JPH0915631A - 液晶表示素子 - Google Patents
液晶表示素子Info
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- JPH0915631A JPH0915631A JP18657695A JP18657695A JPH0915631A JP H0915631 A JPH0915631 A JP H0915631A JP 18657695 A JP18657695 A JP 18657695A JP 18657695 A JP18657695 A JP 18657695A JP H0915631 A JPH0915631 A JP H0915631A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 視野角特性のばらつきが少なく且つ表示品位
の優れた広視野角の液晶表示素子を提供することであ
る。 【構成】 オーバーコート層34の平坦面上には、エッ
チング等により上層電極35の一部が除去されて開口部
38が形成される。オーバーコート層34の平坦面上の
上層電極35の膜厚は均一であるため、開口部38を形
成する場合のエッチング速度は、開口部38のどの場所
でも一定である。従って、上層電極35がオーバーエッ
チングされることはなく、上層電極35及び開口部38
は常に所定の面積で構成される。このため、液晶表示素
子の視角特性のばらつきは少なくなる。また、配向膜に
開口部38の長辺と平行な方向に配向処理を施すことに
より、上層電極35と開口部38の境界部分での液晶の
配向の不連続が緩和され、表示品位のすぐれた液晶表示
素子が実現できる。
の優れた広視野角の液晶表示素子を提供することであ
る。 【構成】 オーバーコート層34の平坦面上には、エッ
チング等により上層電極35の一部が除去されて開口部
38が形成される。オーバーコート層34の平坦面上の
上層電極35の膜厚は均一であるため、開口部38を形
成する場合のエッチング速度は、開口部38のどの場所
でも一定である。従って、上層電極35がオーバーエッ
チングされることはなく、上層電極35及び開口部38
は常に所定の面積で構成される。このため、液晶表示素
子の視角特性のばらつきは少なくなる。また、配向膜に
開口部38の長辺と平行な方向に配向処理を施すことに
より、上層電極35と開口部38の境界部分での液晶の
配向の不連続が緩和され、表示品位のすぐれた液晶表示
素子が実現できる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は視野角特性を改善した
液晶表示素子に関する。
液晶表示素子に関する。
【0002】
【従来の技術】液晶表示素子は、薄型軽量化が可能であ
り、種々の電子機器の表示装置として使用されている。
しかし、液晶表示素子は、CRT等に比べて視野角が狭
く、中間調表示時の視角依存性が顕著であるという欠点
を有する。例えば、TN(ツイストネマティック)液晶
セルを一対の偏光板で挟んで構成されるTN液晶表示素
子においては、白黒2値表示時には実用上十分な視角特
性を持つものの、多階調表示時には視角依存性が大きい
という欠点を持つ。
り、種々の電子機器の表示装置として使用されている。
しかし、液晶表示素子は、CRT等に比べて視野角が狭
く、中間調表示時の視角依存性が顕著であるという欠点
を有する。例えば、TN(ツイストネマティック)液晶
セルを一対の偏光板で挟んで構成されるTN液晶表示素
子においては、白黒2値表示時には実用上十分な視角特
性を持つものの、多階調表示時には視角依存性が大きい
という欠点を持つ。
【0003】視野角を広くする手法としては、TFT基
板に形成された各画素電極を複数に分割し、各画素電極
に対向する制御電極を配置することにより、液晶容量と
直列に電圧降下用の容量を接続する方法が提案されてい
る。この方法では、分割された各画素電極により液晶に
印加される電圧が互いに異なるため、異なった配向状態
の領域が各画素内に形成されることになり、視野角が広
くなる。
板に形成された各画素電極を複数に分割し、各画素電極
に対向する制御電極を配置することにより、液晶容量と
直列に電圧降下用の容量を接続する方法が提案されてい
る。この方法では、分割された各画素電極により液晶に
印加される電圧が互いに異なるため、異なった配向状態
の領域が各画素内に形成されることになり、視野角が広
くなる。
【0004】しかしこの方法は、制御電極をTFTを形
成する過程で形成しなければならず、TFTの欠陥を引
