JPH09157848A - 蒸着装置 - Google Patents
蒸着装置Info
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- JPH09157848A JPH09157848A JP31814695A JP31814695A JPH09157848A JP H09157848 A JPH09157848 A JP H09157848A JP 31814695 A JP31814695 A JP 31814695A JP 31814695 A JP31814695 A JP 31814695A JP H09157848 A JPH09157848 A JP H09157848A
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- vapor deposition
- vapor
- introduction pipe
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 蒸着源から蒸発せしめられた蒸気に、ガス導
入管8によってガスを導入しながら蒸着を行う蒸着装置
において、蒸気に、ガス導入管8によって、支持体の幅
方向で均等にガスを供給するとともに、この蒸気を支持
体に対して一定の最低入射角で入射させ、特性の均一な
蒸着膜を形成する。 【解決手段】 ガス導入管8のガス流路16を、複数の
分岐箇所を経て吹き出し口に至る形状とするとともに、
ガス導入管8の吹き出し口19近傍に熱遮蔽板を23取
り付ける。そして、このガス導入管8を支持体14の蒸
着領域の一部を覆うように配置することで支持体に対す
る蒸気の最低入射角θminを規制する。
入管8によってガスを導入しながら蒸着を行う蒸着装置
において、蒸気に、ガス導入管8によって、支持体の幅
方向で均等にガスを供給するとともに、この蒸気を支持
体に対して一定の最低入射角で入射させ、特性の均一な
蒸着膜を形成する。 【解決手段】 ガス導入管8のガス流路16を、複数の
分岐箇所を経て吹き出し口に至る形状とするとともに、
ガス導入管8の吹き出し口19近傍に熱遮蔽板を23取
り付ける。そして、このガス導入管8を支持体14の蒸
着領域の一部を覆うように配置することで支持体に対す
る蒸気の最低入射角θminを規制する。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は蒸着装置に関し、特
に蒸着装置内にガスを導入するためのガス導入管の改良
に関する。
に蒸着装置内にガスを導入するためのガス導入管の改良
に関する。
【0002】
【従来の技術】例えば、ビデオテープレコーダ等の分野
においては、近年、高画質化を図るために高密度記録化
が一層強く要求されている。これに対応する磁気記録媒
体として、金属磁性材料を、メッキや真空薄膜形成技術
(真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティン
グ法等)により、直接非磁性支持体上に被着せしめて磁
性層を形成する、いわゆる金属磁性薄膜型の磁気記録媒
体が提案されている。
においては、近年、高画質化を図るために高密度記録化
が一層強く要求されている。これに対応する磁気記録媒
体として、金属磁性材料を、メッキや真空薄膜形成技術
(真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティン
グ法等)により、直接非磁性支持体上に被着せしめて磁
性層を形成する、いわゆる金属磁性薄膜型の磁気記録媒
体が提案されている。
【0003】この金属磁性薄膜型の磁気記録媒体は、保
磁力、角形比及び短波長領域における電磁変換特性に優
れるばかりでなく、磁性層の薄膜化が可能であり、加え
て塗布型の磁気記録媒体のように結合剤等の非磁性材料
を磁性層に含ませなくてよいことから磁性材料の充填密
度を高くできること等、数々の利点を有している。
磁力、角形比及び短波長領域における電磁変換特性に優
れるばかりでなく、磁性層の薄膜化が可能であり、加え
て塗布型の磁気記録媒体のように結合剤等の非磁性材料
を磁性層に含ませなくてよいことから磁性材料の充填密
度を高くできること等、数々の利点を有している。
【0004】中でも真空蒸着法によって磁性層が形成さ
れる蒸着タイプの磁気テープ(蒸着テープ)は、生産効
率が高く特性も安定していることから、既に実用化され
ている。
れる蒸着タイプの磁気テープ(蒸着テープ)は、生産効
率が高く特性も安定していることから、既に実用化され
ている。
【0005】ところで、上記蒸着テープにおいて、磁性
層を形成するための蒸着は、真空槽内に、非磁性支持体
を案内するキャンロールと、蒸着源となる磁性材料と、
蒸着源を加熱するための加熱手段等を有する蒸着装置に
