又、鉛板は、完全な硬体ではなく、通常使
用されているシート状の物では、取扱いが非常に難しい
為、組立て作業には、注意が必要となり工数ｕｐを引き
起こす。

【００３１】さらに、鉛板を放射線を吸収又は遮蔽する
他の金属材料（つまり、取扱い上困難でなく前記基台と
同等の線膨張係数を持つ材料）に置き換えた場合、放射
線を吸収するもののその吸収率が鉛板に比べ低いので、
鉛板と同等の放射線吸収を得る為には、鉛板の数倍の厚
みが必要となり、光電変換ユニットが大型化、重量化す
るという問題がある。

【００３２】そこで本発明者等は、難しい接着技術を要
する基台と鉛板との接着を不要とし、特別な鉛板を廃止
することで、部品点数、及び工程を減らし、コストダウ
ンと、小型化と、信頼性の向上を実現することを鋭意検
討した。

【００３３】その結果、光電変換素子を形成する光電変
換素子基板、及び／又は、前記光電変換素子基板を固定
する基台の材料を鉛入りガラス等の放射線を吸収又は遮
蔽する物質で形成した放射線撮像装置によって上記した
点が解決し得ることを見出した。

【００３４】本発明によれば、光電変換素子を形成する
光電変換素子基板、及び／又は、前記光電変換素子基板
を固定する基台の材料を鉛入りガラスなどの放射線を吸
収又は遮蔽する物質にすることによって、従来必要であ
った鉛板と、その接着工程を不要とすることができ、コ
ストダウン、軽量、小型化を達成でき、更には信頼性を
向上することができる。

【００３５】図３は本発明の撮像装置の好適な一例を説
明するための模式的切断面図である。

【００３６】図３において、図１及び図２に示される符
号と同じものは同じ部位を示している。また、３１は基
台であり、放射線を遮蔽する金属を含有するガラスであ
る。効果的に放射線を吸収又は遮蔽する金属としてはＰ
ｂ、Ｂａ、Ｔａ、Ｗを具体的に挙げることができる。こ
れら金属は通常酸化物としてガラス中に含有される。ま
たこれら金属は少なくとも１種以上が含有されていてよ
い。

【００３７】このような構成とすることで、基板と鉛板
との接着、鉛板と基台との接着を行なうことなく上述し
た透過放射線や散乱放射線の問題を解決することがで
き、高信頼性、軽量化、薄型化、低価格を実現すること
ができる。

【００３８】本発明において、放射線を吸収又は遮蔽す
る金属を含有するガラスの好適な一例としては以下の組
成のものを挙げることができる。

【００３９】尚、このガラスは光電変換素子基板及び／
又は基台に用いることができるのはいうまでもない。

【００４０】１）ＳｉＯ₂ ５１．２ｗｔ％、Ｎａ₂Ｏ
１５．８ｗｔ％、Ｋ₂Ｏ１．２ｗｔ％、ＰｂＯ３
０．０ｗｔ％２）ＳｉＯ₂ ４２．５ｗｔ％、Ｎａ₂Ｏ８．０ｗｔ
％、Ｋ₂Ｏ５．５ｗｔ％、ＰｂＯ４１．５〜４３．
５ｗｔ％３）ＳｉＯ₂ ２７．１ｗｔ％、Ｋ₂Ｏ２ｗｔ％、Ｐ
ｂＯ７１ｗｔ％４）ＳｉＯ₂ ２９ｗｔ％、ＰｂＯ６２ｗｔ％、Ｂａ
Ｏ８．１ｗｔ％、ＣｅＯ０．９ｗｔ％５）ＳｉＯ₂ ２ｗｔ％、ＰｂＯ８２ｗｔ％、Ｔａ₂
Ｏ₅ ２ｗｔ％、Ｂ₂Ｏ₃ １４ｗｔ％６）ＰｂＯ６０．０ｗｔ％、ＷＯ₃ ２１．３ｗｔ
％、Ｐ₂Ｏ₅ １６．１ｗｔ％、ＴｉＯ₂ １．０ｗｔ
％放射線の吸収又は遮蔽率は、基本的には放射線を吸収又
は遮蔽する金属の含有量による。従って、所望の特性に
応じてその含有量は適宜決められる。