き起こしやすくTFT基板の歩留まりを低下させる欠点
がある。
成する過程で形成しなければならず、TFTの欠陥を引
き起こしやすくTFT基板の歩留まりを低下させる欠点
がある。
【0005】これらの欠点を改善するために、対向基板
側の対向電極を複数に分割し、対向電極上に形成される
絶縁膜(カラーフィルタ、オーバーコート層等)を利用
して電圧を降下させる方法が提案されている。この方法
においても、異なった配向状態の領域が各画素に形成さ
れ、視野角が広くなる。
側の対向電極を複数に分割し、対向電極上に形成される
絶縁膜(カラーフィルタ、オーバーコート層等)を利用
して電圧を降下させる方法が提案されている。この方法
においても、異なった配向状態の領域が各画素に形成さ
れ、視野角が広くなる。
【0006】このような液晶表示素子の対向基板側の構
成は、図8に示すように、対向基板12上に下層電極3
1が配置され、その上にブラックマスク32、カラーフ
ィルタ33がそれぞれ配置され、さらにその上に、オー
バーコート層34、上層電極35がそれぞれ配置され
る。各画素の上層電極35は、その半分程がエッチング
等の方法で除去されて形成され、各画素は上層電極35
が形成された領域(通常領域)と上層電極35が除去さ
れた領域(電圧降下領域)とに分割される。
成は、図8に示すように、対向基板12上に下層電極3
1が配置され、その上にブラックマスク32、カラーフ
ィルタ33がそれぞれ配置され、さらにその上に、オー
バーコート層34、上層電極35がそれぞれ配置され
る。各画素の上層電極35は、その半分程がエッチング
等の方法で除去されて形成され、各画素は上層電極35
が形成された領域(通常領域)と上層電極35が除去さ
れた領域(電圧降下領域)とに分割される。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】図8に示すように、オ
ーバーコート層34上面の両端部付近(E1部)の上層
電極35の膜厚はその他の部分の膜厚に比べて薄く形成
されている。従って、上層電極35をエッチングによっ
て削除する場合、E1部が一番早く除去され、E1部付
近のオーバーコート層34からエッチング液がオーバー
コート層34と上層電極35との間に浸透して、上層電
極35がオーバーエッチングされる問題が発生する。ま
た、上層電極35が段切れを起こす問題も発生する。
ーバーコート層34上面の両端部付近(E1部)の上層
電極35の膜厚はその他の部分の膜厚に比べて薄く形成
されている。従って、上層電極35をエッチングによっ
て削除する場合、E1部が一番早く除去され、E1部付
近のオーバーコート層34からエッチング液がオーバー
コート層34と上層電極35との間に浸透して、上層電
極35がオーバーエッチングされる問題が発生する。ま
た、上層電極35が段切れを起こす問題も発生する。
【0008】上層電極35がオーバーエッチングされる
と、上層電極35が形成された通常領域と上層電極35
が除去された電圧降下領域の面積比は設計値どおりには
ならない。従って、液晶表示素子の視角特性は設計値ど
おりの一定の特性とはならずに、視野角特性にばらつき
が生じる。
と、上層電極35が形成された通常領域と上層電極35
が除去された電圧降下領域の面積比は設計値どおりには
ならない。従って、液晶表示素子の視角特性は設計値ど
おりの一定の特性とはならずに、視野角特性にばらつき
が生じる。
【0009】また、各画素には配向膜が形成される。こ
の配向膜は、視角を液晶表示素子の上又は下方に設定す
るために、液晶表示素子の一辺に対して約45゜の方向
に配向処理が施されており、このため、配向膜上の通常
領域と電圧降下領域は、その境界辺に対して、45゜の
方向に配向処理が施される。
の配向膜は、視角を液晶表示素子の上又は下方に設定す
るために、液晶表示素子の一辺に対して約45゜の方向
に配向処理が施されており、このため、配向膜上の通常
領域と電圧降下領域は、その境界辺に対して、45゜の
方向に配向処理が施される。
【0010】配向膜上の通常領域と電圧降下領域との境
界辺に対して、45゜の方向に配向処理が施されると、
上層電極35とオーバーコート層34との段差のために
通常領域と電圧降下領域の境界部で液晶の配向が不連続
的に変化するディスクリネーションが発生する。
界辺に対して、45゜の方向に配向処理が施されると、
上層電極35とオーバーコート層34との段差のために
通常領域と電圧降下領域の境界部で液晶の配向が不連続
的に変化するディスクリネーションが発生する。