よって行われる。
層を形成するための蒸着は、真空槽内に、非磁性支持体
を案内するキャンロールと、蒸着源となる磁性材料と、
蒸着源を加熱するための加熱手段等を有する蒸着装置に
よって行われる。
【0006】この蒸着装置では、蒸着源となる磁性材料
を、電子線の照射等によって金属蒸気とし、キャンロー
ルの外周面に沿って走行する非磁性支持体上に入射させ
ることによって蒸着膜を形成する。
を、電子線の照射等によって金属蒸気とし、キャンロー
ルの外周面に沿って走行する非磁性支持体上に入射させ
ることによって蒸着膜を形成する。
【0007】ここで、このようにして形成される金属磁
性薄膜の磁気特性には、金属粒子の非磁性支持体への入
射角が影響する。このため、この金属蒸気の入射角を制
御する目的でキャンロール近傍に、支持体の所定領域を
覆うようにシャッターが設けられるのが一般的である。
性薄膜の磁気特性には、金属粒子の非磁性支持体への入
射角が影響する。このため、この金属蒸気の入射角を制
御する目的でキャンロール近傍に、支持体の所定領域を
覆うようにシャッターが設けられるのが一般的である。
【0008】また、さらに、磁性層の保磁力,飽和磁束
密度等の磁気特性を改善するために、非磁性支持体の幅
方向に沿ったスリット状の吹き出し口を有する酸素ガス
導入管を用い、これを通じて供給される酸素ガスによっ
て金属蒸気を酸化することも行われている。この酸素ガ
ス導入管は、水冷されたシャッターに取り付けられ、蒸
気による熱変形が防止されるようになっている。
密度等の磁気特性を改善するために、非磁性支持体の幅
方向に沿ったスリット状の吹き出し口を有する酸素ガス
導入管を用い、これを通じて供給される酸素ガスによっ
て金属蒸気を酸化することも行われている。この酸素ガ
ス導入管は、水冷されたシャッターに取り付けられ、蒸
気による熱変形が防止されるようになっている。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな蒸着装置によって、特性の均一な金属磁性薄膜を成
膜するのは難しい。
うな蒸着装置によって、特性の均一な金属磁性薄膜を成
膜するのは難しい。
【0010】すなわち、上述の如く蒸着装置では、金属
蒸気に酸素ガスを供給するために酸素ガス導入管が用い
られるが、この酸素ガス導入管では、上流側の方がどう
しても酸素流圧が高くなり、酸素ガスが偏って吹き出さ
れる。このため、金属蒸気の酸化が不均一になる。
蒸気に酸素ガスを供給するために酸素ガス導入管が用い
られるが、この酸素ガス導入管では、上流側の方がどう
しても酸素流圧が高くなり、酸素ガスが偏って吹き出さ
れる。このため、金属蒸気の酸化が不均一になる。
【0011】そこで、酸素ガス導入管の酸素流路の検討
が多くなされ、例えば導入管内の吹き出し口手前に、酸
素溜まりを設け、一旦この酸素溜まりに酸素ガスをプー
ルしてから、吹き出し口より吹き出されるようにした酸
素ガス導入管や、2重管構造にした酸素ガス導入管等も
提案されている。しかし、いずれにおいても、吹き出し
口から吹き出される酸素ガスの偏りを十分に解消するこ
とはできない。
が多くなされ、例えば導入管内の吹き出し口手前に、酸
素溜まりを設け、一旦この酸素溜まりに酸素ガスをプー
ルしてから、吹き出し口より吹き出されるようにした酸
素ガス導入管や、2重管構造にした酸素ガス導入管等も
提案されている。しかし、いずれにおいても、吹き出し
口から吹き出される酸素ガスの偏りを十分に解消するこ
とはできない。
【0012】また、この蒸着装置では、キャンロール近
傍に設けられたシャッターによって金属蒸気の非磁性支
持体に対する最低入射角が規制されるので、シャッター
に蒸着源由来の付着物が付着すると、この最低入射角が
変動する。これにより蒸着膜の成長方向が不均一にな
る。
傍に設けられたシャッターによって金属蒸気の非磁性支
持体に対する最低入射角が規制されるので、シャッター
に蒸着源由来の付着物が付着すると、この最低入射角が
変動する。これにより蒸着膜の成長方向が不均一にな
る。
【0013】そこで、本発明はこのような従来の実情に
鑑みて提案されたものであり、蒸着源から蒸発せしめら
れた蒸気に対して、ガス導入管によって、支持体の幅方
向で均等にガスを供給することができ、また、この蒸気
を支持体に対して一定の最低入射角で入射することがで
き、特性の均一な蒸着膜を形成することが可能な蒸着装
置を提供することを目的とする。
鑑みて提案されたものであり、蒸着源から蒸発せしめら
れた蒸気に対して、ガス導入管によって、支持体の幅方
向で均等にガスを供給することができ、また、この蒸気
を支持体に対して一定の最低入射角で入射することがで
き、特性の均一な蒸着膜を形成することが可能な蒸着装
置を提供することを目的とする。
【0014】