【００４１】また、たとえば鉛入りガラスは一般的にＰ
ｂ含有量が増加するに従って耐熱性が低下する。従っ
て、光電変換素子基板として使用する場合には、放射線
の吸収、遮蔽効果のみならず作製工程中に到達する温度
も充分鑑みる必要がある。光電変換素子にたとえば非晶
質シリコンを用いるとき、基板は高品質な非晶質シリコ
ン膜を形成するには３５０℃程度位まで、少なくとも２
００℃程度位までの耐熱性が必要とされる。それを考慮
に入れると、ＰｂＯ（鉛酸化物）は８２ｗｔ％以下、好
ましくは６０ｗｔ％以下とするのが望ましい。

【００４２】もちろん、上述の組成は要求される強度、
平面性などに応じて適宜変更される。

【００４３】次に、本発明に使用可能な光電変換素子の
好適な一例について説明する。

【００４４】図４及び図５は、ＰＩＮ型光電変換素子と
スイッチＴＦＴとを各画素ごとに有する例が示されてお
り、図４は模式的回路構成図、図５は模式的切断面図で
ある。

【００４５】図４及び図５において、１０１は光電変換
素子、１０２はスイッチＴＦＴ、１０３はデータライ
ン、１０４はゲートライン、１０５はバイアスライン、
２０１はガラス基板、２０２はＣｒなどのゲート電極、
２０３はＳｉＮ（窒化シリコン）のような無機材料に代
表されるゲート絶縁膜、２０４はｉ型ａ−Ｓｉのような
半導体膜、２０５はＳｉＮに代表されるチャネル保護
膜、２０６はｎ⁺型ａ−Ｓｉのようなオーミックコンタ
クト膜、２０７はＡｌ電極、２１０は半導体層で該層中
にｐ型、ｉ型、ｎ型のたとえばａ−Ｓｉ膜を有する、２
０８はＣｒなどの電極、２０９はＩＴＯなどの透明電
極、２１３はＳｉＮのような保護膜である。

【００４６】図４に示される例では、各画素はセンサー
部とスイッチＴＦＴ部より構成され光センサーはスイッ
チＴＦＴに接続され、スイッチＴＦＴはデーターライン
に接続されている。

【００４７】光電変換素子１０１は、基板２０１上に形
成された絶縁膜２０３上にｉ型ａ−Ｓｉ膜２０４を介し
て設けられた電極２０８上に、半導体層２１０、透明電
極２０９をこの順で有する。素子１０１上には保護膜２
１３が形成され、保護膜２１３のコンタクトホールを介
して電極２０７が接続されている。電極２０８はバイア
スラインに電気的に接続されている。尚、半導体層２１
０と電極２０８又は透明電極２０９との間にオーミック
コンタクトをとるため、必要に応じてオーミックコンタ
クト層（不図示）を設けてもよい。

【００４８】スイッチＴＦＴ１０２は基板２０１上にゲ
ート電極２０２を有し、絶縁膜２０３をゲート絶縁膜と
し、この絶縁膜を介して半導体膜２０４を設け、該半導
体膜２０４上にオーミックコンタクト膜２０６を介して
ソース・ドレインとなる（Ａｌ）電極２０７を有してい
る。半導体膜２０４のチャネル部分に対応する表面上に
はチャネル保護膜２０５が形成され、更に保護膜２１３
が形成されている。

【００４９】もちろん、光電変換素子やスイッチＴＦＴ
は図示される構成に限定されるものではなく、又、スイ
ッチＴＦＴは必ずしも必要なく、その回路構成も適宜変
更可能である。

【００５０】

【実施例】

［実施例１］第１の実施例として、鉛ガラスを光電変換
素子基板として用いた場合の撮像装置の作製方法につい
て述べる。鉛ガラスの組成は、ＳｉＯ₂ ５５．３３ｗ
ｔ％、Ｋ₂Ｏ１１．１ｗｔ％、ＰｂＯ３１．７ｗｔ
％、厚みは７ｍｍとした。

【００５１】また、本実施例では、光電変換素子とスイ
ッチＴＦＴとの膜構成が同一であるため、低価格で製造
プロセスが簡略である構造とした。構成としては、基板
３２０上に、第１の電極層３２３、絶縁層３２４、光電
変換半導体層３２５、該半導体層３２５へのキャリア注
入阻止層３２６、第２の電極層３２８とを有するＭＩＳ
型光電変換素子と、また、第１の電極層３２２、絶縁層
３２４、半導体層３２５、該半導体層３２５へのオーミ
ックコンタクト層３２６、第２の電極層３２９とを有す
るスイッチＴＦＴとを有する。これらは、同一で、か
つ、簡略化された製造方法が可能である。