【0011】この発明は上記実状に鑑みてなされたもの
で、視野角特性のばらつきが少なく且つ表示品位の優れ
た広視野角の液晶表示素子を提供することを目的とす
る。
で、視野角特性のばらつきが少なく且つ表示品位の優れ
た広視野角の液晶表示素子を提供することを目的とす
る。
【0012】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、この発明の第1の観点にかかる液晶表示素子は、各
画素領域に第1の電極が形成され、且つ、対応する第1
の電極に接続されたアクティブ素子が形成された第1の
基板と、前記第1の基板に対向して配置された第2の基
板と、前記第2の基板の前記第1の基板に対向する面に
形成され前記第1の電極と対向する第2の電極と、前記
第2の電極の上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜の上
に、該絶縁膜の平坦部に前記第1の電極の一部分と対応
する開口を有して形成された第3の電極と、前記第1と
第2の基板間に封止された液晶と、を備えたことを特徴
とする。
め、この発明の第1の観点にかかる液晶表示素子は、各
画素領域に第1の電極が形成され、且つ、対応する第1
の電極に接続されたアクティブ素子が形成された第1の
基板と、前記第1の基板に対向して配置された第2の基
板と、前記第2の基板の前記第1の基板に対向する面に
形成され前記第1の電極と対向する第2の電極と、前記
第2の電極の上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜の上
に、該絶縁膜の平坦部に前記第1の電極の一部分と対応
する開口を有して形成された第3の電極と、前記第1と
第2の基板間に封止された液晶と、を備えたことを特徴
とする。
【0013】上記目的を達成するため、この発明の第2
の観点にかかる液晶表示素子は、前記第3の電極の上に
形成され、所定方向に配向処理が施された配向膜を備
え、前記第3の電極は、前記配向処理の方向と平行な辺
を有する開口が形成されていることを特徴とする。
の観点にかかる液晶表示素子は、前記第3の電極の上に
形成され、所定方向に配向処理が施された配向膜を備
え、前記第3の電極は、前記配向処理の方向と平行な辺
を有する開口が形成されていることを特徴とする。
【0014】
【作用】第1の観点にかかる液晶表示素子によれば、第
3の電極の開口は膜厚が一定に形成されている部分、即
ち絶縁膜の平坦面に構成されるため、開口を形成する場
合に膜厚の薄い部分からエッチング液が進入し、第3の
電極の一部がオーバーエッチングされることはない。従
って、第3の電極が形成された領域と該第3の電極の開
口の領域とは設計値どおりに形成され、面積比はばらつ
きがなくほぼ一定である。従って、視角特性の安定した
広視野角の液晶表示素子が実現できる。
3の電極の開口は膜厚が一定に形成されている部分、即
ち絶縁膜の平坦面に構成されるため、開口を形成する場
合に膜厚の薄い部分からエッチング液が進入し、第3の
電極の一部がオーバーエッチングされることはない。従
って、第3の電極が形成された領域と該第3の電極の開
口の領域とは設計値どおりに形成され、面積比はばらつ
きがなくほぼ一定である。従って、視角特性の安定した
広視野角の液晶表示素子が実現できる。
【0015】また、開口部の少なくとも1辺が配向処理
方向とほぼ平行に形成されているので、第3の電極が形
成された領域と第3の電極の開口部の領域との境界部分
で液晶の配向の不連続は発生しない。従って、表示品位
は優れたものとなる。
方向とほぼ平行に形成されているので、第3の電極が形
成された領域と第3の電極の開口部の領域との境界部分
で液晶の配向の不連続は発生しない。従って、表示品位
は優れたものとなる。
【0016】
【実施例】以下、この発明の実施例を、TFT液晶表示
素子を例に図面を参照して説明する。 (第1実施例)図1はこの発明の第1実施例にかかるT
N液晶表示素子の断面構造を示し、図2はTFT基板の
平面構造を示し、図3は対向基板の平面構造を示す。
素子を例に図面を参照して説明する。 (第1実施例)図1はこの発明の第1実施例にかかるT
N液晶表示素子の断面構造を示し、図2はTFT基板の
平面構造を示し、図3は対向基板の平面構造を示す。
【0017】図1に示すように、この液晶表示素子は、
シール材SCにより接合された一対の透明基板11、1
2と、一対の透明基板11、12間に封止されたTN
(ツイストネマティック)液晶13とより構成される液
晶セル16と、液晶セル16を挟んで配置された偏光板