【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
めに、本発明の蒸着装置は、支持体を案内するキャンロ
ールと、蒸着源と、前記キャンロールと蒸着源の間に設
けられたガス導入管を有してなり、蒸着源から蒸発せし
められた蒸気をキャンロールの外周面の沿って走行する
支持体表面に入射させることで蒸着膜を形成する蒸着装
置であって、上記ガス導入管は、複数の分岐箇所を経て
吹き出し口に至るガス流路を有するとともに、吹き出し
口近傍に熱遮蔽板が取り付けられ、上記ガス導入管が支
持体の蒸着領域の一部を覆うように配置されることによ
って、支持体に対する蒸気の最低入射角が規制されるこ
とを特徴とするものである。
めに、本発明の蒸着装置は、支持体を案内するキャンロ
ールと、蒸着源と、前記キャンロールと蒸着源の間に設
けられたガス導入管を有してなり、蒸着源から蒸発せし
められた蒸気をキャンロールの外周面の沿って走行する
支持体表面に入射させることで蒸着膜を形成する蒸着装
置であって、上記ガス導入管は、複数の分岐箇所を経て
吹き出し口に至るガス流路を有するとともに、吹き出し
口近傍に熱遮蔽板が取り付けられ、上記ガス導入管が支
持体の蒸着領域の一部を覆うように配置されることによ
って、支持体に対する蒸気の最低入射角が規制されるこ
とを特徴とするものである。
【0015】このような蒸着装置では、ガス導入管の吹
き出し口近傍に熱遮蔽板が取り付けられているので、ガ
ス導入管の吹き出し口が蒸気の熱によって熱変形するの
が防止される。また、酸素ガス導入管が、複数の分岐箇
所を経て吹き出し口に至る酸素流路を有することから、
この酸素流路を経て吹き出し口から均等にガスが吹き出
される。したがって、このガス導入管によって蒸気に均
一にガスが導入される。
き出し口近傍に熱遮蔽板が取り付けられているので、ガ
ス導入管の吹き出し口が蒸気の熱によって熱変形するの
が防止される。また、酸素ガス導入管が、複数の分岐箇
所を経て吹き出し口に至る酸素流路を有することから、
この酸素流路を経て吹き出し口から均等にガスが吹き出
される。したがって、このガス導入管によって蒸気に均
一にガスが導入される。
【0016】また、支持体に対する蒸気の最低入射角
が、シャッターではなくガス導入管によって規制される
ので、シャッターは蒸着源由来の付着物の付着量に応じ
て自由に移動操作することができる。このため、シャッ
ターに付着した付着物が蒸着領域に侵入するのが避けら
れ、支持体に対する蒸気の最低入射角が一定に保たれ
る。
が、シャッターではなくガス導入管によって規制される
ので、シャッターは蒸着源由来の付着物の付着量に応じ
て自由に移動操作することができる。このため、シャッ
ターに付着した付着物が蒸着領域に侵入するのが避けら
れ、支持体に対する蒸気の最低入射角が一定に保たれ
る。
【0017】なお、上記ガス導入管には、冷却水路を設
け、これにより、上記の熱による加熱を抑えるようにし
てもよい。
け、これにより、上記の熱による加熱を抑えるようにし
てもよい。
【0018】
【発明の実施の形態】本発明の具体的な実施の形態につ
いて説明する。
いて説明する。
【0019】本発明の蒸着装置の一形態を図1に示す。
この蒸着装置は、蒸着源となる金属磁性材料を蒸発せし
め、この金属蒸気に酸素ガスを導入しながら金属磁性薄
膜を形成するものである。
この蒸着装置は、蒸着源となる金属磁性材料を蒸発せし
め、この金属蒸気に酸素ガスを導入しながら金属磁性薄
膜を形成するものである。
【0020】この蒸着装置は、内部が排気装置2によっ
て高真空状態(約10-3〜10-4Pa)となされた真空
槽1内に、図中の反時計回り方向に定速回転する供給ロ
ール12と、図中の時計回り方向に定速回転する巻取り
ロール13とが設けられ、これら供給ロール12から巻
取りロール13にテープ状に非磁性支持体14が順次走
行するようになされている。
て高真空状態(約10-3〜10-4Pa)となされた真空
槽1内に、図中の反時計回り方向に定速回転する供給ロ
ール12と、図中の時計回り方向に定速回転する巻取り
ロール13とが設けられ、これら供給ロール12から巻
取りロール13にテープ状に非磁性支持体14が順次走
行するようになされている。
【0021】これら供給ロール12から巻取りロール1
3側に上記非磁性支持体14が走行する中途部には、上
記各ロール3,4の径よりも大径となされた冷却ロール
(キャンロール)9が設けられている。この冷却ロール
9は、上記非磁性支持体14を図中左方に引き出すよう
に設けられ、図中の反時計回り方向に定速回転する構成
とされる。尚、上記供給ロール12,巻取りロール13
及び冷却ロール9は、それぞれ非磁性支持体14の幅と
略同じ長さからなる円筒状をなすものであり、また上記
冷却ロール9には、内部に図示しない冷却装置が設けら