【００５２】先ず、センサーアレーの作製方法から述べ
る。

【００５３】まず、鉛ガラス３２０上に、スパッタリン
グによりＳｉＯ₂下地保護膜となる絶縁膜３２１を１０
００Å成膜する。その後、Ｃｒ膜をスパッタリング法に
より１０００Å成膜し、ウエットエッチングにより、ス
イッチＴＦＴのゲート電極３２２及び光センサーの下部
電極３２３に対応してパターニングし形成する（図６
（ａ））。

【００５４】次に、プラズマＣＶＤ法により、絶縁膜３
２４としてＳｉＮ膜を３０００Å、光電変換素子の光電
変換層及びスイッチＴＦＴの半導体層としてｉ型半導体
膜３２５を５０００Å、光電変換素子のキャリア注入層
及びスイッチＴＦＴのオーミックコンタクト層としてｎ
⁺ 型半導体膜３２６を１０００Å連続成膜する（図６
（ｂ））。

【００５５】続いて、ＣＤＥ（ケミカルドライエッチン
グ）によりコンタクトホール３２７を形成する（図６
（ｃ））。

【００５６】次に、Ａｌ膜１μｍをスパッタリングによ
り成膜する。その後、ウエットエッチングにより、光電
変換素子の上部電極３２８を形成する（図６（ｄ））。

【００５７】更に、ウエットエッチングにより、スイッ
チＴＦＴのソース・ドレイン電極３２９を形成する。そ
の後、引き続き、ＲＩＥ（リアクティブイオンエッチン
グ）によりｎ⁺型半導体膜１０００Åとｉ型半導体膜を
２００Å程度エッチングし、スイッチＴＦＴのギャップ
部３３０を形成する（図６（ｅ））。

【００５８】続いて、ＲＩＥによりｎ⁺型半導体膜３２
６、ｉ型半導体膜３２５、絶縁膜３２４をエッチング
し、素子間分離する（図６（ｆ））。

【００５９】更に、パッシベーション膜３３１としてＳ
ｉＮ膜をプラズマＣＶＤ法により成膜した後、配線引き
出し部などを必要に応じてＲＩＥにて除去する（図６
（ｇ））。

【００６０】この様にして、作製された光電変換部の１
画素の模式的平面図を図７に示す。３１１はＭＩＳ型セ
ンサー部、３１２はスイッチＴＦＴ部、３１３は信号
線、３１４はゲート配線、３１５はセンサー上部配線で
ある。

【００６１】次に、実装方法の一例について述べる。

【００６２】まず、光電変換素子を複数有するセンサー
アレーに異方性導伝フィルムを仮接続し、その後、フレ
キシブル配線を圧着し、シリコーン樹脂で封止する。

【００６３】次に、フレキシブル配線を処理回路基板に
はんだ接着する。

【００６４】続いて、処理回路基板がフレキシブル配線
で接続されたセンサーアレー上に蛍光体をエポキシ樹脂
で貼り合わせる。

【００６５】更に、撮像装置のフレーム内にセンサーア
レーを実装する。

【００６６】この様にして、作製された撮像装置の装置
構成を表す模式的断面図を図８に示す。図中、センサー
アレー８０１と、そのセンサーアレーの光電変換素子に
感度のある波長の光へ放射線を波長変換するための蛍光
体４と、そのセンサーアレーより得られた電気信号を処
理するための処理回路基板７と、その処理回路基板とセ
ンサーアレーとの接続のためのフレキシブル配線１１と
を有しており、各部品は、放射線撮像装置の外枠になる
フレーム８により固定されている。

【００６７】本例では、光電変換素子基板が鉛ガラスで
あるため、放射線の透過を防止又は減少させ、透過する
放射線から、処理回路基板上等のＩＣ６を保護すること
が可能となっている。なお放射線は方向１０より入射す
る。この様な構造により、軽量、薄型の放射線撮像装置
を実現している。