14、15と、より構成される。
シール材SCにより接合された一対の透明基板11、1
2と、一対の透明基板11、12間に封止されたTN
(ツイストネマティック)液晶13とより構成される液
晶セル16と、液晶セル16を挟んで配置された偏光板
14、15と、より構成される。
【0018】透明基板11、12はガラス等から構成さ
れる。下側の透明基板(以下、TFT基板)11には、
図1及び図2に示すように、スイッチング素子としての
TFT(薄膜トランジスタ)21と画素電極22がマト
リクス状に配置され、これらの上に配向膜23が配置さ
れている。
れる。下側の透明基板(以下、TFT基板)11には、
図1及び図2に示すように、スイッチング素子としての
TFT(薄膜トランジスタ)21と画素電極22がマト
リクス状に配置され、これらの上に配向膜23が配置さ
れている。
【0019】各TFT21のソース電極は対応する画素
電極22に接続され、各行のTFT21のゲート電極は
対応するゲートラインGLに接続され、各列のTFT2
1のドレイン電極は対応するデータラインDLに接続さ
れている。画素電極22は、ITO(インジウムとスズ
の酸化物)等からなる透明導電膜から形成され、TFT
21を介して信号電圧(書き込み電圧)が印加される。
電極22に接続され、各行のTFT21のゲート電極は
対応するゲートラインGLに接続され、各列のTFT2
1のドレイン電極は対応するデータラインDLに接続さ
れている。画素電極22は、ITO(インジウムとスズ
の酸化物)等からなる透明導電膜から形成され、TFT
21を介して信号電圧(書き込み電圧)が印加される。
【0020】他方の透明基板(以下、対向基板)12に
は図3に平面図で、及び図5に拡大斜視図で示すよう
に、対向電極(以下、下層電極)31が形成されてい
る。下層電極31は厚さ0.08±0.02μm程度の
ITOから形成され、所定の基準電圧(コモン電圧)が
印加される電極端子37に接続されている。下層電極3
1上の、TFT21と対向する部分及び画素電極22間
の部分と対向する部分には、光遮蔽性のブラックマスク
32が配置されている。
は図3に平面図で、及び図5に拡大斜視図で示すよう
に、対向電極(以下、下層電極)31が形成されてい
る。下層電極31は厚さ0.08±0.02μm程度の
ITOから形成され、所定の基準電圧(コモン電圧)が
印加される電極端子37に接続されている。下層電極3
1上の、TFT21と対向する部分及び画素電極22間
の部分と対向する部分には、光遮蔽性のブラックマスク
32が配置されている。
【0021】下層電極31上の各画素領域には、RGB
各色のカラーフィルタ33(33R、33G、33B)
が配置されている。カラーフィルタ33は、厚さ1μm
程度のアクリル系樹脂等から構成され、顔料により、R
(赤)、G(緑)、B(青)のいずれかに着色されてい
る。カラーフィルタ33(33R、33G、33B)の
上には、基板全面に、オーバーコート層(保護層)34
が配置されている。オーバーコート層34は、厚さ1μ
m程度のアクリル系樹脂、SiO2等から構成される。
各色のカラーフィルタ33(33R、33G、33B)
が配置されている。カラーフィルタ33は、厚さ1μm
程度のアクリル系樹脂等から構成され、顔料により、R
(赤)、G(緑)、B(青)のいずれかに着色されてい
る。カラーフィルタ33(33R、33G、33B)の
上には、基板全面に、オーバーコート層(保護層)34
が配置されている。オーバーコート層34は、厚さ1μ
m程度のアクリル系樹脂、SiO2等から構成される。
【0022】オーバーコート層34の上には、図5に示
すように、開口部38を有する透明電極(以下、上層電
極)35が配置されている。開口部38はオーバーコー
ト層34の平坦面上に、その平坦面のおよそ半分程度の
面積で形成されている。上層電極35は、厚さ0.08
±0.02μm程度の厚さのITOより構成され、端部
で下層電極31の端部に接続されている。
すように、開口部38を有する透明電極(以下、上層電
極)35が配置されている。開口部38はオーバーコー
ト層34の平坦面上に、その平坦面のおよそ半分程度の
面積で形成されている。上層電極35は、厚さ0.08
±0.02μm程度の厚さのITOより構成され、端部
で下層電極31の端部に接続されている。
【0023】上層電極35及びオーバーコート層34の
上には、ポリイミド等からなる配向膜36が形成されて
いる。図1で下側の配向膜23には、例えば図4の破線
で示す方向(0°の方向)にラビング等の配向処理が施