れ、上記非磁性支持体14の温度上昇による変形等を抑
制し得るようになされている。
3側に上記非磁性支持体14が走行する中途部には、上
記各ロール3,4の径よりも大径となされた冷却ロール
(キャンロール)9が設けられている。この冷却ロール
9は、上記非磁性支持体14を図中左方に引き出すよう
に設けられ、図中の反時計回り方向に定速回転する構成
とされる。尚、上記供給ロール12,巻取りロール13
及び冷却ロール9は、それぞれ非磁性支持体14の幅と
略同じ長さからなる円筒状をなすものであり、また上記
冷却ロール9には、内部に図示しない冷却装置が設けら
れ、上記非磁性支持体14の温度上昇による変形等を抑
制し得るようになされている。
【0022】さらに、上記供給ロール12と上記冷却ロ
ール9の間及び上記冷却ロール9と上記巻取りロール1
3の間には、それぞれ回動ロール10,11が設けら
れ、上記供給ロール12、冷却ロール9、巻取りロール
13に順次亘って走行する非磁性支持体14に所定のテ
ンションがかけられ、非磁性支持体14が円滑に走行す
るようになされている。
ール9の間及び上記冷却ロール9と上記巻取りロール1
3の間には、それぞれ回動ロール10,11が設けら
れ、上記供給ロール12、冷却ロール9、巻取りロール
13に順次亘って走行する非磁性支持体14に所定のテ
ンションがかけられ、非磁性支持体14が円滑に走行す
るようになされている。
【0023】また、上記真空槽1内には、上記冷却ロー
ル9に対して、図中の斜め左側の下方にルツボ14が設
けられ、このルツボ14内に金属磁性材料が蒸着源4と
して充填されている。このルツボ14は、上記冷却ロー
ル9の長手方向の幅と略同一の幅を有している。
ル9に対して、図中の斜め左側の下方にルツボ14が設
けられ、このルツボ14内に金属磁性材料が蒸着源4と
して充填されている。このルツボ14は、上記冷却ロー
ル9の長手方向の幅と略同一の幅を有している。
【0024】一方、上記真空槽1の側壁部には、上記ル
ツボ14内に充填された蒸着源4を加熱蒸発させるため
の電子銃3が取り付けられている。この電子銃3は、当
該電子銃3より放出される電子線が上記ルツボ14内の
蒸着源4に照射されるような位置に配設される。そし
て、この電子銃3によって溶融、蒸発した金属蒸気5が
上記冷却ロール9の外周面を定速走行する非磁性支持体
14上に入射し、磁性層として被着形成されるようにな
っている。
ツボ14内に充填された蒸着源4を加熱蒸発させるため
の電子銃3が取り付けられている。この電子銃3は、当
該電子銃3より放出される電子線が上記ルツボ14内の
蒸着源4に照射されるような位置に配設される。そし
て、この電子銃3によって溶融、蒸発した金属蒸気5が
上記冷却ロール9の外周面を定速走行する非磁性支持体
14上に入射し、磁性層として被着形成されるようにな
っている。
【0025】また、上記冷却ロール9の近傍には、防着
板6が設けられている。この防着板6は、成膜された金
属磁性薄膜上に不要な金属蒸気が付着してしまうのを防
止するためのものである。この防着板6は、非磁性支持
体14に対して蒸着をなす領域(蒸着領域,図中A領
域)よりも送り出し側に、非磁性支持体14の所定の領
域を覆う如く設けられている。
板6が設けられている。この防着板6は、成膜された金
属磁性薄膜上に不要な金属蒸気が付着してしまうのを防
止するためのものである。この防着板6は、非磁性支持
体14に対して蒸着をなす領域(蒸着領域,図中A領
域)よりも送り出し側に、非磁性支持体14の所定の領
域を覆う如く設けられている。
【0026】この防着板6には、上記真空槽1の側壁部
を貫通している酸素ガス導入管8が取り付けられてい
る。この酸素ガス導入管8は、金属蒸気5に酸素ガスを
供給するためのものであり、この酸素ガス供給量を調整
することによって、成膜される金属磁性薄膜の保磁力や
飽和磁束密度等の磁気特性が制御される。
を貫通している酸素ガス導入管8が取り付けられてい
る。この酸素ガス導入管8は、金属蒸気5に酸素ガスを
供給するためのものであり、この酸素ガス供給量を調整
することによって、成膜される金属磁性薄膜の保磁力や
飽和磁束密度等の磁気特性が制御される。
【0027】この酸素ガス導入管8は図2(a)及び
(b)に示すような構成となされている。なお、このう
ち、図2(b)は酸素ガス導入管8を管に沿って切断し
た断面図であり、図2(a)は、酸素ガス導入管8を図
2(b)中のA−A´線で切断した断面図である。
(b)に示すような構成となされている。なお、このう
ち、図2(b)は酸素ガス導入管8を管に沿って切断し
た断面図であり、図2(a)は、酸素ガス導入管8を図
2(b)中のA−A´線で切断した断面図である。
【0028】この酸素ガス導入管8は、図2(a)に示
すように、一側面に酸素流路16が細溝として形成され