【００６８】［実施例２］第２の実施例では、第１実施
例で述べたセンサーアレーを複数つなぎ合わせた大面積
の放射線撮像装置について説明する。

【００６９】本実施例の放射線撮像装置の装置構成を表
す模式的断面図を図３に、また、模式的斜視図を図９に
示す。

【００７０】本例では、複数のセンサー基板が、機械的
強度の維持とＸ線遮蔽を目的とした、センサー基板と同
材質の鉛ガラスの基台３１に接着剤により簡便に固定さ
れている。その結果、大面積で且つ軽量、薄型、低価格
の放射線撮像装置を実現できる。また、この時、Ｘ線遮
蔽能力はセンサーアレー基板と基台の総厚みにより決ま
るため、基台厚みを厚くすることにより、センサーアレ
ー基板を従来のガラス基板厚み１ｍｍ程度とすることが
でき、センサーアレー作成上、取り扱いが容易であると
言った利点がある。

【００７１】［実施例３］第３の実施例として、実施例
２に示した基台３１の光電変換素子基板２と反対側にス
パッタリングで鉛を付与した例を図１０に示す。

【００７２】スパッタリングで設けた鉛の厚さは２００
μｍとしたが、これによって更に放射線の吸収・遮蔽は
より効果的に行なうことができる。

【００７３】上記実施例２及び３において、光電変換素
子基板には、実施例１で使用したＰｂ６０ｗｔ％以下
の鉛ガラスの１ｍｍ程度の薄板を使用し、基台には、Ｐ
ｂ８０ｗｔ％程度の鉛ガラスを使用することも可能であ
る。この時、Ｐｂ量の差異による熱膨張率の差異によ
る、基台のはがれはＰｂ量の変化による熱膨張率の変化
量が基板の熱膨張率に比べて無視できる範囲であるので
問題にはならない。

【００７４】また、実施例３において鉛のスパッタリン
グは光電変換素子基板に更に施してもよく、あるいは光
電変換素子基板にのみ施してもよい。

【００７５】加えて、スパッタリングは鉛ガラスに施す
場合のみならず、鉛等の放射線を遮蔽することが可能な
金属を含有する又は含有していないガラスに施してもよ
い。

【００７６】スパッタリングされる金属は必要に応じて
適宜決められてよいが、金属がよりはがれにくくなるこ
とを考慮して好ましくは５００μｍ以下、より好ましく
は２００μｍ以下とするのが望ましい。

【００７７】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
放射線の外部散乱防止およびＩＣの保護を行なうことが
でき、更に、鉛板を廃止しても廃止前の放射線の外部散
乱防止およびＩＣの保護等の機能が全て同様に行なえ
る。

【００７８】また鉛板を用いないことで、部品点数の減
少と、組立ての工数の削減ができ、これにより、光電変
換ユニットの厚みＴのコンパクト化とコストダウンが可
能となる。

【００７９】さらに、基台と鉛板の接着が不要となり、
信頼性のより一層の向上をはかることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】撮像装置の一例を説明するための模式的断面
図。

【図２】撮像装置の一例を説明するための模式的断面
図。

【図３】撮像装置の一例を説明するための模式的断面
図。

【図４】本発明に適用可能な光電変換素子アレーの一例
を説明するための模式的回路構成図。

【図５】本発明に適用可能なセンサーアレーの一例の一
画素分の模式的断面図。

【図６】（ａ）〜（ｇ）は夫々本発明に適用可能なセン
サーアレーの一例の作製工程を説明するための模式的断
面図。

【図７】センサーアレー一画素分の一例を説明するため
の模式的平面図。

【図８】撮像装置の一例を説明するための模式的断面
図。

【図９】撮像装置の一例の模式的斜視図。

【図１０】撮像装置の一例を説明するための模式的断面
図。

【符号の説明】

１光電変換素子、２基板、３位置決め固定する為の基台、４放射線を可視光に波長変換する蛍光体、５放射線を吸収又はその通過を妨げる鉛などの遮蔽
材、６光電変換素子より得た信号を駆動、転送、処理する
為のＩＣ、７ＩＣの保持、信号の伝達をする電気回路基板、８放射線を透過するフレーム、９接着剤、１０放射線、１１フレキシブル配線、Ｔ光電変換ユニットの厚み寸法