され、上側の配向膜36には、図4の実線で示す方向
(90°の方向)に配向処理が施されている。
上には、ポリイミド等からなる配向膜36が形成されて
いる。図1で下側の配向膜23には、例えば図4の破線
で示す方向(0°の方向)にラビング等の配向処理が施
され、上側の配向膜36には、図4の実線で示す方向
(90°の方向)に配向処理が施されている。
【0024】液晶13はカイラル剤が添加されたネマテ
ィック液晶から構成され、配向処理に従ってTFT基板
11から対向基板12に向けて時計回り方向に90°
(0°〜−90°)ツイストして配向している。
ィック液晶から構成され、配向処理に従ってTFT基板
11から対向基板12に向けて時計回り方向に90°
(0°〜−90°)ツイストして配向している。
【0025】下側(光入射側)の偏光板14は、その透
過軸が下側の配向膜23に施された配向処理の方向に垂
直(90°)になるように設定され、上側(光出射側)
の偏光板15は、その透過軸が下側の偏光板14の透過
軸に垂直となるように設定されている。
過軸が下側の配向膜23に施された配向処理の方向に垂
直(90°)になるように設定され、上側(光出射側)
の偏光板15は、その透過軸が下側の偏光板14の透過
軸に垂直となるように設定されている。
【0026】この様な構成の液晶表示素子においては、
画素電極22と下層電極31との間に駆動電圧を印加す
ると、駆動電圧の上昇に伴い、液晶13に印加される電
圧が上昇し、液晶13の配向状態が連続的に変化し、表
示が徐々に暗くなる。また、透過光はカラーフィルタ3
3により着色される。従って、ゲートラインGLに印加
するゲートパルスを制御することにより、TFT21の
オンオフを制御し、所望の階調に対応する信号電圧をデ
ータラインDLを介して画素電極22に書き込むことに
より、カラー階調表示が可能となる。
画素電極22と下層電極31との間に駆動電圧を印加す
ると、駆動電圧の上昇に伴い、液晶13に印加される電
圧が上昇し、液晶13の配向状態が連続的に変化し、表
示が徐々に暗くなる。また、透過光はカラーフィルタ3
3により着色される。従って、ゲートラインGLに印加
するゲートパルスを制御することにより、TFT21の
オンオフを制御し、所望の階調に対応する信号電圧をデ
ータラインDLを介して画素電極22に書き込むことに
より、カラー階調表示が可能となる。
【0027】また、各画素の上層電極35と画素電極2
2とが対向する領域(以下、通常領域)では、駆動電圧
がほぼそのまま液晶13に印加される。これに対し、開
口部38が形成され下層電極31と画素電極22とが対
向する領域(以下、電圧降下領域)では、駆動電圧がカ
ラーフィルタ33及びオーバーコート層34により降圧
されて、液晶13に印加される。従って、通常領域と電
圧降下領域とでは、液晶13に印加される電圧の大きさ
が異なり、各画素内に異なった配向状態の領域(ドメイ
ン)が形成される。このため、これらの光学的特性が平
均化され視野角が広くなる。
2とが対向する領域(以下、通常領域)では、駆動電圧
がほぼそのまま液晶13に印加される。これに対し、開
口部38が形成され下層電極31と画素電極22とが対
向する領域(以下、電圧降下領域)では、駆動電圧がカ
ラーフィルタ33及びオーバーコート層34により降圧
されて、液晶13に印加される。従って、通常領域と電
圧降下領域とでは、液晶13に印加される電圧の大きさ
が異なり、各画素内に異なった配向状態の領域(ドメイ
ン)が形成される。このため、これらの光学的特性が平
均化され視野角が広くなる。
【0028】開口部38はオーバーコート層34の上に
ITO膜をスパッタリング等により形成し、該ITO膜
をエッチング等により除去して形成される。オーバーコ
ート層34の平坦面上では、ITO膜の膜厚が均一であ
り、エッチング速度は一定である。従って、この構成で
は、エッチングは開口部38のどの部分でも均一に行わ
れ、一部のエッチングが速く進んで上層電極35とオー
バーコート層34との間にエッチング液が浸透して上層
電極35がオーバーエッチングされることはない。
ITO膜をスパッタリング等により形成し、該ITO膜
をエッチング等により除去して形成される。オーバーコ
ート層34の平坦面上では、ITO膜の膜厚が均一であ
り、エッチング速度は一定である。従って、この構成で
は、エッチングは開口部38のどの部分でも均一に行わ
れ、一部のエッチングが速く進んで上層電極35とオー
バーコート層34との間にエッチング液が浸透して上層