るとともに、この酸素流路16が形成された側とは反対
側に冷却水路21,22を有する導入管本体26と、こ
の導入管本体26の酸素流路16が形成された側にガス
ケット24を介して取り付けられた蓋部25と、冷却水
路21,22が形成された側に取り付けられた熱遮蔽板
23を有してなる。
すように、一側面に酸素流路16が細溝として形成され
るとともに、この酸素流路16が形成された側とは反対
側に冷却水路21,22を有する導入管本体26と、こ
の導入管本体26の酸素流路16が形成された側にガス
ケット24を介して取り付けられた蓋部25と、冷却水
路21,22が形成された側に取り付けられた熱遮蔽板
23を有してなる。
【0029】上記導入管本体26において、上記酸素流
路16は、図2(b)に示すように、複数の分岐箇所を
経て吹き出し口に至る細溝として形成されている。
路16は、図2(b)に示すように、複数の分岐箇所を
経て吹き出し口に至る細溝として形成されている。
【0030】すなわち、この酸素流路16となる細溝
は、外部から酸素ガスを供給するための酸素流入管15
の導入管側の端部に連なり、導入管本体26に沿って2
方向に延在され、2方向に延在された細溝は、それぞれ
途中で曲折し、この曲折部から導入管本体26に沿って
2方向に分岐する。2方向に分岐した細溝は、さらに延
在、分岐を繰り返し、最終的には、16本の細管に枝分
かれすることになる。
は、外部から酸素ガスを供給するための酸素流入管15
の導入管側の端部に連なり、導入管本体26に沿って2
方向に延在され、2方向に延在された細溝は、それぞれ
途中で曲折し、この曲折部から導入管本体26に沿って
2方向に分岐する。2方向に分岐した細溝は、さらに延
在、分岐を繰り返し、最終的には、16本の細管に枝分
かれすることになる。
【0031】このように16本に枝分かれした細溝は、
導入管本体26がこれら16本の細溝に亘って階段状に
切りかかれることで形成された酸素溜まり17,18に
連なっている。そして、この酸素溜まり18は、さらに
導入管本体26と蓋部25の間にスリット状に設けられ
た吹き出し口19に連なっている。
導入管本体26がこれら16本の細溝に亘って階段状に
切りかかれることで形成された酸素溜まり17,18に
連なっている。そして、この酸素溜まり18は、さらに
導入管本体26と蓋部25の間にスリット状に設けられ
た吹き出し口19に連なっている。
【0032】このような酸素流路16では、各分岐点で
2方向に延在された酸素流路に同じ圧力で酸素ガスが流
れることから、最終的に枝分かれした16本の酸素流路
にも同じ圧力で酸素ガスが流れ、酸素溜まり17,18
に供給される。したがって、この酸素溜まり17,18
にプールされた酸素ガスは、吹き出し口19から幅方向
で均一に吹き出されることになる。
2方向に延在された酸素流路に同じ圧力で酸素ガスが流
れることから、最終的に枝分かれした16本の酸素流路
にも同じ圧力で酸素ガスが流れ、酸素溜まり17,18
に供給される。したがって、この酸素溜まり17,18
にプールされた酸素ガスは、吹き出し口19から幅方向
で均一に吹き出されることになる。
【0033】なお、このような酸素流路16は、ガスケ
ット24を介して取り付けられた蓋部25によって閉塞
されるが、この蓋部25は導入管本体26から取り外し
可能となされている。したがって、この蓋部25とガス
ケット24を取り外すことで酸素流路16や酸素溜まり
17,18に目詰まりした蒸着源由来の金属粒子を容易
に清掃除去することが可能である。なお、この蓋部25
と導入管本体26の間のガスケット24の材料として
は、気密効果に優れることから銅やなまし、特に熱伝導
率の大きな銅を用いるのが望ましい。
ット24を介して取り付けられた蓋部25によって閉塞
されるが、この蓋部25は導入管本体26から取り外し
可能となされている。したがって、この蓋部25とガス
ケット24を取り外すことで酸素流路16や酸素溜まり
17,18に目詰まりした蒸着源由来の金属粒子を容易
に清掃除去することが可能である。なお、この蓋部25
と導入管本体26の間のガスケット24の材料として
は、気密効果に優れることから銅やなまし、特に熱伝導
率の大きな銅を用いるのが望ましい。
【0034】一方、この酸素流路16が形成された側の
反対側に設けられた冷却水路21,22は、当該酸素ガ
ス導入管8を冷却するための冷却水を通過させるための
ものである。これによって、蒸気の熱で酸素ガス導入管
8が熱変形するのが防止される。なお、この冷却水路2
1,22には、酸素流入管15を挟んで両側に設けられ
た冷却水流入管27,28により冷却水が供給される。
反対側に設けられた冷却水路21,22は、当該酸素ガ
ス導入管8を冷却するための冷却水を通過させるための
ものである。これによって、蒸気の熱で酸素ガス導入管