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者高見栄一東京都大田区下丸子３丁目30番２号キヤノン株式会社内 (72)発明者冨名腰章東京都大田区下丸子３丁目30番２号キヤノン株式会社内 (72)発明者遠藤忠夫東京都大田区下丸子３丁目30番２号キヤノン株式会社内 (72)発明者森下正和東京都大田区下丸子３丁目30番２号キヤノン株式会社内 (72)発明者多胡晃東京都大田区下丸子３丁目30番２号キヤノン株式会社内 (72)発明者田村敏和東京都大田区下丸子３丁目30番２号キヤノン株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板と、該基板上に設けられた放射線の担う情報を光電変換する
光電変換素子の複数を有するセンサーアレーと、該光電変換素子のために設けられる半導体回路とを有
し、前記基板は、放射線を吸収又は遮蔽する部材を有するこ
とを特徴とする撮像装置。
【請求項２】請求項１において、前記放射線を吸収又
は遮蔽する部材は、Ｐｂ、Ｂａ、Ｔａ、Ｗからなる群か
ら少なくとも選択された金属を有する撮像装置。
【請求項３】請求項２において、前記放射線を吸収又
は遮蔽する部材は、ガラスである撮像装置。
【請求項４】請求項２において、前記金属は、酸化物
として該部材中に有する撮像装置。
【請求項５】請求項１において、前記半導体回路は、
ＩＣを有する撮像装置。
【請求項６】請求項１において、前記センサーアレー
及び前記半導体回路を収容するフレームを有する撮像装
置。
【請求項７】請求項６において、前記フレームは、放
射線を透過する撮像装置。
【請求項８】請求項６において、前記センサーアレー
及び前記半導体回路は、前記フレームに固定されている
撮像装置。
【請求項９】請求項１において、前記光電変換素子、
前記基板、前記半導体回路が、この順で設けられている
撮像装置。
【請求項１０】請求項１において、前記光電変換素子
上には更に波長変換体を有する撮像装置。
【請求項１１】請求項１０において、前記波長変換体
は、蛍光体を有する撮像装置。
【請求項１２】請求項１において、前記センサーアレ
ーは、複数有する撮像装置。
【請求項１３】請求項１において、前記部材は、スパ
ッタリング膜である撮像装置。
【請求項１４】請求項３において、更に該部材は、ス
パッタリング膜を有する撮像装置。
【請求項１５】請求項１において、前記センサーアレ
ーは、基台上に設けられる撮像装置。
【請求項１６】請求項１５において、前記基台は、放
射線を吸収又は遮蔽する部材を有する撮像装置。
【請求項１７】請求項１６において、前記部材は、Ｐ
ｂ、Ｂａ、Ｔａ、Ｗからなる群から少なくとも選択され
た金属を有する撮像装置。
【請求項１８】請求項１７において、前記部材は、ガ
ラスである撮像装置。
【請求項１９】請求項１７において、前記金属は、酸
化物とし該部材中に有する撮像装置。
【請求項２０】請求項１６において、該部材は、該選
択された金属のスパッタ膜を含む撮像装置。
【請求項２１】請求項１において、前記放射線は、Ｘ
線又はγ線を含む撮像装置。
【請求項２２】基板と、該基板上に設けられた光電変換素子の複数を有するセン
サーアレーと、該センサーアレーを配置するための基台及び、前記光電変換素子のための半導体回路とを有し、該基台は、放射線を吸収又は遮蔽する部材を有する撮像
装置。
【請求項２３】請求項２２において、前記部材はＰ
ｂ、Ｂａ、Ｔａ、Ｗからなる群から少なくとも選択され
た金属を有する撮像装置。
【請求項２４】請求項２３において、前記部材は、ガ
ラスである撮像装置。
【請求項２５】請求項２３において、前記金属は、酸
化物とし該部材中に有する撮像装置。
【請求項２６】請求項２２において、前記半導体回路
は、ＩＣを有する撮像装置。
【請求項２７】請求項２２において、前記センサーア
レー、前記基台及び前記半導体回路を収容するフレーム
を有する撮像装置。
【請求項２８】請求項２７において、前記フレーム
は、前記放射線を透過する撮像装置。
【請求項２９】請求項２７において、該センサーアレ
ー、該基台及び該半導体回路は、該フレームに固定され
ている撮像装置。
【請求項３０】請求項２２において、前記センサーア
レー、前記基台及び前記半導体回路は、この順で設けら
れている。
【請求項３１】請求項２２において、前記光電変化素
子上には波長変換体を有する撮像装置。
【請求項３２】請求項３１において、前記波長変換体
は、蛍光体を有する撮像装置。
【請求項３３】請求項２２において、前記センサーア
レーは、複数有する撮像装置。
【請求項３４】請求項２２において、前記部材は、ス
パッタ膜である撮像装置。
【請求項３５】請求項２２において、前記部材は、更
にスパッタ膜を有する撮像装置。
【請求項３６】請求項２２において、前記放射線は、
Ｘ線又はγ線を含む撮像装置。