電極35がオーバーエッチングされることはない。
【0029】従って、オーバーコート層34の平坦面の
上層電極35と開口部38はそれぞれ所定の面積で形成
され、通常領域と電圧降下領域は所定の面積比で構成さ
れる。このため、設計値どおりの視角特性が得られる。
従って、視野角特性のばらつきの少ない液晶表示素子が
実現できる。
上層電極35と開口部38はそれぞれ所定の面積で形成
され、通常領域と電圧降下領域は所定の面積比で構成さ
れる。このため、設計値どおりの視角特性が得られる。
従って、視野角特性のばらつきの少ない液晶表示素子が
実現できる。
【0030】開口部38は図3及び図5に示した形状に
限定されず、オーバーコート層34の平坦面上に図6に
示すような様々な形状で構成される。図6(A)は、図
5に示す開口部38を90゜回転させた位置に形成した
場合を、図6(B)はオーバーコート層34の平坦面の
中央部に開口部38を形成した場合を、図6(C)はオ
ーバーコート層34の平坦面の対角線を開口部38の一
辺として形成した場合を、それぞれ示す。また、開口部
38は図6(A)〜(C)に示す以外の他の多角形の形
状で構成してもよい。
限定されず、オーバーコート層34の平坦面上に図6に
示すような様々な形状で構成される。図6(A)は、図
5に示す開口部38を90゜回転させた位置に形成した
場合を、図6(B)はオーバーコート層34の平坦面の
中央部に開口部38を形成した場合を、図6(C)はオ
ーバーコート層34の平坦面の対角線を開口部38の一
辺として形成した場合を、それぞれ示す。また、開口部
38は図6(A)〜(C)に示す以外の他の多角形の形
状で構成してもよい。
【0031】(第2実施例)第1実施例においては、上
層電極35と開口部38との境界部に段差が生じるた
め、この上に形成された配向膜36にも段差が生じる虞
がある。従って、配向膜36に施される配向処理の方向
によっては、液晶13の配向にディスクリネーションが
発生する虞がある。この問題を解決するために、第2実
施例では、開口部38の長辺と平行な方向に配向処理を
施すこととする。
層電極35と開口部38との境界部に段差が生じるた
め、この上に形成された配向膜36にも段差が生じる虞
がある。従って、配向膜36に施される配向処理の方向
によっては、液晶13の配向にディスクリネーションが
発生する虞がある。この問題を解決するために、第2実
施例では、開口部38の長辺と平行な方向に配向処理を
施すこととする。
【0032】第2実施例の液晶表示素子の構成におい
て、上層電極35と開口部38との上に形成される配向
膜36には、開口部38の長辺と平行に配向処理が施さ
れる。また、下側の配向膜23には、配向膜36に施さ
れた配向処理に対して90゜の方向に配向処理が施され
る。基板間に封止される液晶13は、配向膜23、36
の配向処理に従って、90゜ツイストして配向する。
て、上層電極35と開口部38との上に形成される配向
膜36には、開口部38の長辺と平行に配向処理が施さ
れる。また、下側の配向膜23には、配向膜36に施さ
れた配向処理に対して90゜の方向に配向処理が施され
る。基板間に封止される液晶13は、配向膜23、36
の配向処理に従って、90゜ツイストして配向する。
【0033】このような構成の液晶表示素子において
は、上層電極35と開口部38の境界部にも十分な配向
処理(ラビング処理)が施されるので、液晶分子の配向
の不連続が発生せず、この境界部での液晶13の配向は
安定する。従って、液晶13の配向の不連続線、即ち、
ディスクリネーションは発生せず、液晶表示素子の表示
画像を高品位に維持することができる。
は、上層電極35と開口部38の境界部にも十分な配向
処理(ラビング処理)が施されるので、液晶分子の配向
の不連続が発生せず、この境界部での液晶13の配向は
安定する。従って、液晶13の配向の不連続線、即ち、
ディスクリネーションは発生せず、液晶表示素子の表示
画像を高品位に維持することができる。
【0034】第1実施例で説明した図6(A)〜(C)
に示す開口部38が形成された配向膜36の配向処理方
向を図7(A)〜(C)に示す。図7(A)〜(C)に
実線又は一点鎖線で示す矢印の方向が、配向膜36の配
向処理方向、即ちラビングの方向であり、矢印の方向に
配向処理を施すことにより、上層電極35と開口部38
の長辺との境界部で液晶13の配向は安定し、ディスク
リネーションは発生しない。
に示す開口部38が形成された配向膜36の配向処理方
向を図7(A)〜(C)に示す。図7(A)〜(C)に