8が熱変形するのが防止される。なお、この冷却水路2
1,22には、酸素流入管15を挟んで両側に設けられ
た冷却水流入管27,28により冷却水が供給される。
【0035】また、この冷却水路21,22が形成され
た側に取り付けられた熱遮蔽板23は、蒸気の熱から酸
素ガス導入管8の吹き出し口19を保護し、熱変形する
のを防止するためのものである。この熱遮蔽板23は、
導入管本体26の吹き出し口19近傍との間に隙間が空
くように、導入管本体26と取り付けられる側の吹き出
し口19近傍に段差が設けられ、この段差部分20以外
の部分において導入管本体26に取り付けられている。
この熱遮蔽板23では、この段差部分20によって生じ
る隙間によって当該熱遮蔽板23から導入管本体26の
吹き出し口19近傍に熱が伝導するのが防止される。な
お、この熱遮蔽板23の段差が設けられた反対側はテー
パ面となされており、吹き出し口19からの酸素ガスの
吹き出しが当該熱遮蔽板23によって妨げられないよう
になっている。なお、この熱遮蔽板23は、このように
導入管本体と別の部材として取り付けてもよいが、導入
管本体と一体成形するようにしても良い。但し、一体成
形する場合にも、吹き出し口近傍は熱遮蔽板と若干離間
させ、隙を生じせしめておくことが必要である。
た側に取り付けられた熱遮蔽板23は、蒸気の熱から酸
素ガス導入管8の吹き出し口19を保護し、熱変形する
のを防止するためのものである。この熱遮蔽板23は、
導入管本体26の吹き出し口19近傍との間に隙間が空
くように、導入管本体26と取り付けられる側の吹き出
し口19近傍に段差が設けられ、この段差部分20以外
の部分において導入管本体26に取り付けられている。
この熱遮蔽板23では、この段差部分20によって生じ
る隙間によって当該熱遮蔽板23から導入管本体26の
吹き出し口19近傍に熱が伝導するのが防止される。な
お、この熱遮蔽板23の段差が設けられた反対側はテー
パ面となされており、吹き出し口19からの酸素ガスの
吹き出しが当該熱遮蔽板23によって妨げられないよう
になっている。なお、この熱遮蔽板23は、このように
導入管本体と別の部材として取り付けてもよいが、導入
管本体と一体成形するようにしても良い。但し、一体成
形する場合にも、吹き出し口近傍は熱遮蔽板と若干離間
させ、隙を生じせしめておくことが必要である。
【0036】このような酸素ガス導入管8には、一端部
に取り付け用の孔部29が穿設され、この孔部29に防
着板6の取り付け冶具をはめ込むことで防着板6に支持
される。そして、この防着板6に支持された酸素ガス導
入管8は非磁性支持体14の蒸着領域の最終部に対応す
るような位置となされる。したがって、この装置では、
蒸着領域Aに入射する金属蒸気5の最低入射角θmin
が、この酸素ガス導入管8によって規制される。
に取り付け用の孔部29が穿設され、この孔部29に防
着板6の取り付け冶具をはめ込むことで防着板6に支持
される。そして、この防着板6に支持された酸素ガス導
入管8は非磁性支持体14の蒸着領域の最終部に対応す
るような位置となされる。したがって、この装置では、
蒸着領域Aに入射する金属蒸気5の最低入射角θmin
が、この酸素ガス導入管8によって規制される。
【0037】すなわち、非磁性支持体14に対する蒸着
は、上記非磁性支持体14の表面が蒸気流側に向き始め
る点からなされ、酸素ガス導入管8によって遮蔽される
点で終了される。このとき、蒸気流の入射角は、非磁性
支持体14の移動とともに高角度から低角度に徐々に変
化し、上記酸素ガス導入管8が配設された位置で最小値
θminをとる。
は、上記非磁性支持体14の表面が蒸気流側に向き始め
る点からなされ、酸素ガス導入管8によって遮蔽される
点で終了される。このとき、蒸気流の入射角は、非磁性
支持体14の移動とともに高角度から低角度に徐々に変
化し、上記酸素ガス導入管8が配設された位置で最小値
θminをとる。
【0038】また、この蒸着装置では、防着板6と一部
重なった形で駆動シャッター7が設けられている。この
駆動シャッター7は、酸素ガス導入管8に金属蒸気5が
付着したり、金属蒸気5が酸素ガス導入管8と防着板6
の間を通過して金属磁性薄膜に付着してしまうのを防ぐ
ためのものである。この駆動シャッター7は、非磁性支
持体14の導入側及び送り出し側に移動自在となされて
いる。したがって、例えば当該駆動シャッタの辺縁に蒸
着源由来の付着物が付着したときには、その付着量に応
じて、付着物が蒸着領域に侵入しないように適正な位置
に調整することができる。
重なった形で駆動シャッター7が設けられている。この
駆動シャッター7は、酸素ガス導入管8に金属蒸気5が
付着したり、金属蒸気5が酸素ガス導入管8と防着板6
の間を通過して金属磁性薄膜に付着してしまうのを防ぐ
ためのものである。この駆動シャッター7は、非磁性支
持体14の導入側及び送り出し側に移動自在となされて
いる。したがって、例えば当該駆動シャッタの辺縁に蒸
着源由来の付着物が付着したときには、その付着量に応
じて、付着物が蒸着領域に侵入しないように適正な位置
に調整することができる。
【0039】以上のような蒸着装置では、酸素ガス導入
管8が熱遮蔽板23及び冷却水路21,22を有してい
ることから吹き出し口19が蒸気の熱によって熱変形せ
ず、またその酸素流路16が複数の分岐箇所を経て吹き
出し口に至る形状であることから、この酸素ガス導入管
8の吹き出し口から、金属蒸気5に非磁性支持体14の
幅方向で均等に酸素ガスを供給することができる。しか
も、この熱遮蔽板23及び冷却水路21,22を有する
酸素ガス導入管8は、このように熱変形が生じ難いこと
から、蒸着源に対して比較的近い位置にすることもでき
る。このため、金属蒸気5に効率良く酸素ガスを供給す
ることができる。
管8が熱遮蔽板23及び冷却水路21,22を有してい
ることから吹き出し口19が蒸気の熱によって熱変形せ
ず、またその酸素流路16が複数の分岐箇所を経て吹き
出し口に至る形状であることから、この酸素ガス導入管
8の吹き出し口から、金属蒸気5に非磁性支持体14の
幅方向で均等に酸素ガスを供給することができる。しか
も、この熱遮蔽板23及び冷却水路21,22を有する
酸素ガス導入管8は、このように熱変形が生じ難いこと
から、蒸着源に対して比較的近い位置にすることもでき
る。このため、金属蒸気5に効率良く酸素ガスを供給す
ることができる。
【0040】また、この蒸着装置では、シャッター7で
はなく、酸素ガス導入管8によって最低入射角θmin
が規制されるので、シャッター7は蒸着源由来の付着物
の付着量に応じて自由に移動操作することができる。こ
のため、シャッター7に付着した付着物が蒸着領域に侵
入するのが避けられ、金属蒸気5の非磁性支持体14に
対する最低入射角θminを一定に保つことができる。
はなく、酸素ガス導入管8によって最低入射角θmin
が規制されるので、シャッター7は蒸着源由来の付着物
の付着量に応じて自由に移動操作することができる。こ
のため、シャッター7に付着した付着物が蒸着領域に侵
入するのが避けられ、金属蒸気5の非磁性支持体14に
対する最低入射角θminを一定に保つことができる。
【0041】したがって、特性の安定な金属磁性薄膜を
形成することが可能である。
形成することが可能である。
【0042】なお、蒸着源となる強磁性金属材料として
は、Fe、Co、Ni等の金属やCo−Ni系合金、C
o−Pt系合金、Co−Pt−Ni系合金、Fe−Co
系合金、Fe−Ni系合金、Fe−Co−Ni系合金、
Fe−Ni−B系合金、Fe−Co−B系合金、Fe−
Co−Ni−B系合金等やCo−Cr系合金等が挙げら
れる。
は、Fe、Co、Ni等の金属やCo−Ni系合金、C
o−Pt系合金、Co−Pt−Ni系合金、Fe−Co
系合金、Fe−Ni系合金、Fe−Co−Ni系合金、
Fe−Ni−B系合金、Fe−Co−B系合金、Fe−
Co−Ni−B系合金等やCo−Cr系合金等が挙げら
れる。
【0043】また、非磁性支持体としては、ポリエチレ
ンテレフタレート等のポリエステル類、ポリエチレン,
ポリプロピレン等のポリオレフィン類、セルローストリ
アセテート,セルロースジアセテート,セルロースアセ
テートブチレート等のセルロース誘導体、ポリ塩化ビニ
ル,ポリ塩化ビニリデン等のビニル系樹脂、ポリカーボ
ネート,ポリイミド,ポリアミド,ポリアミドイミド等
のプラスティック等が用いられる。
ンテレフタレート等のポリエステル類、ポリエチレン,
ポリプロピレン等のポリオレフィン類、セルローストリ
アセテート,セルロースジアセテート,セルロースアセ
テートブチレート等のセルロース誘導体、ポリ塩化ビニ
ル,ポリ塩化ビニリデン等のビニル系樹脂、ポリカーボ
ネート,ポリイミド,ポリアミド,ポリアミドイミド等
のプラスティック等が用いられる。
【0044】以上、本発明の蒸着装置を、金属磁性薄膜
を成膜する場合を例にして説明したが、この蒸着装置に
よって成膜される蒸着膜は金属磁性薄膜に限らない。特
定のガスを導入しながら蒸着形成される蒸着膜がいずれ
も成膜可能であり、同様の作用によってガス導入量の均
一な蒸着膜を形成することが可能である。
を成膜する場合を例にして説明したが、この蒸着装置に
よって成膜される蒸着膜は金属磁性薄膜に限らない。特
定のガスを導入しながら蒸着形成される蒸着膜がいずれ
も成膜可能であり、同様の作用によってガス導入量の均
一な蒸着膜を形成することが可能である。
【0045】
【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明の蒸着装置では、蒸着源から蒸発せしめられた蒸気に
ガスを供給するためのガス導入管として、複数の分岐箇