実線又は一点鎖線で示す矢印の方向が、配向膜36の配
向処理方向、即ちラビングの方向であり、矢印の方向に
配向処理を施すことにより、上層電極35と開口部38
の長辺との境界部で液晶13の配向は安定し、ディスク
リネーションは発生しない。
【0035】この発明は上記実施例に限定されず、種々
の変形及び応用が可能である。例えば、上記実施例にお
いては、カラーフィルタを用いたカラー液晶表示素子に
この発明を適用したが、白黒階調表示の液晶表示素子に
も同様に適用可能である。この場合、カラーフィルタの
代わりに比誘電率が3.0乃至4.0の絶縁膜を1.0
乃至2.0μmに形成し、その上に上層電極35を形成
する。このような構成とすることにより、視野角が広い
モノクローム型のTN液晶表示素子を得ることができ
る。
の変形及び応用が可能である。例えば、上記実施例にお
いては、カラーフィルタを用いたカラー液晶表示素子に
この発明を適用したが、白黒階調表示の液晶表示素子に
も同様に適用可能である。この場合、カラーフィルタの
代わりに比誘電率が3.0乃至4.0の絶縁膜を1.0
乃至2.0μmに形成し、その上に上層電極35を形成
する。このような構成とすることにより、視野角が広い
モノクローム型のTN液晶表示素子を得ることができ
る。
【0036】配向膜23、36に施す配向処理の方向及
び偏光板14、15の透過軸の配置は上記実施例に限定
されず、任意に変更可能である。例えば、下側の偏光板
14の透過軸を下配向膜23の配向処理と平行としても
よい。また、上側の偏光板15の透過軸を下側の偏光板
14の透過軸と平行としてもよい。
び偏光板14、15の透過軸の配置は上記実施例に限定
されず、任意に変更可能である。例えば、下側の偏光板
14の透過軸を下配向膜23の配向処理と平行としても
よい。また、上側の偏光板15の透過軸を下側の偏光板
14の透過軸と平行としてもよい。
【0037】上記実施例においては、TFT液晶表示素
子を例にこの発明を説明したが、この発明は、MIMを
アクティブ素子とする液晶表示素子にも適用可能であ
る。また、アクティブ素子を使用しないパッシブマトリ
クス方式の液晶表示素子にも適用可能である。
子を例にこの発明を説明したが、この発明は、MIMを
アクティブ素子とする液晶表示素子にも適用可能であ
る。また、アクティブ素子を使用しないパッシブマトリ
クス方式の液晶表示素子にも適用可能である。
【0038】この発明は、TN(ツイストネマティッ
ク)液晶表示素子に限らず、STN液晶表示素子などに
も同様に適用可能である。また、透過型液晶表示素子に
限らず、反射膜を備えた反射型液晶表示素子にも適用可
能である。この場合、反射膜側の偏光板を省略してもよ
い。
ク)液晶表示素子に限らず、STN液晶表示素子などに
も同様に適用可能である。また、透過型液晶表示素子に
限らず、反射膜を備えた反射型液晶表示素子にも適用可
能である。この場合、反射膜側の偏光板を省略してもよ
い。
【0039】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれば
オーバーコート層の平坦面上に上層電極の開口部を構成
して画素を通常領域と電圧降下領域とに分割することに
より、視角特性のばらつきの少ない広視野角な液晶表示
素子が実現できる。また、配向膜に開口部の長辺に平行
な方向に配向処理を施すことにより、ディスクリネ−シ
ョンが発生しない、表示品位の優れた液晶表示素子が実
現できる。
オーバーコート層の平坦面上に上層電極の開口部を構成
して画素を通常領域と電圧降下領域とに分割することに
より、視角特性のばらつきの少ない広視野角な液晶表示
素子が実現できる。また、配向膜に開口部の長辺に平行
な方向に配向処理を施すことにより、ディスクリネ−シ
ョンが発生しない、表示品位の優れた液晶表示素子が実
現できる。
【図1】この発明の第1実施例にかかるカラーTN型液
晶表示素子の構成を示す断面図である。
晶表示素子の構成を示す断面図である。
【図2】TFT基板の構成を示す平面図である。
【図3】対向基板の電極の構成を示す平面図である。
【図4】配向処理の方向と液晶の配向方向を示す図であ
る。
る。
【図5】この発明にかかる第1実施例の対向基板側の一
画素分の構成を示す分解斜視図である。
画素分の構成を示す分解斜視図である。
【図6】(A)〜(C)は、第1実施例の開口部の他の
構成例を示す平面図である。
構成例を示す平面図である。
【図7】この発明にかかる第2実施例の開口部の形状と
配向処理の方向との関係を示す図である。
配向処理の方向との関係を示す図である。
【図8】従来の液晶表示素子の対向基板側の一画素分の
構成を示す分解斜視図である。
構成を示す分解斜視図である。
11・・・TFT基板、12・・・対向基板、13・・・液晶、
14・・・偏光板、15・・・偏光板、16・・・液晶セル、2
1・・・TFT、22・・・画素電極、23・・・配向膜、31・
・・下層電極、32・・・ブラックマスク、33・・・カラーフ
ィルタ、34・・・オーバーコート層、35・・・上層電極、
36・・・配向膜、37・・・電極端子、38・・・開口部、S
C・・・シール材、GL・・・ゲートライン、DL・・・データ
ライン
14・・・偏光板、15・・・偏光板、16・・・液晶セル、2
1・・・TFT、22・・・画素電極、23・・・配向膜、31・
・・下層電極、32・・・ブラックマスク、33・・・カラーフ
ィルタ、34・・・オーバーコート層、35・・・上層電極、
36・・・配向膜、37・・・電極端子、38・・・開口部、S
C・・・シール材、GL・・・ゲートライン、DL・・・データ
ライン
Claims (5)
- 【請求項1】各画素領域に第1の電極が形成され、且
つ、対応する第1の電極に接続されたアクティブ素子が
形成された第1の基板と、 前記第1の基板に対向して配置された第2の基板と、 前記第2の基板の前記第1の基板に対向する面に形成さ
れ前記第1の電極と対向する第2の電極と、 前記第2の電極の上に形成された絶縁膜と、 前記絶縁膜の上に、該絶縁膜の平坦部に前記第1の電極
の一部分と対応する開口を有して形成された第3の電極
と、 前記第1と第2の基板間に封止された液晶と、を備えた
ことを特徴とする液晶表示素子。 - 【請求項2】前記第3の電極の上に形成され、所定方向
に配向処理が施された配向膜を備え、前記第3の電極
は、前記配向処理の方向と平行な辺を有する開口が形成
されていることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示
素子。 - 【請求項3】前記絶縁膜は、カラーフィルタ又はオーバ
ーコート層の少なくともどちらか一方から構成されるこ
とを特徴とする請求項1又は2に記載の液晶表示素子。 - 【請求項4】前記絶縁膜は比誘電率が3.0乃至4.0
で厚さが1.0乃至2.0μmに構成されていることを
特徴とする請求項1乃至3のいずれか1つに記載の液晶
表示素子。 - 【請求項5】前記第3の電極は前記第2の電極に接続さ
れていることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1
つに記載の液晶表示素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18657695A JPH0915631A (ja) | 1995-06-30 | 1995-06-30 | 液晶表示素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18657695A JPH0915631A (ja) | 1995-06-30 | 1995-06-30 | 液晶表示素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0915631A true JPH0915631A (ja) | 1997-01-17 |
Family
ID=16190964
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18657695A Pending JPH0915631A (ja) | 1995-06-30 | 1995-06-30 | 液晶表示素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0915631A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009037098A (ja) * | 2007-08-03 | 2009-02-19 | Sony Corp | 液晶表示装置 |
-
1995
- 1995-06-30 JP JP18657695A patent/JPH0915631A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009037098A (ja) * | 2007-08-03 | 2009-02-19 | Sony Corp | 液晶表示装置 |
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