所を経て吹き出し口に至る酸素流路を有するとともに、
ガス吹き出し口近傍に熱遮蔽板が取り付けられたものを
用い、このガス導入管が支持体の蒸着領域の一部を覆う
ように配置することによって、蒸気の支持体に対する最
低入射角を規制するので、蒸着源から蒸発せしめられた
蒸気に対して、ガス導入管によって支持体の幅方向で均
等にガスを供給することができ、また、この蒸気を支持
体に対して一定の最低入射角で入射させることができ
る。したがって、特性の均一な蒸着膜を形成することが
可能である。
明の蒸着装置では、蒸着源から蒸発せしめられた蒸気に
ガスを供給するためのガス導入管として、複数の分岐箇
所を経て吹き出し口に至る酸素流路を有するとともに、
ガス吹き出し口近傍に熱遮蔽板が取り付けられたものを
用い、このガス導入管が支持体の蒸着領域の一部を覆う
ように配置することによって、蒸気の支持体に対する最
低入射角を規制するので、蒸着源から蒸発せしめられた
蒸気に対して、ガス導入管によって支持体の幅方向で均
等にガスを供給することができ、また、この蒸気を支持
体に対して一定の最低入射角で入射させることができ
る。したがって、特性の均一な蒸着膜を形成することが
可能である。
【図1】本発明を適用した蒸着装置の一構成例を示す模
式図である。
式図である。
【図2】上記蒸着装置の酸素ガス導入管を示すものであ
り、図2(a)は酸素ガス導入管を図2(b)中のA−
A´線で切断した断面図であり、図2(b)は酸素ガス
導入管を管方向に沿って切断した断面図である。
り、図2(a)は酸素ガス導入管を図2(b)中のA−
A´線で切断した断面図であり、図2(b)は酸素ガス
導入管を管方向に沿って切断した断面図である。
4 蒸着源 5 蒸気 8 ガス導入管 9 キャンロール 14 支持体 16 酸素流路 19 ガス吹き出し口 21,22 冷却水路 23 熱遮蔽板
Claims (3)
- 【請求項1】 支持体を案内するキャンロールと、蒸着
源と、前記キャンロールと蒸着源の間に設けられたガス
導入管を有してなり、蒸着源から蒸発せしめられた蒸気
をキャンロールの外周面の沿って走行する支持体表面に
入射させることで蒸着膜を形成する蒸着装置において、 上記ガス導入管は、複数の分岐箇所を経て吹き出し口に
至るガス流路を有するとともに、吹き出し口近傍に熱遮
蔽板が取り付けられ、 上記ガス導入管が支持体の蒸着領域の一部を覆うように
配置されることによって、支持体に対する蒸気の最低入
射角が規制されることを特徴とする蒸着装置。 - 【請求項2】 ガス導入管の酸素流路は、吹き出し口側
に向かうにつれ順次2分岐されることを特徴とする請求
項1記載の蒸着装置。 - 【請求項3】 ガス導入管は、冷却水路を有することを
特徴とする請求項1記載の蒸着装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31814695A JPH09157848A (ja) | 1995-12-06 | 1995-12-06 | 蒸着装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31814695A JPH09157848A (ja) | 1995-12-06 | 1995-12-06 | 蒸着装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09157848A true JPH09157848A (ja) | 1997-06-17 |
Family
ID=18096012
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31814695A Withdrawn JPH09157848A (ja) | 1995-12-06 | 1995-12-06 | 蒸着装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09157848A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2013122058A1 (ja) * | 2012-02-14 | 2013-08-22 | 東京エレクトロン株式会社 | 蒸着ヘッド及び蒸着装置 |
-
1995
- 1995-12-06 JP JP31814695A patent/JPH09157848A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2013122058A1 (ja) * | 2012-02-14 | 2013-08-22 | 東京エレクトロン株式会社 | 蒸着ヘッド及び蒸着装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20030304 |